CN111235547A - 化学气相沉积方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种化学气相沉积方法，包括步骤：1）提供键合片并放置于腔室内；2）于第一温度及第一压强下对键合片进行第一时长的第一阶段预热；3）于第二温度及第二压强下进行第二时长的第二阶段预热；4）于第三温度及第三压强下对进行第三时长的第三阶段预热；5）于第四温度下进行等离子体处理以对键合片进行清洁；6）于第四温度下进行化学气相沉积以于键合片的表面形成薄膜；其中，第一压强＜第二压强≤第三压强，第一温度＜第二温度≤第三温度，第一时长和第二时长均小于第三时长。本发明可以在翘曲度偏大的键合片上制备出附着力良好的氧化硅膜，可以极大地提升薄膜可靠性，由此提升器件品质，提高生产良率。

Description

化学气相沉积方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种化学气相沉积（Chemical VaporDeposition，简称CVD）方法。
背景技术
随着对芯片集成度以及对器件的电性能要求越来越高，近些年来3D封装技术发展迅速。其中硅通孔技术（(Through Silicon Via，简称 TSV)）被认为是实现3D封装的最好选择之一。如今，硅通孔技术已经被广泛应用于存储器、图像传感器、功率放大器等芯片中。业界比较常见的硅通孔解决方案是临时性地将硅片与玻璃片键合到一起，其中键合使用的有机物粘结剂要求形成氧化硅介质膜的化学气相沉积工艺中的沉积温度不能高于200ºC。因为粘结剂在200ºC以上的高温会发生变性导致硅片与玻璃片脱离键合，所以制造具有硅通孔的键合片都要求相对较低的氧化硅沉积温度。但是，传统等离子体增强化学气相沉积的工艺温度为400℃甚至更高，与硅通孔应用难以兼容，如果简单地将化学气相沉积温度降至200ºC以下会导致膜质变差。更为严重的是，在化学气相沉积工艺之前对键合片进行脱气的过程中，键合片中的粘结剂会在一定程度上污染键合片表面，使得氧化硅膜的附着力变差；同时，键合片因其硅层偏薄而且其表面具有高密度硅通孔分布，所以在受热时容易发生形变。不洁净的键合片表面、过大的键合片翘曲度或者过大的薄膜应力都会导致氧化硅膜附着力变差，甚至出现氧化硅膜脱落的情形。因此，业界需要一种可靠的低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以在键合片上获得附着力良好的优质氧化硅薄膜。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种化学气相沉积方法，用于在键合片上获得附着力良好的优质氧化硅等介质膜，以解决现有技术中在采用低温化学气相沉积工艺在键合片表面制备介质膜时，因键合片表面污染、键合片翘曲度和/或薄膜应力等因素导致介质膜（比如氧化硅膜）附着力变差，甚至出现介质膜脱落等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种化学气相沉积方法，所述化学气相沉积方法包括以下步骤：
1）提供键合片，将所述键合片放置于腔室内，所述腔室内具有加热器；
2）于第一温度及第一压强下对所述键合片进行第一时长的第一阶段预热，所述第一阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
3）于第二温度及第二压强下对所述键合片进行第二时长的第二阶段预热，所述第二阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
4）于第三温度及第三压强下对所述键合片进行第三时长的第三阶段预热，所述第三阶段预热过程中，键合片位于所述加热器上且与所述加热器相接触；
5）于第四温度下对所述键合片进行等离子体处理以对所述键合片进行清洁；
6）于第四温度下进行化学气相沉积以于所述键合片的表面形成薄膜；
其中，所述第一压强＜第二压强≤第三压强，所述第一温度＜第二温度≤第三温度，所述第一时长和所述第二时长均小于等于所述第三时长。
可选地，所述第一压强为0 mtorr，第二压强为1000-2000 mtorr，第三压强为3000-5000 mtorr。
可选地，所述第一温度小于50℃，所述第二温度为50~100℃，所述第三温度大于等于100℃。
可选地，所述第一时长为10-30s，所述第二时长为10-30s，所述第三时长为60-120s。
可选地，所述第二预热阶段和第三预热阶段过程中向所述腔室内通入氮气和氩气中的一种或两种。
可选地，所述第四温度为80-200℃。
更可选地，所述第四温度为85-120℃。
可选地，所述键合片为将硅片和玻璃片通过粘结剂键合而成。
可选地，所述步骤5）中的等离子体为氧气等离子体，所述氧气等离子体为采用射频功率对氧气进行离化而形成。
更可选地，所述射频功率包括高频功率和低频功率中的一种或两种，所述高频功率为10-60MHz，功率范围为500W-1500W；所述低频功率为200KHz-1MHz，并且功率范围为100W至600W；氧气流量的范围为200 -2500 sccm。
可选地，所述等离子体处理的时间为30-60s。
可选地，所述步骤6）中形成的薄膜为氧化硅膜，形成所述氧化硅膜的硅源包括硅烷和TEOS液态源中的一种或两种。
可选地，所述步骤6）之后还包括步骤7）：对形成的薄膜进行氢气等离子体处理。
可选地，所述氢气等离子体处理的温度为80-200ºC，处理时间为30-80s。
如上所述，本发明的化学气相沉积方法具有以下有益效果：本发明采用包含渐进式预热和等离子体处理两个步骤对键合片进行预处理后再进行化学气相沉积，从而可以在翘曲度偏大的键合片上制备出附着力良好的介质膜，可以极大地提升薄膜的可靠性。基于本发明的化学气相沉积方法制备的介质膜尤其适用于硅通孔技术3D封装技术领域，有助于大幅度提升存储器、图像传感器、功率放大器等芯片产品的良率，可为制造厂家带来可观的经济效益。
附图说明
图1显示为本发明的化学气相沉积方法的流程图。
图2显示为采用本发明的化学气相沉积方法沉积的 TEOS基氧化硅膜的电性曲线。
图3显示为采用本发明的化学气相沉积方法沉积的 TEOS基氧化硅膜的傅里叶变换红外吸收光谱。
图4显示为未经氧气等离子体处理的粘结型键合片沉积氧化硅膜的表面进行附着力测试后的显微镜图。
图5为经氧气等离子体处理后的粘结型键合片沉积氧化硅膜的表面进行附着力测试后的显微镜图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1至图5所示，本发明提供一种化学气相沉积方法，所述化学气相沉积方法包括以下步骤：
S1：提供键合片，将所述键合片放置于腔室内，所述腔室内具有加热器；
S2：于第一温度及第一压强下对所述键合片进行第一时长的第一阶段预热，所述第一阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
S3：于第二温度及第二压强下对所述键合片进行第二时长的第二阶段预热，所述第二阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
S4：于第三温度及第三压强下对所述键合片进行第三时长的第三阶段预热，所述第三阶段预热过程中，键合片位于所述加热器上且与所述加热器相接触；
S5：于第四温度下对所述键合片进行等离子体处理以对所述键合片进行清洁；
S6：于第四温度下进行化学气相沉积以于所述键合片的表面形成薄膜；
其中，所述第一压强＜第二压强≤第三压强，所述第一温度＜第二温度≤第三温度，所述第一时长和所述第二时长均小于等于所述第三时长。
本发明采用包含渐进式预热和等离子体处理两个步骤对键合片进行预处理后再进行化学气相沉积，从而可以在翘曲度偏大的键合片上制备出附着力良好的介质膜，可以极大地提升薄膜的可靠性。基于本发明的化学气相沉积方法制备的介质膜（比如氧化硅膜）尤其适用于硅通孔技术3D封装技术领域，有助于大幅度提升存储器、图像传感器、功率放大器等芯片产品的良率，可为制造厂家带来可观的经济效益。
键合片为两种或两种以上不同材质的基底通过键合技术结合在一起的复合基底。本实施例中，作为示例，所述键合片为将硅片和玻璃片通过粘结剂键合而成。用粘结剂将不同基底键合以制备键合片具有对基底的损伤小、制备工艺简单、成本低等优点，但是因为粘结剂在200ºC以上的高温会发生变性导致硅片与玻璃片脱离键合，因而要求在键合片上形成介质膜的化学气相沉积工艺中的沉积温度不能高于200ºC，但过低的化学气相沉积温度又容易导致膜质变差，且在化学气相沉积工艺之前对键合片进行脱气（将键合片上的水蒸气去除）的过程中，键合片中的粘结剂会在一定程度上污染键合片表面，导致介质膜附着力变差甚至容易脱落等问题，而本发明对此提出了改善对策。
作为示例，所述步骤2）和3）中可以将所述键合片通过顶针固定于所述加热器的上方（与所述加热器表面不直接接触），在完成所述步骤2）和3）之后，所述顶针下降以将所述键合片放置于所述加热器的表面（与所述加热器表面直接接触）。因为在初始预热阶段，此时将键合片直接放置于高温加热器上容易因键合片受到热冲击（升温速率过快）而导致翘曲（尤其是键合片中的硅片容易翘曲）。当然，在其他示例中，根据设备结构的不同，也可以使用诸如边缘环之类的结构将所述键合片悬空架起，之后再将所述键合片放置于所述加热器上，本实施例中不做严格限制。
作为示例，所述第一压强为0 mtorr，第二压强为1000-2000 mtorr（本说明书中涉及数值范围时，均包括端点值），第三压强为3000-5000 mtorr，通过阶梯式的升压以确保键合片处于平稳状态，并通过压强的变化调整升温速率。具体地，在一示例中，所述第一温度小于50℃，比如为20~45℃；所述第二温度为50~100℃，比如为80℃，所述第三温度大于等于100℃。各阶段的预热时长可根据各阶段的压强、预热温度以及键合片的材质等因素而定。优选地，本实施例中，所述第一时长为10-30s，所述第二时长为10-30s（秒），所述第三时长为60-120s。通过这样渐进式的预热，在有效避免键合片受到热冲击而发生变形的同时有助于加快升温速率，提高产能。发明人经多次比对试验发现，在键合片初始的形变量几乎为零的情况下（室温下），使用本发明的多步渐进式预热处理后，键合片的状态与其初始的状态完全相同，即形变量同样几乎为零。但是，如果采用常规的快速预热方式（在2000-5000mtorr的压强下进行15-60s的一步式预热），键合片在预热后会出现很大的形变（形变量高达3-5mm），即发生较大的翘曲，并且键合片会保持翘曲度偏大的状态直到化学气相沉积工艺结束，而冷却至室温后会恢复到形变量几乎为零的初始状态。此过程中，介质膜（比如氧化硅膜）沉积在形变量很大的键合片上，由于其热膨胀系数小于键合片的热膨胀系数，因此在冷却后会出现介质膜层与键合片分离（附着力差）的情形。
作为示例，所述第二预热阶段和第三预热阶段过程中向所述腔室内通入氮气和氩气中的一种或两种，比如只通入氮气或氩气，或者同时通入氮气和氩气，本实施例中不做严格限制。
所述步骤5）和步骤6）在相同的工艺温度下进行有助于简化制备工艺。在一示例中，所述第四温度为80-200℃，更优选地为85-120℃，较低的等离子体处理温度和化学气相沉积工艺温度有利于避免键合片中的粘合剂发生变性导致硅片与玻璃片脱离键合。
作为示例，所述步骤5）中的等离子体为氧气等离子体，所述氧气等离子体为采用射频功率对氧气进行离化而形成。比如可以通过设置在腔室顶部的喷淋头往腔内通入氧气，喷淋头上加载的射频功率对氧气进行离化从而在腔内产生氧气等离子体。通过氧气等离子体处理以去掉键合片预热过程中粘结剂受热挥发后在键合片表面（尤其是键合片中的硅片表面）留下的污染物。
作为示例，所述射频功率包括高频功率和低频功率中的一种或两种，所述高频功率为10-60MHz，功率范围为500W-1500W；所述低频功率为200KHz-1MHz，功率范围为100W至600W；氧气流量的范围为200 -2500 sccm。在进一步的示例中，所述等离子体处理的时间为30-60s。
作为示例，所述步骤2）至步骤4）在同一腔室内连续进行而所述步骤5）和6）中在另一腔室内连续进行，即在完成所述步骤2）至步骤4）的预热过程后，将所述键合片转移至另一腔室内进行等离子体处理和化学气相沉积，有助于减少键合片的污染，提高设备产出率。当然，在其他示例中，所述步骤2）至步骤6）也可以在同一腔室内连续进行，本实施例中并不严格限制。
作为示例，所述步骤6）中形成的薄膜为氧化硅膜，形成所述氧化硅膜的硅源包括硅烷和TEOS液态源中的一种或两种。当然，本发明还可以用于形成其他材质的介质膜，并不以此为限。
作为示例，本发明中形成的所述薄膜的厚度大于等于0.1μm，优选为0.1μm-10μm，尤其是沉积的薄膜越厚，采用本发明的优点就愈加突出。
作为示例，如果沉积的是氧化硅膜，则所述步骤6）之后还包括步骤7）：对形成的薄膜进行氢气等离子体处理，且在进一步的示例中，所述氢气等离子体处理的温度为80-200ºC（与所述第四温度相同），处理时间为30-80s。通过所述氢气等离子体处理以对氧化硅薄膜表面的硅氢键进行改性，从而可以大幅降低薄膜在暴露于大气时对水蒸气的吸收，由此获得更好的电性能（更低的漏电流和更高的击穿电压）。
为使本发明的技术方案和优点更加清楚，下面结合具体实施例对本发明的化学气相沉积方法做示例性说明。
实施例一
本实施例提供一种基于硅烷的氧化硅膜的低温化学气相沉积方法，具体步骤为：
1）将键合片放置在加热腔内，并对其进行缓慢预热；所述缓慢预热是在预热腔内进行的从低压到高压的多步渐进式预热，包含步骤1-顶针升起，键合片置于顶针上预热10-30秒，腔体压力为0 mtorr；步骤2-键合片置于顶针上预热10-30秒，同时往腔内通入氮气或者氩气，腔体压力为1000-2000 mtorr；步骤3-顶针下降，键合片置于加热器上预热60-120秒，同时往腔内通入氮气或者氩气，腔体压力为3000-5000 mtorr；
2）将键合片放置在化学气相沉积腔内，往腔内通入氧气并加载射频功率至喷淋头，从而在腔内产生氧气等离子体并对键合片表面进行30-60s的等离子体处理，所述氧气等离子体处理是在80-200ºC的低温条件下进行；
3）在80-200ºC的低温条件下使用硅烷和一氧化二氮在键合片上沉积基于硅烷的低温化学气相沉积氧化硅膜。
在上述步骤2）中进行氧气等离子体处理的时候，只往腔内通入氧气，氧气流量为500-1500sccm，腔内工艺压力为500-1500 mtorr，另外同时往喷淋头加载高频的射频功率，高频HF功率为500-1200W，通过氧气预处理以去除键合片表面的有机污染物，这些污染物主要是键合片内部有机物粘结剂的挥发物。
实施例二
本实施例提供一种基于TEOS（正硅酸乙酯）的氧化硅膜的低温化学气相沉积方法，具体步骤为：
1）将键合片放置在加热腔内，并对其进行缓慢预热；所述缓慢预热是在预热腔内进行的从低压到高压的多步渐进式预热，包含步骤1-顶针升起，键合片置于顶针上预热10-30秒，腔体压力为0 mtorr，步骤2-键合片置于顶针上预热10-30秒，同时往腔内同入氮气，氮气流量为2000-4000 mtorr，腔体压力为1000-2000 mtorr，步骤3-顶针下降，键合片置于加热器上预热60-120秒，同时往腔内同入氮气，氮气流量为2000-4000 sccm，腔体压力为3000-5000 mtorr；
2）将键合片放置在化学气相沉积腔内，往腔内通入氧气并加载射频功率至喷淋头，从而在腔内产生氧气等离子体并对键合片表面进行30-60s的等离子体处理，所述氧气等离子体处理是在80-200ºC的低温条件下进行；
3） 在80-200ºC的低温条件下使用TEOS液态源在键合片上沉积基于TEOS的低温化学气相沉积氧化硅膜；
4）在80-200ºC的低温条件下对键合片上沉积的TEOS 氧化硅膜进行30-80s的氢气等离子体处理。
在上述步骤3）中使用TEOS液态源来沉积TEOS SiO2膜，采用氦气作为TEOS的载气，氦气流量为1500-2500 sccm，同时往腔内通入氧气和氢气两种气体，氧气的流量为2000-2500sccm，氢气流量为1000-2000 sccm，反应时腔体压力为2000-4000 mtorr， 另外同时往喷淋头加载高频和低频的射频功率，高频HF功率 500-1200W，低频LF功率 300-900W。
上述步骤4）在进行氢气等离子体处理的时候，只往腔内通入氢气，氢气流量为500-1500sccm，腔内工艺压力为1500 -3000 mtorr，另外同时往喷淋头加载高频的射频功率，高频HF功率为 500-1200W。通过所述氢气等离子体处理以对氧化硅薄膜表面的硅氢键进行改性，从而可以大幅降低薄膜在暴露于大气时对水蒸气的吸收，从而获得更好的电性能（更低的漏电流和更高的击穿电压）。
如图2所示，采用上述方法沉积的TEOS基氧化硅膜具有良好的电学性能，其击穿电压大于11MV/cm，其漏电流密度极低 ，仅为4.5E-9A/cm2（当电压为2MV/cm时）。
图3为采用上述方法沉积的TEOS基氧化硅膜在大气下放置5天后的傅里叶变换（FTIR）红外吸收光谱，从图中可以看到，TEOS基氧化硅膜在大气下放置5天后仍然不存在明显的氧氢键（波数3 500 cm-1）和硅氢键（波数2170 cm-1）的吸收峰，表明经过氢气等离子体处理的TEOS基氧化硅膜具有良好的致密性和防水性，没有从大气中吸收水气的迹象。
在上述实施例中，测试附着力的方法和步骤如下：采用本发明的化学气相沉积方法在键合片上沉积了氧化硅膜之后，使用金刚石笔在键合片上带有圆形深孔结构（图4和图5中所示的圆圈）的区域划线，划线后用氮气枪轻轻地把划线产生的碎屑吹掉，在高倍显微镜（比如光学显微镜）下观察划线位置附近是否有明显的氧化硅膜脱落（被金刚石笔刮掉带走）的痕迹。
其中，图4为未经氧气等离子体处理的粘结型键合片在沉积氧化硅膜后表面附着力测试后的显微镜图，可以看到，在划线的区域氧化硅膜基本上都脱落了（图4中的多条自上而下的斜线为用金刚石笔在键合片表面划线后留下的刮痕，虚线框标记的颜色较浅区域即为氧化硅膜脱落的区域而颜色相对较深的区域即为氧化硅膜），这就表明了这种（未经氧气等离子体处理的）氧化硅膜的附着力不好，在测试附着力的时候很容易被金刚石笔刮掉。
而图5为经氧气等离子体处理的粘结型键合片在沉积氧化硅膜后表面附着力测试后的显微镜图， 在化学气相沉积之前增加对键合片进行氧气等离子体预处理的步骤之后，氧化硅膜层在进行附着力测试的时候不会被金刚石笔刮掉（图5中的三条自上而下的斜线为用金刚石笔在键合片表面用力划线后留下的刮痕，但图5中基本没有图4中存在的浅色区域，表明氧化硅膜没有脱落），显示经氧气等离子体处理的氧化硅膜层在键合片上具有非常良好的附着力。
因此，通过图4和图5的比较可以看出，化学气相沉积之前对键合片进行氧气等离子体预处理能够显著改善氧化硅膜在键合片上的附着力。
除了氧气等离子体预处理之外，发明人也在键合片上测试了氢气和氩气等离子体处理的效果。从测试结果来看，化学气相沉积之前进行氢气等离子体处理没有带来明显的效果，而氩气等离子体处理只能略微改善附着力，但是改善的效果没有氧气等离子体处理的效果好，而且氩气等离子处理会破坏键合片表面原有的膜层。所以，综合所有不同的等离子体预处理的测试结果来看，化学气相沉积之前的氧气等离子体预处理是改善键合片上氧化硅膜层附着力的最佳预处理方式。
综上所述，本发明提供一种化学气相沉积方法，包括步骤：1）提供键合片，将所述键合片放置于腔室内，所述腔室内具有加热器；2）于第一温度及第一压强下对所述键合片进行第一时长的第一阶段预热，所述第一阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；3）于第二温度及第二压强下对所述键合片进行第二时长的第二阶段预热，所述第二阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；4）于第三温度及第三压强下对所述键合片进行第三时长的第三阶段预热，所述第三阶段预热过程中，键合片位于所述加热器上且与所述加热器相接触；5）于第四温度下对所述键合片进行等离子体处理以对所述键合片进行清洁；6）于第四温度下进行化学气相沉积以于所述键合片的表面形成薄膜；其中，所述第一压强＜第二压强≤第三压强，所述第一温度＜第二温度≤第三温度，所述第一时长和所述第二时长均小于等于所述第三时长。本发明采用包含渐进式预热和等离子体处理两个步骤对键合片进行预处理后再进行化学气相沉积，从而可以在翘曲度偏大的键合片上制备出附着力良好的介质膜，可以极大地提升薄膜的可靠性。基于本发明的化学气相沉积方法制备的介质膜尤其适用于硅通孔技术3D封装技术领域，有助于大幅度提升存储器、图像传感器、功率放大器等芯片产品的良率，可为制造厂家带来可观的经济效益。尤其是所需沉积的膜层越厚，器件集成度越高，采用本发明的化学气相沉积方法进行薄膜沉积所带来的优点愈加突出。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）提供键合片，将所述键合片放置于腔室内，所述腔室内具有加热器；
2）于第一温度及第一压强下对所述键合片进行第一时长的第一阶段预热，所述第一阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
3）于第二温度及第二压强下对所述键合片进行第二时长的第二阶段预热，所述第二阶段预热过程中，键合片与所述加热器不接触；
4）于第三温度及第三压强下对所述键合片进行第三时长的第三阶段预热，所述第三阶段预热过程中，键合片位于所述加热器上且与所述加热器相接触；
5）于第四温度下对所述键合片进行等离子体处理以对所述键合片进行清洁；
6）于第四温度下进行化学气相沉积以于所述键合片的表面形成薄膜；
其中，所述第一压强＜第二压强≤第三压强，所述第一温度＜第二温度≤第三温度，所述第一时长和所述第二时长均小于等于所述第三时长。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述第一压强为0 mtorr，第二压强为1000 mtorr -2000 mtorr，第三压强为3000 mtorr -5000 mtorr。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述第一温度小于50℃，所述第二温度为50℃~100℃，所述第三温度大于等于100℃，所述第一时长为10s-30s，所述第二时长为10s-30s，所述第三时长为60s-120s。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述第二预热阶段和第三预热阶段过程中向所述腔室内通入氮气和氩气中的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述第四温度为80℃-200℃。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述第四温度为85℃-120℃。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述键合片为将硅片和玻璃片通过粘结剂键合而成。
8.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述步骤5）中的等离子体为氧气等离子体，所述氧气等离子体为采用射频功率对氧气进行离化而形成。
9.根据权利要求8所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述射频功率包括高频功率和低频功率中的一种或两种，所述高频功率为10MHZ-60MHz，功率范围为500W-1500W；所述低频功率为200KHz-1MHz，并且功率范围为100W至600W；氧气流量的范围为200 sccm-2500sccm。
10.根据权利要求8所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述等离子体处理的时间为30s-60s。
11.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述步骤6）中形成的薄膜为氧化硅膜，形成所述氧化硅膜的硅源包括硅烷和TEOS液态源中的一种或两种。
12.根据权利要求1-11任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述步骤6）之后还包括步骤7）：对形成的薄膜进行氢气等离子体处理。
13.根据权利要求12所述的化学气相沉积方法，其特征在于：所述氢气等离子体处理的温度为80℃-200ºC，处理时间为30s-80s。
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