CN113436569B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板设置有呈阵列排布的像素电路，像素电路包括：驱动晶体管、发光控制模块、栅极初始化模块、数据写入模块、第一电容和第二电容。数据写入模块用于响应第二扫描信号的有效电平，将数据信号沿驱动晶体管的第一极、第二极和栅极，写入驱动晶体管的栅极；第一电容的第一极板接入第一电源信号，第二极板与驱动晶体管的栅极电连接；第二电容的第一极板接入第二扫描信号，第二极板与驱动晶体管的栅极电连接；其中，第二电容的第一极板为半导体材质。本发明实施例可以稳定驱动晶体管的栅极电位，改善显示面板的闪屏问题。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求也越来越高。显示面板中的像素电路在驱动发光器件稳定发光方面起到了非常重要的作用。然而，现有的像素电路在低频显示时，由于驱动晶体管的栅极电压不稳定，在一帧显示内存在漏电问题，驱动晶体管的栅极电位上升，导致驱动电流下降，以致显示面板出现闪屏(flicker)现象。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，以稳定驱动晶体管的栅极电位，改善显示面板的闪屏问题。
为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种显示面板，设置有呈阵列排布的像素电路，所述像素电路包括：
驱动晶体管，用于响应数据信号而产生驱动电流；
发光控制模块，用于响应发光控制信号的有效电平，向所述驱动晶体管的第一极提供第一电源信号，并导通所述驱动晶体管与所述发光器件之间的通路；
栅极初始化模块，用于响应第一扫描信号的有效电平，将参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极，以进行初始化；
数据写入模块，用于响应第二扫描信号的有效电平，将所述数据信号沿所述驱动晶体管的第一极、第二极和栅极，写入所述驱动晶体管的栅极；
第一电容；所述第一电容的第一极板接入所述第一电源信号，所述第一电容的第二极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；
第二电容；所述第二电容的第一极板接入所述第二扫描信号，所述第二电容的第二极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；其中，所述第二电容的第一极板为半导体材质。
可选地，所述显示面板还包括：层叠设置的有源层和第一金属层；
其中，所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板均设置于所述有源层；
所述驱动晶体管的栅极设置于所述第一金属层，所述驱动晶体管的栅极在所述显示面板的厚度方向上的投影覆盖所述驱动晶体管的沟道区，以及与所述第二电容的第一极板存在交叠；所述驱动晶体管的栅极复用为所述第二电容的第二极板；
优选地，所述驱动晶体管的栅极在所述显示面板的厚度方向上的投影覆盖所述第二电容的第一极板，或者部分覆盖所述第二电容的第一极板。
可选地，所述显示面板还包括：第二金属层和第三金属层；
其中，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述有源层的一侧，所述第三金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；
所述第一电容的第一极板设置于所述第二金属层或所述第三金属层，所述第一电容的第一极板在所述显示面板厚度方向的投影与所述驱动晶体管的栅极存在交叠，所述驱动晶体管的栅极还复用为所述第一电容的第二极板。
可选地，所述显示面板还包括：
第二扫描线，设置于所述第一金属层且沿第一方向延伸，所述第二扫描线用于向所述像素电路传输所述第二扫描信号；
其中，所述第二电容的第一极板通过所述第三金属层换线至所述第一金属层，与所述第二扫描线连接；或者，所述第二电容的第一极板通过过孔直接连接至所述第一金属层，与所述第二扫描线连接。
可选地，所述驱动晶体管的沟道区和与其相邻的布线间存在间隔；
所述第二电容的第一极板位于所述间隔内；
优选地，所述驱动晶体管的沟道区的形状呈S形；所述第二电容的第一极板设置于所述S形的顶部，且所述第二电容的第一极板呈矩形。
可选地，所述第二电容的第一极板为未经掺杂的多晶硅材料；或者，所述第二电容的第一极板为经过掺杂的多晶硅材料；或者，部分所述第二电容的第一极板为未经掺杂的多晶硅材料，另外部分所述第二电容的第一极板为经过掺杂的多晶硅材料。
可选地，所述数据写入模块包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的栅极接入所述第二扫描信号，所述第一晶体管的第一极接入所述数据信号，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；所述第二晶体管的栅极接入所述第二扫描信号，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述栅极初始化模块包括：第三晶体管；所述第三晶体管的栅极接入所述第一扫描信号，所述第三晶体管的第一极接入所述参考电压信号，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述发光控制模块包括：第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极接入所述发光控制信号，所述第四晶体管的第一极接入所述第一电源信号，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；所述第五晶体管的栅极接入所述发光控制信号，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第五晶体管的第二极与所述发光器件的阳极电连接；
优选地，所述第二晶体管和所述第三晶体管为双栅晶体管；
优选地，所述像素电路还包括：阳极初始化模块，用于响应第三扫描信号的有效电平，将所述参考电压信号写入所述发光器件的阳极，以进行初始化；
优选地，所述阳极初始化模块包括：第六晶体管；所述第六晶体管的栅极接入所述第三扫描信号，所述第六晶体管的第一极接入所述参考电压信号，所述第六晶体管的第二极与所述发光器件的阳极电连接。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如本发明任意实施例所提供的显示面板。
相应的，本发明还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底上形成有源层并图案化，形成所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板。
可选地，在形成所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板之后，还包括：
直接在所述有源层上形成栅极绝缘层和第一金属层；或者，在形成所述第一金属层之前，先对所述第二电容的第一极板进行掺杂。
本发明实施例提供的显示面板在像素电路中添加第二电容，第二电容的第一极板采用半导体材质，并接入第二扫描信号；第二电容的第二极板与驱动晶体管的栅极电连接。由于第二扫描信号的电位与驱动晶体管的栅极电位长期存在较大的压差，半导体材质的第一极板会在第二扫描信号的作用下感应出多子层，变为类似导体材质，从而使得半导体材质的第一极板与第二极板构成第二电容。例如，第二扫描信号长期处于高电平，半导体材质的第一极板感应出空穴层。这样，在发光阶段，驱动晶体管的栅极电位由第一电容和第二电容两个电容并联保持，使得驱动晶体管的栅极电位更稳定，驱动晶体管输出的驱动电流更稳定。因此，与现有技术相比，本发明实施例可以稳定驱动晶体管的栅极电位，改善显示面板的闪屏问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
图4为本发明实施例与现有技术中的仿真结果对比示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种沿图5中B-B’的截面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种图5中区域A的放大结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种图5中区域A的放大结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图10-13为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法在S110-S140中的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种在形成第一金属层之前对有源层掺杂的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所述，现有的显示面板中存在低频显示时闪烁的现象。经发明人研究发现，出现上述问题的原因如下：显示面板通常包括多个像素电路，像素电路中包括驱动发光器件发光的驱动晶体管，以及用于存储驱动晶体管栅极电位的存储电容。其中，在一个帧周期开始时，数据信号被写入到驱动晶体管的栅极，并被存储电容存储；在发光阶段，存储电容用于维持驱动晶体管的栅极电位，驱动晶体管通过控制流过发光器件的驱动电流来控制发光器件的亮度，而驱动晶体管所产生的驱动电流与驱动晶体管的栅极电位相关。因此，存储电容的信号电压保持率影响着驱动晶体管产生的驱动电流的稳定性和有效平均值，从而影响着发光器件发光的稳定性和有效亮度。
出于延长显示面板的待机时间等因素的考虑，有时需要控制显示面板进行低频显示。而在低频显示时，一帧内发光器件工作在发光阶段的时间增加，导致驱动晶体管栅极的漏电时间延长。驱动晶体管栅极的漏电时间过长，会导致驱动晶体管栅极电位不稳定，进而导致驱动电流不稳定，造成发光器件闪烁。
为了解决上述问题，现有方案是在版图上尽量增大存储电容，但由于版图面积限制，对存储电容的增加有限，改善闪烁的效果也有限。
基于以上研究，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管显示面板、微发光二极管显示面板或量子点发光二极管显示面板等。显示面板中设置有呈阵列排布的像素电路。图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图。参见图1，该像素电路中包括：驱动晶体管DTFT、发光控制模块13、栅极初始化模块12、数据写入模块11、第一电容C1和第二电容C2。
其中，驱动晶体管DTFT用于响应数据信号Vdata而产生驱动电流；发光控制模块13用于响应发光控制信号EM的有效电平，向驱动晶体管DTFT的第一极提供第一电源信号VDD，并导通驱动晶体管DTFT与发光器件OLED之间的通路；栅极初始化模块12用于响应第一扫描信号Scan1的有效电平，将参考电压信号Vref写入驱动晶体管DTFT的栅极，以进行初始化；数据写入模块11用于响应第二扫描信号Scan2的有效电平，将数据信号Vdata沿驱动晶体管DTFT的第一极、第二极和栅极，写入驱动晶体管DTFT的栅极；第一电容C1的第一极板接入第一电源信号VDD，第一电容C1的第二极板与驱动晶体管DTFT的栅极电连接；第二电容C2的第一极板接入第二扫描信号Scan2，第二电容C2的第二极板与驱动晶体管DTFT的栅极电连接；其中，第二电容C2的第一极板为半导体材质。
图2为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图。结合图1和图2，示例性地，有效电平为低电平，该像素电路的驱动过程包括：初始化阶段T1、数据写入阶段T2和发光阶段T3；其中，初始化阶段T1包括第一初始化阶段T11。
在第一初始化阶段T11，第一扫描信号Scan1有效，控制栅极初始化模块12导通。这样，参考电压信号Vref通过栅极初始化模块12初始化驱动晶体管DTFT的栅极，使在上一帧处于不同工作状态的驱动晶体管DTFT的栅极强制复位，为接下来的数据写入做准备，保证在数据写入阶段T2，驱动晶体管DTFT导通。
在数据写入阶段T2，第二扫描信号Scan2有效，控制数据写入模块11导通。这样，数据信号Vdata经由驱动晶体管DTFT的第一极和第二极写入驱动晶体管DTFT的栅极。
在发光阶段T3，发光控制信号EM有效，控制发光控制模块13导通。这样，驱动晶体管DTFT的第一极通过发光控制模块13施加第一电源信号VDD，从而产生驱动电流，并流入发光器件OLED的阳极，驱动发光器件OLED发光。其中，驱动晶体管DTFT的栅极电位由第一电容C1和第二电容C2两个电容并联保持，因此在发光阶段其电位更稳定，可有效改善闪屏问题。
本发明实施例提供的显示面板在像素电路中添加第二电容C2，第二电容C2的第一极板采用半导体材质，并接入第二扫描信号Scan2；第二电容C2的第二极板与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。由于第二扫描信号Scan2的电位与驱动晶体管DTFT的栅极电位长期存在较大的压差，半导体材质的第一极板会在第二扫描信号Scan2的作用下感应出多子层，变为类似导体材质，从而使得半导体材质的第一极板与第二极板构成第二电容C2。例如，第二扫描信号Scan2长期处于高电平，半导体材质的第一极板感应出空穴层。这样，在发光阶段T3，驱动晶体管DTFT的栅极电位由第一电容C1和第二电容C2两个电容并联保持，使得驱动晶体管DTFT的栅极电位更稳定，驱动晶体管DTFT输出的驱动电流更稳定。因此，本发明实施例可以稳定驱动晶体管DTFT的栅极电位，改善显示面板的闪屏问题。
其中，由于第二扫描信号Scan2的高电平通常在+7V左右，而第一电源信号VDD的高电平通常在+4.6V左右，即第二扫描信号Scan2的高电平电压值高于第一电源信号VDD的高电平电压值，因此将第二电容C2的第一极板与第二扫描信号Scan2电连接，更容易使得第一极板感应出多子层而转为导电层。由此可见，本发明实施例创造性地将第二电容C2的第一极板接入第二扫描信号Scan2，为第一极板采用半导体材质提供了可能。
继续参见图1，在上述各实施方式的基础上，可选地，像素电路还包括阳极初始化模块14。阳极初始化模块14用于响应第三扫描信号Scan3的有效电平，将参考电压信号Vref写入发光器件OLED的阳极，以进行初始化。
相应的，结合图1和图2，该像素电路的驱动过程中，初始化阶段T1还包括第二初始化阶段T12。在第二初始化阶段T12，第三扫描信号Scan3有效，控制阳极初始化模块14导通。这样，参考电压信号Vref通过阳极初始化模块14初始化发光器件OLED的阳极。其中，参考电压信号Vref为低电平，以实现对发光器件OLED阳极的反向初始化，有利于提高对比度。
需要说明的是，图1和图2中示例性地，第二初始化阶段T12单独进行，并非对本发明的限定。在其他实施例中，也可以与第一初始化阶段T11或数据写入阶段T2同时进行。例如，第一扫描信号Scan1复用为第三扫描信号Scan3，这样，第二初始化阶段T12与第一初始化阶段T11同时进行。又如第二扫描信号Scan2复用为第三扫描信号Scan3，这样，第二初始化阶段T12与数据写入阶段T2同时进行。
图3为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图。参见图3，在上述各实施方式的基础上，可选地，数据写入模块11包括第一晶体管M1和第二晶体管M2。第一晶体管M1的栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极接入数据信号Vdata，第二极与驱动晶体管DTFT的第一极电连接；第二晶体管M2的栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极与驱动晶体管DTFT的第二极电连接，第二极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
栅极初始化模块12包括第三晶体管M3。第三晶体管M3的栅极接入第一扫描信号Scan1，第一极接入参考电压信号Vref，第二极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
发光控制模块13包括第四晶体管M4和第五晶体管M5。第四晶体管M4的栅极接入发光控制信号EM，第一极接入第一电源信号VDD，第二极与驱动晶体管DTFT的第一极电连接；第五晶体管M5的栅极接入发光控制信号EM，第一极与驱动晶体管DTFT的第二极电连接，第二极与发光器件OLED的阳极电连接。
阳极初始化模块14包括第六晶体管M6。第六晶体管M6的栅极接入第三扫描信号Scan3，第一极接入参考电压信号Vref，第二极与发光器件OLED的阳极电连接。
本发明实施例设置每个模块中仅包括一个晶体管或两个晶体管，以最少的晶体管数量实现了各模块的相应功能，使得像素电路的结构简单，易于实现。
在上述实施例中，可选地，第二晶体管M2和第三晶体管M3为双栅晶体管。与单栅晶体管相比，双栅晶体管的漏电流较小。在各晶体管中，第二晶体管M2和第三晶体管M3与驱动晶体管DTFT的栅极直接相连，其漏电情况直接影响驱动晶体管DTFT的漏电情况，因此，设置第二晶体管M2和第三晶体管M3为双栅晶体管，可以有效降低驱动晶体管DTFT栅极的漏电情况。
其中，虽然与单栅晶体管相比，双栅晶体管的漏电流减小，但是由于设置为双栅的第二晶体管M2存在沟道电容，当第二扫描信号Scan2向上跳变时，第二晶体管M2这个双栅晶体管的中间节点耦合沟道电容被拉高，削弱了设置为双栅的第二晶体管M2的降低漏电流的效果。本发明实施例添加第二电容C2，使得驱动晶体管DTFT的栅极电位由第一电容C1和第二电容C2两个电容并联保持，进一步使得驱动晶体管DTFT的栅极电位更稳定。因此，第二电容C2的设置十分必要。
需要说明的是，当第二扫描信号Scan2向上跳变时，驱动晶体管DTFT的栅极电位耦合第二电容C2而上升，因此，与现有技术相比，本发明实施例需要在添加第二电容C2的基础上，降低数据信号Vdata的电压，以抵消第二电容C2带来的升压影响。
为了验证本发明实施例所提供的像素电路改善闪屏的效果，发明人将图3所示的方案与现有技术中的像素电路进行了仿真对比验证。图4为本发明实施例与现有技术中的仿真结果对比示意图。参见图4，仿真结果表明，一帧(60Hz)时间内本发明实施例的电流下降斜率变缓。具体地，靠近一帧起始位置时，本方案的电流为17.25nA，低于现有技术的17.27nA；靠近一帧结束位置时，本方案的电流为17.13nA，高于现有技术的17.126nA；综合来说，电流变化率从现有技术的0.83％降低至本方案的0.69％，改善闪屏的效果明显。
上述各实施例对像素电路的原理进行了说明，在上述各实施例的基础上，以下实施例对显示面板的版图进行具体说明。
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的版图示意图。参见图5，其示出了一个像素电路，该像素电路包括驱动晶体管DTFT、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和第六晶体管M6。其中，驱动晶体管DTFT位于版图中部，驱动晶体管DTFT占用的面积最大。第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3位于版图上半部分，且第二晶体管M2与第三晶体管M3为双栅结构。第四晶体管M4、第五晶体管M5和第六晶体管M6位于版图下半部分。第二电容C2位于驱动晶体管DTFT的上方。
图6为本发明实施例提供的一种沿图5中B-B’的截面结构示意图。结合图5和图6，在一种实施方式中，可选地，显示面板包括从下至上依次层叠设置的衬底层61、阻隔层62、缓冲层63、有源层40、栅极绝缘层64、第一金属层10、电容绝缘层65、第二金属层20、层间绝缘层66和第三金属层30。
其中，衬底层61可以是玻璃基材层。阻隔层62可以由氮化硅等材料构成，用于隔绝水氧，阻止外界的水汽向像素电路内部渗透。缓冲层63可以由氧化硅等材料构成。有源层40可以采用多晶硅(Polycrystalline Silicon，P-Si)材料制备。栅极绝缘层64可以采用氧化硅等材料构成。电容绝缘层65可以采用氮化硅等材料构成。层间绝缘层66可以包括层叠设置的氮化硅材料和氧化硅材料。
驱动晶体管DTFT的沟道区411和第二电容C2的第一极板420均设置于有源层40；驱动晶体管DTFT的栅极150设置于第一金属层10，驱动晶体管DTFT的栅极150在显示面板的厚度方向上的投影覆盖驱动晶体管DTFT的沟道区411，以及与第二电容C2的第一极板420存在交叠；驱动晶体管DTFT的栅极150复用为第二电容C2的第二极板。本发明实施例将第二电容C2的第一极板420设置在有源层40，可以与驱动晶体管DTFT的沟道区411在同一工艺中制备而成，从而有利于简化制备工艺；以及有源层40与第一金属层10的垂直距离较短，使得第二电容C2的第一极板420和第二极板的距离较短、有利于增大第二电容C2的容值。
继续参见图5和图6，在上述各实施方式的基础上，可选地，有源层40还包括：驱动晶体管DTFE的第一源漏区和第二源漏区，第一晶体管M1的沟道区、第一源漏区和第二源漏区，第二晶体管M2的沟道区、第一源漏区和第二源漏区，第三晶体管M3的沟道区、第一源漏区和第二源漏区，第四晶体管M4的沟道区、第一源漏区和第二源漏区，第五晶体管M5的沟道区、第一源漏区和第二源漏区和第六晶体管M6的沟道区、第一源漏区和第二源漏区。其中，晶体管为对称结构，本发明对晶体管的源区和漏区不做区分，统称为源漏区。
第一金属层10还包括：第一扫描线110、第二扫描线120、第三扫描线130和的发光控制信号线140，其均沿第一方向X延伸。示例性地，第一扫描线110、第二扫描线120、发光控制信号线140和第三扫描线130沿第二方向Y依次排布；第二方向Y与第一方向X垂直。第一扫描线110用于向像素电路传输第一扫描信号；第二扫描线120用于向像素电路传输第二扫描信号；第三扫描线130用于向像素电路传输第三扫描信号；发光控制信号线140用于向像素电路传输发光控制信号。
第二金属层20还包括：第一电容的第一极板210和参考电压信号线220。其中，第一电容的第一极板210在显示面板的厚度方向上的投影与驱动晶体管DTFT的栅极150存在交叠，驱动晶体管DTFT的栅极150还复用为第一电容的第二极板。参考电压信号线220沿第一方向X延伸，用于向像素电路传输参考电压信号。
第三金属层30还包括：数据线310和电源线320。其中，数据线310沿第二方向Y延伸，用于向像素电路传输数据信号。电源线320沿第二方向Y延伸，用于向像素电路传输第一电源信号。
其中，各扫描线、发光控制信号线与有源层40交叠的部分，构成晶体管。各扫描线、发光控制信号线还复用做各个晶体管的栅极。有源层40上覆盖有扫描线或发光控制信号线的部分为该晶体管的沟道区，沟道区的两侧分别为第一源漏区和第二源漏区。各个晶体管的第一源漏区对应其第一极；各个晶体管的第二源漏区对应其第二极。
其中，第一晶体管M1的第二源漏区与驱动晶体管DTFT的第一源漏区连接；第一晶体管M1的沟道区在显示面板厚度方向的投影与第二扫描线120存在交叠。第二晶体管M2的第一源漏区与驱动晶体管DTFT的第二源漏区连接；第二晶体管M2的沟道区在显示面板厚度方向的投影与第二扫描线120存在交叠。第三晶体管M3的第二源漏区与第二晶体管M2的第二源漏区连接。第四晶体管M4的第二源漏区与驱动晶体管DTFT的第一源漏区连接。第五晶体管M5的第一源漏区与驱动晶体管DTFT的第二源漏区连接。第六晶体管M6的第二源漏区与第五晶体管M5的第二源漏区连接。第一扫描线110在显示面板厚度方向的投影与第三晶体管M3的沟道区存在交叠。第四晶体管M4的沟道区和第五晶体管M5的沟道区在显示面板厚度方向的投影均与发光控制信号线140存在交叠。第六晶体管M6的沟道区在显示面板厚度方向的投影与第三扫描线130存在交叠。
可选地，本行像素电路的第三扫描线130可以复用为下一行像素电路的第一扫描线110。本行像素电路的第六晶体管M6可以与下一行像素电路的第三晶体管M3共用一条参考电压信号线220。
继续参见图5和图6，可选地，显示面板还包括过孔510。过孔510用于将第一金属层10与第三金属层30进行电连接；或者将第二金属层20与第三金属层30进行电连接。第一晶体管M1的第一源漏区的电信号通过过孔510引出至第三金属层30，形成第一晶体管M1的第一极；且第一晶体管M1的第一极直接与位于第三金属层30的数据线310连接。第三晶体管M3的第一源漏区的电信号通过过孔510引出至第三金属层30，形成第三晶体管M3的第一极；且第三晶体管M3的第一极通过过孔510与参考电压信号线220实现电连接。第四晶体管M4的第一源漏区的电信号通过过孔510引出至第三金属层30，形成第四晶体管M4的第一极；且第四晶体管M4的第一极直接与位于第三金属层30的电源线320连接。第五晶体管M5的第二源漏区的电信号通过过孔510引出至第三金属层30，形成第五晶体管M5的第二极；且第五晶体管M5的第二极还包括用于与发光器件的阳极(图中未示出)电连接的部分。第六晶体管M6的第一源漏区的电信号通过过孔510引出至第三金属层30，形成第六晶体管M6的第一极；且第六晶体管M6的第一极通过过孔510与参考电压信号线220实现电连接。第一电容的第一极板210通过过孔510与电源线320实现电连接。
需要说明的是，上述各实施例示例性地给出了第一电容的第一极板210设置于第二金属层20的情况，但并不作为对本发明的限定。在其他实施方式中，也可以设置第一电容的第一极板210位于第三金属层30。
在上述各实施例的基础上，以下实施例对第二电容C2在显示面板中的布设方式进行进一步的说明。
图7为本发明实施例提供的一种图5中区域A的放大结构示意图。参见图7，在上述各实施方式的基础上，可选地，在有源层40上，驱动晶体管DTFT的沟道区411和与其相邻的布线间存在间隔160。其中，有源层40中的半导体图案，不仅包括驱动晶体管DTFT的沟道区411、还包括其他晶体管的沟道区、源漏区和半导体走线。因此，驱动晶体管DTFT的沟道区411周围还布设有其他布线，且不同的布线间存在间隔。由于驱动晶体管DTFT占用的空间较大，驱动晶体管DTFT的沟道区411与相邻的布线间存在的间隔160也较大，间隔160内有利于布设第二电容C2的第一极板420。以及第二电容C2的设置并不增加单个像素电路整体占据显示面板的面积，可以在不影响显示面板的分辨率的基础上，有效改善低频闪屏现象。
在上述各实施例中，第二电容C2的第一极板420与第二扫描线120的连接方式有多种，下面就其中的几种进行说明，但不作为对本发明的限定。
继续参见图5-图7，在一种实施方式中，可选地，第二电容C2的第一极板420通过第三金属层30换线至第一金属层10，与第二扫描线120连接。由于在显示面板的制备过程中，通常在形成第一金属层10和第二金属层20后，通过打孔工艺形成过孔510，然后形成第三金属层30。第三金属层30通过过孔510与第一金属层10实现电连接，以及与第二金属层20实现电连接。因此，第三金属层30布设有跨桥，作为显示面板中的换线层。本实施例设置第二电容C2的第一极板420通过第三金属层30换线至第一金属层10，无需额外增加工艺步骤即可实现第二电容C2的第一极板420与第二扫描线120的电连接。
在另一种实施方式中，可选地，第二电容C2的第一极板420通过过孔510直接连接至第一金属层10，与第二扫描线120连接。这样设置，无需通过第三金属层30进行换线，但是在制作过程中，需要在形成第一金属层10之前增加一道掩膜工艺，在栅极绝缘层64上制作过孔。
继续参见图5-图7，在上述各实施方式的基础上，可选地，驱动晶体管DTFT的栅极150在显示面板的厚度方向上的投影覆盖第二电容C2的第一极板420。其中，驱动晶体管DTFT的栅极150(即，第二电容C2的第二极板)与第二电容C2的第一极板420的交叠面积越大，第二电容的容值越大。图5-图7示出了仅在过孔510的范围内，未设置驱动晶体管DTFT的栅极150覆盖第二电容C2的第一极板420，因此，最大程度地增大了第二电容C2。
在其他实施方式中，还可以根据实际情况设置驱动晶体管DTFT的栅极150在显示面板的厚度方向上的投影部分覆盖第二电容C2的第一极板420。
在上述各实施方式的基础上，可选地，第二电容C2的第一极板420的形状可以有多种，下面就其中的几种进行说明。
继续参见图7，在一种实施方式中，驱动晶体管DTFT的沟道区411的形状呈S形；第二电容C2的第一极板420设置于S形的顶部，且第二电容C2的第一极板420呈矩形。其中，第二电容C2的第一极板420上部的突出部分是为了便于与第二扫描线120进行电连接而设置，不计入第二电容C2的第一极板420的形状。这样设置，使得第一极板420的结构简单，易于实现。
图8为本发明实施例提供的另一种图5中区域A的放大结构示意图。参见图8，在另一种实施方式中，可选地，第二电容C2的第一极板420呈L形，在间隔160中围绕驱动晶体管DTFT的沟道区411设置。这样设置，充分利用了间隔160，最大程度地增大第二电容C2的第一极板420的面积，提高第二电容C2的容值和稳压效果。
在其他实施方式中，可以设置第二电容C2的第一极板420为异形，并使其尽可能多的与驱动晶体管DTFT的栅极150交叠，以尽可能的增大第二电容C2的容值。
在上述各实施方式的基础上，可选地，第二电容C2的第一极板420的成分构成可以有多种，下面就其中的几种进行说明。
在一种实施方式中，可选地，第二电容C2的第一极板420为未经掺杂的多晶硅材料。这样设置，使得第二电容C2的第一极板420与驱动晶体管的沟道区的制作工艺完全相同，在对有源层图案化后直接形成第二电容C2的第一极板420，从而有利于简化显示面板的制备流程。
在另一种实施方式中，可选地，第二电容C2的第一极板420为经过掺杂的多晶硅材料，以提升第二电容C2的第一极板420的导电性能。与前述实施方式不同，该实施方式在对有源层图案化之后，还需要增加对第二电容C2的第一极板420进行掺杂的步骤。掺杂后的第二电容C2的第一极板420与原来的有源层材料的导电性不同。例如，有源层的材料为多晶硅，在多晶硅中掺杂P+或N+能够提升多晶硅的导电性，以有效提升第一极板420的导电性能。
在又一种实施方式中，可选地，部分第二电容C2的第一极板420为未经掺杂的多晶硅材料，另外部分第二电容C2的第一极板420为经过掺杂的多晶硅材料。例如，部分第二电容C2的第一极板420被驱动晶体管DTFT的栅极150覆盖，另外部分第二电容C2的第一极板420未被驱动晶体管DTFT的栅极150覆盖，这样，未被驱动晶体管DTFT的栅极150覆盖的部分在有源层的掺杂工艺中被掺杂，形成第二电容C2的第一极板420部分掺杂的结构。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，该制作方法适用于制作本发明任意实施例所提供的显示面板，具有相应的有益效果。图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；图10-13为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法在S110-S140中的结构示意图。参见图9-图13，显示面板的制作方法包括：
S110、在衬底上形成有源层并图案化，形成驱动晶体管的沟道区411和第二电容的第一极板420。
其中，衬底可以包括衬底层、阻隔层和缓冲层等膜层。有源层的材料可以是多晶硅，具体可以采用沉积工艺形成在衬底上，然后进行图案化工艺。
S120、在有源层上形成栅极绝缘层和第一金属层。
其中，第一金属层包括：第一扫描线110、第二扫描线120、驱动晶体管的栅极150、发光控制信号线140和第三扫描线130。驱动晶体管的栅极150复用为第一电容的第二极板和第二电容的第二极板。栅极绝缘层的材料可以是氧化硅，具体可以采用沉积工艺形成在有源层上。第一金属层的材料可以是钼或钛铝钛等金属材料，具体可以采用金属溅射工艺形成在栅极绝缘层上。
S130、在第一金属层上形成电容绝缘层和第二金属层。
其中，第二金属层包括：第一电容的第一极板210和参考电压信号线220。第一电容的第一极板210和驱动晶体管的栅极150(即，第一电容的第二极板)构成第一电容。电容绝缘层的材料可以是氮化硅，具体可以采用沉积工艺形成在第一金属层上。第二金属层的材料可以是钼或钛铝钛等金属材料，具体可以采用金属溅射工艺形成在电容绝缘层上。
S140、在第二金属层上形成层间绝缘层和第三金属层。
其中，第三金属层包括：数据线310、电源线230和跨桥330。层间绝缘层可以包括层叠设置的氮化硅材料和氧化硅材料，具体可以多次采用沉积工艺形成在第二金属层上。第三金属层的材料可以是钼或钛铝钛等金属材料，具体可以采用金属溅射工艺形成在层间绝缘层上。
其中，在形成第三金属层前，还包括打孔工艺，以形成过孔510，第三金属层通过过孔510与第一金属层10实现电连接，以及与第二金属层20实现电连接。第三金属层30布设有跨桥330，作为显示面板中的换线层。例如，第二扫描线120和第二电容的第一极板420通过跨桥330连接。
本发明实施例提供的制作方法中，将有源层图案化后形成了驱动晶体管的沟道区411和第二电容的第一极板420，也就是说，第二电容的第一极板420采用半导体材质。第二电容的第一极板420接入第二扫描信号，第二电容的第二极板与驱动晶体管的栅极连接。由于第二扫描信号的电位与驱动晶体管的栅极电位长期存在较大的压差，半导体材质的第一极板420会在第二扫描信号的作用下感应出多子层，变为类似导体材质，从而使得半导体材质的第一极板420与第二极板构成第二电容。这样，在发光阶段，驱动晶体管的栅极电位由第一电容和第二电容两个电容并联保持，使得驱动晶体管的栅极电位更稳定，驱动晶体管输出的驱动电流更稳定。因此，本发明实施例可以稳定驱动晶体管的栅极电位，改善显示面板的闪屏问题。
图14为本发明实施例提供的一种在形成第一金属层之前对有源层掺杂的结构示意图。参见图14，与上述实施例不同的是，在S110之后，形成第一金属层之前，还可以增加对第二电容的第一极板420进行掺杂的步骤。掺杂后的第二电容的第一极板420与原来的有源层材料的导电性不同。例如，有源层的材料为多晶硅，在多晶硅中掺杂P+或N+能够提升多晶硅的导电性，以有效提升第一极板420的导电性能。
本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置例如可以是手机、平板电脑、电视机或显示器等任何具有显示功能的产品或部件。显示装置包括：如本发明任意实施例所提供的显示面板，具有相应的有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，设置有呈阵列排布的像素电路，所述像素电路包括：
驱动晶体管，用于响应数据信号而产生驱动电流；
发光控制模块，用于响应发光控制信号的有效电平，向所述驱动晶体管的第一极提供第一电源信号，并导通所述驱动晶体管与发光器件之间的通路；
栅极初始化模块，用于响应第一扫描信号的有效电平，将参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极，以进行初始化；
数据写入模块，用于响应第二扫描信号的有效电平，将所述数据信号沿所述驱动晶体管的第一极、第二极和栅极，写入所述驱动晶体管的栅极；
第一电容；所述第一电容的第一极板接入所述第一电源信号，所述第一电容的第二极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；
第二电容；所述第二电容的第一极板接入所述第二扫描信号，所述第二电容的第二极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；其中，所述第二电容的第一极板为半导体材质。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：层叠设置的有源层和第一金属层；
其中，所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板均设置于所述有源层；
所述驱动晶体管的栅极设置于所述第一金属层，所述驱动晶体管的栅极在所述显示面板的厚度方向上的投影覆盖所述驱动晶体管的沟道区，以及与所述第二电容的第一极板存在交叠；所述驱动晶体管的栅极复用为所述第二电容的第二极板。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极在所述显示面板的厚度方向上的投影覆盖所述第二电容的第一极板，或者部分覆盖所述第二电容的第一极板。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：第二金属层和第三金属层；
其中，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述有源层的一侧，所述第三金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；
所述第一电容的第一极板设置于所述第二金属层或所述第三金属层，所述第一电容的第一极板在所述显示面板厚度方向的投影与所述驱动晶体管的栅极存在交叠，所述驱动晶体管的栅极还复用为所述第一电容的第二极板。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二扫描线，设置于所述第一金属层且沿第一方向延伸，所述第二扫描线用于向所述像素电路传输所述第二扫描信号；
其中，所述第二电容的第一极板通过所述第三金属层换线至所述第一金属层，与所述第二扫描线连接；或者，所述第二电容的第一极板通过过孔直接连接至所述第一金属层，与所述第二扫描线连接。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管的沟道区和与其相邻的布线间存在间隔；
所述第二电容的第一极板位于所述间隔内。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管的沟道区的形状呈S形；所述第二电容的第一极板设置于所述S形的顶部，且所述第二电容的第一极板呈矩形。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电容的第一极板为未经掺杂的多晶硅材料；或者，所述第二电容的第一极板为经过掺杂的多晶硅材料；或者，部分所述第二电容的第一极板为未经掺杂的多晶硅材料，另外部分所述第二电容的第一极板为经过掺杂的多晶硅材料。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述数据写入模块包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的栅极接入所述第二扫描信号，所述第一晶体管的第一极接入所述数据信号，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；所述第二晶体管的栅极接入所述第二扫描信号，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述栅极初始化模块包括：第三晶体管；所述第三晶体管的栅极接入所述第一扫描信号，所述第三晶体管的第一极接入所述参考电压信号，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述发光控制模块包括：第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极接入所述发光控制信号，所述第四晶体管的第一极接入所述第一电源信号，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；所述第五晶体管的栅极接入所述发光控制信号，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第五晶体管的第二极与所述发光器件的阳极电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管和所述第三晶体管为双栅晶体管。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括：阳极初始化模块，用于响应第三扫描信号的有效电平，将所述参考电压信号写入所述发光器件的阳极，以进行初始化。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述阳极初始化模块包括：第六晶体管；所述第六晶体管的栅极接入所述第三扫描信号，所述第六晶体管的第一极接入所述参考电压信号，所述第六晶体管的第二极与所述发光器件的阳极电连接。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-12任一项所述的显示面板。
14.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板设置有呈阵列排布的像素电路，所述像素电路包括：驱动晶体管和第二电容；所述第二电容的第一极板接入第二扫描信号，所述第二电容的第二极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述显示面板的制作方法包括：
在衬底上形成有源层并图案化，形成所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在形成所述驱动晶体管的沟道区和所述第二电容的第一极板之后，还包括：
直接在所述有源层上形成栅极绝缘层和第一金属层；或者，在形成所述第一金属层之前，先对所述第二电容的第一极板进行掺杂。
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