CN111268922A - 一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，离子、原子或分子掺杂到钙钛矿材料晶格结构中，改变钙钛矿晶胞参数，进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、协调发光特性、材料微结构形貌以及材料稳定性等，进而改善钙钛矿材料性能；包括：合成具有化学式ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1‑xDX6(0<x<1)的钙钛矿材料，再将电子、离子、原子、分子等掺杂进入钙钛矿结构中来改善其性能以及稳定性。本发明成本低廉、效果显著，适用于制备高质量高稳定性钙钛矿材料并具备工业化生产潜质，所得到的钙钛矿材料可以应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电、铁电、压电功能器件领域。

Description

一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法
技术领域
本发明属于光电、铁电、压电功能材料与器件领域，具体涉及一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法以及钙钛矿材料材料的相关应用。
背景技术
由于化石能源的不可再生和污染问题，探究一种可再生低污染的能源获取方式是具有跨时代意义的，而太阳能电池的发展与应用就可以很好地解决这个问题。钙钛矿太阳能电池的突破性发现已经彻底改变了第三代光伏器件。近五年来，在钙钛矿太阳能电池的研发过程中，其效率提升到25.2％。这对钙钛矿电池的研究进展表明了，钙钛矿太阳能电池具备成为高效太阳能转化装置的潜力。
钙钛矿材料具有光电性能优越、加工成本低廉、原料广泛等优点，并已经在钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电功能器件领域被广泛研究。而传统工艺制备的钙钛矿薄膜，在光照、水、氧气、紫外等条件下稳定性不好很容易分解，这严重限制了钙钛矿薄膜在光学器件领域的应用。
发明内容
为了改善钙钛矿材料稳定性和性能上的不足，本发明提供一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的新方法，将离子、原子、分子或空穴掺杂到钙钛矿材料晶格结构中，改变钙钛矿晶胞参数，进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、材料稳定性、材料微结构形貌以及发光特性等，进而改善钙钛矿材料性能；本发明具备工艺简单成本低廉的特点；基于本发明得到的钙钛矿功能材料可以应用于钙钛矿光电、压电、铁电等各种领域。
本发明提供的技术方案是：
一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法,该方法将离子、原子或分子掺杂到钙钛矿材料晶格结构中，改变钙钛矿晶胞参数，进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、材料稳定性、材料微结构形貌以及发光特性等。具体实施步骤如下：
1)通过选取AX、BX2、CX、DX3(A为中心阳离子、B、C、D为配位阳离子、X为卤素离子)化合物中的两种或两种以上化合物置于有机溶剂中合成浓度为0.1mol/L～5mol/L的有机-无机卤化物钙钛矿或纯无机钙钛矿前驱体溶液。然后通过旋涂法、水热合成法、定向凝固法等钙钛矿合成方法在特定基地(如玻璃、ITO玻璃、柔性材料)上合成钙钛矿薄膜或合成粒径在10nm～100mm的钙钛矿单晶，其化学式为ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)。
2)利用热扩散、离子注入、等离子电离、碰撞电离等掺杂方法将尺度在298pm以下的分子、离子、原子激发为具备足够的能量足以通过碰撞进入钙钛矿材料的八面体或四面体间隙之中。以Plasma为例，惰性气体辉光，掺杂气体被电离激发后形成高能量原子、分子或离子后，将其掺杂到钙钛矿中，通过该处理形成结构稳定且光学性能优良的钙钛矿材料。
3)根据实际应用中对钙钛矿材料的要求，在完成步骤2)的基础上，重复1)～2)的过程，最终得到符合性能要求的钙钛矿材料。所述的钙钛矿合成方法包括一步法、两步法、溶液合成、蒸镀、化学气相沉积、溶胶凝胶合成、水热/溶剂热合成、电解合成、定向凝固工艺、化学气相沉积、低温固相合成、热压烧结以及放电等。所述的掺杂手段包括温(热)扩散、离子注入、化学催化分解、碰撞电离法、光电离法、热电离法、等离子法、电解法、化学电离法、气相沉积法、Plasma电离等。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤1)所述，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的钙钛矿材料中，其中A包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra以及过渡金属和其它+1,+2价的分子中的至少一种；。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤1)所述，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的钙钛矿材料中，其中B包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，C,Si,Ge,Sn,Pb,Fil，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属和其它+1，+2，+3，+4价的离子或分子中的至少一种；
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤1)所述，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的钙钛矿材料中，其中X包括F，O，Cl，Br，，At元素中的至少一种；
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤1)所述，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的钙钛矿材料中，其中C包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，Al，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属元素、镧系元素和其它+1，+2或+3价的离子或分子中的至少一种；
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤1)所述，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的钙钛矿材料中，其中D包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，Al，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属元素、镧系元素和其它+1，+2或+3价的离子或分子中的至少一种；
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，掺杂方法包括但不限于温(热)扩散、离子注入、化学催化分解、Plasma电离、原子扩散、化学气相沉淀法。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，掺杂原子包括H,He,Li,Be,B,C,N,O,F及原子半径小于298pm的原子、分子或离子中的至少一种。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，结构间隙周期排布，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)钙钛矿阵列中的间隙位置(x,y,z)，其中0≤x≤A，0≤y≤B，0≤z≤C。具体空间点阵位置关系见附图2。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，掺杂原子存在位置为周期排布钙钛矿阵列中的间隙位置(x,y,z)。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，性气体流量为0～1000SCCM[cm3/min]，掺杂气体(包括但不限于氢气)流量为0～1000SCCM[cm3/min]，Plasma电离处理时间为0～3600min，Plasma电离处理功率为0～100Kw
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，Plasma处理法中通过干燥惰性气体吹拂中包括氮气、氩气、干燥热空气、氦气中的一种或多种。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤2)所述，Plasma处理法中通过的掺杂物质包括氕气、氘气、氚气、氦气、锂金属及其半径小于钙钛矿材料结构间隙的其他元素中的一种或几种。
针对上述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，进一步地，步骤3)所述，重复1)～2)的过程可以是一次或多次，并且可以按照应用领域的不同来修改每一次处理过程的关键参数。
一种利用权利要求1所述改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法得到高性能高稳定性的钙钛矿材料。
本发明将提供一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法制备所得到的平整致密高性能高稳定性钙钛矿薄膜。可以将上述薄膜应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光、压电、铁电功能器件领域。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明采用离子、原子或分子掺杂到钙钛矿材料晶格结构中，改变钙钛矿晶胞参数，进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、材料稳定性、材料微结构形貌以及发光特性等，提高钙钛矿材料性能。同时操作工艺可控，制备钙钛矿材料质量优良。提高了钙钛矿材料在服役条件下的稳定性并且降低了钙钛矿材料的带隙能并且具有将间接半导体变成直接半导体的能力。因此基于本发明得到的钙钛矿薄膜可以更好地应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电、压电、铁电功能器件领域。
附图说明
图1为本发明提供的提高钙钛矿薄膜稳定性与性能的制备方法流程图。
图2为本发明中钙钛矿材料掺杂中原子、分子、离子可能掺杂的位置的结构模型，结构是具有周期性的。
图3本发明实施例1中轻质原子掺杂处理前后得到的钙钛矿薄膜(实施例1中为Cs2AgBiBr6钙钛矿薄膜)的形貌表征。其中图3(a)、图3(b)为实施例1轻质原子掺杂处理前后低倍下整体形貌SEM显微成像信息，而图3(c)、图3(d)为实施例1轻质原子掺杂处理前后高倍下整体形貌SEM显微成像信息。通过形貌信息可以看出随着轻质原子掺杂过程的进行，薄膜的质量和浸润性变得更好，更为致密。
图4(a)为本发明实施例1中轻质原子掺杂处理前后得到的钙钛矿薄膜(实施例1中为Cs2AgBiBr6钙钛矿材料)的紫外可见光吸收光谱结果，图4(b)是将实施例1轻质原子掺杂处理前后得到的钙钛矿薄膜放置于空气中五天后的紫外可见光吸收光谱结果。图4(a)说明了通过轻质原子掺杂可以降低钙钛矿材料带隙能，从而使得钙钛矿材料的光学性能得到了提升，并且图4(b)说明了通过轻质原子掺杂提高钙钛矿材料在空气中的稳定性。
图5为本发明实施例1轻质原子掺杂处理前后得到的X射线衍射图。
具体实施方式
下面结合实施实例进一步描述本发明，但不以任何方式限制本发明的范围。
本发明提供一种制备方法，图1为本发明改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的流程图，包括：首先制备化学式为ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)的钙钛矿材料前驱体溶液，根据实际应用需求的钙钛矿薄膜、单晶、粉末、多晶块体等。随后对钙钛矿材料进行热处理，并在完成热处理后，通过原子、分子、离子掺杂的方式，改变钙钛矿晶胞参数进而提高钙钛矿材料的结构稳定性和性能。如果处理未能达到应用需求，可以进行多次重复处理，并设定符合工程需求的参数，得到理想钙钛矿应用材料。
作为本发明的一种实施方式，优选的，钙钛矿材料包括结构为ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1):MAPbI3,MASnI3,FAPbI3,CsSnI3,MASnBr3,CsSnCl2,Cs2SnI6,Cs2SnBr6,MAGeI3,CsGeI3,CsGeBr3,CsGeBr3,CsGe0.5Sn0.5I3,CaTiO3,SrTiO3，Cs2AgBiBr6,Cs2AgBiCl6，Cs2AgInBr6，Cs2AgInCl6，Ba2BixSb1-xVO6(0<x<1)等中的一种或多种。
作为本发明的一种实施方式，指定气体实验环境，优选的，包括氮气、氩气、干燥热空气、氦气中的一种或多种。
作为本发明的一种实施方式，在钙钛矿材料进行原子、离子、分子掺杂时，优选的，掺杂电离手段包括碰撞电离法、光电离法、热电离法、等离子法、电解法、化学电离法一种或几种。
作为本发明的一种实施方式，在钙钛矿材料进行原子、离子、分子掺杂时，优选的，掺杂原子包括H,He,Li,Be,B,C,N,O,F及半径小于298pm的原子、分子或离子中的至少一种掺杂到ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6(0<x<1)结构的间隙中。
在钙钛矿材料与原子、分子、离子掺杂中，沉积手段、气体环境、热处理温度、原子掺杂方式、原子掺杂类型可以根据材料不同的需求灵活选择，该方法制备的钙钛矿薄膜可以用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电、压电、铁电功能器件领域。
实施例一：基于轻质原子掺杂与超薄钙钛矿薄膜制备方法，用于制备高性能超薄钙钛矿薄膜。
对透明玻璃基底使用玻璃清洗剂超声清洗30min后用无绒布搓洗，再用去离子水超声清洗60min，随后用乙醇超声清洗40min取出玻璃基底利用烘箱60℃烘干，在使用前进行紫外清洗以保证透明玻璃的浸润性；采用热旋涂方式旋涂Cs2AgBiBr6无机钙钛矿薄膜，将1mmol的溴化铯和0.5mmol的溴化铋以及0.5mmol的溴化银置于1ml的DMSO中，放置于热台以100℃，500rpm[r/min]搅拌至溶质完全溶解，形成透明的混合前驱体溶液，利用纺丝高速热旋涂方案(纺丝参数：500rpm[r/min]，30s高速参数：5000rpm[r/min]，40s)将前驱体热溶液(100℃)在透明玻璃基底上形成平整致密的钙钛矿薄膜，将得到的前驱体薄膜置于热台上进行200℃，5min的退火处理。将热处理后平整致密的钙钛矿薄膜置于Plasma中，参数设置(功率：50W，处理时间：600s，N2气体流量：20SCCM[cm3/min]，H2气体流量：20SCCM[cm3/min])处理好后，得到高性能高质量平整致密的钙钛矿薄膜。
实施例二：
对透明玻璃基底使用玻璃清洗剂超声清洗30min后用无绒布搓洗，再用去离子水超声清洗60min，随后用乙醇超声清洗40min取出透明玻璃利用烘箱60℃烘干，在使用前进行紫外清洗以保证透明玻璃的浸润性；采用热旋涂方式旋涂CsPbI3无机钙钛矿薄膜，将0.5mmol的碘化铯和0.5mmol的碘化铅置于1ml的DMF中，放置于热台以30℃，500rpm[r/min]搅拌至溶质完全溶解，形成透明的混合前驱体溶液，利用纺丝高速热旋涂方案(纺丝参数：500rpm[r/min]，10s高速参数：2000rpm[r/min]，30s)将前驱体热溶液(100℃)在透明玻璃基底上形成平整致密的钙钛矿薄膜，将得到的前驱体薄膜置于热台上进行100℃，5min的退火处理。将热处理后平整致密的钙钛矿薄膜置于Plasma中，参数设置(功率：50W，处理时间：600s，N2气体流量：20SCCM[cm3/min]，H2气体流量：20SCCM[cm3/min])处理好后，得到高性能高质量平整致密的钙钛矿薄膜。
实施例三：Cs-油酸酯前体溶液加热至100℃以备使用(保持前驱体溶液良好的流动性，且温差一定控制在两度以内)，将1-十八碳烯(ODE)(5ml)、[碘化锗GeI2(0.026g，0.08mmol)或碘化锡SnI2(0.0298g，0.08mmol)或碘化锗GeI2(0.013g，0.04mmol)或碘化锡SnI2(0.0149g，0.04mmol)]和油酸OA(0.2mL)和油胺OAm(0.2mL)加入100ml三颈烧瓶中真空120℃下干燥1小时制备完成GeI2或SnI2或Ge0.5 Sn0.5I2盐溶液，随后将温度提升至180℃，并且将合成的Cs-油酸酯前体(0.2mL)预热至100℃快速注入三颈烧瓶中，注入2min后，将烧瓶冷水并在8000rpm下离心30min取上清液干燥得到CsGeI3或CsSnI3或CsGe0.5Sn0.5I3纳米立方体晶粒。将将干燥所得晶粒置于Plasma中，参数设置(功率：50W，处理时间：600s，N2气体流量：20SCCM[cm3/min]H2气体流量：20SCCM[cm3/min])处理好后，得到高性能CsGeI3或CsSnI3或CsGe0.5Sn0.5I3钙钛矿纳米晶粒。
需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：该方法的具体实施步骤如下：
步骤1)通过选取AX、BX2、CX、DX3化合物中的两种或两种以上化合物置于有机溶剂中合成浓度为0.1mol/L～5mol/L的有机-无机卤化物钙钛矿或纯无机钙钛矿前驱体溶液；然后通过旋涂法、水热合成法或定向凝固法钙钛矿合成方法合成钙钛矿薄膜或合成粒径在10nm～100mm的钙钛矿单晶，化学式为ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6，0<x<1，A为中心阳离子、B、C、D为配位阳离子、X为卤素离子；
步骤2)利用热扩散、离子注入、等离子电离或碰撞电离掺杂方法将尺度在298pm以下的分子、离子、原子激发为具备足够的能量通过碰撞进入钙钛矿材料的八面体或四面体间隙之中；当为Plasma电离时，惰性气体辉光，掺杂气体被电离激发后形成高能量原子、分子或离子后，将其掺杂到钙钛矿中，通过该处理形成结构稳定的钙钛矿材料；
步骤3)根据钙钛矿材料的要求，在完成步骤2)的基础上，重复1)～2)的过程，最终得到符合性能要求的钙钛矿材料。
2.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：所述的钙钛矿合成方法包括一步法、两步法、溶液合成、蒸镀、化学气相沉积、溶胶凝胶合成、水热/溶剂热合成、电解合成、定向凝固工艺、化学气相沉积、低温固相合成、热压烧结以及放电。
3.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：所述的掺杂手段包括温扩散、离子注入、化学催化分解、碰撞电离法、光电离法、热电离法、等离子法、电解法、化学电离法、气相沉积法、Plasma电离。
4.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6结构的钙钛矿材料中，其中A包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra以及过渡金属和其它+1,+2价的分子中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6结构的钙钛矿材料中，其中B包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，C,Si,Ge,Sn,Pb,Fil，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属和其它+1，+2，+3，+4价的离子或分子中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6结构的钙钛矿材料中，其中X包括F，O，Cl，Br，，At元素中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6结构的钙钛矿材料中，其中C包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，Al，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属元素、镧系元素和其它+1，+2或+3价的离子或分子中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6结构的钙钛矿材料中，其中D包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，Al，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属元素、镧系元素和其它+1，+2或+3价的离子或分子中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：掺杂方法包括温扩散、离子注入、化学催化分解、Plasma电离、原子扩散、化学气相沉淀法；
掺杂原子包括H,He,Li,Be,B,C,N,O,F及原子半径小于298pm的原子、分子或离子中的至少一种；
结构间隙周期排布，在ABX3、A2C1D1X6或A2BxC1-xDX6钙钛矿阵列中的间隙位置(x,y,z)，其中0≤x≤A，0≤y≤B，0≤z≤C；
掺杂原子存在位置为周期排布钙钛矿阵列中的间隙位置(x,y,z)。
10.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：步骤3)的重复1)～2)的过程是一次或多次，并且按照应用领域的不同来修改每一次处理过程的参数。
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