CN111279228B - 波长转换体 - Google Patents

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Abstract

波长转换体(1)，其具备：基材部(10)；和形成于基材部(10)上的光学转换层(30)，其包含光学转换无机粒子(40)和保持光学转换无机粒子(40)彼此的粘合剂部(50)，其中，基材部(10)与粘合剂部(50)粘接，粘合剂部(50)包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子(51)彼此粘结而成的无机多晶体(52)作为主要成分，且热导率为2w/mK以上。

Description

波长转换体
技术领域
本申请涉及利用光致发光的波长转换体。
背景技术
以往，作为利用光致发光的光学转换层，已知有下述光学转换层，其是由通过激发光的照射而发光的多个光学转换无机粒子和保持这些多个光学转换无机粒子的粘合剂部构成。光学转换层通常通过形成于基材之上，从而得到包含基材和光学转换层的波长转换体。作为激发光，例如使用以发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)作为激发光源的激发光。其中，半导体激光器由于激发光的功率密度高，因此适合于期望提高光输出功率的情况。
在使用由半导体激光器等照射的功率密度高的激发光的情况下，有可能激发光中的没有被转换成荧光的成分使光学转换无机粒子的温度上升、使光学转换无机粒子的发光特性降低(温度消光)。因此，对于保持光学转换无机粒子的粘合剂部，期望导热性高。作为导热性高的粘合剂，已知有氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)。
另一方面，对于光学转换层，也期望提高光学转换层的光取出效率。为了提高光学转换层的光取出效率，优选粘合剂部的折射率小、光学转换无机粒子的折射率大。进而，从防止对象物的劣化、保持视觉辨认者的健康的观点出发，功率密度高的激发光优选从光学转换层放射的量少。因此，为了抑制激发光的放射，光学转换层中的光学转换无机粒子优选光散射大。
上述粘合剂中，氮化铝由于折射率大到1.9～2.2左右、且光取出效率低，因此不优选。另一方面，氧化锌的折射率小到1.9～2.0左右。但是，在以往技术中，为了提高氧化锌的导热性，需要将无机材料粒子的平均粒径设定为1μm以上，就这样的氧化锌而言存在光散射小的课题。
此外，在专利文献1中公开了一种将发光体中产生的热高效地散热的发光装置。具体而言，在专利文献1中公开了下述发光装置，其在包含光学转换无机粒子的发光体与由蓝宝石等形成的热传导构件之间设置有导热的间隙层，该间隙层包含无机玻璃等无机非晶质材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/121343号
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在专利文献1中，由于在使热传导构件与发光部通过间隙层粘接时，会加热至200℃～700℃左右，所以存在光学转换无机粒子、热传导构件容易因热而劣化的课题。例如，在热传导构件为金属基材的情况下，金属基材容易因上述加热处理而劣化。像这样，以往并不知晓导热性高、且光散射大的波长转换体。
本申请是鉴于上述课题而进行的。本申请的目的是提供导热性高、且光散射大的波长转换体。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本申请的方案的波长转换体具备：基材部；和形成于上述基材部上的光学转换层，其包含光学转换无机粒子和保持上述光学转换无机粒子彼此的粘合剂部，其中，上述基材部与上述粘合剂部粘接，上述粘合剂部包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子彼此粘结而成的无机多晶体作为主要成分，上述粘合剂部的热导率为2w/mK以上。
附图说明
图1是第1实施方式及实施例1的波长转换体1A以及比较例1的波长转换体100的示意性截面图。
图2是表示第1实施方式及实施例1的波长转换体1A的粘合剂部(氧化锌颗粒)50A的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
图3是表示构成粘合剂部的无机多晶体的无机材料粒子的粒径(平均粒径)与热导率的关系的图表。
图4是第2实施方式的波长转换体的示意性截面图。
图5是第3实施方式的波长转换体的示意性截面图。
图6是第4实施方式的波长转换体的示意性截面图。
图7是第5实施方式的波长转换体的示意性截面图。
图8是第6实施方式的波长转换体的示意性截面图。
图9是表示实施例1的构成粘合剂部50A的无机多晶体52和比较例1的构成粘合剂部150的无机多晶体152的原料粉末即氧化锌粉末250的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
图10是表示比较例1的波长转换体100的粘合剂部(氧化锌颗粒)150的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式的波长转换体进行说明。
[波长转换体]
(第1实施方式)
图1是第1实施方式及实施例1的波长转换体1A以及比较例1的波长转换体100的示意性截面图。需要说明的是，第1实施方式的波长转换体与后述的实施例1的波长转换体由于构成是同样的，因此均表示为波长转换体1A。另外，后述的比较例1的波长转换体100与第1实施方式及实施例1的波长转换体1A由于除粘合剂部50、150的微观结构以外是同样的，因此比较例1的波长转换体100也一并示于图1中。
如图1中所示的那样，第1实施方式的波长转换体1A具备基材部10A(10)和形成于基材部10A上的光学转换层30A(30)。
<基材部>
基材部10A仅包含基材本体11。因此，基材部10A与基材本体11相同。此外，在波长转换体1A以外的实施方式的波长转换体中，也可以将基材部10设定为除了具有基材本体11以外还具有光反射膜12、保护膜13的构成。对于具备这样的构成的基材部10的波长转换体1，会在后述的实施方式中进行说明。
所谓基材本体11是指具有下述功能的构件：增强形成于基材部10A的表面的光学转换层30A，并且通过选择材质及厚度而对光学转换层30A赋予适宜的光学特性、热特性。
作为基材本体11的材质，例如使用不具有透光性的金属、玻璃及蓝宝石等具有透光性的陶瓷。作为金属，例如使用铝、铜等。由金属形成的基材本体11由于光反射性优异，因此是优选的。另外，由陶瓷形成的基材本体11由于透光性优异，因此是优选的。
在基材本体11的材质为金属的情况下，由于容易提高散热性，因此是优选的。即，如果基材本体11的材质为金属，则基材本体11的热导率变高，因此在光学转换层30A中，能够有效地除去在激发光转换成荧光70的过程等中产生的热。因此，如果基材本体11的材质为金属，则容易抑制光学转换无机粒子40的温度消光、粘合剂部50A的劣化、烧焦，因此是优选的。由于基材部10A仅包含基材本体11，因此基材本体11的材质为金属就等同于基材部10A由金属形成。因此，如果基材部10A由金属形成，则容易抑制光学转换无机粒子40的温度消光、粘合剂部50A的劣化、烧焦，因此是优选的。
另一方面，在基材本体11的材质是具有透光性的陶瓷等具有透光性的材质的情况下，能够介由包含基材本体11的基材部10A对光学转换层30A中的光学转换无机粒子40照射光。这里，所谓具有透光性是指材质对于可见光(波长为380nm～800nm)是透明的。另外，所谓透明在本实施方式中是指材质中的光的透射率优选为80％以上、更优选为90％以上。另外，在由基材本体11中使用的材质所导致的可见光的吸光系数极其低的情况下，能够介由基材本体11对光学转换层30A中的光学转换无机粒子40充分照射光，因此是优选的。像这样，在基材本体11由具有透光性的材质形成的情况下，变得容易构筑小型的系统，因此是优选的。即，如果基材部10A具有透光性，则变得容易构筑小型的系统，因此是优选的。
可是，上述金属与上述陶瓷相比通常耐热性低。因此，在基材部10A即基材本体11由金属形成的情况下，在表面设置光学转换层30A时，优选不在高温下被加热。波长转换体1A的光学转换层30A如后述那样包含由能够在低温下烧结的稀酸压制无机烧结体形成的无机多晶体52作为主要成分，能够在较低温度下形成。因此，根据波长转换体1A，在基材部10A由金属形成的情况下是优选的。
如果基材部10A的光学转换层30A侧的表面的反射率为90％以上，则光从光学转换层30A的表面的取出效率变高，因此是优选的。为了将基材部10A的光学转换层30A侧A的表面的反射率设定为90％以上，例如可列举出使用由金属形成的基材部10的方法。
<光学转换层>
光学转换层30A包含光学转换无机粒子41(40)和保持光学转换无机粒子40彼此的粘合剂部50A(50)，且形成于基材部10A上。光学转换层30A的膜厚为例如10μm～1000μm。如果光学转换层30A的膜厚在上述范围内，则所得到的波长转换体成为导热性及光取出效率高、光散射大的波长转换体，因此是优选的。
在光学转换层30A中，所谓光学转换无机粒子41是指光学转换无机粒子40中的粒径大的光学转换无机粒子。如图1中所示的那样，在光学转换层30A中，作为光学转换无机粒子40，仅包含粒径大的光学转换无机粒子41，不包含粒径小于光学转换无机粒子41的光学转换无机粒子。但是，在波长转换体1A以外的实施方式的波长转换体中，也可以制成除了包含粒径大的光学转换无机粒子41以外还包含粒径小于光学转换无机粒子41的光学转换无机粒子42作为光学转换无机粒子40的光学转换层30。在该实施方式的波长转换体中，光学转换无机粒子40包含粒径大的光学转换无机粒子41和粒径小的光学转换无机粒子42。对于具备这样构成的光学转换层30的波长转换体1，会在后述的实施方式中进行说明。
需要说明的是，在图1中所示的光学转换层30A中，由于光学转换无机粒子40仅包含粒径大的光学转换无机粒子41，因此光学转换无机粒子40与粒径大的光学转换无机粒子41相同，不需要将两者用符号进行区别。但是，在后述的实施方式中，会示出具备包含粒径大的光学转换无机粒子41和粒径小的光学转换无机粒子42的光学转换层30而成的波长转换体1。为了方便与具备这样的包含粒径小的光学转换无机粒子42的光学转换层30而成的波长转换体1对比，在图1中所示的光学转换层30A中，也将光学转换无机粒子40记载为粒径大的光学转换无机粒子41。
[光学转换无机粒子]
光学转换无机粒子40是由能够光致发光的无机化合物即光学转换材料形成的粒子。作为光学转换无机粒子40，只要能够光致发光，则其种类没有特别限定。作为光学转换无机粒子，例如可使用包含被Eu2+活化的氮化物系的光学转换材料的粒子、YAG即包含Y3Al5O12的石榴石结构的晶体的粒子。光学转换无机粒子中的包含被Eu2+活化的氮化物系的光学转换材料的粒子由于将激发光转换成长波长侧的波长，因此是优选的。另外，作为包含被Eu2+活化的氮化物系的光学转换材料的粒子，例如可使用包含(Sr，Ca)AlSiN3：Eu、氮化硅Si3N4：Eu、SiAlON：Eu等的光学转换无机粒子。
粒径大的光学转换无机粒子41(40)的平均粒径通常为100μm以下，优选为30μm以下。如果光学转换无机粒子41的平均粒径在上述范围内，则通过全反射被封入光学转换无机粒子41内部的光的波导被限定于粒径的范围，所以能够减小来自波长转换体1A的输出光的点径，因此是优选的。另外，如果光学转换无机粒子41的平均粒径在上述范围内，则能够降低波长转换体1A的输出光的颜色的不均，并且能够以涂布法等廉价的制造工艺来制造光学转换无机粒子41，因此是优选的。
粒径大的光学转换无机粒子41(40)的平均粒径可按照下述方式求出：用扫描型电子显微镜(SEM)等观察任意进行了前处理加工的光学转换层30A，以在统计学上充分显著的个数例如100个粒子的直径的平均值求出。
另外，光学转换无机粒子40的组成可以通过能量色散型X射线分析法(EDX)或X射线衍射(XRD)的分析等公知的分析方法来判别。
光学转换无机粒子40可以是包含相同组成的荧光体的粒子，也可以是2种以上的组成的荧光体的粒子的混合体。
光学转换无机粒子40的折射率优选大于粘合剂部50A的折射率。如果光学转换无机粒子40的折射率大于粘合剂部50A的折射率，则光通过全反射被封入荧光体内部。因此，粘合剂部50A内的面内波导光被限定于光学转换无机粒子40的粒径的范围内的成分变多。因此，如果光学转换无机粒子40的折射率大于粘合剂部50A的折射率，则容易减小来自波长转换体1A的输出光的点径，因此是优选的。
[粘合剂部]
参照图2对粘合剂部50A进行说明。图2是表示第1实施方式及后述的实施例1的波长转换体1A的粘合剂部50A的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
粘合剂部50A是构成光学转换层30A、且保持光学转换无机粒子40彼此的构件。如图2中所示的那样，粘合剂部50A包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子51彼此粘结而成的无机多晶体52作为主要成分。这里，所谓“粘合剂部50A包含无机多晶体52作为主要成分”是指粘合剂部50A中的无机多晶体52的含有比率超过50质量％。粘合剂部50A中的无机多晶体52的含有比率通常超过50质量％，优选为90～100质量％，更优选为95～100质量％。
构成无机多晶体52的无机材料粒子51是由无机材料形成、且具有多个小面(刻面)的外形的粒状体。无机材料粒子51通常为多晶体，但也可以是由单晶形成的晶粒。
作为构成无机材料粒子51的无机材料，例如可使用选自氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氮化铝(AlN)及氮化硼(BN)中的1种以上的金属氧化物。如果无机材料粒子51由这些金属氧化物形成，则即使是在无机材料粒子51的平均粒径小、光散射性高的情况下，粘合剂部50A的热导率也容易变高，因此是优选的。
另外，如果无机材料粒子51的材质即金属氧化物为氧化锌或氧化镁，则即使是在无机材料粒子51的平均粒径小、光散射性高的情况下，粘合剂部50A的热导率也容易变得更高，因此是优选的。
构成无机多晶体52的无机材料粒子51的平均粒径为1μm以下，优选为100nm～1μm，更优选为100nm～500nm。这里，所谓平均粒径是指通过SEM观察而得到的粒径的平均值。如果无机材料粒子51的平均粒径在上述范围内，则能够提高热导率和光散射，因此是优选的。
如图2中所示的那样，在构成粘合剂部50A的无机多晶体52中，具有构成无机多晶体52的无机材料粒子51、51间的空隙即无机材料粒子间空隙55。但是，在无机多晶体52中，呈现下述结构：无机材料粒子间空隙55少，相邻的无机材料粒子51、51的小面彼此密合。
这里，参照附图对图2中所示的粘合剂部50A和以往的波长转换体的粘合剂部进行说明。图10是表示以往的波长转换体即后述的比较例1的波长转换体100的粘合剂部150的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
如图10中所示的那样，以往的波长转换体的粘合剂部150包含无机材料粒子151彼此粘结而成的无机多晶体152作为主要成分。如图10中所示的那样，以往的粘合剂部150的无机材料粒子151及无机多晶体152分别相当于图2中所示的粘合剂部50A的无机材料粒子51及无机多晶体52。
如图10中所示的那样，在以往的无机多晶体152中，在多数的无机材料粒子151中构成棱线、角部的线变得明确。另外，以往的无机多晶体152的无机材料粒子151的大小比本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51大。此外，以往的无机多晶体152的无机材料粒子151、151彼此稀疏地粘接，构成无机多晶体152的无机材料粒子151、151间的空隙即无机材料粒子间空隙55的数目非常多，无机材料粒子间空隙55的深度也大。
与此相对，如图2中所示的那样，在本实施方式的无机多晶体52中，在多数的无机材料粒子151中棱线、角部带有圆滑度，构成棱线、角部的线不明确。另外，本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51的大小比以往的无机多晶体152的无机材料粒子151小，如上所述平均粒径成为1μm以下。此外，图2中所示的本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51、51彼此紧密地粘接，构成无机多晶体52的无机材料粒子51、51间的空隙即无机材料粒子间空隙55的数目少，无机材料粒子间空隙55的深度也小。
这样一来，图2中所示的构成粘合剂部50A的无机多晶体52和图10中所示的构成以往的波长转换体的粘合剂部150的无机多晶体152的微观结构是明显不同的。
在无机多晶体52由氧化锌形成的情况下，无机多晶体52的相对密度通常为50％～100％，优选为70％～100％。
另外，无机多晶体52的将无机多晶体52的密度除以无机多晶体52的堆积密度而得到的相对密度通常为50％～100％，优选为70％～100％。就无机多晶体52而言，由如上所述那样相对密度高也可获知：无机材料粒子间空隙55少。
图2中所示的微观结构的无机多晶体52是将无机材料粒子51的原料粉末在稀酸存在下施加压力进行低温烧结而得到的稀酸压制无机烧结体。这里，所谓低温烧结是指在60～200℃、优选在70～150℃、更优选在80～120℃下进行的烧结。另外，所谓稀酸是指用水稀释而得到的低浓度的酸。作为酸，例如可使用羧酸等有机酸或磷酸、硼酸等无机酸。另一方面，图10中所示的微观结构的以往的无机多晶体152是将无机材料粒子151的原料粉末在水存在下进行低温烧结而得到的水压制无机烧结体。
图9是表示构成后述的实施例1的粘合剂部50A的无机多晶体52和构成后述的比较例1的粘合剂部150的无机多晶体152的原料粉末即氧化锌(ZnO)粉末的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。需要说明的是，图9中所示的氧化锌粉末250相当于图2中所示的构成粘合剂部50A的无机多晶体52的无机材料粒子51及图10中所示的构成粘合剂部150的无机多晶体152的无机材料粒子151各自的原料粉末。
如图9中所示的那样，氧化锌粉末250成为粒径为100nm～500nm左右的构成棱线、角部的线为明确的形状的无机材料粒子251。需要说明的是，除氧化锌(ZnO)以外的上述金属氧化物的粉末通常也与氧化锌粉末250同样地成为棱线明确的形状的无机材料粒子。
可知：图9中所示的氧化锌粉末250的无机材料粒子251与图10中所示的构成以往的无机多晶体152的无机材料粒子151都呈现出构成棱线、角部的线为明确的形状。另一方面，可知：图2中所示的构成本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51的棱线、角部带有圆滑度，构成棱线、角部的线不明确。这样一来，图2中所示的构成本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51与图9中所示的氧化锌粉末250的无机材料粒子251、图10中所示的构成以往的无机多晶体152的无机材料粒子151的粒子的形状是不同的。
图2中所示的本实施方式的无机多晶体52的无机材料粒子51在棱线、角部带有圆滑度的理由据推测是：由于无机多晶体52为稀酸压制无机烧结体。即，据推测：稀酸压制无机烧结体即无机多晶体52由于是将图9中所示的氧化锌粉末250那样的原料粉末在稀酸存在下施加压力进行低温烧结而得到，因此通过稀酸及加压而使无机材料粒子51的棱线、角部带有圆滑度。
具体而言，据推测：由金属氧化物形成的无机材料粒子51通过稀酸而使小面、棱线、角部等的表面局部地溶解。而且，据推测：此时，与小面相比，棱线、角部的溶解速度较快，因此无机材料粒子51的棱线、角部带有圆滑度。进而，据推测：通过小面的表面溶解或刚要溶解前的软化了的多数无机材料粒子51一同被加压，可得到无机材料粒子51、51间的间隙少、无机材料粒子51、51的小面彼此密合的无机多晶体52。
因此，据推测：由稀酸压制无机烧结体形成的本实施方式的无机多晶体52如图2中所示的那样每单位体积的相邻的无机材料粒子51、51间的间隙变少。另外，据推测：由稀酸压制无机烧结体形成的本实施方式的无机多晶体52如图2中所示的那样成为每单位体积的相邻的无机材料粒子51、51进行密合的小面的面积大的结构。这样一来，由于由稀酸压制无机烧结体形成的本实施方式的无机多晶体52成为每单位体积的相邻的无机材料粒子51、51进行密合的小面的面积大的结构，因此无机多晶体52的热导率变高。
粘合剂部50A由于包含由稀酸压制无机烧结体形成的无机多晶体52作为主要成分，因此热导率为2W/mK以上。
粘合剂部50A的折射率根据粘合剂部50A的材质的不同而不同。在构成粘合剂部50A的无机材料粒子51的无机材料为氧化锌、氧化镁、氮化铝及氮化硼的情况下，粘合剂部50A的折射率分别为2.0左右、1.74左右、2.2左右及2.17左右。
另外，在无机多晶体52为稀酸压制无机烧结体的情况下，优选为以下那样。即，优选的是，基材部10A与光学转换层30A中的粘合剂部50A在基材部10A与粘合剂部50A的界面中的至少一部分中，基材部10A与粘合剂部50A中的稀酸压制无机烧结体直接粘接。如果基材部10A与粘合剂部50A中的稀酸压制无机烧结体直接粘接，则基材部10A与粘合剂部50A之间的热传导变高，因此是优选的。
这里，对于无机多晶体为稀酸压制无机烧结体的情况和无机多晶体为水压制无机烧结体的情况，对无机多晶体中的无机材料粒子的平均粒径与热导率的关系进行说明。图3是表示构成粘合剂部的无机多晶体的无机材料粒子的粒径(平均粒径)与热导率的关系的图表。在图3中，以DP表示无机多晶体为稀酸压制无机烧结体的情况的曲线图，以WP表示无机多晶体为水压制无机烧结体的情况的曲线图。
如图3的DP中所示的那样，在构成粘合剂部50A的无机多晶体52为图2中所示的稀酸压制无机烧结体的情况下，无机材料粒子51的粒径(平均粒径)与热导率几乎成比例，并且显示小的粒径且高的热导率。另一方面，在构成粘合剂部的无机多晶体152为图10中所示的水压制无机烧结体的情况下，无机材料粒子151的粒径(平均粒径)与热导率不成比例关系，并且即使是大的粒径，热导率也变小。
因此，在构成粘合剂部50A的无机多晶体52为稀酸压制无机烧结体的情况下，可得到热导率高、光散射大、容易将热导率、光散射特性调整为规定的值的粘合剂部50A。将热导率、光散射特性调整为规定的值的容易性是基于无机材料粒子51的粒径(平均粒径)与热导率几乎成比例的效果。
<制造方法>
波长转换体1A通过在基材部10A的表面上形成光学转换层30A而得到。光学转换层30A例如可通过下述方式得到：在模具内放置基材部10A，向基材部10A上供给光学转换无机粒子40、粘合剂部50A的原料粉末与稀酸的混合物，将混合物在加压下进行低温烧结。通过该低温烧结，可得到包含由稀酸压制无机烧结体形成的无机多晶体52的粘合剂部50A。
所谓稀酸是指用水稀释而得到的低浓度的酸。作为酸，例如可使用羧酸等有机酸或磷酸、硼酸等无机酸。酸的用水的稀释程度可根据粘合剂部50A的原料粉末的组成、平均粒径等而适当设定。混合物的加压例如设定为1MPa～1000MPa、优选设定为10MPa～500MPa、更优选设定为350MPa～450MPa。另外，低温烧结的温度通常设定为60～200℃、优选设定为70～150℃、更优选设定为80～120℃。冷却后，如果从模具脱模，则可得到波长转换体1A。
<第1实施方式的作用>
如果激发光从光学转换层30A的表面侧入射到图1中所示的波长转换体1A，则光学转换无机粒子40会将激发光进行波长转换而发出荧光。需要说明的是，在激发光是由半导体激光器等照射的功率密度高的激发光的情况下，在光学转换层30A内会产生大量的热。但是，由于粘合剂部50A的主要成分即无机多晶体52是由稀酸压制无机烧结体形成从而热导率高，因此在波长转换体1A中从粘合剂部50A有效地进行散热。因此，根据波长转换体1A，不易在光学转换无机粒子40产生温度消光。另外，光学转换层30A中的无机多晶体52由于无机材料粒子51的粒径(平均粒径)小、光学转换层30A中的荧光、激发光的光散射大，因此可抑制能量高的荧光、激发光被照射于照射对象物或视觉辨认者。
<第1实施方式的效果>
根据第1实施方式的波长转换体1A，可得到导热性高、且光散射大的波长转换体。另外，根据波长转换体1A，可得到热导率、光散射特性容易调整为规定的值的波长转换体。进而，在波长转换体1A的粘合剂部50A包含金属氧化物的情况下，根据波长转换体1A，可得到光取出效率高的波长转换体。
(第1实施方式的变形例)
在第1实施方式的波长转换体1A中示出了下述形态：在粘合剂部50A的主要成分即无机多晶体52中形成的无机材料粒子间空隙55内没有配置其他物质。与此相对，作为第1变形例，可以使用下述形态的波长转换体：在粘合剂部50A的主要成分即无机多晶体52中形成的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部。
具体而言，作为第1变形例，可以设定为下述波长转换体：粘合剂部50A在无机材料粒子间空隙55内进一步包含粒子当量粒径为10nm以下的由无机晶体形成的空隙内无机材料部。这里，所谓无机材料粒子间空隙55是指无机多晶体52在构成无机多晶体52的无机材料粒子51、51间所形成的空隙。另外，所谓粒子当量粒径是指将空隙内无机材料部换算成相同体积的球的情况下的半径。
在第1变形例中，空隙内无机材料部由无机晶体形成，粒子当量粒径为10nm以下。作为无机晶体，例如可使用氧化锌、氧化镁等。如果空隙内无机材料部由无机晶体形成，则热导率高，因此是优选的。
空隙内无机材料部被包含于无机材料粒子间空隙55内。具体而言，空隙内无机材料部通过与包围无机材料粒子间空隙55的1个以上的无机材料粒子51所具有的1个以上的表面粘接，从而被包含于无机材料粒子间空隙55内。空隙内无机材料部与包围无机材料粒子间空隙55的无机材料粒子51所具有的表面之间可以无间隙地填充，也可以具有间隙地被固定。
<制造方法>
第1变形例的波长转换体可以通过在基材部10A的表面上形成第1变形例的光学转换层30而得到。第1变形例的光学转换层30例如可以以下述方式得到：在模具内放置基材部10A，向基材部10A上供给光学转换无机粒子40、粘合剂部50的原料粉末、稀酸与空隙内无机材料部的原料粉末的混合物，将混合物在加压下进行低温烧结。通过该低温烧结，可得到包含由稀酸压制无机烧结体形成的无机多晶体52的粘合剂部50。
<第1变形例的作用>
第1变形例的波长转换体的作用除了由在粘合剂部50A的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部所带来的作用以外，与第1实施方式的波长转换体1A的作用相同。因此，仅对由在粘合剂部50A的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部所带来的作用进行说明。
在第1实施方式的波长转换体1A中，如果通过激发光的照射等而在光学转换层30A内产生热，则从包含热导率高的无机多晶体52的粘合剂部50A的散热会有效地进行。但是，在第1实施方式的波长转换体1A中，由于在粘合剂部50A的无机材料粒子间空隙55内存在大气，因此无机材料粒子间空隙55内的热传导小。
与此相对，在第1变形例的波长转换体中，由于在粘合剂部50的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部，因此与第1实施方式的波长转换体1A相比，无机材料粒子间空隙55内的热传导变大。因此，第1变形例的波长转换体与第1实施方式的波长转换体1A相比，粘合剂部50的导热性变得更高。
<第1变形例的效果>
第1变形例的波长转换体至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第1变形例的波长转换体与第1实施方式的波长转换体1A相比，粘合剂部50的导热性变得更高。
(第2实施方式)
图4是第2实施方式的波长转换体的示意性截面图。如图4中所示的那样，第2实施方式的波长转换体1B具备：基材部10B(10)；和形成于基材部10B上的光学转换层30B(30)。
第2实施方式的波长转换体1B与第1实施方式的波长转换体1A相比，分别设置有基材部10B及光学转换层30B来代替基材部10A及光学转换层30A。对第2实施方式的波长转换体1B和第1实施方式的波长转换体1A中相同的构成标注相同的符号，将构成及作用的说明省略或简化。
<基材部>
作为基材部10B，使用与基材部10A同样的材料。因此，省略关于基材部10B的说明。
<光学转换层>
光学转换层30B包含光学转换无机粒子40(41、42)和保持光学转换无机粒子40彼此的粘合剂部50B(50)，且形成于基材部10B上。光学转换层30B的光学转换无机粒子40包含粒径大的光学转换无机粒子41和粒径小于光学转换无机粒子41的光学转换无机粒子42。
[光学转换无机粒子]
光学转换层30B的光学转换无机粒子40中包含的粒径大的光学转换无机粒子41由于与第1实施方式的波长转换体1A的光学转换层30A中包含的粒径大的光学转换无机粒子41相同，因此省略说明。
光学转换层30B的光学转换无机粒子40中包含的粒径小的光学转换无机粒子42是粒径小于粒径大的光学转换无机粒子41的光学转换无机粒子。粒径小的光学转换无机粒子42的平均粒径通常为100μm以下，优选为20μm以下。粒径小的光学转换无机粒子42的粒径可以与粒径大的光学转换无机粒子41的粒径同样地操作来进行测定。
如果光学转换无机粒子42的平均粒径在上述范围内，则粒径小的光学转换无机粒子42会被填充于粒径大的光学转换无机粒子41的间隙中，由此能够增大光学转换层30B的光学转换无机粒子40含量，因此是优选的。如果光学转换层30B的光学转换无机粒子40含量变大，则来自光学转换层30B的荧光的输出变大，因此是优选的。
构成粒径小的光学转换无机粒子42的光学转换材料与构成粒径大的光学转换无机粒子41的光学转换材料同样地只要能够光致发光，则其种类没有特别限定。另外，构成粒径小的光学转换无机粒子42的光学转换材料与构成粒径大的光学转换无机粒子41的光学转换材料可以相同，也可以不同。
[粘合剂部]
粘合剂部50B由于与第1实施方式的波长转换体1A的粘合剂部50A同样，因此省略说明。
<制造方法>
波长转换体1B例如可通过下述方式得到：在第1实施方式的波长转换体1A的制造方法中，使用粒径大的光学转换无机粒子41和粒径小的光学转换无机粒子42作为光学转换无机粒子40。
<第2实施方式的作用>
第2实施方式的波长转换体1B的作用除了包含粒径大的光学转换无机粒子41和粒径小的光学转换无机粒子42作为光学转换无机粒子40以外，与第1实施方式的波长转换体1A的作用相同。在第2实施方式的波长转换体1B中，通过粒径小的光学转换无机粒子42被填充到粒径大的光学转换无机粒子41的间隙中，从而能够增大光学转换层30B的光学转换无机粒子40含量、增大荧光的输出。
<第2实施方式的效果>
第2实施方式的波长转换体1B至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第2实施方式的波长转换体1B与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够增大荧光的输出。
(第3实施方式)
图5是第3实施方式的波长转换体的示意性截面图。如图5中所示的那样，第3实施方式的波长转换体1C具备：基材部10C(10)；和形成于基材部10C上的光学转换层30C(30)。
第3实施方式的波长转换体1C与第1实施方式的波长转换体1A相比，分别设置有基材部10C及光学转换层30C来代替基材部10A及光学转换层30A。对第3实施方式的波长转换体1C和第1实施方式的波长转换体1A中相同的构成标注相同的符号，将构成及作用的说明省略或简化。
<基材部>
基材部10C具备：基材本体11；层叠于基材本体11的表面上的光反射膜12；和层叠于光反射膜12的表面上的保护膜13。基材本体11与第1实施方式的波长转换体1A的基材本体11相同，因此省略说明。
光反射膜12按照基材部10C的光学转换层30C侧的表面的反射率变高的方式进行设置。具体而言，光反射膜12按照基材部10C的光学转换层30C侧的表面的反射率成为例如90％以上的方式进行设置。基材部10C由于在光学转换层30C侧的表面上具有光反射膜12，因此在光学转换层30C中没有被光学转换的激发光及光学转换层30C中产生的荧光可高效地从光学转换层30C的空气界面被放射。作为光反射膜12的材质，例如可使用银、铝等或介电多层膜。在光反射膜12中，所谓介电体多层膜是指使用了具有不同折射率的多种介电体材料而成的光学薄膜的层叠体。介电体多层膜通常具有部分透光性。光反射膜12的厚度为例如0.1～1000μm，优选为0.1～1μm。
保护膜13是物理及化学地保护光反射膜12的膜。例如，在光反射膜12为银的情况下，如果暴露于空气中，则表面被氧化，但通过在光反射膜12的表面上设置保护膜13，可保护光反射膜12免受氧化、物理损伤。作为保护膜13的材质，例如可使用包含Si3N4等氮化物或SiO2等氧化物的无机材料。此外，在光反射膜12不需要保护的情况下，作为第3实施方式的变形例，也可以制成在光反射膜12的上部没有保护膜13的形态的波长转换体。
<光学转换层>
作为光学转换层30C，使用与光学转换层30A同样的光学转换层。因此，省略关于光学转换层30C的说明。
<制造方法>
波长转换体1C例如可通过在第1实施方式的波长转换体1A的制造方法中使用基材部10C以代替基材部10A来得到。基材部10C可以通过公知的方法来制造。
<第3实施方式的作用>
第3实施方式的波长转换体1C的作用除了通过设置光反射膜12及保护膜13而使基材部10C的光学转换层30C侧的表面的反射率变高以外，与第1实施方式的波长转换体1A的作用相同。
<第3实施方式的效果>
第3实施方式的波长转换体1C至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第3实施方式的波长转换体1C与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够增大荧光的输出。
(第4实施方式)
图6是第4实施方式的波长转换体的示意性截面图。如图6中所示的那样，第4实施方式的波长转换体1D具备：基材部10D(10)、形成于基材部10D上的光学转换层30D(30)；和形成于光学转换层30D上的水分阻挡层60。波长转换体1D具备覆盖光学转换层30D的表面中的与基材部10D相反侧的表面的水分阻挡层60。
第4实施方式的波长转换体1D与第1实施方式的波长转换体1A相比，分别设置有基材部10D及光学转换层30D来代替基材部10A及光学转换层30A，且进一步设置有水分阻挡层60。对第3实施方式的波长转换体1D和第1实施方式的波长转换体1A中相同的构成标注相同的符号，将构成及作用的说明省略或简化。
<基材部>
作为基材部10D，使用与基材部10A同样的物质。因此，省略关于基材部10D的说明。
<光学转换层>
作为光学转换层30D，使用与光学转换层30A同样的光学转换层。因此，省略关于光学转换层30D的说明。
<水分阻挡层>
水分阻挡层60是通过覆盖光学转换层30D的表面的至少一部分来防止或抑制水分侵入光学转换层30D内的层。作为水分阻挡层60的材质，例如可使用Si3N4、SiO2等无机材料层与有机系涂敷层的层叠结构。
<制造方法>
波长转换体1D例如可以通过在得到第1实施方式的波长转换体1A后、在波长转换体1A的光学转换层30A(30D)的表面通过公知的方法形成水分阻挡层60来制造。
<第4实施方式的作用>
第4实施方式的波长转换体1D的作用除了通过在光学转换层30D的表面上设置水分阻挡层60而使光学转换层30D的表面的耐水性提高以外，与第1实施方式的波长转换体1A的作用相同。
<第4实施方式的效果>
第4实施方式的波长转换体1D至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第4实施方式的波长转换体1D与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够提高光学转换层30D的表面的耐水性。
(第5实施方式)
图7是第5实施方式的波长转换体的示意性截面图。如图7中所示的那样，第5实施方式的波长转换体1E具备：基材部10E(10)；形成于基材部10E上的光学转换层30E(30)；和形成于光学转换层30E上的水分阻挡层60。
第5实施方式的波长转换体1E与第1实施方式的波长转换体1A相比，分别设置有基材部10E及光学转换层30E来代替基材部10A及光学转换层30A，且进一步设置有水分阻挡层60。对第5实施方式的波长转换体1E和第1实施方式的波长转换体1A中相同的构成标注相同的符号，将构成及作用的说明省略或简化。
<基材部>
基材部10E具备：基材本体11；层叠于基材本体11的表面上的光反射膜12；和层叠于光反射膜12的表面上的保护膜13。基材部10E与第3实施方式的波长转换体1C的基材部10C相同，因此省略说明。
<光学转换层>
作为光学转换层30E，使用与第1实施方式的波长转换体1A的光学转换层30A同样的光学转换层。因此，省略关于光学转换层30E的说明。
<水分阻挡层>
作为水分阻挡层60，使用与第4实施方式的波长转换体1D的水分阻挡层60同样的水分阻挡层。因此，省略关于水分阻挡层60的说明。
第5实施方式的波长转换体1E相当于将具备光反射膜12和保护膜13的第3实施方式的波长转换体1C与第4实施方式的波长转换体1D的水分阻挡层60组合而得到的波长转换体。
<制造方法>
波长转换体1E例如可以通过在以上述制造方法得到第3实施方式的波长转换体1C后、在波长转换体1C的光学转换层30C的表面通过公知的方法形成水分阻挡层60来制造。
<第5实施方式的作用>
第5实施方式的波长转换体1E相当于将具备光反射膜12和保护膜13的第3实施方式的波长转换体1C与第4实施方式的波长转换体1D的水分阻挡层60组合而得到的波长转换体。因此，第5实施方式的波长转换体1E显示出第3实施方式的波长转换体1C的作用和第4实施方式的波长转换体1D的作用。
<第5实施方式的效果>
第5实施方式的波长转换体1E至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第5实施方式的波长转换体1E与第3实施方式的波长转换体1C同样地，与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够增大荧光的输出。进而，第5实施方式的波长转换体1E与第4实施方式的波长转换体1D同样地，与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够提高光学转换层30E的表面的耐水性。
(第6实施方式)
图8是第6实施方式的波长转换体的示意性截面图。如图8中所示的那样，第6实施方式的波长转换体1F具备：基材部10F(10)；形成于基材部10F上的光学转换层30F(30)；和形成于光学转换层30F上的水分阻挡层60。
第6实施方式的波长转换体1F与第1实施方式的波长转换体1A相比，分别设置有基材部10F及光学转换层30F来代替基材部10A及光学转换层30A，且进一步设置有水分阻挡层60的波长转换体。对第6实施方式的波长转换体1F和第1实施方式的波长转换体1A中相同的构成标注相同的符号，将构成及作用的说明省略或简化。
<基材部>
基材部10F具备：基材本体11；层叠于基材本体11的表面上的光反射膜12；和层叠于光反射膜12的表面上的保护膜13。基材部10F与第3实施方式的波长转换体1C的基材部10C相同，因此省略说明。
<光学转换层>
作为光学转换层30F，使用与第2实施方式的波长转换体1B的光学转换层30B同样的光学转换层。因此，省略关于光学转换层30F的说明。
<水分阻挡层>
作为水分阻挡层60，使用与第4实施方式的波长转换体1D的水分阻挡层60同样的水分阻挡层。因此，省略关于水分阻挡层60的说明。
第6实施方式的波长转换体1F是在第5实施方式的波长转换体1E中具备光学转换层30F来代替光学转换层30E的波长转换体。这里，第5实施方式的波长转换体1E相当于将具备光反射膜12和保护膜13的第3实施方式的波长转换体1C与第4实施方式的波长转换体1D的水分阻挡层60组合而得到的波长转换体。另外，光学转换层30F是与第2实施方式的波长转换体1B的光学转换层30B同样的光学转换层。
因此，第6实施方式的波长转换体1F相当于将第2实施方式的波长转换体1B、第3实施方式的波长转换体1C与第4实施方式的波长转换体1D组合而得到的波长转换体。
<制造方法>
波长转换体1F例如可以通过组合下述制造方法来进行制造：第2实施方式的波长转换体1B的制造方法、第3实施方式的波长转换体1C的制造方法与第4实施方式的波长转换体1D的制造方法。
<第6实施方式的作用>
第6实施方式的波长转换体1F相当于将第2实施方式的波长转换体1B、第3实施方式的波长转换体1C与第4实施方式的波长转换体1D组合而得到的波长转换体。因此，第6实施方式的波长转换体1F显示出第2实施方式的波长转换体1B的作用、第3实施方式的波长转换体1C的作用和第4实施方式的波长转换体1D的作用。
<第6实施方式的效果>
第6实施方式的波长转换体1F至少发挥与第1实施方式的波长转换体1A同样的效果。另外，第6实施方式的波长转换体1F与第2实施方式的波长转换体1B同样地，与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够增大荧光的输出。进而，第6实施方式的波长转换体1F与第3实施方式的波长转换体1C同样地，与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够增大荧光的输出。另外，第6实施方式的波长转换体1F与第4实施方式的波长转换体1D同样地，与第1实施方式的波长转换体1A相比，能够提高光学转换层30F的表面的耐水性。
(第2～第6实施方式的变形例)
在第2实施方式的波长转换体1B～第6实施方式的波长转换体1F中，示出了在形成于粘合剂部50A的无机多晶体52中的无机材料粒子间空隙55内不特别包含物质的形态。与此相对，作为这些实施方式的波长转换体1B～1F的变形例，与第1变形例同样地，可以使用下述形态的波长转换体：在形成于粘合剂部50B～50F中的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部。将这些变形例称为第2～第6变形例。
<制造方法>
第2～第6变形例的波长转换体分别可通过在基材部10B～10F的表面上形成第2～第6变形例的光学转换层30而得到。例如，第2变形例的光学转换层30可通过下述方式得到：在模具内放置基材部10B，向基材部10B上供给光学转换无机粒子40、粘合剂部50的原料粉末、稀酸与空隙内无机材料部的原料粉末的混合物，将混合物在加压下进行低温烧结。第3～第6变形例的光学转换层30可通过在第2变形例的光学转换层30的制造方法中分别使用基材部10C～10F来代替基材部10B而得到。
<第2～第6变形例的作用>
第2～第6变形例的波长转换体各自的作用除了由在粘合剂部50B～50F的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部所带来的作用以外，与第2～第6实施方式的波长转换体1B～1F各自的作用相同。
由在该粘合剂部50B～50F各自的无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部所带来的作用等同于上述的第1变形例的波长转换体相对于第1实施方式的波长转换体1A所不同的作用。即，在第2～第6变形例的波长转换体各自之中，由于在无机材料粒子间空隙55内包含空隙内无机材料部，因此与第2～第6实施方式的波长转换体1B～1F各自相比，无机材料粒子间空隙55内的热传导变大。因此，第2～第6变形例的波长转换体各自与第2～第6实施方式的波长转换体1B～1F各自相比，粘合剂部50的导热性变得更高。
<第2～第6变形例的效果>
第2～第6变形例的波长转换体各自至少发挥与第2～第6实施方式的波长转换体1B～1F各自同样的效果。另外，第2～第6变形例的波长转换体各自与第2～第6实施方式的波长转换体1B～1F各自相比，粘合剂部50的导热性变得更高。
实施例
以下，通过实施例对本实施方式进一步进行详细说明，但本实施方式并不限于这些实施例。
[实施例1]
(波长转换体的制作)
制作了图1中所示的波长转换体1A。
<基材部>
准备了厚度为0.7mm的铝基材作为基材部10A。
<光学转换无机粒子的原料>
作为光学转换无机粒子40，准备了黄绿色荧光体即平均粒径为20μm的YAG粒子(Nemoto Lumi-Materials Co.,Ltd.制)。
<粘合剂部的原料>
作为粘合剂部50A的原料，准备了氧化锌ZnO粉末(平均粒径为500nm)。图9中示出了该氧化锌粉末250的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。如图9中所示的那样可知：氧化锌粉末250成为粒径为100nm～500nm左右的构成棱线、角部的线为明确的形状的无机材料粒子251。
<光学转换层的制作>
首先，将1g的光学转换无机粒子40与1g的氧化锌粉末250与0.4ml稀酸进行混合而制备了浆料状的混合物。接着，在不锈钢制的模具内放置铝基材后，在铝基材上涂布了上述混合物。进而，将模具内的温度设定为100℃，使用手扳压机以400MPa按压模具，在该状态下保持了1小时。解除按压，放冷至室温，结果得到了在铝基材上形成有光学转换层的波长转换体。
所得到的波长转换体为如图1中所示的那样在由铝基材制成的基材部10A上形成有光学转换层30A的波长转换体1A。另外，光学转换层30A包含光学转换无机粒子40和保持光学转换无机粒子40彼此的粘合剂部50A。
(氧化锌颗粒的制作)
为了调查所得到的波长转换体1A的粘合剂部50A的微细的结构，另外制作了不包含光学转换无机粒子40的仅包含粘合剂部50A的圆柱状的氧化锌颗粒。
首先，将1g的氧化锌粉末250与0.2ml稀酸进行混合而制备了浆料状的混合物。接着，在不锈钢制的模具内装入上述混合物。进而，将模具内的温度设定为100℃，使用手扳压机以400MPa按压模具，在该状态下保持了1小时。解除按压，放冷至室温，结果得到了高度小于直径的圆柱状的氧化锌颗粒。由于所得到的氧化锌颗粒相当于波长转换体1A的粘合剂部50A，因此与粘合剂部同样地以符号50A表示。
(氧化锌颗粒的评价)
对于所得到的氧化锌颗粒进行了各种评价。
<相对密度的测定>
对于氧化锌颗粒，用电子天平测定质量，用千分表测量厚度。使用质量、体积及氧化锌的堆积密度(5.61g/cm3)测定了氧化锌颗粒的相对密度。相对密度为80％。
<热导率的测定>
首先，使用热扩散率评价装置测定了热扩散系数。使用所得到的热扩散系数、比热和上述相对密度算出了热导率。热导率为6.1W/mK。
<显微镜观察>
对于圆柱状的氧化锌颗粒50A，按照沿着高度方向形成断裂面的方式进行断裂，用扫描型电子显微镜(SEM)对所得到的断裂面进行了观察。图2是表示上述第1实施方式及实施例1的波长转换体1A的粘合剂部(氧化锌颗粒)50A的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
如图2中所示的那样，可知：粘合剂部(氧化锌颗粒)50A包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子51彼此粘结而成的无机多晶体52作为主要成分。另外，可知：实施例1的无机多晶体52的无机材料粒子51、51彼此紧密地粘接，构成无机多晶体52的无机材料粒子51、51间的空隙即无机材料粒子间空隙55的数目少，无机材料粒子间空隙55的深度也小。此外，可知：在构成粘合剂部(氧化锌颗粒)50A的无机多晶体52中，在多数的无机材料粒子51中棱线、角部带有圆滑度，构成棱线、角部的线不明确。
[比较例1]
(波长转换体的制作)
制作了图1中所示的波长转换体100。
在实施例1的<光学转换层的制作>中，除了使用0.4ml离子交换水来代替0.4ml稀酸以外，与实施例1同样地操作而制作了波长转换体100。
所得到的波长转换体为如图1中所示的那样在由铝基材形成的基材部10A上形成有光学转换层130的波长转换体100。另外，光学转换层130包含光学转换无机粒子40和保持光学转换无机粒子40彼此的粘合剂部150。
(氧化锌颗粒的制作)
为了调查所得到的波长转换体100的粘合剂部150的微细的结构，另外制作了不包含光学转换无机粒子40的仅包含粘合剂部150的圆柱状的氧化锌颗粒。
除了在实施例1的(氧化锌颗粒的制作)中使用0.2ml离子交换水来代替0.2ml稀酸以外，与实施例1同样地操作而得到了高度小于直径的圆柱状的氧化锌颗粒。由于所得到的氧化锌颗粒相当于波长转换体100的粘合剂部150，因此与粘合剂部同样地用符号150表示。
(氧化锌颗粒的评价)
对于所得到的氧化锌颗粒进行了各种评价。
<相对密度的测定>
对于氧化锌颗粒，与实施例1同样地操作，测定了相对密度。相对密度为68％。
<热导率的测定>
对于氧化锌颗粒，与实施例1同样地操作，算出了热导率。热导率为1.5W/mK。
<显微镜观察>
对于圆柱状的氧化锌颗粒50A，按照沿着高度方向形成断裂面的方式进行断裂，用扫描型电子显微镜(SEM)对所得到的断裂面进行了观察。图10是表示比较例1的波长转换体100的粘合剂部(氧化锌颗粒)150的断裂面的SEM(扫描型电子显微镜)照片的一个例子。
如图10中所示的那样，可知：比较例1的波长转换体的粘合剂部(氧化锌颗粒)150包含无机材料粒子151彼此粘结而成的无机多晶体152作为主要成分。另外，可知：比较例1的无机多晶体152的无机材料粒子151的大小比实施例1的无机多晶体52的无机材料粒子51大。此外，可知：比较例1的无机多晶体152的无机材料粒子151、151彼此稀疏地粘接。另外，可知：比较例1的构成无机多晶体152的无机材料粒子151、151间的空隙即无机材料粒子间空隙55的数目非常多，无机材料粒子间空隙55的深度也大。此外，可知：在比较例1的无机多晶体152中，在多数的无机材料粒子151中构成棱线、角部的线变得明确。
(实施例1及比较例1的评价的比较)
可知：实施例1的粘合剂部(氧化锌颗粒)50A的无机多晶体52与比较例1的粘合剂部(氧化锌颗粒)150的无机多晶体152相比，相对密度及热导率大。另外，可知：实施例1的无机多晶体52与比较例1的无机多晶体152相比，在多数的无机材料粒子51中棱线、角部带有圆滑度，构成棱线、角部的线不明确。此外，可知：实施例1的无机多晶体52与比较例1的无机多晶体152相比，无机材料粒子间空隙55的数目少，无机材料粒子间空隙55的深度也小。
日本特愿2017-202624号(申请日：2017年10月19日)的全部内容被援引于此。
以上，按照实施例对本实施方式的内容进行了说明，但本实施方式并不限于这些记载，可以进行各种变形及改良对于本领域技术人员而言是不言而喻的。
产业上的可利用性
根据本申请，可得到导热性高、且光散射大的波长转换体。
符号的说明
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、100 波长转换体
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F 基材部
11 基材本体
12 光反射膜
13 保护膜
30、30A、30B、30C、30D、30E、30F、130 光学转换层
40 光学转换无机粒子
41 粒径大的光学转换无机粒子
42 粒径小的光学转换无机粒子
50、50A、50B、50C、50D、50E、50F、150 粘合剂部(氧化锌颗粒)
51 无机材料粒子(稀酸压制无机烧结体的无机材料粒子)
52 稀酸压制无机烧结体(无机多晶体)
55 无机材料粒子间空隙
60 水分阻挡层
151 无机材料粒子(水压制无机烧结体的无机材料粒子)
152 水压制无机烧结体(无机多晶体)
250 氧化锌粉末
251 无机材料粒子(氧化锌粉末的无机材料粒子)

Claims (9)

1.一种波长转换体，其具备：
基材部；和
形成于所述基材部上的光学转换层，其包含光学转换无机粒子和保持所述光学转换无机粒子彼此的粘合剂部，
其中，所述基材部与所述粘合剂部粘接，
所述粘合剂部包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子彼此粘结而成的无机多晶体作为主要成分，所述粘合剂部的热导率为2w/mK以上，
所述无机多晶体在构成所述无机多晶体的所述无机材料粒子间具有无机材料粒子间空隙，
所述粘合剂部在所述无机材料粒子间空隙内进一步包含粒子当量粒径为10nm以下的由无机晶体形成的空隙内无机材料部。
2.一种波长转换体，其具备：
基材部；和
形成于所述基材部上的光学转换层，其包含光学转换无机粒子和保持所述光学转换无机粒子彼此的粘合剂部，
其中，所述基材部与所述粘合剂部粘接，
所述粘合剂部包含由平均粒径为1μm以下的无机材料粒子彼此粘结而成的无机多晶体作为主要成分，所述粘合剂部的热导率为2w/mK以上，
所述无机多晶体为稀酸压制无机烧结体，
所述基材部与所述粘合剂部在所述基材部与所述粘合剂部的界面的至少一部分中，所述基材部与所述粘合剂部中的所述稀酸压制无机烧结体直接粘接。
3.根据权利要求1所述的波长转换体，其中，所述无机多晶体为稀酸压制无机烧结体，
所述基材部与所述粘合剂部在所述基材部与所述粘合剂部的界面的至少一部分中，所述基材部与所述粘合剂部中的所述稀酸压制无机烧结体直接粘接。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换体，其中，所述基材部的所述光学转换层侧的表面的反射率为90％以上。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换体，其中，所述光学转换无机粒子包含被Eu2+活化的氮化物系的光学转换材料。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换体，其中，所述粘合剂部包含金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的波长转换体，其中，所述金属氧化物为氧化锌或氧化镁。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换体，其中，所述基材部由金属形成。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换体，其具备将所述光学转换层的表面中的与所述基材部相反侧的表面覆盖的水分阻挡层。
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