CN114664253A

CN114664253A - 像素电路、像素驱动方法及显示装置

Info

Publication number: CN114664253A
Application number: CN202210278511.4A
Authority: CN
Inventors: 廖凯; 马静
Original assignee: HKC Co Ltd; Changsha HKC Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: HKC Co Ltd; Changsha HKC Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2022-03-21
Filing date: 2022-03-21
Publication date: 2022-06-24
Anticipated expiration: 2042-03-21
Also published as: CN114664253B

Abstract

本公开涉及一种像素电路、像素驱动方法及显示装置。像素电路包括发光元件、电容结构、双栅型驱动晶体管及第一至第五开关元件，第一开关元件用于响应第一扫描信号，以将参考信号施加到所述双栅型驱动晶体管的第一控制端；第二开关元件用于响应所述第一扫描信号，以将双栅型驱动晶体管的第二控制端分别与双栅型驱动晶体管的第一端和所述第四开关元件的第一端连接；所述第三开关元件用于响应脉宽调制信号，以将所述发光元件的第一端与所述双栅型驱动晶体管的第一端连接；所述第四开关元件用于响应第二扫描信号，以将所述参考信号施加到所述双栅型驱动晶体管的第一端。本方案能够提高显示均匀性。

Description

像素电路、像素驱动方法及显示装置

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种像素电路、像素驱动方法及显示装置。

背景技术

目前，在OLED显示器面板中，其像素电路常采用2T1C电路，即：包括两个晶体管和一个电容，两个晶体管分别为开关晶体管和驱动晶体管，但这样会导致OLED显示器发光效率较低。

发明内容

本公开的目的在于提供一种像素电路、像素驱动方法及显示装置，能够采用顶发光的形式，使得发光效率更高。

本公开第一方面公开了一种像素电路，包括发光元件、电容结构、双栅型驱动晶体管及第一至第五开关元件，其中，

所述第一开关元件，用于响应第一扫描信号，以将参考信号施加到所述双栅型驱动晶体管的第一控制端；

所述第二开关元件，用于响应所述第一扫描信号，以将所述双栅型驱动晶体管的第二控制端分别与所述双栅型驱动晶体管的第一端和第四开关元件的第一端连接；

所述第三开关元件，用于响应脉宽调制信号，以将所述发光元件的第一端与所述双栅型驱动晶体管的第一端连接；

所述第四开关元件，用于响应第二扫描信号，以将所述参考信号施加到所述双栅型驱动晶体管的第一端；

所述第五开关元件，用于响应第三扫描信号，以将数据信号施加到所述双栅型驱动晶体管的第一控制端；

所述发光元件的第二端连接第一电源信号；

所述电容结构的第一端和第二端分别与所述双栅型驱动晶体管的第一控制端及所述双栅型驱动晶体管的第二端连接；

所述双栅型驱动晶体管的第二端连接第二电源信号。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一至第五开关元件分别对应包括第一至第五晶体管；其中，

所述第一晶体管的控制端连接所述第一扫描信号，第一端连接所述参考信号，第二端连接第一节点；

所述第二晶体管的控制端连接所述第一扫描信号，第一端连接所述双栅型驱动晶体管的第二控制端，第二端连接第二节点；

所述第三晶体管的控制端连接所述脉宽调制信号，第一端连接所述发光元件的第一端，第二端连接所述第二节点；

所述第四晶体管的控制端连接所述第二扫描信号，第一端连接所述第二节点，第二端连接所述参考信号；

所述第五晶体管的控制端连接所述第三扫描信号，第一端连接所述第一节点，第二端连接所述数据信号；

所述电容结构的第一端连接所述第一节点，第二端连接所述双栅型驱动晶体管的第二端；

所述双栅型驱动晶体管的第一控制端连接所述第一节点，第一端连接所述第二节点。

在本公开的一种示例性实施例中，所述双栅型驱动晶体管及所述第一至第五晶体管均为N型氧化物薄膜晶体管。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光元件为有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极与所述第一电源信号连接，所述有机发光二极管的阴极与所述第三晶体管的第一端连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述双栅型驱动晶体管为N型双栅薄膜晶体管，所述双栅型驱动晶体管的第一控制端为底栅，所述双栅型驱动晶体管的第二控制端为顶栅。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电路的扫描方向为从第1行至最后一行；其中，

所述第一扫描信号由第N-1行扫描信号线提供，所述第二扫描信号由第N-2行扫描信号线提供，所述第三扫描信号由第N行扫描信号线提供，其中，N为大于2的正整数。

本公开第二方面提供了一种像素驱动方法，用于驱动前述所述的像素电路，其中，所述像素驱动方法包括：

在重置阶段，利用所述第二扫描信号打开所述第四开关元件，同时，利用所述第一扫描信号、第三扫描信号及脉宽调制信号关闭所述第一开关元件、第二开关元件、第五开关元件及第三开关元件；

在补偿阶段，利用所述第一扫描信号打开所述第一开关元件及所述第二开关元件，同时，利用所述第二扫描信号、第三扫描信号及脉宽调制信号关闭所述第四开关元件、第五开关元件及第三开关元件；

在发光阶段，利用所述第三扫描信号和所述脉宽调制信号打开所述第五开关元件及第三开关元件，同时，利用所述第一扫描信号及第二扫描信号关闭所述第一开关元件、第二开关元件及第四开关元件。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电源信号为直流高电平信号，所述第二电源信号为直流低电平信号；其中，

在所述重置阶段，所述第一扫描信号、第三扫描信号及脉宽调制信号为低电平，所述第二扫描信号为高电平；

在所述补偿阶段，所述第二扫描信号、第三扫描信号及脉宽调制信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平；

在所述发光阶段，所述第一扫描信号及第二扫描信号为低电平，所述第三扫描信号及脉宽调制信号为高电平。

本公开第三方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括基板和多个像数组，所述基板具有显示区，所述多个像数组位于所述显示区，所述像数组包括：

如前述所述的像素电路；

第一扫描信号线，与所述第一开关元件及第二开关元件电连接，用于提供所述第一扫描信号；

第二扫描信号线，与所述第四开关元件电连接，用于提供所述第二扫描信号；

第三扫描信号线，与所述第五开关元件电连接，用于提供所述第三扫描信号；

脉宽调制信号线，与所述第三开关元件电连接，用于提供所述脉宽调制信号；

数据信号线，与所述第五开关元件电连接，用于提供数据信号；

参考信号线，与所述第一开关元件及第四开关元件连接，用于提供所述参考信号；

第一电源信号线，与所述发光元件的第二端连接，用于提供所述第一电源信号；

第二电源信号线，与所述双栅型驱动晶体管的第二端连接，用于提供所述第二电源信号。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一至第五开关元件位于所述基板与所述发光元件之间。

本申请方案具有以下有益效果：

本公开方案的像素电路、像素驱动方法及显示装置，可用于实现像素补偿。该像素电路可包括发光元件、电容结构、双栅型驱动晶体管及第一至第五开关元件，通过扫描信号和脉宽调制信号控制开关元件及双栅型驱动晶体管的打开或关闭，来实现电路重置阶段、补偿阶段、发光阶段，此电路在发光阶段可以消除双栅型驱动晶体管的阈值电压、第一电源信号及第二电源信号的影响，可以使得本发明采用顶发光方式，发光效率更高，并且可以增强显示画面效果，确保亮度均一性高，发光元件使用寿命更长。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开实施例一所述的像素电路的模块连接示意图。

图2示出了本公开实施例一所述的像素电路的示意图。

图3示出了本公开实施例一所述的像素电路的时序图。

图4示出了本公开实施例二所述的像素驱动方法的流程示意图。

图5示出了图2中像素电路在重置阶段的等效电路图。

图6示出了图2中像素电路在补偿阶段的等效电路图。

图7示出了图2中像素电路在发光阶段的等效电路图。

图8示出了本公开实施例一所述像素电路与2T1C电路的补偿模拟效果对比示意图。

附图标记说明：

11、第一开关元件；12、第二开关元件；13、第三开关元件；14、第四开关元件；15、第五开关元件；16、第一扫描信号线；17、第二扫描信号线；18、第三扫描信号线；19、第一电源信号线；20、第二电源信号线；21、脉宽调制信号线；22、数据信号线；23、参考信号线；

L、发光元件；C、电容结构；DT、双栅型驱动晶体管；T1、第一晶体管；T2、第二晶体管；T3、第三晶体管；T4、第四晶体管；T5、第五晶体管；S_n-1、第一扫描信号；S_n-2、第二扫描信号；S_n、第三扫描信号；VDD、第一电源信号；VSS、第二电源信号；data、数据信号；Vref、参考信号；PWM、脉宽调制信号；A、第一节点；B、第二节点。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

实施例一

本公开实施例提供了一种像素电路，用于实现像素补偿。如图1所示，像素电路可包括发光元件L、电容结构C、双栅型驱动晶体管DT及第一开关元件11、第二开关元件12、第三开关元件13、第四开关元件14及第五开关元件15。

应当理解的是，发光元件L和电容结构C均具有第一端和第二端，双栅型驱动晶体管DT除了具有第一端和第二端，还具有第一控制端和第二控制端；其中，第一至第五开关元件15与发光元件L、电容结构C、双栅型驱动晶体管DT之间的关系如下所示。

第一开关元件11，可用于响应第一扫描信号S_n-1，以将参考信号Vref施加到所述双栅型驱动晶体管DT的第一控制端。

第二开关元件12，可用于响应第一扫描信号S_n-1，以将所述双栅型驱动晶体管DT的第二控制端分别与所述双栅型驱动晶体管DT的第一端和所述第四开关元件14的第一端连接。具体的，在第二开关元件12响应第一扫描信号S_n-1的时候，使双栅型驱动晶体管DT的第二控制端和其第一端及第四开关单元的第一端电位相等。

第三开关元件13，可用于响应脉宽调制信号PWM，以将发光元件L的第一端与双栅型驱动晶体管DT的第一端连接，而发光元件L的第二端连接第一电源信号VDD。

第四开关元件14，可用于响应第二扫描信号S_n-2，以将参考信号Vref施加双栅型驱动晶体管DT的第一端。

第五开关元件15，可用于响应第三扫描信号S_n，以将数据信号data施加到双栅型驱动晶体管DT的第一控制端。

电容结构C的第一端和第二端分别与双栅型驱动晶体管DT的第一控制端和双栅型驱动晶体管DT的第二端连接。双栅型驱动晶体管DT的第二端连接第二电源信号VSS。

在本公开实施例中，通过三个扫描信号及脉宽调制信号来控制五个开关元件及双栅型驱动晶体管DT打开或关闭，从而实现电路重置阶段、补偿阶段及发光阶段；此像素电路可在发光阶段消除双栅型驱动晶体管DT的阈值电压、第一电源信号VDD及第二电源信号VSS的影响，可以使得本发明采用顶发光方式，发光效率更高，并且可以增强显示画面效果，确保亮度均一性高，发光元件L使用寿命更长。

示例的，像素电路的扫描方向为从第1行至最后一行；其中，第一扫描信号S_n-1由第n-1行扫描信号线提供，第二扫描信号S_n-2由第n-2行扫描信号线提供，第三扫描信号S_n由第n行扫描信号线提供，脉宽调制信号由脉宽调制信号线21提供。其中，应当理解的是，n为大于2的正整数。通过利用三个相邻的扫描信号线分别对应提供第一至第三扫描信号，可简化电路结构设计，减少控制信号的布线数量，从而可增加像素开口率。

示例的，第一开关元件11包括第一晶体管T1，第二开关元件12包括第二晶体管T2，第三开关元件13包括第三晶体管T3，第四开关元件14包括第四晶体管T4，第五开关元件15包括第五晶体管T5。

应当理解的是，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4及第五晶体管T5，均具有第一端、第二端及控制端。各晶体管的控制端对应为晶体管的栅极，第一端和第二端中的一者对应晶体管的源极，另一者对应晶体管的漏极。双栅型驱动晶体管DT为双栅薄膜晶体管，双栅型驱动晶体管DT的第一控制端为底栅，双栅型驱动晶体管DT的第二控制端为顶栅，双栅型驱动晶体管DT的第一端和第二端中的一者对应晶体管的源极，另一者对应晶体管的漏极。

示例的，本公开实施例的双栅型驱动晶体管DT、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4及第五晶体管T5可均为氧化物薄膜晶体管，即：各晶体管的有源层的材料可为氧化物，例如，可采用IZGO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等金属氧化物材料，IGZO薄膜晶体管在性能上主要有3大优势，分别是高精度、低功耗与高触控性能，主要的供货目标是平板电脑、超级本这些电子显示产品。

举例而言，第一至第五晶体管T5可为底栅型，即：晶体管的栅极位于有源层的下方(靠近玻璃基板的一侧)，以能够适当减薄产品，但不限于此，第一至第五晶体管T5也可为顶栅型，视具体情况而定。

此外，各晶体管可为增强型或耗尽型晶体管，本公开实施例对此不做具体限定。

示例的，像素电路中所有晶体管可为N型薄膜晶体管，即：双栅型驱动晶体管DT、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4及第五晶体管T5可均为N型薄膜晶体管，则各个晶体管的驱动电压对应为高电平电压。基于此，前述第一电源信号VDD可为直流高电平信号，第二电源信号VSS可为直流低电平信号。

应当理解的是，像素电路中各晶体管不限于前述提到的N型薄膜晶体管，也可以均为P型薄膜晶体管。在各晶体管均为P型薄膜晶体管时：各个晶体管的驱动电压可对应为低电平电压；基于此，第一电源信号VDD可以为直流低电平信号，第二电源信号VSS可以为直流高电平信号。

示例的，发光元件L可为电流驱动型发光元件L，由流经双栅型驱动晶体管DT的电流控制其进行发光，例如：发光元件L可为有机发光二极管(OLED)，也就是说，此像素电路可应用于OLED显示装置。

在像素电路中，各晶体管均为N型薄膜晶体管时，此发光元件L的第一端为OLED的阴极，第二端为OLED的阳极。

下面结合图2并以各晶体管均为N型薄膜晶体管、第一电源信号VDD为直流高电平信号、第二电源信号VSS为直流低电平信号、发光元件L的第一端为OLED的阴极及发光元件L的第二端为OLED的阳极为例对像素电路中各结构的连接关系进行详细说明。

第一晶体管T1的控制端连接第一扫描信号S_n-1，第一端连接参考信号Vref，第二端连接第一节点A。

第二晶体管T2的控制端连接第一扫描信号S_n-1，第一端连接双栅型驱动晶体管DT的第二控制端，第二端连接第二节点B。

第三晶体管T3的控制端连接脉宽调制信号PWM，第一端连接发光元件L的第一端，第二端连接第二节点B。

第四晶体管T4的控制端连接第二扫描信号S_n-2，第一端连接第二节点B，第二端连接参考信号Vref。

第五晶体管T5的控制端连接第三扫描信号S_n，第一端连接第一节点A，第二端连接数据信号data。

电容结构C的第一端连接第一节点A，第二端连接双栅型驱动晶体管DT的第二端。

双栅型驱动晶体管DT的第一控制端连接第一节点A，第一端连接所述第二节点B。

发光元件L的第二端连接第一电源信号VDD，具体的，有机发光二极管的阳极连接第一电源信号VDD，有机发光二极管的阴极连接第三晶体管T3的第一端。

参见图8，图8所示为补偿模拟效果图，折线24表示在本实施例的电路中，双栅型驱动晶体管DT不同阈值电压漂移下的OLED电流变化量，折线25表示在2T1C电路中，晶体管不同阈值电压漂移下的OLED电流变化量，从图中可以看出本实施例电流变化量更小，补偿效果远好于2T1C电路。

基于此，本公开实施例的像素电路采用6T1C结构实现电路重置阶段、补偿阶段和发光阶段，这样设计可在发光阶段消除双栅型驱动晶体管DT的阈值电压、第一电源信号VDD及第二电源信号VSS的影响，可以使得本发明采用顶发光方式，发光效率更高，并且可以增强显示画面效果，确保亮度均一性高，发光元件L使用寿命更长。

实施例二

基于实施例一提到的像素电路，本公开实施例二还提供了一种像素驱动方法，结合图2、图3及图4，像素驱动方法可包括：

步骤S300，在重置阶段，利用第二扫描信号S_n-2打开第四开关元件14，同时，利用第一扫描信号S_n-1、第三扫描信号S_n及脉宽调制信号PWM关闭第一开关元件11、第二开关元件12、第五开关元件15及第三开关元件13；

步骤S310，在补偿阶段，利用第一扫描信号S_n-1打开第一开关元件11及第二开关元件12，同时，利用第二扫描信号S_n-2、第三扫描信号S_n及脉宽调制信号PWM关闭第四开关元件14、第五开关元件15及第三开关元件13；

步骤S320，在发光阶段，利用第三扫描信号S_n和脉宽调制信号PWM打开第五开关元件15及第三开关元件13，同时，利用第一扫描信号S_n-1及第二扫描信号S_n-2关闭所述第一开关元件11、第二开关元件12及第四开关元件14。

下面结合图示的像素电路的工作时序图对像素电路对应的像素驱动方法进行详细说明。

图示所示的像素电路的工作时序图绘示了第一扫描信号S_n-1、第二扫描信号S_n-2、第三扫描信号S_n、脉宽调制信号PWM、参考信号Vref及数据信号data在三个时段的电平状态。

参见图5，在重置阶段t1：第一扫描信号S_n-1、第三扫描信号S_n及脉宽调制信号PWM均为低电平，第二扫描信号S_n-2为高电平，以使得第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5及第三晶体管T3呈关闭状态，第四晶体管T4呈打开状态。基于此，参考信号通过第四晶体管T4施加至第二节点B，即：第二节点B写入Vref电压，V_B＝Vref,其中，V_B为第二节点B处的电压。

参见图6，在补偿阶段t2：第二扫描信号S_n-2、第三扫描信号S_n及脉宽调制信号PWM为低电平，第一扫描信号S_n-1为高电平，以使得第四晶体管T4、第五晶体管T5及第三晶体管T3呈关闭状态，第一晶体管T1及第二晶体管T2呈打开状态。基于此，双栅型驱动晶体管DT的第二控制端，即双栅型驱动晶体管DT的顶栅电压V_C与第二节点B处的电压V_B相等，V_C＝Vref，参考信号通过第一晶体管T1施加至第一节点A，第一节点A写入Vref电压，V_A＝Vref，V_A为第一节点A处的电压，双栅型驱动晶体管DT的第二端，也即双栅型驱动晶体管DT的源极写入第二电源信号VSS。

由于双栅型驱动晶体管DT的第一控制端即其底栅与第一节点A连接，双栅型驱动晶体管DT的底栅电压V_bg＝Vref，双栅型驱动晶体管DT打开，随着时间进行，双栅型驱动晶体管DT顶栅和漏极电压不断降低，双栅型驱动晶体管DT的阈值电压V_th不断升高，当V_th＝V_gs时，双栅型驱动晶体管DT关闭，其中，V_th为双栅型驱动晶体管DT的阈值电压，V_gs为双栅型驱动晶体管DT的底栅与源极之间的电压，即V_gs＝V_A-VSS＝V_th,又由于双栅型驱动晶体管DT的特性，使得V_th＝V_th0-V_C，从而得到V_A-VSS＝V_th＝V_th0-V_C，即Vref-VSS＝＝V_th＝V_th0-V_C，换算等式，从而得到当V_C＝V_th0+VSS-Vref的时候，双栅型驱动晶体管DT关闭，其中，V_th0为顶栅电压为0V时所对应的V_th。

参见图7，在发光阶段t3：第一扫描信号S_n-1和第二扫描信号S_n-2为低电平，第三扫描信号S_n和脉宽调制信号PWM为高电平，以使得第一晶体管T1、第二晶体管T2及第四晶体管T4呈关闭状态，第三晶体管T3及第五晶体管T5呈打开状态。基于此，数据信号通过第五晶体管T5施加至第一节点A，第一节点A电压V_A＝V_data，也即V_bg＝V_data，双栅型驱动晶体管DT打开，并对电容结构C进行充电，由电容结构C维持双栅型驱动晶体管DT底栅电压V_bg为V_data，此时，由于第二晶体管T2关闭，双栅型驱动晶体管DT顶栅电压V_C保持上一阶段的电压，即此时V_C＝V_th0+VSS-Vref，V_gs＝＝V_A-VSS＝V_data-VSS。

在此基础上，根据OLED的电流计算公式：

其中，将发光阶段中第一节点A电压V_A及双栅型驱动晶体管DT顶栅电压V_C代入上述计算公式中，得到以下公式：

其中，μn为电子迁移率，C_OX为晶体管的单位面积电容，W/L代表晶体管沟道宽度与长度之比，这些参数相对比较稳定；基于此，从OLED的电流计算公式可以了解OLED的电流只与数据信号data的电压V_data和参考信号的电压Vref有关，μn、C_OX、W/L为与工艺和驱动设计有关的常数，与双栅型驱动晶体管DT的阈值电压V_th、第一电源信号VDD及第二电源信号VSS无关。最后，驱动电流通过双栅型驱动晶体管DT驱动发光元件L发光。

现有像素电路中驱动电流公式有第一电源信号VDD和第二电源信号VSS参与，而这些会受到IR-drop(压降)的影响，若想降低IR-drop，则需要增加OLED金属层厚度，会导致成本增加，而在大尺寸AMOLED面板中顶发光同样受到IR-drop影响，IR-drop影响更大，若减少IR-drop增加金属层厚度，则会导致出光效果不好，且底发光的发光效率较差。因此本申请通过使公式中无第一电源信号VDD和第二电源信号VSS，使得不受IR-drop影响，同时再选择顶发光效果更好。

综上，在本实施例中，OLED的驱动电流与双栅型驱动晶体管DT的阈值电压V_th、发光元件L的阈值电压、第一电源信号VDD的电压及第二电源信号VSS的电压没有关系，则双栅型驱动晶体管DT的阈值电压的漂移，发光元件L的寿命退化以及第一电源信号和第二电源信号的差异不会对发光元件L的驱动电流I_oled产生影响，保证了驱动电流的均匀性和稳定性，因此可以使得OLED显示装置的亮度更加均匀，降低残影产生，增强显示效果。

实施例三

基于前述实施例一的内容，本实施例三还提供了一种显示装置，其可为OLED显示装置。其中，显示装置可包括基板和多个像素组，此基板的材质可为玻璃，但不限于此，也可为聚酰亚胺(PI)视具体情况而定。

基板可具有显示区，而多个像素组位于显示区。其中，像素组可包括像素电路，具体参考实施例一的内容，在此不作重复赘述。结合图1和图2所示，此像素组还可包括：

第一扫描信号线16，可与第一开关元件11及第二开关元件12电连接，用于提供第一扫描信号Sn-1；

第二扫描信号线17，可与第四开关元件14电连接，用于提供第二扫描信号Sn-2；

第三扫描信号线18，可与第五开关元件15电连接，用于提供第三扫描信号Sn；

脉宽调制信号线21，可与第三开关元件13电连接，用于提供脉宽调制信号PWM；

数据信号线22，可与第五开关元件15电连接，用于提供数据信号data；

参考信号线23，可与第一开关元件11及第四开关元件14连接，用于提供参考信号Vref；

第一电源信号线19，可与发光元件L的第二端连接，用于提供第一电源信号VDD；

第二电源信号线20，可与双栅型驱动晶体管DT的第二端连接，用于提供第二电源信号VSS。

示例的，通过前述实施例可知，OLED的驱动电流与双栅型驱动晶体管DT的阈值电压Vth、发光元件L的阈值电压、第一电源信号VDD的电压及第二电源信号VSS的电压没有关系，双栅型驱动晶体管DT的阈值电压的漂移，发光元件L的寿命退化以及第一电源信号VDD和第二电源信号VSS的差异不会对发光元件L的驱动电流I_oled产生影响，从而使得其可采用顶发光方式，即第一至第五开关元件15位于所述基板与发光元件之间,第一至第五开关元件15位于基板上背离发光元件L出光方向的一侧，发光元件L即有机发光二极管发出的光线不会穿过第一至第五开关单元(即第一至第五晶体管T5)，从而形成顶发光型显示装置，使得发光效率更高。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。

Claims

1.一种像素电路，包括发光元件、电容结构、双栅型驱动晶体管及第一至第五开关元件，其特征在于，

所述发光元件的第二端连接第一电源信号；

所述双栅型驱动晶体管的第二端连接第二电源信号。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一至第五开关元件分别对应包括第一至第五晶体管；其中，

所述第三晶体管的控制端连接所述脉宽调制信号，第一端连接发光元件的第一端，第二端连接所述第二节点；

3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述双栅型驱动晶体管及所述第一至第五晶体管均为N型氧化物薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件为有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极与所述第一电源信号连接，所述有机发光二极管的阴极与所述第三晶体管的第一端连接。

5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述双栅型驱动晶体管为N型双栅薄膜晶体管，所述双栅型驱动晶体管的第一控制端为底栅，所述双栅型驱动晶体管的第二控制端为顶栅。

6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路的扫描方向为从第1行至最后一行；其中，

7.一种像素驱动方法，用于驱动如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素驱动方法包括：

8.根据权利要求7所述的像素驱动方法，其特征在于，所述第一电源信号为直流高电平信号，所述第二电源信号为直流低电平信号；其中，

9.一种显示装置，所述显示装置包括基板和多个像数组，所述基板具有显示区，所述多个像数组位于所述显示区，其特征在于，所述像数组包括：

如权利要求1所述的像素电路；

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第一至第五开关元件位于所述基板与所述发光元件之间。