CN111164890B - 高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置 Download PDF

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Abstract

高频滤波器(1)作为弹性波谐振器具备串联臂谐振器(S11以及S12)、并联臂谐振器(P11以及P12)、以及至少一个电感器，弹性波谐振器的电容组成部分与电感器一起、或者与电感器和电容器一起作为混合滤波器构成LPF(12)以及HPF(13)，在至少一个电感器中，作为安装部件的电感器包含电感器(L12以及L13)。

Description

高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及具有弹性波谐振器的高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，公开了具备LC谐振电路和弹性波谐振器的高频滤波器(例如，参照专利文献1)。在该高频滤波器中，弹性波谐振器以及LC谐振电路分别构成带阻滤波器(BEF)。由此，能够在通带附近形成弹性波谐振器的阻带、以及比弹性波谐振器的阻带高1倍频程(Octave)以上的LC谐振电路的阻带这2个阻带。
专利文献1:日本特表2009－538005号公报
然而，上述以往的高频滤波器通过由弹性波谐振器引起的陡峭的衰减极，能够提高从通带形成到阻带的衰减斜率的陡度，但由于在构成高频滤波器的基板内所使用的电感器由布线图案导体形成，所以Q值较小而通过特性劣化。另外，由于由布线图案导体形成的电感器根据图案宽度以及厚度的精度而电感值发生变化，所以电感值的偏差较大，滤波器特性各不相同。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而完成的，提供一种能够改善滤波器特性的高频滤波器等。
本发明的一个方式的高频滤波器具备弹性波谐振器以及至少一个电感器，上述弹性波谐振器的电容组成部分与电感器一起、或者与电感器和电容器一起构成混合滤波器，在上述至少一个电感器中，包含安装部件的电感器。
由此，由于使用由电感器或者电感器和电容器、以及弹性波谐振器的电容组成部分构成的滤波器(所谓的混合滤波器)的高频滤波器中的电感器包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器的通过特性。另外，由于安装部件的电感器的电感值的偏差较小，所以能够减小滤波器特性的差别。
另外，也可以在上述至少一个电感器中，包含构成上述混合滤波器的第一电感器，上述第一电感器是上述安装部件的电感器。
由此，能够提高与弹性波谐振器的电容组成部分一起构成LC谐振电路的第一电感器的Q值，并能够改善具备第一电感器的高频滤波器的滤波器特性。
另外，也可以上述高频滤波器还具备电容器，在上述至少一个电感器中，包含与上述电容器一起构成LC谐振电路的第二电感器，上述第二电感器是上述安装部件的电感器。
由此，能够增大与电容器一起构成LC谐振电路的第二电感器的Q值，并能够改善具备第二电感器的高频滤波器的滤波器特性。
另外，也可以由上述弹性波谐振器形成的第一衰减极的频率、以及由上述安装部件的电感器形成的第二衰减极的频率包含于上述高频滤波器的一个阻带，上述第一衰减极的频率位于比上述第二衰减极的频率靠上述高频滤波器的通带的附近。
在像这样构成的高频滤波器中，由于第一衰减极的频率位于高频滤波器的通带的附近，所以通过弹性波谐振器的陡峭的第一衰减极，能够提高从高频滤波器的通带形成到一个阻带的衰减斜率的陡度，并能够减少通带内的插入损失。另外，由于第一衰减极的频率和第二衰减极的频率包含于该一个阻带，换言之，由第一衰减极和第二衰减极形成该一个阻带，所以通过由安装部件的电感器构成的LC谐振电路的平缓的第二衰减极能够扩宽该一个阻带。因此，能够实现通带内的插入损失的减少，并能够实现阻带的宽频带化。另外，由于安装部件的电感器的Q值较大且电感值的差别较小，所以能够进一步减少通带内的插入损失，并能够减小插入损失的差别。
另外，也可以上述安装部件的电感器的2GHz下的Q值为20以上。
像这样，通过安装部件的电感器，能够在2GHz处实现20以上的Q值。
另外，也可以上述安装部件的电感器是层叠型的电感器、绕线型的电感器或者集成无源器件。
像这样，能够通过层叠型的电感器、绕线型的电感器或者集成无源器件来实现安装部件的电感器。
另外，也可以上述安装部件的电感器的磁通的方向是与安装上述安装部件的电感器的基板的主面平行的方向。
由于通常在基板上，在与该基板的主面平行的方向上设置有地线实心图案，所以在电感器的磁通的方向为与该主面(地线实心图案)正交的方向的情况下，在该地线实心图案上产生涡流而电感器的Q值劣化。与此相对，由于安装部件的电感器的磁通的方向是与该主面平行的方向，所以在地线实心图案上不会产生涡流，而能够抑制安装部件的电感器的Q值的劣化。
另外，也可以在上述至少一个电感器中，包含多个上述安装部件的电感器，在上述多个安装部件的电感器中，包含磁通的方向相互不同的至少2个电感器。
由此，由于安装部件的电感器彼此未电磁耦合，所以能够抑制由安装部件的电感器彼此的相互作用引起的滤波器特性的差别。
另外，也可以在上述至少一个电感器中，包含多个上述安装部件的电感器，在上述多个安装部件的电感器中，包含以串联的方式连接的至少2个电感器，该至少2个电感器各自的磁通的方向相互为相同的方向，且电磁耦合。
由此，在将至少2个电感器串联连接的情况下，通过使各个磁通的方向一致，获得更大的电感值。换句话说，即使在各电感器的电感值的和不满足所希望的电感值的情况下，通过使各电感器电磁耦合也能够获得所希望的电感值。另外，由于通常对于一个安装部件的电感器来说，电感值越小Q值越大，所以通过使电感值较小的电感器电磁耦合并且串联连接，能够获得所希望的电感值，并且增大Q值。
另外，也可以上述混合滤波器是高通滤波器或者低通滤波器。
由此，通过低通滤波器或者高通滤波器，能够形成宽频带的通带。
另外，也可以上述弹性波谐振器是构成梯形电路的串联臂谐振器，构成上述混合滤波器的第一电感器与上述弹性波谐振器并联连接。
由此，能够通过由第一电感器和弹性波谐振器的电容组成部分构成的LC谐振电路，形成宽频带的阻带。
另外，本发明的一个方式的多路复用器具备包含至少一个上述的高频滤波器的多个滤波器，上述多个滤波器的输入端子或者输出端子与共用端子直接或者间接地连接。
由此，能够提供一种能够改善滤波器特性的多路复用器。
另外，本发明的一个方式的高频前端电路具备：上述的多路复用器；以及开关，与上述多路复用器直接或者间接地连接。
由此，能够提供一种能够改善滤波器特性的高频前端电路。
另外，本发明的一个方式的高频前端电路具备：上述的多路复用器；以及放大电路，与上述多路复用器直接或者间接地连接。
由此，能够提供一种能够改善滤波器特性的高频前端电路。
另外，本发明的一个方式的通信装置具备：RF信号处理电路，对通过天线元件收发的高频信号进行处理；以及在上述天线元件和上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号上述的高频前端电路。
由此，能够提供一种能够改善滤波器特性的通信装置。
根据本发明的高频滤波器等，能够改善滤波器特性。
附图说明
图1是实施例1的高频滤波器的电路结构图。
图2是表示实施例1的高频滤波器的滤波器特性的图。
图3是实施例2的高频滤波器的电路结构图。
图4是表示实施例2的高频滤波器的滤波器特性的图。
图5是实施例3的高频滤波器的电路结构图。
图6是表示实施例3的高频滤波器的滤波器特性的图。
图7是实施例4的高频滤波器的电路结构图。
图8是表示实施例4的高频滤波器的滤波器特性的图。
图9是表示安装部件的电感器的配置的一个例子的图。
图10是表示安装部件的电感器的配置的另一个例子的图。
图11是实施例5的多路复用器(三路复用器)的电路结构图。
图12是实施例6的多路复用器(二路复用器)的电路结构图。
图13是实施方式2的通信装置的电路结构图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均示出概括性或者具体的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是对本发明进行限定的主旨。以下的实施方式中的构成要素中，未记载于独立权利要求的构成要素作为任意的构成要素进行说明。另外，在各图中，有对实质相同的结构标注相同的附图标记，并省略或者简化重复的说明的情况。另外，在以下的实施方式中，所谓的“连接”不仅包含直接连接的情况，也包含经由其它的元件等电连接的情况。
(实施方式1)
以下，使用实施例1～4，对实施方式1的高频滤波器的结构以及滤波器特性进行说明。在实施例1～4中，在各高频滤波器具备：弹性波谐振器；以及包含与弹性波谐振器的电容组成部分一起构成LC谐振电路的第一电感器的至少一个电感器，至少一个电感器包含安装部件的电感器的点共同。由电感器和弹性波谐振器的电容组成部分构成的LC谐振电路等被称为混合滤波器。以下，使用图1～图8，对实施例1～4进行说明。
[1.实施例1]
对实施例1的高频滤波器1的结构进行说明。
图1是实施例1的高频滤波器1的电路结构图。图1中示出的高频滤波器1具备电感器L11、L12及L13、电容器C11、串联臂谐振器S11和S12、并联臂谐振器P11和P12、以及输入输出端子91和92。在将输入输出端子91作为输入高频信号的输入端子的情况下，输入输出端子92为输出端子，在将输入输出端子92作为输入高频信号的输入端子的情况下，输入输出端子91为输出端子。
电感器L11是构成LC谐振电路11的一部分的第二电感器，设置在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上。电感器L11与输入输出端子91连接。电感器L12是设置在该路径上的第一电感器，与电感器L11连接。串联臂谐振器S11和S12是设置在该路径上的弹性波谐振器，串联臂谐振器S11与电感器L12连接，串联臂谐振器S12与串联臂谐振器S11以及输入输出端子92连接。电感器L11、电感器L12、串联臂谐振器S11、以及串联臂谐振器S12在该路径上串联连接。
电容器C11是与电感器L11并联连接的电容器。电容器C11与电感器L11一起作为LC谐振电路11构成LC并联谐振电路。
并联臂谐振器P11和P12是连接于在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上与电感器L12直接连接的节点与地线之间的弹性波谐振器。具体而言，并联臂谐振器P11与电感器L11和电感器L12之间的节点、以及地线连接，并联臂谐振器P12与电感器L12和串联臂谐振器S11之间的节点、以及地线连接。电感器L12与并联臂谐振器P11和P12的电容组成部分一起构成低通滤波器(LPF)12。此外，所谓的直接连接意味着在之间不经由其它的部件地连接。
电感器L13是连接于在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上与串联臂谐振器S11和S12直接连接的节点与地线之间的第一电感器。具体而言，电感器L13与串联臂谐振器S11和串联臂谐振器S12之间的节点、以及地线连接。电感器L13与串联臂谐振器S11和S12的电容组成部分一起构成高通滤波器(HPF)13。
像这样，电感器L12(第一电感器)与并联臂谐振器P11和P12(弹性波谐振器)的电容组成部分一起构成LPF12(LC谐振电路)，电感器L13(第一电感器)与串联臂谐振器S11和S12(弹性波谐振器)的电容组成部分一起构成HPF13(LC谐振电路)。另外，电感器L11(第二电感器)与电容器C11一起构成LC谐振电路11。
此外，构成LC谐振电路11的第二电感器的个数以及电容器的个数分别不限于1个，也可以是2个以上。另外，构成LPF12的第一电感器的个数(串联连接数)不限于1个，也可以为2个以上，弹性波谐振器的个数(并联连接数)并不限于2个，也可以为1个或者3个以上。另外，构成HPF13的第一电感器的个数(并联连接数)并不限于1个，也可以是2个以上，弹性波谐振器的个数(串联连接数)也可以是1个或者3个以上。另外，高频滤波器1具备1个LC谐振电路11，但也可以具备2个以上的LC谐振电路。
至少一个弹性波谐振器(在实施例1中，为串联臂谐振器S11和S12、以及并联臂谐振器P11和P12)是使用弹性波的谐振器，例如，是利用SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)的谐振器、利用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的谐振器、或FBAR(Film BulkAcoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)等。此外，SAW不仅包含表面波也包含边界波。在这里，将至少一个弹性波谐振器作为SAW谐振器。由此，由于能够由形成在具有压电性的基板上的IDT(InterDigital Transducer)电极构成高频滤波器1，所以能够实现具有陡度较高的通过特性的小型并且薄型的滤波电路。此外，具有压电性的基板是至少在表面具有压电性的基板。该基板例如也可以在表面具备压电薄膜，并由音速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等的层叠体构成。另外，该基板例如也可以是包含高音速支承基板、和形成在高音速支承基板上的压电薄膜的层叠体；包含高音速支承基板、形成在高音速支承基板上的低音速膜、以及形成在低音速膜上的压电薄膜的层叠体；或者包含支承基板、形成在支承基板上的高音速膜、形成在高音速膜上的低音速膜、以及形成在低音速膜上的压电薄膜的层叠体。此外，该基板也可以在基板整体具有压电性。对于在实施例2～4说明的弹性波谐振器也相同，所以在实施例2～4中省略说明。
接下来，对实施例1的高频滤波器1的滤波器特性进行说明。
图2是表示实施例1的高频滤波器1的滤波器特性的图。
由于串联臂谐振器S11和S12、以及并联臂谐振器P11和P12具有电容组成部分，所以通过电感器L12与并联臂谐振器P11和P12连接而构成LPF12，通过电感器L13与串联臂谐振器S11和S12连接而构成HPF13。
在高频滤波器1中，通过LPF12以及HPF13能够形成宽频带的通带。例如，通过将LPF12以及HPF13设计为LPF12的通带与HPF13的通带连续，能够形成1个宽频带的通带。另外，通过串联臂谐振器S11和S12、并联臂谐振器P11和P12、以及LC谐振电路11通过分别适当地调整设计参数，作为在各自的谐振频率或者反谐振频率中使通过特性局部衰减的陷波滤波器而动作。由此，串联臂谐振器S11和S12、并联臂谐振器P11和P12、以及LC谐振电路11使由LPF12以及HPF13形成的宽频带的通带的一部分局部衰减。通过使宽频带的通带的一部分衰减，例如，能够在比衰减后的频带靠低频侧和高频侧形成2个通带。此外，所谓的谐振频率是谐振器或者谐振电路的阻抗极小(理想上为0)的频率，所谓的反谐振频率是谐振器或者谐振电路的阻抗极大(理想上为无限大)的频率。
例如，在图2中的A部分中示出的衰减极(称为衰减极A)对应于串联臂谐振器S12的反谐振频率，在图2中的B部分中示出的衰减极(称为衰减极B)对应于串联臂谐振器S11的反谐振频率，在图2中的C部分中示出的衰减极(称为衰减极C)对应于并联臂谐振器P11的谐振频率，在图2中的D部分中示出的衰减极(称为衰减极D)对应于并联臂谐振器P12的谐振频率。另外，例如，在图2中的E部分中示出的衰减极(称为衰减极E)对应于LC谐振电路11的谐振频率。
如图2所示，由串联臂谐振器S11和S12的反谐振频率、以及并联臂谐振器P11和P12的谐振频率构成的衰减极A～D(第一衰减极)的频率、以及由LC谐振电路11的谐振频率构成的衰减极E(第二衰减极)的频率包含于高频滤波器1的一个阻带。由此，由于该一个阻带由衰减极A～D和衰减极E形成，所以通过LC谐振电路11的平缓的衰减极E能够扩宽该一个阻带。此外，所谓的一个阻带例如是插入损失为10dB以上的频带。具体而言，所谓的一个阻带是随着频率升高，而插入损失增大并成为10dB以上，之后插入损失变为10dB以下为止的频率的频带。例如，在随着频率升高，而插入损失变为10dB以上之后变为10dB以下，再次变为10dB以上之后变为10dB以下的情况下，存在2个阻带。
另外，衰减极A～D的频率位于比衰减极E的频率靠高频滤波器1的通带的附近。由于弹性波谐振器的衰减极的陡度较高，且衰减极A～D(特别是衰减极A)的频率位于高频滤波器1的通带的附近，所以通过陡峭的衰减极A～D，能够提高从高频滤波器1的通带形成到该一个阻带的衰减斜率的陡度。
在实施例1中，通过适当地调整串联臂谐振器S11和S12、并联臂谐振器P11和P12、电感器L11～L13、以及电容器C11的设计参数，高频滤波器1的通带成为从MLB(Middle LowBand：中低频带)遍及MB(Middle Band：中频带)的频带亦即1423－2200MHz。另外，高频滤波器1的阻带成为HB(High Band：高频带)的2300－2690MHz。
由此，能够实现具有为1423－2200MHz这样的宽频带并且高频侧的衰减斜率的陡度较高的通带、以及存在于比该通带靠高频侧且为2300－2690MHz这样的宽频带的阻带的高频滤波器。像这样，能够实现通带内的插入损失的减少，并能够实现阻带的宽频带化。
另外，电感器L11～L13中的至少一个电感器是安装部件的电感器。换句话说，也可以电感器L11～L13的全部是安装部件的电感器，也可以某一个电感器是安装部件的电感器。此外，优选高频滤波器1所具备的至少一个电感器中的过半数(一半以上)的电感器为安装部件的电感器。为了改善通过特性，特别优选构成在通带的附近形成衰减极的电路的电感器是安装部件的电感器。在以下的实施例中，也优选高频滤波器所具备的至少一个电感器中的过半数(一半以上)为安装部件的电感器。
所谓的上述安装部件是安装在构成高频滤波器1的基板上的部件。安装部件的电感器的Q值比基板内的由布线图案导体形成的电感器高。例如，安装部件的电感器的20GHz处的Q值为20以上。另外，安装部件的电感器例如是层叠型的电感器、绕线型的电感器或者通过薄膜工序形成的集成无源器件(IPD)。在以下的实施例中，安装部件的电感器的20GHz处的Q值例如为20以上，安装部件的电感器例如是层叠型的电感器、绕线型的电感器或者IPD。
在使用由电感器L12与并联臂谐振器P11和P12的电容组成部分、以及电感器L13与串联臂谐振器S11和S12的电容组成部分构成的LC谐振电路(LPF12以及HPF13)(所谓的混合滤波器)的高频滤波器1中，由于电感器L11～L13中的至少一个电感器包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器1的通过特性。另外，由于安装部件的电感器的电感值的偏差较小，所以能够减小滤波器特性的差别。
[2.实施例2]
对实施例2的高频滤波器2的结构进行说明。
图3是实施例2的高频滤波器2的电路结构图。图3所示的高频滤波器2具备电感器L21和L22、电容器C21、串联臂谐振器S21和S22、并联臂谐振器P21、以及输入输出端子91和92。
串联臂谐振器S21是设置在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上的弹性波谐振器。串联臂谐振器S21与输入输出端子91连接。串联臂谐振器S22是设置在该路径上的弹性波谐振器。串联臂谐振器S22与串联臂谐振器S21以及输入输出端子91连接。串联臂谐振器S21和串联臂谐振器S22在该路径上串联连接。
并联臂谐振器P21是连接于串联臂谐振器S21和串联臂谐振器S22之间的节点与地线之间的弹性波谐振器。串联臂谐振器S21和S22以及并联臂谐振器P21构成梯形电路，并构成带通滤波器(BPF)23。
电感器L21是构成LC谐振电路21的一部分的第一电感器，与串联臂谐振器S21和串联臂谐振器S22串联连接而成的电路并联连接。串联臂谐振器S21以及串联臂谐振器S22的电容组成部分与电感器L21一起作为LC谐振电路21构成LC并联谐振电路。
电感器L22是构成LC谐振电路22的一部分的第二电感器。电容器C21是与电感器L22串联连接的电容器。电容器C21和电感器L22串联连接而成的电路连接于连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径与地线之间。具体而言，该电路与串联臂谐振器S22和输入输出端子92之间的节点、以及地线连接。电容器C21与电感器L22一起作为LC谐振电路22构成LC串联谐振电路。
此外，构成LC谐振电路21的第一电感器的个数并不限于1个，也可以为2个以上。另外，构成LC谐振电路22的第二电感器的个数以及电容器的个数分别不限于1个，也可以为2个以上。
接下来，对实施例2的高频滤波器2的滤波器特性进行说明。
图4是表示实施例2的高频滤波器2的滤波器特性的图。
通过串联臂谐振器S21和S22、以及并联臂谐振器P21构成BPF23，能够形成插入损失减少的通带。具体而言，由串联臂谐振器S21和S22的谐振频率、以及并联臂谐振器P21的反谐振频率形成通带，由串联臂谐振器S21以及S22的反谐振频率形成通带的高频侧的衰减极，并由并联臂谐振器P21的谐振频率形成通带的低频侧的衰减极(第一衰减极)。另外，LC谐振电路21以及LC谐振电路22通过分别适当地调整设计参数，作为在各自的谐振频率中使通过特性衰减的陷波滤波器而动作。
例如，在图4中的A部分示出的衰减极(称为衰减极A)对应于LC谐振电路22的谐振频率，在图4中的B部分示出的衰减极(称为衰减极B)对应于LC谐振电路21的谐振频率。另外，在图4中的C部分示出的衰减极(称为衰减极C)对应于并联臂谐振器P21的谐振频率。
如图4所示，由并联臂谐振器P21的谐振频率构成的衰减极C(第一衰减极)的频率、以及由LC谐振电路21以及LC谐振电路22的谐振频率构成的衰减极A以及B(第二衰减极)的频率包含于高频滤波器2的一个阻带。由此，由于该一个阻带由衰减极A和B以及衰减极C形成，所以通过LC谐振电路21以及LC谐振电路22的平缓的衰减极A以及B能够扩宽该一个阻带。
另外，由于由并联臂谐振器P21的谐振频率形成有通带的低频侧的衰减极C，所以衰减极C的频率位于比衰减极A以及B的频率靠高频滤波器2的通带的附近。由于弹性波谐振器的衰减极的陡度较高，且衰减极C的频率位于高频滤波器2的通带的附近，所以通过陡峭的衰减极C，能够提高从高频滤波器2的通带形成到该一个阻带的衰减斜率的陡度。
在实施例2中，通过适当地调整串联臂谐振器S21和S22、并联臂谐振器P21、电感器L21和L22、以及电容器C21的设计参数，高频滤波器2的通带变为HB的2300－2690MHz。另外，高频滤波器2的阻带变为从MLB遍及MB的频带亦即1423－2200MHz。
由此，能够实现具有低频侧的衰减斜率的陡度较高的2300－2690MHz的通带、以及存在于比该通带靠低频侧为1423－2200MHz这样的宽频带的阻带的高频滤波器。像这样，能够实现通带内的插入损失的减少，并能够实现阻带的宽频带化。
另外，电感器L21和L22中的至少一个电感器是安装部件的电感器。换句话说，也可以电感器L21以及电感器L22全部为安装部件的电感器，也可以任意一个为安装部件的电感器。
在使用由电感器L21和串联臂谐振器S21以及S22的电容组成部分构成的LC谐振电路21(所谓的混合滤波器)的高频滤波器2中，由于电感器L21和L22中的至少一个电感器包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器2的通过特性。另外，由于安装部件的电感器的电感值的偏差较小，所以能够减小滤波器特性的差别。
[3.实施例3]
在实施例2中，BPF23为由串联连接数为2个的串联臂谐振器、以及并联连接数为1个的并联臂谐振器构成的梯形的滤波器结构，但并不限于此。例如，BPF也可以是由3个以上的串联臂谐振器和2个以上的并联臂谐振器构成的梯形的滤波器结构。实施例3在BPF为由3个串联臂谐振器和2个并联臂谐振器构成的梯形电路的点与实施例2不同。
图5是实施例3的高频滤波器3的电路结构图。图5所示的高频滤波器3具备电感器L31和L32、电容器C31、串联臂谐振器S31～S33、并联臂谐振器P31和P32、以及输入输出端子91和92。
串联臂谐振器S31是设置在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上的弹性波谐振器。串联臂谐振器S31与输入输出端子91连接。串联臂谐振器S33是设置在该路径上的弹性波谐振器。串联臂谐振器S33与输入输出端子92连接。串联臂谐振器S32是连接在串联臂谐振器S31与串联臂谐振器S33之间的弹性波谐振器。串联臂谐振器S31、串联臂谐振器S32以及串联臂谐振器S33在该路径上串联连接。
并联臂谐振器P31和P32是连接于串联臂谐振器S31与串联臂谐振器S33之间的节点、和地线之间的弹性波谐振器。具体而言，并联臂谐振器P31连接于串联臂谐振器S31与串联臂谐振器S32之间的节点、和地线之间，并联臂谐振器P32连接于串联臂谐振器S32与串联臂谐振器S33之间的节点、和地线之间。串联臂谐振器S31～S33以及并联臂谐振器P31和P32构成梯形电路，并构成带通滤波器(BPF)33。
电感器L31是构成LC谐振电路31的第一电感器，并与由串联臂谐振器S31、串联臂谐振器S32以及串联臂谐振器S33串联连接而成的电路并联连接。串联臂谐振器S31～S33的电容组成部分与电感器L31一起作为LC谐振电路31构成LC并联谐振电路。
电感器L32是构成LC谐振电路32的一部分的第二电感器。电容器C31是与电感器L32串联连接的电容器。由电容器C31和电感器L32串联连接而成的电路连接于在连结输入输出端子91和输入输出端子92的路径上与输入输出端子91或者92直接连接的节点、和地线之间。具体而言，该电路与串联臂谐振器S33与输入输出端子92之间的节点、和地线连接。电容器C31与电感器L32一起作为LC谐振电路32构成LC串联谐振电路。
此外，构成LC谐振电路31的第一电感器的个数并不限于1个，也可以为2个以上。另外，构成LC谐振电路32的第二电感器的个数以及电容器的个数分别不限于1个，也可以为2个以上。
接下来，对实施例3的高频滤波器3的滤波器特性进行说明。
图6是表示实施例3的高频滤波器3的滤波器特性的图。
由串联臂谐振器S31～S33以及并联臂谐振器P31和P32构成BPF33，能够形成插入损失减少的通带。具体而言，由串联臂谐振器S31～S33的谐振频率、以及并联臂谐振器P31和P32的反谐振频率形成通带，由串联臂谐振器S31～S33的反谐振频率形成通带的高频侧的衰减极，并由并联臂谐振器P31和P32的谐振频率形成通带的低频侧的衰减极(第一衰减极)。另外，LC谐振电路31以及LC谐振电路32通过分别适当地调整设计参数，作为在各自的谐振频率中使通过特性衰减的陷波滤波器而动作。
例如，在图6中的A部分示出的衰减极(称为衰减极A)对应于LC谐振电路32的谐振频率，在图6中的B部分示出的衰减极(称为衰减极B)对应于LC谐振电路31的谐振频率。另外，在图6中的C部分示出的衰减极(称为衰减极C)对应于并联臂谐振器P31和P32中的至少一个并联臂谐振器的谐振频率。
如图6所示，由并联臂谐振器P31和P32的谐振频率构成的衰减极C(第一衰减极)的频率、以及由LC谐振电路31和LC谐振电路32的谐振频率构成的衰减极A和B(第二衰减极)的频率包含于高频滤波器3的一个阻带。由此，由于该一个阻带由衰减极A和B以及衰减极C形成，所以，通过LC谐振电路31和LC谐振电路32的平缓的衰减极A和B能够扩宽该一个阻带。
另外，由于由并联臂谐振器P31和P32的谐振频率形成有通带的低频侧的衰减极C，所以衰减极C的频率位于比衰减极A和B的频率靠高频滤波器3的通带的附近。由于弹性波谐振器的衰减极的陡度较高，且衰减极C的频率位于高频滤波器3的通带的附近，所以通过陡峭的衰减极C，能够提高从高频滤波器3的通带形成到该一个阻带的衰减斜率的陡度。
在实施例3中，通过适当地调整串联臂谐振器S31～S33、并联臂谐振器P31和P32、电感器L31和L32、以及电容器C31的设计参数，高频滤波器3的通带变为HB2(LTE(Long TermEvolution：长期演进)的Band41)的2496－2690MHz。另外，高频滤波器3的阻带变为从MLB遍及HB1(LTE的Band40)的频带亦即1423－2400MHz。此外，HB1为2300－2400MHz。
由此，能够实现具有低频侧的衰减斜率的陡度较高的2496－2690MHz的通带、以及存在于比该通带靠低频侧并为1423－2400MHz这样的宽频带的阻带的高频滤波器。像这样，能够实现通带内的插入损失的减少，并能够实现阻带的宽频带化。
另外，电感器L31和L32中的至少一个电感器是安装部件的电感器。换句话说，也可以电感器L31和L32全部为安装部件的电感器，也可以任意一个为安装部件的电感器。
在使用由电感器L31和串联臂谐振器S31～S33的电容组成部分构成的LC谐振电路31(所谓的混合滤波器)的高频滤波器3中，由于电感器L31和L32的至少一个电感器包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器3的通过特性。另外，由于安装部件的电感器的电感值的偏差较小，所以能够减小滤波器特性的差别。
[4.实施例4]
在实施例3中，高频滤波器3具备LC谐振电路32，但也可以不具备。实施例4在高频滤波器不具备LC谐振电路32的点与实施例3不同。另外，在包含与高频滤波器串联连接的至少2个电感器的点与实施例3不同。
图7是实施例4的高频滤波器4的电路结构图。
由于实施例4中的串联臂谐振器S41～S43、并联臂谐振器P41和P42、LC谐振电路41、以及BPF42对应于实施例3中的串联臂谐振器S31～S33、并联臂谐振器P31和P32、LC谐振电路31、以及BPF33，所以省略它们的说明。
电感器L41和L42是构成LC谐振电路41的第一电感器，电感器L41和电感器L42串联连接而成的电路与由串联臂谐振器S41、串联臂谐振器S42以及串联臂谐振器S43串联连接而成的电路并联连接。串联臂谐振器S41～S43的电容组成部分与电感器L41和L42一起作为LC谐振电路41构成LC并联谐振电路。
接下来，对实施例4的高频滤波器4的滤波器特性进行说明。
图8是表示实施例4的高频滤波器4的滤波器特性的图。
通过串联臂谐振器S41～S43以及并联臂谐振器P41和P42构成BPF42，并能够形成插入损失减少的通带。具体而言，由串联臂谐振器S41～S43的谐振频率、以及并联臂谐振器P41和P42的反谐振频率形成通带，由串联臂谐振器S41～S43的反谐振频率形成通带的高频侧的衰减极，并由并联臂谐振器P41和P42的谐振频率形成通带的低频侧的衰减极(第一衰减极)。另外，LC谐振电路41通过适当地调整设计参数，作为在谐振频率中使通过特性衰减的陷波滤波器而动作。
例如，在图8中的A部分示出的衰减极(称为衰减极A)对应于LC谐振电路41的谐振频率。另外，在图8中的B部分示出的衰减极(称为衰减极B)对应于并联臂谐振器P41和P42中的至少一个谐振频率。另外，在图8中的C部分示出的衰减极(称为衰减极C)对应于串联臂谐振器S41～S43中的至少一个反谐振频率。
如图8所示，由并联臂谐振器P41和P42的谐振频率构成的衰减极B(第一衰减极)的频率、以及由LC谐振电路41的谐振频率构成的衰减极A(第二衰减极)的频率包含于高频滤波器4的一个阻带。由此，由于该一个阻带由衰减极A和衰减极B形成，所以通过LC谐振电路41的平缓的衰减极A能够扩宽该一个阻带。另外，由串联臂谐振器S41～S43的反谐振频率构成衰减极C。
另外，由于由并联臂谐振器P41和P42的谐振频率形成通带的低频侧的衰减极B，所以衰减极B的频率位于比衰减极A的频率靠高频滤波器4的通带的附近。由于弹性波谐振器的衰减极的陡度较高，且衰减极B的频率位于高频滤波器4的通带的附近，所以通过陡峭的衰减极B，能够提高从高频滤波器4的通带形成到该一个阻带的衰减斜率的陡度。
在实施例4中，通过适当地调整串联臂谐振器S41～S43、并联臂谐振器P41和P42、以及电感器L41和L42的设计参数，高频滤波器4的通带变为HB1的2300－2400MHz。另外，高频滤波器4的一个阻带变为从MLB遍及MB的频带亦即1423－2200MHz。另外，高频滤波器4的另一个阻带变为HB2亦即2496－2690MHz。
由此，能够实现具有低频侧的衰减斜率的陡度较高的2300－2400MHz的通带、以及存在于比该通带靠低频侧为1423－2200MHz这样的宽频带的阻带的高频滤波器。像这样，能够实现通带内的插入损失的减少，并能够实现阻带的宽频带化。
另外，电感器L41和L42是安装部件的电感器。由于在使用由电感器L41和L42、以及串联臂谐振器S41～S43的电容组成部分构成的LC谐振电路41(所谓的混合滤波器)的高频滤波器4中，电感器L41和L42包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器4的通过特性。另外，由于安装部件的电感器的电感值的偏差较小，所以能够减小滤波器特性的差别。此外，对于将实施例3中的电感器L31在实施例4中分为串联连接的2个电感器L41和L42所起到的效果后述。
[5.安装部件的电感器的配置例]
接下来，使用图9以及图10，对安装部件的电感器的配置例进行说明。
图9是表示安装部件的电感器的配置的一个例子的图。图10是表示安装部件的电感器的配置的另一个例子的图。
在构成高频滤波器的基板200上，安装弹性波谐振器、电感器以及电容器等，但在图9以及图10中，仅示出安装有它们中的安装部件的电感器的部分的周边。作为安装部件的电感器，示出电感器La～Ld，但将设置于每一个的内部的绕组以外的位置设为透明，并用虚线表示电感器La～Ld的外形。另外，示意性地用箭头表示由电感器La产生的磁通Ma、由电感器Lb产生的磁通Mb、由电感器Lc产生的磁通Mc、以及由电感器Ld产生的磁通Md。
如图9以及图10所示，安装部件的电感器La～Ld的磁通Ma～Md的方向是与安装安装部件的电感器La～Ld的基板200的主面平行的方向。在基板200的剖面视时，通过布线以描绘四边形(也可以是圆)的方式旋转来形成绕组，并以贯通该绕组的中心的方式，在与基板200的主面平行的方向上产生磁通Ma～Md。
由于在基板200上，在与基板200的主面平行的方向上设置有地线实心图案(未图示)，所以在磁通Ma～Md的方向与该主面正交的方向的情况下，在该地线实心图案上产生涡流而电感器La～Ld的Q值劣化。与此相对，由于磁通Ma～Md的磁通的方向是与该主面平行的方向，所以能够抑制安装部件的电感器La～Ld的Q值的劣化。
另外，也可以在高频滤波器所具备的至少一个电感器中，包含多个安装部件的电感器，并在多个安装部件的电感器中，包含有磁通的方向相互不同的至少2个电感器。在图9中，作为磁通的方向相互不同的至少2个电感器示出电感器La以及Lb。在图9中，电感器La的磁通Ma的方向与电感器Lb的磁通Mb的方向正交。例如，实施例1的电感器L12和L13、实施例2的L21和L22、实施例3的L31和L32的配置为图9所示的电感器La以及Lb的配置。由此，由于安装部件的电感器彼此未电磁耦合，所以能够抑制由安装部件的电感器彼此的相互作用引起的滤波器特性的差别。
另外，也可以在多个安装部件的电感器中，包含串联连接的至少2个电感器，且该至少2个电感器的每一个的磁通的方向相互为相同的方向，且电磁耦合。在图10中，作为该至少2个电感器，示出电感器Lc以及Ld。如图10所示，电感器Lc的磁通Mc的方向与电感器Ld的磁通Md的方向为相同的方向，且磁通Mc以及Md在同一直线上产生，从而电感器Lc以及Ld电磁耦合。例如，实施例4的电感器L41和L42的配置为图10所示的电感器Lc以及Ld的配置。
由此，在将电感器Lc以及Ld串联连接的情况下，通过使每一个的磁通的方向一致，可获得更大的电感值。换句话说，即使在各电感器的电感值的和不满足所希望的电感值的情况下，通过使各电感器电磁耦合能够获得所希望的电感值。例如，在所希望的电感值为40nH的情况下，即便电感器Lc以及Ld的电感值分别为15nH，但通过使电感器Lc以及Ld电磁耦合，也能够获得40nH。另外，由于通常对于一个安装部件的电感器来说，电感值越小Q值越大，所以通过使电感值较小的电感器电磁耦合并且串联连接，能够获得所希望的电感值，并增大Q值。例如，由于通过使电感器Lc以及Ld电磁耦合，能够将电感器Lc以及Ld的电感值分别从20nH减小到15nH，所以能够增大电感器Lc以及Ld的Q值。
[6.实施例5以及6]
近年来，为了应对载波聚合(CA)，广泛使用按频带分离高频信号(分波)的分波器。作为这样的分波器，提出了包含多个滤波器的多路复用器。在这样的多路复用器中，各滤波器的一端的端子直接连接、或者经由相位器或滤波器选择开关被共用端子化。由此，一端的端子被共用端子化的各滤波器中的一个滤波器的通过特性受到其它滤波器的特性影响而通过特性可能劣化。
与此相对，在实施例1～4中说明的使用混合滤波器的高频滤波器由于高频滤波器所具备的至少一个电感器包含Q值较大的安装部件的电感器，所以能够改善高频滤波器的通过特性。另外，在实施例1～4中说明的高频滤波器的从通带形成到一个阻带的衰减斜率的陡度较高，而且，实现该一个阻带的宽频带化。因此，通过将实施例1～4的高频滤波器应用于多路复用器所具备的上述一个滤波器，在多路复用器中，能够改善滤波器特性。
因此，在实施例5以及6中，对具备包含至少一个在实施例1～4中说明的高频滤波器的多个滤波器，且多个滤波器的输入端子或者输出端子与共用端子直接或者间接地连接的多路复用器进行说明。该多路复用器例如，在有2个该多个滤波器的情况下为二路复用器，在为3个情况下为三路复用器，在为4个情况下为四工器。此外，该多个滤波器也可以为5个以上。在实施例5中，对该多个滤波器为3个滤波器的多路复用器(三路复用器)进行说明，在实施例6中，对该多个滤波器为2个滤波器的多路复用器(二路复用器)进行说明。
图11是实施例5的多路复用器(三路复用器)101的电路结构图。多路复用器101具备实施例1的高频滤波器1、实施例3的高频滤波器3、以及实施例4的高频滤波器4，各高频滤波器所具备的输入输出端子91与共用端子93连接。
如图2所示，高频滤波器1具有HB亦即2300－2690MHz这样的宽频带的阻带。另一方面，如图6所示，高频滤波器3具有包含于HB的HB2亦即2496－2690MHz这样的通带，如图8所示，高频滤波器4具有包含于HB的HB1亦即2300－2400MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器3以及4的通带包含于高频滤波器1的阻带，所以高频滤波器3以及4难以受到高频滤波器1的影响，而能够抑制高频滤波器3以及4的通带中的通过特性的劣化。
如图6以及图8所示，高频滤波器3以及4具有从MLB遍及MB的频带亦即1427－2200MHz这样的宽频带的阻带。另一方面，如图2所示，高频滤波器1具有从MLB遍及MB的频带亦即1427－2200MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器1的通带与高频滤波器3以及4的阻带重叠，所以高频滤波器1难以受到高频滤波器3以及4的影响，而能够抑制高频滤波器1的通带中的通过特性的劣化。
另外，如图6所示，高频滤波器3具有HB1亦即2300－2400MHz这样的阻带。另一方面，如图8所示，高频滤波器4具有HB1亦即2300－2400MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器4的通带与高频滤波器3的阻带重叠，所以高频滤波器4难以受到高频滤波器3的影响，而能够抑制高频滤波器4的通带中的通过特性的劣化。
另外，如图8所示，高频滤波器4具有HB2亦即2496－2690MHz这样的阻带。另一方面，如图6所示，高频滤波器3具有HB2亦即2496－2690MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器3的通带与高频滤波器4的阻带重叠，所以高频滤波器3难以受到高频滤波器4的影响，并能够抑制高频滤波器3的通带中的通过特性的劣化。
进一步，虽然高频滤波器1所具有的通带的高频侧的频率与高频滤波器4所具有的通带的低频侧的频率较近，但由于高频滤波器1所具有的通带的高频侧的衰减斜率的陡度较高，且高频滤波器4所具有的通带的低频侧的陡度较高，所以各自的通带相互难以受到影响，而能够抑制高频滤波器1以及4的各自的通带中的通过特性的劣化。
另外，虽然高频滤波器4所具有的通带的高频侧的频率与高频滤波器3所具有的通带的低频侧的频率较近，但由于高频滤波器4所具有的通带的高频侧的衰减斜率的陡度较高，且高频滤波器3所具有的通带的低频侧的陡度较高，所以各自的通带相互难以受到影响，而能够抑制高频滤波器3以及4的各自的通带中的通过特性的劣化。
另外，由于电感器L11～L13中的至少一个电感器、电感器L31和L32中的至少一个电感器、以及电感器L41是安装部件的电感器，所以能够改善从MLB遍及MB的频带、HB1以及HB2中的通过特性。
此外，多路复用器101也可以除了高频滤波器1、3以及4以外，还具备与共用端子93连接的LPF。该LPF的通带例如为LB亦即600－960MHz。在该情况下，多路复用器101具备4个滤波器，该4个滤波器包含将600MHz至960MHz设为通带的滤波器、将1427MHz至2200MHz设为通带的滤波器、将2300MHz至2400MHz设为通带的滤波器、以及将2496MHz至2690MHz设为通带的滤波器。
像这样构成的多路复用器101能够应对同时收发与多个滤波器的每一个对应的多个频带的信号的、所谓的CA。
图12是实施例6的多路复用器(二路复用器)102的电路结构图。多路复用器102具备实施例1的高频滤波器1、以及实施例2的高频滤波器2，各高频滤波器所具备的输入输出端子91与共用端子93连接。
如图2所示，高频滤波器1具有HB亦即2300－2690MHz这样的宽频带的阻带。另一方面，如图4所示，高频滤波器2具有HB亦即2300－2690MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器2的通带与高频滤波器1的阻带重叠，所以高频滤波器2难以受到高频滤波器1的影响，而能够抑制高频滤波器2的通带中的通过特性的劣化。
如图4所示，高频滤波器2具有从MLB遍及MB的频带亦即1427－2200MHz这样的宽频带的阻带。另一方面，如图2所示，高频滤波器1具有从MLB遍及MB的频带亦即1427－2200MHz这样的通带。因此，由于高频滤波器1的通带与高频滤波器2的阻带重叠，所以高频滤波器1难以受到高频滤波器2的影响，而能够抑制高频滤波器1的通带中的通过特性的劣化。
进一步，虽然高频滤波器1所具有的通带的高频侧的频率与高频滤波器2所具有的通带的低频侧的频率较近，但由于高频滤波器1所具有的通带的高频侧的衰减斜率的陡度较高，且高频滤波器2所具有的通带的低频侧的陡度较高，所以各自的通带相互难以受到影响，而能够抑制高频滤波器1以及2的各自的通带中的通过特性的劣化。
另外，由于电感器L11～L13中的至少一个电感器、以及电感器L21和L22中的至少一个电感器是安装部件的电感器，所以能够改善从MLB遍及MB的频带以及HB中的通过特性。
此外，多路复用器102也可以除了高频滤波器1以及2以外，还具备与共用端子93连接的LPF。该LPF的通带例如是LB亦即600－960MHz。在该情况下，多路复用器102具备3个滤波器，该3个滤波器包含将600MHz至960MHz设为通带的滤波器、将从1427MHz至2200MHz设为通带的滤波器、以及将2300MHz至2690MHz设为通带的滤波器。
像这样构成的多路复用器102能够应对同时收发与多个滤波器的每一个对应的多个频带的信号的、所谓的CA。
(实施方式2)
在实施方式1的实施例中说明的高频滤波器也能够应用于高频前端电路以及通信装置。因此，在实施方式2中，对高频前端电路以及通信装置进行说明。
图13是实施方式2的通信装置150的电路结构图。
如图13所示，通信装置150具备高频前端电路130、以及RF信号处理电路(RFIC)140。此外，在图13中，示出天线元件ANT。天线元件ANT收发高频信号，例如是依据LTE等的通信标准的多频带兼容的天线。天线元件ANT也可以内置于通信装置150。
高频前端电路130是在天线元件ANT与RFIC140之间传递高频信号的电路。具体而言，高频前端电路130将由天线元件ANT接收到的高频信号(在这里为高频接收信号)经由接收侧信号路径传递至RFIC140。
高频前端电路130具备多路复用器101、开关111～116、放大电路121～123、以及带通滤波器(BPF)161～168。BPF161和BPF162、以及BPF163和BPF164分别构成双工器。如在实施例5中说明的那样，多路复用器101例如对应于CA。此外，高频前端电路130所具备的多路复用器并不限于多路复用器101，也可以是由包含至少一个实施例1～4的高频滤波器的多个滤波器构成的多路复用器。
开关111～113连接在多路复用器101与BPF161～168之间，根据来自控制部(未图示)的控制信号，连接与频带相互不同的多个频带(这里，为从MLB遍及MB的频带，HB1以及HB2)对应的信号路径和BPF161～168。
具体而言，开关111的共用端子与高频滤波器1连接，各选择端子与BPF161～164连接。开关112的共用端子与高频滤波器4连接，各选择端子与BPF165以及166连接。开关113的共用端子与高频滤波器3连接，各选择端子与BPF167以及168连接。
开关114～116连接在放大电路121～123与BPF161～168之间，根据来自控制部(未图示)的控制信号，连接BPF161～168和放大电路121～123。
具体而言，开关114的共用端子与放大电路121连接，各选择端子与BPF161～164连接。开关115的共用端子与放大电路122连接，各选择端子与BPF165以及166连接。开关113的共用端子与放大电路123连接，各选择端子与BPF167以及168连接。
此外，高频滤波器1的通带(1427－2200MHz)比BPF161～164的各通带宽，包含有该各通带。高频滤波器4的通带(2300－2400MHz)包含有BPF165以及166的各通带。高频滤波器3的通带(2496MHz－2690MHz)包含有BPF167以及168的各通带。
放大电路121～123例如是经由开关111～116以及BPF161～168与多路复用器101连接，并对由天线元件ANT接收到的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。
RFIC140是对由天线元件ANT收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体而言，RFIC140通过下变频等对从天线元件ANT经由高频前端电路130的接收侧信号路径输入的高频信号(在这里为高频接收信号)进行信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出至基带信号处理电路(未图示)。
在具有上述结构的通信装置150中，例如，通过切换开关111～113，从MLB遍及MB的频带(1427－2200MHz)、HB1(2300－2400MHz)以及HB2(2496MHz－2690MHz)中分别选择1个频带，而能够进行CA动作。
此外，高频前端电路130可以具有发送侧信号路径，也可以将从RFIC140输出的高频信号(在这里为高频发送信号)经由发送侧信号路径传递至天线元件ANT。在该情况下，RFIC140可以通过上变频等对从基带信号处理电路输入的发送信号进行信号处理，并将通过该信号处理生成的高频信号(在这里为高频发送信号)输出至高频前端电路130的发送侧信号路径，放大电路121～123也可以是对从RFIC140输出的高频发送信号进行功率放大的功率放大器。
在图13中未图示出上述控制部，但也可以RFIC140具有上述控制部，也可以与控制部所控制的开关一起构成开关IC。
根据如以上那样构成的高频前端电路130以及通信装置150，通过具备实施方式1的实施例的滤波器，能够实现可改善滤波器特性的高频前端电路以及通信装置。
(其他实施方式)
以上，举出实施方式1以及实施方式2，对本发明的高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。对上述实施方式中的任意的构成要素组合而实现的其它的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而获得的变形例、内置有本发明的高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在由弹性波谐振器、电感器以及电容器构成的混合滤波器中，通过弹性波谐振器和电容器并联连接，能够使通带变窄，并能够提高从通带形成到阻带的衰减斜率的陡度。另外，在由弹性波谐振器、电感器以及电容器构成的混合滤波器中，通过弹性波谐振器和电容器串联或者并联连接，电容器的Q值比弹性波谐振器高，所以能够改善滤波器的插入损失，另外，也能够改善形变特性。
另外，例如，高频滤波器至少具备弹性波谐振器、以及第一电感器即可。例如，在实施例1中，高频滤波器1也可以不具备LC谐振电路11，另外，也可以具备LPF12以及HPF13的任意一个。例如，在实施例2中，高频滤波器2也可以不具备LC谐振电路22，在实施例3中，高频滤波器3也可以不具备LC谐振电路32。
另外，例如，在上述实施例1～4中，由至少一个弹性波谐振器的谐振频率或者反谐振频率构成的第一衰减极的频率以及由LC谐振电路的谐振频率构成的第二衰减极的频率包含于高频滤波器的一个阻带，但也可以不包含。例如，通带也可以位于第一衰减极与第二衰减极之间。
另外，例如，上述说明的弹性波谐振器的每一个并不限于1个谐振器，也可以由将1个谐振器分割而成的多个分割谐振器构成。
另外，例如，在高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置中，在各构成要素之间，也可以连接电感器、电容器。此外，在电感器中，也可以包含由连接在各构成要素间的布线构成的布线电感器。
另外，例如，在实施例5以及实施例6中，多路复用器具备多个实施例1～4的高频滤波器，但也可以具备实施例1～4的高频滤波器中的至少一个高频滤波器。另外，例如，在构成多路复用器的多个滤波器中，也可以包含不具备混合滤波器的滤波器。
另外，例如，在实施方式2中，高频前端电路130也可以不具备开关111～113以及放大电路121～123双方，也可以具备任意一方。
另外，在上述实施方式中说明的多路复用器在对所输入的高频信号进行分波时使用，但也可以在合波时使用。
本发明作为能够应用于多频带系统的高频滤波器、多路复用器、前端电路以及通信装置，能够广泛利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
1、2、3、4…高频滤波器；11、21、22、31、32、41…LC谐振电路；12…低通滤波器(LPF)；13…高通滤波器(HPF)；23、33、42、161、162、163、164、165、166、167、168…带通滤波器(BPF)；91、92…输入输出端子；93…共用端子；101…多路复用器(三路复用器)；102…多路复用器(二路复用器)；111、112、113、114、115、116…开关；121、122、123…放大电路；130…高频前端电路；140…RF信号处理电路(RFIC)；150…通信装置；200…基板；ANT…天线元件；C11、C21、C31…电容器；L12、L13、L21、L31、L41、L42…电感器(第一电感器)；L11、L22、L32…电感器(第二电感器)；La、Lb、Lc、Ld…电感器；Ma、Mb、Mc、Md…磁通；P11、P12、P21、P31、P32、P41、P42…并联臂谐振器(弹性波谐振器)；S11、S12、S21、S22、S31、S32、S33、S41、S42、S43…串联臂谐振器(弹性波谐振器)。

Claims (13)

1.一种高频滤波器，具备：
弹性波谐振器；
作为安装部件的第一电感器；
作为安装部件的第二电感器，
上述弹性波谐振器的电容组成部分与上述第一电感器和上述第二电感器一起、或者与上述第一电感器和上述第二电感器和电容器一起构成混合滤波器的LC谐振电路，
上述第一电感器和上述第二电感器串联连接且配置在能够电磁耦合的位置以作为一个电感器发挥功能。
2.根据权利要求1所述的高频滤波器，其中，
通过构成上述第一电感器的绕线的中心的轴和通过构成上述第二电感器的绕线的中心的轴一致。
3.根据权利要求1或者2所述的高频滤波器，其中，
由上述弹性波谐振器形成的第一衰减极的频率、以及由上述第一电感器和上述第二电感器形成的第二衰减极的频率被包含于上述高频滤波器的一个阻带，
上述第一衰减极的频率位于比上述第二衰减极的频率靠上述高频滤波器的通带的附近。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频滤波器，其中，
上述安装部件的电感器的2GHz下的Q值为20以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频滤波器，其中，
上述第一电感器和上述第二电感器是层叠型的电感器、绕线型的电感器或者集成无源器件。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频滤波器，其中，
上述第一电感器或者上述第二电感器的磁通的方向是与安装上述安装部件的电感器的基板的主面平行的方向。
7.根据权利要求1所述的高频滤波器，其中，
上述第一电感器和上述第二电感器各自的磁通的方向相互为相同的方向。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的高频滤波器，其中，
上述混合滤波器为高通滤波器或者低通滤波器。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频滤波器，其中，
上述弹性波谐振器是构成梯形电路的串联臂谐振器，
上述弹性波谐振器与上述第一电感器和上述第二电感器并联连接。
10.一种多路复用器，其中，
具备包含至少一个权利要求1～9中任一项所述的高频滤波器的多个滤波器，
上述多个滤波器的输入端子或者输出端子与共用端子直接或者间接地连接。
11.一种高频前端电路，具备：
权利要求10所述的多路复用器；以及
开关，与上述多路复用器直接或者间接地连接。
12.一种高频前端电路，具备：
权利要求10所述的多路复用器；以及
放大电路，与上述多路复用器直接或者间接地连接。
13.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对通过天线元件收发的高频信号进行处理；以及
权利要求11或12所述的高频前端电路，在上述天线元件和上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号。
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