CN115648400A - 一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及干粒釉领域，尤其涉及一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，包括，步骤S1，将熔融后的干粒分段注入反应机构与所述反应机构中的釉浆形成混合物，启动搅拌机构对混合物进行往复搅拌；步骤S2，经过预设搅拌时间，当混合物中干粒分散程度符合标准时，中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉；步骤S3，当所述中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉时，钟罩淋釉机构一侧对待淋釉坯进行一次淋釉，所述中控单元根据一次淋釉后的待淋釉坯的平整度和气泡产生量，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，一次淋釉符合标准的待淋釉坯经所述钟罩淋釉机构另一侧进行二次淋釉后产出，以使产出的釉线生产符合标准。

Description

一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法

技术领域

本发明涉及干粒釉领域，尤其涉及一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法。

背景技术

干粒釉中含有耐高温难熔瘠形配料，及采用独特的釉料干压新工艺，使瓷砖釉面形成凹凸不平的表面，产生无光与防滑的使用效果，其装饰的釉瓷砖，具有防滑、防磨与防污等使用效果。陶瓷釉料一般可以通过淋釉、喷釉、网版印花或胶辊印花等方法布料，淋釉是指将釉浆抽入高位罐，通过釉槽和筛网格的缓冲作用，使釉浆均匀如瀑布一样覆盖在坯体的表面，目前，干粒的布料主要通过干粒撒施法再配以固定液完成，但这种方法形成的干粒釉图案色彩单一，图案立体效果差，并且布料不均表面平整度不理想，易产生表面缺陷，且干粒颗粒度太强，不圆润。

中国专利CN109928779A公开了一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖及其制备方法，提出在坯体上施面釉、印刷图案后淋干粒釉，然后烧成，得到陶瓷砖，所使用的熔块干粒采用三种不同熔点干粒的搭配，采用这样的搭配方式，便于在生产中可以有效地调整砖形及烧成温度，但其并未解决如何在釉线生产过程中保障坯体施釉质量的技术问题。

发明内容

为此，本发明提供一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，可以解决无法通过控制干粒釉中干粒分散程度和干粒熔融温度以使釉体符合标准的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，包括：

步骤S1，将熔融后的干粒分段注入反应机构与所述反应机构中的釉浆形成混合物，启动可调节搅拌叶片往复频率的搅拌机构对混合物进行往复搅拌；

步骤S2，经过预设搅拌时间，当混合物中干粒分散程度符合标准时，中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉，当混合物中干粒分散程度不符合预设标准时，中控单元对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒单次注入量进行调节；

步骤S3，当所述中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉时，钟罩淋釉机构一侧对待淋釉坯进行一次淋釉，所述中控单元根据一次淋釉后的待淋釉坯的平整度和气泡产生量，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，一次淋釉符合标准的待淋釉坯经所述钟罩淋釉机构另一侧进行二次淋釉后产出。

进一步地，在所述步骤S2中，经过预设搅拌时间，所述中控单元根据所述反应机构中混合物干粒分散程度d与预设分散程度标准值D0相比较，判定当前混合物是否搅拌均匀，其中，

当d≤D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度符合标准；

当d＞D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准，中控单元判定调节所述搅拌机构的往复搅拌频率和干粒单次注入量。

进一步地，将所述反应机构内混合物划分若干区域，所述中控单元根据随机选取n个区域混合物的干粒数量获取混合物干粒分散程度d，设定d＝(y0/y1+y0/y2+……+y0/yn)/n，其中，y1为第一随机区域干粒数量，y2为第二随机区域干粒数量，……yn为第n随机区域干粒数量，y0为随机选取各区域干粒数量平均值，n为大于等于2的自然数。

进一步地，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准时，中控单元将混合物干粒分散程度与预设分散程度指标D相比较，选取所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时对干粒单次注入量进行调节，其中，

当d≤D1，所述中控单元选取第一预设频率v1为所述搅拌机构的往复搅拌频率；

当D1＜d＜D2，所述中控单元选取第二预设频率v2为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量；

当d≥D2，所述中控单元选取第三预设频率v3为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量；

其中，所述中控单元预设分散程度指标D，设定第一预设分散程度指标D1，第二预设分散程度指标D2，中控单元预设频率v，设定第一预设频率v1，第二预设频率v2，第三预设频率v3。

进一步地，当混合物的分散程度符合标准时，所述中控单元判定执行步骤S3，中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z与预设平整度Z0相比较，对二次淋釉的淋釉量进行调节，其中，

当z≤Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度符合标准，中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯上的气泡量确定是否对待淋釉坯进行二次淋釉；

当z＞Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度不符合标准，中控单元对钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整。

进一步地，所述中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯厚度，获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z，设定z＝((b1-b0)²+(b2-b0)²+……+(by-b0)²)/y，其中，b1为一次淋釉后待淋釉坯第一检测位点厚度、b2为一次淋釉后待淋釉坯第二检测位点厚度……by为一次淋釉后待淋釉坯第y检测位点厚度，b0为一次淋釉后待淋釉坯各检测位点厚度平均值，y为大于2的自然数，表示检测位点总数。

进一步地，所述中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯上气泡量h与预设气泡量H相比较，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，其中，

当h≤H1，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量符合标准，中控单元判定对待淋釉坯进行二次淋釉；

当H1＜h＜H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元提高所述搅拌机构的往复搅拌频率；

当h≥H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元不对待淋釉坯进行二次淋釉，同时提高所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时提高干粒的熔融温度；

其中，所述中控单元预设气泡量H，设定第一预设气泡量H1、第二预设气泡量H2。

进一步地，熔融的干粒通过送料机构注入所述反应机构，所述送料机构包括用于控制送料传输速率的第四驱动单元以及设置于送料传输器外部的惰性气体包围箱，所述惰性气体包围箱用于维持熔融干粒的温度，所述中控单元获取调节后的干粒单次注入量mj与预设单次注入量M相比较，对送料传输速率进行调节，其中，

当mj≤M1，所述中控单元选取第一预设传输速率f1为送料传输速率；

当M1＜mj＜M2，所述中控单元选取第二预设传输速率f2为送料传输速率；

当mj≥M2，所述中控单元选取第三预设传输速率f3为送料传输速率；

其中，所述中控单元预设传输速率f，设定第一预设传输速率f1，第二预设传输速率f2，第三预设传输速率f3，同时，中控单元预设单次注入量M，设定第一预设单次注入量M1，第二预设单次注入量M2。

进一步地，所述中控单元预设熔融温度最大值Tmax，中控单元将调节后的熔融干粒温度T1与预设熔融温度最大值相比较，确定熔融温度，其中，

当T1＜Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为T1；

当T1≥Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为Tmax，同时获取所述送料机构进料口和出料口的温度对送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节。

进一步地，所述中控单元根据所述送料机构进料口和出料口的温度获取干粒传输温差△t，设定△t＝t1-t2，其中，t1为送料机构进料口温度，t2为送料机构出料口温度，中控单元将干粒传输温差与预设温差标准值t0相比较，对送料机构的送料传输速率和惰性气体的注入温度进行调节，其中，

当△t≤t0-k，所述中控单元不对所述送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节；

当t0-k＜△t＜t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率提高；

当△t≥t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率提高，同时提高惰性气体的注入温度；

其中，k为温度误差值。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明通过设置送料机构，通过分段多次向反应机构注入熔融的干粒，不仅实现维持熔融干粒的温度，避免熔融干粒温度骤降，造成颗粒棱角及影响干粒釉施釉产生气泡，还实现了保证干粒釉中干粒搅拌的分散程度，避免施釉后的坯体上干粒不均匀，影响品质，同时，本发明还设置有特定的搅拌机构对干粒釉进行由底部到顶部的全面搅拌，避免干粒沉底，影响干粒釉中干粒的分散程度，在对待淋釉坯进行淋釉时，本发明设置对待淋釉坯进行预处理，根据预处理的效果，对反应机构内的干粒釉质量进行初步评价，同时对各参数进行及时调整，以使二次淋釉后的坯体符合标准。

尤其，本发明将混合物划分为若干区域，通过随机选取区域，并获取各选取区域的干粒数量，根据选取各区域干粒数量平均值与各区域干粒数量的比值确定混合物干粒分散程度以评价混合物中干粒分布情况，中控单元设置有分散程度标准值，中控单元将获取的混合物干粒分散程度与预设分散程度相比较，其中，当混合物干粒分散程度小于等于预设分散程度，说明当前混合物的干粒分布均匀，当前混合物可用于待淋釉坯的淋釉，当混合物干粒分散程度大于预设分散程度，说明当前混合物的干粒分布不均匀，中控单元通过提高所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量以提高当前混合物干粒的分布均匀。

尤其，本发明在确定混合物中干粒分布不均匀后，根据当前混合物干粒的分散程度确定提高当前反应机构的搅拌方式，其中，若混合物干粒分散程度小于等于第一预设分散程度指标，中控单元通过选取第一预设频率为搅拌机构的往复搅拌频率略微提高反应机构中干粒的分散程度，若混合干粒分散程度在第一预设分散程度指标和第二预设分散程度指标之间，中控单元通过选取第二预设频率为搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量提高反应机构中干粒的分散程度，若混合干粒分散程度大于等于第二预设分散程度指标，中控单元通过选取第三预设频率为搅拌机构往复搅拌频率，同时大幅度降低干粒单次注入量，以使混合物的干粒分散程度符合标准。

尤其，本发明通过获取一次淋釉后待淋釉坯各检测位点的厚度确定一次淋釉后待淋釉坯的平整度，并将获取的平整度与预设平整度相比较，判定是否需要对所述钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整，其中，若获取的平整度小于等于预设平整度，说明当前一次淋釉后待淋釉坯平整度符合标准，若获取的平整度大于预设平整度，说明当前一次淋釉后待淋釉坯平整度不符合标准，中控单元判定对钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整，以使二次淋釉的淋釉平整度符合标准。

尤其，本发明对待淋釉坯进行两次淋釉以精准控制淋釉质量，其中，一次淋釉为预淋釉过程，目的在于评价干粒釉的质量，同时判定钟罩淋釉机构是否存在淋釉不平衡的问题，因此，中控单元获取的一次淋釉后待淋釉坯上气泡量小于等于第一预设气泡量，说明当前干粒釉质量达标，且钟罩淋釉机构的设置合理，中控单元判定对待淋釉坯进行二次淋釉，而当一次淋釉后待淋釉坯上气泡量在第一预设气泡量和第二预设气泡量之间，说明当前干粒釉质量不佳，淋釉过程中易产生气泡，中控单元判定提高搅拌机构的往复搅拌频率实现提高干粒釉中各物质的均匀分散程度，而当一次淋釉后待淋釉坯上气泡量大于等于第二预设气泡量时，说明当前干粒釉质量不佳，造成气泡量过大的原因在于各物质搅拌不均匀以及干粒熔融温度不符合标准，造成产生大量气泡的情况，因此中控单元提高搅拌机构的往复频率，同时提高干粒的熔融温度以使下一淋釉符合标准。

尤其，本发明通过控制送料机构的送料传输速率以调节干粒单次注入量，其中，若调节后的干粒单次注入量小于等于第一预设单次注入量，说明当前单次注入量过低，中控单元选取第一预设传输速率，即最小的传输速率作为送料传输速率，以降低干粒的单次注入量，使得干粒釉中干粒的分散程度提高，若调节后的干粒单次注入量在第一预设单次注入量和第二预设单次注入量之间，则选取第二预设传输速率，即中间值的传输速率，而若调节后的干粒单次注入量大于等于第二预设单次注入量，则选取最大的传输速率即第三预设传输速率为送料传输速率，以使调节后的单次注入量与送料传输速率相适配。

尤其，本发明将熔融后的干粒注入反应机构中，利于干粒釉的搅拌和干粒釉中干粒的分散，同时避免待淋釉在淋釉过程中产生气泡，中控单元设置有熔融干粒的最高温度，避免调节后的熔融干粒温度超标，在调节后的熔融干粒温度低于预设，熔融温度最大值则将熔融干粒的温度设为调节后的温度，而当调节后的熔融干粒温度高于预设熔融温度最大值，则将熔融干粒温度设为熔融温度最大值，同时需根据送料机构进出口的温度差判定是否需要对惰性气体的温度和送料传输速率进行调节，若送料机构进出口温差过大，则提高送料传输速率和惰性气体的注入温度，避免进料机构传输熔融干粒过程中，造成熔融干粒温度降低，影响干粒釉的质量。

附图说明

图1为发明实施例基于冰晶干粒釉的湿法制备装置结构示意图；

图2为发明实施例反应机构结构示意图；

图3为发明实施例基于冰晶干粒釉的湿法制备方法示意图；

图4为发明实施例钟罩淋釉机构结构示意图；

图5为发明实施例一次淋釉后待淋釉坯各区域示意图；

图6为发明实施例送料机构结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

釉浆与干粒融合形成的冰晶干粒釉施釉后的产品折射率高，具有较好的折光效果，而且在瓷砖的施用过程中，会基本保持其原有的颗粒大小，因此最终的成品能够呈现出卓越的冰晶效果。晶体的闪光度、通透感不断提升，平整光亮的表面与晶莹闪耀的效果相融相成，采用了冰晶干粒定位工艺的成品结晶效果，同时，通过灵活调整冰晶干粒釉中干粒的级配或改善工艺，可以烧制出呈现不同冰晶效果的釉面，能够满足多元化的产品效果定制与生产工艺需求。

请参阅图1所示，其为本发明实施例基于冰晶干粒釉的湿法制备装置，包括，反应机构1，用于将釉浆与干粒进行搅拌制备干粒釉；设置于所述反应室出料口下方的钟罩淋釉机构2，用于将搅拌均匀的干粒釉淋至待淋釉坯上；传动机构3，设置于所述钟罩淋釉机构下方，用于传动待淋釉坯。

请参阅图2所示，其为本发明实施例反应机构结构示意图，包括，反应室11，设置于反应室顶部、用于控制丝杆16转动速率的第一驱动单元13，所述丝杆上连接有搅拌器15，所述搅拌器在丝杆的带动下转动，对反应室内的混合物进行搅拌，搅拌后的干粒釉经反应室出料口17注入钟罩机构，在使用中，釉浆经第一进料口14注入反应室，熔融后的干粒经第二进料口12注入反应室，启动第一驱动单元，第一驱动单元带动丝杆转动，丝杆上套接的搅拌器在丝杆的带动下转动，对反应室内的釉浆和干粒混合物搅拌均匀，避免干粒在反应室内沉底和团聚。

请参阅图3所示，其为本发明实施例基于冰晶干粒釉的湿法制备方法示意图，包括，

步骤S1，将熔融后的干粒分段注入反应机构与所述反应机构中的釉浆形成混合物，启动搅拌机构对混合物进行往复搅拌；

步骤S2，经过预设搅拌时间，当混合物中干粒分散程度符合标准时，中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉，当混合物中干粒分散程度不符合预设标准时，中控单元对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒单次注入量进行调节；

步骤S3，当所述中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉时，钟罩淋釉机构一侧对待淋釉坯进行一次淋釉，所述中控单元根据一次淋釉后的待淋釉坯的平整度和气泡产生量，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，以使待淋釉坯淋釉符合标准。

具体而言，本发明通过设置送料机构，通过分段多次向反应机构注入熔融的干粒，不仅实现维持熔融干粒的温度，避免熔融干粒温度骤降，造成颗粒棱角及影响干粒釉施釉产生气泡，还实现了保证干粒釉中干粒搅拌的分散程度，避免施釉后的坯体上干粒不均匀，影响品质，同时，本发明还设置有特定的搅拌机构对干粒釉进行由底部到顶部的全面搅拌，避免干粒沉底，影响干粒釉中干粒的分散程度，在对待淋釉坯进行淋釉时，本发明设置对待淋釉坯进行预处理，根据预处理的效果，对反应机构内的干粒釉质量进行初步评价，同时对各参数进行及时调整，以使二次淋釉后的坯体符合标准。

具体而言，本发明实施例中所述搅拌机构的往复频率为40-60s/次，往复频率需根据实际生产版面而略微调整，本发明实施例对该参数不作限定。

具体而言，本发明实施例对干粒和釉浆的原材料不作限定，只要其能够实现制备干粒釉即可，本发明实施例提供一种优选的方案，其中，干粒采用高铝材料，三氧化二铝含量在22.5％以上，氧化钙含量在5％以上，氧化钠的含量在5.5以上，釉浆采用G16的高硅抛釉，其中，氧化硅含量60％以上，氧化钙含量在10％以上，氧化镁含量为3.5％以上，氧化钾含量为3.3％以上，干粒的级配为80-100目为55-63％，100-120目为37％-45％，在制备干粒釉的过程中，釉浆与干粒的比例为11-13:1；同时，还可以在干粒釉中外加化工料浆，满足特殊版面效果，需要对基础釉浆进行调整的时候，采用在釉线用G16釉浆外加化工料浆，当作新的临时基础釉浆使用，再加干粒，搅拌均匀，调整流速使用。

具体而言，在步骤S2中，经过预设搅拌时间，所述中控单元根据所述反应机构中混合物干粒分散程度d与预设分散程度标准值D0相比较，判定当前混合物是否搅拌均匀，其中，

当d≤D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度符合标准；

当d＞D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准，中控单元判定调节所述搅拌机构的往复搅拌频率，和干粒单次注入量。

其中，将所述反应机构内混合物划分若干区域，所述中控单元根据随机选取n个区域混合物的干粒数量获取混合物干粒分散程度d，设定d＝(y0/y1+y0/y2+……+y0/yn)/n，其中，y1为第一随机区域干粒数量，y2为第二随机区域干粒数量，……yn为第n随机区域干粒数量，y0为随机选取各区域干粒数量平均值，n为大于等于2的自然数。

具体而言，本发明将混合物划分为若干区域，通过随机选取区域，并获取各选取区域的干粒数量，根据选取各区域干粒数量平均值与各区域干粒数量的比值确定混合物干粒分散程度以评价混合物中干粒分布情况，中控单元设置有分散程度标准值，中控单元将获取的混合物干粒分散程度与预设分散程度相比较，其中，当混合物干粒分散程度小于等于预设分散程度，说明当前混合物的干粒分布均匀，当前混合物可用于待淋釉坯的淋釉，当混合物干粒分散程度大于预设分散程度，说明当前混合物的干粒分布不均匀，中控单元通过提高所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量以提高当前混合物干粒的分布均匀。

其中，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准时，中控单元将混合物干粒分散程度与预设分散程度指标D相比较，选取所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时对干粒单次注入量进行调节，其中，

当d≤D1，所述中控单元选取第一预设频率v1为所述搅拌机构的往复搅拌频率；

当D1＜d＜D2，所述中控单元选取第二预设频率v2为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量m至m1，设定m1＝m×(1-0.6×(D2-d)×(d-D1)/(D1×D2))；

当d≥D2，所述中控单元选取第三预设频率v3为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量m至m2，设定m2＝m×(1-1.2×(d-D2)/D2)；

其中，所述中控单元预设分散程度指标D，设定第一预设分散程度指标D1，第二预设分散程度指标D2，中控单元预设频率v，设定第一预设频率v1，第二预设频率v2，第三预设频率v3。

具体而言，本发明在确定混合物中干粒分布不均匀后，根据当前混合物干粒的分散程度确定提高当前反应机构的搅拌方式，其中，若混合物干粒分散程度小于等于第一预设分散程度指标，中控单元通过选取第一预设频率为搅拌机构的往复搅拌频率略微提高反应机构中干粒的分散程度，若混合干粒分散程度在第一预设分散程度指标和第二预设分散程度指标之间，中控单元通过选取第二预设频率为搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量提高反应机构中干粒的分散程度，若混合干粒分散程度大于等于第二预设分散程度指标，中控单元通过选取第三预设频率为搅拌机构往复搅拌频率，同时大幅度降低干粒单次注入量，以使混合物的干粒分散程度符合标准。

具体而言，本发明实施例对待淋釉坯进行预淋釉，预淋釉的淋釉量为40-60g(待淋釉坯为300×600mm)，并获取预淋釉后的平整度，对预淋釉后的待淋釉坯进行二次淋釉，二次淋釉量为100-120g，流速为30-33s，获取二次淋釉的平整度，具体试验结果参见表一，

表一，一次淋釉平整度以及二次淋釉平整度

当混合物的分散程度符合标准时，所述中控单元判定执行步骤S3，中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z与预设平整度Z0相比较，对二次淋釉的淋釉量进行调节，其中，

当z≤Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度符合标准，中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯上的气泡量确定是否对待淋釉坯进行二次淋釉；

当z＞Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度不符合标准，中控单元对钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整。

其中，所述中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯厚度，获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z，设定z＝((b1-b0)²+(b2-b0)²+……+(by-b0)²)/y，其中，b1为一次淋釉后待淋釉坯第一检测位点厚度、b2为一次淋釉后待淋釉坯第二检测位点厚度……by为一次淋釉后待淋釉坯第y检测位点厚度，b0为一次淋釉后待淋釉坯各检测位点厚度平均值，y为大于2的自然数，表示检测位点总数。

具体而言，本发明通过获取一次淋釉后待淋釉坯各检测位点的厚度确定一次淋釉后待淋釉坯的平整度，并将获取的平整度与预设平整度相比较，判定是否需要对所述钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整，其中，若获取的平整度小于等于预设平整度，说明当前一次淋釉后待淋釉坯平整度符合标准，若获取的平整度大于预设平整度，说明当前一次淋釉后待淋釉坯平整度不符合标准，中控单元判定对钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整，以使二次淋釉的淋釉平整度符合标准。

具体而言，本发明实施例对钟罩淋釉机构的倾斜角度调整方法不作限定，只要其能够实现对钟罩淋釉机构淋釉角度进行调整即可，本发明实施例提供一种优选的实施方案，具体参阅图4所示，其为本发明实施例钟罩淋釉机构结构示意图，包括，钟罩器23、设置于钟罩器内部的第一连接杆21、设置于第一连接杆上的第二驱动单元24以及与所述第二驱动单元相连接的第一重心调节块22，与所述第一连接杆上垂直设置有第二连接杆，设置于第二连接杆上的第三驱动单元以及与所述第三驱动单元相连接的第二重心调节块，通过第一重心调节块和第二重心调节块的位置，调整钟罩淋釉机构的倾斜角度，在使用中，搅拌合格的干粒釉经钟罩器向待淋釉坯进行淋釉，其中，钟罩淋釉器一侧对待淋釉坯进行预淋釉，另一侧对预淋釉后的待淋釉坯进行二次淋釉，在中控单元判定对钟罩淋釉机构角度进行调整时，中控单元通过第二驱动单元控制重心调整块的位置，进而控制钟罩淋釉机构的倾斜角度，尤其是二次淋釉的倾斜角度，更进一步的，本发明实施例不对重心调整块位置与钟罩淋釉机构淋釉角度的调整参数进行限定，其需根据待淋釉坯淋釉量、重心调整块重量等条件进行设定，本发明实施例以直径600mm的钟罩淋釉器为例，采用钟罩淋釉器1/10～1/5重量的重心调整块，第二驱动单元调整重心调整块距中心点30-45mm时，角度倾斜变化为3-5°，其中，钟罩淋釉器的倾斜角度可以用各连接杆与水平面形成的角度，当中控单元判定调整第一连接杆与水平面形成的角度时，中控单元启动第二驱动单元，带动第一重心调整块进行位置移动，实现调整第一连接杆与水平面形成的角度，当中控单元判定调整第二连接杆与水平面形成的角度时，中控单元启动第三驱动单元，带动第二重心调整块进行位置移动，实现调整第二连接杆与水平面形成的角度。

具体而言，本发明实施例还提供另一种调整钟罩淋釉机构倾斜角度的方法，即在钟罩淋釉器四角分别设置支撑杆，通过调整支撑杆的高度实现对钟罩淋釉机构倾斜角度的调整。

具体而言，本发明实施例对判定倾斜角度的调整方式不作限定，只要其能够实现对待淋釉坯淋釉平整即可，本发明实施例提供一种优选的方法，请参阅图5所示，其为本发明实施例一次淋釉后待淋釉坯各区域示意图，将一次淋釉后的待淋釉坯划分为四个区域，分别获取四个区域淋釉厚度，其中，第一区域51和第二区域52待淋釉坯淋釉厚度的和与第三区域53和第四区域54待淋釉坯淋釉厚度的和差别较大时，即判定调整第二连接杆与水平面的角度，而当第一区域与第四区域待淋釉坯淋釉厚度的和与第二区域与第三区域待淋釉坯淋釉厚度的和差别较大时，判定调整第一连接杆与水平面的角度。

其中，所述中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯上气泡量h与预设气泡量H相比较，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，其中，

当h≤H1，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量符合标准，中控单元判定对待淋釉坯进行二次淋釉；

当H1＜h＜H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元提高所述搅拌机构的往复搅拌频率vi至vi1，设定vi1＝vi×(1+(H2-h)×(h-H1)/(H1×H2))；

当h≥H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元不对待淋釉坯进行二次淋釉，同时提高所述搅拌机构的往复搅拌频率vi至vi2，设定vi2＝vi×(1+(h-H2)/H2)，同时提高干粒的熔融温度T至T1，设定T1＝T×(1+(h-H2)/H2)；

其中，所述中控单元预设气泡量H，设定第一预设气泡量H1、第二预设气泡量H2。

具体而言，本发明实施例中，钟罩淋釉器内部设置有可实时获取一次淋釉后待淋釉坯干粒数量、气泡数量以及各区域厚度的图像处理装置，通过中控单元的判定，若一次淋釉后待淋釉坯上气泡数量和平整度均符合标准，则通过传动机构将待淋釉坯继续传动，对其进行二次淋釉，而当待淋釉坯平整度不符合标准，则暂停传动，在钟罩淋釉机构角度调整完成后，继续传动待淋釉坯，对其进行二次淋釉，待淋釉坯气泡量不符合标准时，若在第一预设气泡量和第二预设气泡量之间，通过调控搅拌频率将干粒釉的质量提高，继续传动待淋釉坯对其进行二次淋釉，而当待淋釉坯预处理后的气泡量大于等于第二预设气泡量，则不对其进行二次淋釉，该待淋釉坯作废，对搅拌机构反复频率和干粒熔融温度进行调节，保证下一待淋釉坯淋釉的质量。

具体而言，本发明对待淋釉坯进行两次淋釉以精准控制淋釉质量，其中，一次淋釉为预淋釉过程，目的在于评价干粒釉的质量，同时判定钟罩淋釉机构是否存在淋釉不平衡的问题，因此，中控单元获取的一次淋釉后待淋釉坯上气泡量小于等于第一预设气泡量，说明当前干粒釉质量达标，且钟罩淋釉机构的设置合理，中控单元判定对待淋釉坯进行二次淋釉，而当一次淋釉后待淋釉坯上气泡量在第一预设气泡量和第二预设气泡量之间，说明当前干粒釉质量不佳，淋釉过程中易产生气泡，中控单元判定提高搅拌机构的往复搅拌频率实现提高干粒釉中各物质的均匀分散程度，而当一次淋釉后待淋釉坯上气泡量大于等于第二预设气泡量时，说明当前干粒釉质量不佳，造成气泡量过大的原因在于各物质搅拌不均匀以及干粒熔融温度不符合标准，造成产生大量气泡的情况，因此中控单元提高搅拌机构的往复频率，同时提高干粒的熔融温度以使下一淋釉符合标准。

请参阅图6所示，其为本发明实施例送料机构结构示意图，包括用于控制送料传输速率的第四驱动单元以及设置于送料传输器外部的惰性气体包围箱44，所述惰性气体包围箱用于维持熔融干粒的温度，升温后的惰性气体经进气口43注入惰性气体包围箱，熔融的干粒通过送料机构注入所述反应机构，所述中控单元获取调节后的干粒单次注入量mj与预设单次注入量M相比较，对送料传输速率进行调节，其中，

当mj≤M1，所述中控单元选取第一预设传输速率f1为送料传输速率；

当M1＜mj＜M2，所述中控单元选取第二预设传输速率f2为送料传输速率；

当mj≥M2，所述中控单元选取第三预设传输速率f3为送料传输速率；

其中，所述中控单元预设传输速率f，设定第一预设传输速率f1，第二预设传输速率f2，第三预设传输速率f3，同时，中控单元预设单次注入量M，设定第一预设单次注入量M1，第二预设单次注入量M2，j＝1，2。

具体而言，本发明通过控制送料机构的送料传输速率以调节干粒单次注入量，其中，若调节后的干粒单次注入量小于等于第一预设单次注入量，说明当前单次注入量过低，中控单元选取第一预设传输速率，即最小的传输速率作为送料传输速率，以降低干粒的单次注入量，使得干粒釉中干粒的分散程度提高，若调节后的干粒单次注入量在第一预设单次注入量和第二预设单次注入量之间，则选取第二预设传输速率，即中间值的传输速率，而若调节后的干粒单次注入量大于等于第二预设单次注入量，则选取最大的传输速率即第三预设传输速率为送料传输速率，以使调节后的单次注入量与送料传输速率相适配。

其中，所述中控单元预设熔融温度最大值Tmax，中控单元将调节后的熔融干粒温度T1与预设熔融温度最大值相比较，确定熔融温度，其中，

当T1＜Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为T1；

当T1≥Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为Tmax，同时获取所述送料机构进料口和出料口的温度对送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节。

请继续参阅图6所示，所述中控单元根据所述送料机构进料口41和出料口42的温度获取干粒传输温差△t，设定△t＝t1-t2，其中，t1为送料机构进料口温度，t2为送料机构出料口温度，中控单元将干粒传输温差与预设温差标准值t0相比较，对送料机构的送料传输速率和惰性气体的注入温度进行调节，其中，

当△t≤t0-k，所述中控单元不对所述送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节；

当t0-k＜△t＜t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率fp提高至fp1，fp1＝fp×(1+1.2×(△t-t0+k))；

当△t≥t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率fp提高至fp2，fp2＝fp×(1+0.8×(△t-t0-k))，同时提高惰性气体的注入温度w至w1，设定w1＝w×1.25；

其中，k为温度误差值，p＝1，2，3。

具体而言，本发明将熔融后的干粒注入反应机构中，利于干粒釉的搅拌和干粒釉中干粒的分散，同时避免待淋釉在淋釉过程中产生气泡，中控单元设置有熔融干粒的最高温度，避免调节后的熔融干粒温度超标，在调节后的熔融干粒温度低于预设，熔融温度最大值则将熔融干粒的温度设为调节后的温度，而当调节后的熔融干粒温度高于预设熔融温度最大值，则将熔融干粒温度设为熔融温度最大值，同时需根据送料机构进出口的温度差判定是否需要对惰性气体的温度和送料传输速率进行调节，若送料机构进出口温差过大，则提高送料传输速率和惰性气体的注入温度，避免进料机构传输熔融干粒过程中，造成熔融干粒温度降低，影响干粒釉的质量。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，将熔融后的干粒分段注入反应机构与所述反应机构中的釉浆形成混合物，启动可调节搅拌叶片往复频率的搅拌机构对混合物进行往复搅拌；

步骤S2，经过预设搅拌时间，当混合物中干粒分散程度符合标准时，中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉，当混合物中干粒分散程度不符合预设标准时，中控单元对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒单次注入量进行调节；

步骤S3，当所述中控单元判定向钟罩淋釉机构喷淋干粒釉时，钟罩淋釉机构一侧对待淋釉坯进行一次淋釉，所述中控单元根据一次淋釉后的待淋釉坯的平整度和气泡产生量，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，一次淋釉符合标准的待淋釉坯经所述钟罩淋釉机构另一侧进行二次淋釉后产出。

2.根据权利要求1所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，经过预设搅拌时间，所述中控单元根据所述反应机构中混合物干粒分散程度d与预设分散程度标准值D0相比较，判定当前混合物是否搅拌均匀，其中，

当d≤D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度符合标准；

当d＞D0，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准，中控单元判定调节所述搅拌机构的往复搅拌频率和干粒单次注入量。

3.根据权利要求2所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，将所述反应机构内混合物划分若干区域，所述中控单元根据随机选取n个区域混合物的干粒数量获取混合物干粒分散程度d，设定d＝(y0/y1+y0/y2+……+y0/yn)/n，其中，y1为第一随机区域干粒数量，y2为第二随机区域干粒数量，……yn为第n随机区域干粒数量，y0为随机选取各区域干粒数量平均值，n为大于等于2的自然数。

4.根据权利要求3所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，所述中控单元判定混合物干粒分散程度不符合标准时，中控单元将混合物干粒分散程度与预设分散程度指标D相比较，选取所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时对干粒单次注入量进行调节，其中，

当d≤D1，所述中控单元选取第一预设频率v1为所述搅拌机构的往复搅拌频率；

当D1＜d＜D2，所述中控单元选取第二预设频率v2为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量；

当d≥D2，所述中控单元选取第三预设频率v3为所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时降低干粒单次注入量；

其中，所述中控单元预设分散程度指标D，设定第一预设分散程度指标D1，第二预设分散程度指标D2，中控单元预设频率v，设定第一预设频率v1，第二预设频率v2，第三预设频率v3。

5.根据权利要求4所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，当混合物的分散程度符合标准时，所述中控单元判定执行步骤S3，中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z与预设平整度Z0相比较，对二次淋釉的淋釉量进行调节，其中，

当z≤Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度符合标准，中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯上的气泡量确定是否对待淋釉坯进行二次淋釉；

当z＞Z0，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯平整度不符合标准，中控单元对钟罩淋釉机构的倾斜角度进行调整。

6.根据权利要求5所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，所述中控单元根据一次淋釉后待淋釉坯厚度，获取一次淋釉后待淋釉坯的平整度z，设定z＝((b1-b0)²+(b2-b0)²+……+(by-b0)²)/y，其中，b1为一次淋釉后待淋釉坯第一检测位点厚度、b2为一次淋釉后待淋釉坯第二检测位点厚度……by为一次淋釉后待淋釉坯第y检测位点厚度，b0为一次淋釉后待淋釉坯各检测位点厚度平均值，y为大于2的自然数，表示检测位点总数。

7.根据权利要求5所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，所述中控单元获取一次淋釉后待淋釉坯上气泡量h与预设气泡量H相比较，对所述搅拌机构的往复搅拌频率以及干粒的熔融温度进行调节，其中，

当h≤H1，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量符合标准，中控单元判定对待淋釉坯进行二次淋釉；

当H1＜h＜H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元提高所述搅拌机构的往复搅拌频率；

当h≥H2，所述中控单元判定当前一次淋釉后待淋釉坯上气泡量不符合标准，中控单元不对待淋釉坯进行二次淋釉，同时提高所述搅拌机构的往复搅拌频率，同时提高干粒的熔融温度；

其中，所述中控单元预设气泡量H，设定第一预设气泡量H1、第二预设气泡量H2。

8.根据权利要求7所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，熔融的干粒通过送料机构注入所述反应机构，所述送料机构包括用于控制送料传输速率的第四驱动单元以及设置于送料传输器外部的惰性气体包围箱，所述惰性气体包围箱用于维持熔融干粒的温度，所述中控单元获取调节后的干粒单次注入量mj与预设单次注入量M相比较，对送料传输速率进行调节，其中，

当mj≤M1，所述中控单元选取第一预设传输速率f1为送料传输速率；

当M1＜mj＜M2，所述中控单元选取第二预设传输速率f2为送料传输速率；

当mj≥M2，所述中控单元选取第三预设传输速率f3为送料传输速率；

其中，所述中控单元预设传输速率f，设定第一预设传输速率f1，第二预设传输速率f2，第三预设传输速率f3，同时，中控单元预设单次注入量M，设定第一预设单次注入量M1，第二预设单次注入量M2。

9.根据权利要求8所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，所述中控单元预设熔融温度最大值Tmax，中控单元将调节后的熔融干粒温度T1与预设熔融温度最大值相比较，确定熔融温度，其中，

当T1＜Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为T1；

当T1≥Tmax，所述中控单元将熔融干粒温度设为Tmax，同时获取所述送料机构进料口和出料口的温度，对送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节。

10.根据权利要求9所述的基于冰晶干粒釉的湿法制备方法，其特征在于，所述中控单元根据所述送料机构进料口和出料口的温度获取干粒传输温差△t，设定△t＝t1-t2，其中，t1为送料机构进料口温度，t2为送料机构出料口温度，中控单元将干粒传输温差与预设温差标准值t0相比较，对送料机构的送料传输速率和惰性气体的注入温度进行调节，其中，

当△t≤t0-k，所述中控单元不对所述送料机构的传送速率和惰性气体的注入温度进行调节；

当t0-k＜△t＜t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率提高；

当△t≥t0+k，所述中控单元将所述送料机构的送料传输速率提高，同时提高惰性气体的注入温度；

其中，k为温度误差值。

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