CN114507014A - 雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法 - Google Patents
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Abstract
雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法，涉及建筑陶瓷技术领域；本发明的一种雪花晶体颗粒，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2‑10份，石英20‑40份，氧化锌35‑45份，碳酸锂7‑20份，萤石5‑10份，碳酸钡0‑5份，二氧化钛2‑8份，烧滑石1‑5份。本发明通过选择合理雪花晶体颗粒的原料的配比，同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数，得到高温粘度小，能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体的雪花晶体颗粒；同时研发出适合晶体析出的坯体和底釉配方，同时严格控制烧成温度，得到具有完整、细致、富有立体感的雪花状晶体的定位晶花抛釉砖。
Description
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷技术领域，具体涉及雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法。
背景技术
抛釉砖的砖面光滑亮洁，图案丰富，色彩厚重或绚丽，同时坚硬、耐磨、适合室内外大面积铺贴，因此深受消费者的喜爱。
目前，抛釉砖虽然具有丰富的图案，但是还没有应用能够结出雪花状晶体的抛釉砖，其主要原因是抛釉砖的制备工艺中为了提高产量，降低生产成本，采用辊道窑烧成，烧成时间短、烧成温度低，在这种条件下不能生成漂亮的雪花状晶体。
申请号为CN103497006A，名称为一种带有冰裂状的抛晶砖及其制造方法，采用冰花水晶制备抛晶砖，冰花水晶化学成分：三氧化硅79％-85％；三氧化铝7％-9％；氧化镁0.1％-0.7％；氧化钙1.5％-3％；三氧化钛0.01％-0.1％；氧化钾0.1％-1％；氧化钠5％-7％；三氧化二铁0％-0.2％，其制备的抛晶砖具有冰裂状，具有富有立体感，但是未能使冰花水晶的晶体充分析出，生成漂亮的雪花状晶体。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种雪花晶体颗粒，容易析出雪花状晶体，晶体完整细致，富有立体感。
本发明的目的之二在于提供上述雪花晶体颗粒的制备方法，制备方法简单，生产成本低，成品率高。
本发明的目的之三在于提供一种定位晶花抛釉砖的制备方法，制备具有雪花状晶体的抛釉砖，制备工艺简单，可批量生产。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现：
一种雪花晶体颗粒，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2-10份，石英20-40份，氧化锌35-45份，碳酸锂7-20份，萤石5-10份，碳酸钡0-5份，二氧化钛2-8份，烧滑石1-5份。
进一步地，所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO2 30-60％，Al2O3 0-2％，K2O0-2％，Na2O 0-2％，CaO 3-12％，MgO 0-1％，BaO 0-2％，ZnO 30-60％，F 1-7％，Li2O 5-15％，TiO2 1-9％。
本发明的目的之二采用如下技术方案实现：
一种雪花晶体颗粒的制备方法，包括以下步骤：将配方量的雪花晶体颗粒的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1460-1470℃，保温时间为25-45min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在30-60目，得到雪花晶体颗粒。
本发明的目的之三采用如下技术方案实现：
一种定位晶花抛釉砖的制备方法，应用所述的雪花晶体颗粒，包括以下步骤：
S1，取坯体粉料，压制成型，得到瓷质砖生坯，备用；
S2，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；
S3，在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，然后喷淋透明干粒，得到釉面砖坯；
S4，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1175-1185℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。
进一步地，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂6-10份，第二瓷砂3-7份，第三瓷砂4-8份，第四瓷砂8-12份，第一石粉20-24份，第二石粉18-22份，泥6-10份，第一黏土5-9份，第二黏土9-13份，助熔剂2.5-3.5份，助料1.5-2.5份；
所述助料为三聚磷酸钠、五水偏硅酸钠和碳酸钠中的任一种或两种以上。
进一步地，所述坯体粉料的化学成分包括：SiO268-73％，Al2O3 18-19％，Fe2O30-1％，TiO2 0-0.3％，CaO0-0.5％，MgO 0-1.5％，K2O 2.5-2.8％，Na2O 2.0-2.5％，L.O.I(烧失量)0-4.5％。
进一步地，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石25-40份，高岭土4-8份，硅灰石20-28份，氧化铝9-11份，氧化锌3-6份，煅烧白滑石3-5份，碳酸钙4-12份，煅烧高岭土3-8份，硅酸锆5-13份，高纯石英10-20份。
进一步地，所述底釉原料的化学成分包括：SiO2 46-48％，Al2O320-22％，Fe2O30-0.5％，TiO2 0-0.5％，MgO1-3％，K2O 0-1％，CaO10-12％，Na2O 4-5％，ZnO6-8％，L.O.I 0-7％。
进一步地，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石20-40份、石英20-40份、氧化锌8-15份、白云石10-20份、碳酸钡5-10份、方解石10-20份、氧化铝2-8份；所述透明干粒的粒度为30-60目。
进一步地，步骤S1中，具体操作为：取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为240-260目的浆料，所述浆料的含水量为35～36％，除铁，过筛，喷雾干燥制成含水量为7.0～7.8％的粉料，然后在4～48MPa的压力下压制成型，干燥，即得瓷质砖生坯；
步骤S2中，底釉的制备工艺为：取底釉原料，加入适量的水，球磨至粒度在300-350目，除铁，得到含水量为23～27％的底釉；
步骤S3中，具体操作为：用干法干粒机在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，再用干粒机抽走未吸附于喷墨图案的颗粒，然后淋透明干粒，得到釉面砖坯。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明的一种雪花晶体颗粒，属于硅酸锌复合晶体，通过合理的组分配比，具有优秀的析晶效果，其中，碳酸锂作为溶剂引入，一方面，其具有较强的助熔效果，其溶解硅的能力较强，可与硅形成熔体；另一方面，其高温粘度小，更有利于雪花状晶体的析出。
本发明的一种雪花晶体颗粒的制备方法，选择合理原料的配比，同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数，得到雪花晶体颗粒，其能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体。
本发明的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，制定合理的适合雪花状晶体生成和长大的烧成参数，使抛釉砖析出雪花状晶体，晶体完整细致，富有立体感，同时制备工艺简单，生产成本低，可大批量生产。烧成温度需要与坯体、釉料及雪花晶体颗粒三者的原料相匹配，本发明优选坯体粉料、底釉原料和雪花晶体颗粒的组成，并控制烧成温度为1175-1185℃，使抛釉砖析出完整细致的雪花状晶体。
附图说明
图1为本发明的实施例1中定位晶花抛釉砖的制备方法的工艺流程图。
图2为本发明的实施例1中烧成的定位晶花抛釉砖的实物图。
图3为本发明的实施例2中烧成的定位晶花抛釉砖的实物图。
图4为本发明的实施例3中烧成的定位晶花抛釉砖的实物图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案，这些实例并不是对本发明内容的限定。本领域内的技术人员应理解，对本发明内容所做的等同替换，或相应的改进，仍属于本发明的保护范围之内。
实施例1
一种定位晶花抛釉砖的制备方法，包括以下步骤：
S1，雪花晶体颗粒的制备：将配方量的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1465℃，保温时间为30min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在40目，得到雪花晶体颗粒；
S2，底釉的制备：取底釉原料，加入适量的水，球磨至粒度在320目，除铁，得到含水量为25％的底釉，备用；
S3，透明干粒的制备：将透明材料按配比混合煅烧，得到透明熔块，将熔块破碎控制粒度在40目，得到透明干粒；
S4，取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为250目的浆料，所述浆料的含水量为35.5％，除铁，过筛，喷雾干燥制成含水量为7.4％的粉料，然后在20MPa的压力下压制成型，干燥，即得瓷质砖生坯；其中，坯体粉料加工工艺参数为：球磨时间：11小时；浆料密度：1.70～1.72g/ml；流速：100ml伏特杯流出时间40～70秒；坯体粉料的颗粒级配：40目以上≤50％；40目～60目：30％～45％；60目～100目：10％～20％；100目以下≤5％；
S5，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷(其中需要喷墨机有两个型号为HF的大喷头按图案喷胶水)，得到印刷砖坯；
S6，用干法干粒机在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，所述雪花晶体颗粒吸粘在胶水上，再用干粒机抽走未吸附于喷墨图案的颗粒，然后淋透明干粒，得到釉面砖坯；
S7，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1180℃，抛光打蜡，分选，即得定位晶花抛釉砖。
作为进一步的实施方式，所述雪花晶体颗粒的原料包括以下质量份计的组分：钠长石6份，石英30份，氧化锌30份，碳酸锂12份，萤石7份，碳酸钡2.5份，二氧化钛6份，烧滑石3份。所述萤石的化学组成包括CaO 51.24％，F48.67％，杂质元素余量。
所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO245％，Al2O31％，K2O 1％，Na2O 1％，CaO6％，MgO0.5％，BaO1％，ZnO30％，F 5％，Li2O 8％，TiO22.5％。
作为进一步的实施方式，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂8份，第二瓷砂5份，第三瓷砂6份，第四瓷砂10份，第一石粉22份，第二石粉20份，泥8份，第一黏土7份，第二黏土11份，助熔剂3份，助料2份；所述助料为三聚磷酸钠；坯体粉料的各组分化学组成如表1所示。
所述坯体粉料的化学成分包括：SiO2 70％，Al2O3 19％，Fe2O3 0.5％，TiO20.2％，CaO0.3％，MgO1％，K2O2.6％，Na2O 2.2％，L.O.I余量。
表1坯体粉料的化学组成(质量百分比)
作为进一步的实施方式，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石32份，高岭土6份，硅灰石24份，氧化铝10份，氧化锌4份，煅烧白滑石4份，碳酸钙8份，煅烧高岭土5份，硅酸锆8份，高纯石英15份。所述底釉原料的各组分化学组成如表2所示。
所述底釉原料的化学成分包括：SiO2 47.1％，Al2O320.9％，Fe2O3 0.1％，TiO20.1％，MgO1.9％，K2O 0.6％，CaO11％，Na2O 4.5％，ZnO6.9％，L.O.I余量。
表2底釉原料的化学组成(质量百分比)
在本发明的底釉原料配方中，提高了底釉配方中氧化铝的含量，提高底釉的温度，更有利于晶体颗粒处气体排出。普通釉料配方中的氧化铝是以钾长石、钠长石、高岭土、工业氧化铝粉等形式来引入，但是，钾、钠长石中的氧化铝含量通常比较低。所以，如果通过引入钾、钠长石的方式提高氧化铝的含量，反而会显著提高钾钠等碱金属的含量，这会导致面釉配方的始熔点过低，使得釉层中出现气泡针孔等缺陷。所以通过钾、钠长石引入的氧化铝的比较有限，而高岭土过多的引入会对浆料性能和釉面质感产生较大的影响，所以该方式也不可取。因此，在本实施例中选择直接引入煅烧氧化铝微粉(粒度为1～5μm)的方式来提高釉料配方中Al2O3的含量。
本实施例还适量地在釉料中引入氧化锌和氧化镁，氧化锌(ZnO)在釉中具有良好的助熔作用，能够降低釉的膨胀系数，提高产品的热稳定性。此外，ZnO还能增强釉面发色，扩大釉的成熟温度范围，重要的是ZnO适量的增加更有利于晶花的析出。氧化镁(MgO)在釉中能在高温下放出游离氧，破坏网络结构，降低釉熔体粘度，提高釉的流动性，同时是良好的高温熔剂成分。虽然在高温条件下，釉料配方中Na2O和K2O能够与Al2O3、SiO2形成低共熔物，起到降低釉面的烧成温度的作用，但Na2O和K2O的过多引入会明显增大底釉的热膨胀系数，降低底釉的化学稳定性和热稳定性，所以要适量。
还有，由于本配方组成中钠长石、硅灰石、氧化铝粉等瘠性料加入量较多，因此釉浆的悬浮性较差。此外釉浆中的含水率过大也会造成釉浆沉淀现象的发生，从而导致釉浆配方组成不均匀，影响底釉的熔融和微观结构的均匀性。发明人研究发现，通过加入4～8％的高岭土，可有效提高釉浆悬浮性，保证釉浆成分的稳定性，使生产质量更稳定。高岭土(Al2O3·2SiO2·2H2O)能够增加釉浆的悬浮性，使釉料配方组成均匀，保证釉的熔融均匀性。
经试验证实，底釉的配方组成优化，采用成熟温度高的底釉进行匹配，提高了坯釉结合性，降低釉层中的气泡，提高了产品的品质。
作为进一步的实施方式，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石30份、石英30份、氧化锌10份、白云石15份、碳酸钡7份、方解石15份、氧化铝5份。
所述透明干粒的化学成分包括：SiO2 60.07％、Al2O37.54％、K2O 6.34％、ZnO10.88％、CaO 12.18％、BaO 2.48％、MgO 0.29％、微量元素余量。
如图2所示，烧制的定位晶花抛釉砖的雪花晶体的晶花大、效果好；本发明选择合理雪花晶体颗粒的原料的配比，同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数，得到高温粘度小，能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体的雪花晶体颗粒；同时研发出适合晶体析出的坯体和底釉配方，同时严格控制烧成温度，得到具有完整、细致、富有立体感的雪花状晶体的定位晶花抛釉砖。
实施例2
一种定位晶花抛釉砖的制备方法，包括以下步骤：
S1，雪花晶体颗粒的制备：将配方量的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1460℃，保温时间为45min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在30目，得到雪花晶体颗粒；
S2，底釉的制备：取底釉原料，加入适量的水，球磨至粒度在300目，除铁，得到含水量为23％的底釉，备用；
S3，透明干粒的制备：将透明材料按配比混合煅烧，得到透明熔块，将熔块破碎控制粒度在30目，得到透明干粒；
S4，取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为240目的浆料，所述浆料的含水量为35％，除铁，过筛，喷雾干燥制成含水量为7.0％的粉料，然后在10MPa的压力下压制成型，干燥，即得瓷质砖生坯；其中，坯体粉料加工工艺参数为：球磨时间：12小时；浆料密度：1.70～1.72g/ml；流速：100ml伏特杯流出时间40～70秒；坯体粉料的颗粒级配：40目以上≤50％；40目～60目：30％～45％；60目～100目：10％～20％；100目以下≤5％；
S5，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；
S6，用干法干粒机在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，再用干粒机抽走未吸附于喷墨图案的颗粒，然后淋透明干粒，得到釉面砖坯；
S7，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1175℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。
作为进一步的实施方式，所述雪花晶体颗粒的原料包括以下质量份计的组分：钠长石2份，石英20份，氧化锌35份，碳酸锂7份，萤石5份，酸钡4份，二氧化钛2份，烧滑石1份。
所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO2 30％，Al2O32％，K2O 2％，Na2O 2％，CaO7％，MgO1％，BaO2％，ZnO 30％，F 7％，Li2O 10％，TiO27％。
作为进一步的实施方式，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂6份，第二瓷砂3份，第三瓷砂4份，第四瓷砂8份，第一石粉20份，第二石粉18份，泥6份，第一黏土5份，第二黏土9份，助熔剂2.5份，助料1.5份；所述助料为五水偏硅酸钠；坯体粉料的各组分化学组成如实施例1的表1所示。
所述坯体粉料的化学成分包括：SiO268％，Al2O319％，Fe2O3 1％，TiO20.3％，CaO0.5％，MgO1.5％，K2O2.8％，Na2O 2.5％，L.O.I余量。
作为进一步的实施方式，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石25份，高岭土4份，硅灰石20份，氧化铝9份，氧化锌3份，煅烧白滑石3份，碳酸钙4份，煅烧高岭土3份，硅酸锆5份，高纯石英10份。所述底釉原料的各组分化学组成如实施例1的表2所示。
所述底釉原料的化学成分包括：SiO2 46％，Al2O322％，Fe2O3 0.5％，TiO2 0.5％，MgO3％，K2O 1％，CaO10％，Na2O 5％，ZnO8％，L.O.I余量。
作为进一步的实施方式，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石20份、石英20份、氧化锌8份、白云石10份、碳酸钡5份、方解石10份、氧化铝2份。
如图3所示，烧制的定位晶花抛釉砖的雪花晶体的晶花大、效果好；本发明选择合理雪花晶体颗粒的原料的配比，同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数，得到高温粘度小，能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体的雪花晶体颗粒；同时研发出适合晶体析出的坯体和底釉配方，同时严格控制烧成温度，得到具有完整、细致、富有立体感的雪花状晶体的定位晶花抛釉砖。
实施例3
一种定位晶花抛釉砖的制备方法，包括以下步骤：
S1，雪花晶体颗粒的制备：将配方量的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1470℃，保温时间为25min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在60目，得到雪花晶体颗粒；
S2，底釉的制备：取底釉原料，加入适量的水，球磨至粒度在350目，除铁，得到含水量为27％的底釉，备用；
S3，透明干粒的制备：将透明材料按配比混合煅烧，得到透明熔块，将熔块破碎控制粒度在60目，得到透明干粒；
S4，取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为260目的浆料，所述浆料的含水量为36％，除铁，过筛，喷雾干燥制成含水量为7.8％的粉料，然后在48MPa的压力下压制成型，干燥，即得瓷质砖生坯；其中，坯体粉料加工工艺参数为：球磨时间：11小时；浆料密度：1.70～1.72g/ml；流速：100ml伏特杯流出时间40～70秒；坯体粉料的颗粒级配：40目以上≤50％；40目～60目：30％～45％；60目～100目：10％～20％；100目以下≤5％；
S5，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；
S6，用干法干粒机在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，再用干粒机抽走未吸附于喷墨图案的颗粒，然后淋透明干粒，得到釉面砖坯；
S7，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1185℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。
作为进一步的实施方式，所述雪花晶体颗粒的原料包括以下质量份计的组分：钠长石10份，石英35份，氧化锌45份，碳酸锂20份，萤石10份，二氧化钛8份，烧滑石5份。
所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO250％，Al2O31％，K2O 1％，Na2O 1％，CaO3％，MgO0.5％，ZnO 30.5％，F 3％，Li2O 8％，TiO22％。
作为进一步的实施方式，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂10份，第二瓷砂7份，第三瓷砂8份，第四瓷砂12份，第一石粉24份，第二石粉22份，泥10份，第一黏土9份，第二黏土13份，助熔剂3.5份，助料1.5-2.5份；所述助料为五水偏硅酸钠和碳酸钠的1:1混合；坯体粉料的各组分化学组成如实施例1的表1所示。
所述坯体粉料的化学成分包括：SiO273％，Al2O3 18％，Fe2O3 0.2％，TiO20.1％，CaO0.2％，MgO 0.5％，K2O2.5％，Na2O 2.5％，L.O.I余量。
作为进一步的实施方式，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石40份，高岭土8份，硅灰石28份，氧化铝11份，氧化锌6份，煅烧白滑石5份，碳酸钙12份，煅烧高岭土8份，硅酸锆13份，高纯石英20份。所述底釉原料的各组分化学组成如实施例1的表2所示。
所述底釉原料的化学成分包括：SiO2 48％，Al2O320％，Fe2O3 0.1％，TiO2 0.1％，MgO1％，K2O 0.1％，CaO12％，Na2O 4％，ZnO8％，L.O.I余量。
作为进一步的实施方式，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石40份、石英40份、氧化锌15份、白云石20份、碳酸钡10份、方解石20份、氧化铝8份。
如图4所示，烧制的定位晶花抛釉砖的雪花晶体的晶花大、效果好；本发明选择合理雪花晶体颗粒的原料的配比，同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数，得到高温粘度小，能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体的雪花晶体颗粒；同时研发出适合晶体析出的坯体和底釉配方，同时严格控制烧成温度，得到具有完整、细致、富有立体感的雪花状晶体的定位晶花抛釉砖。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
Claims (10)
1.一种雪花晶体颗粒，其特征在于，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2-10份，石英20-40份，氧化锌35-45份，碳酸锂7-20份，萤石5-10份，碳酸钡0-5份，二氧化钛2-8份，烧滑石1-5份。
2.如权利要求1所述的雪花晶体颗粒，其特征在于，所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO2 30-60％，Al2O3 0-2％，K2O 0-2％，Na2O 0-2％，CaO 3-12％，MgO 0-1％，BaO 0-2％，ZnO 30-60％，F 1-7％，Li2O 5-15％，TiO2 1-9％。
3.一种权利要求1或2所述的雪花晶体颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将配方量的雪花晶体颗粒的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1460-1470℃，保温时间为25-45min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在30-60目，得到雪花晶体颗粒。
4.一种定位晶花抛釉砖的制备方法，应用权利要求1或2所述的雪花晶体颗粒，其特征在于，包括以下步骤：
S1，取坯体粉料，压制成型，得到瓷质砖生坯，备用；
S2，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；
S3，在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，然后喷淋透明干粒，得到釉面砖坯；
S4，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1175-1185℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。
5.如权利要求4所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂6-10份，第二瓷砂3-7份，第三瓷砂4-8份，第四瓷砂8-12份，第一石粉20-24份，第二石粉18-22份，泥6-10份，第一黏土5-9份，第二黏土9-13份，助熔剂2.5-3.5份，助料1.5-2.5份；
所述助料为三聚磷酸钠、五水偏硅酸钠和碳酸钠中的任一种或两种以上。
6.如权利要求5所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述坯体粉料的化学成分包括：SiO268-73％，Al2O3 18-19％，Fe2O3 0-1％，TiO20-0.3％，CaO0-0.5％，MgO0-1.5％，K2O 2.5-2.8％，Na2O 2.0-2.5％，L.O.I 0-4.5％。
7.如权利要求4所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石25-40份，高岭土4-8份，硅灰石20-28份，氧化铝9-11份，氧化锌3-6份，煅烧白滑石3-5份，碳酸钙4-12份，煅烧高岭土3-8份，硅酸锆5-13份，高纯石英10-20份。
8.如权利要求7所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述底釉原料的化学成分包括：SiO2 46-48％，Al2O3 20-22％，Fe2O3 0-0.5％，TiO20-0.5％，MgO 1-3％，K2O0-1％，CaO10-12％，Na2O 4-5％，ZnO 6-8％，L.O.I 0-7％。
9.如权利要求4所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石20-40份、石英20-40份、氧化锌8-15份、白云石10-20份、碳酸钡5-10份、方解石10-20份、氧化铝2-8份；所述透明干粒的粒度为30-60目。
10.如权利要求4-9任一项所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，步骤S1中，具体操作为：取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为240-260目的浆料，所述浆料的含水量为35～36％，除铁，过筛，喷雾干燥制成含水量为7.0～7.8％的粉料，然后在4～48MPa的压力下压制成型，干燥，即得瓷质砖生坯；
步骤S2中，底釉的制备工艺为：取底釉原料，加入适量的水，球磨至粒度在300-350目，除铁，得到含水量为23～27％的底釉；
步骤S3中，具体操作为：用干法干粒机在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，再用干粒机抽走未吸附于喷墨图案的颗粒，然后淋透明干粒，得到釉面砖坯。
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