CN110690240A - 发光设备及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及发光设备以及制造发光设备的方法。发光设备包括具有发光区域的衬底。第一电极位于发光区域中。第二电极位于发光区域中且与第一电极间隔开。发光元件位于第一电极与第二电极之间。第一接触电极将发光元件的端部连接至第一电极。第二接触电极将发光元件的另一端部连接至第二电极。第一接触电极的厚度大于或等于第一电极的厚度且第二接触电极的厚度大于或等于第二电极的厚度。

Description

发光设备及制造其的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0078428号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及发光设备和制造该发光设备的方法。
背景技术
即使在不良的环境条件中，发光二极管(在本文中，被称为LED)也表现出相对令人满意的耐用性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近，已经积极进行了将这种LED应用至各种发光设备的研究。作为这类研究的一部分，已经存在一种使用无机晶体结构(例如，其中生长氮化物类半导体的结构)制造小到微米级或纳米级的程度的微小棒型LED的技术。
在示例中，LED可制造成具有足够小的尺寸以构成自发光显示面板等的像素。为了使用这种棒型LED制造发光设备，应该提供这样一种方案，即，能够使得棒型LED稳定地安装，从而使得即使在棒型LED在所需位置对准之后执行后续处理时，棒型LED也不会从它们的对准位置分离。
发明内容
根据本公开的实施方式的方面，提供了能够增强图像质量并改善制造工艺的发光设备以及制造该发光设备的方法。
根据本公开的一个或多个实施方式，发光设备包括：衬底，包括发光区域；第一电极，位于发光区域中；第二电极，位于发光区域中并与第一电极间隔开；发光元件，位于第一电极与第二电极之间；第一接触电极，将发光元件的端部连接至第一电极；以及第二接触电极，将发光元件的另一端部连接至第二电极，其中，第一接触电极的厚度大于或等于第一电极的厚度且第二接触电极的厚度大于或等于第二电极的厚度。
发光设备还可包括分别布置在衬底与第一电极之间和衬底与第二电极之间的壁结构。
第一电极和第二电极可完全覆盖壁结构。
发光元件的端部可位于第一电极上，并且发光元件的另一端部可位于第二电极上。
发光设备还可包括分别布置在第一电极和第二电极上的壁结构。
发光元件可具有呈微米级或纳米级的圆柱形形状或多边形柱形状。
第一接触电极和第二接触电极可为透明电极。
发光设备还可包括配置成保护第一电极、第二电极、第一接触电极、第二接触电极和发光元件的保护层。
第一电极的端部可由第一接触电极覆盖，第二电极的端部可由第二接触电极覆盖，并且第一电极和第二电极的另一端部可由保护层覆盖。
发光元件的端部可由第一接触电极覆盖，并且发光元件的另一端部可由第二接触电极覆盖。
根据本公开的一个或多个实施方式，制造发光设备的方法包括：在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极上形成阴影掩模；在第一电极与第二电极之间对准发光元件；使用阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及移除阴影掩模。
该方法还可包括，在形成第一电极和第二电极之前，在衬底上形成壁结构。壁结构可分别布置在衬底与第一电极之间和衬底与第二电极之间。
第一电极和第二电极可完全覆盖壁结构。
发光元件的端部可位于第一电极上，并且发光元件的另一端部可位于第二电极上。
该方法还可包括：形成配置成保护第一电极、第二电极、第一接触电极、第二接触电极和发光元件的保护层。
根据本公开的一个或多个实施方式，制造发光设备的方法包括：在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极上形成阴影掩模；在第一电极与第二电极之间对准发光元件；使用阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及在第一电极和第二电极上形成壁结构。
发光元件的端部可位于第一电极上，并且发光元件的另一端部可位于第二电极上。
壁结构可通过热收缩阴影掩模而形成。
壁结构可通过溶解阴影掩模而形成。
该方法还可包括：形成配置成保护壁结构、第一电极、第二电极、第一接触电极、第二接触电极和发光元件的保护层。
根据本公开的方面，在发光设备和制造该发光设备的方法中，像素具有对称结构，从而可以显示具有增强图像质量的图像。
此外，在根据本公开的发光设备和制造该发光设备的方法中，可以改善制造工艺。
附图说明
现在将参考附图在本文中更充分地描述一些示例性实施方式；然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是全面的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达实施方式的范围。
在附图中，为了清楚示出可能夸大尺寸。应理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者还可存在一个或多个介于中间的元件。在说明书通篇，相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出根据本公开的实施方式的发光设备的示意图。
图2A至图2C是示出根据本公开的实施方式的像素的电路图。
图3A至图3C是示出根据本公开的实施方式的像素的电路图。
图4A至图4D是示出根据本公开的实施方式的像素结构的平面图。
图5A和图5B是示出沿着图4A中所示的像素结构的线I1-I1'截取的截面的视图。
图6A和图6B是示出沿着图4B中所示的像素结构的线I2-I2'截取的截面的视图。
图7是示出沿着图4C中所示的像素结构的线I3-I3'截取的截面的视图。
图8是示出沿着图4D中所示的像素结构的线I4-I4'截取的截面的视图。
图9A和图9B是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的流程图。
图10A至图10D是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的视图。
图11A至图11E是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的视图。
图12是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的流程图。
图13是示出根据本公开的实施方式的发光元件的视图。
具体实施方式
在以下详细描述中，仅通过例示的方式示出并描述了本公开的某些示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，在均不背离本公开的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改。因此，附图和描述本质上被认为是说明性的而非限制性的。
相同的附图标记始终表示相同的元件，并且可能不提供其重复描述。为清楚起见，在附图中可能夸大元件的厚度、比例和尺寸。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
应理解，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述一个或多个元件，但是这些术语不应被解释为限制这些元件。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，“第一”元件可以被替代地称为“第二”元件。类似地，“第二”元件可以被替代地称为“第一”元件。除非上下文清楚地另有说明，否则单数形式的术语也旨在包括复数形式。
此外，为了便于描述，可以在本文中使用诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的空间关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在包括设备在使用中或操作中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包括上方和下方两种定向。设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
还应理解，当在本公开中使用时，术语“包括(includes)”和“包括(including)”指定存在所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
在说明书中，当元件被称为“连接”或“联接”至另一元件时，该元件可以直接连接或联接至另一元件，或者可以间接地连接或联接至另一元件且该元件与另一元件之间插置有一个或多个介于中间的元件。此外，为了清楚起见，可以省略对完整理解本公开并非必要的一些元件。此外，在说明书通篇，相同的附图标记表示相同的元件。
图1是示出根据本公开的实施方式的发光设备100的示意图。在一些实施方式中，虽然图1示出了发光显示设备作为使用发光元件的发光设备的示例，但是根据本公开的发光设备100不限于此。在示例中，根据本公开的发光设备100可为另一类型的发光设备，诸如照明设备。
在一些实施方式中，发光元件可为棒型发光二极管(LED)。
参考图1，发光设备100可包括像素单元110、扫描驱动器120、数据驱动器130和时序控制器140。
像素单元110可包括连接至扫描线S1至Sn和数据线D1至Dm的多个像素PXL。
数据线D1至Dm可沿着第一方向DR1延伸，并且扫描线S1至Sn可沿着与第一方向DR1不同的第二方向DR2延伸。
在本公开的实施方式中，像素PXL中的每一个可包括图13中示出的至少一个发光元件nLED。
例如，像素PXL中的每一个可包括至少一个第一颜色发光元件、至少一个第二颜色发光元件和/或至少一个第三颜色发光元件。当扫描信号提供给扫描线S1至Sn时，像素PXL中所包括的发光元件可选择性地发射与从数据线D1至Dm输入的数据信号对应的光。在示例中，像素PXL中的每一个可发射具有与在每个帧周期期间的输入数据信号对应的亮度的光。在实施方式中，提供有与黑色亮度对应的数据信号的像素PXL不在相应的帧周期期间发光，从而可以显示黑色。在实施方式中，当像素单元110是主动型显示面板时，除了扫描信号和数据信号之外，像素单元110还可通过进一步被提供第一像素电源和第二像素电源而驱动。
扫描驱动器120可被提供有来自时序控制器140的扫描控制信号，并生成与扫描控制信号对应的扫描信号。由扫描驱动器120生成的扫描信号可通过扫描线S1至Sn提供给像素PXL。
数据驱动器130可被提供有来自时序控制器140的数据控制信号和图像数据，并生成与数据控制信号和图像数据对应的数据信号。由数据驱动器130生成的数据信号可输出至数据线D1至Dm。输出至数据线D1至Dm的数据信号可输入至由相应的扫描信号选择的水平像素线上的像素PXL。
时序控制器140可从外部系统(例如，用于传输图像数据的系统)接收驱动像素单元110所需的各种控制信号和图像数据。时序控制器140可重组所接收的图像数据并将重组的图像数据传输至数据驱动器130。此外，时序控制器140可生成驱动扫描驱动器120和数据驱动器130所需的扫描控制信号和数据控制信号，并将生成的扫描控制信号和生成的数据控制信号传输至相应的扫描驱动器120和数据驱动器130。
虽然图1示出了像素单元110是与时序控制器140、扫描驱动器120和/或数据驱动器130分离的组件，但是本公开不限于此。例如，扫描驱动器120和数据驱动器130中的至少一个可与像素单元110集成，或者可安装在像素单元110上。例如，像素单元110可为显示面板。
图2A至图2C是示出根据本公开的实施方式的像素PXL的电路图。具体地，图2A至图2C公开了具有可应用于被动型发光显示面板的各种结构的像素。为了方便，图2A至图2C中示出了位于第i(i为自然数)水平像素线上的第j(j为自然数)像素PXL。
在实施方式中，像素PXL可发射红色、绿色和蓝色中的任何一种的光。然而，本公开不限于此。在一些实施方式中，像素PXL可为发射除了红色、绿色和蓝色之外的另一颜色的光(例如，白色光)的像素。发光设备100可设置成与图1的像素单元110重叠，或者可包括与像素单元110整体形成的滤色器层。
参考图2A，像素PXL可包括发射某种颜色(例如，预定颜色)的光的发光元件nLED(例如，棒型LED)。例如，像素PXL可包括能够发射红色、绿色和蓝色中的任何一种的光的发光元件nLED。
在一些实施方式中，像素PXL可连接至扫描线Si和数据线Dj。在示例中，像素PXL的第一电极(例如，阳电极)可连接至扫描线Si，并且像素PXL的第二电极(例如，阴电极)可连接至数据线Dj。当等于或大于阈值电压的电压施加至像素PXL的两端时，像素PXL可发射具有与所施加的电压的大小对应的亮度的光。即，像素PXL的发射可通过调整施加至扫描线Si的扫描信号的电压和/或施加至数据线Dj的数据信号的电压而进行控制。
然而，本公开不限于此。在一些实施方式中，可不同地设置发光元件nLED的连接方向。
参考图2B，在一些实施方式中，像素PXL可包括并联连接的多个发光元件nLED。像素PXL的亮度可与多个发光元件nLED的亮度的总和对应。当像素PXL包括多个发光元件nLED时，具体地，当像素PXL包括大量发光元件nLED时，尽管可能在一些发光元件nLED中出现故障，但是可以防止或基本上防止故障导致像素PXL的缺陷。在一些实施方式中，可不同地设置发光元件nLED的连接方向。
参考图2C，在一些实施方式中，像素PXL可包括在不同的方向上连接的多个发光元件nLED。
在示例中，像素PXL可包括具有连接至扫描线Si的第一电极(阳电极)和连接至数据线Dj的第二电极(阴电极)的至少一个发光元件nLED以及具有连接至数据线Dj的第一电极(阳电极)和连接至扫描线Si的第二电极(阴电极)的至少一个发光元件nLED。
在一些实施方式中，图2C的像素PXL可为直流驱动的或交流驱动的。
当图2C的像素PXL是直流驱动的时，在正向方向上连接的发光元件nLED可发光，并且在反向方向上连接的发光元件nLED可不发光。
在实施方式中，当图2C的像素PXL是交流驱动的时，在正向方向上连接的多个发光元件nLED可根据所施加的电压的方向而发光。即，当图2C的像素PXL是交流驱动的时，图2C的像素PXL中所包括的多个发光元件nLED可根据所施加的电压的方向交替地发光。
图3A至图3C是示出根据本公开的实施方式的像素PXL的电路图。具体地，图3A至图3C公开了具有可应用于主动型发光显示面板的各种结构的像素。在图3A至图3C中，与图2A至2C的组件相似或相同的组件由相同的附图标记表示，并且将省略其详细描述。
参考图3A，像素PXL可包括发光元件nLED和连接至发光元件nLED的像素电路PXC。
发光元件nLED的第一电极(例如，阳电极)可经由像素电路PXC连接至第一像素电源ELVDD，并且发光元件nLED的第二电极(例如，阴电极)可连接至第二像素电源ELVSS。
第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS可具有不同的电位。在示例中，第二像素电源ELVSS可具有比第一像素电源ELVDD的电位低出发光元件nLED的阈值电压的电位。发光元件nLED可发射具有与由相应的像素电路PXC控制的驱动电流对应的亮度的光。
虽然图3A示出了其中像素PXL中仅包括一个发光元件nLED的实施方式，但是本公开不限于此。
在一些实施方式中，如图3B和图3C中所示，像素PXL可包括并联连接的多个发光元件nLED。
在一些实施方式中，像素电路PXC可包括第一晶体管M1和第二晶体管M2以及存储电容器Cst。然而，像素电路PXC的结构不限于图3A中示出的实施方式。
第一晶体管(开关晶体管)M1的第一电极可连接至数据线Dj，并且第一晶体管M1的第二电极可连接至第一节点N1。第一晶体管M1的第一电极和第二电极是不同的电极。例如，当第一电极是源电极时，第二电极可为漏电极。此外，第一晶体管M1的栅电极可连接至扫描线Si。当从扫描线Si提供具有可以使第一晶体管M1导通的电压(例如，低电压)的扫描信号时，第一晶体管M1可导通以将数据线Dj和第一节点N1连接。相应帧的数据信号提供至数据线Dj。因此，数据信号传输至第一节点N1。传输至第一节点N1的数据信号充入存储电容器Cst中。
第二晶体管(驱动晶体管)M2的第一电极可连接至第一像素电源ELVDD，并且第二晶体管M2的第二电极可连接至发光元件nLED的第一电极。第二晶体管M2控制提供给发光元件nLED的驱动电流的量，该驱动电流的量与第一节点N1的电压对应。
存储电容器Cst的一个电极可连接至第一像素电源ELVDD，并且存储电容器Cst的另一电极可连接至第一节点N1。存储电容器Cst充入与提供到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且维持充电电压直到提供下一帧的数据信号。
为了方便，图3A示出了具有相对简单的结构的像素PXL，该相对简单的结构包括用于将数据信号传输至像素PXL内部的第一晶体管M1、用于存储数据信号的存储电容器Cst以及用于将与数据信号对应的驱动电流供应至发光元件nLED的第二晶体管M2。然而，本公开不限于此，并且像素电路PXC的结构可被不同地修改和实施。
在示例中，将显而易见的是，像素电路PXC还可包括至少一个晶体管元件，诸如用于补偿第二晶体管M2的阈值电压的晶体管元件、用于初始化第一节点N1的晶体管元件和/或用于控制发射时间的晶体管元件；或者还可包括其他电路元件，诸如用于提升第一节点N1的电压的升压电容器。
此外，虽然图3A至图3C示出了所有晶体管(即，像素电路PXC中所包括的第一晶体管M1和第二晶体管M2两者)用P型晶体管实现，但是本公开不限于此。即，像素电路PXC中所包括的晶体管M1和M2中的至少一个可用N型晶体管实现。
参考图3B，在一些实施方式中，像素PXL可包括并联连接的多个发光元件nLED。像素PXL的亮度可与多个发光元件nLED的亮度的总和对应。当像素PXL包括多个发光元件nLED时，具体地，当像素PXL包括大量发光元件nLED时，尽管可能在一些发光元件nLED中出现故障，但是可以防止或基本上防止故障导致像素PXL的缺陷。在一些实施方式中，可不同地设置发光元件nLED的连接方向。
参考图3C，在一些实施方式中，像素PXL可包括在不同的方向上连接的多个发光元件nLED。在此情况下，像素PXL可为直流驱动的或交流驱动的。这已经参考图2C描述，且因此，将省略进一步的详细描述。
图4A至图4D是示出根据本公开的实施方式的发光设备100的像素结构PXS的平面图。
像素结构PXS表示图2A至图2C中所示的像素PXL的平面布局。然而，本公开不限于此。在本领域技术人员可以应用的范围内，如下所述的像素结构PXS的平面布局可应用于图3A至图3C中示出的像素PXL。
为了方便，图4A至图4D中示出了发光元件nLED在水平方向上对准的情况，但是发光元件nLED的对准方向不限于此。例如，至少一个发光元件nLED可在第一电极PE1与第二电极PE2之间在对角线方向上布置。
此外，虽然图4A至图4D中示出了像素结构PXS包括六个发光元件nLED的情况，但是本公开不限于此。
在一些实施方式中，每个像素结构PXS中所包括的发光元件nLED的数量可不同地修改和实施。
参考图4A，像素结构PXS可包括第一电极PE1、第二电极PE2、设置在发光区域EA中的至少一个发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
根据本公开的实施方式的发光设备100可为显示设备。发光设备100可包括具有与像素PXL对应的发光区域EA的发光显示面板。
第一电极PE1和第二电极PE2可设置成彼此间隔开。例如，第一电极PE1可设置在衬底上的发光区域EA中。第二电极PE2可在发光区域EA中设置成与第一电极PE1间隔开。
至少一个发光元件nLED可设置在第一电极PE1与第二电极PE2之间。
在一些实施方式中，如图4A中所示，至少一个发光元件nLED可设置在与位于衬底上的第一电极PE1和第二电极PE2相同的平面上。至少一个发光元件nLED可设置成与第一电极PE1和第二电极PE2间隔开。
第一电极PE1和第二电极PE2可用透明电极实现。
第一接触电极CE1可将至少一个发光元件nLED的一端连接至第一电极PE1。第一电极PE1的前表面(上表面)的一部分可由第一接触电极CE1覆盖。
第二接触电极CE2可将至少一个发光元件nLED的另一端连接至第二电极PE2。第二电极PE2的前表面(上表面)的一部分可由第二接触电极CE2覆盖。
在一些实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可包括透明电极。例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可包括铟锡氧化物(ITO)和铟镓氧化物(IGO)中的至少一种作为透明电极。在实施方式中，发光设备100可用底部发射发光显示设备实现。
在一些实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可包括不透明电极。例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可包括铝、钛、铬、铟、金和银中的至少一种。发光设备100可用顶部发射发光显示设备或底部发射发光显示设备实现。
例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可将至少一个发光元件nLED与第一电极PE1和第二电极PE2电连接或物理连接。第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以改善发光元件nLED与电极PE1和PE2之间的连接稳定性。
在一些实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可具有不同的功函数。因此，可以最小化或减小由第一接触电极CE1和第二接触电极CE2产生的接触电阻。
第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的每一个可为n型接触电极和p型接触电极中的任何一种。n型接触电极指的是具有相对低的功函数的电极，并且p型接触电极指的是具有相对高的功函数的电极。例如，n型接触电极可包括铝、钛、铬等中的任何一种，并且p型接触电极可包括镍、ITO等中的任何一种。驱动电流可从n型接触电极经由发光元件nLED流向p型接触电极。
在一些实施方式中，当第一接触电极CE1是n型接触电极时，第二接触电极CE2可为p型接触电极。在实施方式中，当第二接触电极CE2是n型接触电极时，第一接触电极CE1可为p型接触电极。
第一电极PE1可连接至第一电极线并且第二电极PE2可连接至第二电极线，以被提供有电力或信号(例如，预定电力或信号)。
在一些实施方式中，图2A至图2C中示出的被动型发光显示面板的第一电极PE1可连接至提供有扫描信号的扫描线Si，并且被动型发光显示面板的第二电极PE2可连接至提供有数据信号的数据线Dj。
在一些实施方式中，在图3A至图3C中的主动型发光显示面板中，第一电极PE1和第二电极PE2中的至少一个可连接至像素电路PXC。
在实施方式中，在发光设备100的制造过程期间，在对准至少一个发光元件nLED的过程中，第一电极PE1和第二电极PE2可分别电连接至第一短路棒和第二短路棒(未示出)。
第一短路棒可通常连接至至少一个发光元件nLED的一端(第一电极)，并且第二短路棒可通常连接至至少一个发光元件nLED的另一端(第二电极)。
然而，当在制造发光设备100之后独立驱动至少一个发光元件nLED时，至少一个发光元件nLED的第一电极PE1和第二电极PE2与第一短路棒和第二短路棒之间的连接可被切断。在示例中，第一短路棒和第二短路棒可形成在发光显示面板的刻划线的外部处，使得在执行刻划过程的同时，第一电极PE1和第二电极PE2可以与第一短路棒和第二短路棒分离。
参考图4B，像素结构PXS可包括第一电极PE1、第二电极PE2、设置在发光区域EA中的至少一个发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
为了避免重复，将从图4B的以下描述中省略与图4A中描述的特征相同或相似的特征。
在一些实施方式中，如图4B中所示，至少一个发光元件nLED可设置在与第一电极PE1和第二电极PE2的平面不同的平面上。至少一个发光元件nLED的一端可设置在第一电极PE1上，并且至少一个发光元件nLED的另一端可设置在第二电极PE2上。
参考图4C，像素结构PXS可包括壁结构WL、第一电极PE1、第二电极PE2、设置在发光区域EA中的至少一个发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
为了避免重复，将从图4C的以下描述中省略与图4A的内容重叠的内容。
在一些实施方式中，如图4C中所示，壁结构WL可分别设置在第一电极PE1和第二电极PE2上。
参考图4D，像素结构PXS可包括壁结构WL、第一电极PE1、第二电极PE2、设置在发光区域EA中的至少一个发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
为了避免重复，将从图4D的以下描述中省略与图4C的内容重叠的内容。
在一些实施方式中，如图4D中所示，至少一个发光元件nLED可设置在与第一电极PE1和第二电极PE2的平面不同的平面上。至少一个发光元件nLED的一端可位于第一电极PE1上，并且至少一个发光元件nLED的另一端可位于第二电极PE2上。
图5A和图5B是示出沿着图4A中所示的像素结构PXS的线I1-I1'截取的截面的视图。
参考图5A，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括衬底ST、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1、第二接触电极CE2和保护层PSV。
衬底ST可为例如由透明材料制成的绝缘衬底。例如，衬底ST可为包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的至少一种的柔性衬底。在实施方式中，衬底ST可为包括玻璃和钢化玻璃中的一种的刚性衬底。在实施方式中，衬底ST不一定限于透明衬底。在示例中，衬底ST可为不透明衬底和/或反射衬底。
在一些实施方式中，发光设备100还可包括设置在衬底ST上的缓冲层(未示出)。
第一电极PE1和第二电极PE2可在衬底ST上设置成彼此间隔开。
在一些实施方式中，如图5A和图5B中所示，第一电极PE1和第二电极PE2可以以比发光元件nLED的长度更长的距离彼此间隔开。
例如，第一电极PE1和第二电极PE2可以以预定距离彼此间隔开。
第一电极PE1和第二电极PE2可由各种导电电极材料中的至少一种形成。
在一些实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可设置在衬底ST上的相同的平面上，并且可具有相同的厚度。
如图5A中所示，第一电极PE1的一端可由第一接触电极CE1覆盖，第二电极PE2的一端可由第二接触电极CE2覆盖，并且第一电极PE1和第二电极PE2的另一端可由保护层PSV覆盖。
发光元件nLED可设置在第一电极PE1与第二电极PE2之间。例如，发光元件nLED可在第一电极PE1与第二电极PE2之间设置成与第一电极PE1和第二电极PE2间隔开一定距离(例如，预定距离)。
在一些实施方式中，发光元件nLED可直接设置在衬底ST上。在实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可具有与发光元件nLED相同的厚度。
将参考图13对发光元件nLED进行进一步详细地描述。
第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可设置在发光元件nLED、第一电极PE1和第二电极PE2上。
第一接触电极CE1可将发光元件nLED的一端连接至第一电极PE1。
第二接触电极CE2可将发光元件nLED的另一端连接至第二电极PE2。
在一些实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可设置在相同的平面上，并且可具有相同的厚度。
在实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的厚度可大于或等于第一电极PE1和第二电极PE2的厚度。
例如，第一接触电极CE1可覆盖发光元件nLED的一端和第一电极PE1的一端。第二接触电极CE2可覆盖发光元件nLED的另一端和第二电极PE2的一端。因此，发光元件nLED的两侧可分别通过第一接触电极CE1和第二接触电极CE2电连接至第一电极PE1和第二电极PE2。
在一些实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可由诸如ITO、IZO或ITZO的透明导电材料制成，使得从发光元件nLED发射的光可以穿过第一接触电极CE1和第二接触电极CE2传输。然而，本公开不限于此，并且构成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的材料可不同地修改。
保护层PSV可为用于保护第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的至少一个免受外部物理冲击或化学影响的层。
保护层PSV可设置在第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2上方。
虽然在本说明书的其他部分中未单独地描述或示出保护层PSV，但是如图5A中所示的设置在最上层中以保护元件的保护层PSV可应用至本公开的其他实施方式中。
参考图5B，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括衬底ST、壁结构WL、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
为了避免重复，将从图5B的以下描述中省略与图5A中描述的特征相同或相似的特征。
与图5A中示出的发光设备100相比，图5B中示出的发光设备100还可包括壁结构WL。
壁结构WL可在衬底ST上设置成彼此间隔开。
例如，壁结构WL可设置在衬底ST与第一电极PE1之间以及衬底ST与第二电极PE2之间。
第一电极PE1和第二电极PE2可在壁结构WL和衬底ST上设置成彼此间隔开。
在一些实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可完全覆盖壁结构WL。
图6A和图6B是示出沿着图4B中所示的像素结构PXS的线I2-I2'截取的截面的视图。
为了避免重复，将从图6A的以下描述中省略与图5A中描述的特征相同或相似的特征。
图6A中示出的发光元件nLED的位置与图5A中示出的实施方式中的位置不同。
参考图6A，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括衬底ST、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
第一电极PE1和第二电极PE2可在衬底ST上设置成彼此间隔开。
在一些实施方式中，如图6A和图6B中所示，第一电极PE1和第二电极PE2可以以比发光元件nLED的长度更短的距离彼此间隔开。
例如，第一电极PE1和第二电极PE2可彼此间隔开这样的距离，即，发光元件nLED的两端可以连接在第一电极PE1与第二电极PE2之间同时稳定地位于第一电极PE1和第二电极PE2上。
在一些实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可设置在衬底ST上的相同的平面上，并且可具有相同的厚度。当第一电极PE1和第二电极PE2具有相同的厚度时，发光元件nLED可以更稳定地位于第一电极PE1和第二电极PE2上。
在实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可以如图4B中所示那样在平面上与发光元件nLED重叠。
发光元件nLED可设置在第一电极PE1与第二电极PE2之间。例如，发光元件nLED的一端可设置在第一电极PE1上，并且发光元件nLED的另一端可设置在第二电极PE2上。
在一些实施方式中，发光元件nLED可包括形成在其外圆周表面上的绝缘膜14(参见图13)。绝缘膜14可防止或基本上防止发光元件nLED的有源层与第一电极PE1和第二电极PE2短路。然而，当绝缘膜14位于发光元件nLED与第一电极PE1和第二电极PE2之间时，发光元件nLED与第一电极PE1和第二电极PE2之间的电连接可中断。
因此，在一些实施方式中，发光元件nLED可通过去除绝缘膜14的至少一部分或通过另外地形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2来稳定地连接至第一电极PE1和第二电极PE2。第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可提供将发光元件nLED与第一电极PE1和第二电极PE2物理连接的功能。
在一些实施方式中，为了稳定地固定发光元件nLED，可在发光元件nLED与衬底ST之间设置单独的粘合绝缘体、紧固件等。
参考图6B，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括衬底ST、壁结构WL、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
为了避免重复，将从图6B的以下描述中省略与图6A中描述的特征相同或相似的特征。
与图6A中示出的发光设备100相比，图6B中示出的发光设备100还可包括壁结构WL。图6B中示出的发光元件nLED的位置与图5B中示出的实施方式中的位置不同。
壁结构WL可在衬底ST上设置成彼此间隔开。
例如，壁结构WL可设置在衬底ST与第一电极PE1之间以及衬底ST与第二电极PE2之间。
第一电极PE1和第二电极PE2可在壁结构WL和衬底ST上设置成彼此间隔开。
在一些实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可完全覆盖壁结构WL。
图7是示出沿着图4C中所示的像素结构PXS的线I3-I3'截取的截面的视图。
参考图7，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括壁结构WL、衬底ST、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1、第二接触电极CE2和保护层PSV(未示出)。
为了避免重复，将从图7的以下描述中省略与图5A中描述的特征相同或相似的特征。
与图5A中示出的发光设备100相比，图7中示出的发光设备100还可包括壁结构WL。图7中示出的壁结构WL的位置与图5B中示出的实施方式中的位置不同。
壁结构WL可分别在第一电极PE1和第二电极PE2上设置成彼此间隔开。
例如，壁结构WL可设置在第一电极PE1的未由第一接触电极CE1覆盖的一部分上，并且设置在第二电极PE2的未由第二接触电极CE2覆盖的一部分上。
图8是示出沿着图4D中所示的像素结构PXS的线I4-I4'截取的截面的视图。
参考图8，根据本公开的实施方式的发光设备100可包括壁结构WL、衬底ST、第一电极PE1、第二电极PE2、发光元件nLED、第一接触电极CE1、第二接触电极CE2和保护层PSV(未示出)。
为了避免重复，将从图8的以下描述中省略与图6A中描述的特征相同或相似的特征。
与图6A中示出的发光设备100相比，图8中示出的发光设备100还可包括壁结构WL。图8中示出的壁结构WL的位置与图6B中示出的实施方式中的位置不同。
壁结构WL可在第一电极PE1和第二电极PE2上设置成彼此间隔开。
例如，壁结构WL可设置在第一电极PE1的未由第一接触电极CE1覆盖的一部分上，并且可设置在第二电极PE2的未由第二接触电极CE2覆盖的一部分上。
图9A和图9B是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的流程图。图10A至图10D是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的视图。图11A至图11E是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的视图。
在本文中，将参考图4A、图4B、图5A、图6A、图9A和图10A至图10D更详细地描述图9A中示出的根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法。
可在衬底ST上的发光区域EA中形成彼此间隔开的第一电极PE1和第二电极PE2(S110)。在实施方式中，如图10A中所示，第一电极PE1和第二电极PE2可直接设置在衬底ST上。
可在第一电极PE1和第二电极PE2上形成阴影掩模PR(S120)。阴影掩模PR可表示在阴影沉积技术中使用的光致抗蚀剂。在本说明书中，阴影沉积技术可表示在半导体器件工艺中使用的光刻技术中的一种。
如图10B中的(a)和(b)中所示，阴影掩模PR可为正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂中的一种。正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂的形状可根据其材料的特性而改变。例如，正性光致抗蚀剂可具有朝向其高度方向(例如，元件沉积在衬底ST上使得其高度增加的方向)变窄的宽度。相反地，负性光致抗蚀剂可具有朝向其高度方向变宽的宽度。
可在第一电极PE1与第二电极PE2之间对准发光元件nLED(S130)。例如，当电压(例如，预定电压)施加至第一电极PE1和第二电极PE2时，发光元件nLED可对准，使得发光元件nLED的一端面对第一电极PE1，并且发光元件nLED的另一端面对第二电极PE2。
在实施方式中，如图4A、图5A和图10C中的(a)和(b)中所示，发光元件nLED可直接在衬底ST上设置成与第一电极PE1和第二电极PE2间隔开。然而，本公开不限于此。如图4B和图6A中所示，发光元件nLED的一端可设置在第一电极PE1上，并且发光元件nLED的另一端可设置在第二电极PE2上。
可通过阴影沉积技术在第一电极PE1、第二电极PE2和发光元件nLED上形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2(S140)。
如图10D的(a)和(b)中所示，当在箭头方向上喷射构成第一接触电极CE1的材料时，局部区域由设置在第一电极PE1上的阴影掩模PR覆盖。因此，第一接触电极CE1可设置在第一电极PE1和发光元件nLED上。
类似地，如图10D的(c)和(d)中所示，当在箭头方向上喷射构成第二接触电极CE2的材料时，局部区域由设置在第二电极PE2上的阴影掩模PR覆盖。因此，第二接触电极CE2可设置在第二电极PE2和发光元件nLED上。
虽然图10D的(a)至(d)示出了顺序地形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，可顺序地形成第二接触电极CE2和第一接触电极CE1。
当使用正性光致抗蚀剂时的喷射方向可与当使用负性光致抗蚀剂时的喷射方向不同。例如，基于衬底ST，当使用正性光致抗蚀剂时的第一喷射角度A1可大于当使用负性光致抗蚀剂时的第二喷射角度A2。
可移除阴影掩模PR(S150)。例如，可与阴影掩模PR一起移除沉积在阴影掩模PR上的材料。
可形成保护层PSV(S160)。如图5A中所示，保护层PSV可设置在第一电极PE1和第二电极PE2、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2以及发光元件nLED上方。
在本文中，将参考图4A、图4B、图5B、图6B、图9B和图11A至图11E更详细地描述图9B中示出的根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法。
为了避免重复，将从图9B的以下描述中省略与参考图9A描述的内容相同或相似的内容。
此外，为了方便描述，图11A至图11E中示出了阴影掩模PR是正性光致抗蚀剂的情况，但是本公开不限于此。
与图9A中示出的方法相比，图9B中示出的方法还可包括形成壁结构WL的步骤(S100)。
可在衬底ST上形成彼此间隔开的壁结构WL(S100)。如图11A中所示，壁结构WL可在衬底ST上设置成彼此间隔开。
可在衬底ST上的发光区域EA中形成彼此间隔开的第一电极PE1和第二电极PE2(S110)。例如，第一电极PE1和第二电极PE2可分别形成为覆盖壁结构WL。在实施方式中，如图11B中所示，第一电极PE1和第二电极PE2可直接设置在衬底ST和壁结构WL上。此外，壁结构WL可分别设置在衬底ST与第一电极PE1和第二电极PE2之间。在实施方式中，第一电极PE1和第二电极PE2可完全覆盖壁结构WL。
如图11C中所示，可在第一电极PE1和第二电极PE2上形成阴影掩模PR(S120)。
可在第一电极PE1与第二电极PE2之间对准发光元件nLED(S130)。
在实施方式中，如图4A、图5B和图11D中所示，发光元件nLED可直接在衬底ST上设置成与第一电极PE1和第二电极PE2间隔开。然而，本公开不限于此。如图4B和图6B中所示，发光元件nLED的一端可设置在第一电极PE1上，并且发光元件nLED的另一端可设置在第二电极PE2上。
可通过阴影沉积技术在第一电极PE1、第二电极PE2和发光元件nLED上形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2(S140)。
如图11E的(a)中所示，当在箭头方向上喷射构成第一接触电极CE1的材料时，局部区域由设置在第一电极PE1上的阴影掩模PR覆盖。因此，第一接触电极CE1可设置在第一电极PE1和发光元件nLED上。
类似地，如图11E的(b)中所示，当在箭头方向上喷射构成第二接触电极CE2的材料时，局部区域由设置在第二电极PE2上的阴影掩模PR覆盖。因此，第二接触电极CE2可设置在第二电极PE2和发光元件nLED上。
虽然图11E的(a)和(b)示出了顺序地形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，可顺序地形成第二接触电极CE2和第一接触电极CE1。
可移除阴影掩模PR(S150)。此外，沉积在阴影掩模PR上的材料可与阴影掩模PR一起移除。例如，第一电极PE1和第二电极PE2、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2以及发光元件nLED可如图5B中所示那样堆叠。
可在第一电极PE1和第二电极PE2、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2以及发光元件nLED上形成保护层PSV(参见图5A)(S160)。
图12是示出根据本公开的实施方式的制造发光设备的方法的流程图。
在本文中，将参考图4C、图4D、图7、图8和图10A至图10D更详细地描述图12中示出的根据本公开的实施方式的制造发光设备100的方法。
为了避免重复，将从图12的以下描述中省略与图9A中描述的内容相同或相似的内容。
可在衬底ST上的发光区域EA中形成彼此间隔开的第一电极PE1和第二电极PE2(S210)。在实施方式中，如图10A中所示，第一电极PE1和第二电极PE2可直接设置在衬底ST上。
可在第一电极PE1和第二电极PE2上形成阴影掩模PR(S220)。
如图10B中的(a)和(b)中所示，阴影掩模PR可为正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂中的一种。
可在第一电极PE1与第二电极PE2之间对准发光元件nLED(S230)。例如，当电压(例如，预定电压)施加至第一电极PE1和第二电极PE2时，发光元件nLED可对准，使得发光元件nLED的一端面对第一电极PE1，并且发光元件nLED的另一端面对第二电极PE2。
在实施方式中，如图4C、图7和图10C中所示，发光元件nLED可直接在衬底ST上设置成与第一电极PE1和第二电极PE2间隔开。然而，本公开不限于此。如图4D和图8中所示，发光元件nLED的一端可设置在第一电极PE1上，并且发光元件nLED的另一端可设置在第二电极PE2上。
可通过阴影沉积技术在第一电极PE1、第二电极PE2和发光元件nLED上形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2(S240)。
如图10D的(a)和(b)中所示，当在箭头方向上喷射构成第一接触电极CE1的材料时，局部区域由设置在第一电极PE1上的阴影掩模PR覆盖。因此，第一接触电极CE1可设置在第一电极PE1和发光元件nLED上。
类似地，如图10D的(c)和(d)中所示，当在箭头方向上喷射构成第二接触电极CE2的材料时，局部区域由设置在第二电极PE2上的阴影掩模PR覆盖。因此，第二接触电极CE2可设置在第二电极PE2和发光元件nLED上。
可在第一电极PE1和第二电极PE2上形成壁结构WL(S250)。如图7和图8中所示，壁结构WL可设置在第一电极PE1的一部分和第二电极PE2的一部分上。
在一些实施方式中，壁结构WL可通过热收缩阴影掩模PR形成。当热量施加至阴影掩模PR时，阴影掩模PR收缩。即，经热处理的阴影掩模PR可用于壁结构WL。
在一些实施方式中，壁结构WL可通过溶解阴影掩模PR形成。阴影掩模PR可通过溶液溶解。即，未通过溶解的剩余的阴影掩模PR可用于壁结构WL。
可在壁结构WL、第一电极PE1和第二电极PE2、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2以及发光元件nLED上形成保护层PSV(参见图5A)(S260)。
图13是示出根据本公开的实施方式的发光元件nLED的视图。
虽然图13中示出了圆柱形的发光元件nLED，但是本公开不限于此。
参考图13，发光元件nLED包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12。在示例中，发光元件nLED可利用其中第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13顺序地堆叠的堆叠结构实现。
在一些实施方式中，虽然图13中示出了圆柱形的发光元件nLED，但是发光元件nLED的形状可不同地修改和实现。在示例中，发光元件nLED可具有包括矩形平行六面体形状等的各种多边形柱形状中任何一种。在实施方式中，发光元件nLED可具有在其长度方向上较长(即，其纵横比大于1)的杆状形状或棒状形状。
在一些实施方式中，发光元件nLED还可包括绝缘膜14。
此外，在一些实施方式中，发光元件nLED还可包括第一电极和第二电极。
第一电极可电连接至第一导电半导体层11，并且第二电极可电连接至第二导电半导体层13。
例如，第一电极可通过第一导电半导体层11的未由绝缘膜14覆盖的一个表面(例如，图13中的发光元件nLED的下表面)电连接至发光元件nLED，并且第二电极可通过第二导电半导体层13的未由绝缘膜14覆盖的一个表面(例如，图13中的发光元件nLED的上表面)电连接至发光元件nLED。
在一些实施方式中，还可在第一电极与第一导电半导体层11之间和/或第二电极与第二导电半导体层13之间包括接触电极(未示出)。
此外，在一些实施方式中，绝缘膜14可暴露第一导电半导体层11和/或第二导电半导体层13的侧面中的至少一个区域。即，在本公开的实施方式中，是否包括绝缘膜14和/或绝缘膜14的位置不受特别限制。
在实施方式中，发光元件nLED可制造得足够小以具有例如微米级或纳米级的直径和/或长度。然而，根据本公开的实施方式的发光元件nLED的尺寸不限于此，并且发光元件nLED的尺寸可改变成对应于发光元件nLED所应用的发光设备的所需条件。
第一导电半导体层11可包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的半导体层。然而，构成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11中可包括各种材料中的任何一种。
有源层12形成在第一导电半导体层11上，并且可形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在一些实施方式中，掺杂有导电掺杂剂的镀层(未示出)可形成在有源层12的顶部和/或底部上。在示例中，镀层可实现为AlGaN层或InAlGaN层。此外，将显而易见的是，诸如AlGaN或AlInGaN的材料也可用于有源层12。当具有一定电压(例如，预定电压)或更大电压的电场施加至发光元件nLED的两端时，发光元件nLED随着电子空穴对在有源层12中复合而发光。
第二导电半导体层13形成在有源层12上，并且可包括具有与第一导电半导体层11的类型不同类型的半导体层。在示例中，第二导电半导体层13可包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂的半导体层。然而，构成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13中可包括各种材料中的任何一种。
在一些实施方式中，除了第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13之外，发光元件nLED还可包括位于每个层的顶部和/或底部上的另一磷光体层、另一有源层、另一半导体层和/或另一电极层。此外，发光元件nLED还可包括绝缘膜14。然而，在一些实施方式中，可省略绝缘膜14。
绝缘膜14形成为围绕第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外圆周表面的至少一部分。在示例中，绝缘膜14可形成为至少围绕有源层12的外圆周表面。在一些实施方式中，绝缘膜14可由透明绝缘材料形成。例如，绝缘膜14可包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中选择的至少一种绝缘材料。然而，本发明不限于此。
当形成绝缘膜14时，可以防止或基本上防止有源层12与第一电极(未示出)和/或第二电极(未示出)短路。此外，当形成绝缘膜14时，可最小化或减少发光元件nLED的表面缺陷，从而可以改善发光元件nLED的寿命和效率。此外，当密集地设置多个发光元件nLED时，绝缘膜14可以防止或基本上防止可能在发光元件nLED之间发生的不期望的短路。
以上描述的发光元件nLED可用作各种显示设备中的任何一种的发光源。在示例中，发光元件nLED可用作照明设备或自发光显示面板的发光源。
根据方面，在根据本公开的发光设备和制造该发光设备的方法中，像素具有对称结构，从而可以显示具有增强图像质量的图像。
此外，在根据本公开的发光设备和制造该发光设备的方法中，可以改善制造工艺。
在本文中，已经公开了一些示例性实施方式，并且虽然采用了特定术语，但是特定术语以一般性和描述性的含义且不出于限制的目的进行使用和解释。在某些情况下，如在提交本申请时对本领域普通技术人员将显而易见的，除非另有明确指示，否则与特定实施方式结合描述的特征、特性和/或元件可单独地使用，或者可与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，本领域的技术人员将理解，在不偏离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可作出形式和细节上的多种改变。

Claims (20)

1.发光设备，包括：
衬底，包括发光区域；
第一电极，位于所述发光区域中；
第二电极，位于所述发光区域中并与所述第一电极间隔开；
发光元件，位于所述第一电极与所述第二电极之间；
第一接触电极，将所述发光元件的端部连接至所述第一电极；以及
第二接触电极，将所述发光元件的另一端部连接至所述第二电极，
其中，所述第一接触电极的厚度大于或等于所述第一电极的厚度且所述第二接触电极的厚度大于或等于所述第二电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
多个壁结构，分别布置在所述衬底与所述第一电极之间以及所述衬底与所述第二电极之间。
3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，所述第一电极和所述第二电极完全覆盖所述壁结构。
4.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件的所述端部位于所述第一电极上，并且所述发光元件的所述另一端部位于所述第二电极上。
5.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
多个壁结构，分别布置在所述第一电极和所述第二电极上。
6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件具有呈微米级或纳米级的圆柱形形状或多边形柱形状。
7.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极是透明电极。
8.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
保护层，配置成保护所述第一电极、所述第二电极、所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件。
9.根据权利要求8所述的发光设备，其中，
所述第一电极的端部由所述第一接触电极覆盖，
所述第二电极的端部由所述第二接触电极覆盖，以及
所述第一电极的另一端部和所述第二电极的另一端部由所述保护层覆盖。
10.根据权利要求9所述的发光设备，其中，所述发光元件的所述端部由所述第一接触电极覆盖，以及所述发光元件的所述另一端部由所述第二接触电极覆盖。
11.制造发光设备的方法，所述方法包括：
在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极上形成阴影掩模；
在所述第一电极与所述第二电极之间对准发光元件；
使用所述阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及
移除所述阴影掩模。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在形成所述第一电极和所述第二电极之前，在所述衬底上形成壁结构，
其中，所述壁结构分别布置在所述衬底与所述第一电极之间以及所述衬底与所述第二电极之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极完全覆盖所述壁结构。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述发光元件的端部位于所述第一电极上，并且所述发光元件的另一端部位于所述第二电极上。
15.根据权利要求11所述的方法，还包括：形成配置成保护所述第一电极、所述第二电极、所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件的保护层。
16.制造发光设备的方法，所述方法包括：
在衬底上的发光区域中形成彼此间隔开的第一电极和第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极上形成阴影掩模；
在所述第一电极与所述第二电极之间对准发光元件；
使用所述阴影掩模通过阴影沉积形成第一接触电极和第二接触电极；以及
在所述第一电极和所述第二电极上形成壁结构。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述发光元件的端部位于所述第一电极上，并且所述发光元件的另一端部位于所述第二电极上。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述壁结构通过热收缩所述阴影掩模而形成。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述壁结构通过溶解所述阴影掩模而形成。
20.根据权利要求16所述的方法，还包括：形成配置成保护所述壁结构、所述第一电极、所述第二电极、所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件的保护层。
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