CN110981197A - 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 - Google Patents
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110981197A CN110981197A CN201911322935.0A CN201911322935A CN110981197A CN 110981197 A CN110981197 A CN 110981197A CN 201911322935 A CN201911322935 A CN 201911322935A CN 110981197 A CN110981197 A CN 110981197A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- dry
- brick
- glaze
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/001—Applying decorations on shaped articles, e.g. by painting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/04—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for coating or applying engobing layers
- B28B11/044—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for coating or applying engobing layers with glaze or engobe or enamel or varnish
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
- B28B11/243—Setting, e.g. drying, dehydrating or firing ceramic articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖,所述制备方法包括:制备砖坯;第一次干燥;布施面釉;喷墨印花;布施干粒保护釉;第二次干燥;烧制成型;所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;通过控制生产过程参数以及合适的成分及配比的干粒及干粒保护釉,制备性能优良的抛晶砖;本发明能够适用于现有生产设备,无需改造生产线;采用的淋釉工艺,釉层更加均匀,采用钟罩淋釉,调节釉量更加方便,易于回收;所需釉层更薄,仅为干法干粒用量的五分之一,用量更低,烧成周期更短,不仅降低了生产成本低,而且提高了生产效率;同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少,发色更为细腻丰富。
Description
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷砖的技术领域,特别涉及一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖。
背景技术
抛晶砖最大的优点就在于它和其他的抛釉砖相比,有着较强的理化性能。耐磨耐压、耐酸碱以及防滑性都很好,同时由于其高温下烧成玻璃态成分较高,使其具有较高的光泽度,发色细腻,立体感强,展现出晶莹剔透的装饰效果,深受消费者的喜爱。
但目前生产抛晶砖采用的干法一次烧成工艺,(1)由于该工艺采用粗细干粒熔块搭配,为了使干粒表面的干粒能够最大程度的熔平需要,需要在砖面堆积2~5公斤/㎡厚的干粒,才能够在抛光工序将釉面抛平,同时需要在布施完干粒熔块后喷一层保护釉固定干粒层,生产较为复杂;较厚的干粒层使得面釉层和砖坯产生的气泡不容易快速排出,容易出现气泡、针孔、凹釉等缺陷。(2)布施干粒需要在釉线新增干粒布料机等一套设备,需要较大的投入。(3)该工艺由于粗干粒熔块成分较高,为了使釉面尽可能的熔平,烧成温度较高,烧成周期较长,影响生产效率。
可见,现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖,旨在简化现有生产工艺,提高生产效率,降低生产成本。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:制备砖坯;第一次干燥;布施面釉;喷墨印花;布施干粒保护釉;第二次干燥;烧制成型。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中,所述砖坯的粉料颗粒级配为20~100目,粉料的水分控制在6.7%~7.2%;第一次干燥的干燥温度为150~175℃,干燥周期为60~75min。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中,在第一次干燥之后,布施面釉之前还包括在砖坯上喷水,喷水量为70~90g/m2;控制砖坯温度为80~115℃。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中,所述面釉的布施量为459~505g/m2;采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1050~1190g/m2。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中,所述第二次干燥中,干燥窑的温度为160~180℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为50~65℃。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中,所述烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为75~85min。
一种湿法干粒抛晶砖,由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得;所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉由干粒、高岭土、悬浮剂和水组成,按重量比计算,由如下成分组成:干粒80~120份、高岭土1.9~2.5份、悬浮剂29~35份、水10~14份;所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷。
所述的湿法干粒抛晶砖中,所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅40~45份、氧化铝11~16份、氧化钙15~20份、氧化镁10~15份、氧化钾5.5~5.9份、氧化锌4~8份、氧化钡3~4份、三氧化二铋0.05~0.2份、五氧化二钒0.3~0.5份。
所述的湿法干粒抛晶砖中,所述干粒的粒径为90~100目,高岭土的粒径为100~120目。
所述的湿法干粒抛晶砖中,所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45~56份、氧化铝10~15份、氧化钙5~9份、氧化钡3~7份、氧化锌10~13份、氧化钠1~3份、氧化钾2~6份、氧化镁1~3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆20~27份、三聚磷酸钠0.2~0.3份、羧甲基纤维素钠0.1~0.2份、水36~42份。
有益效果:
(1)相对于现有的一次干法干粒抛工艺,本制备方法能够适用于现有生产设备,无需改造生产线。
(2)采用钟罩淋釉工艺,使调节施釉量更加方便,剩余釉料易于回收;淋釉更为均匀。
(3)所述制备方法由于釉层较薄,干粒较细,相比干法抛晶砖工艺烧成温度更低,烧成周期更短;较薄的釉层有利于面釉层和砖坯的气泡快速排出,避免砖面出现气泡、针孔、凹陷等缺陷,提高成品的防污能力。
(4)由于胶水悬浮剂与细干粒混合,釉料流动性好,比干法能够布施的比较均匀,同时布施干粒釉仅需1公斤/㎡左右,用量少,降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明提供的一种湿法干粒抛晶砖的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并列举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:制备砖坯;第一次干燥;布施面釉;喷墨印花;布施干粒保护釉;第二次干燥;烧制成型。一次烧湿法干粒抛晶砖的制备工艺简单,使砖坯完全玻化;釉与砖坯同时成熟,有利于砖坯与釉的中间层形成,增加产品的强度;热损失少;相对于现有的一次干法干粒抛工艺,所述制备方法能够适用于现有的生产设备,无需增加或改进生产线,可降低生产成本,制得的成品发色色域广,色彩清晰,吸水率低。
进一步的,所述砖坯的粉料颗粒级配为20~100目,防止砖坯在烧制过程中收缩,影响砖的整体品相;粉料的水分控制在6.7~7.2份;第一次干燥的干燥温度为150~175℃,干燥周期为60~75min;严格控制砖坯的水分,保证砖坯的强度,便于输送,使砖坯不容易出现分层。
进一步的,在第一次干燥之后,布施面釉之前还包括在砖坯上喷水;所述喷水量为70~90g/m2;控制喷水量在上述范围,有利于提高砖坯与面釉的结合能力,减少生产缺陷,同时保证面釉效果不易起粉;控制砖坯温度为80~115℃;上述砖坯温度,有利于打开砖坯砖面上的毛细孔,提高吸水率,有利于面釉的渗入,加快施釉的速度且吸釉均匀,釉面平滑。
进一步的,所述面釉的布施量为459~505g/m2;采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,使施釉效果均匀性更好,保证干粒保护釉的流平性;其布施量为1050~1190g/m2,所述布施量合适,使干粒保护釉层的厚度适中,保证干粒釉能够最大程度的熔平,不会出现缩釉,缺釉现象,在保证效果的同时减少物料的损耗。
进一步的,所述第二次干燥中,干燥窑的温度为160~180℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为50~65℃;使水分挥发,排除自由水,有利于悬浮剂固化,提高干粒釉层的致密度,排除干粒釉层缝隙的空气,降低釉面的毛孔,溶洞等缺陷。
进一步的,所述烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为75~85min;温度过高,瓷砖容易变形,保护釉容易起泡或流釉,影响瓷砖的品相;温度过低,瓷砖的瓷化效果不完全,降低成品的强度;上述烧制温度和烧成时间保证了成品具有足够的机械强度以及较低的吸水率。
请参阅图1,一种湿法干粒抛晶砖,由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得;所述抛晶砖从下至上依次为:砖坯层1、面釉层2、印花层3、干粒保护釉层4;所述干粒保护釉层4由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒80~120份、高岭土1.9~2.5份、悬浮剂29~35份、水10~14份;所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷;聚甲基硅氧烷可增加釉浆体系的悬浮能力,添加高岭土起到进一步提高釉浆体系的悬浮能力,防止釉浆沉淀,同时聚甲基硅氧烷在干燥后具有较强的粘附能力,能够将干粒固定在面釉层上,同时在高温下升华,不会对干粒釉料烧成有影响;上述成分及配比下的干粒保护釉的粘度、分散性、流动性等最为合适,使干粒保护釉能够均匀布施,用量少,使烧制成型后的保护釉层薄;平整度高、光泽度好;表面气泡、针孔、凹陷等缺陷少。
进一步的,所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅40~45份、氧化铝11~16份、氧化钙15~20份、氧化镁10~15份、氧化钾5.5~5.9份、氧化锌4~8份、氧化钡3~4份、三氧化二铋0.05~0.2份、五氧化二钒0.3~0.5份。通过上述成分及配比,使干粒的熔融范围宽、粘度合适,有利于提高干粒保护釉的流动性、釉面光泽度,促进保护釉与砖坯的中间层形成,使瓷砖的强度更高。
进一步的,所述干粒的粒径为90~100目;干粒的粒径影响干粒保护釉的流动性,熔融的温度以及熔融后的流平性,进而影响砖面的平整度。粒径过小,干粒保护釉的流动性过大,容易出现流釉,增加施釉的难度;粒径过大,干粒保护釉的流动性差,干粒容易堆积,导致釉浆不能均匀布施,影响熔融后的流平性,容易使砖面不平整。
进一步的,所述面釉层2由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45~56份、氧化铝10~15份、氧化钙5~9份、氧化钡3~7份、氧化锌10~13份、氧化钠1~3份、氧化钾2~6份、氧化镁1~3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆20~27份、三聚磷酸钠0.2~0.3份、羧甲基纤维素钠0.1~0.2份、水36~42份。添加氧化锆对基料进行改性,可提高面釉的韧性、强度和硬度;添加微量的三聚磷酸钠可提高面釉的流动性以及面釉各成分在面釉体系中的分散性,避免各成分分散不均匀,影响各成分的熔融,进而使面釉层不平整;添加微量的羧甲基纤维素钠可调节面釉体系的粘度,改善体系中各成分的分散度,避免各成分沉降;上述各成分及配比最为合适,使所述面釉的粘度、流动性适中,形成的面釉层平整,为后续布施干粒保护釉提供光洁的表面。
综上所述,本发明通过所述釉料和控制生产过程的参数,制备出性能较干法工艺更为优良的抛晶砖,该工艺相比于传统的一次烧干法干粒抛能够适用于现有生产设备,无需改造生产线。同时采用的淋釉工艺,釉层更加均匀,采用钟罩淋釉,调节釉量更加方便,易于回收。同时所需釉层更薄,仅为干法干粒用量的五分之一,用量更低,烧成周期更短,降低了生产成本低,提高了生产效率。同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少,发色更为细腻丰富。
实施例1
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:(1)制备砖坯;砖坯的粉料颗粒级配为40~60目,粉料的水分控制在6.9%;(2)第一次干燥;干燥温度为150℃,干燥周期为75min;(3)砖坯上喷水;喷水量为80g/m2;控制砖坯温度为100℃;(4)布施面釉;布施量为505g/m2;(5)喷墨印花;(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1100g/m2;(7)第二次干燥;干燥窑的温度为180℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为60℃;(8)烧制成型;烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为75min。
一种湿法干粒抛晶砖,从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒80份、高岭土2.1份、聚甲基硅氧烷29份、水10份。
所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅42份、氧化铝12份、氧化钙16.35份、氧化镁15份、氧化钾5.5份、氧化锌5份、氧化钡3.5份、三氧化二铋0.15份、五氧化二钒0.5份。所述干粒的粒径为150~180目。
所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅54份、氧化铝12份、氧化钙9份、氧化钡4份、氧化锌12份、氧化钠1份、氧化钾5份、氧化镁3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆20份、三聚磷酸钠0.27份、羧甲基纤维素钠0.14份、水38份。
实施例2
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:(1)制备砖坯;砖坯的粉料颗粒级配为60~80目,粉料的水分控制在7.2%;(2)第一次干燥;干燥温度为155℃,干燥周期为60min;(3)砖坯上喷水;喷水量为90g/m2;控制砖坯温度为90℃;(4)布施面釉;布施量为500g/m2;(5)喷墨印花;(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1050g/m2;(7)第二次干燥;干燥窑的温度为170℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为50℃;(8)烧制成型;烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为80min。
一种湿法干粒抛晶砖,从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒95份、高岭土2.5份、聚甲基硅氧烷31份、水12份。
所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45份、氧化铝11份、氧化钙20份、氧化镁10份、氧化钾5.6份、氧化锌4份、氧化钡4份、三氧化二铋0.1份、五氧化二钒0.3份。所述干粒的粒径为120~150目。
所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅56份、氧化铝13份、氧化钙6份、氧化钡6份、氧化锌10份、氧化钠2份、氧化钾6份、氧化镁1份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆23份、三聚磷酸钠0.20份、羧甲基纤维素钠0.20份、水36份。
实施例3
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:(1)制备砖坯;砖坯的粉料颗粒级配为20~40目,粉料的水分控制在6.7%;(2)第一次干燥;干燥温度为175℃,干燥周期为65min;(3)砖坯上喷水;喷水量为70g/m2;控制砖坯温度为115℃;(4)布施面釉;布施量为459g/m2;(5)喷墨印花;(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1150g/m2;(7)第二次干燥;干燥窑的温度为160℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为65℃;(8)烧制成型;烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为85min。
一种湿法干粒抛晶砖,从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒100份、高岭土2.2份、聚甲基硅氧烷33份、水13份。
所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅42份、氧化铝16份、氧化钙15份、氧化镁12份、氧化钾5.8份、氧化锌5.6份、氧化钡3份、三氧化二铋0.2份、五氧化二钒0.4份。所述干粒的粒径为90~120目。
所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅50份、氧化铝10份、氧化钙5份、氧化钡7份、氧化锌13份、氧化钠2份、氧化钾4份、氧化镁2份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆27份、三聚磷酸钠0.24份、羧甲基纤维素钠0.10份、水40份。
实施例4
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:(1)制备砖坯;砖坯的粉料颗粒级配为80~100目,粉料的水分控制在7.0%;(2)第一次干燥;干燥温度为160℃,干燥周期为70min;(3)砖坯上喷水;喷水量为85g/m2;控制砖坯温度为80℃;(4)布施面釉;布施量为480g/m2;(5)喷墨印花;(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1190g/m2;(7)第二次干燥;干燥窑的温度为175℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为55℃;(8)烧制成型;烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为80min。
一种湿法干粒抛晶砖,从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒120份、高岭土1.9份、聚甲基硅氧烷35份、水14份。
所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅40份、氧化铝13.6份、氧化钙17份、氧化镁12份、氧化钾5.9份、氧化锌8份、氧化钡3份、三氧化二铋0.05份、五氧化二钒0.45份。所述干粒的粒径为180~200目。
所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45份、氧化铝14份、氧化钙7份、氧化钡3份、氧化锌11份、氧化钠3份、氧化钾2份、氧化镁3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆25份、三聚磷酸钠0.30份、羧甲基纤维素钠0.16份、水42份。
上述4个实施例砖面平整,无明显的气泡、针孔等缺陷,用蓝色、红色、黑色墨水涂覆砖面,48h后,用流水冲洗,抹布轻轻擦去,砖面无颜色渗透;光泽度达90°,砖面各处的光泽度差异小于4。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:制备砖坯;第一次干燥;布施面釉;喷墨印花;布施干粒保护釉;第二次干燥;烧制成型。
2.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述砖坯的粉料颗粒级配为20~100目,粉料的水分控制在6.7%~7.2%;第一次干燥的干燥温度为150~175℃,干燥周期为60~75min。
3.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,在第一次干燥之后,布施面釉之前还包括在砖坯上喷水,喷水量为70~90g/m2;控制砖坯温度为80~115℃。
4.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述面釉的布施量为459~505g/m2;采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉,其布施量为1050~1190g/m2。
5.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述第二次干燥中,干燥窑的温度为160~180℃,干燥周期为6~8min,出干燥窑的砖坯温度为50~65℃。
6.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述烧制温度为1170~1175℃,烧成周期为75~85min。
7.一种湿法干粒抛晶砖,其特征在于,由权利要求1~6任一项所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法制得;其中,所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为:砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层;所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得,所述干粒保护釉按重量比计算,由如下成分组成:干粒80~120份、高岭土1.9~2.5份、悬浮剂29~35份、水10~14份;所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷。
8.根据权利要求7所述的湿法干粒抛晶砖,其特征在于,所述干粒按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅40~45份、氧化铝11~16份、氧化钙15~20份、氧化镁10~15份、氧化钾5.5~5.9份、氧化锌4~8份、氧化钡3~4份、三氧化二铋0.05~0.2份、五氧化二钒0.3~0.5份。
9.根据权利要求7所述的湿法干粒抛晶砖,其特征在于,所述干粒的粒径为90~200目。
10.根据权利要求7所述的湿法干粒抛晶砖,其特征在于,所述面釉层由基料和辅料组成;所述基料按重量份计算,由如下成分组成:氧化硅45~56份、氧化铝10~15份、氧化钙5~9份、氧化钡3~7份、氧化锌10~13份、氧化钠1~3份、氧化钾2~6份、氧化镁1~3份;所述辅料按基料的重量份100份计算,由如下成分组成:氧化锆20~27份、三聚磷酸钠0.2~0.3份、羧甲基纤维素钠0.1~0.2份、水36~42份。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911322935.0A CN110981197B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911322935.0A CN110981197B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110981197A true CN110981197A (zh) | 2020-04-10 |
CN110981197B CN110981197B (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=70073371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911322935.0A Active CN110981197B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110981197B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111847877A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-10-30 | 佛山市华力达材料科技有限公司 | 一种金属干粒釉料、金属光泽瓷砖及其制备方法 |
CN111923193A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-11-13 | 佛山市蓝瓷创陶科技有限公司 | 一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法 |
CN112745801A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-04 | 江西省千陶新型材料有限公司 | 一种制备陶瓷大板湿法干粒专用悬浮剂 |
CN113387580A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-14 | 佛山市陶莹新型材料有限公司 | 一种星光釉及其制备方法 |
CN113601693A (zh) * | 2021-10-11 | 2021-11-05 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种分区分层布料制备强韧化岩板的工艺技术 |
CN113698190A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-11-26 | 亚细亚建筑材料股份有限公司 | 一种干粒半抛砖制备工艺 |
CN113860739A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-31 | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 | 一种改性圆珠干粒超平薄型陶瓷板及其制备方法 |
CN115648400A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-31 | 佛山市金舵陶瓷有限公司 | 一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法 |
CN115677219A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-02-03 | 新明珠集团股份有限公司 | 一种抗菌釉料、具有高硬度、平整釉面及抗菌功能的陶瓷砖及其制备方法 |
WO2024037052A1 (zh) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | 广东兴辉陶瓷集团有限公司 | 定位剥开干粒瓷砖的生产工艺及其产品 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177637A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-21 | Kyocera Corp | グレ−ズ用ガラス組成物 |
US6087024A (en) * | 1996-12-17 | 2000-07-11 | Whinnery; Leroy Louis | Method for forming porous sintered bodies with controlled pore structure |
CN102390933A (zh) * | 2011-08-10 | 2012-03-28 | 广东道氏技术股份有限公司 | 一种抛晶砖用干粒及抛晶砖的制备方法 |
CN102516842A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-27 | 广东道氏技术股份有限公司 | 一种陶瓷印花用辊筒印油及其制备方法 |
CN105060933A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-18 | 星谊精密陶瓷科技(昆山)有限公司 | 一种干粒印刷釉用印油及应用 |
CN105948503A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-21 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种耐磨透明釉料及使用其制备抛釉砖的方法 |
CN107417304A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-01 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种砖面立体感强的干粒砖的制备工艺 |
CN108911701A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-11-30 | 佛山石湾鹰牌陶瓷有限公司 | 哑光干粒釉面砖及其制备方法 |
CN109052958A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 佛山石湾鹰牌陶瓷有限公司 | 干粒、干粒釉及干粒釉面砖 |
CN109796224A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-05-24 | 东莞市唯美陶瓷工业园有限公司 | 一种喷墨干粒装饰陶瓷砖及其制造方法 |
CN109834809A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-04 | 江西和美陶瓷有限公司 | 一种立体感强的干粒装饰陶瓷砖及其制造方法 |
CN110194650A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-03 | 德化东华陶瓷有限公司 | 一种高缓冲防震环保陶瓷制品及其制备方法 |
CN110396005A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-11-01 | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 | 一种立体定位效果干粒全抛陶瓷砖及制备方法 |
-
2019
- 2019-12-20 CN CN201911322935.0A patent/CN110981197B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177637A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-21 | Kyocera Corp | グレ−ズ用ガラス組成物 |
US6087024A (en) * | 1996-12-17 | 2000-07-11 | Whinnery; Leroy Louis | Method for forming porous sintered bodies with controlled pore structure |
CN102390933A (zh) * | 2011-08-10 | 2012-03-28 | 广东道氏技术股份有限公司 | 一种抛晶砖用干粒及抛晶砖的制备方法 |
CN102516842A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-27 | 广东道氏技术股份有限公司 | 一种陶瓷印花用辊筒印油及其制备方法 |
CN105060933A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-18 | 星谊精密陶瓷科技(昆山)有限公司 | 一种干粒印刷釉用印油及应用 |
CN105948503A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-21 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种耐磨透明釉料及使用其制备抛釉砖的方法 |
CN107417304A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-01 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种砖面立体感强的干粒砖的制备工艺 |
CN108911701A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-11-30 | 佛山石湾鹰牌陶瓷有限公司 | 哑光干粒釉面砖及其制备方法 |
CN109052958A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 佛山石湾鹰牌陶瓷有限公司 | 干粒、干粒釉及干粒釉面砖 |
CN109796224A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-05-24 | 东莞市唯美陶瓷工业园有限公司 | 一种喷墨干粒装饰陶瓷砖及其制造方法 |
CN109834809A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-04 | 江西和美陶瓷有限公司 | 一种立体感强的干粒装饰陶瓷砖及其制造方法 |
CN110194650A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-03 | 德化东华陶瓷有限公司 | 一种高缓冲防震环保陶瓷制品及其制备方法 |
CN110396005A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-11-01 | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 | 一种立体定位效果干粒全抛陶瓷砖及制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
张荣斌: "一种新型抛晶干粒的试制", 《广州化工》 * |
杨元东: "数码胶水干粒釉陶瓷砖的研究", 《陶瓷》 * |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111847877A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-10-30 | 佛山市华力达材料科技有限公司 | 一种金属干粒釉料、金属光泽瓷砖及其制备方法 |
CN111847877B (zh) * | 2020-08-05 | 2022-07-01 | 佛山市华力达材料科技有限公司 | 一种金属干粒釉料、金属光泽瓷砖及其制备方法 |
CN111923193A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-11-13 | 佛山市蓝瓷创陶科技有限公司 | 一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法 |
CN112745801A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-04 | 江西省千陶新型材料有限公司 | 一种制备陶瓷大板湿法干粒专用悬浮剂 |
CN113698190A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-11-26 | 亚细亚建筑材料股份有限公司 | 一种干粒半抛砖制备工艺 |
CN113387580A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-14 | 佛山市陶莹新型材料有限公司 | 一种星光釉及其制备方法 |
CN113601693A (zh) * | 2021-10-11 | 2021-11-05 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种分区分层布料制备强韧化岩板的工艺技术 |
CN113860739A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-31 | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 | 一种改性圆珠干粒超平薄型陶瓷板及其制备方法 |
WO2024037052A1 (zh) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | 广东兴辉陶瓷集团有限公司 | 定位剥开干粒瓷砖的生产工艺及其产品 |
CN115648400A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-31 | 佛山市金舵陶瓷有限公司 | 一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法 |
CN115648400B (zh) * | 2022-11-01 | 2023-11-24 | 佛山市金舵陶瓷有限公司 | 一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法 |
CN115677219A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-02-03 | 新明珠集团股份有限公司 | 一种抗菌釉料、具有高硬度、平整釉面及抗菌功能的陶瓷砖及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110981197B (zh) | 2022-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110981197B (zh) | 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 | |
CN109867446B (zh) | 一种超平熔块干粒釉全抛砖及其制备方法 | |
CN108911701B (zh) | 哑光干粒釉面砖及其制备方法 | |
CN109053226B (zh) | 制备哑光干粒釉面砖的方法 | |
CN108424111B (zh) | 一种亮光干粒抛光陶瓷大板及其制备方法 | |
WO2020233032A1 (zh) | 一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖及其制备方法 | |
CN112707642B (zh) | 闪光面釉及其制备方法、具有闪光效果的瓷砖的制备方法 | |
CN110372209B (zh) | 一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法 | |
CN110668792B (zh) | 一种立体幻彩干粒抛陶瓷大板及其制备方法 | |
CN110981200A (zh) | 一种微晶釉料及其制备方法 | |
JP7317071B2 (ja) | 高温耐摩耗セラミック釉薬、高温耐摩耗セラミック塗布層プリフォーム及びその製造方法、使用 | |
CN113248286A (zh) | 可形成斑块状随机结晶效果的釉面砖的制备工艺及其产品 | |
CN113548799B (zh) | 一种具有凹凸面的瓷砖及其制备方法 | |
CN114702336B (zh) | 一种白聚晶干粒陶瓷岩板及其制备方法 | |
CN110790507A (zh) | 一种底釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法 | |
CN115583845B (zh) | 一种高硬度高耐磨凹凸纹陶瓷砖及其制备方法 | |
CN113211610A (zh) | 可形成定位结晶效果的釉面砖的制备工艺及其产品 | |
CN102884024A (zh) | 用于光伏领域的坩埚 | |
CN115010367A (zh) | 一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法 | |
CN111170638B (zh) | 超耐污型陶瓷砖保色釉、耐污型陶瓷砖及其制备工艺 | |
CN113683306B (zh) | 一种防滑釉料、防滑釉面砖及其制备方法 | |
WO2002010496A1 (en) | Compositions of crystal made from glp-1-derived peptide analogs | |
CN111018543B (zh) | 一种一次烧成超大规格薄型瓷质板材及其生产方法 | |
CN115073215B (zh) | 一种具有悬浮颗粒装饰效果的瓷砖及其制备方法 | |
CN114956871B (zh) | 双峰级配釉料制灰黑色抛光的薄型岩板及釉料制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |