CN115010367A

CN115010367A - 一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法

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Publication number: CN115010367A
Application number: CN202210582004.XA
Authority: CN
Inventors: 刘一军; 汪庆刚; 庞伟科; 杨元东; 邓来福; 潘岳
Original assignee: Monalisa Group Co Ltd
Current assignee: Monalisa Group Co Ltd
Priority date: 2022-05-26
Filing date: 2022-05-26
Publication date: 2022-09-06
Anticipated expiration: 2042-05-26
Also published as: CN115010367B

Abstract

本发明涉及一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法，属于陶瓷建材领域。所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉90‑99%，引晶干粒0.5‑5.0%，熔块0.5‑5.0%；所述引晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na₂O：5.0‑8.0%；SiO₂：20‑40%；Al₂O₃：5.0‑10%；ZnO：30‑60%；TiO₂：1.0‑8.0%。

Description

一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法

技术领域

本发明属于陶瓷建材领域，具体涉及一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法。

背景技术

建筑陶瓷中的结晶釉产品多以仿古面或者半抛面为开发方向，较少研究抛光面的结晶釉产品，尤其是具有晶花效果的全抛结晶釉产品。抛光面结晶釉产品的开发由于其特殊性和烧成方面的难题一直滞后。近年来，随着岩板的应用和推广变得越来越火热，消费者对岩板的需求量也越来越高，更多的装饰技术逐渐被推广到岩板的应用中。为了迎合岩板装饰技术的要求，同时推广装饰效果极具震撼性的结晶釉在岩板产品中的应用，推广可抛光的全抛结晶釉变得尤为重要。因此，随着岩板的发展应用越来越广泛，推广低温快烧可抛光结晶釉方面的开发变得越来越迫切。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法。通过对抛釉配方引入引晶干粒，在窑炉高温环境下引晶干粒和抛釉结合自然析出晶花，经过抛光获得具有亮光效果的全抛析晶艺术岩板产品。抛光后该产品镜面度良好，光泽度可达100°以上，立体装饰效果强，而且具有防污性能。

具体来说，第一方面，本发明提供了一种低温快烧全抛结晶釉。所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉90-99％，引晶干粒0.5-5.0％，熔块0.5-5.0％；所述引晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na₂O：5.0-8.0％；SiO₂：20-40％；Al₂O₃：5.0-10％；ZnO：30-60％；TiO₂：1.0-8.0％。

较佳地，所述引晶干粒的目数为80-160目。

较佳地，所述结晶抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：20-50％；Al₂O₃：5.0-10％；CaO：5.0-15％；MgO：0.5-2.0％；K₂O：2.0-4.0％；Na₂O：0.5-3.0％；ZnO：10-30％。

较佳地，所述熔块的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60％；Al₂O₃：1.0-3.0％；CaO：2.0-8.0％；MgO：0.1-1.0％；Na₂O：30-40％。

第二方面，本发明提供了一种全抛结晶釉艺术岩板的制备方法，包括以下步骤：

利用坯体粉料成型获得砖坯；

在砖坯表面施加面釉；

在施加面釉后的砖坯表面施加所述低温快烧全抛结晶釉；

将施加低温快烧全抛结晶釉后的砖坯烧成并抛光，得到所述全抛结晶釉艺术岩板。

较佳地，所述面釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60％；Al₂O₃：20-30％；K₂O：2.0-3.0％；Na₂O：1.0-2.0％；ZrO₂：6-10％。

较佳地，所述低温快烧全抛结晶釉的比重为1.85-1.95g/cm³，施釉量为1200-1600g/m²。

较佳地，所述制备方法还包括施加低温快烧全抛结晶釉之前在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案的工序。

较佳地，所述烧成的最高烧成温度为1185-1220℃，烧成时间为60-75分钟。

第三方面，本发明提供了一种根据上述制备方法得到的全抛结晶釉艺术岩板。

有益效果

(1)装饰效果好。相对普通喷墨抛光陶瓷岩板，本发明提供的艺术岩板在其砖面形成不同颜色的雪花状或花朵状的晶花，晶花粒径可达2-5mm，配上合适且色彩丰富的喷墨图案，可形成具有特殊晶花的装饰效果，立体感强。抛光后岩板通透性良好，适合不同颜色图案或纯色产品；

(2)适用范围广。本发明提供的岩板不受环境因素影响，能广泛应用于各种内墙及地面、背景墙家居桌面面板的装饰；

(3)易清扫。本发明提供的岩板完全烧结，吸水率控制在0.3％以内，且经抛光后打超洁亮，防污效果好，光泽度高，方便清扫；

(4)持久耐用。本发明提供的陶瓷岩板性能稳定，受时间、环境影响因素较小，耐磨度高，可长久保持如新，使用寿命长，具有广阔的市场经济效益。

附图说明

图1为本发明全抛结晶釉艺术岩板制备工艺路线示意图；

图2-5为本发明实施例1-4制备得到的全抛结晶釉艺术岩板样品的砖面效果图。

具体实施方式

以下通过实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。在没有特殊说明的情况下，各百分含量指质量百分含量。

以下结合附图1示例性地说明本发明所述全抛结晶釉艺术岩板的制备方法。

利用坯体粉料成型获得砖坯。坯体粉料的化学组成采用常规配方即可，优选采用白度较高的坯体粉料。

作为示例，所述岩板坯体粉料的化学组成包括：以质量百分含量计，SiO₂：50-65％；Al₂O₃：20-30％；K₂O：2.0-3.0％；Na₂O：3.0-4.0％。在一些实施方式中，坯体粉料的化学组成可以包括：以质量百分比计，IL：3.0-4.5％；SiO₂：50-65％；Al₂O₃：20-30％；Fe₂O₃：0.01-0.02％；TiO₂：0.01-0.1％；CaO：0.4-0.5％；MgO：0.5-1.0％；K₂O：2.0-3.0％；Na₂O：3.0-4.0％。

所述岩板坯体粉料的颗粒级配包括：以质量百分比计，30目以上：20-25％；30-80目：60-70％；80目以下≤6％。其中，30目以上指的是通过30目筛网的部分，80目以下指的是停留在80目筛网上的部分。使用上述颗粒级配的坯体粉料可以保证砖坯的成型性能。该坯体粉料的水分含量控制在8.5±3wt％为宜。

将上述坯体粉料的原料通过喷雾塔造粒后使用布料系统进行布料，而后利用压机成型为砖坯。例如，用于成型的压机压力为122000KN，成型次数为1.65次/分钟。当然，还可以将砖坯入干燥窑中干燥处理并于干燥后进行扫坯润湿。

在砖坯表面施加面釉。目的是遮盖坯体底色和瑕疵，利于喷墨图案发色。所述面釉优选为高硅高铝体系的面釉。

所述面釉的化学成分可以包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60％；Al₂O₃：20-30％；K₂O：2.0-3.0％；Na₂O：1.0-2.0％；ZrO₂：6-10％。通过使用高硅高铝钾钠助熔体系的面釉配方，可以较好地避免面釉与结晶抛釉之间的反应互渗，促进晶花生长。本发明所采用的面釉不能采用高钙高镁低温仿古面釉，主要原因在于：过多的钙镁会和结晶抛釉发生反应互渗，对结晶温度产生影响，从而不利于晶花的生长及形貌变化。在一些实施方式中，所述面釉的化学成分可以包括：以质量百分比计，IL：1.5-4.5％；SiO₂：45-60％；Al₂O₃：20-30％；Fe₂O₃：0.1-0.2％；TiO₂：0.1-0.2％；CaO：0.5-2.0％；MgO：0.5-2.0％；K₂O：2.0-3.0％；Na₂O：1.0-2.0％；ZrO₂：6-10％。

所述面釉的原料配方可以包括：以质量百分比计，钾长石25-35％、钠长石10-15％、石英10-20％、烧土5-8％、硅酸锆6-10％、烧滑石1-2％、硅灰石1-3％、高岭土10-15％。制备面釉时，将面釉的各原料加溶剂球磨均匀以制成釉浆。可选地在面釉中加入色料以满足颜色需求。所述面釉对于细度的要求是过200目筛网的筛余为0.5-0.8wt％。

所述施加面釉的方式可以为喷釉。例如，面釉的比重控制在1.48-1.55g/cm³，喷釉量控制为600-650g/m²。该面釉施加量可以保证砖面的平整度及其对坯体颜色、杂质的遮盖效果，同时能够保证窑炉烧制后砖型的合理性。

在施加面釉的砖坯表面喷墨打印图案。例如数码喷墨打印。喷墨打印图案的颜色和版面根据陶瓷岩板设计作适应性变化。在一些实施方式中，也可以根据岩板图案与成型效果选择不进行图案的打印。

对喷墨打印图案后的砖坯施加低温快烧全抛结晶釉(也可以称为“引干粒抛釉”或者“外加引晶干粒的结晶全抛釉”)。所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉90-99％，引晶干粒0.5-5.0％，熔块0.5-5.0％。在一些实施方式中，引干粒抛釉的原料组成可以包括：以质量百分比计，钾长石20-40％，石英10-20％，方解石5.0-15％，烧滑石2.0-5.0％，高岭土3.0-6.0％，二氧化钛3.0-6.0％，氧化锌15-40％，冰晶石0.5-3.0％。

所述结晶抛釉在低温快烧全抛结晶釉中的质量百分比控制在90-99％的范围为宜。否则，结晶抛釉的含量太高会导致析晶效果不明显，结晶抛釉的含量太低会导致晶花多而密，重叠而不清晰。所述结晶抛釉的化学成分可包括：以质量百分比计，SiO₂：20-50％；Al₂O₃：5.0-10％；CaO：5.0-15％；MgO：0.5-2.0％；K₂O：2.0-4.0％；Na₂O：0.5-3.0％；ZnO：10-30％。在一些实施方式中，所述结晶抛釉的化学成分可以包括：以质量百分比计，IL：1.0-5.0％；SiO₂：20-50％；Al₂O₃：5.0-10％；Fe₂O₃：0.1-0.2％；TiO₂：0.5-10％；CaO：5.0-15％；MgO：0.5-2.0％；K₂O：2.0-4.0％；Na₂O：0.5-3.0％；ZnO：10-30％；BaO：0.5-1.0％。

所述结晶抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，钾长石10-25％，钠长石5.0-20％，石英10-20％，方解石5-15％，烧滑石2-8％，高岭土5-10％，玻璃粉5-10％，微晶粉10-20％，氧化锌10-30％，二氧化钛5-10％，冰晶石0.1-1％。

引晶干粒在低温快烧全抛结晶釉中的质量百分比控制在0.5-5.0％的范围为宜。否则，引晶干粒的含量太高会导致晶花重叠过多，从而影响图案清晰度；引晶干粒的含量太低会导致晶花较少，影响装饰效果。所述引晶干粒的化学组成可包括：以质量百分比计，Na₂O：5.0-8.0％；SiO₂：20-40％；Al₂O₃：5.0-10％；ZnO：30-60％；TiO₂：1.0-8.0％。在一些实施方式中，所述引晶干粒的化学组成可以为：以质量百分比计，IL：1.5-4.5％；Na₂O：5.0-8.0％；SiO₂：20-40％；Al₂O₃：5.0-10％；CaO：0.5-1.0％；MgO：0.1-0.3％；ZnO：30-60％；ZrO₂：0.2-0.5％；TiO₂：1.0-8.0％。上述引晶干粒的始融温度为950-1050℃。

在所述引晶干粒的化学组成成分中，起主要作用的为氧化钠、氧化锌和二氧化钛。氧化钠起到调节干粒高温粘度及加速扩散的作用，能够促进熔体析晶；二氧化钛作为乳浊剂，配位数较高、阳离子场较大，在高温熔融过程中易从硅酸盐网络中分出，促进分相、析晶；氧化锌则主要起到结晶促进剂的作用。不同于以氧化锡和氧化钨系为晶核剂的结晶釉，本发明提供的外加引晶干粒的结晶全抛釉中晶花主要在釉层中间产生，晶花悬浮在玻璃相中间，结合喷墨图案的砖面经抛光后能够呈现良好的晶莹剔透的装饰效果。然而，以氧化锡和氧化钨系为晶核剂的结晶釉仅能以表面析晶的方式产生晶花，不可用于抛光。

所述引晶干粒的原料组成包括：以质量百分比计，钠长石20-40％，氧化锌40-60％，二氧化钛3-6％，硅灰石2-3％，硼砂1-2％。制备引晶干粒时，将引晶干粒的原料混合并在电炉经过1300-1400℃(例如1350℃)熔融6-8小时，然后冷却水淬得到所述引晶干粒。

所述引晶干粒的目数为80-160目。引晶干粒目数过大会引起熔融温度偏高，干粒在釉中悬浮性较差，钟罩淋釉时导致釉面不均匀，影响装饰效果；干粒目数过小会引起熔融温度偏低，与釉浆经高温烧制后会融合在一起，导致晶花粒径偏小，同样影响装饰效果。

熔块在低温快烧全抛结晶釉中的质量百分比控制在0.5-5.0％的范围为宜。否则，熔块的含量过高会导致晶花稀疏且相对形状不清晰；熔块的含量过低会导致晶花过密、重叠部分过多，边界、形状不清晰。所述熔块的始融温度为900-1000℃。熔块的化学成分包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60％；Al₂O₃：1.0-3.0％；CaO：2.0-8.0％；MgO：0.1-1.0％；Na₂O：30-40％。优选地，所述熔块还包括0.2-0.5wt％的P₂O₅。引干粒抛釉中熔块的加入，一方面可以快速降低抛釉的高温粘度，使得在高温融合反应中晶花更容易析出及生长；另一方面，还可以减少生料烧失过大可能造成的釉面不平等缺陷。

所述熔块的原料组成包括：以质量百分比计，钠长石30-40％，石英10-20％，硅灰石2-5％，方解石3-5％，钠玻璃粉20-40％。

现有的抛釉结晶时会由于喷墨图案灰度过大，出现局部缩釉的缺陷。本发明将引晶干粒与釉料混合使用，在抛釉的配方中引入引晶物质。引晶干粒和结晶抛釉在高温烧成过程中会发生成分融合，晶核剂氧化钛和结晶促进物质氧化锌饱和的情况下，引晶物质和抛釉结合后自然析出晶花。此时，晶花主要围绕晶核干粒进行生长，从而可以达到晶花可控定位生长的目的。

所述低温快烧全抛结晶釉的施加方式为淋施。喷施的方式不适合于本发明的低温快烧全抛结晶釉，主要原因在于喷釉的方式会导致晶花形态不够清晰，砖面的四边容易因釉量不均、收水过慢造成晶花重叠过多而出现图案模糊的现象。

所述低温快烧全抛结晶釉的比重为1.85-1.95g/cm³，施釉量为1200-1600g/m²。通过控制全抛结晶釉的比重、施釉量可以保证合适的釉层厚度。釉层厚度过小，会导致晶花过于稀少；釉层厚度过大，则会导致晶花重叠过多、透感变差。因此，通过控制全抛结晶釉的比重、施釉量可以控制合适的釉层厚度，进而有利于晶花的形成及提高陶瓷岩板的装饰性能。

将施加低温快烧全抛结晶釉的砖坯干燥。干燥温度可为150-300℃，干燥后坯体水分控制在0.5wt％以内。

进窑烧成。所述烧成的最高烧成温度为1185-1220℃，烧成时间可以为60-75分钟。烧成温度过高、保温时间过长，会导致晶花“溶解”消失；烧成温度过低，则不利于晶花的生长及形成。当然，合适的急冷制度也有利于晶花的生长及形态的固化，促进装饰效果的提升。

抛光，得到全抛结晶釉艺术岩板。抛光用模块的目数可为：100目3组，180目2组，240目2组，400目2组，800目1组，1000目2组，1500目4组，1800目3组。抛光后岩板的表面光泽度达到95度以上。作为优选，还可以对抛光后的岩板进行打磨超洁亮蜡水以进一步提高岩板表面的光泽和细腻程度。

上述制备方法能够获得具有亮光效果的全抛析晶艺术岩板产品，所得到的艺术岩板产品抛光后镜面度良好，光泽度可达100°以上，同时具有良好的防污性能与立体装饰效果。

本发明所述低温快烧全抛结晶釉通过向高硅低铝高钙镁复合钾钠的(亮光)结晶抛釉中引入引晶干粒。一方面，所述抛釉低铝、低高温粘度的特性有利于引晶物质中氧化锌、氧化钛达到饱和时析晶的进行；另一方面，亮光抛釉的透感优于哑光体系抛釉透感，然而晶花的形成往往会牺牲部分透感，所以为了达到更好的装饰效果，采用亮光抛釉的体系会更优于哑光体系。

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

全抛结晶釉艺术岩板的制备方法包括以下步骤：

(1)利用坯体粉料成型获得砖坯并进行扫坯润湿。

(2)在润湿后的砖坯表面施加面釉。面釉的化学组成包括：以质量百分比计，IL：3.6％；SiO₂：55.8％；Al₂O₃：26.6％；Fe₂O₃：0.1％；TiO₂：0.15％；CaO：0.55％；MgO：0.75％；K₂O：2.2％；Na₂O：1.43％；ZrO₂：8.75％。面釉的比重控制在1.48-1.55g/cm³，喷釉量控制为600-650g/m²。

(3)在施加面釉的砖坯表面喷墨打印图案。

(4)对喷墨打印图案后的砖坯淋施引干粒抛釉。所述引干粒抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉97％，引晶干粒1％，熔块2％。结晶抛釉化学成分包括：以质量百分比计，IL：4.5％；SiO₂：45.5％；Al₂O₃：7.3％；Fe₂O₃：0.2％；TiO₂：6.2％；CaO：7.5％；MgO：1.75％；K₂O：2.51％；Na₂O：1.36％；ZnO：22.6％；BaO：0.58％。引晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，IL：1.5％；Na₂O：7.5％；SiO₂：23.1％；Al₂O₃：5.2％；CaO：0.5％；MgO：0.25％；ZnO：58.6％；ZrO₂：0.23％；TiO₂：3.75％。熔块的化学成分包括：以质量百分比计，SiO₂：58.8％；Al₂O₃：2.95％；CaO：6.5％；MgO：0.85％；Na₂O：30.2％；P₂O₅：0.4％。引干粒抛釉的比重为1.90g/cm³，施加量为1300g/m²。

(5)将施加引干粒抛釉的砖坯干燥。

(6)进窑烧成。所述烧成的最高烧成温度为1215℃，烧成时间为70分钟。

(7)抛光，得到全抛结晶釉艺术岩板。

实施例2

实施例2与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：(4)所述引干粒抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉97％，引晶干粒2％，熔块1％。引干粒抛釉比重为1.92g/cm³，淋涂量为1200g/m²。(6)烧成的最高烧成温度为1210℃，烧成时间为75分钟。

实施例3

实施例3与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：(4)所述引干粒抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉94％，引晶干粒3％，熔块3％。引干粒抛釉比重为1.93g/cm³，淋涂量为1400g/m²。(6)烧成的最高烧成温度为1220℃，烧成时间为75分钟。

实施例4

实施例4与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：(4)所述引干粒抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉91％，引晶干粒4％，熔块5％。引干粒抛釉比重为1.89g/cm³，淋涂量为1200g/m²。(6)烧成的最高烧成温度为1220℃。

本发明实施例1-4制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面效果图如图2-5所示。从图中可以看出，本发明制备得到的全抛结晶釉艺术岩板晶花呈现多种颜色与形状，而且具有良好的立体悬浮感与装饰效果。

对比例1

对比例1与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：对比例1没有加入引晶干粒。对比例1制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面观察不到晶花。

对比例2

对比例2与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：对比例2中引晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，IL：0.45％；Na₂O：8.1％；SiO₂：29.5％；Al₂O₃：11.5％；CaO：0.3％；MgO：0.2％；ZnO：45.7％；ZrO₂：0.21％；TiO₂：4.0％。对比例2制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面晶花细小泛白，且小晶花密而不均匀，与图案结合点缀效果较差。

对比例3

对比例3与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：所述引干粒抛釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉89％，引晶干粒10％，熔块1％。对比例3制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面晶花重叠过多，釉面泛白，图案的清晰度较差，装饰效果整体不佳。

对比例4

对比例4与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：烧成的最高烧成温度为1180℃，烧成时间为55分钟。对比例4制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面无晶花形成，砖面抛光前较实施例1制备得到的样品光泽度低30度以上。

对比例5

对比例5与实施例1的技术方案基本相同，主要区别在于：本对比例采用引晶干粒与抛釉先后施加的方式进行。将引晶干粒、印油按照质量比1：50混合均匀；然后，将其喷涂在喷墨打印图案后的砖坯表面，喷施量为200-220g/m²；之后，再淋施不加引晶干粒的抛釉，施加量为1300g/m²。对比例5制备得到的全抛结晶釉艺术岩板砖面的晶花较小，装饰效果不理想。

Claims

1.一种低温快烧全抛结晶釉，其特征在于，所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成包括：以质量百分比计，结晶抛釉90-99%，引晶干粒0.5-5.0%，熔块0.5-5.0%；所述引晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na₂O：5.0-8.0%；SiO₂：20-40%；Al₂O₃：5.0-10%；ZnO：30-60%；TiO₂：1.0-8.0%。

2.根据权利要求1所述的低温快烧全抛结晶釉，其特征在于，所述引晶干粒的目数为80-160目。

3.根据权利要求1所述的低温快烧全抛结晶釉，其特征在于，所述结晶抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：20-50%；Al₂O₃：5.0-10%；CaO：5.0-15%；MgO：0.5-2.0%；K₂O：2.0-4.0%；Na₂O：0.5-3.0%；ZnO：10-30%。

4.根据权利要求1所述的低温快烧全抛结晶釉，其特征在于，所述熔块的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60%；Al₂O₃：1.0-3.0%；CaO：2.0-8.0%；MgO：0.1-1.0%；Na₂O：30-40%。

5.一种全抛结晶釉艺术岩板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用坯体粉料成型获得砖坯；

在砖坯表面施加面釉；

在施加面釉后的砖坯表面施加权利要求1至4中任一项所述的低温快烧全抛结晶釉；

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述面釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO₂：45-60%；Al₂O₃：20-30%；K₂O：2.0-3.0%；Na₂O：1.0-2.0%；ZrO₂：6-10%。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述低温快烧全抛结晶釉的比重为1.85-1.95 g/cm³，施釉量为1200-1600 g/m²。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括施加低温快烧全抛结晶釉之前在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案的工序。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述烧成的最高烧成温度为1185-1220℃，烧成时间为60-75分钟。

10.一种根据权利要求5至9中任一项所述的制备方法得到的全抛结晶釉艺术岩板。