CN111183586B - 多位元触发器及电子设备 - Google Patents

多位元触发器及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111183586B
CN111183586B CN201880038967.5A CN201880038967A CN111183586B CN 111183586 B CN111183586 B CN 111183586B CN 201880038967 A CN201880038967 A CN 201880038967A CN 111183586 B CN111183586 B CN 111183586B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coupled
node
pmos
clock signal
nmos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880038967.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111183586A (zh
Inventor
吴敬杰
杨智文
谢文斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horizhi Technology Co ltd
Original Assignee
Horizhi Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horizhi Technology Co ltd filed Critical Horizhi Technology Co ltd
Publication of CN111183586A publication Critical patent/CN111183586A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111183586B publication Critical patent/CN111183586B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

一种多位元触发器(1),所述多位元触发器(1)包括时脉输入引脚(PINI)、时脉缓冲电路(110)及多个触发器(121~128)。时脉缓冲电路(110)用来接收自时脉输入引脚(PINI)所收到的第一时脉信号(CP),并且根据第一时脉信号(CP)提供第二时脉信号与第三时脉信号。而每一触发器(121~128)均用来接收第二时脉信号与第三时脉信号,并且根据第二时脉信号与第三时脉信号来存储数据。因此,所述多位元触发器(1)是设计让每一触发器(121~128)均能共用同一时脉。另提出一种包括所述的多位元触发器(1)的电子设备。

Description

多位元触发器及电子设备
技术领域
本发明涉及一种触发器(flip flop,FF),尤其涉及一种能够共用时脉的多位元(multi-bit)触发器及电子设备。
背景技术
触发器只能存储一个位元的数据。当想要存储多位元的数据时,就必须将多个触发器合并起来使用,且其即统称为多位元触发器。由于在现有的多位元触发器中,时脉路径(clock path)为整体电路设计最复杂的部份之一,因此,如何改进多位元触发器的时脉路径,同时有效降低时脉振幅,是本技术领域的重要课题。
发明内容
本发明实施例提供一种多位元触发器。所述多位元触发器包括时脉输入引脚、时脉缓冲电路及多个触发器。时脉输入引脚被配置为接收第一时脉信号。时脉缓冲电路耦接于时脉输入引脚,用来接收第一时脉信号,并且根据第一时脉信号提供第二时脉信号与第三时脉信号,其中时脉缓冲电路包括第一逆变器(inverter)及第二逆变器。第一逆变器经由第一节点耦接于时脉输入引脚,用来接收与反相第一时脉信号,并且经由第二节点输出已反相的第一时脉信号作为第二时脉信号。第二逆变器经由第三节点耦接于第二节点,用来接收与反相第二时脉信号,并且经由第四节点输出已反相的第二时脉信号作为第三时脉信号。而每一触发器均具有相应的数据输入端与数据输出端,且每一触发器均耦接于第三节点与第四节点,用来接收第二时脉信号与第三时脉信号,并且根据第二时脉信号与第三时脉信号来存储数据。
本发明实施例另提供一种多位元触发器。所述多位元触发器包括时脉输入引脚、时脉缓冲电路及多个触发器。时脉输入引脚被配置为接收第一时脉信号。时脉缓冲电路耦接于时脉输入引脚,用来接收第一时脉信号,并且根据第一时脉信号提供第二时脉信号与第三时脉信号,其中时脉缓冲电路包括第一逆变器、第二逆变器及一电晶体串。第一逆变器经由第一节点耦接于时脉输入引脚,用来接收与反相第一时脉信号,并且经由第二节点输出已反相的第一时脉信号作为第四时脉信号。第二逆变器经由第三节点耦接于第二节点,用来接收与反相第四时脉信号,并且经由第四节点输出已反相的第四时脉信号作为第五时脉信号。电晶体串耦接于第三节点与第四节点,用来接收第四时脉信号与第五时脉信号,并且根据第四时脉信号与第五时脉信号,经由第五节点与第六节点提供第二时脉信号与第三时脉信号。而每一所述触发器均具有相应的数据输入端与数据输出端,且每一触发器均耦接于第五节点与第六节点,用来接收第二时脉信号与第三时脉信号,并且根据第二时脉信号与第三时脉信号来存储数据。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与附图仅仅是用来说明本发明,而不是对本发明的权利范围作任何的限制。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。
图2是图1的多位元触发器的时序示意图。
图3是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。
图4是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。
图5是图4的多位元触发器的时序示意图。
图6是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。
图7是图6的多位元触发器的时序示意图。
图8是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。
图9是图1的多位元触发器中的触发器的电路示意图。
具体实施方式
在下文中,将通过附图说明本发明的各种实施例来详细描述本发明。然而,本发明概念可能以许多不同形式来体现,且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。此外,在附图中相同参考数字可用以表示类似的元件。
详细地说,本发明实施例所提供的多位元触发器,可以是适用于任何具有计算功能的电子设备中,例如智能手机、游戏机、路由器或平板电脑等。总而言之,本发明并不限制所述电子设备所包含本实施例的多位元触发器的具体实现方式,本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。请参阅图1,图1是本发明实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。多位元触发器1包括时脉输入引脚PIN1、时脉缓冲电路110及多个触发器,例如触发器121到触发器128。值得一提的是,为了方便以下说明,图1的多个触发器则是仅先采用数量为8个的例子来进行说明,但其数量并不是用以限制本发明。在本实施例中,时脉输入引脚PIN1被配置为接收时脉信号CP。时脉缓冲电路110耦接于时脉输入引脚PIN1,用来接收时脉信号CP,并且根据时脉信号CP提供时脉信号CKB与时脉信号CKD。
如图1所示,时脉缓冲电路110可包括第一逆变器111及第二逆变器112。第一逆变器111经由节点T11耦接于时脉输入引脚PIN1,用来接收与反相时脉信号CP,并且经由节点T12输出已反相的时脉信号CP作为时脉信号CKB。第二逆变器112经由节点T13耦接于节点T12,用来接收与反相时脉信号CKB,并且经由节点T14输出已反相的时脉信号CKB作为时脉信号CKD。另外,每一触发器121~128均具有相应的数据输入端与数据输出端,例如触发器121具有数据输入端D1与数据输出端Q1,触发器122具有数据输入端D2与数据输出端Q2,以此类推,触发器127具有数据输入端D7与数据输出端Q7,触发器128则具有数据输入端D8与数据输出端Q8,且每一触发器121~128均耦接于节点T13与节点T14,用来接收时脉信号CKB与时脉信号CKD,并且根据时脉信号CKB与时脉信号CKD来存储数据。
可以理解的是,在本实施例中,节点T11与节点T12即能分别指的是第一逆变器111的输入端与输出端,且节点T13与节点T14也就分别指的是第二逆变器112的输入端与输出端。另外,根据以上内容的教示,本技术领域中具有通常知识者应可理解到,本实施例所提供的多位元触发器1是设计让每一触发器121~128均耦接于节点T13与节点T14,因此,使得每一触发器121~128均能共用同一时脉信号CKB与同一时脉信号CKD。需要说明的是,本实施例的每一触发器121~128可以是静态(static)触发器、动态(dynamic)触发器或任何类型的触发器。总而言之,本发明并不限制每一触发器121~128的具体实现方式,本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。然而,由于每一触发器121~128所根据时脉信号CKB与时脉信号CKD来存储数据的运作原理已是本技术领域中具有通常知识者所习知,因此有关上述每一触发器121~128的细部内容在此就不再多加赘述。
进一步来说,第一逆变器111可包括相互串联的P型金氧半场效电晶体(PMOSFET)P11及N型金氧半场效电晶体(NMOSFET)N11,但本发明并不以此连接关系及电晶体类型为限制。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P11的源极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N11的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P11的汲极及N型金氧半场效电晶体N11的汲极则共同耦接于节点T12,P型金氧半场效电晶体P11的闸极及N型金氧半场效电晶体N11的闸极则共同耦接于节点T11。类似地,第二逆变器112可包括相互串联的P型金氧半场效电晶体P12及N型金氧半场效电晶体N12,但本发明也不以此连接关系及电晶体类型为限制。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P12的源极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N12的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P12的汲极及N型金氧半场效电晶体N12的汲极则共同耦接于节点T14,P型金氧半场效电晶体P12的闸极及N型金氧半场效电晶体N12的闸极则共同耦接于节点T13。
更仔细地说,请一并参阅图2,图2是图1的多位元触发器的时序示意图。如图2所示,由于在时脉信号CKD的第一上升边缘时(也即,在时脉信号CKB的第一下升边缘时),第i个触发器12i(其中,i为1至8的任整数)的数据输入端Di所输入的数据信号具有逻辑「高」位准,因此第i个触发器12i的数据输出端Qi所输出的数据信号即可自逻辑「低」位准变至逻辑「高」位准。接下来,由于在时脉信号CKD的第二上升边缘时(也即,在时脉信号CKB的第二下升边缘时),第i个触发器12i的数据输入端Di所输入的数据信号具有逻辑「低」位准,因此第i个触发器12i的数据输出端Qi所输出的数据信号则可自逻辑「高」位准变至逻辑「低」位准。
这也就是说,在本实施例中,第i个触发器12i将可仅通过在时脉信号CKD的上升边缘(或时脉信号CKD的下升边缘)来锁存其数据输入端Di所输入的数据信号。由于触发器12i所锁存数据信号的原理也已是本技术领域中具有通常知识者所习知,因此有关上述细部内容在此就不再多加赘述。必须了解的是,上述P型金氧半场效电晶体P11、P12及N型金氧半场效电晶体N11、N12更可以是以超低临限电压(ultra low voltage trigger,uLVT)金氧半场效电晶体来实现,但本发明也不以此电晶体类型为限制。因此,当本实施例是使用uLVT金氧半场效电晶体时,第i个触发器12i就只须要根据时脉信号CKB与时脉信号CKD上的相对较小准位变化而来执行上述锁存动作。
另一方面,若再考量到降低时脉信号CKB与时脉信号CKD的振幅的话,因此,请参阅图3,图3是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。其中,图3中部分与图1相同或相似的元件以相同或相似的图号标示,因此在此不再多加详述其细节。如图3所示,多位元触发器3的时脉缓冲电路310可包括第一逆变器111、第二逆变器112、P型金氧半场效电晶体P33与N型金氧半场效电晶体N33。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P33串联于P型金氧半场效电晶体P11及电源电压VDD间,其中P型金氧半场效电晶体P33的源极耦接于电源电压VDD,P型金氧半场效电晶体P33的汲极与闸极共同耦接于P型金氧半场效电晶体P11的源极。另外,在本实施例中,N型金氧半场效电晶体N33串联于N型金氧半场效电晶体N12及接地电压VSS间,其中N型金氧半场效电晶体N33的源极耦接于接地电压VSS,N型金氧半场效电晶体N33的汲极与闸极共同耦接于N型金氧半场效电晶体N12的源极。因此,相较于图1的时脉信号CKB与时脉信号CKD,图3的时脉信号CKB与时脉信号CKD则均可降低其振幅达1Vt,例如时脉信号CKB的逻辑「高」位准减少了1Vt,且时脉信号CKD的逻辑「低」位准则增加了1Vt,但本发明并不限制Vt的具体实现方式。由于详尽细节也如同前述实施例所述,因此在此就不再多加赘述。
类似地,请参阅图4,图4也是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。其中,图4中部分与图1相同或相似的元件以相同或相似的图号标示,因此在此不再多加详述其细节。如图4所示,相较于图1及图3的时脉缓冲电路110及310,图4的时脉缓冲电路410则用来接收时脉信号CP,并且根据时脉信号CP提供时脉信号CKN与时脉信号CKP。另外,图4的每一触发器121~128则改均耦接于节点T45与节点T46,用来接收时脉信号CKN与时脉信号CKP,并且根据时脉信号CKN与时脉信号CKP来存储数据。在本实施例中,时脉缓冲电路410可包括第一逆变器111、第二逆变器112及电晶体串313。电晶体串313耦接于节点T13与节点T14,用来接收时脉信号CKB与时脉信号CKD,并且根据时脉信号CKB与时脉信号CKD,经由节点T45与节点T46提供时脉信号CKN与时脉信号CKP。
进一步来说,电晶体串313可包括相互串联的P型金氧半场效电晶体P43及N型金氧半场效电晶体N43、N44。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P43的源极耦接于电源电压VDD,P型金氧半场效电晶体P43的汲极与N型金氧半场效电晶体N43的汲极共同耦接于节点T45,N型金氧半场效电晶体N43的源极与N型金氧半场效电晶体N44的汲极共同耦接于节点T46,N型金氧半场效电晶体N44的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P43的闸极则与N型金氧半场效电晶体N43的闸极共同耦接于节点T13,N型金氧半场效电晶体N44的闸极耦接于节点T14。可以理解的是,在本实施例中,节点T45与节点T46也就能分别指的是时脉缓冲电路410的两输出端,且节点T45即用来提供时脉信号CKN,节点T46则用来提供时脉信号CKP。
另外,如图4所示,时脉缓冲电路410更可包括P型金氧半场效电晶体P44及电容C1、C2。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P44的源极耦接于节点T45,P型金氧半场效电晶体P44的汲极耦接于节点T46,P型金氧半场效电晶体P44的闸极则与N型金氧半场效电晶体N44的闸极共同耦接于节点T14。电容C1的第一端耦接于电源电压VDD,电容C1的第二端则耦接于节点T45。而电容C2的第一端耦接于接地电压VSS,电容C2的第二端则耦接于节点T46。接着,请一并参阅图5,图5是图4的多位元触发器的时序示意图。根据以上内容的教示,本技术领域中具有通常知识者应可理解到,相较于图1及图3的实施例,图4的第i个触发器12i将可仅通过在时脉信号CKN的上升边缘(或时脉信号CKP的下升边缘)来锁存其数据输入端Di所输入的数据信号。必须了解的是,由于本实施例用到了P型金氧半场效电晶体P43、P44及N型金氧半场效电晶体N43、N44,因此,相较于图1的时脉信号CKB与时脉信号CKD,图4的时脉信号CKN与时脉信号CKP则均可降低其振幅达高准位的一半,如图5所示。由于详尽细节也如同前述实施例所述,因此在此就不再多加赘述。
另一方面,若考量到让图1中的多位元触发器1也能够具有时脉控制功率转换(clock-controled power switch)功能,因此,请一并参阅图6,图6是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。其中,图6中部分与图1相同或相似的元件以相同或相似的图号标示,因此在此不再多加详述其细节。如图6所示,时脉缓冲电路610更用来根据时脉信号CKB与时脉信号CKD,经由节点T65与节点T66提供功率转换信号SW1与功率转换信号SW2,且每一触发器121~128更均耦接于节点T65与节点T66,用来接收功率转换信号SW1与功率转换信号SW2。可以理解的是,在本实施例中,节点T65即用来提供功率转换信号SW1,且节点T66则用来提供功率转换信号SW2。
进一步来说,图6的时脉缓冲电路610可包括第一逆变器111、第二逆变器112、P型金氧半场效电晶体P63、P64及N型金氧半场效电晶体N63、N64。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P63的源极耦接于电源电压VDD,P型金氧半场效电晶体P63的汲极耦接于节点T65,P型金氧半场效电晶体P63的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T13。另外,N型金氧半场效电晶体N63的源极耦接于节点T65,N型金氧半场效电晶体N63的汲极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N63的闸极则与P型金氧半场效电晶体P63的闸极共同耦接于节点T13。类似地,P型金氧半场效电晶体P64的源极耦接于节点T66,P型金氧半场效电晶体P64的汲极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P64的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T14。另外,N型金氧半场效电晶体N64的源极耦接于接地电压VSS,N型金氧半场效电晶体N64的汲极耦接于节点T66,N型金氧半场效电晶体N64的闸极则与P型金氧半场效电晶体P64的闸极共同耦接于节点T14。
接着,请一并参阅图7,图7是图6的多位元触发器的时序示意图。根据以上内容的教示,本技术领域中具有通常知识者应可理解到,上述P型金氧半场效电晶体P63、P64及N型金氧半场效电晶体N63、N64即可被整体视作为一个弱保持电路(weak keeper circuit)。也就是说,本实施例所提供的多位元触发器6是设计让在时脉信号CP为逻辑低位准时,使用此弱保持电路来作为功率转换。一般而言,通常是通过设计不同的临界电压或通道长度来区分强保持电路及弱保持电路。总而言之,本发明并不限制此弱保持电路的具体实现方式,本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。需要说明的是,由于具有功率转换功能的触发器的运作原理也已是本技术领域中具有通常知识者所习知,因此有关上述细部内容在此就不再多加赘述。
另一方面,若除了考量到让图1中的多位元触发器1也能够具有时脉控制功率转换功能外,同时再考量到降低如图6中的功率转换信号SW1与功率转换信号SW2振幅的话,因此,请参阅图8,图8是本发明另一实施例所提供的多位元触发器的电路示意图。其中,图8中部分与图6相同或相似的元件以相同或相似的图号标示,因此在此不再多加详述其细节。如图8所示,相较于图6的时脉缓冲电路610,图8的时脉缓冲电路810可包括第一逆变器111、第二逆变器112、P型金氧半场效电晶体P83、P84、P85及N型金氧半场效电晶体N83、N84、N85。在本实施例中,P型金氧半场效电晶体P83的源极耦接于电源电压VDD,P型金氧半场效电晶体P83的汲极耦接于节点T65,P型金氧半场效电晶体P83的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T13。另外,P型金氧半场效电晶体P84的源极耦接于电源电压VDD,P型金氧半场效电晶体P84的汲极与闸极共同耦接于P型金氧半场效电晶体P85的源极,P型金氧半场效电晶体P85的汲极耦接于节点T65,P型金氧半场效电晶体P85的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T14。
类似地,N型金氧半场效电晶体N83的源极耦接于接地电压VSS,N型金氧半场效电晶体N83的汲极耦接于节点T66,N型金氧半场效电晶体N83的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T14。N型金氧半场效电晶体N84的源极耦接于接地电压VSS,N型金氧半场效电晶体N84的汲极与闸极共同耦接于N型金氧半场效电晶体N85的源极,N型金氧半场效电晶体N85的汲极耦接于节点T66,N型金氧半场效电晶体N85的闸极则与触发器121~128共同耦接于节点T13。因此,相较于图6的功率转换信号SW1与功率转换信号SW2,图8的功率转换信号SW1与功率转换信号SW2则均可降低其振幅达1Vt,例如功率转换信号SW1的逻辑「高」位准减少了1Vt,且功率转换信号SW2的逻辑「低」位准则增加了1Vt,但本发明并不限制Vt的具体实现方式。由于操作细节也如同前述实施例所述,因此在此就不再多加赘述。
最后,如同前面内容所述,每一触发器121~128可以是动态触发器,因此,请参阅图9,图9是图1的多位元触发器中的触发器的电路示意图。其中,图9中部分与图1相同或相似的元件以相同或相似的图号标示,因此在此不再多加详述其细节。值得一提的是,为了方便以下说明,本实施例将是仅以触发器121的例子来进行说明。如图9所示,触发器121包括传输闸901、第三逆变器902、第四逆变器903、上拉电晶体904及下拉电晶体905。传输闸901耦接于触发器121的数据输入端D1,用来接收第一数据信号(图未示),并且根据时脉信号CKB与时脉信号CKD输出第一数据信号到子节点A1。第三逆变器902经由子节点A1耦接于传输闸901,用来反相第一数据信号,并且输出已反相的第一数据信号到子节点A2。第四逆变器903耦接于子节点A2与触发器121的数据输出端Q1间,用来反相已反相的第一数据信号以产生第二数据信号(图未示),并且输出第二数据信号到触发器121的数据输出端Q1。上拉电晶体904耦接于子节点A2与电源电压VDD间,用来上拉子节点A2的电压到电源电压VDD。下拉电晶体905耦接于子节点A2与接地电压VSS间,用来下拉子节点A2的电压到接地电压VSS。可以理解的是,本实施例的「子节点A1」即能指的是传输闸901与第三逆变器902相连接的节点,且「子节点A2」也就指的是第三逆变器902与第四逆变器903相连接的节点。
在本实施例中,传输闸901包括相互并联的N型金氧半场效电晶体N93及P型金氧半场效电晶体P93,N型金氧半场效电晶体N93的汲极及P型金氧半场效电晶体P93的汲极共同经由子节点A3耦接于触发器121的数据输入端D1,N型金氧半场效电晶体N93的源极及P型金氧半场效电晶体P93的源极共同经由子节点A4耦接于子节点A1,N型金氧半场效电晶体N93的闸极用来接收时脉信号CKB,P型金氧半场效电晶体P93的闸极则用来接收时脉信号CKD。可以理解的是,本实施例的「子节点A3」即能指的是N型金氧半场效电晶体N93的汲极与P型金氧半场效电晶体P93的汲极相连接的节点,且「子节点A4」也就指的是N型金氧半场效电晶体N93的源极与P型金氧半场效电晶体P93的源极相连接的节点。
另外,第三逆变器902为三态(tri-state)逆变器,且其包括相互串联的P型金氧半场效电晶体P94、P95及N型金氧半场效电晶体N94、N95,P型金氧半场效电晶体P94的源极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N95的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P94的闸极及N型金氧半场效电晶体N95的闸极均分别耦接于子节点A1,以用来接收第一数据信号,P型金氧半场效电晶体P95的源极耦接于P型金氧半场效电晶体P94的汲极,N型金氧半场效电晶体N94的源极耦接于N型金氧半场效电晶体N95的汲极,P型金氧半场效电晶体P95的汲极及N型金氧半场效电晶体N94的汲极共同经由子节点A5耦接于子节点A2,P型金氧半场效电晶体P95的闸极用来接收时脉信号CKB,N型金氧半场效电晶体N94的闸极则用来接收所述时脉信号CKD。
第四逆变器903包括相互串联的P型金氧半场效电晶体P96及N型金氧半场效电晶体N96,P型金氧半场效电晶体P96的源极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N96的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P96的汲极及N型金氧半场效电晶体N96的汲极共同经由子节点A6耦接于触发器121的数据输出端Q1,P型金氧半场效电晶体P96的闸极及N型金氧半场效电晶体N96的闸极则共同经由子节点A7耦接于所述子节点A2,以用来接收已反相的第一数据信号。再者,上拉电晶体904是P型金氧半场效电晶体P97,下拉电晶体905是N型金氧半场效电晶体N97,P型金氧半场效电晶体P97的源极耦接于电源电压VDD,N型金氧半场效电晶体N97的源极耦接于接地电压VSS,P型金氧半场效电晶体P97的汲极及N型金氧半场效电晶体N97的汲极均分别耦接于子节点A2,P型金氧半场效电晶体P97的闸极及N型金氧半场效电晶体N97的闸极则均分别耦接于触发器121的数据输出端Q1,以用来接收第二数据信号。
需要说明的是,在本实施例中,上拉电晶体904及下拉电晶体905即组构成一反馈逆变器906,且相较于第三逆变器902,此反馈逆变器被配置为弱保持电路。也就是说,当下一笔新的数据要写入时,第三逆变器902和反馈逆变器906会容易在子节点A2上发生数据冲突,所以第三逆变器902的信号输出能力要必须比反馈逆变器906的信号输出能力来得较强,这样才能强制更新子节点A2上的数据。因此,相较于第三逆变器902,反馈逆变器906必须被配置为弱保持电路。由于P型金氧半场效电晶体P93、P94、P95、P96、P97及N型金氧半场效电晶体N93、N94、N95、N96、N97的运作原理也已是本技术领域中具有通常知识者所习知,因此有关上述触发器121的细部内容在此就不再多加赘述。
综上所述,本发明实施例所提供的多位元触发器,是设计让每一触发器均能共用同一时脉,借此改进多位元触发器的时脉路径。除此之外,本发明实施例所提供的多位元触发器,还设计到能够降低时脉振幅,以及能够具有时脉控制功率转换功能的优点。
以上所述仅仅是本发明的实施例,其并不是用以局限本发明的专利范围。

Claims (18)

1.一种多位元触发器,其特征在于,包括:
一时脉输入引脚,被配置为接收一第一时脉信号;
一时脉缓冲电路,耦接于所述时脉输入引脚,用来接收所述第一时脉信号,并且根据所述第一时脉信号提供一第二时脉信号与一第三时脉信号,其中所述时脉缓冲电路包括:
一第一逆变器,经由一第一节点耦接于所述时脉输入引脚,用来接收与反相所述第一时脉信号,并且经由一第二节点输出已反相的所述第一时脉信号作为所述第二时脉信号;以及
一第二逆变器,经由一第三节点耦接于所述第二节点,用来接收与反相所述第二时脉信号,并且经由一第四节点输出已反相的所述第二时脉信号作为所述第三时脉信号;以及
多个触发器,其中每一所述触发器均具有相应的一数据输入端与一数据输出端,且每一所述触发器均耦接于所述第三节点与所述第四节点,用来接收所述第二时脉信号与所述第三时脉信号,并且根据所述第二时脉信号与所述第三时脉信号来存储数据;
其中所述时脉缓冲电路更用来根据所述第二时脉信号与所述第三时脉信号,经由一第五节点与一第六节点提供一第一功率转换信号与一第二功率转换信号,且每一所述触发器更均耦接于所述第五节点与所述第六节点,用来接收所述第一功率转换信号与所述第二功率转换信号。
2.如权利要求1所述的多位元触发器,其特征在于,所述第一逆变器包括相互串联的一第一P型金氧半场效电晶体及一第一N型金氧半场效电晶体,其中所述第一P型金氧半场效电晶体的源极耦接于一电源电压,所述第一N型金氧半场效电晶体的源极耦接于一接地电压,所述第一P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第一N型金氧半场效电晶体的汲极则共同耦接于所述第二节点,所述第一P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第一N型金氧半场效电晶体的闸极则共同耦接于所述第一节点。
3.如权利要求2所述的多位元触发器,其特征在于,所述第二逆变器包括相互串联的一第二P型金氧半场效电晶体及一第二N型金氧半场效电晶体,其中所述第二P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第二N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第二P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第二N型金氧半场效电晶体的汲极则共同耦接于所述第四节点,所述第二P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第二N型金氧半场效电晶体的闸极则共同耦接于所述第三节点。
4.如权利要求3所述的多位元触发器,其特征在于,所述时脉缓冲电路更包括:
一第三P型金氧半场效电晶体,串联于所述第一P型金氧半场效电晶体及所述电源电压间,其中所述第三P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第三P型金氧半场效电晶体的汲极与闸极共同耦接于所述第一P型金氧半场效电晶体的源极;以及
一第三N型金氧半场效电晶体,串联于所述第二N型金氧半场效电晶体及所述接地电压间,其中所述三N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极与闸极共同耦接于所述第二N型金氧半场效电晶体的源极。
5.如权利要求3所述的多位元触发器,其特征在于,所述时脉缓冲电路更包括:
一第三P型金氧半场效电晶体,所述第三P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第三P型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第五节点,所述第三P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第三节点;
一第三N型金氧半场效电晶体,所述三N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述第五节点,所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述电源电压,所述第三N型金氧半场效电晶体的闸极则与所述第三P型金氧半场效电晶体的闸极共同耦接于所述第三节点;
一第四P型金氧半场效电晶体,所述第四P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述第六节点,所述第四P型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述接地电压,所述第四P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第四节点;以及
一第四N型金氧半场效电晶体,所述四N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第四N型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第六节点,所述第四N型金氧半场效电晶体的闸极则与所述第四P型金氧半场效电晶体的闸极共同耦接于所述第四节点。
6.如权利要求5所述的多位元触发器,其特征在于,所述时脉缓冲电路更包括:
一第三P型金氧半场效电晶体,所述第三P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第三P型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第五节点,所述第三P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第三节点;
一第四至一第五P型金氧半场效电晶体,所述第四P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第四P型金氧半场效电晶体的汲极与闸极共同耦接于所述第五P型金氧半场效电晶体的源极,所述第五P型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第五节点,所述第五P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第四节点;
一第三N型金氧半场效电晶体,所述三N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第六节点,所述第三N型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第四节点;以及
一第四至一第五N型金氧半场效电晶体,所述四N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第四N型金氧半场效电晶体的汲极与闸极共同耦接于所述第五N型金氧半场效电晶体的源极,所述第五N型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第六节点,所述第五N型金氧半场效电晶体的闸极则与所述触发器共同耦接于所述第三节点。
7.如权利要求3所述的多位元触发器,其特征在于,每一所述触发器均是一动态触发器,且其包括:
一传输闸,耦接于所述触发器的所述数据输入端,用来接收一第一数据信号,并且根据所述第二时脉信号与所述第三时脉信号输出所述第一数据信号到一第一子节点;
一第三逆变器,经由所述第一子节点耦接于所述传输闸,用来反相所述第一数据信号,并且输出已反相的所述第一数据信号到一第二子节点;
一第四逆变器,耦接于所述第二子节点与所述触发器的所述数据输出端间,用来反相已反相的所述第一数据信号以产生一第二数据信号,并且输出所述第二数据信号到所述触发器的所述数据输出端;
一上拉电晶体,耦接于所述第二子节点与所述电源电压间,用来上拉所述二子节点的电压到所述电源电压;以及
一下拉电晶体,耦接于所述第二子节点与所述接地电压间,用来下拉所述二子节点的电压到所述接地电压。
8.如权利要求7所述的多位元触发器,其特征在于,所述传输闸包括相互并联的一第三N型金氧半场效电晶体及一第三P型金氧半场效电晶体,所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极及所述第三P型金氧半场效电晶体的汲极共同经由一第三子节点耦接于所述触发器的所述数据输入端,所述第三N型金氧半场效电晶体的源极及所述第三P型金氧半场效电晶体的源极共同经由一第四子节点耦接于所述第一子节点,所述第三N型金氧半场效电晶体的闸极用来接收所述第二时脉信号,所述第三P型金氧半场效电晶体的闸极则用来接收所述第三时脉信号。
9.如权利要求8所述的多位元触发器,其特征在于,所述第三逆变器是一三态逆变器,且其包括相互串联的一第四P型金氧半场效电晶体、一第五P型金氧半场效电晶体、一第四N型金氧半场效电晶体及一第五N型金氧半场效电晶体,所述第四P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第五N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第四P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第五N型金氧半场效电晶体的闸极均分别耦接于所述第一子节点,以用来接收所述第一数据信号,所述第五P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述第四P型金氧半场效电晶体的汲极,所述第四N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述第五N型金氧半场效电晶体的汲极,所述第五P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第四N型金氧半场效电晶体的汲极共同经由一第五子节点耦接于所述第二子节点,所述第五P型金氧半场效电晶体的闸极用来接收所述第二时脉信号,所述第四N型金氧半场效电晶体的闸极则用来接收所述第三时脉信号。
10.如权利要求9所述的多位元触发器,其特征在于,所述第四逆变器包括相互串联的一第六P型金氧半场效电晶体及一第六N型金氧半场效电晶体,所述第六P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第六N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第六P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第六N型金氧半场效电晶体的汲极共同经由一第六子节点耦接于所述触发器的所述数据输出端,所述第六P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第六N型金氧半场效电晶体的闸极则共同经由一第七子节点耦接于所述第二子节点,以用来接收已反相的所述第一数据信号。
11.如权利要求10所述的多位元触发器,其特征在于,所述上拉电晶体是一第七P型金氧半场效电晶体,所述下拉电晶体是一第七N型金氧半场效电晶体,所述第七P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第七N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第七P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第七N型金氧半场效电晶体的汲极均分别耦接于所述第二子节点,所述第七P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第七N型金氧半场效电晶体的闸极则均分别耦接于所述触发器的所述数据输出端,以用来接收所述第二数据信号。
12.如权利要求11所述的多位元触发器,其特征在于,所述上拉电晶体及所述下拉电晶体组构成一反馈逆变器,且相较于所述第三逆变器,所述反馈逆变器被配置为一弱保持电路。
13.一种多位元触发器,其特征在于,包括:
一时脉输入引脚,被配置为接收一第一时脉信号;
一时脉缓冲电路,耦接于所述时脉输入引脚,用来接收所述第一时脉信号,并且根据所述第一时脉信号提供一第二时脉信号与一第三时脉信号,其中所述时脉缓冲电路包括:
一第一逆变器,经由一第一节点耦接于所述时脉输入引脚,用来接收与反相所述第一时脉信号,并且经由一第二节点输出已反相的所述第一时脉信号作为一第四时脉信号;
一第二逆变器,经由一第三节点耦接于所述第二节点,用来接收与反相所述第四时脉信号,并且经由一第四节点输出已反相的所述第四时脉信号作为一第五时脉信号;以及
一电晶体串,耦接于所述第三节点与所述第四节点,用来接收所述第四时脉信号与所述第五时脉信号,并且根据所述第四时脉信号与所述第五时脉信号,经由一第五节点与一第六节点提供所述第二时脉信号与所述第三时脉信号;以及
多个触发器,其中每一所述触发器均具有相应的一数据输入端与一数据输出端,且每一所述触发器均耦接于所述第五节点与所述第六节点,用来接收所述第二时脉信号与所述第三时脉信号,并且根据所述第二时脉信号与所述第三时脉信号来存储数据。
14.如权利要求13所述的多位元触发器,其特征在于,所述第一逆变器包括相互串联的一第一P型金氧半场效电晶体及一第一N型金氧半场效电晶体,所述第一P型金氧半场效电晶体的源极耦接于一电源电压,所述第一N型金氧半场效电晶体的源极耦接于一接地电压,所述第一P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第一N型金氧半场效电晶体的汲极则共同耦接于所述第二节点,所述第一P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第一N型金氧半场效电晶体的闸极则共同耦接于所述第一节点。
15.如权利要求14所述的多位元触发器,其特征在于,所述第二逆变器包括相互串联的一第二P型金氧半场效电晶体及一第二N型金氧半场效电晶体,所述第二P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第二N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第二P型金氧半场效电晶体的汲极及所述第二N型金氧半场效电晶体的汲极则共同耦接于所述第四节点,所述第二P型金氧半场效电晶体的闸极及所述第二N型金氧半场效电晶体的闸极则共同耦接于所述第三节点。
16.如权利要求15所述的多位元触发器,其特征在于,所述电晶体串包括相互串联的一第三P型金氧半场效电晶体、一第三N型金氧半场效电晶体及一第四N型金氧半场效电晶体,其中所述第三P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述电源电压,所述第三P型金氧半场效电晶体的汲极与所述第三N型金氧半场效电晶体的汲极共同耦接于所述第五节点,所述第三N型金氧半场效电晶体的源极与所述第四N型金氧半场效电晶体的汲极共同耦接于所述第六节点,所述第四N型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述接地电压,所述第三P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述第三N型金氧半场效电晶体的闸极共同耦接于所述第三节点,所述第四N型金氧半场效电晶体的闸极耦接于所述第四节点。
17.如权利要求16所述的多位元触发器,其特征在于,所述时脉缓冲电路更包括:
一第四P型金氧半场效电晶体,所述第四P型金氧半场效电晶体的源极耦接于所述第五节点,所述第四P型金氧半场效电晶体的汲极耦接于所述第六节点,所述第四P型金氧半场效电晶体的闸极则与所述第四N型金氧半场效电晶体的闸极共同耦接于所述第四节点;
一第一电容,所述第一电容的第一端耦接于所述电源电压,所述第一电容的第二端耦接于所述第五节点;以及
一第二电容,所述第二电容的第一端耦接于所述接地电压,所述第二电容的第二端耦接于所述第六节点。
18.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1~17中任一项所述的多位元触发器。
CN201880038967.5A 2018-07-04 2018-07-04 多位元触发器及电子设备 Active CN111183586B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2018/000242 WO2020006649A1 (zh) 2018-07-04 2018-07-04 多位元触发器及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111183586A CN111183586A (zh) 2020-05-19
CN111183586B true CN111183586B (zh) 2023-04-28

Family

ID=69059475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880038967.5A Active CN111183586B (zh) 2018-07-04 2018-07-04 多位元触发器及电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10958252B2 (zh)
CN (1) CN111183586B (zh)
WO (1) WO2020006649A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10990745B2 (en) * 2018-09-20 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Integrated circuit and method of forming same and a system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101557209A (zh) * 2009-01-09 2009-10-14 友达光电股份有限公司 计时d型正反器电路
TW201013626A (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Au Optronics Corp Shift register
CN108156714A (zh) * 2018-01-09 2018-06-12 宗仁科技(平潭)有限公司 一种实现多个led灯乱闪的驱动电路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001006611A2 (en) * 1999-07-16 2001-01-25 Intel Corporation Dual-level voltage shifters for low leakage power
US6864733B2 (en) * 2003-05-29 2005-03-08 Intel Corporation Data-enabled static flip-flop circuit with no extra forward-path delay penalty
TWI390377B (zh) * 2008-01-28 2013-03-21 Faraday Tech Corp 準位切換器
US9425771B2 (en) * 2014-09-26 2016-08-23 Texas Instruments Incorporated Low area flip-flop with a shared inverter
US9473117B2 (en) * 2015-02-13 2016-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-bit flip-flops and scan chain circuits
KR102521651B1 (ko) * 2016-04-07 2023-04-13 삼성전자주식회사 멀티 비트 플립플롭들

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013626A (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Au Optronics Corp Shift register
CN101557209A (zh) * 2009-01-09 2009-10-14 友达光电股份有限公司 计时d型正反器电路
CN108156714A (zh) * 2018-01-09 2018-06-12 宗仁科技(平潭)有限公司 一种实现多个led灯乱闪的驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
US20210058074A1 (en) 2021-02-25
US10958252B2 (en) 2021-03-23
WO2020006649A1 (zh) 2020-01-09
CN111183586A (zh) 2020-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6563357B1 (en) Level converting latch
KR20060092408A (ko) 고성능 배타적 오아 및 배타적 노아 회로 및 방법
US8179160B1 (en) Input-output (I/O) circuit supporting multiple I/O logic-level swings
CN110859056B (zh) 动态触发器及电子设备
US7202724B2 (en) Pulse-based flip-flop
US6864732B2 (en) Flip-flop circuit with reduced power consumption
US6762957B2 (en) Low clock swing latch for dual-supply voltage design
CN114567293B (zh) 锁存器以及包括锁存器的处理器和计算装置
US6437624B1 (en) Edge-triggered latch with symmetric complementary pass-transistor logic data path
US11509295B2 (en) High-speed flip flop circuit including delay circuit
CN111183586B (zh) 多位元触发器及电子设备
KR20060053741A (ko) 고속 플립플롭
CN114070272A (zh) 延迟控制装置和可调延迟装置
US20130265092A1 (en) Flip-Flop Circuits
EP4195506A1 (en) Clock gating cells
CA3212931A1 (en) Circuit unit, logic circuit, processor, and computing apparatus
US20190220078A1 (en) Level shifter, integrated circuit, and method
US11575366B2 (en) Low power flip-flop
US6445217B1 (en) Edge-triggered latch with balanced pass-transistor logic trigger
TWI662793B (zh) 多位元正反器及電子設備
TWI664819B (zh) 動態正反器及電子設備
US10651850B2 (en) Low voltage tolerant ultra-low power edge triggered flip-flop for standard cell library
US20070241796A1 (en) D-type static latch for high frequency circuit
Swaroop et al. CMOS Level Shifters for Low Power Applications using 45nm Technology
CN107528566B (zh) 一种d触发器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: No.6, 8th Floor, No.6, Taiyuan 1st Street, Zhubei City, Hsinchu County, Taiwan, China, China

Applicant after: Horizhi Technology Co.,Ltd.

Address before: 5 / F, 8 / F, No. 6, Taiyuan 1st Street, Zhubei City, Hsinchu County, Taiwan, China

Applicant before: Horizhi Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant