CN108735779B - 包含发射层的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种包含发射层的显示装置。该显示装置包括在第一方向上延伸的扫描线。多条数据线与扫描线相交。驱动电压线与扫描线相交。有源图案包括多个沟道区和多个导电区。控制线与多条数据线和驱动电压线相交。有源图案包括与多条数据线中的至少一条数据线重叠的屏蔽部。控制线包括多个干线部以及迂回部，每个干线部在第一方向上延伸，并且迂回部将多个干线部中相邻的两个干线部彼此连接。迂回部沿着有源图案的周边延伸，并且与多条数据线中的至少一条数据线相交。

Description

包含发射层的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年1月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2017-0012532的优先权和权益，其整体内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及显示装置，并且更具体地涉及包含发射层的显示装置。
背景技术
用于显示图像的显示装置包含多个像素。在显示装置是有机发光二极管(OLED)显示装置的情况下，这些像素中的每一个可以包括有机发光二极管，该有机发光二极管具有阴极、阳极以及设置在阴极与阳极之间的有机发射层。这些像素中的每一个可以进一步包括用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器。
在有机发光二极管中，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机发射层结合以形成激子，由此随着激子释放能量而发射光。
多个晶体管包括至少一个开关晶体管和驱动晶体管。至少一个开关晶体管可以在扫描信号的控制下接收数据信号，并且可以将电压传输到驱动晶体管。驱动晶体管直接或者间接地连接至有机发光二极管，以控制被传输到有机发光二极管的电流的水平，由此每个像素发射具有期望亮度的光。
电容器连接至驱动晶体管的驱动栅电极，由此维持驱动栅电极的电压。
由于数据线传输相对于时间变化的数据信号，因此，如果在设置于数据线附近的导线与该数据线之间形成寄生电容，则数据信号的变化可能影响该导线的电压。特别地，如果影响像素亮度的驱动栅节点(诸如驱动晶体管的驱动栅电极)的电压由于相邻数据线所传输的数据信号的变化而发生变化，则像素的亮度发生变化，由此造成诸如串扰的显示质量缺陷。
发明内容
一种显示装置包括在第一方向上延伸的扫描线。多条数据线与扫描线相交。驱动电压线与扫描线相交。有源图案包括多个沟道区和多个导电区。控制线与多条数据线和驱动电压线相交。有源图案包括与多条数据线中的至少一条数据线重叠的屏蔽部。控制线包括多个干线部以及迂回部，每个干线部在第一方向上延伸，并且迂回部将多个干线部中相邻的两个干线部彼此连接。迂回部沿着有源图案的周边延伸，并且与多条数据线中的至少一条数据线相交。
显示装置包括多个像素。每个像素包括发光二极管。第六晶体管连接至发光二极管。控制线包括第六晶体管的栅电极。数据线与控制线相交。屏蔽部与数据线重叠并且接收驱动电压。控制线进一步包括不与数据线相交的干线部。控制线进一步包括迂回部，该迂回部连接至干线部并且沿着屏蔽部的周边弯曲。
有机发光二极管显示装置包括第一像素，第一像素具有连接至该第一像素的数据线以及多个第一晶体管，多个第一晶体管具有有源图案。第二像素具有多个第二晶体管和被配置为将控制信号提供到多个第二晶体管的控制线。第二像素的控制线与第一像素的数据线重叠，但是不与第一像素的有源图案重叠。
附图说明
通过参照下面结合附图所考虑的详细描述，本公开的更完整理解以及本公开的许多附加方面将容易获得，同时本公开变得更好理解，其中：
图1是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的单个像素的电路图；
图2是示出根据本发明示例性实施例的被施加到显示装置的像素的信号的时序图；
图3是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的两个相邻像素的布局图；
图4是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的四个相邻像素的布局图；
图5是示出图3中所示的显示装置的沿着线V-Va截取的剖面图；
图6是示出图3中所示的显示装置的沿着线VI-VIa截取的剖面图；
图7是示出图3中所示的显示装置的沿着线VII-VIIa截取的剖面图；
图8至图10是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的相邻像素的布局图。
具体实施方式
在描述附图中示出的本公开的示例性实施例中，出于清楚的目的采用特定术语。然而，本公开不意在受限于如此选择的特定术语，并且应理解的是，每个特定元件包括以相似的方式操作的全部技术等同物。
在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指示相同的元件。
此外，在附图中示出的各种层、薄膜、面板、区域等的尺寸和厚度可以被放大，以便清楚、更好的理解以及易于描述，但是本发明不限于此。
应理解的是，当诸如层、薄膜、区域或基板的元件被称为在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。
现在将参考附图详细地描述根据本发明示例性实施例的显示装置。
参考图1，根据本发明示例性实施例的显示装置包括用于显示图像的多个像素PX以及多条信号线151、152、152′、153、171和172。虽然示出了一个像素，然而应理解的是，显示装置可以包括多个像素，每个像素具有类似的结构。一个像素PX可以包括连接至多条信号线151、152、152′、153、171和172的多个晶体管T1、T2、T3、 T4、T5、T6和T7、电容器Cst以及至少一个发光二极管(LED)ED。根据本发明的示例性实施例，每个像素PX包括一个发光二极管(LED)ED。然而，应理解的是，每个像素PX可以包括多个LED。
信号线151、152、152′、153、171和172可以包括多条扫描线151、152和152′、多条控制线153、多条数据线171和多条驱动电压线172。
多条扫描线151、152和152′可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输能够导通/截止包含在像素PX中的晶体管T2、 T3、T4和T7的栅极导通电压和栅极截止电压。
连接至一个像素PX的扫描线151、152和152′可以包括传输扫描信号GWn的第一扫描线151、在与第一扫描线151的时间不同的时间传输具有栅极导通电压的扫描信号GIn的第二扫描线152以及传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线152′。根据本发明的示例性实施例，第二扫描线152在比第一扫描线151的时间早的时间传输栅极导通电压。例如，当扫描信号GWn是在一个帧期间施加的扫描信号当中的第n个扫描信号Sn时(其中n是正整数)，扫描信号GIn可以是诸如第(n-1)个扫描信号S(n-1) 的前一扫描信号，并且扫描信号GI(n+1)可以是第n个扫描信号Sn。然而，本发明并不受限于该特定布置，并且扫描信号GI(n+1)可以是与第n个扫描信号Sn不同的扫描信号。
控制线153可以传输控制信号，并且具体地，控制线153可以传输发射控制信号，该发射控制信号用于控制包括在像素PX内的发光二极管(LED)ED的发射。由控制线153传输的控制信号可以传输栅极导通电压和栅极截止电压，并且可以传输与由扫描线151、152和152′传输的扫描信号不同的波形。
数据线171可以传输数据信号Dm，并且驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。根据输入到显示装置的图像信号，数据信号Dm可以具有其他电压电平，并且驱动电压ELVDD可以具有基本上恒定的电平。
显示装置可以进一步包括驱动器，驱动器传输信号到多条信号线151、152、152′、153、171和172。例如，驱动器可以包括扫描驱动器和数据驱动器，该扫描驱动器传输扫描信号到多条扫描线151、152和152′，并且该数据驱动器传输数据信号到数据线171。驱动器可以与包括在像素PX内的多个晶体管T1-T7一起直接形成在包括于显示装置中的显示面板上，或者驱动器可以附接至显示面板上作为至少一个驱动电路芯片。可替换地，驱动器可以附接于连接至显示面板的印刷电路薄膜，以将信号传输到显示面板。驱动器或者印刷电路薄膜可以围绕其中设置有多个像素PX的显示区域来设置。
包括在一个像素PX中的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7。
第一扫描线151可以将扫描信号GWn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3，第二扫描线152可以将扫描信号GIn传输到第四晶体管T4，第三扫描线152′可以将扫描信号GI(n+1)传输到第七晶体管T7，并且控制线153可以将发射控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
第一晶体管T1的栅电极G1可以通过驱动栅节点GN连接至电容器Cst的一个端子Cst1，第一晶体管T1的源电极S1经由第五晶体管T5连接至驱动电压线172，并且第一晶体管T1的漏电极D1经由第六晶体管T6连接至发光二极管(LED)ED的阳极。第一晶体管T1在第二晶体管T2的开关操作的控制下接收由数据线171传输的数据信号Dm，以将驱动电流Id供应到发光二极管(LED)ED。
第二晶体管T2的栅电极G2连接至第一扫描线151，第二晶体管T2的源电极S2 连接至数据线171，并且第二晶体管T2的漏电极D2经由第五晶体管T5连接至驱动电压线172，同时也连接至第一晶体管T1的源电极S1。第二晶体管T2在通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn的控制下被导通，使得从数据线171传输的数据信号 Dm可以被传输到第一晶体管T1的源电极S1。
第三晶体管T3的栅电极G3连接至第一扫描线151，并且第三晶体管T3的源电极S3经由第六晶体管T6连接至发光二极管(LED)ED的阳极，同时也连接至第一晶体管T1的漏电极D1。第三晶体管T3的漏电极D3连接至第四晶体管T4的漏电极 D4、电容器Cst的一个端子Cst1以及第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3在通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn的控制下被导通，以通过将第一晶体管T1 的栅电极G1和漏电极D1彼此连接来二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4的栅电极G4连接至第二扫描线152。第四晶体管T4的源电极S4 连接至初始化电压Vint的一端。第四晶体管T4的漏电极D4通过第三晶体管T3的漏电极D3连接至电容器Cst的一个端子Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4在通过第二扫描线152传输的扫描信号GIn的控制下被导通，以将初始化电压 Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1，由此执行初始化第一晶体管T1的栅电极G1 的电压的操作。
第五晶体管T5的栅电极G5连接至控制线153。第五晶体管T5的源电极S5连接至驱动电压线172。第五晶体管T5的漏电极D5连接至第一晶体管T1的源电极S1和第二晶体管T2的漏电极D2。
第六晶体管T6的栅电极G6连接至控制线153。第六晶体管T6的源电极S6连接至第一晶体管T1的漏电极D1和第三晶体管T3的源电极S3。第六晶体管T6的漏电极D6电连接至发光二极管(LED)ED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6在通过控制线153传输的发射控制信号EM的控制下同时导通，由此通过二极管连接的第一晶体管T1来补偿待传输到发光二极管(LED)ED的驱动电压ELVDD。
第七晶体管T7的栅电极G7连接至第三扫描线152′。第七晶体管T7的源电极S7 连接至第六晶体管T6的漏电极D6和发光二极管(LED)ED的阳极。第七晶体管T7 的漏电极D7连接至初始化电压Vint的一端和第四晶体管T4的源电极S4。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以是诸如PMOS的P型沟道晶体管，然而本发明并不限于此，并且晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个可以是N型沟道晶体管。
如上所述，电容器Cst的一个端子Cst1连接至第一晶体管T1的栅电极G1，并且该电容器Cst的另一端子Cst2连接至驱动电压线172。发光二极管(LED)ED的阴极连接至公共电压ELVSS的端子，以接收公共电压ELVSS。
根据本发明的示例性实施例，像素PX的结构并不是必须受限于图1所示的结构，并且包含在一个像素PX中的晶体管的数量和电容器的数量及其连接关系可以被多方面地修改。
接下来，将参考图2以及图1来描述根据本发明示例性实施例的显示装置的操作。图2是示出根据本发明示例性实施例被施加到显示装置的像素的信号的时序图。在该描述中，描述了其中晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7是P型沟道晶体管的示例，并且描述了一帧的操作。然而，应理解的是，可以使用其他类型的沟道晶体管，并且额外的帧可以以类似的方式或者不同的方式来操作。
参考图2，在一帧中，可以将低电平的扫描信号S(n-2)、S(n-1)、S(n)、……顺序地施加到连接至多个像素PX的多条第一扫描线151。
低电平的扫描信号GIn在初始化时段期间通过第二扫描线152被提供。例如，扫描信号GIn可以是第(n-1)个扫描信号S(n-1)。因此，第四晶体管T4通过处于低电平的扫描信号GIn而导通。初始化电压Vint通过第四晶体管T4被传输到第一晶体管 T1的栅电极G1。第一晶体管T1被初始化电压Vint初始化。
随后，如果低电平的扫描信号GWn在数据编程时段和补偿时段期间通过第一扫描线151被提供，则第二晶体管T2和第三晶体管T3响应于处于低电平的扫描信号 GWn而导通。例如，扫描信号GWn可以是第n个扫描信号Sn。在这种情况下，第一晶体管T1通过导通的第三晶体管T3被二极管连接，并且被正向偏置。因此，补偿电压(Dm+Vth，其中Vth是负值)被施加到第一晶体管T1的栅电极G1，该补偿电压从由数据线171提供的数据信号Dm减小第一晶体管T1的阈值电压Vth。例如，被施加到第一晶体管T1的栅电极G1的栅电压变为补偿电压(Dm+Vth)。
驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)被分别施加到电容器Cst的各个端子，并且电容器Cst被充入与两个端子的电压差相对应的电荷。
接下来，从控制线153提供的发射控制信号EM在发光时段期间从高电平变化为低电平。在一帧中，发射控制信号EM从高电平变化为低电平的时间可以在扫描信号 GWn被施加到所有第一扫描线151之后。因此，在发光时段期间，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过低电平的发射控制信号EM导通。因此，根据第一晶体管T1的栅电极G1的栅电压与驱动电压ELVDD之间的电压差而生成驱动电流Id，并且通过第六晶体管T6将驱动电流Id提供给发光二极管(LED)ED，由此电流Ied流到发光二极管(LED)ED。在发光时段期间，第一晶体管T1的栅-源电压Vgs被电容器Cst维持为“(Dm+Vth)-ELVDD”，并且根据第一晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id 可以与通过从驱动栅-源电压减去阈值电压所得到的值的平方(Dm-ELVDD)2成比例。因此，可以不考虑第一晶体管T1的阈值电压Vth而确定驱动电流Id。
在初始化时段期间，第七晶体管T7通过第三扫描线152′接收低电平的扫描信号GI(n+1)以便被导通。扫描信号GI(n+1)可以是第n个扫描信号Sn。驱动电流Id的一部分作为旁路电流Ibp通过导通的第七晶体管T7流出。
接下来，将参考图3至图7连同图1和图2来描述根据本发明示例性实施例的显示装置的详细结构。
首先将参考图3和图4描述根据本发明示例性实施例的显示装置的平面结构，并且随后将参考图5至图7描述该显示装置的剖面结构。
参考图3，根据本发明示例性实施例的显示装置的一个像素可以包括连接至多条扫描线151、152和152′、控制线153、数据线171以及驱动电压线172的多个晶体管 T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及电容器Cst。多条扫描线151、152和152′以及控制线153包括在第一导电层中，使得它们可以被设置在同一层内，如可以从剖面图中看到的，并且它们可以包括相同的材料；而数据线171和驱动电压线172包括在第二导电层中，使得它们可以被设置在同一层内并且可以包括相同的材料，其中第二导电层被设置在与第一导电层不同的层。
在第一方向Dr1上相邻的两个像素PX可以具有关于其间的边界轴对称的结构。然而，本发明并不受限于该特定布置。数据线171和驱动电压线172也可以以关于相邻的两个像素PX之间的边界轴对称的结构被设置。因此，多条数据线171可以包括彼此直接相邻的两条数据线171以及在其间设置有两个像素PX的两条数据线171。
数据线171和驱动电压线172可以基本上在第二方向Dr2上延伸。第二方向Dr2 是垂直于第一方向Dr1的方向。
驱动电压线172可以包括在第一方向Dr1上延伸的延伸部178。延伸部178在与直接相邻于驱动电压线172的数据线171相对的一侧延伸，并且一个延伸部178可以包括在每个像素PX中。设置于在第一方向Dr1上没有两条数据线171而彼此相邻的两个像素PX处的两个延伸部178可以彼此连接。因此，针对相邻的两个像素PX，由驱动电压线172传输的驱动电压ELVDD也可以通过彼此连接的延伸部178在第一方向Dr1上传输。
相邻的驱动电压线172可以通过连接构件154彼此连接。连接构件154可以基本上在第一方向Dr1上延伸。驱动电压线172通过接触孔68连接至连接构件154。因此，驱动电压ELVDD沿着驱动电压线172在第二方向Dr2上传输，并且通过连接构件154 在第一方向Dr1上传输，由此在显示装置的整个显示区域上以网格形状传输。因此，驱动电压ELVDD的电压降可以被最小化。连接构件154可以包括在第一导电层中，如可以在剖面图中看到的。
参考图3，多条扫描线151、152和152′以及控制线153可以分别并且基本上在第一方向Dr1上延伸，由此与数据线171和驱动电压线172相交。第一扫描线151可以被设置在第二扫描线152与控制线153之间，如可以在平面图中看到的。第三扫描线 152′可以在第二扫描线152传输扫描信号GIn之后传输扫描信号GI(n+1)。例如，如上所述，当第一扫描线151传输第n个扫描信号Sn时，第三扫描线152′也可以传输第n个扫描信号Sn。
如图3所示，控制线153可具有以预定循环(或间距)规则变化的形状，并且预定间距在第一方向Dr1上可以与n(其中n为正整数)个像素PX的宽度相同。图3 示出了其中具有规则形状的控制线153的示例，其中两个像素PX在第一方向Dr1上的宽度作为间距。下面描述控制线153的详细形状。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道可以形成在一个有源图案130中，并且该有源图案130可以弯曲成各种形状。有源图案130可以包括诸如非晶/多晶硅或氧化物半导体的半导体材料。
有源图案130包括半导体的沟道区131和导电区。沟道区131包括形成晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道的沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f 和131g。除了沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g之外，有源图案 130可以是导电区。导电区具有比沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g 的载流子浓度高的载流子浓度。导电区被设置在沟道区131a、131b、131c、131d、131e、 131f和131g中的每个沟道区的两侧，并且可以是对应的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、 T6和T7的源区和漏区。
参考图3，一个像素PX的有源图案130可以包括第一纵向部132和第二纵向部 133，其中第一晶体管T1的沟道区131a被设置在第一纵向部132与第二纵向部133 之间的中心处。第一纵向部132和第二纵向部133可以基本上在第二方向Dr2上分别延伸。
第一晶体管T1包括沟道区131a、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131a两侧的源区和漏区以及与沟道区131a重叠的驱动栅电极155a。沟道区131a可以被弯曲至少一次。例如，第一晶体管T1的沟道区131a可以具有蜿蜒形状、波形形状或者锯齿形状。图3和图4示出了其中沟道区131a形成近似“U”形形状的示例。沟道区 131a连接至有源图案130的第一纵向部132和第二纵向部133。第一纵向部132的导电区对应于第一晶体管T1的源区。第二纵向部133的导电区对应于第一晶体管T1的漏区。
驱动栅电极155a可以被设置在有源图案130的第一纵向部132与第二纵向部133之间。驱动栅电极155a可以包括在第一导电层中，并且可以通过接触孔61连接至连接构件174。连接构件174可以包括在第二导电层中，如可以在剖面图中看到的。
第一晶体管T1的驱动栅电极155a和沟道区131a可以被设置在第一扫描线151 与控制线153之间。
第二晶体管T2包括沟道区131b、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131b两侧的源区和漏区以及与沟道区131b重叠的栅电极155b。第一扫描线151中与沟道区131b重叠的部分可以形成栅电极155b。有源图案130的连接至沟道区131b并且被设置在第一扫描线151上的导电区作为第二晶体管T2的源区通过接触孔62连接至数据线171。沟道区131b连接至有源图案130的第一纵向部132，并且第一纵向部132 的被设置在沟道区131b下方的部分对应于第二晶体管T2的漏区。
第三晶体管T3包括沟道区131c、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131c两侧的源区和漏区以及与沟道区131c重叠的栅电极155c。第一扫描线151中与沟道区131c重叠的部分可以形成栅电极155c。栅电极155c可以由两部分形成以防止漏电流。有源图案130的被设置在第一扫描线151上并且连接至沟道区131c的导电区作为第三晶体管T3的漏区通过接触孔63连接至连接构件174。沟道区131c连接至有源图案130的第二纵向部133，并且第二纵向部133的被设置在沟道区131c下方的部分对应于第三晶体管T3的源区。
第四晶体管T4包括沟道区131d、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131d两侧的源区和漏区以及与沟道区131d重叠的栅电极155d。第二扫描线152中与沟道区131d重叠的部分可以形成栅电极155d。栅电极155d可以由两部分形成以防止漏电流。有源图案130的被设置在第二扫描线152下方并且未连接至第三晶体管T3的导电区作为第四晶体管T4的源区通过接触孔64连接至连接构件175。连接构件175可以包括在第二导电层中，如可以在剖面图中看到的。
第五晶体管T5包括沟道区131e、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131e两侧的源区和漏区以及与沟道区131e重叠的栅电极155e。控制线153中与沟道区131e 重叠的部分可以形成栅电极155e。有源图案130的被设置在控制线153下方的导电区作为第五晶体管T5的源区通过接触孔65连接至驱动电压线172。沟道区131e连接至有源图案130的第一纵向部132，并且第一纵向部132的被设置在沟道区131e之上的部分对应于第五晶体管T5的漏区。
第六晶体管T6包括沟道区131f、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131f两侧的源区和漏区以及与沟道区131f重叠的栅电极155f。控制线153中的与沟道区 131f重叠的一部分可以形成栅电极155f。有源图案130的被设置在控制线153下方的导电区作为第六晶体管T6的漏区通过接触孔66连接至连接构件179。连接构件179 可以包括在第二导电层中，如可以在剖面图中看到的。沟道区131f连接至有源图案 130的第二纵向部133，并且第二纵向部133的被设置在沟道区131f之上的部分对应于第六晶体管T6的源区。
第七晶体管T7包括沟道区131g、作为有源图案130的导电区被设置在沟道区131g两侧的源区和漏区以及与沟道区131g重叠的栅电极155g。第二扫描线152或者第三扫描线152′中与沟道区131g重叠的部分可以形成栅电极155g。有源图案130的被设置在第二扫描线152或者第三扫描线152′下方的导电区作为第七晶体管T7的漏区通过接触孔64连接至连接构件175。有源图案130的被设置在第二扫描线152或者第三扫描线152′上方的导电区作为第七晶体管T7的源区通过接触孔66连接至第六晶体管 T6的漏区和连接构件179。
电容器Cst可以包括驱动栅电极155a和驱动电压线172的延伸部178，驱动栅电极155a和延伸部178作为两个端子在平面上相互重叠。电容器Cst可以维持与通过驱动电压线172传输的驱动电压ELVDD与驱动栅电极155a的电压之间的差相对应的电压差。
驱动栅电极155a通过接触孔61连接至连接构件174的一个端子，并且连接构件174的另一个端子通过接触孔63连接至第三晶体管T3的漏区和第四晶体管T4的漏区。连接构件174可以基本上在第二方向Dr2上延伸。连接构件174与驱动栅电极155a 一起对应于在图1的电路图中示出的驱动栅节点GN。
连接构件179可以通过接触孔81连接至像素电极，并且连接构件175可以通过接触孔82连接至传输初始化电压Vint的初始化电压线。
有源图案130进一步包括与数据线171重叠并且平行于数据线171延伸的屏蔽部135。作为导电区的屏蔽部135可以完全地覆盖数据线171在第一方向Dr1上的宽度。例如，屏蔽部135在第一方向Dr1上的宽度可以大于数据线171在第一方向Dr1上的宽度。
根据相邻的两个像素PX的对称结构，一个屏蔽部135可以与相邻的两条数据线171两者重叠。
屏蔽部135可以通过连接部134连接至第一纵向部132。连接部134作为有源图案130的导电区可以基本上在第一方向Dr1上延伸，并且通过接触孔65连接至驱动电压线172，由此接收驱动电压ELVDD。
如上所述，如果具有导电性的屏蔽部135与数据线171重叠，则数据线171被屏蔽，使得数据线171与相邻的驱动栅电极155a之间的寄生电容被阻断，由此可以防止驱动栅电极155a的电压随着数据信号Dm的信号变化而发生变化，使得发光二极管 (LED)ED的驱动电流Id不发生变化。例如，可防止串扰，如因数据线171与驱动栅电极155a之间的寄生电容而产生的亮度变化。
参考图3，屏蔽部135可以包括凹陷部分31，该凹陷部分31在第一方向Dr1上具有比周边小的宽度。在凹陷部分31中，屏蔽部135可以不与数据线171重叠。凹陷部分31的尺寸可以通过考虑由于屏蔽部135和数据线171的重叠区域而产生的数据线 171的屏蔽效应以及由于与屏蔽部135重叠而产生的数据信号Dm的延迟程度来适当地控制。凹陷部分31的位置可以靠近屏蔽部135和连接部134连接处的位置。
有源图案130的屏蔽部135和连接部134可以不与在第一方向Dr1上传输信号的信号线重叠。例如，有源图案130的屏蔽部135和连接部134可以不与多条扫描线151、 152和152′以及多条控制线153重叠。控制线153作为信号线在第一方向Dr1上邻近屏蔽部135，并且控制线153具有不与屏蔽部135或连接部134重叠的形状。
例如，控制线153包括多个分离的干线部53a和连接相邻的两个干线部53a的多个迂回部53b。
每个干线部53a基本上在第一方向Dr1上延伸，并且穿过设置在两条数据线171 之间的相邻的两个像素PX以继续延伸。因此，每个干线部53a可以经由两个像素PX 被完全设置在相邻的两条数据线171之间，并且可以不与数据线171重叠。例如，干线部53a可以仅延伸到数据线171的附近(或者屏蔽部135和连接部134的附近)。每个干线部53a的末端部与相邻的数据线171分开，并且可以被设置在第五晶体管T5 的沟道区131e与屏蔽部135或者数据线171之间。
干线部53a包括与有源图案130的第一纵向部132的沟道区131e重叠的部分以及与有源图案130的第二纵向部133的沟道区131f重叠的部分。干线部53a的假想直延伸线IML可以穿过屏蔽部135，然而，该线基本上不与屏蔽部135重叠。干线部53a 的假想直延伸线IML可以与屏蔽部135的凹陷部分31相交，但是本发明并不受限于该特定布置。
迂回部53b将两个干线部53a连接至相邻的两条数据线171。每个迂回部53b的一个端子可以在干线部53a的端部的连接位置JT处连接至干线部53a的一个横向边。沟道区131e可以被设置在连接位置JT与干线部53a的端部之间。迂回部53b可以相对于干线部53a和干线部53a的假想直延伸线IML被设置在驱动栅电极155a的相对侧处。
具有井形状的迂回部53b具有沿着有源图案130的第一纵向部132的端部、接触孔65和连接部134的周边延伸的形状。例如，迂回部53b从干线部53a的连接位置 JT延伸、在第二方向Dr2上延伸、在第一方向Dr1上弯曲，并且随后与数据线171和驱动电压线172相交，并且在第二方向Dr2上再次弯曲，从而连接至相邻的另一干线部53a。例如，迂回部53b可以包括连接至干线部53a并且在第二方向Dr2上延伸的部分以及在第一方向Dr1上延伸并且与数据线171和驱动电压线172相交的部分。
迂回部53b可以具有与干线部53a的末端一起围绕有源图案130的第一纵向部132的端部和接触孔65的形状。因此，接触孔65可以被设置在第五晶体管T5的沟道区 131e与迂回部53b之间。同样地，迂回部53b可以包括沿着连接部134与第三扫描线152′之间的空间延伸的部分。
如上所述，控制线153的迂回部53b在包括屏蔽部135和连接部134的有源图案 130下方进行迂回，以沿着连接部134的下部边缘延伸，由此不与有源图案130(具体为屏蔽部135和连接部134)重叠。因此，除了在第五晶体管T5的沟道区131e和第六晶体管T6的沟道区131f处之外，控制线153不与有源图案130重叠，并且具体地，不与屏蔽部135和连接部134重叠。
如果控制线153不包括迂回部53b并且像扫描线151、152和152′一样始终在第一方向Dr1上延伸，则控制线153可与有源图案130的屏蔽部135重叠，并且在这种情况下，可产生具有作为沟道区的重叠部的附加寄生晶体管。如果形成附加寄生晶体管，则屏蔽部135基本上被浮置(floated)，使得屏蔽部135的电压不维持在诸如驱动电压ELVDD的预定电压电平，并且发生变化。因此，被传输到数据线171的数据信号Dm被屏蔽部135改变，使得可在由显示面板100显示的图像上出现颜色偏差或者瑕疵。
根据本发明的示例性实施例，控制线153向下迂回，从而不与有源图案130的屏蔽部135和连接部134重叠且形成了迂回部53b，并且迂回部53b弯曲并沿着连接部 134的下部周边延伸从而不与有源图案130重叠，使得不会实现有源图案130和控制线153的不必要的重叠以及据此形成的寄生晶体管。因此，可以防止由数据线171传输的数据信号Dm被不适当地改变，由此阻止在由显示装置显示的图像上产生颜色偏差和瑕疵。
同样，如果控制线153不围绕屏蔽部135向下迂回，并且相反地向上迂回以穿过图3中所示的空间SP，则控制线153必须沿着屏蔽部135的在第二方向Dr2上伸长的边缘延伸，并且在这种情况下，邻近屏蔽部135并且在第二方向Dr2上伸长并延伸的驱动电压线172与控制线153大面积地重叠，使得存在短路的高风险。然而，根据本发明的示例性实施例，控制线153的迂回部53b不在屏蔽部135与驱动电压线172之间延伸而是向下迂回，因此不太可能出现与驱动电压线172的短路。
接下来，将参考图5至图7连同图3和图4描述根据本发明示例性实施例的显示装置的剖面结构的示例。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括基板110。基板110可以包括诸如玻璃的无机绝缘材料或者诸如聚酰亚胺(PI)的塑料的有机绝缘材料，并且可以是柔性的。
缓冲层120可以被设置在基板110上。缓冲层120阻挡来自基板110的杂质渗入到缓冲层120上方的层，特别是有源图案130。以此方式，可以保护有源图案130免受可能降低有源图案130的特性的杂质的影响，并且可以降低被施加到有源图案130 的应力。缓冲层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。缓冲层120的一部分或者全部可以被省略。
以上描述的有源图案130被设置在缓冲层120上，并且栅极绝缘层140被设置在有源图案130上。
包括以上描述的多条扫描线151、152和152′、控制线153、驱动栅电极155a以及连接构件154的第一导电层可以被设置在栅极绝缘层140上。第一导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或者其合金的金属。
夹层绝缘层160被设置在第一导电层和栅极绝缘层140上。夹层绝缘层160可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
夹层绝缘层160和/或栅极绝缘层140可以包括设置在驱动栅电极155a上的接触孔61。接触孔62被设置在有源图案130的导电区中的连接至第二晶体管T2的沟道区 131b的源区上。接触孔63被设置在有源图案130的导电区中的连接至第三晶体管T3 的沟道区131c的漏区上，或者被设置在连接至第四晶体管T4的沟道区131d的漏区上。接触孔64被设置在有源图案130的导电区中的连接至第四晶体管T4的沟道区131d 的源区上，或者被设置在连接至第七晶体管T7的沟道区131g的漏区上。接触孔65 被设置在有源图案130的导电区中的连接至第五晶体管T5的沟道区131e的源区上。接触孔66被设置在有源图案130的导电区中的连接至第六晶体管T6的沟道区131f 的漏区上。接触孔68被设置在连接构件154上。
包括数据线171、驱动电压线172以及连接构件174、175和179的第二导电层被设置在夹层绝缘层160上。第二导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或者其合金的金属。
数据线171可以通过栅极绝缘层140和夹层绝缘层160的接触孔62连接至与第二晶体管T2的沟道区131b连接的源区。参考图7，数据线171可以经由介于数据线171 与有源图案130的屏蔽部135之间的夹层绝缘层160和栅极绝缘层140而与有源图案 130的屏蔽部135重叠。
参考图5，驱动电压线172的延伸部178经由夹层绝缘层160与驱动栅电极155a 重叠，由此形成电容器Cst。
参考图5和图6，连接构件174可以通过接触孔63连接至与第三晶体管T3的沟道区131c连接的漏区，并且可以连接至与第四晶体管T4的沟道区131d连接的漏区。连接构件175可以通过接触孔64连接至与第四晶体管T4的沟道区131d连接的源区，并且可以连接至与第七晶体管T7的沟道区131g连接的漏区。参考图5，连接构件179 可以通过接触孔66连接至与第六晶体管T6的沟道区131f连接的漏区。
钝化层180被设置在第二导电层和夹层绝缘层160上。钝化层180可以包括诸如丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料，并且钝化层180的上表面可以基本上是平坦的。钝化层180可以包括被设置在连接构件179上的接触孔81和被设置在连接构件175上的接触孔82。
包括像素电极191和初始化电压线192的第三导电层可以被设置在钝化层180上。参考图5和图6，像素电极191可以通过接触孔81连接至连接构件179，并且初始化电压线192可以通过接触孔82连接至连接构件175。
像素限定层(PDL)350可以被设置在钝化层180、初始化电压线192和像素电极 191上。像素限定层350可以包括玻璃绝缘材料，并且具有设置在像素电极191上的开口351。
发射层370被设置在像素电极191上。发射层370可以被设置在开口351中。发射层370可以包括有机发射材料或者无机发射材料。
公共电极270被设置在发射层370上。公共电极270也形成在像素限定层350上，从而延伸贯穿多个像素PX。
像素电极191、发射层370以及公共电极270一起形成发光二极管(LED)ED。
保护发光二极管ED的封装层可以被设置在公共电极270上。封装层可以包括交替地沉积的无机层和有机层。
接下来，将参考图8和图9连同上述附图来描述根据本发明示例性实施例的显示装置。应理解的是，就没有被描述的元件来说，这些元件可以与在本说明书内的其他地方所描述的对应元件相似或者相同。
参考图8和图9，除了第一晶体管T1的沟道区131a的平面形状之外，根据本发明示例性实施例的显示装置可以基本上类似于以上描述的显示装置。例如，第一晶体管T1的沟道区131a可以具有近似的“S”形状或者反“S”形状。
该显示装置的其他特征和元件可以与以上描述的显示装置类似或者相同。
接下来，将参考图10连同以上描述的附图来描述根据本发明示例性实施例的显示装置。
参考图10，除了在第一方向Dr1上相邻的两个像素PX不形成对称结构而是相反地可以具有相同形状之外，该显示设备可以与以上描述的结构类似或者相同。因此，驱动电压线172的被设置在一个像素PX中的延伸部178可以被完全设置在对应像素 PX的区域内。同样，有源图案130的屏蔽部135可以与设置在相邻的两个像素PX之间的一条数据线171重叠。
控制线153的干线部53a被逐一地设置在一个像素PX中，并且被设置在相邻像素PX处的干线部53a可以经由一条数据线171和一个屏蔽部135彼此分开。连接相邻的干线部53a的迂回部53b以井形状从干线部53a的连接位置JT延伸，在第二方向 Dr2上延伸，并且随后弯曲并且在第一方向Dr1上延伸，跨越一条数据线171，并且在第二方向Dr2上再次弯曲，从而连接至相邻像素PX的干线部53a。
一个像素PX的干线部53a可以包括仅延伸到数据线171的附近并且被设置在第五晶体管T5的沟道区131e或者第六晶体管T6的沟道区131f与数据线171之间的部分。
本文中描述的示例性实施例是说明性的，并且可以引入许多变化而不脱离本公开的精神或者脱离所附权利要求书的范围。例如，在本公开和所附权利要求书的范围内，不同示例性实施例的元件和/或特征可以彼此组合和/或彼此替换。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
在第一方向上延伸的扫描线；
与所述扫描线相交的多条数据线；
与所述扫描线相交的驱动电压线；
有源图案，由半导体材料形成并且包括多个沟道区和多个导电区，其中所述多个沟道区形成多个晶体管的每一沟道；以及
控制线，与所述多条数据线和所述驱动电压线相交，
其中所述有源图案包括屏蔽部、连接部以及纵向部，所述屏蔽部与所述多条数据线中的至少一条数据线重叠，
其中所述控制线包括多个干线部以及迂回部，每个干线部在所述第一方向上延伸并且不与所述多条数据线中的所述至少一条数据线重叠，并且所述迂回部将所述多个干线部中相邻的两个干线部彼此连接，
其中所述纵向部在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述连接部将所述纵向部连接至所述屏蔽部，并且
其中所述迂回部沿着所述有源图案的周边延伸，并且与所述多条数据线中的所述至少一条数据线相交，而不与所述屏蔽部和所述连接部重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中从所述干线部延伸的假想线与所述屏蔽部相交。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个沟道区包括与所述干线部重叠的第一沟道区，并且
所述第一沟道区被设置在所述迂回部连接至所述干线部所在的连接位置与所述干线部的端部之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述迂回部包括在所述第二方向上从所述连接位置延伸的第一部分以及连接至所述第一部分并且在所述第一方向上延伸的第二部分，并且
所述第二部分与所述多条数据线中的所述至少一条数据线相交。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述屏蔽部连接至所述驱动电压线。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述纵向部与所述干线部相交。
7.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括与所述控制线分离的驱动栅电极，并且
其中所述迂回部被设置在从所述干线部延伸的所述假想线的、相对于所述驱动栅电极的相对侧。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述多个沟道区进一步包括连接至所述纵向部并且与所述驱动栅电极重叠的第二沟道区。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述驱动栅电极中的两个驱动栅电极被设置在所述多条数据线中相邻的两条数据线之间，
所述驱动电压线包括在所述第一方向上延伸并且与所述驱动栅电极重叠以形成电容器的延伸部，并且
所述延伸部中的分别与所述两个驱动栅电极重叠的两个延伸部彼此连接。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述屏蔽部与所述多条数据线中相邻的两条数据线重叠。
11.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述屏蔽部包括不与所述多条数据线重叠的凹陷部分，并且
其中所述凹陷部分被设置在从所述干线部延伸的所述假想线上。
12.一种显示装置，包含：
多个像素，
其中每个像素包括：
发光二极管；
连接至所述发光二极管的第六晶体管，其中所述第六晶体管的沟道形成在包括多个沟道区和多个导电区的一个半导体图案中，所述多个沟道区形成多个晶体管的每一沟道；
包括所述第六晶体管的栅电极的控制线；以及
与所述控制线相交的数据线，
其中所述一个半导体图案包括与所述数据线重叠并且接收驱动电压的屏蔽部、连接部以及纵向部，
其中所述纵向部平行于所述数据线延伸，并且所述连接部将所述纵向部连接至所述屏蔽部，
其中所述控制线进一步包括不与所述数据线相交的干线部，并且
其中所述控制线进一步包括连接至所述干线部并且沿着所述连接部的下周边弯曲并延伸的迂回部，并且所述迂回部与所述数据线相交，而不与所述屏蔽部和所述连接部重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
连接至所述第六晶体管的第一晶体管；
连接在所述第一晶体管与驱动电压线之间的第五晶体管；以及
连接在所述第六晶体管与初始化电压线之间的第七晶体管，
其中所述干线部进一步包括所述第五晶体管的栅电极。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述干线部的一个端子被设置在所述第五晶体管的沟道区或者所述第六晶体管的沟道区与所述数据线之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括扫描线，所述扫描线包括所述第七晶体管的栅电极，
其中所述迂回部包括被设置在所述干线部与所述扫描线之间的一部分。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述迂回部具有井形状。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中：
所述连接部在与所述屏蔽部的方向不同的方向上延伸，
所述连接部通过接触孔接收所述驱动电压，并且
所述接触孔被设置在所述第五晶体管的沟道区与所述迂回部之间。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述驱动电压线平行于所述数据线延伸，
其中所述驱动电压线通过所述接触孔连接至所述连接部，
其中所述驱动电压线包括与所述第一晶体管的栅电极重叠的延伸部，并且
其中所述迂回部包括相对于所述干线部在与所述延伸部的方向相对的方向上延伸的部分。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述迂回部沿所述连接部的下周边至少弯曲两次。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述迂回部与所述多个像素中相邻的两个像素的数据线相交。
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