CN111292960A - 多层陶瓷电子组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，所述多层陶瓷电子组件具有陶瓷主体和外电极，所述陶瓷主体包括介电层和内电极，所述外电极形成在所述陶瓷主体外部并且电连接到所述内电极。所述内电极包括导电金属和纤维状陶瓷添加剂。例如，所述纤维状陶瓷添加剂可包括钛酸钡(BaTiO3)并且可选地包括镝(Dy)和/或钡(Ba)。所述纤维状陶瓷添加剂的直径可以为10nm至200nm，并且所述纤维状陶瓷添加剂的长度与直径的比可以为10至100。

Description

多层陶瓷电子组件及其制造方法
本申请要求于2018年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0158271号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
背景技术
通常，使用陶瓷材料的诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、热敏电阻器等的电子组件可包括利用陶瓷材料制成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体内部的内电极、以及设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。
多层陶瓷电子组件之中的多层陶瓷电容器可包括层叠的多个介电层、设置为彼此面对且介电层介于其间的内电极、以及电连接到内电极的外电极。
多层陶瓷电容器由于相对紧凑的尺寸、相对高的容量、相对易于安装等而已被广泛用作诸如计算机、个人数字助理(PDA)和移动电话的移动通信装置的组件。
近来，根据电气和电子工业中对于具有高性能以及紧凑形式和纤薄形式的电子装置的趋势，存在对具有相对紧凑的尺寸、相对高的性能和相对高的容量的电子组件的需求。
具体地，由于多层陶瓷电容器设置有越来越高的电容和更紧凑的尺寸，因此可能需要用于使每单位体积的静电容量最大化的技术。
因此，在内电极使其体积最小化的同时使其面积最大化的情况下，可通过增加内电极的层数而实现高电容。
然而，随着内电极变薄，厚度与面积的比率减小，从而使烧结驱动力增加。结果，会加剧电极的破裂和聚集的增加。
此外，当使用具有相对紧凑的尺寸的导电金属粉末来使内电极变薄时，可能由于在烧结工艺中颗粒致密化的行为导致发生诸如内电极的聚集、内电极的破裂、内电极的有效面积的减小等问题。
此外，由于内电极与介电层之间的收缩行为的差异，可能发生诸如分层、裂纹等的可靠性的降低。
通常，由于介电层的烧制温度会比内电极层的烧制温度高，所以多层陶瓷电容器中的内电极的聚集和内电极的破裂可能是由金属粉末与介电粉末之间的收缩不匹配导致的。
为了解决这样的问题，在烧制操作中具有收缩抑制效果的陶瓷颗粒被添加到用于内电极的膏中。
然而，随着陶瓷颗粒也被制成小颗粒，使粉末聚集的能量会由于粉末之间的静电力而增加。结果，由于粉末可能难以分散，因此会发生由陶瓷颗粒的聚集导致的缺陷。
因此，为了实现相对高容量的多层陶瓷电容器，需要一种能够通过抑制电极破裂和电极聚集(在形成相对薄的内电极时存在的问题)来实现具有高可靠性的尺寸相对紧凑且容量相对高的多层陶瓷电容器的方法。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，更具体地，提供一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括具有介电层和内电极的陶瓷主体以及形成在所述陶瓷主体外部并且电连接到所述内电极的外电极。所述内电极包括导电金属和纤维状陶瓷添加剂。
根据本公开的另一实施例，一种用于制造多层陶瓷电子组件的方法包括：提供多个陶瓷生片；通过将陶瓷粉末分散在溶剂中并通过喷嘴对所述溶剂进行静电纺丝来形成纤维状陶瓷添加剂；以及用包含导电金属和所述纤维状陶瓷添加剂的导电膏在所述多个陶瓷生片中的每个上形成内电极图案。通过层叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片形成陶瓷层叠主体，并且烧制所述陶瓷层叠主体，以形成包括介电层和内电极的陶瓷主体。
根据本公开的又一实施例，一种多层陶瓷电容器具有主体，所述主体包括交替地堆叠的多个内电极，且介电层设置在所述内电极之间，所述多个内电极中的每个内电极包括混合有纤维状陶瓷添加剂的导电金属。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，其中：
图1是示出根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；
图2是示出沿图1中的线I-I'截取的多层陶瓷电容器的示意性截面图；
图3是图2中的B部分的放大图；
图4是图3中的S部分的放大图；
图5是示出纤维状陶瓷添加剂的单纤维的放大图；以及
图6是示出用于制造纤维状陶瓷添加剂的设备的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式例证，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于表示相同或相似的元件。
本公开的实施例涉及一种陶瓷电子组件。使用陶瓷材料的电子组件的示例可包括电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、热敏电阻器等。在下文中，将描述作为陶瓷电子组件的示例的多层陶瓷电容器。
图1是示出根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图。
图2是示出沿图1中的线I-I'截取的多层陶瓷电容器的示意性截面图。
图3是图2中的B部分的放大图。
图4是图3中的S部分的放大图。
参照图1和图2，根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器可包括陶瓷主体110、形成在陶瓷主体内部的内电极121和122以及形成在陶瓷主体110外部的外电极131和132。
在本公开的实施例中，多层陶瓷电容器的“长度方向”指的是图1的“L”方向，多层陶瓷电容器的“宽度方向”指的是图1的“W”方向，并且多层陶瓷电容器的“厚度方向”指的是图1的“T”方向。“厚度方向”可以以与介电层堆叠的方向相同的意义使用，例如，以与“层叠方向”或“堆叠方向”相同的意义使用。
陶瓷主体110的形状在形状方面没有具体的限制，但可以是根据本公开的实施例的六面体形状。
可通过层叠多个介电层111来形成陶瓷主体110。
构成陶瓷主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且相邻的介电层可彼此一体化使得相邻的介电层之间的边界可能不是显而易见的。
可通过烧结包含陶瓷粉末的陶瓷生片来形成介电层111。
陶瓷粉末没有具体的限制，并且可以是现有技术中通常使用的任何陶瓷粉末。
陶瓷粉末可包括例如BaTiO3基陶瓷粉末，但不限于此。
BaTiO3基陶瓷粉末的示例可包括Ca、Zr等部分地固溶在BaTiO3中的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3、Ba(Ti1-yZry)O3等，但不限于此。
此外，陶瓷生片可包括过渡金属、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等以及陶瓷粉末。
可根据多层陶瓷电容器的电容设计适当地修改介电层111中的单层的厚度。
在烧结操作之后形成在两个相邻的内电极层之间的介电层111的厚度可以小于2.8μm，但不限于此。
在本公开的实施例中，介电层111的厚度可指的是平均厚度。
如图2中所示，介电层111的平均厚度可通过由扫描电子显微镜(SEM)捕获的陶瓷主体110沿长度方向的截面的图像来测量。
例如，如图2中所示，对于从由扫描电子显微镜(SEM)捕获的陶瓷主体110的在陶瓷主体110在宽度W方向上的中央部分沿长度-厚度L-T方向截取的截面的图像提取的任何介电层，可在长度方向上等间隔的三十个点处测量介电层的厚度，以测量其平均值。
可在电容形成部分中测量等间隔的三十个点，所述电容形成部分指的是内电极121和122彼此叠置的区域。
此外，当测量10个或更多个介电层的平均厚度时，可进一步概括介电层的平均厚度。
内电极121和122可设置在陶瓷主体110的内部。
内电极121和122可层叠在陶瓷生片上，并且可通过烧结形成在陶瓷主体110内部且单个介电层介于其间。
内电极可以是包括具有彼此不同的极性的第一内电极121和第二内电极122的电极对，并且第一内电极121和第二内电极122可设置为在介电层的层叠方向上彼此面对。
如图2中所示，第一内电极121和第二内电极122中的每个的一端可交替地暴露于陶瓷主体110在长度方向上的两个相对表面中的一个。
尽管未示出，但是根据本公开的示例性实施例，第一内电极和第二内电极可包括引出部分，并且可通过引出部分暴露于陶瓷主体的同一表面。或者，第一内电极和第二内电极可具有引出部分，并且可通过引出部分暴露于陶瓷主体的一个或更多个表面。
内电极121和122中的一个的厚度不限于任何具体的值，但是例如可小于1μm。
根据本公开的实施例，具有内电极的介电层可层叠为200层或更多层，这将在下面详细描述。
根据本公开的实施例，可提供特征构造以防止当内电极121和122中的一个的厚度小于1μm时由于薄层内电极导致而可能发生的电极的破裂和电极的聚集。然而，当内电极121和122中的一个的厚度为1μm或更大时，即使不使用本公开中的特征构造，可靠性也不会劣化。
当内电极121和122中的一个的厚度小于1μm时，可应用下面描述的本公开的特征构造以改善可靠性。
根据本公开的实施例，外电极131和132可形成在陶瓷主体110外部，并且外电极131和132可电连接到内电极121和122。
更具体地，外电极131和132可包括电连接到暴露于陶瓷主体110的一个表面的第一内电极121的第一外电极131，以及电连接到暴露于陶瓷主体110的另一表面(与所述一个表面相对)的内电极122的第二外电极132。
尽管未示出，但是可形成附加的外电极以连接到从陶瓷主体暴露的第一内电极和第二内电极。
外电极131和132可利用包含金属粉末的导电膏形成。
包含在导电膏中的金属粉末没有具体的限制，并且可包括例如镍(Ni)、铜(Cu)或它们的合金。
外电极131和132中的每个的厚度可根据其预期用途等适当地确定，例如可以是约10μm至50μm。
参照图3和图4，内电极121和122可包括导电金属和陶瓷添加剂140，并且陶瓷添加剂140可具有纤维形状。
导电金属不具体限于任何具体的材料，并且可以是例如银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种。
陶瓷添加剂140可具有纤维形状，具体地，纳米纤维形状。
在本公开中，纤维形状是组合了细长形状的词，并且可指线性形状。
具有纤维形状的陶瓷添加剂140可以是填充的柱形状或中空的柱形状。此外，具有纤维形状的陶瓷添加剂140可以是其中形成有通道的管形状。
柱形状可包括圆形柱形状和多边形柱形状两者，并且管形状可包括圆形管和多边形管两者。
本公开的纤维形状可作为整体使用，诸如上述柱形状和管形状的细长形状的整体。
通常，由于介电层的烧制温度比内电极层的烧制温度高，所以多层陶瓷电容器中的内电极的聚集和内电极的破裂可能是由于金属粉末与介电粉末之间的收缩不匹配导致的。
为了解决这样的问题，在烧制中具有收缩抑制效果的陶瓷颗粒可添加到用于内电极的膏中。
然而，随着陶瓷颗粒也被制成小颗粒，使粉末聚集的能量会由于粉末之间的静电力而增加。结果，由于粉末可能难以分散，因此会发生由陶瓷颗粒的聚集导致的缺陷。
具体地，当在内电极的烧制操作期间注入内电极膏中的用于抑制收缩的陶瓷添加剂具有单颗粒形式的微粒时，粉末可能由于粉末之间的静电力而难以分散。
根据本公开的实施例，由于陶瓷添加剂140具有纤维形状并且具体地具有纳米纤维形状，因此可防止如在现有技术中由陶瓷颗粒之间的聚集导致的可靠性劣化。
结果，可确保陶瓷添加剂在内电极浆膏中的分散稳定性。
此外，由于纳米纤维状陶瓷添加剂140阻挡和束缚内电极中的导电金属的运动，因此可解决内电极的聚集和内电极的破裂。
例如，由于纳米纤维状陶瓷添加剂140用作内电极中的结构，并且用于在高温烧结操作期间阻挡和束缚内电极中的导电金属的运动，因此可控制内电极的烧结和烧制。
因此，由于防止了内电极的聚集和内电极的破裂，所以可改善电极连接性和可靠性。
如上所述，根据本公开的实施例，内电极121和122可包括导电金属和纤维状陶瓷添加剂140，以抑制在烧结操作期间的内电极的收缩。
纤维状陶瓷添加剂140不限于任何具体的材料，只要其能够在烧结操作期间抑制内电极收缩即可，例如，纤维状陶瓷添加剂140可以是非金属材料和金属氧化物中的至少一种。
具体地，根据本公开的实施例，纤维状陶瓷添加剂140可以是钛酸钡(BaTiO3)。
此外，非金属材料和金属氧化物可包括例如ZrO2、Al2O3、TiN、SiN、AlN、TiC、SiC、WC等，但不限于此。
除了诸如钛酸钡(BaTiO3)的主要成分之外，纤维状陶瓷添加剂140还可包括镝(Dy)和钡(Ba)中的至少一种。
纤维状陶瓷添加剂140还可包括由镝(Dy)和钡(Ba)构成的组中的选择至少一种元素，使得可延迟烧制并且可进一步改善内电极的收缩抑制效果。
根据本公开的实施例，陶瓷添加剂140可以是聚合物与陶瓷结合的聚合物/陶瓷复合物。
聚合物可以是能够不溶于用于包含导电金属的内电极膏的溶剂中的聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚苯乙烯(PS)和乙基纤维素(EC)中的任何一种或更多种，但不限于此。
根据本公开的实施例，陶瓷添加剂140是聚合物与陶瓷结合的聚合物/陶瓷复合物。纳米纤维状陶瓷添加剂140可用作内电极中的结构，并且可用于在高温烧结操作期间阻挡和束缚内电极中的导电金属的运动。
因此，由于防止了内电极的聚集和内电极的破裂，因此可改善电极连接性和可靠性。
图5是仅示出一种纤维状陶瓷添加剂的放大图。
参照图5，纤维状陶瓷添加剂140可具有10nm至200nm的直径d。
由于纤维状陶瓷添加剂140具有10nm至200nm的直径d，因此纤维状陶瓷添加剂140可具有纳米纤维形状，内电极的烧结收缩可由于将纤维状陶瓷添加剂140添加到薄膜式的内电极中而被抑制，并且可防止内电极的聚集和内电极的破裂。
纤维状陶瓷添加剂140的长度l与直径d的比l/d可为10至100，使得长度l可以是其直径d的10倍至100倍。
根据本公开的实施例，通过满足直径d为10nm至200nm以及长度l与直径d的比l/d为10至100，纤维状陶瓷添加剂140可具有纳米纤维形状。
当长度l与直径d的比l/d小于10时，由于陶瓷添加剂的长度相对短，因此，限制和束缚作为内电极中的结构的导电金属的有益效果会劣化，并且会发生诸如内电极的聚集和内电极的破裂的问题。
另一方面，当长度l与直径d的比l/d超过100时，由于陶瓷添加剂的长度太长以至于被从内电极设置到介电层，因此会出现诸如电极的破裂的负面效果。
另外，参照图3，在根据本公开的实施例的多层陶瓷电子组件中，介电层111的厚度td和内电极121或122的厚度te可满足关系td>2×te。
例如，根据本公开的实施例，介电层111的厚度td可大于内电极121或122的厚度te的两倍。
在现有技术中，由于在相对高压环境下绝缘击穿电压的降低，导致高压电场电子组件具有可靠性问题。
根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器可防止在相对高压环境下绝缘击穿电压的降低，并且可通过采用介电层111的厚度td大于内电极121或122的厚度te的两倍以增加介电层的厚度(即内电极之间的距离)的结构来改善绝缘击穿电压特性。
当介电层111的厚度td是内电极121或122的厚度te的两倍或更小时，由于介电层的厚度(即内电极之间的距离)相对薄，导致绝缘击穿电压会降低。
内电极的厚度te可小于1μm，并且介电层的厚度td可小于2.8μm，但不限于此。
根据本公开的另一实施例，提供一种用于制造多层陶瓷电子组件的方法。该方法包括：制备陶瓷生片；通过将陶瓷粉末分散在溶剂中并通过喷嘴对溶剂进行静电纺丝来制备纤维状陶瓷添加剂；以及用包含导电金属和纤维状陶瓷添加剂的导电膏来形成内电极图案。通过层叠其上形成有内电极图案的陶瓷生片来形成陶瓷层叠主体，并且烧制陶瓷层叠主体以形成包括介电层和内电极的陶瓷主体。
在下文中，将描述根据本公开的另一实施例的用于制造多层陶瓷电容器的方法。
根据本公开的实施例，可制备多个陶瓷生片。陶瓷生片可通过将陶瓷粉末、粘合剂、溶剂等彼此混合以制备浆料并通过刮刀法将浆料制造成具有几微米厚度的片形状来制造。然后，可烧结陶瓷生片以形成如图2中所示的介电层111。
接下来，在将陶瓷粉末分散在溶剂中之后，通过喷嘴对溶剂进行静电纺丝以制备纤维状陶瓷添加剂。
可通过用于制造陶瓷添加剂的设备提供纤维状陶瓷添加剂。
图6是示出用于制造纤维状陶瓷添加剂的设备的示意图。
参照图6，可将陶瓷粉末分散在溶剂中的陶瓷浆料210引入反应室200中，然后可通过喷嘴300进行高压静电纺丝以形成纤维状陶瓷添加剂240。
用于制造纤维状陶瓷添加剂的设备还可包括用于接收通过高压静电纺丝制造的纤维状陶瓷添加剂240的收集器400。
如图6中所示，纤维状陶瓷添加剂240可通过以熔融的陶瓷粉末的形式进行高压静电纺丝而具有圆柱形状，诸如长而细的丝形状的圆柱形状。
接下来，可通过将用于内电极的导电膏涂敷到每个陶瓷生片来形成内电极图案。内电极图案可通过丝网印刷法或凹版印刷法形成。
用于内电极的导电膏可包括导电金属和纤维状陶瓷添加剂，并且添加剂可以是非金属材料和金属氧化物中的一种或更多种。
导电金属可包括镍。纤维状陶瓷添加剂可包括钛酸钡作为金属氧化物。
此后，可层叠其上形成有内电极图案的陶瓷生片，并通过在层叠方向上加压进行压制。因此，可制造其中形成有内电极图案的陶瓷层叠主体。
接下来，可对应于将要制造的一个电容器的每个区域将陶瓷层叠主体切割成片形式。
此时，陶瓷层叠主体可被切割为使得内电极图案的端部通过侧表面交替地暴露。
此后，可烧制制造为片形式的层叠主体以形成陶瓷主体。
烧制工艺可在还原气氛中执行。此外，可通过控制升温速率来执行烧制工艺，但升温速率在700℃或更低的温度下可以为30℃/60s至50℃/60s。
根据本公开的实施例，由于陶瓷添加剂140具有纤维形状并且具体地具有纳米纤维形状，因此可防止如在现有技术中由陶瓷颗粒之间的聚集导致的可靠性劣化。
结果，可确保陶瓷添加剂在内电极膏上的分散稳定性。
另外，由于纳米纤维状陶瓷添加剂140阻挡和束缚内电极中的导电金属的运动，因此可解决内电极的聚集和内电极的破裂。
例如，由于纳米纤维状陶瓷添加剂140用作内电极中的结构，并且用于在高温烧结操作期间阻挡和束缚内电极中的导电金属的运动，因此可控制内电极的烧结和烧制。
因此，由于防止了内电极的聚集和内电极的破裂，所以可改善电极连接性和可靠性。
接下来，外电极可形成为覆盖陶瓷主体的侧表面并且电连接到暴露在陶瓷主体的侧表面的内电极。此后，可在外电极的表面上形成镍、锡等镀层。
根据本公开的实施例，由于添加的用于抑制内电极中的烧制收缩的陶瓷添加剂具有纳米纤维形状，因此可减少内电极的聚集和内电极的破裂，从而实现具有改善的电极连接性和可靠性的多层陶瓷电容器。
虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变形。

Claims (20)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括
陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，形成在所述陶瓷主体外部并且电连接到所述内电极，
其中，所述内电极包括导电金属和纤维状陶瓷添加剂。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂包括钛酸钡(BaTiO3)。
3.如权利要求2所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂还包括从由镝(Dy)和钡(Ba)构成的组中选择的至少一种元素。
4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂为聚合物与陶瓷结合的聚合物/陶瓷复合物。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂中的聚合物包括聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚苯乙烯(PS)和乙基纤维素(EC)中的至少一种。
6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂具有10nm至200nm的直径。
7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述纤维状陶瓷添加剂的长度与直径的比为10至100。
8.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述内电极的厚度te小于1μm。
9.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td小于2.8μm。
10.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td和所述内电极的厚度te满足关系td>2×te。
11.一种用于制造多层陶瓷电子组件的方法，包括：
提供多个陶瓷生片；
通过将陶瓷粉末分散在溶剂中并通过喷嘴对所述溶剂进行静电纺丝来形成纤维状陶瓷添加剂；
用包含导电金属和所述纤维状陶瓷添加剂的导电膏在所述多个陶瓷生片中的每个上形成内电极图案；
通过层叠形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片来形成陶瓷层叠主体；以及
烧制所述陶瓷层叠主体，以形成包括介电层和内电极的陶瓷主体。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述纤维状陶瓷添加剂包括钛酸钡(BaTiO3)。
13.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述纤维状陶瓷添加剂通过如下步骤执行：将还包括聚合物的所述陶瓷粉末分散在溶剂中，以使所述纤维状陶瓷添加剂形成聚合物与陶瓷结合的聚合物/陶瓷复合物。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述聚合物包括聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚苯乙烯(PS)和乙基纤维素(EC)中的至少一种。
15.如权利要求11所述的方法，其中，所述纤维状陶瓷添加剂的直径形成为10nm至200nm。
16.如权利要求11所述的方法，其中，所述纤维状陶瓷添加剂的长度与直径的比形成为10至100。
17.一种多层陶瓷电容器，包括：
主体，包括交替地堆叠的多个内电极，且介电层设置在所述内电极之间，
其中，所述多个内电极中的每个内电极包括混合有纤维状陶瓷添加剂的导电金属。
18.如权利要求17所述的多层陶瓷电容器，其中，混合在所述多个内电极中的每个内电极中的所述纤维状陶瓷添加剂的长度是所述纤维状陶瓷添加剂的直径d的10倍至100倍。
19.如权利要求17所述的多层陶瓷电容器，其中，堆叠在所述内电极之间的所述介电层的厚度td和堆叠在所述介电层之间的所述内电极的厚度te满足td>2×te。
20.如权利要求17所述的多层陶瓷电容器，其中，所述纤维状陶瓷添加剂包括镝(Dy)和钡(Ba)中的至少一种。
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