CN110911444A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110911444A
CN110911444A CN201910826892.3A CN201910826892A CN110911444A CN 110911444 A CN110911444 A CN 110911444A CN 201910826892 A CN201910826892 A CN 201910826892A CN 110911444 A CN110911444 A CN 110911444A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
data line
region
pixel
connection wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910826892.3A
Other languages
English (en)
Inventor
宋姬林
朴京淳
田武经
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN110911444A publication Critical patent/CN110911444A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456—Cell terminals located on one side of the display only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/02—Materials and properties organic material
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：第一像素；第二像素；第一数据线，电连接到第一像素；第二数据线，电连接到第二像素并且与第一数据线电绝缘；第一信号布线，电连接到第一数据线；第二信号布线，电连接到第二数据线；以及连接布线，使第二数据线电连接到第二信号布线。连接布线可以包括第一部分和第二部分。第二部分可以直接连接到第一部分，可以与第一像素叠置，可以与第一数据线叠置并且可以在显示装置的平面图中相对于第一数据线和第二数据线中的每条倾斜。

Description

显示装置
本申请要求于2018年9月14日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0110373号韩国专利申请的优先权和权益；该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
技术领域涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以包括像素电路、用于驱动像素电路的驱动器和将驱动器电连接到像素电路的布线。像素电路可以设置在显示装置的显示区域中。驱动器可以设置在与显示区域相邻的非显示区域中。布线可以从非显示区域延伸到显示区域。
发明内容
实施例可以涉及一种设置在显示装置的显示区域中的扇出结构以优化显示装置的空间利用。
根据一些实施例，显示装置包括：显示基底，其上设置有数据线，数据线包括设置在显示区域的第一区域中的第一数据线和设置在显示区域的第二区域中的第二数据线；信号布线，包括连接到第一数据线的第一信号布线和连接到第二数据线的第二信号布线；以及连接布线，使第二数据线与第二信号布线连接。第一数据线和第二数据线在第一方向上延伸，第二区域在与第一方向交叉的第二方向上与第一区域相邻设置，以及连接布线在显示区域中具有扇出结构。
显示基底可以包括围绕显示区域的非显示区域。非显示区域可以包括在第一方向上与显示区域的第一区域相邻设置的第三区域和在第二方向上与显示区域的第二区域相邻设置的第四区域。
非显示区域可以包括弯曲部分并且信号布线可以设置在弯曲部分中。
弯曲部分的在第二方向上的宽度可以小于显示区域的在第二方向上的宽度。
连接布线可以通过位于第三区域中的第一接触孔连接到第二信号布线。
连接布线可以通过位于第四区域中的第二接触孔连接到第二数据线。
连接布线可以包括：第一延伸部分，沿第一方向从非显示区域朝向显示区域延伸；以及第二延伸部分，沿第一方向与第二方向之间的倾斜方向从第一延伸部分的端部朝向非显示区域延伸。
第一信号布线可以与第二信号布线由同一导电层制成。
连接布线可以在显示装置的平面图中沿第二方向设置在距第一数据线预定距离处。
连接布线可以在厚度方向上在一些区域中与第一数据线叠置。
连接布线可以是铝(Al)和Ti-Al-Ti的堆叠层中的至少任意一种。
第二信号布线可以通过第三信号布线连接到连接布线并且第三信号布线与第一数据线由同一导电层制成。
第一有机绝缘层可以设置在连接布线与数据线之间。
第一有机绝缘层可以具有
Figure BDA0002189380440000021
的厚度。
第一有机绝缘层可以是聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种。
显示装置还可以包括位于其中设置有连接布线的导电层上的第二有机绝缘层。
无机绝缘层可以设置在连接布线与数据线之间。
数据线可以设置在其中设置有连接布线的导电层上。
显示装置还可以包括位于其中设置有数据线的导电层上的第二有机绝缘层。
连接布线可以包括铜(Cu)和钼(Mo)中的至少任意一种。
实施例可以涉及一种显示装置。显示装置可以包括：第一像素；第二像素；第一数据线，电连接到第一像素；第二数据线，电连接到第二像素并且与第一数据线电绝缘；第一信号布线，电连接到第一数据线；第二信号布线，电连接到第二数据线；以及连接布线，使第二数据线电连接到第二信号布线。连接布线可以包括第一部分和第二部分。第二部分可以直接连接到第一部分，可以与第一像素叠置，可以与第一数据线叠置并且可以在显示装置的平面图中相对于第一数据线和第二数据线中的每条倾斜。
第二部分可以在显示装置的平面图中相对于第一部分成锐角。
第二部分的边缘可以直接连接到第一部分的边缘并且可以在显示装置的平面图中相对于第一部分的边缘以锐角延伸。
显示装置可以包括第三像素。第一部分可以与第三像素叠置。
连接布线可以通过第一接触孔连接到第二信号布线。连接布线可以通过第二接触孔连接到第二数据线。第一数据线的一部分可以在显示装置的平面图中位于第一接触孔与第二接触孔之间。
连接布线可以通过第一接触孔连接到第二信号布线。第一接触孔可以在第一部分的长度方向上位于显示装置的显示区域之外。第一像素和第二像素可以位于显示装置的显示区域中。
连接布线可以通过第二接触孔连接到第二数据线。第二接触孔可以在第二部分的长度方向上位于显示装置的显示区域之外。
第一像素和第二像素可以位于显示装置的显示区域中。显示装置的非显示区域可以与显示装置的显示区域相邻。显示装置的显示区域与显示装置的非显示区域之间的边界可以在显示装置的平面图中与第一部分和第二部分两者交叉。
第一信号布线的材料可以与第二信号布线的材料相同。
连接布线的第一部分可以在显示装置的平面图中平行于第一数据线。连接布线的第二部分可以在显示装置的平面图中与第一数据线交叉。
连接布线的第一部分可以与第一数据线叠置。连接布线的第一部分的边缘可以平行于第一数据线的边缘。
连接布线可以由铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种形成。
第二信号布线可以通过第三信号布线连接到连接布线。第三信号布线的材料可以与第一数据线的材料相同。
显示装置可以包括设置在连接布线与第一数据线和第二数据线中的每条之间的第一有机绝缘层。
第一有机绝缘层可以具有至少
Figure BDA0002189380440000031
的厚度。
第一有机绝缘层可以由聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种形成。
显示装置可以包括覆盖连接布线的第二有机绝缘层。
显示装置可以包括设置在连接布线与第一数据线之间的无机绝缘层。
第一数据线可以在垂直于第一像素的像素电极的面的方向上设置在连接布线与第一像素的像素电极之间。
显示装置可以包括覆盖第一数据线的有机绝缘层。
连接布线可以包括铜(Cu)和钼(Mo)中的至少一种。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的平面图/布局图。
图2是根据实施例的显示装置的示意性局部剖视图。
图3是根据实施例的延伸穿过面板弯曲区域的信号布线的平面图/布局图。
图4是根据实施例的显示面板的信号布线的平面图/布局图。
图5是根据实施例的图4的区域A的放大图。
图6是根据实施例的图4的区域B的放大图。
图7是根据实施例的图4的区域C的放大图。
图8是根据实施例的图4的区域B的放大图。
图9是根据实施例的显示装置的像素的等效电路图。
图10是根据实施例的显示装置的驱动信号的时序图。
图11是根据实施例的与连接布线的倾斜部分叠置的像素的平面图。
图12是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。
图13是根据实施例的与连接布线的竖直部分叠置的像素的平面视图。
图14是根据实施例的沿图13的线II-II’截取的剖视图。
图15是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。
图16是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。
图17是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。
具体实施方式
参照附图描述示例实施例。实际的实施例不限于示例实施例并且可以以各种形式实现。
尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受限于这些术语。可以使用这些术语来区分一个元件与另一元件。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示第二元件或其他元件的存在。也可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来区分元件的不同类或组。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接在第二元件上或者一个或更多个中间元件可以存在于第一元件与第二元件之间。当第一元件被称为“直接在”第二元件“上”时，在第一元件与第二元件之间不意图存在中间元件(除了诸如空气的环境元件之外)。
为了易于描述，可以在这里使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语可以包含装置的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或者“在”其他元件或特征“下面”的元件将随后被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其他方位处)并且可以相应地解释这里使用的空间相对描述语。
相同的附图标记可以用于相同的元件。术语“接触”可以表示“直接接触”；术语“连接”可以表示“电连接”。相同导电层中的导电组件/相同导电层的导电组件可以包括一种或更多种相同的材料并且/或者通过一个或更多个相同的工艺步骤由一种或更多种相同的材料形成。
图1是根据实施例的显示装置1的平面图/布局图。图2是根据实施例的显示装置1的示意性局部剖视图。图3是根据实施例的延伸穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL的布局图。
在图1的平面图中，为了易于描述，定义了上下方向和左右方向。上下方向是竖直方向或像素列方向，左右方向是水平方向或像素行方向。在实施例中提到的方向可以是相对方向并且实施例不限于所提到的方向。
参照图1至图3，显示装置1是用于显示运动图像或静止图像的装置。显示装置1可以用在诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统以及超移动PC(UMPC)的便携式电子装置中。显示装置1可以用在电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌以及物联网中的至少一种中。例如，显示装置1可以包括有机发光显示器、液晶显示器、等离子体显示器、场发射显示器、电泳显示器、电润湿显示器、量子点发光显示器或微发光二极管(LED)显示器。将有机发光显示器作为显示装置1的示例进行描述，但是实施例不限于有机发光显示器。
显示装置1可以包括显示面板10。显示面板10可以包括包含诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料的柔性基底。显示面板10可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
显示面板10可以包括主区域MR和连接到主区域MR的一侧的面板弯曲区域BD。显示面板10还可以包括连接到面板弯曲区域BD并且在面板弯曲区域BD已经被弯曲之后在与显示面板10的图像显示面垂直的方向上与主区域MR叠置的副区域SR。
显示面板10的包括用于显示图像的像素的部分被限定为显示装置1的显示区域DA，并且显示面板10的不包括像素的部分被限定为显示装置1的非显示区域NDA。显示面板10的显示区域DA设置在主区域MR中。除了显示区域DA之外的剩余部分是显示面板10的非显示区域NDA。在实施例中，在主区域MR中围绕显示区域DA的边缘部分、整个面板弯曲区域BD和整个副区域SR可以是非显示区域NDA(的一部分)。在实施例中，面板弯曲区域BD和/或副区域SR可以包括像素并且可以是显示区域DA的一部分。
主区域MR可以具有与显示装置1的平面形状基本上相似的形状。主区域MR可以具有用于显示图像的平坦面。在实施例中，主区域MR的弯曲的/弯折的边缘可以被构造为显示一个或更多个图像。
显示面板10的显示区域DA可以设置在主区域MR的中央。显示区域DA可以包括多个像素。每个像素可以包括发光层和用于控制从发光层发射的光的量的电路层。电路层可以包括显示布线、显示电极和至少一个晶体管。发光层可以包括有机发光材料。发光层可以由封装层密封。显示区域DA可以具有基本上矩形的形状，例如，具有倒圆角的矩形形状。显示区域DA也可以具有一种或更多种其他形状，诸如其他多边形形状、圆形形状和椭圆形形状中的一种或更多种。
显示区域DA可以或可以不包括主区域MR的弯曲的或弯折的边缘。
在主区域MR中非显示区域NDA可以位于显示区域DA的周围。主区域MR的非显示区域NDA可以从显示区域DA的外边界延伸到显示面板10的边缘。用于将信号传输到显示区域DA的信号布线SL或驱动电路可以设置在主区域MR的非显示区域NDA中。最外侧的黑矩阵可以设置在主区域MR的非显示区域NDA中。
面板弯曲区域BD连接到主区域MR。例如，面板弯曲区域BD可以连接到主区域MR的一侧。面板弯曲区域BD的水平宽度可以小于主区域MR的水平宽度。显示面板10的面板弯曲区域BD可以在与显示表面相反的方向上以一曲率弯曲。面板弯曲区域BD可以具有恒定的曲率半径。面板弯曲区域BD也可以在不同的剖面中具有不同的曲率半径。当显示面板10的面板弯曲区域BD被弯曲时，显示面板10的表面被翻转。即，可以通过面板弯曲区域BD使显示面板10的面向上的表面面向外，然后面向下。
副区域SR从面板弯曲区域BD延伸。副区域SR可以在完成弯曲后平行于主区域MR延伸。副区域SR可以在显示面板10的厚度方向上与主区域MR叠置。副区域SR可以与主区域MR的边缘上的非显示区域NDA叠置并且还可以与主区域MR的显示区域DA叠置。
副区域SR的水平宽度可以等于面板弯曲区域BD的水平宽度。
驱动芯片20可以设置在显示面板10的副区域SR上。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。在实施例中，集成电路可以是生成并提供数据信号的数据驱动器集成电路。驱动芯片20可以安装在显示面板10上并且在副区域SR中。驱动芯片20可以安装在显示面板10的表面上，该表面与显示表面为同一表面。然而，如上所述，因为面板弯曲区域BD被弯曲并且被翻转，所以可以使显示面板10的其上安装有驱动芯片20的表面在厚度方向上面向下。因此，驱动芯片20的上表面可以面向下。
驱动芯片20可以通过各向异性导电膜或通过超声结合附接到显示面板10上。驱动芯片20的水平宽度可以小于显示面板10的水平宽度。驱动芯片20可以设置在副区域SR在水平方向上的中央并且驱动芯片20的左边缘和右边缘可以分别与副区域SR的左边缘和右边缘间隔开。
垫(pad，又称“焊盘”)PAD可以设置在显示面板10的副区域SR的端部处并且显示驱动板30可以连接到垫PAD。显示驱动板30可以是柔性印刷电路板或膜。
信号布线SL可以设置在副区域SR、面板弯曲区域BD和主区域MR中。信号布线SL可以经由面板弯曲区域BD从副区域SR延伸到主区域MR。一些信号布线SL(例如，第一电源布线和第二电源布线)可以不经由驱动芯片20从副区域SR的端部延伸到面板弯曲区域BD并且可以延伸到主区域MR。其他信号布线SL(例如，数据线DL)可以经由驱动芯片20从副区域SR的端部延伸到面板弯曲区域BD并且可以延伸到主区域MR。穿过驱动芯片20的信号布线SL可以形成从副区域SR和/或面板弯曲区域BD朝向主区域MR扩得更宽的扇出结构以基本上覆盖宽于驱动芯片20的主区域MR。不穿过驱动芯片20的信号布线SL可以在穿过驱动芯片20的信号布线SL的外侧延伸。
因为穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL根据显示面板10的弯曲而弯曲，所以穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL会遭受弯曲应力。弯曲应力会引起信号布线SL的破裂或破损。为了防止这一点，穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL可以由更柔性的材料制成。穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL可以包括电连接并且垂直地接触的多个布线层。穿过面板弯曲区域BD的信号布线SL可以具有多路结构；即使布线层中的一个破损，信号仍然可以通过电连接到布线层的另一布线层传输。
接触区域CT1和CT2可以设置为与面板弯曲区域BD相邻。例如，第一接触区域CT1可以设置在副区域SR中且与面板弯曲区域BD相邻或设置在副区域SR与面板弯曲区域BD之间的边界处，第二接触区域CT2可以设置在主区域MR中且与面板弯曲区域BD相邻或设置在面板弯曲区域BD与主区域MR之间的边界处。
当信号布线SL穿过第一接触区域CT1和第二接触区域CT2时，穿过面板弯曲区域BD的至少一部分的信号布线SL可以转移到不同的布线层。参照
图3、图4和图6，信号布线SL可以包括位于副区域SR中并且由第一布线层制成(或位于第一布线层处)的第一信号布线SL1并且可以包括位于面板弯曲区域BD中并且由第二布线层制成(或位于第二布线层处)的第二信号布线SL2。
图4是根据实施例的显示面板10的信号布线SL的平面图/布局图。图5是根据实施例的图4的区域A的放大图。图6是根据实施例的图4的区域B的放大图。图7是根据实施例的图4的区域C的放大图。
参照图4至图7，显示装置1可以包括数据线DL、连接布线BR和信号布线SL。数据线DL、连接布线BR和信号布线SL的布置可以相对于在第一方向DR1上延伸并且穿过显示装置1的区域的中心的参考轴(未示出)对称。
数据线DL可以在第一方向DR1上延伸并且可以以预定间隔沿第二方向DR2布置。每条数据线DL可以在第一方向DR1上延伸穿过显示区域DA。
数据线DL可以包括直接连接到信号布线SL的第一数据线DL_A并且可以包括通过连接布线BR连接到信号布线SL的第二数据线DL_B和DL_C。第一数据线DL_A可以设置在显示区域DA的在第二方向DR2上与驱动芯片20的宽度一致的区域中。第二数据线DL_B和DL_C可以设置在显示区域DA的在第二方向DR2上在驱动芯片20的外侧的区域中。即，第二数据线DL_B和DL_C可以设置在第一数据线DL_A的左侧和右侧上。
连接布线BR可以使一些数据线DL电连接到一些信号布线SL。连接布线BR可以设置在不同于设置有数据线DL的层的层中并且可以通过绝缘层与数据线DL绝缘。
连接布线BR可以以扇出结构设置在显示区域DA中。显示面板10的水平宽度可以大于驱动芯片20的水平宽度。连接布线BR可以形成从显示区域DA朝向非显示区域NDA扩得更宽的扇出结构以连接到第二数据线DL_B和DL_C。
连接布线BR的一部分可以在第一方向DR1上在第一数据线DL_A之间的空间中延伸并且可以沿第二方向DR2以有规律的间隔布置。连接布线BR可以在第一方向DR1上相对于驱动芯片20从左端朝向中心延伸得更多并且可以在第一方向DR1上相对于驱动芯片20从右端朝向中心延伸得更多。
相对于驱动芯片20位于中心处的连接布线BR可以朝向第二数据线DL_B中设置在左侧上的数据线DL倾斜地延伸。相对于驱动芯片20位于左侧上的连接布线BR可以朝向第二数据线DL_B中设置在右侧上的数据线DL倾斜地延伸。相对于驱动芯片20位于中心处的连接布线BR可以朝向第二数据线DL_C中设置在右侧上的数据线DL倾斜地延伸。相对于驱动芯片20位于右侧上的连接布线BR可以朝向第二数据线DL_C中设置在左侧上的数据线DL倾斜地延伸。连接布线BR可以在显示面板10的平面图中共同形成箭头形状。
显示区域DA包括电连接到数据线DL的多个像素。显示区域DA可以具有基本上矩形的平面形状和/或另一形状。
显示区域DA可以具有四条边，即，上边、下边、左边和右边并且可以具有设置在相邻边之间的四个角。上边和下边可以彼此平行并且左边和右边可以彼此平行。上边和下边可以垂直于左边和右边延伸，但是上边和下边与左边和右边交汇处的角可以不是直角，例如，可以是斜角。每个角的内角可以大于90度。每个角可以是类似倾斜的直线的形状，但是也可以具有倒圆的、弯曲的形状。
参照图5，显示区域DA的左边和下边交汇处的角可以具有倒圆的、弯曲的形状。连接布线BR和数据线DL可以通过接触孔CNT在显示区域DA外侧彼此连接。当显示区域DA具有倒圆的、弯曲的角时，直接相邻的接触孔CNT(连接布线BR和数据线DL通过接触孔CNT连接)之间的间隔可以在第二方向DR2上是相等的，但是所述间隔可以在第一方向DR1上朝向显示面板10的边缘(例如，显示面板10的左边缘)逐渐地增大。
由于连接布线BR和数据线DL在非显示区域NDA中通过接触孔CNT连接，所以可以不发生与其他导体不期望的结合。
参照图6和图7，驱动芯片20可以设置在副区域SR中并且电连接到驱动芯片20的第一信号布线SL1可以在副区域SR中以相等间隔在第一方向DR1上延伸。第一信号布线SL1可以与驱动芯片20位于同一布线层中。第一信号布线SL1可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)的金属或合金。
第二信号布线SL2可以在第一接触区域CT1中通过接触孔CNT接触一些第一信号布线SL1。第二信号布线SL2可以在面板弯曲区域BD中以相等间隔沿第一方向DR1延伸。
第一数据线DL_A可以在第一接触区域CT1中通过接触孔CNT接触一些第一信号布线SL1。第一数据线DL_A可以以相等间隔沿第一方向DR1从面板弯曲区域BD延伸到主区域MR。
第一数据线DL_A和第二信号布线SL2可以位于同一布线层中并且可以包括诸如铝(Al)的柔性材料并且/或者可以包括钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)的堆叠结构。
连接布线BR可以在位于非显示区域NDA中的第二接触区域CT2中通过接触孔CNT接触第二信号布线SL2。连接布线BR的一部分可以在非显示区域NDA中在第一方向DR1上延伸并且延伸到显示区域DA中的特定位置。连接布线BR可以在显示区域DA中的特定位置处向左并且/或者向下弯曲。连接布线BR的一部分可以从特定位置倾斜地延伸。连接布线BR可以位于不同于第二信号布线SL2的布线层的布线层中并且可以包括诸如铝(Al)的柔性材料并且/或者可以包括钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)的堆叠结构。
图8是根据实施例的图4的区域B的放大视图
参照图8，第一数据线DL_1的一部分可以与连接布线BR的一部分在主区域MR的一些部分中叠置。
第一数据线DL_1的一部分可以平行于第二信号布线SL2和连接布线BR从副区域SR延伸到面板弯曲区域BD。每条第一数据线DL_1的节距可以被定义为第一数据线DL_1的宽度和两条直接相邻的数据线之间的间隙的和。当每条第一数据线DL_1的节距具有小值时，第一数据线DL_1的一部分可以与连接布线BR的一部分在从非显示区域NDA到显示区域DA中的特定位置叠置，并且第一数据线DL_1的所述一部分的边缘与连接布线BR的所述一部分的边缘平行。
连接布线BR可以设置在与设置有第一数据线DL_1的层不同的层中并且可以通过绝缘层与第一数据线DL_1绝缘。绝缘层可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料。有机绝缘层可以具有至少约
Figure BDA0002189380440000111
的厚度；因此，可以最小化或防止由于连接布线BR和第一数据线DL_1叠置而引起的不期望的结合。
形成在显示装置1的基底110(参照图12)上的像素电连接到数据线DL。
图9是根据实施例的显示装置1的像素PX的等效电路图。
参照图9，显示装置1包括能够根据图像信号显示图像的多个像素PX；显示装置1包括连接到像素PX的多条信号线GWn、GIn、EM、GI(n+1)、DL和ELVDD(为了便于描述，信号线和通过该信号线传输的信号可由相同的附图标记表示，例如，第一扫描信号线GWn和通过第一扫描信号线GWn传输的扫描信号GWn)。一个像素PX可以包括电容器Cst、至少一个发光二极管ED以及连接到信号线GWn、GIn、EM、GI(n+1)、DL和ELVDD的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7。信号线GWn、GIn、EM、GI(n+1)、DL和ELVDD可以包括多条扫描线GWn、GIn和GI(n+1)、多条控制线EM、多条数据线DL以及多条驱动电压线ELVDD。
扫描线GWn、GIn和GI(n+1)可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传导栅极导通电压和栅极截止电压，栅极导通电压和栅极截止电压可以导通/截止包括在每个像素PX中的晶体管T2、T3、T4和T7。
连接到一个像素PX的扫描线GWn、GIn和GI(n+1)可以包括可以传输扫描信号GWn的第一扫描线GWn、可以与第一扫描线GWn在不同的时间传输具有栅极导通电压的扫描信号GIn的第二扫描线GIn和可以传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线GI(n+1)。在当前的实施例中，将主要描述其中第二扫描线GIn在早于第一扫描线GWn的时间传输栅极导通电压的示例。例如，当扫描信号GWn是在一帧期间传输的扫描信号中的第n扫描信号Sn(其中，n是大于或等于1的自然数)时，扫描信号GIn可以是诸如第(n-1)扫描信号S(n-1)的前一扫描信号并且扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。然而，扫描信号GI(n+1)也可以是除第n扫描信号Sn之外的扫描信号。
控制线EM可以传输控制信号，具体地，能够控制包括在像素PX中的发光二极管ED的光发射的发射控制信号。通过控制线EM传输的控制信号可以传导栅极导通电压和栅极截止电压并且可以具有不同于通过扫描线GWn、GIn和GI(n+1)传输的扫描信号的波形。
数据线DL可以传输数据信号并且驱动电压线ELVDD可以传输驱动电压。数据信号可以根据输入到显示装置1的图像信号而具有不同的电压电平并且驱动电压可以具有基本上恒定的电平。
晶体管T1至T7可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
在一个像素PX中，第一扫描线GWn可以传输扫描信号到第二晶体管T2和第三晶体管T3，第二扫描线GIn可以传输扫描信号GIn到第四晶体管T4，第三扫描线GI(n+1)可以传输扫描信号GI(n+1)到第七晶体管T7，控制线EM可以传输发射控制信号EM到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
第一晶体管T1的栅电极(或称为驱动栅电极)G1通过驱动栅极节点GN连接到电容器Cst的第一端Cst1，第一晶体管T1的源电极S1经由第五晶体管T5连接到驱动电压线ELVDD，第一晶体管T1的漏电极D1经由第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的阳极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作从数据线DL接收数据信号并且将驱动电流Id供应到发光二极管ED。
第二晶体管T2的栅电极G2连接到第一扫描线GWn并且第二晶体管T2的源电极S2连接到数据线DL。另外，第二晶体管T2的漏电极D2连接到第一晶体管T1的源电极S1并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线ELVDD。第二晶体管T2可以响应于通过第一扫描线GWn接收的扫描信号导通并将从数据线DL接收的数据信号传输到第一晶体管T1的源电极S1。
第三晶体管T3的栅电极G3连接到第一扫描线GWn，第三晶体管T3的源电极S3连接到第一晶体管T1的漏电极D1并且经由第六晶体管T6连接到发光二极管ED的阳极。第三晶体管T3的漏电极D3连接到第四晶体管T4的漏电极D4、电容器Cst的第一端Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3可以响应于通过第一扫描线GWn接收的扫描信号导通并且通过连接第一晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4的栅电极G4连接到第二扫描线GIn，第四晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压端子(即，初始化电压线)Vint，第四晶体管T4的漏电极D4经由第三晶体管T3的漏电极D3连接到电容器Cst的第一端Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4可以响应于通过第二扫描线GIn接收的扫描信号GIn导通并且通过将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1来初始化第一晶体管T1的栅电极G1的电压。
第五晶体管T5的栅电极G5连接到控制线EM，第五晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线ELVDD，第五晶体管T5的漏电极D5连接到第一晶体管T1的源电极S1和第二晶体管T2的漏电极D2。
第六晶体管T6的栅电极G6连接到控制线EM，第六晶体管T6的源电极S6连接到第一晶体管T1的漏电极D1和第三晶体管T3的源电极S3，第六晶体管T6的漏电极D6电连接到发光二极管ED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过控制线EM接收的发射控制信号EM同时导通。因此，驱动电压可以通过二极管连接的第一晶体管T1补偿并传输到发光二极管ED。
第七晶体管T7的栅电极G7连接到第三扫描线GI(n+1)，第七晶体管T7的源电极S7连接到第六晶体管T6的漏电极D6和发光二极管ED的阳极，第七晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压端子Vint和第四晶体管T4的源电极S4。可选地，第七晶体管T7的栅电极G7可以连接到第二扫描线GIn(参照图11)或单独的控制线(未示出)。
晶体管T1至T7可以是诸如P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的P沟道晶体管。晶体管T1至T7中的至少一个也可以是N沟道晶体管。
如上所述，电容器Cst的第一端Cst1连接到第一晶体管T1的栅电极G1，而第二端Cst2连接到驱动电压线ELVDD。发光二极管ED的阴极可以连接到用于传输共电压ELVSS的共电压端子ELVSS，并且接收共电压ELVSS。
根据实施例的一个像素PX的结构不限于图9中示出的结构，并且可以各种修改包括在一个像素PX中的晶体管的数量与电容器的数量以及连接关系。
现在将参照图10连同上述的图9来描述根据实施例的显示装置1的操作。这里，将描述其中晶体管T1至T7是P沟道晶体管的示例并且将描述显示装置1在一帧期间的操作。
图10是根据实施例的显示装置1的驱动信号的时序图。
参照图10，在一帧中，处于低电平的扫描信号……、S(n-2)、S(n-1)、Sn……可以顺序地传输到连接到多个像素PX的多条第一扫描线GWn。
在初始化时段期间，处于低电平的扫描信号GIn通过第二扫描线GIn供应。扫描信号GIn可以是例如第(n-1)扫描信号S(n-1)。第四晶体管T4响应于处于低电平的扫描信号GIn导通。初始化电压Vint通过第四晶体管T4连接到第一晶体管T1的栅电极G1并且第一晶体管T1由初始化电压Vint初始化。
接下来，当在数据编程和补偿时段期间处于低电平的扫描信号通过第一扫描线GWn供应时，第二晶体管T2和第三晶体管T3响应于处于低电平的扫描信号导通。例如，扫描信号可以是第n扫描信号Sn。此时，第一晶体管T1通过导通的第三晶体管T3二极管连接并且正向偏置。然后，通过从由数据线DL供应的数据信号减去第一晶体管T1的阈值电压Vth的补偿电压DL+Vth(其中，Vth具有负(-)值)施加到第一晶体管T1的栅电极G1。即，施加到第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压可以是补偿电压DL+Vth。
驱动电压和补偿电压DL+Vth可以施加到电容器Cst的两端并且与两端之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器Cst中。
接下来，从控制线EM供应的发射控制信号EM在发射时段期间从高电平改变到低电平。在一帧中，发射控制信号EM从高电平改变到低电平的时间可以在扫描信号传输到所有的第一扫描线GWn之后。第五晶体管T5和第六晶体管T6在发射时段期间通过处于低电平的发射控制信号EM导通。然后，产生与第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压与驱动电压之间的差对应的驱动电流Id。驱动电流Id通过第六晶体管T6供应到发光二极管ED。结果，电流Ied流过发光二极管ED。在发射时段期间，第一晶体管T1的栅极源极电压Vgs通过电容器Cst维持在(DL+Vth)-ELVDD。根据第一晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id可以与通过从栅极源极电压Vgs减去阈值电压Vth获得的值的平方(DL-ELVDD)2成比例。因此，驱动电流Id可以不考虑第一晶体管T1的阈值电压Vth而确定。
在初始化时段期间，第七晶体管T7响应于通过第三扫描线GI(n+1)接收的处于低电平的扫描信号GI(n+1)而导通。扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。在这种情况下，第七晶体管T7可以与第二晶体管T2和第三晶体管T3同时导通。驱动电流Id的一部分可以通过导通的第七晶体管T7作为旁路电流Ibp流出。
图11是根据实施例的与连接布线的倾斜部分叠置的像素的平面图，图12是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。图13是根据实施例的与连接布线的竖直部分叠置的像素的平面图，图14是根据实施例的沿图13的线II-II’截取的剖视图。
包括在显示装置1中的像素PX可以显示不同的颜色。例如，像素PX可以包括能够显示红色的红色像素、能够显示绿色的绿色像素和能够显示蓝色的蓝色像素。在实施例中，红色像素、绿色像素和蓝色像素中的至少一种可以显示不同的颜色。在实施例中，可以提供能够显示除红色、绿色和蓝色之外的其他颜色的像素。
参照图9、图11、图12、图13和图14，显示装置1可以包括第一导电层GAT1，第一导电层GAT1包括用于传输第一扫描信号的第一扫描线GWn、用于传输第二扫描信号的第二扫描线GIn和用于传输发射控制信号的控制线EM。第一导电层GAT1可以位于基底110的表面上、可以包括与第一导电层GAT1的其他导体相同的材料并且/或者可以由与第一导电层GAT1的其他导体相同的材料形成，并且可以与第一导电层GAT1的其他导体位于同一层上。
基底110可以包括诸如玻璃或塑料的无机或有机绝缘材料并且可以具有一种或更多种不同程度的柔性。
包括GWn、GIn和GI(n+1)(在图9中示出)的多条扫描线和控制线EM可以在显示装置1的平面图中基本上沿第二方向DR2延伸。在显示装置1的平面图中第一扫描线GWn可以位于第二扫描线GIn与控制线EM之间。第三扫描线GI(n+1)可以在由第二扫描线GIn传输第二扫描信号之后传输第三扫描信号GI(n+1)。当第一扫描线GWn传输第(n-2)扫描信号S(n-2)时，第三扫描线GI(n+1)也可以传输第n扫描信号Sn。在示例性实施例中，可以省略第三扫描线GI(n+1)(参照图11)。
显示装置1还可以包括第二导电层GAT2，第二导电层GAT2包括电容器Cst的第二端Cst2(在图9中示出)和初始化电压线Vint。第二导电层GAT2与第一导电层GAT1分离开。例如，第二导电层GAT2可以位于第一导电层GAT1之上。
电容器Cst的第二端Cst2和初始化电压线Vint可以在显示装置1的平面图中基本上沿第二方向DR2延伸。在显示装置1的平面图中电容器Cst的第二端Cst2可以位于第一扫描线GWn与控制线EM之间。电容器Cst的第二端Cst2可以通过接触孔CNT连接到驱动电压线ELVDD以接收驱动电压。存储开口OP可以形成在电容器Cst的第二端Cst2中。
初始化电压线Vint可以传输初始化电压并且在显示装置1的平面图中可以位于第二扫描线GIn的下方。然而，初始化电压线Vint的位置不限于此位置。
显示装置1还可以包括第三导电层SD1，第三导电层SD1包括用于传输数据信号的数据线DL并且包括用于传输驱动电压的驱动电压线ELVDD。第三导电层SD1与第一导电层GAT1和第二导电层GAT2中的每个分离开。例如，第三导电层SD1可以位于第二导电层GAT2之上。
数据线DL和驱动电压线ELVDD在显示装置1的平面图中可以基本上在第一方向DR1上延伸并且可以与扫描线GWn和GIn、控制线EM、初始化电压线Vint以及电容器Cst的第二端Cst2交叉。
每个像素PX可以包括连接到扫描线GWn和GIn、控制线EM、数据线DL和驱动电压线ELVDD的晶体管T1至T7、电容器Cst以及发光二极管ED。
一个像素PX中的晶体管T1至T7中的每个的沟道可以形成在一个有源图案ACT的内部并且有源图案ACT可以以各种形状弯曲。有源图案ACT可以包括诸如多晶硅或氧化物半导体的半导体材料。
在剖视图中有源图案ACT可以位于基底110与第一导电层GAT1之间。
有源图案ACT包括分别形成晶体管T1至T7的沟道的沟道区域A1、A2、A3_1、A3_2、A4_1、A4_2、A5、A6和A7和导电区域。具体地，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以具有双栅极结构。这种情况下，第三晶体管T3可以包括两个沟道区域A3_1和A3_2，第四晶体管T4可以包括两个沟道区域A4_1和A4_2。
有源图案ACT的导电区域位于沟道区域A1、A2、A3_1、A3_2、A4_1、A4_2、A5、A6和A7中的每个的两侧上并且具有高于沟道区域A1、A2、A3_1、A3_2、A4_1、A4_2、A5、A6和A7的载流子浓度。有源图案ACT的除沟道区域A1、A2、A3_1、A3_2、A4_1、A4_2、A5、A6和A7之外的部分的大部分可以是导电区域。位于晶体管T1至T7的沟道区域A1、A2、A3_1、A3_2、A4_1、A4_2、A5、A6和A7中的每个的两侧上的一对导电区域可以是晶体管T1至T7中的每个的源极区域和漏极区域并且可以分别用作源电极和漏电极。
第一晶体管T1包括沟道区域A1、作为有源图案ACT的位于沟道区域A1的两侧上的导电区域的源极区域S1和漏极区域D1以及在显示装置1的平面图中与沟道区域A1叠置的驱动栅电极G1。
第一晶体管T1的沟道区域A1可以弯曲至少一次。例如，沟道区域A1可以具有曲折形状或z字形形状。
在显示装置1的平面图中源极区域S1和漏极区域D1连接到沟道区域A1的两侧。
驱动栅电极G1可以包括在第一导电层GAT1中并且可以通过接触孔CNT和存储开口OP连接到连接构件CM1。存储开口OP围绕接触孔CNT。在剖面中连接构件CM1可以包括在第三导电层SD1中。连接构件CM1可以基本上平行于数据线DL延伸所沿的方向延伸并且可以与数据线DL设置在同一层中，然而，示例性实施例不限于此。连接构件CM1与驱动栅电极G1一起与在图9的电路图中示出的驱动栅极节点GN对应。
第二晶体管T2包括沟道区域A2、作为有源图案ACT的位于沟道区域A2的两侧上的导电区域的源极区域S2和漏极区域D2以及在显示装置1的平面图中与沟道区域A2叠置的栅电极G2。栅电极G2是第一扫描线GWn的一部分。在显示装置1的平面图中源极区域S2位于第一扫描线GWn的下方并连接到沟道区域A2且通过接触孔CNT连接到数据线DL。在显示装置1的平面图中漏极区域D2位于第一扫描线GWn的上方并连接到沟道区域A2且连接到第一晶体管T1的源极区域S1。
第三晶体管T3可以由两部分组成以防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括彼此相邻且彼此连接的下第三晶体管T3_1和上第三晶体管T3_2。
下第三晶体管T3_1包括在显示装置1的平面图中与第一扫描线GWn叠置的沟道区域A3_1、作为有源图案ACT的位于沟道区域A3_1的两侧上的导电区域的源极区域S3_1和漏极区域D3_1以及与沟道区域A3_1叠置的栅电极G3_1。栅电极G3_1可以是第一扫描线GWn的突出部的一部分。漏极区域D3_1在显示装置1的平面图中位于第一扫描线GWn的下方并且通过接触孔CNT连接到连接构件CM1。
上第三晶体管T3_2包括在显示装置1的平面图中与第一扫描线GWn叠置的沟道区域A3_2、作为有源图案ACT的位于沟道区域A3_2的两侧上的导电区域的源极区域S3_2和漏极区域D3_2以及与沟道区域A3_2叠置的栅电极G3_2。栅电极G3_2是第一扫描线GWn的一部分。上第三晶体管T3_2的源极区域S3_2连接到第一晶体管T1的漏极区域D1并且漏极区域D3_2连接到下第三晶体管T3_1的源极区域S3_1。
第四晶体管T4也可以由两部分组成以防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括彼此相邻且彼此相连的左第四晶体管T4_1和右第四晶体管T4_2。
左第四晶体管T4_1包括在显示装置1的平面图中与第二扫描线GIn叠置的沟道区域A4_1、作为有源图案ACT的位于沟道区域A4_1的两侧上的导电区域的源极区域S4_1与漏极区域D4_1以及与沟道区域A4_1叠置的栅电极G4_1。栅电极G4_1是第二扫描线GIn的一部分。漏极区域D4_1在显示装置1的平面图中位于第二扫描线GIn的上方并且连接到下第三晶体管T3_1的漏极区域D3_1。
右第四晶体管T4_2包括在显示装置1的平面图中与第二扫描线GIn叠置的沟道区域A4_2、作为有源图案ACT的位于沟道区域A4_2的两侧上的导电区域的源极区域S4_2和漏极区域D4_2以及与沟道区域A4_2叠置的栅电极G4_2。栅电极G4_2是第二扫描线GIn的一部分。漏极区域D4_2可以连接到左第四晶体管T4_1的源极区域S4_1并且源极区域S4_2可以通过接触孔CNT接触连接构件CM2。
在剖面中连接构件CM2可以包括在第三导电层SD1中。连接构件CM2可以通过接触孔CNT接触初始化电压线Vint。
第五晶体管T5包括沟道区域A5、作为有源图案ACT的位于沟道区域A5的两侧上的导电区域的源极区域S5和漏极区域D5以及与沟道区域A5叠置的栅电极G5。栅电极G5是控制线EM的一部分。源极区域S5在显示装置1的平面图中位于控制线EM的上方，连接到沟道区域A5并且可以通过接触孔CNT接触驱动电压线ELVDD。漏极区域D5在显示装置1的平面图中位于控制线EM的下方，连接到沟道区域A5并且连接到第一晶体管T1的源极区域S1。
第六晶体管T6包括沟道区域A6、作为有源图案ACT的位于沟道区域A6的两侧上的导电区域的源极区域S6和漏极区域D6以及与沟道区域A6叠置的栅电极G6。栅电极G6是控制线EM的一部分。源极区域S6在显示装置1的平面图中位于控制线EM下方，连接到沟道区域A6并且连接到第一晶体管T1的漏极区域D1。漏极区域D6在显示装置1的平面图中位于控制线EM上方，连接到沟道区域A6并且可以通过接触孔CNT接触发光二极管ED的阳极ED_anode。在剖面中阳极ED_anode可以包括在第三导电层SD1中。
第七晶体管T7包括沟道区域A7、作为有源图案ACT的位于沟道区域A7的两侧上的导电区域的源极区域S7和漏极区域D7以及与沟道区域A7叠置的栅电极G7。栅电极G7是第二扫描线GIn的一部分。源极区域S7在显示装置1的平面图中位于第二扫描线GIn下方，连接到沟道区域A7并且连接到第六晶体管T6的漏极区域D6。漏极区域D7在显示装置1的平面图中位于第二扫描线GIn上方并且通过接触孔CNT接触连接构件CM2以接收初始化电压。
电容器Cst可以包括在显示装置1的平面图中彼此叠置的驱动栅电极G1(Cst1)和电容器Cst的第二端Cst2作为两个端子。电容器Cst可以保持与驱动电压施加到其的电容器Cst的第二端Cst2与驱动栅电极G1的电压之间的差对应的电压差。电容器Cst的第二端Cst2可以具有在显示装置1的平面图中的大于驱动栅电极G1的面积并且覆盖驱动栅电极G1的整个区域。
第二导电层GAT2还可以包括与数据线DL叠置的屏蔽图案CP。屏蔽图案CP可以通过接触孔CNT接触驱动电压线ELVDD以接收驱动电压。屏蔽图案CP可以屏蔽驱动栅极节点GN与数据线DL之间的空间以防止由于数据信号的变化引起的驱动栅极节点GN的电压变化。可以省略屏蔽图案CP。
连接布线BR可以包括与像素PX叠置的并且在像素PX中从右上端向左下端倾斜地延伸的部分BR1_A和BR1_B。连接布线BR可以包括与另一像素PX叠置并且在像素PX中从下端到上端笔直地延伸的连接布线部分BR2。
倾斜地延伸的连接布线部分BR1_A可以从上第三晶体管T3_2的漏极区域D3_2延伸到对应像素PX的第二扫描线GIn与初始化电压线Vint之间的点。倾斜地延伸的另一连接布线部分BR1_B可以从第六晶体管T6的漏极区域D6到对应像素PX的控制线EM与第一扫描线GWn之间的点延伸。笔直地延伸的连接布线部分BR2可以在像素电极PE的厚度方向上与驱动电压线ELVDD叠置。
参照图12和图14，缓冲层120可以位于基底110上。缓冲层120防止杂质从基底110引入到设置在缓冲层120上的层(具体地，有源图案ACT)，从而改善有源图案ACT的特性并且减轻应力。缓冲层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。可以省略缓冲层120的至少一部分。
有源图案ACT可以位于缓冲层120上。根据实施例，有源图案ACT可以包括左第四晶体管T4_1的沟道区域A4_1、源极区域S4_1和漏极区域D4_1以及第三晶体管T3的漏极区域D3。
第一绝缘层130(GI)可以位于有源图案ACT上。第一绝缘层130(GI)的厚度可以为至少约
Figure BDA0002189380440000201
第一导电层GAT1可以位于第一绝缘层130(GI)上。第一导电层GAT1可以包括左第四晶体管T4_1的栅电极G4_1。第一导电层GAT1可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)的金属或合金。
第二绝缘层140(ILD1)可以设置在第一导电层GAT1和第一绝缘层130(GI)上。第二导电层GAT2可以位于第二绝缘层140(ILD1)上。第二导电层GAT2可以包括屏蔽图案CP。第二导电层GAT2可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)的金属或合金。
第三绝缘层150(ILD2)可以设置在第二导电层GAT2和第二绝缘层140(ILD1)上。第一绝缘层130(GI)、第二绝缘层140(ILD1)和第三绝缘层150(ILD2)中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
第三导电层SD1可以位于第三绝缘层150(ILD2)上。第三导电层SD1可以包括驱动电压线ELVDD和连接构件CM1。驱动电压线ELVDD可以通过形成在第三绝缘层150(ILD2)中的接触孔CNT接触屏蔽图案CP。第三导电层SD1可以包括诸如铝(Al)或Ti/Al/Ti的堆叠层的柔性材料。
第四绝缘层160(VIA1)可以设置在第三导电层SD1和第三绝缘层150(ILD2)上。第四绝缘层160(VIA1)可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料。第四绝缘层160(VIA1)的上表面可以是基本上平坦的。第四绝缘层160(VIA1)也可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料。因此，接触孔CNT的尺寸可以减小。
第四导电层SD2可以位于第四绝缘层160(VIA1)上。第四导电层SD2可以包括连接布线BR，连接布线BR包括部分BR1_A、BR1_B和BR2。第四导电层SD2可以包括诸如铝(Al)的柔性材料并且/或者可以包括钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)的堆叠结构。
第五绝缘层170(VIA2)位于第四导电层SD2和第四绝缘层160(VIA1)上。第五绝缘层170(VIA2)可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料并且第五绝缘层170(VIA2)的上表面可以是基本上平坦的。
第五导电层可以位于第五绝缘层170(VIA2)上。像素限定层HPDL可以位于第五绝缘层170(VIA2)和第五导电层上。
尽管未示出，但是像素限定层HPDL可以具有暴露像素电极PE的开口。发光层可以位于像素电极PE上。发光层可以位于开口中。发光层可以包括有机发光材料或无机发光材料。共电极可以位于发光层上。共电极也可以形成在像素限定层HPDL上并且在多个像素PX之上延伸。像素电极PE、发光层和共电极的对应的部分可以形成发光二极管ED。用于保护发光二极管ED的密封层可以位于共电极上。密封层可以包括交替地堆叠的无机层和有机层。
图15是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。图15中示出的一些结构可以与图12中示出的一些结构相同或相似。
参照图15，像素结构不同于图12的像素结构，不同之处在于，连接布线部分BR1_A位于第三绝缘层150(ILD2)上并且驱动电压线ELVDD和连接构件CM1位于第六绝缘层160_1(ILD3)上。
第六导电层GAT3可以位于第三绝缘层150(ILD2)上。第六导电层GAT3可以包括连接布线BR，连接布线BR包括部分BR1_A、BR1_B和BR2。第六导电层GAT3可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)的金属或合金。
第六绝缘层160_1(ILD3)可以位于第六导电层GAT3和第三绝缘层150(ILD2)上。第三绝缘层150(ILD2)和第六绝缘层160_1(ILD3)中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
第七导电层SD1_1可以位于第六绝缘层160_1(ILD3)上。第七导电层SD1_1可以包括驱动电压线ELVDD和连接构件CM1。驱动电压线ELVDD可以通过形成在第三绝缘层150(ILD2)和第六绝缘层160_1(ILD3)中的接触孔CNT接触屏蔽图案CP。第七导电层SD1_1可以包括诸如铝(Al)或Ti/Al/Ti的堆叠层的柔性材料。
第七绝缘层170_1(VIA1)位于第七导电层SD1_1和第六绝缘层160_1(ILD3)上。第七绝缘层170_1(VIA1)可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料并且第七绝缘层170_1(VIA1)的上表面可以是基本上平坦的。
图16是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。图16中示出的一些结构可以与图15和/或图12中示出的一些结构相同或相似。
参照图16，像素结构不同于图15的像素结构，不同之处在于，连接构件CM1位于第七绝缘层170_1(VIA1)上并且设置有第八绝缘层180(VIA2)。
第七导电层SD1_1可以位于第六绝缘层160_1(ILD3)上。第七导电层SD1_1可以包括驱动电压线ELVDD。驱动电压线ELVDD可以通过形成在第三绝缘层150(ILD2)和第六绝缘层160_1(ILD3)中的接触孔CNT接触屏蔽图案CP。第七导电层SD1_1可以包括诸如铝(Al)或Ti/Al/Ti的堆叠层的柔性材料。
第七绝缘层170_1(VIA1)可以位于第七导电层SD1_1和第六绝缘层160_1(ILD3)上。第七绝缘层170_1(VIA1)可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料并且第七绝缘层170_1(VIA1)的上表面可以是基本上平坦的。
第八导电层SD2_1可以位于第七绝缘层170_1(VIA1)上。第八导电层SD2_1可以包括连接构件CM1。第八绝缘层180(VIA2)可以位于第八导电层SD2_1和第七绝缘层170_1(VIA1)上。第八绝缘层180(VIA2)可以包括诸如聚丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料并且第八绝缘层180(VIA2)的上表面可以是基本上平坦的。
图17是根据实施例的沿图11的线I-I’截取的剖视图。图17中示出的一些结构可以与图16、图15和/或图12中示出的一些结构相同或相似。
参照图17，像素结构不同于图15的像素结构，不同之处在于，连接构件CM1和连接布线部分BR1_A被扩宽的驱动电压线ELVDD_1屏蔽。
在像素电极PE的厚度方向上，图15中示出的驱动电压线ELVDD可以与从左第四晶体管T4_1的栅电极G4_1延伸到漏极区域D4_1的区域叠置。驱动电压线ELVDD_1可以在显示装置1的平面图中更宽。在厚度方向上，驱动电压线ELVDD_1可以与从左第四晶体管T4_1的栅电极G4_1延伸到在厚度方向上与第三晶体管T3的漏极区域D3部分地叠置的连接布线部分BR1_A的区域叠置。因此，可以最小化在连接构件CM1与连接布线部分BR1_A之间的不期望的耦合。
在不脱离权利要求的范围的情况下，可以对描述的实施例做出许多变化和修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一像素；
第二像素；
第一数据线，电连接到所述第一像素；
第二数据线，电连接到所述第二像素并且与所述第一数据线电绝缘；
第一信号布线，电连接到所述第一数据线；
第二信号布线，电连接到所述第二数据线；以及
连接布线，将所述第二数据线电连接到所述第二信号线布线，其中，所述连接布线包括第一部分和第二部分，其中，所述第二部分直接连接到所述第一部分，与所述第一像素叠置，与所述第一数据线叠置，并且在所述显示装置的平面图中相对于所述第一数据线和所述第二数据线中的每条数据线倾斜。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二部分在所述显示装置的平面图中相对于所述第一部分成锐角。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第三像素，其中，所述第一部分与所述第三像素叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线通过第一接触孔连接到所述第二信号布线，其中，所述连接布线通过第二接触孔连接到所述第二数据线，并且其中，所述第一数据线的一部分位于所述第一接触孔与所述第二接触孔之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线通过第一接触孔连接到所述第二信号布线，其中，所述第一接触孔在所述第一部分的长度方向上位于所述显示装置的显示区域之外，并且其中，所述第一像素和所述第二像素位于所述显示装置的所述显示区域中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接布线通过第二接触孔连接到所述第二数据线，并且其中，所述第二接触孔在所述第二部分的长度方向上位于所述显示装置的所述显示区域之外。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素位于所述显示装置的显示区域中，其中，所述显示装置的非显示区域与所述显示装置的所述显示区域相邻，并且其中，在所述显示装置的平面图中，所述显示装置的所述显示区域与所述显示装置的所述非显示区域的边界与所述第一部分和所述第二部分两者交叉。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一信号布线的材料与所述第二信号布线的材料相同。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线的所述第一部分在所述显示装置的平面图中平行于所述第一数据线，并且其中，所述连接布线的所述第二部分在所述显示装置的平面图中与所述第一数据线交叉。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线的所述第一部分与所述第一数据线叠置，并且其中，所述连接布线的所述第一部分的边缘平行于所述第一数据线的边缘。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线由铝和钛中的至少一种形成。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二信号布线通过第三信号布线连接到所述连接布线，并且其中，所述第三信号布线的材料与所述第一数据线的材料相同。
13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述连接布线与所述第一数据线和所述第二数据线中的每条数据线之间的第一有机绝缘层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层具有至少
Figure FDA0002189380430000021
的厚度。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层由聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种形成。
16.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述连接布线的第二有机绝缘层。
17.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述连接布线与所述第一数据线之间的无机绝缘层。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一数据线在垂直于所述第一像素的像素电极的面的方向上设置在所述连接布线与所述第一像素的所述像素电极之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述第一数据线的有机绝缘层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述连接布线包括铜和钼中的至少一种。
CN201910826892.3A 2018-09-14 2019-09-03 显示装置 Pending CN110911444A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0110373 2018-09-14
KR1020180110373A KR20200031738A (ko) 2018-09-14 2018-09-14 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110911444A true CN110911444A (zh) 2020-03-24

Family

ID=69774335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910826892.3A Pending CN110911444A (zh) 2018-09-14 2019-09-03 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10755608B2 (zh)
KR (1) KR20200031738A (zh)
CN (1) CN110911444A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113470558A (zh) * 2021-06-01 2021-10-01 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN113870713A (zh) * 2021-09-29 2021-12-31 成都京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2023020059A1 (zh) * 2021-08-20 2023-02-23 荣耀终端有限公司 Tft基板、显示模组及电子设备
WO2024092401A1 (zh) * 2022-10-31 2024-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101763616B1 (ko) * 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200017012A (ko) * 2018-08-07 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102632130B1 (ko) 2019-05-07 2024-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
GB2610957A (en) * 2021-01-29 2023-03-22 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and display device
EP4203053A4 (en) * 2021-04-30 2023-10-25 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107003580A (zh) * 2014-11-21 2017-08-01 夏普株式会社 显示装置
CN108254984A (zh) * 2018-01-31 2018-07-06 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108292488A (zh) * 2016-01-21 2018-07-17 苹果公司 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326594B1 (ko) * 2006-12-15 2013-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8871590B2 (en) * 2009-12-31 2014-10-28 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof
CN103578418B (zh) * 2012-07-23 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示装置和形成显示装置的方法
KR20140053626A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
CN104919514B (zh) * 2013-01-21 2017-06-09 夏普株式会社 有源矩阵基板和显示装置
JP6560887B2 (ja) * 2015-04-08 2019-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ トランジスタ基板および表示装置
KR20170051667A (ko) 2015-10-30 2017-05-12 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 디스플레이 장치
CN105427748B (zh) * 2016-01-04 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及显示方法
KR102504129B1 (ko) 2016-03-31 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2017187608A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の駆動方法、及び表示装置
CN106910765B (zh) * 2017-05-04 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107003580A (zh) * 2014-11-21 2017-08-01 夏普株式会社 显示装置
CN108292488A (zh) * 2016-01-21 2018-07-17 苹果公司 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构
CN108254984A (zh) * 2018-01-31 2018-07-06 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113470558A (zh) * 2021-06-01 2021-10-01 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
WO2023020059A1 (zh) * 2021-08-20 2023-02-23 荣耀终端有限公司 Tft基板、显示模组及电子设备
CN113870713A (zh) * 2021-09-29 2021-12-31 成都京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113870713B (zh) * 2021-09-29 2023-11-07 成都京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2024092401A1 (zh) * 2022-10-31 2024-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11568769B2 (en) 2023-01-31
US10755608B2 (en) 2020-08-25
US20220198968A1 (en) 2022-06-23
KR20200031738A (ko) 2020-03-25
US11961425B2 (en) 2024-04-16
US20200342791A1 (en) 2020-10-29
US11302221B2 (en) 2022-04-12
US20200090559A1 (en) 2020-03-19
US20230117741A1 (en) 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110911444A (zh) 显示装置
KR102432935B1 (ko) 표시 장치
CN108735779B (zh) 包含发射层的显示装置
KR102606279B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102047513B1 (ko) 표시 장치
US11360599B2 (en) Touch display device
US11545538B2 (en) Display panel
CN114784077A (zh) 显示面板及显示装置
EP3826060A1 (en) Display device
CN113345934A (zh) 显示装置
CN116507163A (zh) 显示面板
CN115513255A (zh) 显示装置
KR20210157926A (ko) 표시 장치
KR20220007753A (ko) 표시 장치
CN219288078U (zh) 显示装置
CN221304691U (zh) 显示装置
US20240057417A1 (en) Display device
KR102603688B1 (ko) 수직 구조 트랜지스터 및 전자장치
US20220128881A1 (en) Semiconductor substrate and display device
CN118057945A (zh) 显示装置
CN117878123A (zh) 显示装置
CN117877404A (zh) 显示装置
CN116419627A (zh) 显示装置
CN116895234A (zh) 发射显示装置
KR20220158130A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination