CN1975842B - 有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机EL显示装置，通过将在液晶显示装置中使用的液晶用数据驱动IC应用于有机EL显示装置的驱动器，实现价格低廉的有机EL显示装置。为此，在具有能以灰度等级电压的大小控制单位时间的发光亮度的像素电路的有源矩阵型有机EL显示装置中，从时序控制IC向数据驱动器供给控制信号以使极性连续反转2次、或从时序控制IC向驱动器供给控制信号以选择不使极性反转的模式。此外，该控制信号不一定必须设置在时序控制IC内，也可以形成为IC以外的基板上的电路。

Description

有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及有机EL显示装置。
背景技术
以往的有源矩阵型的有机EL显示装置(Organicelectroluminescent display device：有机电致发光显示装置)，利用包含连接于电源线的驱动TFT(薄膜晶体管)的像素电路驱动具有由阳电极和阴电极夹着有机发光层的结构的有机EL元件(Organicelectroluminescent device：有机电致发光元件)。作为控制这种有源矩阵型的有机EL显示装置发光的方法，有电压程序方式和电流程序方式。在电压程序方式中，对数据线供给一种极性的数据电压，将该电压输入到驱动TFT的栅极电极，由此通过驱动TFT控制从电源线供给的电流量。在日本专利公报特开2003-5709号公报中，记载着采用了这种电压程序方式的有机EL显示装置的像素电路的一例。
现在，在市售的有源矩阵型的有机EL显示装置中，没有从外部进行任何特殊的控制，而是采用了安装了输出极性不反转的数据电压信号的水平驱动电路的驱动IC、即数据驱动IC。
[专利文献1]日本特开2003-5709号公报
发明内容
但是，市售的有源矩阵型的有机EL显示装置中所装有的这种数据驱动IC，很难应用于其他种类的显示装置。这是由于其他的显示装置所使用的数据电压信号的电压范围不同、或另外还需要使数据电压信号的极性反转的电路，因而最终将导致显示装置本身的单价提高或尺寸的大型化。
另外，当前，有源矩阵型的有机EL显示装置，一年仅出厂几千台左右，为有源矩阵型的有机EL显示装置特制的不具备通用性的专用驱动器，提高了有机EL显示装置的产品批量生产单价。
作为输出相同等级电压范围的数据信号的数据驱动IC，有面向液晶显示装置(Liquid Crystal display Device)(LCD)开发的LCD用数据驱动IC。液晶显示装置，是当前实用化发展最好的显示装置，驱动IC本身的单价也相当低廉。
但是，流过液晶显示装置的数据线的数据信号，直接施加于像素电极，成为液晶的驱动电压。当仅对液晶层写入一种极性的信号数据时，将使电荷积存在电极或液晶层上，其结果是使画质恶化。为此，液晶显示装置的数据驱动IC，大多是以使信号数据的极性反转为前提而制造的。因此，为了将液晶显示装置用的驱动IC应用于有机EL显示装置，必须在IC以外的电路或控制IC方面下工夫。
本发明的目的是，通过将面向液晶显示装置制造的数据驱动IC用作有机EL显示装置的数据驱动IC，来谋求降低制造成本。
上述课题能通过以下的手段解决。首先，作为有源矩阵型有机EL显示装置的像素电路，使用采用了利用电压写入数据的电压程序方式的电路。而且，对这种像素电路供给数据电压信号的数据驱动IC，采用面向液晶显示装置制造的数据驱动IC中的(1)能够用控制信号控制使数据信号的极性反转的时刻的数据驱动IC、或(2)能够用控制信号控制为不使数据信号的极性反转的数据驱动IC。进一步，对该驱动IC，在该数据驱动IC的外侧形成产生这些控制信号的电路、即产生控制使数据信号的极性反转的时刻的控制信号并将其输入到数据驱动IC的控制端子的电路、或产生不使数据信号的极性反转的控制信号并将其输入到数据驱动IC的控制端子的电路。
作为产生控制使数据信号的极性反转的时刻的控制信号的电路的具体例子，有2次产生控制使数据信号的极性反转的时刻的控制信号的电路。就是说，在该电路中，在输出了将数据信号的极性反转2次的控制信号后，将该控制信号输入到驱动IC，从驱动IC输出一种极性的数据信号。
另外，作为这些的安装例，有将上述电路安装在T-CON中的方法。被称为T-CON的IC，是使输出以RSDS等的通信规格表现的灰度等级信号的电路、用于生成与灰度等级信号对应的数据信号的模拟电源、用于驱动数字电路的数字电源与同步用时钟信号一起进行输出的时序控制IC。
就是说，作为解决上述课题的手段，对电压程序方式的有源矩阵型有机EL显示装置可以考虑以下结构：(1)包括具备控制使数据信号的极性反转的时刻的端子的数据驱动IC和对该数据驱动IC的该端子供给不使上述数据信号的极性反转的控制信号的电路的结构，(2)包括具备可以选择使数据信号的极性反转的模式和不使数据信号的极性反转的模式的功能的数据驱动IC、和对数据驱动IC输入选择不使上述数据信号的极性反转的模式的信号的电路的结构，或(3)包括能通过输入控制信号控制使数据信号的极性反转的时刻的数据驱动IC、和对数据驱动IC供给使上述数据信号的极性反转2次的控制信号的电路的结构，等等。
按照本发明，将面向液晶制造的数据驱动IC用作有机EL显示装置的数据驱动IC，因此能以低的成本生产有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示有机EL显示装置的外观的图。
图2是从显示面看去的有机EL显示装置的分解图。
图3是图2中示出的A-A′剖视图和B-B′剖视图。
图4是表示光学薄膜的剖视图的图。
图5是将显示区域在正面展开后的有机EL显示装置的部分展开图。
图6是将密封基板在正面展开后的有机EL显示装置的部分展开图。
图7是说明水平驱动电路HDRV的控制原理的图。
图8是说明水平驱动电路HDRV的控制原理的图。
图9是表示第1基板上的主要结构的图。
图10是表示第1基板上的详细结构的图。
图11是表示在第1基板上遍布地配置密封剂的区域的图。
图12是表示像素的基本的层结构的图。
图13是表示第1基板上的像素等效电路的图。
图14是表示第1基板上的像素等效电路的图。
图15是表示显示区域的RGB3像素的像素电路的布局图案的图。
图16是表示显示像素的1个像素的像素电路的布局图案的图。
图17是表示显示区域的RGB3像素的多晶硅层FG和金属栅极层SG的图。
图18是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD和金属栅极层SG的图。
图19是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD和多晶硅层FG的图。
图20是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD、下部电极ITO和存储体开口OPEN的图。
图21是表示虚设区域的RGB3像素的像素配置的图。
图22是表示虚设区域的1个像素的像素配置的图。
图23是像素的动作时间图。
图24是对像素写入信号电压时的动作时间图。
图25是视频信号电压和三角波电压的波形图。
图26是实施了本发明的TV图像显示装置的结构图。
图27是第1基板的框图。
图28是表示图27的AB剖视图的一种形态的图。
图29是表示图27的AB剖视图的一种形态的图。
图30是第1基板的框图。
图31是表示图30的CD剖视图的一种形态的图。
图32是表示图30的EF剖视图的一种形态的图。
具体实施方式
以下，说明应用了本发明的有机EL显示装置的实施例。
[实施例1]
首先，说明本实施例中使用的用语。
所谓“有机EL元件”，是指通过由阴极电极和阳极电极夹着有机发光层形成的、构成1个子像素的结构。
“有机EL显示板”，是指具有构成子像素的有机EL元件的基板。也包括安装了驱动IC(安装方法：COG、TCP、COF等)的结构、通过LTPS将驱动器内装于基板的结构、由密封基板进行了密封的结构。“有机EL显示装置”，可以是除有机EL显示板外还包含了控制该有机EL显示板的驱动器的时序控制电路、LTPS电源电路、OLED电源电路等的接口的结构。
图1中示出有机EL显示装置的外观。该有机EL显示装置包括：具有开口的正面框FF，该开口露出有机EL显示板(以下，称为显示板)的显示区域AR；覆盖有机EL显示板的整个背面，与正面框FF通过卡扣装接固定的背面框RF；配置在背面框RF的背面的第3基板SUB3；安装在有机EL显示板和第3基板SUB3的端子PAD之间的第1挠性电路基板FPC1；第4基板；以及在第3基板和第4基板之间进行连接的第2挠性电路基板FPC2。
此外，第3基板SUB3，可以用接合剂或两面胶带固定于背面框RF，也可以用螺钉等固定在设置于外部的电子装置的框架上。
进一步，用图2、图3说明夹在正面框FF和背面框RF之间的有机EL显示板的结构。图2是从显示面的斜上方看去的有机EL显示板的分解图。从正面框FF一侧起按顺序层叠着光学薄膜OF、第1基板SUB1、第2基板SUB2、接合板ADF、背面框RF。
图3是图2中示出的xy方向剖视图，(a)是A-A′剖视图，(b)是B-B′剖视图。正面框FF和背面框RF由以铁和镍为主成分的金属构成的、被称为殷钢(invar)的合金构成的金属框，其中上述合金由约含36％的铁的材料构成。此外，也可以是由在殷钢中含有镍的被称为超级殷钢的合金构成的金属框。而且，当使用了不锈钢或铁时，能够容易地以低廉的价格制造。正面框FF，制成向背面框RF弯折的形状，具有比第1基板SUB1的显示区域大一圈的开口。
背面框RF，向正面框FF弯折，以便能够将光学薄膜OF、第1基板SUB1、第2基板SUB2和接合板ADF包含在内。
另外，底面，为能容纳光学薄膜OF、第1基板SUB1、第2基板SUB2和接合板ADF，具有比其中任何一个都大的底面积。
图4中示出光学薄膜OF的结构。光学薄膜OF，是从外侧起层叠了静电/反射防止层OF1、线性偏振层OF2、接合层ADF1、λ/2相位板OF3、接合层ADF2、λ/4相位板OF4、接合层ADF3、视角补偿层OF5、接合层ADF4、胆甾型液晶层OF6、接合层ADF5、保护层OF7的结构。此外，视角补偿层OF5是补偿胆甾型液晶层的透射光的视角依赖性的层。
该光学薄膜OF，由线性偏振板OF2和2层相位板OF3、4构成圆偏振片，由胆甾型液晶层OF6构成偏振光分离薄膜，由视角补偿层OF5进行该偏振光分离薄膜的视角依赖性的补偿。该光学薄膜OF，构成得比正面框FF的开口大。各光学薄膜OF1～OF6，尺寸基本相同，接合层ADF1～ADF5，尺寸也基本相同。
第1基板SUB1，形成有机EL元件，是基材为玻璃的基板，其外形大于光学薄膜OF。
另外，第1基板SUB1，一边的周边区域露出，在该露出区域，作为水平驱动电路HDRV，用COG(Chip on glass：玻璃载芯片)安装法(mount method)安装有数据驱动IC，。
第2基板SUB2，是用于将有机EL元件的有机层安装在密封空间内的密封基板，其外形小于第1基板SUB1，并小于光学薄膜OF。另外，在密封空间内不仅安装有有机EL元件，还内装有在第1基板SUB1上形成的垂直驱动电路VDRV、波形发生电路SGEN、移位寄存器、分时数据信号选择电路RGB-SEL。除此以外，内装于密封空间的电路和元件在后文中说明。另外，第2基板SUB2，为使其密封，形成具有接合了干燥剂的凹部的结构，凹部侧壁的上面(凸部上面)与第1基板SUB1用混合了间隔物的树脂接合剂固定。
如图3的(a)(b)所示，正面框FF、光学薄膜OF、第1基板SUB1、接合板ADF、背面框RF的层叠体的平面配置，从正面框FF一侧起，配置成正面框FF的开口的边缘、光学薄膜OF的边缘、第1基板SUB1的边缘、接合板ADF的边缘、背面框RF的边缘满足W1～W12＞0的关系。
就是说，这些层叠体的各层的B-B′方向(后述的与数据线的延伸方向交叉的方向)的边缘，满足以下的关系。
(1)光学薄膜OF的边缘，位于正面框FF的开口的边缘和第1基板SUB1的边缘之间。这样，通过采用将光学薄膜OF夹在正面框FF和第1基板SUB1之间的结构，实现了光学薄膜OF的牢固的固定。
(2)在第1基板SUB1的边缘和框侧壁SR之间设置有空间。这是第1基板SUB1的安装似然度、就是在所安装装置的安装上使用的间隙，同时也是起着从第1基板SUB1产生的发热的散热空间的作用的空间。
(3)第1基板SUB1的边缘，与第2基板SUB2的边缘构成大致相同的面。该面在从2块大的玻璃取下多个显示板的制法中是用同时分割第1基板SUB1和第2基板SUB2的工艺形成的面，虽然多少有些误差，但构成大致相同的面。
(4)接合板ADF的边缘，位于比第2基板SUB2的凹沟边缘更内侧的位置。但是，当想要最大限度地取得散热效果和冲击吸收效果时，最好是达到第2基板SUB2的外侧。
另外，这些层叠体的各层的A-A′方向(后述的数据线的延伸方向)的边缘，满足以下的关系。
(5)光学薄膜OF的边缘，在正面框FF的开口的边缘的外侧，位于第1基板SUB1的显示区域AR的边缘和第1基板SUB1的边缘之间。这样，通过采用将光学薄膜OF夹在正面框FF和第1基板SUB1之间的结构，实现了光学薄膜OF的牢固的固定。
(6)在第1基板SUB1的边缘和框FR的侧壁之间设置有空间。这是第1基板SUB1的安装似然度、就是在所安装装置的安装上使用的间隙，同时也是起着从第1基板SUB1产生的发热的散热空间的作用的空间。
(7)第2基板SUB2的边缘的一边，与离该边缘最近的第1基板SUB1的边缘构成大致相同的平面，另一边，配置在离该另一边缘最近的第1基板SUB1的边缘的内侧。在该露出区域上安装有驱动IC。
(8)接合板ADF的边缘，位于比第2基板SUB2的凹沟边缘更内侧的位置。但是，当想要最大限度地取得散热效果和冲击吸收效果时，最好是达到第2基板SUB2的外侧。
就是说，该结构包括：(1)由框和第1基板SUB1的4个边缘夹着光学薄膜OF的结构、(2)在第1基板SUB1和框的4个边缘设置空间的结构、(3)第1基板SUB1和第2基板SUB2的3个边缘构成大致相同的面、使第1基板SUB1的1个边的周边区域露出并安装有水平驱动电路HDRV的结构、(4)将接合板ADF配置在框FR和第2基板SUB2之间的结构。图5和图6是表示将框FF、FR和光学薄膜拆下后的有机EL显示装置的结构的图。图5是将显示区域在正面展开后的展开图。图6是将第2基板在正面展开后的展开图。将两个框FF、FR和光学薄膜OF拆下后的有机EL显示装置，具有上述第1基板SUB1和第2基板SUB2；用挠性电路基板FPC1将第1基板SUB1的外部连接端子PAD1与外部连接端子PAD2和外部连接端子PAD3之间连接的第3基板SUB3、用挠性电路基板FPC2将第3基板SUB3的外部连接端子PAD4与外部连接端子PAD5之间连接的第4基板SUB4。
第1基板SUB1，是形成了由LTPS构成的电路和发光元件的玻璃基板。如上所述，在一边用COG安装法安装有由IC构成的水平驱动电路HDRV。该水平驱动电路HDRV具有输出数据信号的功能和控制该数据信号的极性反转时刻的功能。当作为液晶显示装置的数据驱动IC使用时，通过在数据驱动IC的垂直同步信号输入端子上输入水平同步信号的2个周期大小的脉冲，以帧为单位将灰度等级信号的电压极性反转，并输出该反转了极性的数据信号。
第2基板SUB2，是将第1基板SUB1的发光元件密封的玻璃基板，容纳显示像素、虚设像素、测试像素、配置在这些像素的更外侧的用低温多晶硅制造的驱动电路和波形发生电路，用喷砂法形成与这些像素和电路不接触的深度的沟，并粘贴了干燥剂。
第3基板SUB3，具有第1基板SUB1的发光元件驱动用的电源IC(OP-IC)、第1基板的LTPS电路用的电源IC(LP-IC)、时序控制IC(TCON-IC)、这些IC，对第1基板SUB1的各电路、水平驱动电路HDRV供给电源或时钟信号。特别是，时序控制IC，具有对水平驱动电路HDRV输出偶数次水平同步信号Hsync的2个周期大小的脉冲作为垂直同步信号Vsync的电路。
第4基板SUB4，是外部接口基板，是对第3基板供给各像素的以LVDSS等通信规格表现的各RGB的灰度等级信号的基板。
此外，外部端子PAD1、PAD2和PAD3，在第1基板的有机EL元件形成面及第3基板的IC安装面上形成。另外，外部端子PAD4和PAD5，在第3基板的IC安装面的背面、即外部端子PAD2和PAD3形成面的背面形成。
用图7和图8说明本实施例中使用的水平驱动电路HDRV的一部分功能。
当在每1帧期间输入1个脉冲(P1)的具有水平同步信号Hsync的2个周期大小的脉宽的脉冲作为输入到水平驱动电路HDRV的垂直同步信号Vsync时，在与该输入时刻对应的时刻输出极性反转了的数据信号(图7的(a))。
当在每1帧期间输入2个脉冲(P1、P2)的具有水平同步信号Hsync的2个周期大小的脉宽的脉冲作为输入到水平驱动电路HDRV的垂直同步信号Vsync时，输出极性不反转的数据信号(图7的(b))。
为了在有机EL显示装置中使用该水平驱动电路HDRV，必须按图7的(b)那样进行驱动。因此，在本实施例中，在时序控制IC(TCON-IC)内，具有像图7的(b)那样在每1帧期间输出偶数个脉冲的具有水平同步信号Hsync的2个周期的脉宽的脉冲的电路。就是说，在时序控制IC(TCON-IC)内设置使水平驱动电路HDRV进行极性不反转的输出的电路。
另外，在安装了时序控制IC(TCON-IC)的印刷基板SUB3上设置降压电路，在将数据信号DATA的极性输出降压后，输入到时序控制IC(TCON-IC)。这是为了使输入到时序控制IC(TCON-IC)的RSDS信号或逻辑信号为0.2-0.4V左右，由于液晶为±3.3V或±5V这样的高电压，因此可以将水平驱动电路HDRV的输出作为时序控制IC(TCON-IC)的数据信号输入。
另外，当时序控制IC(TCON-IC)根据降压后的极性输出的值检验来自水平驱动电路HDRV的数据信号的极性，当是反极性的数据信号时，再次输出垂直同步信号Vsync。极性之所以反转了是因为垂直同步信号Vsync的输出时序出现偏差，因而应对其输出时序进行修正。此外，当利用该检验功能确认了极性后再次进行反转时，垂直同步信号Vsync可以是1个脉冲，也可以输入2个脉冲。就是说，当使用该检验功能时，可以将最初的垂直同步信号Vsync本身作为1个脉冲，在确认了极性的反转后，输入1个脉冲，使之再次反转。
这样，通过对时序控制IC(TCON-IC)和第3基板上的电路进行周密设计，能够将以使极性反转为前提的水平驱动电路HDRV应用于有机EL显示装置。
此外，上述的例子，是以垂直同步信号Vsync控制使输出的极性反转的时刻的水平驱动电路HDRV时的解决方法，但如果有控制极性反转的ON/OFF(使极性反转的模式和不使极性反转的模式)的端子时，对该端子输入将极性反转OFF(不使极性反转的模式)的脉冲信号即可。生成、输出作为该控制信号的脉冲信号的电路，可以安装在时序控制IC(TCON-IC)内、或设置在安装了时序控制IC(TCON-IC)的第3基板SUB上。另外，当在第1基板SUB1上形成时序控制IC(TCON-IC)时，也可以在第1基板SUB1上形成上述的电路(降压电路和控制信号的发生电路)。
以下，用图9、图10说明第1基板上的主要结构。第1基板SUB1具有：显示像素区域AR、虚设像素区域DUMP、测试像素区域TPOLED、输出数据信号的水平驱动电路HDRV、围绕在像素区域(显示像素区域AR、虚设像素区域DUMP、测试像素区域TPOLED)的4边的电源供给总线CSBL、由在电源供给总线CSBL与水平驱动电路HDRV之间形成了多个比像素尺寸小的接触孔的阴极接点CDC连接于上述像素的有机EL元件的上部电极CD的公用电压供给线CBL、配置在水平方向的一边并对沿水平方向排列的像素电路供给扫描信号的由LTPS构成的垂直驱动电路VDRV、配置在水平方向的另一边并对沿水平方向排列的像素电路供给三角波或斜坡波之类的倾斜波或分级升压或减压的阶梯波电压信号的由LTPS构成的三角波发生电路SGEN。
此外，图10是从背面侧观察图9的结构的图，是与图9上下对称的配置。
显示像素区域AR位于像素区域的中央，虚设像素区域DUMP在显示区域AR的周围呈框状存在着1个像素大小(水平方向3个子像素(RGB像素)×垂直方向1个子像素(RGB像素的任何一个子像素))，测试像素区域TPOLED存在于从虚设像素区域向垂直驱动电路VDRV侧伸出1个像素(RGB像素的3个子像素)大小的位置。图中省略地记载着其个数。
在像素区域的左边，形成有垂直驱动电路VDRV，在右边形成有三角波发生电路SGEN。
外部端子PAD1，从左右的外侧向中央，按顺序排列有(1)测试像素用的阴极总线T-CSBL和虚设像素用的布线DUML(左边为测试像素用的阴极总线T-CSBL、右边为虚设像素用的布线DUML)、(2)第2电源供给总线CSBL2、(3)第1电源供给总线CSBL1、(4)公用电压供给线CBL、(5)驱动电路用信号线(左边为供给对垂直驱动电路VDRV输入的数字电源、模拟电源和时序信号等的布线VVSL、右边为对三角波发生电路SGEN供给数字电源、模拟电源和时序信号等的布线VSWL)、(6)对水平驱动电路HDRV供给灰度等级信号、数字电源、模拟电源、时钟信号等的信号布线SIGL。围绕在显示区域AR的4边的电源供给总线CSBL(CSBL1、CSBL2)，从外部端子PAD1围绕公用电压供给总线CBL的外侧。另外，第1电源供给总线CSBL1，围绕在显示区域AR和水平驱动电路HDRV之间，左右连接。进一步，在第1电源供给总线上，配置有在水平驱动电路HDRV与公用电压供给线CBL之间的比像素尺寸小的多个接触孔即阴极接点CDC。另外，第2电源供给总线CSBL2，进一步围绕垂直驱动电路VDRV和三角波发生电路SGEN的外侧，并在显示区域的下侧(与外部端子PAD1相对的边)左右连接。与作为有机EL元件的上部电极CD的阴极电极连接的公用电压供给线CBL，围绕在水平驱动电路HDRV与第1电源供给总线CSBL1之间。位于显示区域AR内的显示像素PXL，包括从垂直驱动电路VDRV向水平方向(扫描方向)延伸的数据选择线D-SEL、复位线RES、发光控制线ILM和三角波供给线SWEEP、从水平驱动电路HDRV向垂直方向(与扫描方向交叉的方向)延伸的数据线DATA、从沿水平方向延伸的电源供给总线CSBL向垂直方向延伸的电流供给线CSL、与上述各线连接的像素电路、被存储体BANK环绕的有机EL元件。
虚设像素的像素单位的结构，与显示像素没有太明显的不同，但其或者连接着其他的布线以便对与数据选择线D-SEL位置相同的布线或与数据线DATA位置相同的布线施加另外的电压、或者是浮置的。就是说，在其一部分上存在着虽然位于相同位置但并不供给相同信号的布线，并且是不发光的。具体地说，虽然在垂直方向具有显示像素PXL的虚设像素DPXL的数据线DATA还是数据布线，但数据选择线D-SEL具有不与垂直驱动电路VDRV连接的结构。虚设像素，不仅在存储体BANK上没有开口，而且在像素电路或阳极电极AD上也不流过使发光层发光那样大小的电流。
水平驱动电路HDRV，在像素区域AR的垂直方向配置，对数据线DATA供给数据信号。从视频信号供给线SIGL供给为生成该数据信号DATA所需的模拟/数字电源电压、时钟信号和视频信号。就是说，视频信号供给线SIGL也包含着供给这些信号的布线。该视频信号供给线SIGL，与第1基板的一边(图10的上边)的中央的外部端子连接。
垂直驱动电路VDRV，在像素区域AR的水平方向配置，分别对数据选择线D-SEL、复位线RES、发光控制线ILM供给扫描信号。供给为生成这些扫描信号所需的电源电压或时钟信号的垂直驱动电路控制线VVSL，通过后述的电流供给总线CSBL1和阴极总线CBL的下层，与连接于视频信号供给线SIGL的外部端子PAD1的外侧的外部端子PAD1连接。
三角波发生电路SGEN，与显示区域AR相对地配置在垂直驱动电路VDRV的相对侧，对三角波信号供给线SWEEP供给三角波。另外，流过控制该三角波信号供给线的电源信号或时钟信号的三角波发生电路控制线VSWL，通过后述的阴极总线CBL和电流供给总线CSBL1的下层，与视频信号供给线SIGL的外侧的间隙的外部端子PAD1连接。
电流供给线CSL，在显示区域的垂直方向的两边的区域，与沿水平方向延伸的电流供给总线CSBL1、CSBL2连接。如上所述，在图10中，将在上侧、即形成了水平驱动电路HDRV的一侧的周边区域形成的电流供给总线表示为CSBL1，将在下侧、即与水平驱动电路HDRV的形成侧相对的一侧形成的电流供给总线表示为CSBL2。
在图9中，虽然用1条粗的布线示出，但电流供给总线CSBL对发光层的每种发光色备有不同的电流供给总线。在本实施例的情况下，对每个RGB备有2组包含电流供给总线CSBLR、电流供给总线CSBLG、电流供给总线CSBLB的CSBL1、CSBL2，并分别施加对各RGB设定的电压。
作为有机EL元件的上部电极的阴极电极，通过具有多个接触孔的阴极接点CDC与阴极总线CBL连接。该阴极总线CBL，沿水平方向穿过电流供给总线CSBL1和显示区域AR之间的区域，通过水平驱动电路HDRV的侧面配置在视频信号供给线SIGL和电流供给总线CSBL2之间。
如上所述，在虚设像素区域DUMR和垂直驱动电路VDRV之间，配置1个像素(个数与发光色数相同的子像素)大小的不具备像素电路的无源型有机EL显示元件TPOLED。对该测试用的无源型有机EL显示元件TPOLED的电流供给总线T-CSBL，与第1基板SUB1的垂直方向的外部端子PAD1中的垂直驱动电路VDRV侧的端部的外部端子PAD1连接。该外部端子PAD1，围绕垂直驱动电路VDRV和第2电流供给总线CSBL2的外侧，在测试用的无源型有机EL显示元件TPOLED附近，通过第2电流供给总线CSBL2的下层引向测试用的无源型有机EL显示元件TPOLED的下层，通过接触孔与测试用的无源型有机EL显示元件TPOLED连接。图11表示遍布地配置密封剂的区域。密封剂的内侧，是Sealout的线，外侧是Sealin的线。
这样，在密封剂的下面为几乎没有布线交叉区域的配置。当密封剂中含有间隔物时，如布线有交叉，层间绝缘膜因间隔物而凹下，使绝缘性受到影响的可能性增大。因此，在密封剂形成区域内，几乎没有布线的交叉，即使有，也只是与对显示不起作用的测试像素用的电流供给总线T-CSBL或虚设布线的交叉。由于抑制了对显示像素的影响，能够改善因密封工序造成下降的成品率。
在图12中，示出本实施例中采用的第1基板上的像素布局的基本的层结构。第1基板上，具有按顺序层叠了基材层BASE、基底层UC、多晶硅层FG、栅极绝缘膜GI、金属栅极电极层SG、第1层间绝缘层ILI1、源/漏金属层SD、第2层间绝缘层ILI2、EL元件下部电极层AD、存储体BANK、有机层OLE、上部电极CD的结构。
基材层BASE，为厚0.7mm的无碱玻璃。
基底层UC，由通过等离子体CVD形成的厚150nm的氮化硅层和厚100nm的氧化硅层构成。p-Si层FG，在薄膜晶体管(以下，简称TFT)的形成部位和电容CAP的形成部位以岛状形成。详细的形成部位将在后文中用图说明。栅极绝缘膜GI，由一般被称为TEOS膜的用CVD法成膜的厚110nm的氧化硅层构成。
金属栅极电极层SG，在栅极绝缘膜GI之上，在与p-Si层FG的重叠区域，由厚150nm的MoW构成，用溅射法成膜并通过光刻形成图案。第1层间绝缘层ILI1，在金属栅极电极层SG的上层和栅极绝缘膜GI的TEOS膜之上，由通过等离子体CVD形成的厚500nm的SiO构成。源/漏金属层SD，由厚38nm、500nm、75nm的MoW/AlSi/MoW的层叠结构构成，用溅射法成膜并通过光刻形成图案。
在上述的栅极绝缘膜层GI和第1层间绝缘层ILI1上，根据需要形成开口，也在该开口的侧壁和底部形成源/漏层，并形成用MoW/AlSi/MoW的层叠结构连接的第1接触孔。
第2层间绝缘膜，在该第1接触孔和上述的第1层间绝缘层ILI1上由通过等离子体CVD形成的厚500nm的SiN膜构成。此外，该第2层间绝缘膜，在与第1接触孔错开的位置上作为开口具有第2接触孔。
通过使接触孔不是1个深的接触孔而是改换位置形成2个接触孔，可以取得抑制接触不良或减小接触孔的接地面积的效果。
下部电极AD，在第2层间绝缘膜上，由按每个像素划分并覆盖第2接触孔的内部(侧壁面和底部)的厚77nm的ITO构成，用溅射法成膜并通过光刻形成图案。
存储体BANK，由通过等离子体CVD形成的SiN构成，具有覆盖下部电极AD的周围并覆盖在像素间的第2层间绝缘膜上以确保像素间的绝缘性的结构。另外，设置开口，形成使下部电极AD露出一部分的结构。
存储体BANK形成后，通过进行氧等离子体处理，使露出的下部电极AD的表面的碳浓度显示出比隐埋在存储体BANK下面的下部电极AD表面的碳浓度高的值。
另外，为进行下部电极的功函数的调整，进行UV照射。通过进行该UV照射和氧等离子体处理，使功函数从4.8eV改变到5.3eV。在下部电极AD的由存储体BANK所围的露出区域和存储体BANK的上表面形成有机层OLE中的空穴注入层和空穴输送层，在沿数据线延伸的存储体BANK的上表面以全部像素共用的图案(betterpattern)进行蒸镀，并且，在其上，以垂直方向的在存储体上排列筋状的边界地配置的3色条纹图案，按各色的顺序蒸镀发光层，电子输送层以与发光层相同的图案进行蒸镀，将作为电子注入层的LiF蒸镀为全部像素共用的图案。
上部电极是多个像素共用的电极，由形成为全部像素共用的Al蒸镀膜构成。图13～图22示出像素电路的布局图案。图13是1个像素的等效电路。图14是更精确地示出图13的等效电路。图15是表示显示区域的RGB3像素的像素电路的布局图案的图。图16是表示显示像素的1个像素的像素电路的布局图案的图。图17是表示显示区域的RGB3像素的多晶硅层FG和金属栅极层SG的图。图18是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD和金属栅极层SG的图。图19是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD和多晶硅层FG的图。图20是表示显示区域的RGB3像素的源漏层SD、下部电极ITO和存储体开口OPEN的图。图21是表示虚设像素区域的RGB3像素的像素布局的图。图22是表示虚设像素的1个像素的像素布局的图。
无论是显示区域PXL还是虚设像素区域DPXL，如图13所示，数据线DATA、电流供给线CSL都沿像素的垂直方向延伸，数据选择线D-SEL、发光控制线ILM、复位线RES、三角波供给线SWEEP都沿水平方向延伸。
如图14所示，在各像素PXL中设置有底部发射型的有机EL元件OLED。有机EL元件OLED的阴极端与上部电极CD连接，进一步，与公用电压供给线CBL连接。另一方面，有机EL元件OLED的阳极端通过p型的发光控制开关TFT5及p型的驱动开关TFT3与电流供给线CSL连接。
在驱动开关TFT3的栅极-漏极之间连接着n型的复位开关TFT4。另外，驱动开关TFT3的栅极还通过存储电容CAP与连接于数据线DATA的p型的数据锁存开关TFT1及连接于三角波线SWEEP的n型的三角波开关TFT2连接。
此外，复位开关TFT4由复位线RES控制，发光控制开关TFT5由发光控制线ILM控制，数据锁存开关TFT1和三角波开关TFT2由数据选择线D-SEL控制。
以下，更详细地说明上述像素PXL的布局结构。
图15是沿RGB的水平方向连续的3个像素的布局结构图。从左侧起按顺序排列着红像素RPIX、绿像素GPIX、蓝像素BPIX。分别配置有独立的电流供给源(红色用电流供给线CSLR、绿色用电流供给线CSLG、蓝色用电流供给线CSLB)。因此，施加于电流供给线的电压随各发光层的特性而不同。
图16是绿像素GPXL的像素布局放大图。其他颜色像素的布局也都相同。
各像素PXL，具有横跨多个像素的布线、像素内的布线、存储体开口OPEN、包含至少配置在存储体开口OPEN的发光层的有机层、12个接触孔、6个开关。
横跨多个像素的布线，在垂直方向上，具有数据线DATA、电流供给线CSL，在垂直方向上为复位线RES、发光控制线ILM、三角波线SWEEP、数据选择线D-SEL。
另外，像素内的布线，采用了因注入而提高了导电性的多晶硅层FG、或栅极金属电极层SG、源漏层SD、下部电极ITO。
在存储体的开口OPEN的下侧存储体内，从图的下侧起，按下侧像素的发光控制线ILM、该像素的三角波线SWEEP、数据选择线D-SEL、复位线RES的顺序向水平方向延伸，复位线RES，具有T字形的突出部，从开口OPEN的左侧的存储体内穿过，使垂直位置比存储体开口OPEN的上边更向上(垂直方向)伸出，一直延伸到发光控制线ILM附近。
在存储体的开口OPEN的上侧存储体内，从图的上侧起，按上侧像素的复位线RES、数据选择线D-SEL、三角波线SWEEP、该像素的发光控制线ILM的顺序沿水平方向形成。在存储体的开口OPEN的左侧存储体内，从图面的左侧起，左侧像素的数据线DATA和该像素的电流供给线CSL按该顺序沿垂直方向延伸地形成。在存储体的开口OPEN的右侧存储体内，从图面的左侧起，该像素的数据线DATA和右像素的电流供给线CSL按该顺序沿垂直方向延伸地形成。另外，电流供给线CSL，重叠在复位线RES之上，在左边从复位线RES露出地形成。而且，位于存储体BANK的左边的部位形成较宽的宽度。另外，将形成第6接触孔CH6的位置形成得更宽。三角波线SWEEP也是形成第1接触孔CH1的位置形成得较宽。
沿水平方向横跨多个像素地配置的数据选择线D-SEL、发光控制线ILM、复位线RES、三角波线SWEEP，由钼、钛和钨的任何一种、或这些元素的任意化合物或混合物形成为单层膜或层叠膜。
沿垂直方向跨过多个像素地配置的数据线DATA、电流供给线CSL，形成为由钼和钨的合金夹着以铝为主成分的AlSi的层叠膜。此外，该钼钨合金，也可以是钛合金。
对沿垂直方向横过多个象素地配置的布线，之所以用以铝为主体的材料形成是因为数据线DATA需要一定的电压精度，电流供给线CSL必须流过较大的电流。电流供给线之所以较粗是为了流过大电流。
另外，存储电容CAP，由多晶硅层FG、栅极金属电极层SG构成，配置在电流供给线CSL的下方，这是为了利用作为无信号区的电流供给线CSL下方的空间，确保存储电容CAP的面积而不牺牲有机EL发光区域OLED。而且，之所以不将存储电容CAP设置在数据线DATA的下方是因为其可能成为数据线DATA的负载。
另外，在数据线DATA的下方也重叠若干复位线，通过有效地利用无信号区来增大发光区域。接触孔CH9和接触孔CH10的下方，分别为p注入、n注入。因此，即使是连续的多晶硅层，通过根据邻接的沟道按n和p划分该注入区域，能谋求像素布局高效率化，实现发光区域的增大。
另外，电流供给线CSL如上所述部分地加粗，这是为了抑制电源电压的下降，改善显示特性。
另外，不将一个像素电路集中为长方形，而是使接触孔或开关靠近水平方向的一边，与垂直方向的像素的接触孔或开关形成嵌套结构，这具有能提高开口率、能在蒸镀掩模上设置跨接线等的优点。而且，之所以将像素电路、特别是开关TFT沿存储体BANK的开口OPEN的垂直方向划分配置，是为了形成上述的存储电容、同时也是为了提高像素电路的布局自由度。
另外，复位开关TFT4由串联连接的2个TFT开关4A、4B构成，是为了减低复位开关TFT4的漏电流，对TFT开关4A、4B采用nMOS的双栅极结构，是为了使nMOS特性均匀化，减低漏泄电流。
将存储体BANK的开口OPEN按四方形配置在像素的大致中央的平坦区域上，是为了以良好的均匀性形成有机EL发光区域OLED，之所以形成将其角部去掉后的八角形，是为了抑制电场集中而提高可靠性，同时也是为了实现解决蒸镀掩模的位移、变形的蒸镀似然度的提高。
另外，由pMOS构成数据锁存开关TFT1，由nMOS构成三角波开关TFT2，是为了用1条数据选择线D-SEL实现2个开关的控制，通过减少开关的控制线数，能够因节省空间而实现发光面积的扩大。
另外，图中，表示为区域p的区域，是形成pMOS的开关或进行了p注入的布线的区域。除此以外，是形成nMOS的开关或进行了n注入的布线的区域。
另外，下部电极ITO，从接触孔CH11延伸到存储体BANK的开口OPEN的透明电极避开源漏层SD地形成。这是因为含铝的布线易于产生异常析出，加之，即使在其上方隔着绝缘膜形成上部电极ITO，也容易发生因该异常析出引起的短路。在本实施例的情况下，形成为在双栅极的2个沟道上通过。
另外，图21、图22中示出的虚设像素，如与图15、图16比较，则在存储体没有开口这一点上不同。
以下，用图23～图25说明本第1实施例的动作。图23是像素的动作时序图。图中示出1帧期间中的数据选择线D-SEL、发光控制线ILM、复位线RES、三角波线SWEEP的变化，(n)表示是第n行的像素列的信号。另外，如图中用VH、VL所标记的那样，上为高电压、下为低电压。
在选择了写入的像素中，首先由数据选择线D-SEL、发光控制线ILM、复位线RES分别使p型的数据锁存开关TFT1导通、n型的三角波开关TFT2截止、p型的发光控制开关TFT5导通、n型的复位开关TFT4导通。此时，由于发光控制开关TFT5和复位开关TFT4导通，在有机EL元件OLED中通过连接了二极管的驱动开关TFT3和发光控制开关TFT5从电流供给线CSL流过电流。
接着，当由发光控制线ILM使发光控制开关TFT5截止时，在驱动开关TFT3的漏极端达到了阈值电压Vth的时刻，驱动开关TFT3截止。这时，将视频信号电压(灰度等级电压)输入到数据线DATA，由于该视频信号电压通过数据锁存开关TFT1与存储电容CAP的一端连接，将该信号电压与上述阈值电压Vth之差输入到存储电容CAP。之后，由复位线RES将复位开关TFT4截止，从而将信号电压与上述阈值电压Vth之差存储到存储电容CAP内，结束对像素的信号电压写入。
然后，当写入转移到下1行的像素时，由数据选择线D-SEL使数据锁存开关TFT1截止、将三角波开关TFT2切换为导通。此时，将三角波状的扫描电压施加于三角波线SWEEP，该三角波电压，通过三角波开关TFT2输入到存储电容CAP的一端。而且，这时，由发光控制线ILM使发光控制开关TFT5导通。当此时的三角波线SWEEP的三角波电压与预先写入的信号电压相等时，通过存储电容CAP使阈值电压Vth再现于驱动开关TFT3的栅极，因此，根据已写入的信号电压确定有机EL元件OLED的发光期间。由此，有机EL元件OLED以与上述视频信号电压对应的发光时间发光，因而观察者能识别有灰度等级的图像。
这里，更详细地说明写入时的驱动开关TFT3的栅极电压的变化。图24是对像素写入信号电压时的动作时序图。图中示出1帧期间中的数据选择线D-SEL、发光控制线ILM、复位线RES、三角波线SWEEP的变化，(n)表示是第n行的像素列的信号。另外，如图中用VH、VL所标记的那样，上为高电压、下为低电压。这些定义与图23相同。
在图25中，作为TFT3的栅极(Gate of TFT3)，进一步说明写入时的驱动开关TFT3的栅极电压的变化。在选择了写入的像素中，最初，发光控制开关TFT5和复位开关TFT4导通，由此，在有机EL元件OLED中通过连接了二极管的驱动开关TFT3和发光控制开关TFT5从电流供给线CSL流过电流。这时，驱动开关TFT3的栅极电压降低到与有机EL元件OLED的电流相对应的栅极电压。(期间II)
接着，当由发光控制线ILM使发光控制开关TFT5截止时，驱动开关TFT3的漏极端趋向于从电源电压VCSL减去阈值电压Vth后的电压值而饱和，在该时刻驱动开关TFT3截止。(期间III～IV)
然后，当写入转移到下1行的像素时，由数据选择线D-SEL使数据锁存开关TFT1截止、并将三角波开关TFT2切换为导通。此时，将三角波状的扫描电压施加于三角波线SWEEP，该三角波电压，通过三角波开关TFT2输入到存储电容CAP的一端。这时，驱动开关TFT3的栅极电压，与施加于三角波线SWEEP的三角波电压和预先写入的信号电压的差值对应地移动，但当三角波线SWEEP的三角波电压与预先写入的信号电压相等时，通过存储电容CAP使阈值电压Vth再现于驱动开关TFT3的栅极，因此，有机EL元件OLED导通(期间VI)。图中将该有机EL元件OLED的发光期间表示为ILM期间。通过由写入各像素的信号电压对该ILM期间的长度进行调制，能够在有机EL显示器上显示图像。
最后，说明施加于数据线DATA的视频信号电压与施加于三角波线SWEEP的三角波电压的电压值的关系。
图25是施加于数据线DATA的信号电压和施加于三角波线SWEEP的三角波电压的波形图。图中示出1帧期间中的施加于数据线DATA的信号电压和施加于三角波线SWEEP的三角波电压的电压值的变化。(n)表示是第n行的像素列的信号。另外，图中示出上为高电压、下为低电压的情况。这些定义与图23相同。
如图所示，信号电压以1～5V的值随视频数据变化，而三角波电压在期间(II、III、IV)为5V，在其他期间，在1帧期间的周期中扫描1次。此处，三角波的最大电压为5V，最小电压为1.5V。
在写入期间(II、III、IV)，由数据选择线D-SEL控制p型的数据锁存开关TFT1和n型的三角波开关TFT2。这时，2个TFT都使用增强型，都施加相等的栅极电压，将一端公共连接的p型和n型的TFT，当p型TFT的另一端的电压大于n型TFT的另一端的电压时，在两TFT之间流过贯通电流。
即，在本实施例中，假定当视频信号电压大于三角波电压时，在数据线DATA和三角波线SWEEP之间流过贯通电流，这将导致显示板耗电量的增大。为避免这种情况，在本实施例中，在由数据选择线D-SEL控制p型的数据锁存开关TFT1和n型的三角波开关TFT2的写入期间(II、III、IV)，将三角波电压设定为与信号电压的最大值相同。显然，也可以将三角波电压设定为信号电压的最大值以上的值，但在这种情况下将增加无效地使用的电压的种类，因此这里将两者设定为相等的电压。
此外，在本实施例中，三角波的最小电压设定为1.5V和比信号电压的最小电压即1V高的电压。这是用于使驱动开关TFT3在显示黑色时具有足够的容限的余量。
以上，显示区域AR的像素PXL、虚设像素区域DUMR的虚设像素DPXL、垂直驱动电路VDRV、三角波生成电路SGEN、RGB分时数据信号选择电路RGB-SEL，全部用由多晶硅构成的TFT元件在同一个玻璃基板上形成。利用在玻璃基板上进行安装的COG安装法安装了水平驱动电路HDRV驱动IC芯片。此外，在本实施例中，玻璃基板上的使用了由多晶硅构成的TFT元件的垂直驱动电路VDRV、三角波生成电路SGEN，也可以用与水平驱动电路HDRV相同的、或单独的驱动IC芯片实现，另外相反也可以用由多晶硅构成的TFT元件在同一个玻璃基板上设置水平驱动电路HDRV。或者，也可以通过将水平驱动电路HDRV安装在玻璃基板上的驱动IC芯片与设置在玻璃基板上的使用了由多晶硅构成的TFT元件的RGB分时数据信号选择电路RGB-SEL或垂直驱动电路VDRV的组合等实现。
另外，并不限定于多晶硅，也可以将其他的有机/无机半导体薄膜用于晶体管，或代替玻璃基板而采用表面具有绝缘性的其他基板。
作为发光元件显然也不限于有机EL元件，也可以使用无机EL元件或FED(Field-Emission Device：场致发射器件)等一般的发光元件。
图26是TV图像显示装置100的结构图。对接收地面波数字信号等的无线接口(I/F)电路102，作为无线数据从外部输入被压缩后的图像数据等，无线I/F电路102的输出通过I/O(Input/Output：输入输出)电路103与数据总线108连接。除此以外，在数据总线108上还连接着微处理器(MPU)104、显示板控制器106、帧存储器107等。进一步，显示板控制器106的输出，输入到有机EL显示板101。此外，在图像显示终端100还设有电源109、110。此处，有机EL显示板101，具有与前面说明过的第1实施例相同的结构和动作，所以这里其内部的结构和动作从略。
以下，说明这些电路的动作。首先，无线I/F电路102响应指令从外部取入被压缩后的图像数据，通过I/O电路103将该图像数据传送到微处理器104和帧存储器107。微处理器104接受来自用户的指令操作，根据需要驱动整个图像显示终端100，并进行被压缩后的图像数据的译码或信号处理、信息显示。此时，经信号处理后的图像数据，可以暂时存储在帧存储器107内。
此处，当微处理器104发出显示指令时，按照该指示从帧存储器107将图像数据通过显示板控制器106输入到有机EL显示板101。有机EL显示板101实时地显示所输入的图像数据。这时，显示板控制器106，输出为同时显示图像所需的预定的时序脉冲，并按预定的算法按照显示图像数据控制像素驱动信号选择电路40。此外，关于有机EL显示板101利用这些信号实时地显示所输入的图像数据的情况，已在第1实施例的说明中进行了讲述。另外，此处，电源109、110包含二次电池，供给驱动整个图像显示终端100的功率。
按照本实施例，能以低功耗提供可以进行高亮度显示的图像显示终端100。
以下，示出第1基板SUB1上的布线布局的变化。图27是第1基板的框图。图28是图27的AB剖视图的一种形态。图29是图27的AB剖视图的一种形态。图28是电流供给总线CSBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL与源漏电极层为同层时的剖视图。图29是电流供给总线CSBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL与源漏电极层SD和栅极电极层SG的任何一个层为相互不同的层时的剖视图。图30是第1基板的框图。结构与图27的结构相同，仅剖切线不同。图31是图30的CD剖视图的一种形态。图31，在电流供给总线CSBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL交叉的位置，当如图28所示电流供给总线CSBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL使用了同层的布线层时，通过在交叉部位的前后与其他层连接而实现。具体地说，将控制线VVSL在该交叉部位的附近与栅极电极层SG连接，之后，在越过电流供给总线CSBL的位置，与源漏电极层SD连接。图32是图30的EF剖视图的一种形态。
在阴极总线CBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL交叉的位置，当如图28所示阴极总线CBL和垂直驱动电路的电源或时钟信号流过的控制线VVSL使用了同层的布线层时，通过在交叉部位的前后与其他层连接实现。具体地说，将控制线VVSL在该交叉部位的附近与栅极电极层SG连接，之后，在越过阴极总线CBL的位置，与源漏电极层SD连接。
当电流供给总线CSBL和阴极总线CBL交叉时，也通过在交叉部位的前后与其他层连接而实现。具体地说，当电流供给总线CSBL位于源漏层SD、阴极总线位于栅极电极层SG时，在该交叉部位的附近将电流供给总线CSBL与栅极电极层SG连接，之后，在越过阴极总线CBL的位置，与源漏电极层SD连接。

Claims (1)

1.一种有机EL显示装置，具有多个像素和通过数据线向显示区域的各像素供给数据信号的数据驱动IC，上述各像素具有在阳电极和阴电极之间具有有机发光层的有机EL元件和控制上述有机EL元件的发光的像素电路，
该有机EL显示装置的特征在于：
上述像素电路是以施加于像素电路的数据信号电压的大小来控制上述有机EL元件的单位时间的发光亮度的电路，
上述数据驱动IC具有按每一帧使数据信号的极性反转后输出的功能和控制使上述数据信号的极性反转的时刻的端子，
上述数据驱动IC的端子与时序控制IC连接，
上述时序控制IC具有输出用于极性反转的脉冲的电路，该电路用于向上述数据驱动IC的上述端子供给不使上述数据驱动IC所输出的上述数据信号的极性反转的控制信号，
上述输出用于极性反转的脉冲的电路在每一帧期间输出2个脉冲的具有水平同步信号的2个周期的脉宽的脉冲作为垂直同步信号，
由降压电路对来自上述数据驱动IC的数据信号的极性输出进行降压，
上述时序控制IC检验由上述降压电路降压后的数据信号的极性输出的值，当极性相反时输出上述用于极性反转的脉冲，从而控制成不使上述数据驱动IC所输出的数据信号的极性反转。
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