发明内容
基于此,本发明提供一种亚光釉料、超平细腻釉面砖及其制备方法,该亚光釉料形成的釉面亚光效果好,且光泽均匀。
本发明的第一方面,提供一种亚光釉料,以重量份计,包括如下原料组分:
釉料基料57份~89份、氧化铝4份~8份、二氧化硅3份~6份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份;
其中,所述氧化铝为纳米氧化铝,所述二氧化硅为纳米二氧化硅,所述晶核形成剂为氧化锌和/或二氧化钛。
在其中一个实施例中,所述亚光釉料具有如下所示特征中的一种或多种:
(1)所述晶核形成剂为氧化锌;
(2)所述纳米氧化铝的粒径为50nm~80nm;
(3)所述纳米二氧化硅的粒径为40nm~70nm。
在其中一个实施例中,所述釉料基料包括高岭土、一价氧化物和二价氧化物;其中,所述一价氧化物包括钾长石、钠长石、碳酸钠和锂辉石中的一种或多种,所述二价氧化物包括硫酸钡、透辉石和白云石中的一种或多种。
在其中一个实施例中,所述的亚光釉料以重量份计,包括如下原料组分:
水洗高岭土6份~12份、氧化铝4份~8份、二氧化硅3份~6份、钾长石12份~18份、钠长石15份~25份、碳酸钠8份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石8份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份。
在其中一个实施例中,所述亚光釉料以重量份计,包括如下原料组分:
水洗高岭土6份~12份、氧化铝7份~8份、二氧化硅5份~6份、钾长石12份~18份、钠长石15份~25份、碳酸钠8份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石8份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~9份;
或,所述亚光釉料以重量份计,包括如下原料组分:
水洗高岭土6份~12份、氧化铝4份~8份、二氧化硅3份~6份、钾长石16份~18份、钠长石23份~25份、碳酸钠11份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石9份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份。
本发明的第二方面,提供第一方面所述的亚光釉料的制备方法,包括如下步骤:
混合所述原料组分,制备混合料;
将所述混合料进行第一次烧成和第一次冷却,制备所述亚光釉料。
在其中一个实施例中,所述制备方法具有如下所示特征中的至少一个:
(1)所述第一次烧成的温度为1300℃~1450℃,所述第一次烧成的时间为50min~70min;
(2)冷却结束后,还包括加工成粉的步骤,使所述亚光釉料的粒径为50μm~80μm。
本发明的第三方面,提供一种超平细腻釉面砖,包括底坯以及面釉层,所述面釉层通过第一方面所述的亚光釉料制备得到。
在其中一个实施例中,所述面釉层包含晶粒,所述晶粒的粒径为0.3μm~0.4μm。
本发明的第四方面,提供第三方面所述的超平细腻釉面砖的制备方法,包括如下步骤:
将所述亚光釉料分散于悬浮剂中,制备釉浆;
将所述釉浆施加至底坯表面,进行第二次烧成和第二次冷却,制备所述超平细腻釉面砖。
在其中一个实施例中,所述制备方法具有如下所示特征中的至少一个:
(1)所述第二次烧成的温度为1100℃~1250℃,所述第二次烧成的时间为55min~75min;
(2)所述第二次冷却的程序包括:
第一冷却阶段:在25s~35s时间内使第二次烧成后的砖坯的表面温度冷却至550℃~570℃;
第二冷却阶段:停止冷却处理,砖坯的表面温度上升至750℃~850℃;然后先以8℃~12℃/分钟降温3min~7min,再以13℃~17℃/分钟降温3min~7min,再以18℃~22℃/分钟降温3min~7min,再以38℃~42℃/5分钟降温至60℃~80℃;然后继续降温至室温。
上述亚光釉料通过合理配置各原料组分,特别是将纳米氧化铝、纳米二氧化硅以及磷酸钙以特定的比例加入,并以氧化锌和/或二氧化钛作为晶核形成剂,如此可以充分降低釉料在烧成时的高温粘度,促使釉料基料形成均匀细小的晶粒,晶粒大小控制在0.34μm~0.4μm,均匀分布在釉料玻璃相中,如此获得的亚光釉面亚光效果好,且光泽度均匀。进一步地,还可以达到手感细腻、釉面平整和耐磨性好的优点。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的一种亚光釉料、超平细腻釉面砖及其制备方法作进一步详细的说明。本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明公开内容理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
本文中,“至少一个”指所列项目的任一个、任两个或任两个以上。
本发明中,“第一方面”、“第二方面”、“第三方面”、“第四方面”等仅用于描述目的,不能理解为指示或暗示相对重要性或数量,也不能理解为隐含指明所指示的技术特征的重要性或数量。而且“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅起到非穷举式的列举描述目的,应当理解并不构成对数量的封闭式限定。
本发明中,以开放式描述的技术特征中,包括所列举特征组成的封闭式技术方案,也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中,涉及到数值区间,如无特别说明,上述数值区间内视为连续,且包括该范围的最小值及最大值,以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地,当范围是指整数时,包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外,当提供多个范围描述特征或特性时,可以合并该范围。换言之,除非另有指明,否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
本发明中涉及的百分比含量,如无特别说明,对于固液混合和固相-固相混合均指质量百分比,对于液相-液相混合指体积百分比。
本发明中涉及的百分比浓度,如无特别说明,均指终浓度。所述终浓度,指添加成分在添加该成分后的体系中的占比。
本发明中的温度参数,如无特别限定,既允许为恒温处理,也允许在一定温度区间内进行处理。所述的恒温处理允许温度在仪器控制的精度范围内进行波动。
本发明中的室温一般指4℃~30℃,较佳地指20±5℃。
亚光釉面陶瓷产品,主要以其对光照产生漫反射而产生亚光光泽度。就亚光机理而言,传统方法一方面是通过增多釉面高熔点组分,生烧时在釉面形成乳浊从而形成亚光光泽;另一方面是通过加入过量的氧化物,在釉烧时形成各种晶粒,晶粒再对于光照形成折射及漫反射,从而形成亚光效果。其中又以后者为主流方法。但是,加入过量的氧化物的这种控制晶粒而产生亚光效果的方法,有较多问题存在:
1、形成的晶粒过大,且由于晶粒同玻璃相之间膨胀系数存在差异导致釉面存在微细裂纹,使得釉面不够细腻;
2、釉层中晶粒体生长存在晶粒过大且分布不均匀,而造成玻璃相和晶粒都占据较大区域,从而使釉面形成玻璃相多的地方光泽偏亮,晶粒多的地方偏哑,而造成釉面光感不连续,而降低了亚光釉面的档次。
基于此,本发明的一示例提供一种亚光釉料,以重量份计,包括如下原料组分:
釉料基料57份~89份、氧化铝4份~8份、二氧化硅3份~6份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份;
其中,所述氧化铝为纳米氧化铝,所述二氧化硅为纳米二氧化硅,所述晶核形成剂为氧化锌和/或二氧化钛。
可以理解地,釉料基料是指传统用于制备亚光釉面的物料。不作限制地,在其中一个示例中,所述釉料基料包括高岭土、一价氧化物和二价氧化物。
在其中一个示例中,所述一价氧化物包括钾长石、钠长石、碳酸钠和锂辉石中的一种或多种。
在其中一个示例中,所述二价氧化物包括硫酸钡、透辉石和白云石中的一种或多种。
在其中一个示例中,水洗高岭土6份~12份、纳米氧化铝4份~8份、纳米二氧化硅3份~6份、钾长石12份~18份、钠长石15份~25份、碳酸钠8份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石8份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份。
具体地,所述釉料的原料组分中:
水洗高岭土主要成份为Al2O3:35%~38%,SiO2:58%~62%,其余为结构水及部分有机物,高岭土在上述亚光釉料配方中主要提供Al2O3和SiO2,为釉料的主要骨架。水洗高岭土的重量份为6份~12份,小于6份则造成釉料配方成熟温度偏低,高于12份则造成釉料白度增加造成失透。进一步地,水洗高岭土的重量份包括但不限于:6份、7份、8份、9份、10份、11份、12份。
纳米氧化铝中Al2O3的含量在99.8%以上,其具有较大的比表面积及较强的分散性,在配方中同其他组份一起烧成时,能够充分和氧及硅反应形成铝氧四面体,同硅氧四面体形成统一致密的网络,在使用普通氧化铝的10%的前提下即可达到普通氧化铝的作用,大大减少了普通氧化铝由于难以溶解造成的釉面不平整问题。纳米氧化铝的重量份为4份~8份,少于4份提供的Al2O3量不够,形成的铝氧四面体偏少,多于8份则过量引起釉面发白发蒙现象。进一步地,纳米氧化铝的重量份包括但不限于:4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份。
在其中一个示例中,所述纳米氧化铝的粒径为50nm~80nm。具体地,所述纳米氧化铝的粒径包括但不限于:50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、80nm。
纳米二氧化硅具有较强的分散性及较大的表面积,在配方中可以同各组分充分反应形成硅氧四面体的玻璃相,相对于通常主要提供SiO2的石英来说,不易由于残留游离态石英而造成釉面裂纹进而影响釉面平整度,同时不会增加釉料的高温粘度,进一步保证釉面的平整度。纳米二氧化硅的重量份为3份~6份,少于3份提供的SiO2量不够,多于6份则过量引起釉面发白发蒙现象。进一步地,纳米二氧化硅的重量份包括但不限于:3份、3.5份、4份、4.5份、5份、5.5份、6份。不作限制地,所述纳米二氧化硅通过沉淀法制备。
在其中一个示例中,所述纳米二氧化硅的粒径为40nm~70nm。具体地,所述纳米二氧化硅的粒径包括但不限于:40nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm。
钾长石主要提供一价熔剂K2O,其具有降低釉料成熟温度的作用,进而降低釉料的高温粘度,较低的高温粘度可以促使各氧化物形成各类晶体,钾长石同时可以提供化合物Al2O3和SiO2,其相对于单独的加入氧化铝和石英更易于加速各组分的反应。钾长石的重量份为12份~18份,过少则K2O含量不足造成釉料成熟温度偏高,过多则造成釉料成熟温度过低,造成烧成范围偏小。进一步地,钾长石的重量份包括但不限于:12份、13份、14份、15份、16份、17份、18份。
钠长石主要提供一价氧化物Na2O,其具有降低釉料的温度,同时具有相对于K2O更有效的降低高温粘度的作用。钠长石的重量份为15份~25份,过少则提供的Na2O量不足,使得釉料高温粘度偏大,且形成的釉料钠长石晶粒(具有较好柔顺手感)偏少,用量过大则造成釉料烧成范围偏小。进一步地,钠长石的重量份包括但不限于:15份、16份、17份、18份、19份、20份、21份、22份、23份、24份、25份。
碳酸钠的成份为Na2CO3,在配方中同其他组分一起烧成时分解,形成的CO2排出,留下Na2O可补充一价熔剂氧化钠,同时在各组分烧成时,降低烧成温度,可使釉料充分反应。碳酸钠的重量份为8份~12份。进一步地,碳酸钠的重量份包括但不限于:8份、9份、10份、11份、12份。
碳酸钡的成份为BaCO3,在同釉料其他组分一起烧成时分解,形成的CO2排出,留下BaO,主要作用在于提供二价氧化物BaO,最终应用于釉面砖上后形成钡长石晶体,钡长石晶体具有层状结构,是釉面具有较为细腻的手感主要原因。碳酸钡的重量份为8份~12份。进一步地,碳酸钡的重量份包括但不限于:8份、9份、10份、11份、12份。
锂辉石主要提供Li2O,其具有比Na2O更强的助熔作用,可大大降低釉料的高温粘度,使得各组分之间充分反应,同时提供化合物成份Al2O3和SiO2,所形成的锂长石晶体具有较好的透明度。锂辉石的重量份为8份~10份。进一步地,锂辉石的重量份包括但不限于:8份、9份、10份。
磷酸钙主要提供CaO和P2O5,CaO在釉烧后形成钙长石晶体,其主要为柱状的结构,分散于玻璃相中间,是釉面具有亚光光泽的主要成份,P2O5的引入,使釉熔体的表面能明显下降,使得釉对坯的润湿角减小,也即釉对坯的润湿能力增加,釉熔体更易于在坯体上均匀铺展,同时磷酸钙的引入使釉面更加平整细腻。磷酸钙的重量份为8份~10份,过少的情况下,CaO的含量不够,造成形成钙长石量不足,过多时,P2O5的含量较高,釉面由于表面张力过小而造成流釉现象。进一步地,磷酸钙的重量份包括但不限于:8份、8.5份、9份、9.5份、10份。
在其中一个示例中,所述的亚光釉料以重量份计,包括如下原料组分:
水洗高岭土6份~12份、纳米氧化铝7份~8份、纳米二氧化硅5份~6份、钾长石12份~18份、钠长石15份~25份、碳酸钠8份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石8份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~9份。
在其中一个示例中,所述的亚光釉料以重量份计,包括如下原料组分:
水洗高岭土6份~12份、纳米氧化铝4份~8份、纳米二氧化硅3份~6份、钾长石16份~18份、钠长石23份~25份、碳酸钠11份~12份、硫酸钡8份~12份、锂辉石9份~10份、晶核形成剂6份~10份以及磷酸钙8份~10份。
在其中一个示例中,所述晶核形成剂为氧化锌。所述氧化锌为煅烧后的氧化锌,主要成份为ZnO,含量在99.8%以上。在烧成时氧化锌起着强助熔的作用,大大提高了釉料的烧成范围,在高保温区,可以大大的降低釉料的高温粘度。同时,氧化锌作为一种晶核形成剂具有较为重要的作用,在冷却时可使各个区域分布均匀的形成细小的晶体,并加速各类氧化物晶体的形成。同时氧化锌自身形成锌铝尖晶石晶体,其具有较大的硬度可大大提高釉面的硬度,且晶粒细小、釉面较为平顺。氧化锌的重量份为6份~10份,过小的含量则形成晶核不够,过多的含量则易造成氧化锌析晶过多,造成釉面失透。具体地,氧化锌的重量份包括但不限于:6份、7份、8份、9份、10份。
本发明另一示例提供如上所述的亚光釉料的制备方法,包括如下步骤:
混合所述原料组分,制备混合料;
将所述混合料进行第一次烧成和第一次冷却,制备所述亚光釉料。
在其中一个示例中,所述第一次烧成的温度为1300℃~1450℃,所述第一次烧成的时间为50min~70min。如此形成熔融状态的高温液体,经过充分熔融的各组分之间反应充分,各有机物充分分解,碳酸盐类分解气体排出,Al2O3和SiO2同在氧化物的助熔下,形成玻璃相和莫来石晶相,剩余的多种氧化物逐步稳定的形成细小的晶粒,从而形成具有亚光光泽且具有大量细小晶体的亚光釉料粉体。进一步地,所述第一次烧成的温度为1380℃~1420℃,所述第一次烧成的时间为55min~65min。
在其中一个示例中,冷却是指将高温液体流入冷水中进行淬冷。如此制备得到玻璃状釉料。
在其中一个示例中,冷却结束后,还包括加工成粉的步骤,使所述亚光釉料的粒径为50μm~80μm。此粒径的釉料粉体,当再次应用在产品表面进行釉烧时,较细的粒径加速了釉料之间的充分熔融,在一定的烧成时间内,增加了釉料处在熔融状态的时间,为釉料再次形成晶体提供了足够的时间,有利于熔融反应的进行以及玻璃相和晶粒的分相。同时超细的釉料粉体更易于均匀平铺于产品表面,为釉面具有较为平整细腻的效果提供保障。不作限制地,加工成粉的方式为磨加工。
本发明的一示例还提供一种超平细腻釉面砖,包括底坯以及面釉层,所述面釉层通过如上所述的亚光釉料制备得到。
在其中一个示例中,所述底坯以及面釉层之间还包括化妆土层。可以理解地,化妆土是一种传统釉料,可通过市售获得,具有质地细腻、色泽均匀、遮盖力较强、耐火度高、表现力丰富等特性。
在其中一个示例中,所述面釉层包含晶粒,所述晶粒的粒径为0.3μm~0.4μm。
本发明的一示例还提供如上所述的超平细腻釉面砖的制备方法,包括如下步骤:
将所述亚光面釉分散于悬浮剂中,制备釉浆;
将所述釉浆施加至底坯表面,进行第二次烧成和第二次冷却,制备所述超平细腻釉面砖。
不作限制地,所述悬浮剂可以采用本领域的已知种类。在其中一个示例中,所述悬浮剂包括甲基纤维素钠、膨润土和溶剂。进一步地,甲基纤维素钠和膨润土的质量比为(2~4):1。不作限制地,溶剂可举例如乙二醇和水的混合物
在其中一个示例中,将所述釉浆施加至底坯表面之前,还包括在所述底坯表面施加化妆土形成化妆土层的步骤。具体地,施加化妆土的方式可采用本领域的已知方法。
在其中一个示例中,所述第二次烧成的温度为1100℃~1250℃,所述第二次烧成的时间为55min~75min。如此给予釉料充分反应及晶核形成的时间。进一步地,所述第二次烧成的温度为1150℃~1190℃,所述第二次烧成的时间为60min~70min。
在其中一个示例中,第二次冷却的程序采取急冷及缓冷并用的方式。具体地,所述第二次冷却的程序包括:
S1、第一冷却阶段:在25s~35s时间内使第二次烧成后的砖坯的表面温度冷却至550℃~570℃。不作限制地,可通过往窑炉中打入冷风的方式实现。在此过程中,氧化锌晶核剂起到作用,使各组份初步形成晶粒。
S2、第二冷却阶段:停止冷却处理,砖坯的表面温度上升至750℃~850℃,可以理解地,停止冷却处理后,砖坯内部的热量会自然释放,如此即可使砖坯的表面温度上升至750℃~850℃;然后先以8℃~12℃/分钟降温3min~7min,再以13℃~17℃/分钟降温3min~7min,再以18℃~22℃/分钟降温3min~7min,再以38℃~42℃/5分钟降温至60℃~80℃。在该过程中,晶体逐步形成并长大,同时通过控制降温速率,以避免晶粒生长过于大并使晶粒均匀分布于釉层当中,同时可使砖坯石英平稳转换,防止产品出现裂纹,提升釉面的平整性。
S3、第三冷却阶段:继续降温至室温。具体地,第一冷却阶段和第二冷却阶段由于需要控温,可以在窑炉中进行。第三冷却阶段无需特别控温,可以在出窑后进行。同时,第三冷却阶段已基本不再有晶型的转化和生成,可以通过如强冷风机加速冷却,也可以自然冷却。
如此,通过调整合理的烧成曲线特别是冷却程序,使釉层中晶粒充分的形成,并严格控制了晶粒的大小,并且晶粒均匀的分布于釉层玻璃相当中,解决了釉层析晶过大而造成的手感粗,以及析晶不均匀形成的光泽度不均匀等问题。
以下为具体的实施例。
实施例1
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤如下:
(1)制备亚光釉料粉体:取水洗高岭土:9份,纳米氧化铝(粒径为60nm):6份,纳米二氧化硅(粒径为60nm):4份,钾长石:15份,钠长石:20份,碳酸钠:10份,硫酸钡:10份,锂辉石:9份,氧化锌:8份,磷酸钙:9份,各组分均匀混合后,输送进高温熔块烧成炉中,设定温度为1400℃,经过60分钟的烧成,形成熔融状态的高温液体,流入冷水中进行淬冷,得到块状的玻璃状釉料,经过磨加工以及过筛形成50μm~80μm的粉状超细釉料粉体。
(2)制备亚光干粒釉浆:以粉状超细釉料粉体同悬浮剂比例为1:3,经混合均匀得到亚光釉料釉浆,流速控制在35秒/100mL,所述悬浮剂为9022A(购自江西千陶釉料公司,其组成为甲基纤维素钠:乙二醇:水:膨润土(质量比)=5:70:23:2)。
(3)按照常规方法压制砖坯;
(4)对经过干燥的砖坯施淋化妆土及打印图案;
(5)对经过打印图案的砖坯施淋步骤(2)的亚光干粒釉浆,施釉量控制在180克/m2;
(6)经过施淋亚光干粒釉浆的砖坯,进入辊道窑进行烧成,设定实际烧成温度为1168℃,烧成时间为65分钟。设定冷却程序如下:
S1、第一冷却阶段:在30s时间内使砖坯的表面温度冷却至560℃;
S2、第二冷却阶段:停止冷却处理,砖坯内部的热量自然释放并使砖坯的表面温度上升至约800℃;然后先以10℃/分钟降温5min,再以15℃/分钟降温5min,再以20℃/分钟降温5min,再以40℃/5分钟降温至70℃,出窑;
S3、出窑后由强冷风机冷却至室温。
实施例2
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于纳米氧化铝、纳米二氧化硅和磷酸钙的重量份不同。具体配料如下:
水洗高岭土:9份,纳米氧化铝:4份,纳米二氧化硅:3份,钾长石:15份,钠长石:20份,碳酸钠:10份,硫酸钡:10份,锂辉石:9份,氧化锌:8份,磷酸钙:10份。
实施例3
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于纳米氧化铝、纳米二氧化硅和磷酸钙的重量份不同。具体配料如下:
水洗高岭土:9份,纳米氧化铝:8份,纳米二氧化硅:6份,钾长石:15份,钠长石:20份,碳酸钠:10份,硫酸钡:10份,锂辉石:9份,氧化锌:8份,磷酸钙:8份。
实施例4
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于钾长石、钠长石、碳酸钠和锂辉石的重量份不同。具体配料如下:
水洗高岭土:9份,纳米氧化铝:6份,纳米二氧化硅:4份,钾长石:12份,钠长石:15份,碳酸钠:8份,硫酸钡:10份,锂辉石:8份,氧化锌:8份,磷酸钙:9份。
实施例5
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于钾长石、钠长石、碳酸钠和锂辉石的重量份不同。具体配料如下:
水洗高岭土:9份,纳米氧化铝:6份,纳米二氧化硅:4份,钾长石:18份,钠长石:25份,碳酸钠:12份,硫酸钡:10份,锂辉石:10份,氧化锌:8份,磷酸钙:9份。
实施例6
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:以二氧化钛替代氧化锌。
实施例7
本实施例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:步骤(6)中,在30s时间内使砖坯的表面温度冷却至560℃,然后在20分钟内冷却至室温。
实施例8
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于纳米氧化铝和纳米二氧化硅的粒径不同,分别为50nm和70nm。
实施例9
本实施例为一种亚光釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于纳米氧化铝和纳米二氧化硅的粒径不同,分别为80nm和40nm。
实施例10
本实施例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:透辉石代替锂辉石。
对比例1
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:以氧化铝(粒径为40μm)代替纳米氧化铝。
对比例2
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:以石英(粒径为50μm)代替纳米二氧化硅。
对比例3
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:煅烧高岭土代替纳米氧化铝。
对比例4
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:超白硅砂代替纳米二氧化硅。
对比例5
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:硅灰石代替磷酸钙。
对比例6
本对比例为一种釉面砖的制备方法,步骤同实施例1,主要区别在于:磷酸钙的重量份为15份。
测试例:
针对产品的超平、细腻和亚光效果进行检测,主要检测方法如下:
(1)评判釉面超平及细腻的检测方法为采用表面轮廓仪测试数值,测试釉面的平整度,数值越小代表表面越平整;
(2)釉面光泽的检测为运用三联科仪光泽度仪进行光泽度检测,步骤为:A:打开开关。B:对照标样调整光泽度到标样数值。C:把光度仪直接置于样品表面检测光泽度数值,亚光釉面光泽为8°~12°;
(3)手感细腻度,触摸对比;
(4)光泽均匀度:对于产品进行多点检测光泽度,取最低光泽和最高光泽,表征光泽度均匀性;
(5)耐磨性:采用GB/T4100-2015《陶瓷砖》附录G干压陶瓷砖检测标准进行测试。
测试结果如下表1。
表1
由实施例1~10与对比例1~6之间的比较可知,本申请各实施例均能够实现较好的亚光效果,且光泽均匀。
另外,对实施例1和实施例7的釉面进行SEM电镜观察,结果如图1和2所示。由图1可知,实施例1所形成的晶体及晶核大小均匀,各类形状的晶体均匀分布于玻璃相中,釉面平整度及手感好,由图2可知,实施例7的晶核分布较为不均匀,且晶核大小不统一。虽然实施例1和实施例7均能够达到亚光的效果,但是相比较实施例1,实施例7的平整度、光泽均匀性、手感细腻度和耐磨性均出现一定程度的下降。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,便于具体和详细地理解本发明的技术方案,但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。应当理解,本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上,通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验得到的技术方案,均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准,说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。