CN110047914A - 有机发光显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种有机发光显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，能够改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。一种有机发光显示面板包括：显示区域，所述显示区域包括弯折显示区域，所述弯折显示区域中具有沿第一方向延伸的弯折轴；所述有机发光显示面板包括半导体层和栅极金属层；所述弯折显示区域包括弯折区像素驱动电路，所述弯折区像素驱动电路包括弯折区驱动晶体管，所述弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在任意沿所述第一方向上的横截面内，所述弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，有机发光显示(Organic Light Emitting Display，简称OLED)面板由于其具有自发光、高亮度、广视角、快速反应等优良特性，应用越来越广泛。
然而，对于可弯折的有机发光显示面板，有机发光显示面板具有弯折轴，当有机发光显示面板经过多次弯折之后，弯折轴所在区域和非弯折区域具有显示差异。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示面板和显示装置，能够改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。
一方面，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，包括：
显示区域，所述显示区域包括弯折显示区域，所述弯折显示区域中具有沿第一方向延伸的弯折轴；
所述有机发光显示面板包括半导体层和栅极金属层；
所述弯折显示区域包括弯折区像素驱动电路，所述弯折区像素驱动电路包括弯折区驱动晶体管，所述弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在任意沿所述第一方向上的横截面内，所述弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。
可选地，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第一方向延伸的部分和沿第二方向延伸的部分，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，沿所述第一方向延伸的部分的总长度大于所述沿第二方向延伸的部分的总长度。
可选地，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括U形结构，所述U形结构的开口方向平行于所述第一方向。
可选地，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第一方向延伸、沿第二方向依次排列的第一臂、第二臂和第三臂，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第二方向延伸的第四臂和第五臂，所述第一臂、所述第四臂、所述第二臂、所述第五臂和所述第三臂依次首尾相接；
所述第二方向垂直于所述第一方向。
可选地，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括Z形结构，所述Z形结构包括：
沿所述第一方向延伸的第一臂和第二臂；
沿第二方向延伸的第三臂，所述第一臂、所述第三臂和所述第二臂依次首尾相接；
所述第二方向和所述第一方向交叉。
可选地，所述第二方向垂直于所述第一方向。
可选地，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括依次首尾相接的多个所述Z形结构。
可选地，所述显示区域还包括非弯折显示区域，所述非弯折显示区域包括非弯折区像素驱动电路，所述非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，所述非弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在至少一个沿所述第一方向上的横截面内，所述非弯折区驱动晶体管的沟道包括至少两个相互间隔的部分。
可选地，所述显示区域还包括非弯折显示区域，所述非弯折显示区域包括非弯折区像素驱动电路，所述非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，所述非弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在任意沿所述第一方向上的横截面内，所述非弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。
可选地，所述非弯折区驱动晶体管的沟道形状和所述弯折区驱动晶体管的沟道形状相同。
另一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的有机发光显示面板。
本发明实施例的有机发光显示面板和显示装置，在任意沿第一方向上的横截面内，弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构，由于弯折轴沿第一方向延伸，沿弯折轴的弯折作用对驱动电流流经路径上造成的结构损伤较小，而在现有技术中，弯折区驱动晶体管的沟道具有沿垂直于弯折轴延伸方向的两臂，弯折会造成每个臂在其延伸方向的结构差异，从而导致驱动电流在流经两臂时均会发生变化，两次电流变化的叠加使得驱动电流的变化更大，因此，本发明实施例中的有机发光显示面板能够改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种有机发光显示面板的结构示意图；
图2为图1中弯折区驱动晶体管中沟道的结构示意图；
图3为本发明实施例中一种有机发光显示面板的结构示意图；
图4为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的一种结构示意图；
图5为图4中弯折区驱动晶体管在AA’向的一种剖面结构示意图；
图6为本发明实施例中显示区域中部分区域的一种剖面结构示意图；
图7为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图；
图8为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图；
图9为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图；
图10为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图；
图11为图3中非弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图；
图12为本发明实施例中一个像素驱动电路的版图示意；
图13为图12对应的等效电路图；
图14为本发明实施例中一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
为进一步说明本发明实施例的有益效果，在进行本发明实施例的介绍之前，先对现有技术的缺陷进行举例说明，如图1和图2所示，图1为现有技术中一种有机发光显示面板的结构示意图，图2为图1中弯折区驱动晶体管中沟道的结构示意图，现有的有机发光显示面板包括显示区域1’、非显示区域2’，非显示区域2’围绕显示区域1’，显示区域1’包括弯折显示区域11’，弯折显示区域11’中具有沿第一方向h1’延伸的弯折轴L’，有机发光显示面板沿弯折轴L’进行弯折，弯折显示区域11’为有机发光显示面板在沿弯折轴L’弯折过程中会发生形变的显示区域，显示区域1’包括发光器件以及与每个发光器件对应的像素驱动电路，像素驱动电路用于驱动发光器件发光，以实现子像素的显示，像素驱动电路中包括驱动晶体管，驱动晶体管用于在电压控制下产生对应的驱动电流，通过驱动电流来控制发光器件的发光亮度。如图2所示，在弯折显示区域11’，驱动晶体管的沟道为U形结构，且U形结构的开口方向垂直于第一方向h1’，U形结构包括第一臂U1’和第二臂U2’，第一臂U1’和第二臂U2’均沿第二方向h2’延伸，驱动晶体管的沟道为用于产生驱动电流的通道，发明人发现，由于沟道具有两个垂直于弯折轴L’延伸方向的两臂，因此，有机发光显示面板在弯折时，会对沟道产生疲劳损伤，第一臂U1’和第二臂U2’会以类似上下对折的方式产生形变，沟道的疲劳损伤会造成第一臂U1’和第二臂U2’在其延伸方向上产生较大的结构改变，而驱动电流沿沟道的延伸方向通过时，会产生电流变化，从而导致驱动电流的改变，而对于非弯折显示区域中驱动晶体管，其沟道不会发生形变，因此，其驱动电流不会发生变化，因此，导致弯折显示区域11’中驱动晶体管的驱动电流和非弯折显示区域中驱动晶体管的驱动电流具有差异，既弯折显示区域11’和非弯折显示区域产生显示差异。
如图3、图4、图5和图6所示，图3为本发明实施例中一种有机发光显示面板的结构示意图，图4为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的一种结构示意图，图5为图4中弯折区驱动晶体管在AA’向的一种剖面结构示意图，图6为本发明实施例中显示区域中部分区域的一种剖面结构示意图，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，包括：显示区域1和非显示区域2，显示区域1包括弯折显示区域11，弯折显示区域11中具有沿第一方向h1延伸的弯折轴L，非显示区域2围绕显示区域1；有机发光显示面板包括半导体层3和栅极金属层4；述弯折显示区域11包括弯折区像素驱动电路，弯折区像素驱动电路包括弯折区驱动晶体管，弯折区驱动晶体管包括位于半导体层3的沟道M1以及位于栅极金属层4的栅极M2，在任意沿第一方向h1上的横截面内，弯折区驱动晶体管的沟道M1为不间断的连续结构，即沟道M1在第一方向h1上只会具有连续的延伸结构，而不会具有在第一方向h1上间隔的结构。
具体地，有机发光显示面板可以包括依次层叠设置的缓冲层01、半导体层3、栅极绝缘层02、栅极金属层4、第一层间绝缘层03、电容金属层04、第二层间绝缘层05、源漏金属层06、平坦化层07和像素定义层08，其中，包括像素驱动电路和发光器件E，像素驱动电路用于驱动发光器件E，像素驱动电路包括薄膜晶体管M和存储电容C，其中薄膜晶体管M包括沟道M1、栅极M2、源极M3和漏极M4，沟道M1、源极M3和漏极M4位于半导体层3，其中沟道M1为没有经过掺杂的半导体材料，源极M3和漏极M4为经过掺杂的半导体材料，栅极M2位于栅极金属层4，栅极M2和沟道M1交叠，由于沟道M1未经掺杂，因此体现半导体的特性，在栅极M2电压的作用下，沟道M1的导电特性会发生变化，源极M3和漏极M4为经过掺杂的半导体材料，体现导电特性，用于实现于其他器件之间的电连接，在像素驱动电路中，薄膜晶体管M包括开关晶体管和驱动晶体管，其中，开关晶体管用于在栅极M2的电压控制下，使沟道M1在导通和截止状态之间转换，导通状态即源极M3和漏极M4之间电流导通，截止状态即源极M3和漏极M4之间电流截止；而对于驱动晶体管，其在栅极M2的电压控制下，除了控制沟道M1在导通和截止状态之间转换之外，在导通状态下，源极M3和漏极M4之间产生驱动电流，且驱动电流的电流值与栅极M2的电压值相关，由栅极M2的电压控制驱动电流的大小。源漏金属层06可以用于设置数据线等，例如图6中所示的结构，薄膜晶体管M的源极M3通过过孔电连接于位于源漏金属层06的数据线，需要说明的是，图6中示意的薄膜晶体管M并不是驱动晶体管，而是像素驱动电路中的其他开关晶体管，图6仅为了说明各膜层结构。存储电容C包括第一电极板C1和第二电极板C2，第一电极板C1位于栅极金属层4，第二电极板C2位于电容金属层04，像素定义层08上设置有开口，每个开口对应一个发光器件E，发光器件E包括阳极E1、有机发光层E2和阴极E3，各发光器件E的阳极E1相互独立，在垂直于有机发光显示面板的方向上，阳极E1和像素定义层08上的开口重叠，有机发光层E2位于像素定义层08的开口内，由像素定义层08的开口来限定发光器件E的出光面积，阴极E3覆盖像素定义层08的每个开口，在显示区域1，阴极E3可以为整面的连续结构。像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极通过过孔电连接于对应的发光器件E的阳极E1，用于为阳极E1提供电压。在阳极E1和阴极E3上施加电压的作用下，空穴和电子会注入有机发光层23，在有机发光层23中复合，进而释放能量实现发光。
本发明实施例的有机发光显示面板中，在任意沿第一方向上的横截面内，弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构，由于弯折轴沿第一方向延伸，沿弯折轴的弯折作用对驱动电流流经路径上造成的结构损伤较小，而在现有技术中，弯折区驱动晶体管的沟道具有沿垂直于弯折轴延伸方向的两臂，弯折会造成每个臂在其延伸方向的结构差异，从而导致驱动电流在流经两臂时均会发生变化，两次电流变化的叠加使得驱动电流的变化更大，因此，本发明实施例中的有机发光显示面板能够改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。
可选地，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括沿第一方向h1延伸的部分和沿第二方向h2延伸的部分，第二方向h2垂直于第一方向h1，其中，沿第一方向h1延伸的部分的总长度大于沿第二方向h2延伸的部分的总长度。
具体地，以图4中所示的结构为例，弯折区驱动晶体管的沟道M1中，沿第一方向h1延伸的部分分别包括下、中、上三个部分，其中，下方的部分延伸长度为L1、中间的部分延伸长度为L2、上方的部分延伸长度为L3，即沟道M1沿第一方向h1延伸的部分的总长度为L1+L2+L3，沿第二方向h2延伸的部分分别包括左、右两个部分，其中，右方的部分延伸长度为H1，左方的部分延伸长度为H2，沿第二方向h2延伸的总长度为H1+H2，L1+L2+L3＞H1+H2。由于弯折轴L的延伸方向为第一方向h1，因此，对于沟道M1中沿第一方向h1延伸的部分，弯折对于驱动电流流通路径方向上的改变较小，不会造成明显的电流变化，而对于沟道M1中沿第二方向h2延伸的部分，弯折对于驱动电流流通路径方向上的改变较大，会造成较为明显的电流变化，因此，设置沿第一方向h1延伸的部分的总长度大于沿第二方向h2延伸的部分的总长度，可以进一步改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。
可选地，如图7所示，图7为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括U形结构，U形结构的开口方向平行于第一方向h1。
具体地，对于图7中所示的结构，同样满足在任意沿第一方向h1上的横截面内，弯折区驱动晶体管的沟道M1为不间断的连续结构。另外，也可以设置图7所示的沟道M1中，沿第一方向h1延伸的部分的总长度大于沿第二方向h2延伸的部分的总长度。
可选地，如图4所示，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括沿第一方向h1延伸、沿第二方向h2依次排列的第一臂(下方的部分，延伸长度为L1)、第二臂(中间的部分，延伸长度为L2)和第三臂(上方的部分，延伸长度为L3)，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括沿h2第二方向延伸的第四臂(右方的部分，延伸长度为H1)和第五臂(左方的部分，延伸长度为H2)，第一臂、第四臂、第二臂、第五臂和第三臂依次首尾相接；第二方向h2垂直于第一方向h1。图4所示的结构中，一方面，可以改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异；另一方面，由于能够在较小的空间内形成较长的沟道，由于沟道长度较大，因此，可施加至该弯折区驱动晶体管的栅极M2的驱动电压的范围越大，即可以更加精细地控制驱动晶体管的驱动电流，以提高显示画面的质量。
可选地，如图8所示，图8为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括Z形结构，Z形结构包括：沿第一方向h1延伸的第一臂A1和第二臂A2；沿第二方向h2延伸的第三臂A3，第一臂A1、第三臂A3和第二臂A2依次首尾相接；第二方向h2和第一方向h1交叉。
可选地，如图9所示，图9为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图，第二方向h2垂直于第一方向h1。需要说明的是，图9与图8中的结构类似，均为弯折区驱动晶体管的沟道M1包括Z形结构，Z形结构包括：沿第一方向h1延伸的第一臂A1和第二臂A2；沿第二方向h2延伸的第三臂A3，第一臂A1、第三臂A3和第二臂A2依次首尾相接，区别仅在于，图9中的第一方向h1垂直于第二方向h2。
可选地，如图10所示，图10为图3中弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图，弯折区驱动晶体管的沟道M1包括依次首尾相接的多个如图9中所示的Z形结构。
可选地，如图3和图11所示，图11为图3中非弯折区驱动晶体管的在半导体层的另一种结构示意图，显示区域1还包括非弯折显示区域12，非弯折显示区域12包括非弯折区像素驱动电路，非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，非弯折区驱动晶体管包括位于半导体层3的沟道M1以及位于栅极金属层4的栅极，在至少一个沿第一方向h1上的横截面内，非弯折区驱动晶体管的沟道M1包括至少两个相互间隔的部分。例如，图11中非弯折区驱动晶体管的沟道M1包括U形结构，但是该U形结构的开口与第一方向h1平行，即在该U形结构中间位置沿第一方向h1上的横截面内，沟道M1具有两个相互间隔的部分，也就是说，非弯折区驱动晶体管可以与弯折区驱动晶体管的结构不同，仅对弯折区驱动晶体管的沟道形状进行改进，弯折区驱动晶体管的结构可以参照图4、图7、图8、图9和图10中的结构，而非弯折区驱动晶体管可以沿用现有的结构。
可选地，如图3所示，显示区域1还包括非弯折显示区域12，非弯折显示区域12包括非弯折区像素驱动电路，非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，非弯折区驱动晶体管包括位于半导体层的沟道以及位于栅极金属层的栅极，在任意沿第一方向h1上的横截面内，非弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。即，非弯折区驱动晶体管的沟道可以与弯折区驱动晶体管的沟道结构具有相同的特点，具体可参照图3、图4、图7、图8、图9和图10中的结构。
可选地，非弯折区驱动晶体管的沟道形状和弯折区驱动晶体管的沟道形状相同，这样，可以使整个显示区域1中像素驱动电路具有相同的布局，设计更加简单。
以下以一种具体的像素驱动电路结构为例对本发明实施例进行说明，如图12和图13所示，图12为本发明实施例中一个像素驱动电路的版图示意，图13为图12对应的等效电路图，该像素驱动电路可以为弯折区像素驱动电路，也可以为弯折区像素驱动电路，该像素驱动电路包括：
第一开关晶体管T1、发光器件E、参考电压信号线Vref以及第一扫描线，其中，第一扫描线包括本行第一扫描线S1和上一行的第一扫描线S1’，上一行的第一扫描线S1’电连接于第一开关晶体管T1的栅极，第一开关晶体管T1中源极和漏极中的一极电连接于发光器件E的阳极，第一开关晶体管T1中源极和漏极中的另外一极电连接于参考电压信号线Vref；第二开关晶体管T2，本行第一扫描线S1电连接于第二开关晶体管T2的栅极，第二开关晶体管T2中源极和漏极中的一极电连接于参考电压信号线Vref，第二开关晶体管T2中源极和漏极中的另一极电连接于第一节点N1；第一电源电压线PVDD、第二扫描线S2、发光控制信号线EMIT、数据线Vdata以及第三开关晶体管T3，第三开关晶体管T3，发光控制信号线EMIT电连接于第三开关晶体管T3的栅极，第三开关晶体管T3中源极和漏极中的一极电连接于发光器件E的阳极，第三开关晶体管T3中源极和漏极中的另一极电连接于第二节点N2；驱动晶体管Td，驱动晶体管Td，驱动晶体管Td的栅极电连接于第一节点N1，驱动晶体管Td中源极和漏极中的一极电连接于第二节点N2，驱动晶体管Td中源极和漏极中的另一极电连接于第三节点N3；存储电容C，存储电容C的一个电极板电连接于第一节点N1，驱动晶体管的另一个电极板电连接于第一电源电压线PVDD；第四开关晶体管T4，第四开关晶体管T4的栅极电连接于第二扫描线S2，第四开关晶体管T4中源极和漏极中的一极电连接于第一节点N1，第四开关晶体管T4中源极和漏极中的另一极电连接于第二节点N2；第五开关晶体管T5，第五开关晶体管T5的栅极电连接于发光控制信号线EMIT，第五开关晶体管T5中源极和漏极中的一极电连接于第一电源电压线PVDD，第五开关晶体管T5中源极和漏极中的另一极电连接于第三节点N3；第六开关晶体管T6，第六开关晶体管T6的栅极电连接于第二扫描线S2，第六开关晶体管T6中源极和漏极中的一极电连接于数据线Vdata，第六开关晶体管T6中源极和漏极中的另一极电连接于第三节点N3；发光器件E的阴极电连接于第二电源电压线PVEE。需要说明的是，在图12中，驱动晶体管Td的沟道被遮住，未示意出具体结构，其具体结构可以参照上述实施例中的驱动晶体管，在此不再赘述。另外，图12和图13中的像素驱动电路结构仅为举例，本发明实施例对于像素驱动电路的具体结构不作限定，不论像素驱动电路为何种结构，只要其具有驱动晶体管，既可以应用本发明中的技术方案。需要说明的是，图6中所示意的薄膜晶体管M可以为图12和图13中所示意的第六开关晶体管T6。
如图14所示，图14为本发明实施例中一种显示装置的结构示意图，本发明实施例中的显示装置，包括上述的有机发光显示面板100。
其中，有机发光显示面板100的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
本发明实施例的显示装置中，在任意沿第一方向上的横截面内，弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构，由于弯折轴沿第一方向延伸，沿弯折轴的弯折作用对驱动电流流经路径上造成的结构损伤较小，而在现有技术中，弯折区驱动晶体管的沟道具有沿垂直于弯折轴延伸方向的两臂，弯折会造成每个臂在其延伸方向的结构差异，从而导致驱动电流在流经两臂时均会发生变化，两次电流变化的叠加使得驱动电流的变化更大，因此，本发明实施例中的有机发光显示面板能够改善由于弯折而导致的弯折轴所在区域和非弯折区域之间的显示差异。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：
显示区域，所述显示区域包括弯折显示区域，所述弯折显示区域中具有沿第一方向延伸的弯折轴；
所述有机发光显示面板包括半导体层和栅极金属层；
所述弯折显示区域包括弯折区像素驱动电路，所述弯折区像素驱动电路包括弯折区驱动晶体管，所述弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在任意沿所述第一方向上的横截面内，所述弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第一方向延伸的部分和沿第二方向延伸的部分，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，沿所述第一方向延伸的部分的总长度大于所述沿第二方向延伸的部分的总长度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述弯折区驱动晶体管的沟道包括U形结构，所述U形结构的开口方向平行于所述第一方向。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第一方向延伸、沿第二方向依次排列的第一臂、第二臂和第三臂，所述弯折区驱动晶体管的沟道包括沿所述第二方向延伸的第四臂和第五臂，所述第一臂、所述第四臂、所述第二臂、所述第五臂和所述第三臂依次首尾相接；
所述第二方向垂直于所述第一方向。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述弯折区驱动晶体管的沟道包括Z形结构，所述Z形结构包括：
沿所述第一方向延伸的第一臂和第二臂；
沿第二方向延伸的第三臂，所述第一臂、所述第三臂和所述第二臂依次首尾相接；
所述第二方向和所述第一方向交叉。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述第二方向垂直于所述第一方向。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述弯折区驱动晶体管的沟道包括依次首尾相接的多个所述Z形结构。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述显示区域还包括非弯折显示区域，所述非弯折显示区域包括非弯折区像素驱动电路，所述非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，所述非弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在至少一个沿所述第一方向上的横截面内，所述非弯折区驱动晶体管的沟道包括至少两个相互间隔的部分。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述显示区域还包括非弯折显示区域，所述非弯折显示区域包括非弯折区像素驱动电路，所述非弯折区像素驱动电路包括非弯折区驱动晶体管，所述非弯折区驱动晶体管包括位于所述半导体层的沟道以及位于所述栅极金属层的栅极，在任意沿所述第一方向上的横截面内，所述非弯折区驱动晶体管的沟道为不间断的连续结构。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述非弯折区驱动晶体管的沟道形状和所述弯折区驱动晶体管的沟道形状相同。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至10中任意一项所述的有机发光显示面板。
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