CN111223817A - 显示基底、制造显示基底的方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示基底、制造显示基底的方法和显示装置。所述制造显示基底的方法可以包括以下步骤：在基底的像素区域上形成漏电极；在所述基底的焊盘区域上形成焊盘电极；形成覆盖所述漏电极和所述焊盘电极的无机绝缘层；形成有机绝缘构件，所述有机绝缘构件在所述基底的所述像素区域具有第一厚度，在所述基底的所述焊盘区域具有小于所述第一厚度的第二厚度，暴露所述无机绝缘层的在所述漏电极上的第一部分，以及暴露所述无机绝缘层的在所述焊盘电极上的第二部分；去除所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分；以及部分地去除所述有机绝缘构件。

Description

显示基底、制造显示基底的方法和显示装置
技术领域
本技术领域涉及显示基底、制造所述显示基底的方法以及包括所述显示基底的显示装置。
背景技术
显示装置(诸如有机发光显示装置)可以包括形成在像素区域中的像素，并且可以包括在与所述像素区域相邻的周边区域中形成的焊盘。在所述显示装置的制造过程中，可以蚀刻导电层以形成所述像素的电极。当蚀刻所述导电层时，所述焊盘可能接触从所述导电层释放的离子并且可能被不期望地腐蚀。结果，所述显示装置的质量可能不令人满意。
发明内容
实施例可以涉及一种制造显示基底的方法。在所述方法中，可以在像素电极层的蚀刻工艺中防止焊盘电极的不期望的腐蚀。
实施例可以涉及包括不会被不期望地腐蚀的焊盘电极的显示基底。实施例可以涉及包括所述显示基底的显示装置。
根据实施例的制造显示基底的方法可以包括：在基底上的像素区域中形成半导体构件，在所述半导体构件上形成栅电极，在所述栅电极上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体构件接触，在所述基底上的所述焊盘区域中形成焊盘电极，在所述基底上形成无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极，在所述无机绝缘层上形成有机绝缘构件，所述有机绝缘构件在所述像素区域中具有第一厚度并且在所述焊盘区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度，并且所述有机绝缘构件暴露所述无机绝缘层的在所述漏电极上的第一部分和所述无机绝缘层的在所述焊盘电极上的第二部分，使用蚀刻气体蚀刻所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分，以及灰化所述有机绝缘构件。
在一实施例中，可以基本上同时形成所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极。
在一实施例中，所述焊盘电极可以包括：包含铝(Al)的中间层；以及分别设置在所述中间层的下表面和上表面上的下层和上层。
在一实施例中，所述无机绝缘层可以由氮化硅形成。
在一实施例中，可以使用半色调掩模形成所述有机绝缘构件。
在一实施例中，形成所述有机绝缘构件可以包括在所述无机绝缘层上形成所述有机绝缘层，使用所述半色调掩模将所述有机绝缘层暴露于光下，以及显影所述有机绝缘层。
在一实施例中，所述半色调掩模的光传输部分可以对应于所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分，所述半色调掩模的遮光部分可以对应于所述无机绝缘层的所述第一部分之外的所述像素区域，并且所述半色调掩模的光半透射半反射部分可以对应于所述无机绝缘层的所述第二部分之外的所述焊盘区域。
在一实施例中，所述无机绝缘层的所述第二部分可以设置在所述焊盘电极的上表面的一部分上。
在一实施例中，所述蚀刻气体可以包括氟(F)。
在一实施例中，可以以大于所述第二厚度并且小于所述第一厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件。
在一实施例中，可以以小于所述第二厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件。
在一实施例中，所述方法可以进一步包括在所述灰化的有机绝缘构件上形成像素电极层，所述像素电极层与所述漏电极和所述焊盘电极接触，以及蚀刻在所述焊盘区域中的所述像素电极层的一部分。
在一实施例中，所述像素电极层可以包括：包含银(Ag)的中间层；以及分别设置在所述中间层的下表面和上表面上的下层和上层。
根据实施例的显示基底可以包括：包含像素区域和焊盘区域的基底；设置在所述基底上的所述像素区域中的半导体构件；设置在所述半导体构件上的栅电极；设置在所述栅电极上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体构件接触，设置在所述基底上的所述焊盘区域中的焊盘电极，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极的钝化层，所述钝化层包括暴露所述漏电极的上表面的一部分的第一接触孔和暴露所述焊盘电极的上表面的一部分的第二接触孔；第一平坦化层，设置在所述钝化层上的所述像素区域中，所述第一平坦化层包括与所述第一接触孔相对应的第三接触孔；以及设置在所述第一平坦化层上的所述像素区域中的像素电极，所述像素电极通过所述第一接触孔和所述第三接触孔与所述漏电极接触。
在一实施例中，所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极可以设置在所述基底之上的基本相同的水平面上。
在一实施例中，所述焊盘电极可以包括：包含铝(Al)的中间层；以及分别设置在所述中间层的下表面和上表面上的下层和上层。
在一实施例中，所述钝化层可以覆盖所述焊盘电极的所述中间层的侧面。
在一实施例中，所述钝化层可以包括氮化硅。
在一实施例中，所述钝化层可以覆盖所述焊盘电极的侧面。
在一实施例中，所述第三接触孔的宽度可以大于所述第一接触孔的宽度。
在一实施例中，所述显示基底还可包括第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述钝化层上的所述焊盘区域中，所述第二平坦化层包括与所述第二接触孔对应的第四接触孔。
在一实施例中，所述第二平坦化层的厚度可以小于所述第一平坦化层的厚度。
在一实施例中，所述第一平坦化层和所述第二平坦化层可以包括基本相同的材料。
根据实施例的显示装置可以包括：基底，所述基底包含像素区域和焊盘区域；半导体构件，设置在所述基底上的所述像素区域；栅电极，设置在所述半导体构件上；源电极和漏电极，设置在所述栅电极上，所述源电极和所述漏电极与所述半导体构件接触；焊盘电极，设置在所述基底上的所述焊盘区域中；钝化层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极，所述钝化层包括：暴露所述漏电极的上表面的一部分的第一接触孔；暴露所述焊盘电极的上表面的一部分的第二接触孔；平坦化层，设置在所述钝化层上的所述像素区域中，所述平坦化层包括与所述第一接触孔相对应的第三接触孔；像素电极，设置在所述平坦化层的所述像素区域中，所述像素电极通过所述第一接触孔和所述第三接触孔与所述漏电极接触；发射层，设置在所述像素电极上；以及对电极，设置在所述发射层上。
实施例可以涉及一种用于制造显示基底的方法。所述方法可以包括以下步骤：形成与基底的像素区域重叠的半导体构件；形成与所述半导体构件重叠的栅电极；形成直接接触所述半导体构件的源电极和漏电极；形成与所述基底的焊盘区域重叠的焊盘电极；形成覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个的无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成有机绝缘构件，其中所述有机绝缘构件在所述基底的所述像素区域处在垂直于所述基底的方向上具有第一最大正厚度，并且在所述基底的所述焊盘区域处在垂直于所述基底的方向上具有小于所述第一最大正厚度的第二最大正厚度，以及所述有机绝缘构件暴露在所述漏电极上的所述无机绝缘层的第一部分，并且暴露在所述焊盘电极上的所述无机绝缘层的第二部分；使用蚀刻气体去除所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分；以及部分地去除所述有机绝缘构件以形成平坦化层。
可以同时形成所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极。
所述焊盘电极可以包括包含铝(Al)的中间层，并且可以包括分别设置在所述中间层的两个相对表面上的两个导电层。
所述无机绝缘层可以由氮化硅形成。
可以使用半色调掩模形成所述有机绝缘构件。
形成所述有机绝缘构件的步骤可以包括以下子步骤：在所述无机绝缘层上形成所述有机绝缘层；使用所述半色调掩模将所述有机绝缘层暴露于光下；以及部分地去除所述有机绝缘层。
所述方法可以包括以下步骤：将所述半色调掩模的第一光传输部分和所述半色调掩模的第二光传输部分分别定位在所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分之上；将所述半色调掩模的遮光部分定位在所述基底的所述像素区域之上，其中，所述半色调掩模的所述遮光部分暴露所述无机绝缘层的所述第一部分；以及将所述半色调掩模的光半透射半反射部分定位在所述基底的所述焊盘区域之上，其中，所述半色调掩模的所述光半透射半反射部分暴露所述无机绝缘层的所述第二部分。
所述无机绝缘层的所述第二部分可以在被去除之前设置在所述焊盘电极的上表面的一部分上。
所述蚀刻气体可以包括氟(F)。
可以以大于或等于所述第二正最大厚度并且小于所述第一正最大厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件以形成所述平坦化层。
可以以小于所述第二正最大厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件，以形成所述平坦化层。
所述方法可以包括以下步骤：在所述平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层与所述漏电极和所述焊盘电极接触；以及去除所述像素电极层中与所述基底的所述焊盘区域重叠的部分。
所述像素电极层可以包括包含银(Ag)的中间层，并且可以包括分别设置在所述中间层的两个相对表面上的两个导电层。
实施例可以涉及显示基底。所述显示基底可以包括以下元件：包含像素区域和焊盘区域的基底；与所述基底的所述像素区域重叠的半导体构件；与所述半导体构件重叠的栅电极；直接接触所述半导体构件的源电极和漏电极；与所述基底的所述焊盘区域重叠的焊盘电极；钝化层，至少部分地覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个，所述钝化层包含部分地暴露所述漏电极的第一接触孔并包含部分地暴露所述焊盘电极的第二接触孔；第一平坦化层，设置在所述钝化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并包含与所述第一接触孔相对应的第三接触孔；像素电极，设置在所述第一平坦化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并通过所述第一接触孔和所述第三接触孔直接接触所述漏电极。
所述显示基底可以包括绝缘中间层。所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极可以直接设置在所述绝缘中间层的相同面上。
所述焊盘电极可以包括包含铝(Al)的中间层，并且可以包括分别设置在所述中间层的两个相对表面上的两个导电层。
所述钝化层可以覆盖所述焊盘电极的所述中间层的侧面。
所述钝化层可以包括氮化硅。
所述钝化层可以覆盖所述焊盘电极的侧面。
所述第三接触孔在平行于所述基底的方向上的最大宽度可以大于所述第一接触孔在平行于所述基底的方向上的最大宽度。
所述显示基底可以包括第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述钝化层上，与所述基底的所述焊盘区域重叠，并且包括与所述第二接触孔相对应的第四接触孔。
在垂直于所述基底的方向上的所述第二平坦化层的最大厚度可以小于在垂直于所述基底的方向上的所述第一平坦化层的最大厚度。
所述第一平坦化层和所述第二平坦化层可以包括相同的材料。
实施例可以涉及显示装置。所述显示装置可以包括以下元件：基底，所述基底包含像素区域和焊盘区域；半导体构件，与所述基底的所述像素区域重叠；栅电极，与所述半导体构件重叠；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极直接接触所述半导体构件；焊盘电极，与所述基底的所述焊盘区域重叠；钝化层，至少覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个，所述钝化层包含部分地暴露所述漏电极的第一接触孔并包含部分地暴露所述焊盘电极的第二接触孔；平坦化层，设置在所述钝化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并包含与所述第一接触孔相对应的第三接触孔；像素电极，设置在所述平坦化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并通过所述第一接触孔和所述第三接触孔直接接触所述漏电极；发射层，设置在所述像素电极上；以及对电极，设置在所述发射层上。
在实施例中，有机绝缘构件可以使用半色调掩模形成，并且可以用作用于形成钝化层的蚀刻阻挡件，从而可以使显示基底的制造成本和制造时间最小化。
在实施例中，钝化层可以防止焊盘电极被不期望地腐蚀。有利地，可以获得显示基底的令人满意的质量。
附图说明
图1是示出根据一实施例的显示基底的平面图。
图2是示出根据一实施例的图1中的区域A的平面图。
图3是示出根据一实施例的显示基底的截面图。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是示出根据一实施例的在制造显示基底的方法中形成的结构的截面图。
图12是示出根据一实施例的显示基底的截面图。
图13和图14是示出根据一实施例的在制造显示基底的方法中形成的结构的截面图。
图15是示出根据一实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
参照附图描述示例实施例。
尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语可以用来将一个元件与另一个元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，可以将第一元件称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可能不需要或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等在本文中也可以用于区分元件的不同类别或组。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
术语“连接”可以表示“电连接”。术语“传导的”可以表示“导电的”。术语“绝缘”可以表示“电绝缘”。术语“接触”可以表示“直接地机械地接触”或“直接机械接触”。术语“表面”可表示“面”。术语“平坦化的”可表示“平坦的”或“基本平坦的”。术语“上”可表示“图像显示方向”。术语“在”元件“上方”可以表示比所述元件“更远离基体基底”。材料列表可以表示所列出的材料中的至少一种。术语“各种方法”可以表示“各种方法中的至少一种”。方法列表可以表示所列出的方法中的至少一种。
图1是示出根据一实施例的显示基底的平面图。
参照图1，根据实施例的显示基底可以包括像素区域PXA和周边区域PPA。多个像素PXL可以设置在像素区域PXA中。像素区域PXA可以基于从像素PXL发射的光来显示图像。
周边区域PPA可以与像素区域PXA相邻。周边区域PPA可以位于像素区域PXA的一侧或多侧。例如，周边区域PPA可以围绕像素区域PXA。周边区域PPA可以包括其中设置有多个焊盘PD的焊盘区域PDA。集成电路(IC)芯片可以直接连接到焊盘区域PDA，或者可以通过柔性印刷电路板(FPCB)连接到焊盘区域PDA。因此，可以从IC芯片向显示基底提供用于驱动像素PXL的信号。
图2是示出根据一实施例的图1中的区域A的平面图。图3是示出根据一实施例的显示基底的截面图。图3可以示出沿着图2中的线I-I’和线II-II’截取的显示基底的部分。
参照图2和图3，显示基底可以包括基底110(其可以包括分别与像素区域PXA和焊盘区域PDA相对应的像素区域和焊盘区域)、设置在基底110上的像素区域PXA中(并且与基底110的相应像素区域重叠)的像素PXL、以及设置在基底110上的焊盘区域PDA中(并且与基底110的相应焊盘区域重叠)的焊盘PD。每个像素PXL可以包括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的像素电极180。每个焊盘PD可以包括焊盘电极160。像素PXL和焊盘PD可以经由设置在像素PXL和焊盘PD之间的导线WR电连接。
基底110可以是透明或不透明的绝缘基底。例如，基底110可以包括玻璃或塑料，例如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯等。
缓冲层115可以设置在基底110上。缓冲层115可以设置在像素区域PXA和周边区域PPA中。缓冲层115可以阻挡诸如氧气、湿气等的杂质到达薄膜晶体管TFT。缓冲层115可以提供平坦化的上表面。缓冲层115可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。在一实施例中，缓冲层115可以是不必要的。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层115上。薄膜晶体管TFT可以设置在像素区域PXA中。薄膜晶体管TFT可以包括半导体构件120、栅电极130、源电极140和漏电极150。在一实施例中，薄膜晶体管TFT可以具有顶栅结构，其中栅电极130相对于基底110设置在半导体构件120上方。在一实施例中，薄膜晶体管TFT可以具有底栅结构，其中栅电极设置在半导体构件和基体基底之间。
半导体构件120可以设置在缓冲层115上。半导体构件120可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等形成。半导体构件120可以包括源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的沟道区。
覆盖半导体构件120的栅极绝缘层125可以设置在缓冲层115上。栅极绝缘层125可以设置在像素区域PXA和周边区域PPA中。栅极绝缘层125可以使栅电极130与半导体构件120绝缘。栅极绝缘层125可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
栅电极130可以设置在栅极绝缘层125上。栅电极130可以与半导体构件120的沟道区重叠。栅电极130可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等的金属或合金。
覆盖栅电极130的绝缘中间层135可以设置在栅极绝缘层125上。绝缘中间层135可以设置在像素区域PXA和周边区域PPA中。绝缘中间层135可以使源电极140和漏电极150与栅电极130绝缘。绝缘中间层135可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
源电极140和漏电极150可以设置在绝缘中间层135上。源电极140和漏电极150可以通过在绝缘中间层135和栅极绝缘层125中形成的接触孔分别连接到半导体构件120的源极区和半导体构件120的漏极区。
焊盘电极160可以设置在基底110上。焊盘电极160可以设置在显示基底的焊盘区域PDA中，并且可以与基底110的相应焊盘区域重叠。
在一实施例中，焊盘电极160可以设置在基底110之上与源电极140和漏电极150基本相同的水平面上。例如，源电极140、漏电极150和焊盘电极160可以直接设置在绝缘中间层135的上表面上。
在一实施例中，焊盘电极160可以包括顺序地堆叠的下层161、中间层162和上层163。下层161可以设置在中间层162的下表面上，并且上层163可以设置在中间层162的上表面上。下层161的厚度、中间层162的厚度和上层163的厚度可以分别为约
Figure BDA0002281613380000091
(埃)、约
Figure BDA0002281613380000092
和约
Figure BDA0002281613380000093
Figure BDA0002281613380000094
在一实施例中，焊盘电极160的下层161、中间层162和上层163可以分别包括钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)。焊盘电极160的中间层162可以用作主电极层，并且焊盘电极160的下层161和上层163可以用作辅助电极层，用于分别保护中间层162的下表面和上表面。
在一实施例中，源电极140、漏电极150和焊盘电极160可以包括基本相同的材料。例如，源电极140和漏电极150中的每一个可以具有类似于焊盘电极160的包括Ti-Al-Ti的多层结构。
至少部分地覆盖源电极140、漏电极150和焊盘电极160中的每一个的钝化层170可以设置在绝缘中间层135上。钝化层170可以设置在像素区域PXA和周边区域PPA中。钝化层170可以沿着绝缘中间层135、源电极140、漏电极150和焊盘电极160的轮廓形成在基底110之上。在一实施例中，钝化层170的厚度可以是大约
Figure BDA0002281613380000101
钝化层170可以包括穿过钝化层170的第一接触孔CHl和第二接触孔CH2。第一接触孔CHl可以暴露源电极140或漏电极150的上表面的一部分。例如，第一接触孔CH1可以暴露漏电极150的上表面的中心部分。第二接触孔CH2可以暴露焊盘电极160的上表面的一部分。例如，第二接触孔CH2可以暴露焊盘电极160的上表面的中心部分。
钝化层170可以覆盖焊盘电极160的侧面。可以不暴露焊盘电极160的侧面。在一实施例中，钝化层170可以覆盖焊盘电极160的中间层162的至少一个侧面。可以不暴露焊盘电极160的中间层162的侧面。
钝化层170可以包括无机绝缘材料。在一实施例中，钝化层170可以包括氮化硅。在一实施例中，钝化层170可以包括氧化硅、氧氮化硅等。
平坦化层175可以设置在钝化层170上。平坦化层175可以设置在像素区域PXA中，并且可以不设置在周边区域PPA(包括焊盘区域PDA)中。平坦化层175可以与基底110的像素区域重叠并且可以不与基底110的焊盘区域重叠。平坦化层175可以具有平坦化的上表面。平坦化层175可以提供平坦化的表面。平坦化层175可以包括有机绝缘材料，例如丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂等。在一实施例中，平坦化层175的厚度可以为大约2μm。
平坦化层175可以包括穿过平坦化层175的第三接触孔CH3。第三接触孔CH3可以对应于第一接触孔CH1。第三接触孔CH3可以设置在第一接触孔CH1的上方。可以通过第一接触孔CH1和第三接触孔CH3暴露漏电极150的上表面的中心部分。
在一实施例中，第三接触孔CH3在平行于基底110的方向上的最大宽度可以大于第一接触孔CH1在平行于基底110的方向上的最大宽度。除了漏电极150的上表面的中心部分之外，第三接触孔CH3可以暴露钝化层170的覆盖漏电极150的上表面的边缘的部分。
像素电极180可以设置在平坦化层175上。像素电极180可以设置在像素区域PXA中，并且可以与基底110的像素区域重叠。像素电极180可以连接到薄膜晶体管TFT的源电极140或漏电极150。例如，像素电极180可以通过第一接触孔CH1和第三接触孔CH3与漏电极150接触。
像素电极180可以包括银(Ag)。在用于形成像素电极180的蚀刻工艺中，当像素电极180中包括的银(Ag)与蚀刻剂反应时，可以产生银离子(Ag+)。如果不保护焊盘电极160，则银离子(Ag+)可以与焊盘电极160的上表面的中心部分接触。
如果在用于形成像素电极180的蚀刻工艺中产生的银离子(Ag+)与在焊盘电极160中包括的铝(Al)接触，则可以将铝颗粒氧化以产生铝离子(Al3+)，并且可以还原银离子(Ag+)以形成银颗粒。由于铝离子(Al3+)的产生，可能腐蚀铝(Al)。根据实施例，由于钝化层170至少覆盖焊盘电极160的侧面(至少包括中间层162的侧面)，所以可以不暴露焊盘电极160中包括的铝(Al)；因此，可以防止由于与银离子(Ag+)接触而引起的焊盘电极160的潜在腐蚀。
在一实施例中，像素电极180可以包括顺序地堆叠的下层181、中间层182和上层183。下层181可以设置在中间层182的下表面上，并且上层183可以设置在中间层182的上表面上。
在一实施例中，像素电极180的下层181、像素电极180的中间层182和像素电极180的上层183可以分别包括铟锡氧化物(ITO)、银(Ag)和铟锡氧化物(ITO)。像素电极180的中间层182可以用作主电极层，并且像素电极180的下层181和像素电极180的上层183可以用作辅助电极层，用于分别保护中间层182的下表面和上表面。
覆盖像素电极180的边缘的像素限定层190可以设置在平坦化层175上。像素限定层190可以设置在像素区域PXA中，并且可以不设置在周边区域PPA(包括焊盘区域PDA)中。像素限定层190可以与基底110的像素区域PXA重叠并且可以不与基底110的焊盘区域重叠。像素限定层190可以包括暴露像素电极180的上表面的开口部分，从而限定发射区域。像素限定层190可以包括有机绝缘材料，例如丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂等。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是示出根据一实施例的在制造显示基底(例如，图3中所示的显示基底)的方法中形成的结构的截面图。
参照图4，薄膜晶体管TFT和焊盘电极160可以形成在基底110上。
缓冲层115可以形成在基底110上的像素区域PXA和焊盘区域PDA中。例如，使用诸如化学气相沉积(CVD)、溅射等中的至少一种的多种方法中的至少一种，可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成缓冲层115。
随后，可以在缓冲层115上的像素区域PXA中形成半导体构件120。例如，可以在缓冲层115的整个表面上形成包括包含硅、氧化物半导体等的材料的层，并且可以部分地去除所述层以形成半导体构件120。当使用含硅材料形成半导体构件120时，可以在缓冲层115的整个表面上形成非晶硅层，并且可以结晶所述非晶硅层以形成多晶硅层。随后，可以部分地去除所述多晶硅层以形成半导体构件120。
随后，覆盖半导体构件120的栅极绝缘层125可以形成在缓冲层115上的像素区域PXA和焊盘区域PDA中。栅极绝缘层125可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成。
随后，可以在栅极绝缘层125上的像素区域PXA中形成栅电极130。栅电极130可以与半导体构件120重叠。栅电极130可以由金属、其合金等形成。随后，可以使用栅电极130作为掩模在半导体构件120的相对端处掺杂杂质以形成半导体构件120的源极区、漏极区和沟道区，其中沟道区设置在源极区和漏极区之间。
随后，覆盖栅电极130的绝缘中间层135可以形成在栅极绝缘层125上的像素区域PXA和焊盘区域PDA中。绝缘中间层135可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成。
随后，可以在绝缘中间层135和栅极绝缘层125中形成暴露半导体构件120的部分的接触孔。接触孔可以分别暴露半导体构件120的源极区和半导体构件120的漏极区。
随后，源电极140和漏电极150可以形成在绝缘中间层135上的像素区域PXA中。另外，焊盘电极160可以形成在绝缘中间层135上的焊盘区域PDA中。例如，可以在绝缘中间层135的整个表面上形成填充接触孔的导电层，并且可以部分地去除导电层以基本同时形成源电极140、漏电极150和焊盘电极160。
在一实施例中，焊盘电极160可以包括顺序地堆叠的下层161、中间层162和上层163。例如，可以在绝缘中间层135上顺序地形成包括钛(Ti)的层、包括铝(Al)的层和包括钛(Ti)的层，并且可以部分地去除上述层以形成各自具有包括Ti-Al-Ti的多层结构的源电极140、漏电极150和焊盘电极160。
参照图5，覆盖源电极140、漏电极150和焊盘电极160的无机绝缘层171可以形成在绝缘中间层135上的像素区域PXA和焊盘区域PDA中。可以沿着绝缘中间层135、源电极140、漏电极150和焊盘电极160的轮廓在基底110上方形成无机绝缘层171。使用诸如CVD、溅射等的各种方法可以由氮化硅形成无机绝缘层171。
参照图6，可以在无机绝缘层171上形成有机绝缘层176，并且可以使用光掩模300来暴露有机绝缘层176。
可以在无机绝缘层171上的像素区域PXA和焊盘区域PDA中形成有机绝缘层176。有机绝缘层176可以具有平坦化的上表面。在一实施例中，有机绝缘层176可以由其中去除了暴露于光下的部分的正感光有机材料形成。有机绝缘层176可以由诸如丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂等的有机绝缘材料形成。
随后，可以将光掩模300设置在有机绝缘层176之上，并且可以使用光掩模300暴露有机绝缘层176。在一实施例中，光掩模300可以是半色调掩模。半色调掩模300可以包括光传输部分310、遮光部分320和光半透射半反射部分330。光传输部分310可以透射光，遮光部分320可以阻挡光，光半透射半反射部分330可以透射一部分光。光半透射半反射部分330的透光率可以小于每个光传输部分310的透光率，并且可以大于遮光部分320的透光率。
参照图7，可以在无机绝缘层171上形成有机绝缘构件177。
可以显影并部分地去除利用穿过半色调掩模300的光照射的有机绝缘层176以形成有机绝缘构件177。可以基本上完全去除与半色调掩模300的光传输部分310相对应的有机绝缘层176的第一部分，并且可以不明显去除而是可以保留与半色调掩模300的遮光部分320相对应的有机绝缘层176的第二部分。可以部分地去除与半色调掩模300的光半透射半反射部分330相对应的有机绝缘层176的第三部分。
半色调掩模300的光传输部分310可以对应于漏电极150上的无机绝缘层171的第一部分P1和焊盘电极160上的无机绝缘层171的第二部分P2。无机绝缘层171的第一部分P1可以位于漏电极150的上表面的一部分上，并且无机绝缘层171的第二部分P2可以位于焊盘电极160的上表面的一部分上。例如，无机绝缘层171的第一部分P1可以位于漏电极150的上表面的中央部分，并且无机绝缘层171的第二部分P2可以位于焊盘电极160的上表面的中央部分。
半色调掩模300的遮光部分320可以对应于像素区域PXA，并且可以暴露无机绝缘层171的第一部分P1，以及半色调掩模300的光半透射半反射部分330可以对应于焊盘区域PDA，并且可以暴露无机绝缘层171的第二部分P2。因此，在有机绝缘构件177中，与遮光部分320相对应的第一部分在垂直于基底110的方向上具有第一最大厚度TH1，而与光半透射半反射部分330相对应的第二部分在垂直于基底110的方向上具有小于第一厚度TH1的第二最大厚度TH2。有机绝缘构件177的具有第一最大厚度TH1的第一部分可以定位在薄膜晶体管TFT与紧邻的薄膜晶体管之间、在源电极140与漏电极150之间、在漏电极150与第二最大厚度TH2之间、和/或在漏电极150和焊盘区域PDA之间。有机绝缘构件177的具有第二最大厚度TH2的第二部分可以在第一最大厚度TH1与焊盘电极160之间、在像素区域PXA与焊盘电极160之间、和/或在焊盘电极160与基底110的紧邻边缘之间。有机绝缘构件177可以包括暴露无机绝缘层171的第一部分P1的第一开口OP1，并且可以包括暴露无机绝缘层171的第二部分P2的第二开口OP2。
参照图8，可以蚀刻无机绝缘层171以形成钝化层170。
可以使用蚀刻气体通过干蚀刻工艺来蚀刻无机绝缘层171。在一实施例中，蚀刻气体可以包括氟(F)。蚀刻气体可以包括SF6气体、WF6气体、NF3气体、CF4气体、C3F6气体、C4F8气体、CHF3气体、C5F8气体、CH2F2气体、C2HF5气体、CH3F气体等。
可以使用有机绝缘构件177作为蚀刻阻挡件来蚀刻无机绝缘层171。因此，可以蚀刻分别通过有机绝缘构件177的第一开口OP1和有机绝缘构件177的第二开口OP2暴露的无机绝缘层171的第一部分P1和无机绝缘层171的第二部分P2。结果，可以形成第一接触孔CH1(暴露漏电极150的上表面的一部分)和第二接触孔CH2(暴露焊盘电极160的上表面的一部分)。可以在绝缘中间层135上形成包括第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的钝化层170。
参照图9，可以灰化并部分地去除有机绝缘构件177。
可以使用氧气(O2)通过氧等离子体灰化有机绝缘构件177。在一实施例中，可以以大于或等于第二最大厚度TH2且小于第一最大厚度TH1的厚度灰化有机绝缘构件177。可以基本上完全去除焊盘区域PDA中有机绝缘构件177的具有第二最大厚度TH2的第二部分，并且可以部分地去除像素区域PXA中有机绝缘构件177的具有第一最大厚度TH1的第一部分。因此，可以在钝化层170上形成位于像素区域PXA中而不位于焊盘区域PDA中的平坦化层175。
除了有机绝缘构件177的上部之外，可以灰化由第一开口OP1暴露的有机绝缘构件177的侧部。因此，可以在平坦化层175中形成具有大于第一开口OP1的宽度的宽度的第三接触孔CH3。平坦化层175的第三接触孔CH3的宽度可以大于钝化层170的第一接触孔CH1的宽度。
参照图10，像素电极层180a可以形成在平坦化层175上。像素电极层180a可以形成在像素区域PXA中的平坦化层175上，并且可以形成在焊盘区域PDA中的钝化层170上。像素电极层180a可以通过第一接触孔CH1和第三接触孔CH3与漏电极150接触，并且可以通过第二接触孔CH2与焊盘电极160接触。
在一实施例中，像素电极层180a可以包括顺序地堆叠的下层181a、中间层182a和上层183a。例如，可以在平坦化层175上顺序地形成包括氧化铟锡(ITO)的层、包括银(Ag)的层和包括氧化铟锡(ITO)的层，以形成具有包括ITO-Ag-ITO的多层结构的像素电极层180a。
参照图11，可以部分地蚀刻像素电极层180a以形成像素电极180。可以完全地蚀刻焊盘区域PDA中的像素电极层180a的一部分，并且可以部分地去除像素区域PXA中的像素电极层180a以形成像素电极180，所述像素电极180直接接触漏电极150。
参照图3，像素限定层190可以形成在平坦化层175上的像素区域PXA中。像素限定层190可以由诸如丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂等的有机绝缘材料形成。
根据实施例，可以使用半色调掩模300形成像素区域PXA和焊盘区域PDA中具有不同厚度的有机绝缘构件177，从而可以使用有机绝缘构件177作为蚀刻阻挡件来形成钝化层170。因此，可以减少用于形成钝化层170和平坦化层175的制造成本和制造时间。
图12是示出根据一实施例的显示基底的截面图。图12可以示出沿着图2中的线I-I’和线II-II’截取的显示基底的部分。
除了第二平坦化层178以外，参照图12的显示基底与参照图3的显示基底基本相同或相似。可以不重复上述元件的描述。
参照图12，根据一实施例的显示基底可以包括第一平坦化层175和第二平坦化层178。图12中的第一平坦化层175可以与图3中的平坦化层175基本相同。
第一平坦化层175和第二平坦化层178可以设置在钝化层170上。第一平坦化层175可以位于像素区域PXA中，并且第二平坦化层178可以位于包括焊盘区域PDA的周边区域PPA中。第二平坦化层178可以具有平坦化的上表面。第二平坦化层178可以由诸如丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂等的有机绝缘材料形成。在一实施例中，第一平坦化层175和第二平坦化层178可以包括基本相同的材料。
在一实施例中，第二平坦化层178在垂直于基底110的方向上的最大厚度可以小于第一平坦化层175在垂直于基底110的方向上的最大厚度。例如，第一平坦化层175的厚度可以为大约2μm，并且第二平坦化层178的厚度可以小于大约1μm。
第二平坦化层178可以包括穿过第二平坦化层178的第四接触孔CH4。第四接触孔CH4可以对应于第二接触孔CH2。第四接触孔CH4可以设置在第二接触孔CH2的上方。可以通过第二接触孔CH2和第四接触孔CH4暴露焊盘电极160的上表面的中心部分。
在一实施例中，第四接触孔CH4的宽度可以大于第二接触孔CH2的宽度。第四接触孔CH4可以暴露钝化层170的部分，所述钝化层170的部分覆盖焊盘电极160的上表面的边缘。
图13和图14是示出根据一实施例的在制造显示基底(例如，图12中所示的显示基底)的方法中形成的结构的截面图。
除了第二平坦化层的形成以外，参照图13和图14的方法与参照图3至图11的方法基本相同或相似。可以不重复上述步骤的描述。
参照图8和图13，可以灰化并部分地去除在像素区域PXA中具有第一厚度TH1并且在焊盘区域PDA中具有第二厚度TH2的图8中的有机绝缘构件177。
在一实施例中，可以以小于第二厚度TH2的厚度灰化有机绝缘构件177。例如，可以以基本相同的厚度(小于第二厚度TH2)部分地去除在像素区域PXA中有机绝缘构件177的具有第一厚度TH1的第一部分和在焊盘区域PDA中有机绝缘构件177的具有第二厚度TH2的第二部分中的每一个。位于像素区域PXA中的第一平坦化层175和位于焊盘区域PDA中的第二平坦化层178都可以形成在钝化层170上。
参照图8，除了有机绝缘构件177的上部之外，可以灰化由第二开口OP2暴露的有机绝缘构件177的侧部。因此，可以在第二平坦化层178中形成具有大于第二开口OP2的宽度的宽度的第四接触孔CH4。第二平坦化层178的第四接触孔CH4的宽度可以大于钝化层170的第二接触孔CH2的宽度。
参照图14，像素电极层180a可以形成在第一平坦化层175和第二平坦化层178上。像素电极层180a可以形成在像素区域PXA中的第一平坦化层175上以及焊盘区域PDA中的第二平坦化层178上。像素电极层180a可以通过第一接触孔CH1和第三接触孔CH3与漏电极150接触，并且可以通过第二接触孔CH2和第四接触孔CH4与焊盘电极160接触。
图15是示出根据一实施例的显示装置的截面图。
参照图15，显示装置可以包括基底110、设置在基底110上的像素区域PXA中的像素PXL、以及设置在基底110上的焊盘区域PDA中的焊盘PD。像素PXL可以包括薄膜晶体管TFT、连接到薄膜晶体管TFT的像素电极180、发射层210和对电极220。焊盘PD可以包括焊盘电极160。
显示装置可以包括图3中所示的显示基底。在一实施例中，显示装置可以包括图12中所示的显示基底。
发射层210可以设置在像素限定层190的开口部分中。发射层210可以具有至少包括光产生层(LGL)的薄膜多层结构。发射层210可以包括用于注入空穴的空穴注入层(HIL)，并且可以包括具有优异的空穴传输特性的空穴传输层(HTL)。通过抑制在光产生层中无法结合的电子的运动，空穴注入层可能会增加空穴和电子复合的机会。光产生层可以通过注入的电子和空穴的复合来发光。发射层210可以包括空穴阻挡层(HBL)，所述空穴阻挡层用于抑制在光产生层中未能结合的空穴的运动。发射层210可以包括用于将电子平稳地传输到光产生层的电子传输层(ETL)。发射层210可以包括用于注入电子的电子注入层(EIL)。
在光产生层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。在发射层210的光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
对电极220可以设置在像素限定层190和发射层210上。对电极220可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料，或诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属。
像素电极180、发射层210和对电极220可以形成有机发光元件。例如，像素电极180和对电极220中的一个可以是有机发光元件的阳电极，并且像素电极180和对电极220中的另一个可以是有机发光元件的阴电极。例如，像素电极180可以是阳电极，而对电极220可以是阴电极。
实施例可以应用于电子装置，诸如计算机、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能板、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)或MP3播放器等。
尽管已经参照附图描述了示例实施例，但是在不脱离所附权利要求限定的范围的情况下，可以对所描述的实施例进行修改和改变。

Claims (24)

1.一种制造显示基底的方法，其中所述方法包括：
形成与基底的像素区域重叠的半导体构件；
形成与所述半导体构件重叠的栅电极；
形成直接接触所述半导体构件的源电极和漏电极；
形成与所述基底的焊盘区域重叠的焊盘电极；
形成覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个的无机绝缘层；
在所述无机绝缘层上形成有机绝缘构件，其中所述有机绝缘构件在所述基底的所述像素区域处在垂直于所述基底的方向上具有第一正最大厚度，并且在所述基底的所述焊盘区域处在垂直于所述基底的方向上具有小于所述第一正最大厚度的第二正最大厚度，以及所述有机绝缘构件暴露所述无机绝缘层的在所述漏电极上的第一部分，并且暴露所述无机绝缘层的在所述焊盘电极上的第二部分；
使用蚀刻气体去除所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分；以及
部分地去除所述有机绝缘构件以形成平坦化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，同时形成所述源电极、所述所述漏电极和所述焊盘电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焊盘电极包括包含铝的中间层，并且包括分别设置在所述中间层的两个相对的表面上的两个导电层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无机绝缘层由氮化硅形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机绝缘构件是使用半色调掩模形成的。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述有机绝缘构件包括：
在所述无机绝缘层上形成有机绝缘层；
使用所述半色调掩模将所述有机绝缘层暴露于光下；以及
部分地去除所述有机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中使用所述半色调掩模包括：
将所述半色调掩模的第一光传输部分和所述半色调掩模的第二光传输部分分别定位在所述无机绝缘层的所述第一部分和所述无机绝缘层的所述第二部分之上；
将所述半色调掩模的遮光部分定位在所述基底的所述像素区域之上，其中，所述半色调掩模的所述遮光部分暴露所述无机绝缘层的所述第一部分；以及
将所述半色调掩模的光半透射半反射部分定位在所述基底的所述焊盘区域之上，其中，所述半色调掩模的所述光半透射半反射部分暴露所述无机绝缘层的所述第二部分。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无机绝缘层的所述第二部分在被去除之前设置在所述焊盘电极的上表面的一部分上。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻气体包括氟。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，以大于或等于所述第二正最大厚度并且小于所述第一正最大厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件以形成所述平坦化层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中以小于所述第二正最大厚度的厚度灰化所述有机绝缘构件，以形成所述平坦化层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：
在所述平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层与所述漏电极和所述焊盘电极接触；以及
去除所述像素电极层的与所述基底的所述焊盘区域重叠的部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述像素电极层包括包含银的中间层，并且包括分别设置在所述中间层的两个相对的表面上的两个导电层。
14.一种显示基底，其中所述显示基底包括：
基底，所述基底包含像素区域和焊盘区域；
半导体构件，与所述基底的所述像素区域重叠；
栅电极，与所述半导体构件重叠；
源电极和漏电极，所述源电极和漏电极直接接触所述半导体构件；
焊盘电极，与所述基底的所述焊盘区域重叠；
钝化层，至少部分地覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个，所述钝化层包含部分地暴露所述漏电极的第一接触孔并包含部分地暴露所述焊盘电极的第二接触孔；
第一平坦化层，设置在所述钝化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并包含与所述第一接触孔相对应的第三接触孔；以及
像素电极，设置在所述第一平坦化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并通过所述第一接触孔和所述第三接触孔直接接触所述漏电极。
15.根据权利要求14所述的显示基底，其中所述显示基底还包括绝缘中间层，其中，所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极直接设置在所述绝缘中间层的相同面上。
16.根据权利要求14所述的显示基底，其中，所述焊盘电极包括包含铝的中间层，并且包括分别设置在所述中间层的两个相对的表面上的两个导电层。
17.根据权利要求16所述的显示基底，其中，所述钝化层覆盖所述焊盘电极的所述中间层的侧面。
18.根据权利要求14所述的显示基底，其中，所述钝化层包括氮化硅。
19.根据权利要求14所述的显示基底，其中，所述钝化层覆盖所述焊盘电极的侧面。
20.根据权利要求14所述的显示基底，其中，所述第三接触孔在与所述基底平行的方向上的最大宽度大于所述第一接触孔在与所述基底平行的方向上的最大宽度。
21.根据权利要求14所述的显示基底，其中所述显示基底还包括：
第二平坦化层，设置在所述钝化层上，与所述基底的所述焊盘区域重叠，并包含与所述第二接触孔对应的第四接触孔。
22.根据权利要求21所述的显示基底，其中，所述第二平坦化层在垂直于所述基底的方向上的最大厚度小于所述第一平坦化层在垂直于所述基底的方向上的最大厚度。
23.根据权利要求21所述的显示基底，其中，所述第一平坦化层和所述第二平坦化层包括相同的材料。
24.一种显示装置，其中所述显示装置包括：
基底，所述基底包含像素区域和焊盘区域；
半导体构件，与所述基底的所述像素区域重叠；
栅电极，与所述半导体构件重叠；
源电极和漏电极，直接接触所述半导体构件；
焊盘电极，与所述基底的所述焊盘区域重叠；
钝化层，至少覆盖所述源电极、所述漏电极和所述焊盘电极中的每一个，所述钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔部分地暴露所述漏电极，并且所述第二接触孔部分地暴露所述焊盘电极；
平坦化层，设置在所述钝化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并包含与所述第一接触孔对应的第三接触孔；
像素电极，设置在所述平坦化层上，与所述基底的所述像素区域重叠，并通过所述第一接触孔和所述第三接触孔直接接触所述漏电极；
发射层，设置在所述像素电极上；以及
对电极，设置在所述发射层上。
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