CN110875365A - 电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种电子设备。所述电子设备包括：基体基底，包括彼此面对的前表面和后表面，并且在基体基底中限定有穿透前表面和后表面的模块孔；薄膜晶体管，设置在基体基底上；发光器件，包括连接到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光图案；封装层，覆盖发光器件；输入感测单元，设置在基体基底上，并且包括多个第一导电图案和设置在多个第一导电图案上的多个第二导电图案；以及绝缘层，设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间。封装层设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间。

Description

电子设备
本专利申请要求于2018年9月3日提交的第10-2018-0104569号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开这里涉及一种电子设备和一种用于制造该电子设备的方法，更具体地，涉及一种具有简化的制造工艺的电子设备和一种用于制造该电子设备的方法。
背景技术
电子设备根据电信号而被激活。这样的电子设备可以包括由各种电子组件构成的装置，诸如显示图像的显示单元和感测外部输入的输入感测单元。电子组件可以通过不同地布置的信号线彼此电连接。
显示单元包括产生图像的发光元件。输入感测单元可以包括用于感测外部输入的感测电极。其中显示单元和输入感测单元设置在一个面板中的电子设备的厚度会增大，因此工艺成本增加。
发明内容
本公开提供一种电子设备和用于制造该电子设备的方法，在电子设备中改善了显示单元和输入感测单元的集成，并且简化了制造工艺。
发明构思的实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：基体基底，包括彼此面对的前表面和后表面，并且在基体基底中限定有穿透前表面和后表面的模块孔；薄膜晶体管，设置在基体基底上；发光器件，包括连接到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光图案；封装层，被构造为覆盖发光器件；输入感测单元，设置在基体基底上，并且包括多个第一导电图案和设置在多个第一导电图案上的多个第二导电图案；以及绝缘层，设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间，其中，封装层设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间。
在实施例中，多个第二导电图案可以包括：第一感测电极，在第一方向上延伸；以及第二感测电极，在与第一方向交叉的方向上延伸以与第一感测电极一起产生电容。
在实施例中，多个第一导电图案中的至少一部分可以通过穿透封装层的接触孔连接到多个第二导电图案中的至少一部分。
在实施例中，多个第一导电图案可以在平面上与第二电极叠置，并且接触孔可以穿透第二电极。
在实施例中，电子设备还可以包括被构造为覆盖接触孔的侧表面的内绝缘层，其中，第二电极和多个第二导电图案可以通过内绝缘层彼此电断开。
在实施例中，第一电极、发光图案和第二电极中的每个可以设置为多个，并且多个第二电极可以设置为分别与多个发光图案叠置。
在实施例中，多个第一导电图案可以在平面上与多个第二电极分隔开。
在实施例中，电子设备还可以包括与第一电极相邻的辅助电极，其中，多个第二电极可以连接到辅助电极。
在实施例中，多个第一导电图案和多个第二导电图案可以在平面上彼此分隔开。
在实施例中，绝缘层可以包括设置在第一电极与第二电极之间的有机层，并且有机层可以完全地覆盖多个第一导电图案。
在实施例中，绝缘层还可以包括分别覆盖多个第一导电图案的多个绝缘图案，并且有机层可以覆盖多个绝缘图案。
在实施例中，多个绝缘图案可以分别覆盖每个第一导电图案的顶表面和侧表面。
在实施例中，封装层可以包括第一无机层、设置在第一无机层上的第二无机层以及设置在第一无机层与第二无机层之间的有机层，并且模块孔可以穿透第一无机层和第二无机层。
在实施例中，电子设备还可以包括沿模块孔的边缘限定并从基体基底的前表面凹陷的凹槽部，其中，第一无机层和第二无机层可以覆盖凹槽部的侧表面。
在实施例中，电子设备还可以包括设置在凹槽部中的有机图案，其中，有机图案可以被第一无机层和第二无机层覆盖。
在实施例中，有机图案可以包括与绝缘层和第二电极中的至少一个的材料相同的材料。
在发明构思的实施例中，一种用于制造电子设备的方法包括：在基体基底上形成薄膜晶体管，基体基底包括孔区域和与孔区域相邻的有效区域；在有效区域中形成连接到薄膜晶体管的第一电极；形成其中限定有使第一电极的至少一部分暴露的开口的绝缘层；形成第一掩模层，第一掩模层包括使基体基底的孔区域的至少一部分暴露的开口；通过第一掩模层的开口在基体基底中形成凹陷部；使第一掩模层图案化以形成与开口分隔开的多个第一导电图案；在开口中形成发光图案；形成在平面上与发光图案和多个第一导电图案叠置的有机层；在有机层上形成第二电极；在第二电极上形成封装层；以及在封装层上形成多个第二导电图案。
在实施例中，所述方法还可以包括：形成穿透封装层和第二电极的多个接触孔；以及形成内绝缘层，内绝缘层覆盖多个接触孔的内表面并使多个第一导电图案的至少一部分的顶表面暴露，其中，多个第二导电图案的至少一部分可以接触多个第一导电图案的通过多个接触孔暴露的顶表面。
在实施例中，发光图案可以设置为多个，并且形成第二电极的步骤还可以包括形成分别与多个发光图案叠置的多个图案。
在实施例中，基体基底可以包括基体层和覆盖基体层的前表面的辅助层，并且凹陷部可以穿透辅助层并从基体层的前表面凹陷。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是根据发明构思的实施例的电子设备的透视图；
图2A是图1的电子设备的分解透视图；
图2B是图1的电子设备的框图；
图3A是沿图2A的线I-I'截取的剖视图；
图3B是示出图3A的组件的一部分的示意性等效电路图；
图4A是沿图2A的线II-II'截取的剖视图；
图4B和图4C是示出图2A的区域XX'的平面图；
图5A是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的平面图；
图5B是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的剖视图；
图6A是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的平面图；
图6B是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的剖视图；
图7A和图7B是根据发明构思的实施例的电子面板的剖视图；
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F、图8G、图8H、图8I、图8J、图8K、图8L和图8M是示出根据发明构思的实施例的制造电子面板的工艺的剖视图；以及
图9A、图9B、图9C、图9D和图9E是示出根据发明构思的实施例的制造电子面板的工艺的剖视图。
具体实施方式
在本说明书中，将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，该组件可以直接设置在所述另一组件上、直接连接/结合到所述另一组件，或者也可以存在中间组件。
同样的附图标记始终表示同样的元件。此外，在附图中，为了说明的清楚性，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但这些元件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为第一元件的第一元件可以在另一实施例中被称为第二元件。除非指相反的情况，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外，“在……下”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等用于解释附图中示出的组件的关系关联。这些术语可以是相对概念并基于附图中表示的方向进行描述。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，除非以理想化或过于正式的含义来进行解释，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且在这里被明确地定义。
“包含”或“包括”的含义说明存在性质、固定的数量、步骤、操作、元件、组件或其组合，但是不排除其它性质、固定的数量、步骤、操作、元件、组件或其组合。
在下文中，将参照附图来描述发明构思的示例性实施例。
图1是根据发明构思的实施例的电子设备的透视图。图2A是图1的电子设备的分解透视图。图2B是图1的电子设备的框图。在下文中，将参照图1至图2B来描述根据发明构思的实施例的电子设备。
电子设备EA可以是根据电信号而被激活的设备。电子设备EA可以包括各种示例。例如，电子设备EA可以包括平板电脑、笔记本电脑、计算机、智能电视等。在本实施例中，将描述包括智能电话的电子设备EA作为示例。
如图1中所示，电子设备EA可以在其前表面上显示图像IM。前表面可以被限定为与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面平行。前表面可以包括透射区域TA和与透射区域TA相邻的边框区域BZA。
图像IM显示在电子设备EA的透射区域TA中。图1示出了作为图像IM的示例的因特网搜索窗口。透射区域TA可以具有与第一方向DR1和第二方向DR2平行的矩形形状。然而，这仅是示例。例如，电子设备EA可以具有各种形状，并且不限于示出的形状。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。然而，这仅是示例。例如，边框区域BZA可以仅与透射区域TA的一侧相邻地设置，或者可以被省略。根据发明构思的电子设备EA可以包括各种构造，并且不限于示出的构造。
前表面的法线方向可以与电子设备EA的厚度方向(在下文中，被称为第三方向DR3)对应。在本实施例中，可以相对于其中显示图像IM的方向来限定每个构件的前表面(或顶表面)或后表面(或底表面)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此面对。
指示为第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3的方向可以是相对概念，因此，可选择地，可以改变为不同的方向。在下文中，第一方向、第二方向和第三方向可以分别是由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向，并且分别由相同的附图标记表示。
根据发明构思的电子设备EA可以感测从外部施加的用户输入TC(在下文中，也称为“外部输入TC”)。用户输入TC包括诸如用户身体的一部分、光、热、压力等的各种类型的外部输入。在本实施例中，用户输入TC被示出为施加到前表面的用户的手。然而，这仅是示例。例如，如上所述，可以以各种形式提供用户输入TC。电子设备EA可以根据电子设备EA的结构来感测施加到电子设备EA的侧表面或后表面的用户输入TC，但不限于特定实施例。
如图1和图2A中所示，电子设备EA包括电子面板PN、窗构件WM、电子模块EM和容纳构件BM。如图2B中所示，除了电子面板PN之外，电子设备EA还可以包括第一电子模块EM1、第二电子模块EM2和电源模块PM。在图2A中，省略了图2B的组成的部分。在下文中，将参照图1至图2B来描述电子设备EA。
电子面板PN可以显示图像IM并感测外部输入TC。例如，电子面板PN可以包括显示图像IM的显示单元DPU和感测外部输入TC的输入感测单元ISU。在本实施例中，输入感测单元ISU可以感测施加到窗构件WM的外部输入TC。
电子面板PN可以包括在平面上划分的有效区域AA、外围区域NAA和孔区域HA。有效区域AA可以是根据电信号而被激活的区域。
在本实施例中，有效区域AA可以是其中显示图像IM并且还感测外部输入TC的区域。然而，这仅是示例。例如，有效区域AA的其中显示图像IM的区域和有效区域AA的其中感测外部输入TC的区域可以彼此分开，并且本公开不限于特定实施例。
外围区域NAA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。外围区域NAA与有效区域AA相邻。外围区域NAA可以围绕有效区域AA。用于驱动有效区域AA的驱动电路或驱动线可以设置在外围区域NAA中。
在本实施例中，电子面板PN可以在其中有效区域AA和外围区域NAA是平坦的以面对窗构件WM的状态下组装。然而，这仅是示例。例如，电子面板PN的外围区域NAA的一部分可以是弯曲的。这里，外围区域NAA的一部分可以设置为面对电子设备EA的后表面以减小边框区域BZA在电子设备EA的前表面上的面积。可选择地，电子面板PN可以在其中有效区域AA的一部分是弯曲的状态下组装。可选择地，在根据发明构思的实施例的电子面板PN中，可以省略外围区域NAA。
孔区域HA的边缘可以被有效区域AA围绕。孔区域HA可以在平面上与外围区域NAA分隔开，并且有效区域AA位于孔区域HA与外围区域NAA之间。
孔区域HA可以是其中限定有模块孔MH的区域。因此，模块孔MH可以在平面上被其中显示图像IM的有效区域AA围绕。
在第三方向DR3上穿透电子面板PN的至少一个模块孔MH可以限定在根据发明构思的实施例的电子面板PN中。模块孔MH可以是从电子面板PN的前表面连接到后表面的通孔。设置在电子面板PN的后表面上以与模块孔MH叠置的组件可以在电子面板PN的前表面处通过模块孔MH可见。在本实施例中，尽管模块孔MH具有在第三方向DR3上具有一定高度的圆柱形形状，但本发明构思不限于此。例如，模块孔MH可以具有多边形柱形状、椭圆柱形状、锥形状等，并且不限于特定实施例。
模块孔MH在平面上与电子模块EM叠置。电子模块EM可以接收通过模块孔MH输入的信号，以将信号提供到电子面板PN。电子模块EM可以通过模块孔MH接收外部输入TC。电子模块EM可以是具有可以容纳在模块孔MH中的尺寸的模块并且/或者具有与模块孔MH的尺寸类似的尺寸的模块。下面将更详细地描述电子模块EM。
窗构件WM设置在电子设备EA的前表面上。窗构件WM可以设置在电子面板PN的前表面上以保护电子面板PN。例如，窗构件WM可以包括玻璃基底、蓝宝石基底或塑料膜。窗构件WM可以具有单层或多层结构。例如，窗构件WM可以具有通过使用粘合剂彼此结合的多个塑料膜的层叠结构，或者可以具有通过使用粘合剂彼此结合的玻璃基底和塑料膜的层叠结构。
窗构件WM可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是入射光通过其透射的区域。透射区域TA可以具有与有效区域AA的形状对应的形状。例如，透射区域TA与有效区域AA的至少一部分的整个表面叠置。显示在电子面板PN的有效区域AA中的图像IM可以通过透射区域TA从外部可见。
边框区域BZA可以是具有比透射区域TA的透光率相对小的透光率的区域。边框区域BZA限定透射区域TA的形状。边框区域BZA可以设置为与透射区域TA相邻以围绕透射区域TA。
边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以覆盖电子面板PN的外围区域NAA以防止外围区域NAA从外部可见。然而，这仅是示例。例如，在根据发明构思的实施例的窗构件WM中，可以省略边框区域BZA。
容纳构件BM可以结合到窗构件WM。容纳构件BM可以设置在电子设备EA的后表面上。容纳构件BM可以结合到窗构件WM以限定内部空间。
容纳构件BM可以包括具有相对高的刚性的材料。例如，容纳构件BM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的多个框架和/或板。容纳构件BM可以稳定地保护容纳在内部空间中的电子设备EA的组件免受外部冲击的影响。图2B的电子面板PN和各种组件可以容纳在由容纳构件BM提供的内部空间中。
参照图2B，电子设备EA可以包括电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。电源模块PM供应电子设备EA的全部操作所需的电力。电源模块PM可以包括通用电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于驱动电子设备EA的各种功能模块。第一电子模块EM1可以直接安装在电连接到电子面板PN的母板上，或者可以安装在单独的板上并通过连接件(未示出)电连接到母板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块的一部分可以不安装在母板上，而是可以通过柔性电路板电连接到母板。
控制模块CM控制电子设备EA的全部操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM可以激活电子面板PN或使电子面板PN去激活。控制模块CM可以基于从电子面板PN接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以通过使用蓝牙或Wi-Fi线向其它终端发送无线信号/从其它终端接收无线信号。无线通信模块TM可以通过使用通用通信线来发送/接收音频信号。无线通信模块TM包括对将发送的信号进行调制并发送的发送器TM1以及对接收的信号进行解调的接收器TM2。
图像输入模块IIM处理图像信号以将处理的图像信号转换为能够在电子面板PN上显示的图像数据。音频输入模块AIM在录音模式或语音识别模式期间通过使用麦克风来接收外部音频信号，以将接收的音频信号转换为电声音数据。
外部接口IF用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口和卡(例如，存储器卡和SIM/UIM卡)插槽的接口。
第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。上述组件可以直接安装在母板上，可以安装在单独的板上并通过连接件(未示出)电连接到电子面板PN，或者可以电连接到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM转换从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据，以将转换的音频数据输出到外部。
发光模块LM产生并输出光。发光模块LM可以输出红外线。发光模块LM可以包括LED。光接收模块LRM可以感测红外线。当感测到具有预定水平或更高水平的红外线时，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。发光模块LM中产生的红外线可以被输出，然后被外部物体(例如，用户的手指或脸部)反射，并且反射的红外线可以入射到光接收模块LRM中。相机模块CMM拍摄外部图像。
图2A的电子模块EM可以接收通过模块孔MH传输的外部输入TC，或者通过模块孔MH提供输出。电子模块EM可以是构成第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的模块中的一种。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或者感测光或热的传感器。电子模块EM可以通过模块孔MH感测外部输入TC，或者可以通过模块孔MH向外部提供诸如语音的声音信号。这里，第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的剩余组件可以设置在不同位置处，因此可以不示出。然而，这仅是示例。电子模块EM可以包括构成第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的多个模块，但不限于特定实施例。尽管未示出，但是根据发明构思的实施例的电子设备EA还可以包括设置在电子模块EM与电子面板PN之间的透明构件。透明构件可以是光学透明膜，使得通过模块孔MH传输的外部输入TC穿透透明构件并传输到电子模块EM。透明构件可以附着到电子面板PN的后表面或者设置在电子面板PN与电子模块EM之间，并且没有粘合层。根据发明构思的电子设备EA可以具有各种形状，但不限于特定实施例。
在发明构思中，电子面板PN可以包括模块孔MH。因此，可以省略在外围区域NAA外部的其中设置电子模块EM的单独的空间。此外，模块孔MH可以限定在被有效区域AA围绕的孔区域HA中，使得电子模块EM设置为与透射区域TA叠置，但不与边框区域BZA叠置。因此，可以减小边框区域BZA的面积以实现具有窄边框的电子设备EA。此外，当电子模块EM容纳在模块孔MH中时，可以实现紧凑的电子设备EA。
图3A是沿图2A的线I-I'截取的剖视图。图3B是示出图3A的组件的一部分的示意性等效电路图。在下文中，将参照图3A和图3B来描述本公开。
电子面板PN可以包括基体基底BSS、电路层DP-C、显示器件层DP-D、封装层DP-E和输入感测单元ISU。电路层DP-C和显示器件层DP-D可以包括像素PX的组件。
像素PX可以设置在有效区域AA中。像素PX可以产生光以实现上述图像IM。像素PX可以设置为多个并且布置在有效区域AA中。
参照图3B，像素PX可以连接到多条信号线。在本实施例中，信号线中的栅极线GL、数据线DL和电力线VDD作为示例被示出。然而，这仅是示例。例如，根据发明构思的实施例的像素PX可以另外地连接到各种信号线，但发明构思不限于特定实施例。
像素PX可以包括第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP、第二薄膜晶体管TR2和发光器件OD。第一薄膜晶体管TR1可以是控制像素PX的导通/截止的开关器件。第一薄膜晶体管TR1可以响应于通过栅极线GL传输的栅极信号来传输或阻挡通过数据线DL传输的数据信号。
电容器CAP连接到第一薄膜晶体管TR1和电力线VDD。电容器CAP充入与从第一薄膜晶体管TR1接收的数据信号和施加到电力线VDD的第一电源电压之间的差对应的量的电荷。
第二薄膜晶体管TR2连接到第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和发光器件OD。第二薄膜晶体管TR2控制流过发光器件OD的驱动电流，以与存储在电容器CAP中的电荷的量对应。第二薄膜晶体管TR2的导通时间可以根据充入电容器CAP中的电荷的量来确定。第二薄膜晶体管TR2在导通时间期间将通过电力线VDD传输的第一电源电压提供到发光器件OD。
发光器件OD将第二薄膜晶体管TR2连接到电力端子VSS。发光器件OD发射与通过第二薄膜晶体管TR2传输的信号和通过电力端子VSS接收的第二电源电压之间的电压差对应的光。发光器件OD可以在第二薄膜晶体管TR2的导通时间期间发射光。
发光器件OD包括发光材料。发光器件OD可以产生具有与发光材料对应的颜色的光。发光器件OD中产生的光的颜色可以具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种。
图3A示出了像素PX的组件中的一个薄膜晶体管TR-P(在下文中，被称为像素晶体管)和一个发光器件OD的示例。像素晶体管TR-P可以与图3B的第二薄膜晶体管TR2对应。
像素晶体管TR-P与多个绝缘层中的第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30一起可以构成电路层DP-C。第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30中的每个可以包括有机材料和/或无机材料，并且具有单层或多层结构。电路层DP-C设置在基体基底BSS上。
基体基底BSS包括基体层BS和辅助层BL。基体层BS可以是绝缘基底。基体层BS可以提供为柔性状态。例如，基体层BS可以包括聚酰亚胺(PI)。可选择地，基体层BS可以提供为刚性状态。例如，基体层BS可以由诸如玻璃、塑料等的各种材料制成，但不限于特定实施例。
辅助层BL设置在基体层BS上。辅助层BL可以直接设置在基体层BS上以覆盖基体层BS的前表面。因此，辅助层BL的前表面可以设置为基体基底BSS的前表面，基体层BS的后表面可以设置为基体基底BSS的后表面。
辅助层BL包括无机材料。辅助层BL可以包括阻挡层和/或缓冲层。因此，辅助层BL可以防止通过基体层BS引入的氧或湿气渗透到电路层DP-C或显示器件层DP-D中，或者可以减小基体基底BSS的表面能，使得电路层DP-C稳定地形成在基体基底BSS上。
在基体基底BSS中，基体层BS和辅助层BL中的至少一个可以设置为多个并交替地层叠。可选择地，构成辅助层BL的阻挡层和缓冲层中的至少一个可以设置为多个或者可以被省略。然而，这仅是示例。例如，根据发明构思的实施例的基体基底BSS可以根据各种构造来实现，但发明构思不限于特定实施例。
像素晶体管TR-P包括半导体图案SP、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。半导体图案SP设置在基体基底BSS上。半导体图案SP可以包括半导体材料。控制电极CE与半导体图案SP分隔开，并且第一绝缘层10位于控制电极CE与半导体图案SP之间。控制电极CE可以连接到上述第一薄膜晶体管TR1和电容器CAP中的每个的一个电极。
输入电极IE和输出电极OE可以与控制电极CE分隔开，并且第二绝缘层20位于输入电极IE和输出电极OE与控制电极CE之间。像素晶体管TR-P的输入电极IE和输出电极OE可以通过穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20分别连接到半导体图案SP的一侧和另一侧。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上，以覆盖输入电极IE和输出电极OE。在像素晶体管TR-P中，半导体图案SP可以设置在控制电极CE上。可选择地，半导体图案SP可以设置在输入电极IE和输出电极OE上。可选择地，输入电极IE和输出电极OE可以设置在同一层上并且直接连接到半导体图案SP。根据发明构思的实施例的像素晶体管TR-P可以具有各种结构，但发明构思不限于特定实施例。
发光器件OD设置在电路层DP-C上。发光器件OD可以与多个绝缘层中的第四绝缘层40一起构成显示器件层DP-D。发光器件OD包括第一电极E1、发光图案EP、控制层EL和第二电极E2。第四绝缘层40可以包括有机材料和/或无机材料，并且具有单层或多层结构。
第一电极E1可以通过穿透第三绝缘层30而连接到像素晶体管TR-P。尽管未示出，但电子面板PN还可以包括设置在第一电极E1与像素晶体管TR-P之间的单独的连接电极。这里，第一电极E1可以通过连接电极电连接到像素晶体管TR-P。
第四绝缘层40设置在第三绝缘层30上。开口可以限定在第四绝缘层40中。开口可以使第一电极E1的至少一部分暴露。第四绝缘层40可以是像素限定层。
发光图案EP可以设置在开口中并且设置在由开口暴露的第一电极E1上。发光图案EP可以包括发光材料。例如，发光图案EP可以由发射具有红色、绿色和蓝色光的材料中的至少一种材料制成，并且包括荧光材料或磷光材料。发光图案EP可以包括有机发光材料和无机发光材料。发光图案EP可以响应于第一电极E1与第二电极E2之间的电势差而发射光。
控制层EL设置在第一电极E1与第二电极E2之间。控制层EL与发光图案EP相邻地设置。控制层EL控制电荷的移动，以改善发光器件OD的发光效率和寿命。控制层EL可以包括空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料和电子注入材料中的至少一种。
在本实施例中，控制层EL可以设置在发光图案EP与第二电极E2之间。然而，这仅是示例。例如，控制层EL可以设置在发光图案EP与第一电极E1之间，或者可以设置为在第三方向DR3上层叠的多个层且发光图案EP位于多个层之间。
控制层EL可以具有从有效区域AA延伸到外围区域NAA的一体形状。控制层EL可以针对多个像素PX共同地设置。
第二电极E2设置在发光图案EP上。第二电极E2可以面对第一电极E1。第二电极E2可以具有从有效区域AA延伸到外围区域NAA的一体形状。第二电极E2可以针对多个像素PX共同地设置。对每个像素PX设置的发光器件OD可以通过第二电极E2来接收共电源电压(在下文中，被称为第二电源电压)。
第二电极E2可以包括透射导电材料或透反射导电材料。因此，发光图案EP中产生的光可以容易地在第三方向DR3上通过第二电极E2发射。然而，这仅是示例。例如，根据发明构思的实施例的包括透射或半透射材料的发光器件OD可以以底发射方式驱动，或者可以以其中光从所有前表面和后表面发射的双侧发射方式驱动，但发明构思不限于特定实施例。
封装层DP-E可以设置在发光器件OD上以封装发光器件OD。封装层DP-E可以具有从有效区域AA延伸到外围区域NAA的一体形状。封装层DP-E可以针对多个像素PX共同地设置。尽管未示出，但是在第二电极E2与封装层DP-E之间还可以设置有覆盖第二电极E2的盖层。
封装层DP-E可以包括在第三方向DR3上顺序地层叠的第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。然而，发明构思不限于此。例如，封装层DP-E还可以包括多个无机层和有机层。
第一无机层IOL1可以覆盖第二电极E2。第一无机层IOL1可以防止外部湿气或氧渗透到发光器件OD中。例如，第一无机层IOL1可以包括氮化硅、氧化硅或其组合。第一无机层IOL1可以通过沉积工艺来形成。
有机层OL可以设置在第一无机层IOL1上以接触第一无机层IOL1。有机层OL可以在第一无机层IOL1上提供平坦的表面。有机层OL可以覆盖第一无机层IOL1的顶表面上形成的弯曲或第一无机层IOL1上存在的颗粒，以防止第一无机层IOL1的顶表面的表面状态对设置在有机层OL上的组件产生影响。此外，有机层OL可以减小彼此接触的层之间的应力。有机层OL可以包括有机材料并且可以通过诸如旋涂、狭缝涂布、喷墨工艺等的溶液工艺形成。
第二无机层IOL2可以设置在有机层OL上以覆盖有机层OL。当与设置在第一无机层IOL1上的第二无机层IOL2相比时，第二无机层IOL2可以相对稳定地形成在平坦的表面上。第二无机层IOL2可以封装从有机层OL排出的湿气以防止湿气被引入。第二无机层IOL2可以包括氮化硅、氧化硅或其组合。第二无机层IOL2可以通过沉积工艺来形成。
输入感测单元ISU可以包括第一导电层MTL1和第二导电层MTL2。第一导电层MTL1可以设置在封装层DP-E下方。具体地，第一导电层MTL1设置在第四绝缘层40与控制层EL之间。
第一导电层MTL1可以包括导电材料。例如，第一导电层MTL1可以包括金属、透明导电氧化物和导电聚合物中的至少一种。
第一导电层MTL1包括多个第一导电图案MP1。第一导电图案MP1可以设置为与发光图案EP分隔开。第一导电图案MP1可以在平面上不与发光图案EP叠置。第一导电图案MP1可以布置在第四绝缘层40上并且可以被控制层EL覆盖。
第二导电层MTL2设置在封装层DP-E上。在本实施例中，第二导电层MTL2可以直接设置在第二无机层IOL2的顶表面上。然而，这仅是示例。例如，在第二导电层MTL2与第二无机层IOL2之间还可以设置有诸如缓冲层的单独的绝缘层。
第二导电层MTL2可以包括导电材料。例如，第二导电层MTL2可以包括金属、透明导电氧化物和导电聚合物中的至少一种。
第二导电层MTL2包括多个第二导电图案MP2。第二导电图案MP2可以设置为在平面上与发光图案EP分隔开。第二导电图案MP2可以在平面上不与发光图案EP叠置。
在本实施例中，第二导电图案MP2中的一部分可以通过穿透封装层DP-E的接触孔CH电连接到第一导电图案MP1。具体地，接触孔CH可以穿透封装层DP-E、第二电极E2和控制层EL以延伸到每个第一导电图案MP1的顶表面。第二导电图案MP2中的至少一部分可以通过接触孔CH连接到与第二导电图案MP2对应的每个第一导电图案MP1。
每个第一导电图案MP1可以用作桥接电极。这里，彼此分隔开的第二导电图案MP2的部分可以通过第一导电图案MP1彼此电连接。可选择地，每个第一导电图案MP1可以用作传感器电极。这里，第二导电图案MP2和第一导电图案MP1可以彼此连接以增大传感器电极的面积，从而改善外部输入感测灵敏度。
这仅是示例。例如，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2可以彼此电绝缘。这里，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2可以用作接收彼此不同的电信号的传感器电极。输入感测单元ISU可以通过第一导电图案MP1与第二导电图案MP2之间产生的电容变化来感测外部输入TC。在根据发明构思的输入感测单元ISU中，可以根据第一导电图案MP1和第二导电图案MP2的功能来不同地实现第一导电图案MP1与第二导电图案MP2之间的连接。这将在下面更详细地描述。
覆盖接触孔CH的侧表面的内绝缘层IP可以设置在接触孔CH中。内绝缘层IP可以防止暴露于接触孔CH的侧表面的第二无机层IOL2、有机层OL、第一无机层IOL1、第二电极E2和控制层EL接触第二导电图案MP2。因此，可以防止发生除了第二导电图案MP2与第一导电图案MP1之间的电连接之外的其它导电材料之间(例如，第二电极E2与第二导电图案MP2之间)的电连接。
在本公开中，输入感测单元ISU可以包括第一导电层MTL1和第二导电层MTL2，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2彼此分隔开并且封装层DP-E位于第一导电层MTL1与第二导电层MTL2之间。此外，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以设置为彼此分隔开，并且作为显示单元DPU的一个组件的发光器件OD的第二电极E2位于第一导电层MTL1与第二导电层MTL2之间。
也就是说，根据发明构思，输入感测单元ISU的一个组件可以设置在显示单元DPU的组件之间。因此，在包括输入感测单元ISU和显示单元DPU的电子面板PN中，可以简化工艺，并且可以降低工艺成本。这将在稍后详细地描述。
根据发明构思的实施例的电子面板PN还可以包括设置在外围区域NAA中的薄膜晶体管(在下文中，被称为驱动晶体管)TR-D、多个信号图案E-VSS、E-CNT、VIN和CL以及多个坝部DM1和DM2。驱动晶体管TR-D以及信号图案E-VSS、VIN和CL可以构成电路层DP-C。
具有与像素晶体管TR-P对应的结构的驱动晶体管TR-D作为示例被示出。例如，驱动晶体管TR-D可以包括设置在基体基底BSS上的半导体图案SP、设置在第一绝缘层10上的控制电极CE、设置在第二绝缘层20上的输入电极IE和输出电极OE。因此，像素晶体管TR-P和驱动晶体管TR-D可以通过同一工艺同时形成，因此可以简化工艺，并且可以降低工艺成本。然而，这仅是示例。例如，根据发明构思的实施例的驱动晶体管TR-D可以具有与像素晶体管TR-P的结构不同的结构，但不限于特定实施例。
信号图案E-VSS、E-CNT、VIN和CL可以包括电源线E-VSS、连接电极E-CNT、初始化电压线VIN和驱动信号线CL。电源线E-VSS可以与像素PX的电力端子VSS对应。因此，电源线E-VSS将第二电源电压供应到发光器件OD。在本实施例中，供应到像素PX的第二电源电压可以是相对于所有像素PX的共电压。
电源线E-VSS可以设置在第二绝缘层20上以构成电路层DP-C。电源线E-VSS可以通过与驱动晶体管TR-D的输入电极IE或输出电极OE相同的工艺来形成。然而，这仅是示例。例如，电源线E-VSS可以设置在与驱动晶体管TR-D的输入电极IE和输出电极OE的层不同的层上，因此可以通过单独的工艺形成，但发明构思不限于特定实施例。
连接电极E-CNT可以设置在第三绝缘层30上以构成显示器件层DP-D。连接电极E-CNT电连接到电源线E-VSS。连接电极E-CNT可以从第三绝缘层30的顶表面延伸，以覆盖电源线E-VSS的从第三绝缘层30暴露的顶表面。
发光器件OD的第二电极E2从有效区域AA延伸并连接到连接电极E-CNT。连接电极E-CNT可以从电源线E-VSS接收第二电源电压。因此，第二电源电压可以通过连接电极E-CNT传输到第二电极E2并提供到每个像素PX。
连接电极E-CNT可以与发光器件OD的第一电极E1设置在同一层上，因此可以与第一电极E1同时形成。然而，这仅是示例。例如，连接电极E-CNT和第一电极E1可以设置在彼此不同的层上。
驱动信号线CL可以设置为多条并且设置在第二绝缘层20上。驱动信号线CL可以设置在外围区域NAA中。驱动信号线CL可以是连接到垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)(未示出)的路由线(routing line)或者构成集成电路(IC)的线。驱动信号线CL可以设置为在第二方向DR2上彼此分隔开以独立地传输电信号。
初始化电压线VIN可以设置在有效区域AA中以将初始化电压提供到像素PX。尽管未示出，但是初始化电压线VIN可以设置为多条以将初始化电压提供到每个像素PX。
驱动信号线CL和初始化电压线VIN可以设置在同一层上并且通过同一工艺同时形成。然而，这仅是示例。例如，驱动信号线CL和初始化电压线VIN可以通过单独的工艺独立形成，但不限于特定实施例。
坝部DM1和DM2设置在外围区域NAA中。当形成封装层DP-E的有机层OL时，坝部DM1和DM2可以防止有机层OL(例如，在图3A中在第二方向DR2上)从有效区域AA溢出到坝部DM1和DM2的外部。坝部DM1和DM2可以设置为与有效区域AA的至少一侧相邻。坝部DM1和DM2可以在平面上围绕有效区域AA。坝部DM1和DM2可以设置为多个并包括第一坝部DM1和第二坝部DM2。
第一坝部DM1可以设置为比第二坝部DM2相对更靠近有效区域AA。第一坝部DM1可以设置为在平面上与电源线E-VSS叠置。在本实施例中，连接电极E-CNT可以在剖面上在第一坝部DM1与电源线E-VSS之间通过。
在本实施例中，第一坝部DM1可以由与第四绝缘层40的材料相同的材料制成，第一坝部DM1和第四绝缘层40可以通过一个掩模同时形成。因此，可以不需要形成第一坝部DM1的单独的工艺，以减小工艺成本并简化工艺。
第二坝部DM2可以设置在相对于第一坝部DM1的外部处。第二坝部DM2可以设置在电源线E-VSS的一部分被覆盖的位置上。在本实施例中，第二坝部DM2可以具有包括第一层DM2-L1和第二层DM2-L2的多层结构。例如，第一层DM2-L1和第三绝缘层30可以同时形成，第二层DM2-L2和第四绝缘层40可以同时形成。因此，即使不另外执行单独的工艺，也可以容易地形成第二坝部DM2。
在本实施例中，连接电极E-CNT可以设置为与第二坝部DM2的第一层DM2-L1部分地叠置。连接电极E-CNT可以具有插设在第一层DM2-L1与第二层DM2-L2之间的端部。然而，这仅是示例。例如，连接电极E-CNT可以不延伸到第二坝部DM2，但发明构思不限于特定实施例。
第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以从有效区域AA延伸到第二坝部DM2的外部。第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以覆盖第一坝部DM1和第二坝部DM2。有机层OL可以设置在第一坝部DM1内。然而，这仅是示例。例如，有机层OL的一部分可以延伸到与第一坝部DM1叠置的区域，但发明构思不限于特定实施例。
图4A是沿图2A的线II-II'截取的剖视图。图4B和图4C是示出图2A的区域XX'的平面图。图4A可以基本与区域XX'的剖视图对应。在图4B和图4C中，简要示出了电子面板PN的组件的一部分。具体地，图4A示出了像素PX，图4B和图4C示出了输入感测单元ISU(见图3A)。在下文中，将参照图4A至图4C来描述本公开。
孔区域HA可以在平面上被有效区域AA围绕。在图4B和图4C中，为了便于描述，孔区域HA由虚线表示。像素PX可以设置为与模块孔MH分隔开，并且像素PX的与孔区域HA相邻地设置的一部分可以沿孔区域HA的边缘设置。
参照图4A，模块孔MH限定在孔区域HA中。模块孔MH可以限定在孔区域HA的中心中。模块孔MH可以是通孔以穿透电子面板PN。模块孔MH穿透基体基底BSS的前表面和后表面。具体地，模块孔MH穿透在设置在基体基底BSS的前表面上的层上设置在孔区域HA中的组件。因此，延伸到孔区域HA的第一绝缘层10、第二绝缘层20、控制层EL、第二电极E2、第一无机层IOL1、第二无机层IOL2可以被穿透，以限定模块孔MH的侧表面BS-H。
根据本实施例的电子面板PN还可以包括限定在孔区域HA中的凹陷图案GV。凹陷图案GV可以沿模块孔MH的边缘限定。在本实施例中，凹陷图案GV示出为围绕模块孔MH的闭合线，并且具有与模块孔MH的形状类似的圆形形状。然而，这仅是示例。例如，凹陷图案GV可以具有与模块孔MH的形状不同的形状，可以具有包括多边形形状、椭圆形形状或至少部分圆形形状的闭合线形状，或者可以设置为包括多个部分切割图案的形状，但发明构思不限于特定实施例。
凹陷图案GV可以是从电子面板PN的前表面凹陷的图案。可以去除电子面板PN的组件的一部分以形成凹陷图案GV。不同于模块孔MH，凹陷图案GV可以不穿透电子面板PN。因此，与凹陷图案GV叠置的基底BSS的后表面可以不被凹陷图案GV敞开。
凹陷图案GV可以被限定为穿透除了基体层BS的一部分之外的剩余组件。在本实施例中，凹陷图案GV可以通过将限定在辅助层BL中的贯穿部连接到限定在基体层BS中的凹陷部来形成。凹陷图案GV的内表面可以被第一无机层IOL1和第二无机层IOL2覆盖。
凹陷图案GV可以具有包括向内突出的尖端部TP的底切形状。根据本实施例的尖端部TP可以形成为使得辅助层BL的一部分比基体层BS进一步突出到凹陷图案GV的内部。根据发明构思的实施例的电子面板PN可以具有各种层结构，只要尖端部TP设置在凹陷图案GV上即可，但发明构思不限于特定实施例。
电子面板PN还可以包括设置在凹陷图案GV中的预定的有机图案EL-P。有机图案EL-P可以由与控制层EL的材料相同的材料制成。可选择地，有机图案EL-P还可以包括与第二电极E2的材料相同的材料。有机图案EL-P可以具有单层或多层结构。
有机图案EL-P可以通过与控制层EL和第二电极E2分隔开而设置在凹陷图案GV中。有机图案EL-P可以被第一无机层IOL1覆盖，并且因此可以不暴露于外部。
根据发明构思，凹陷图案GV切断了从模块孔MH的侧表面BS-H连接到有效区域AA的控制层EL的连续性。控制层EL可以在与凹陷图案GV叠置的区域处断开。控制层EL会用作用于诸如湿气或空气的外部污染物的移动路径。通过模块孔MH暴露的层(例如，经由孔区域HA从控制层EL引入的湿气或空气被引入有效区域AA中的路径)可以被凹陷图案GV覆盖。因此，可以改善其中限定有模块孔MH的电子面板PN的可靠性。
在根据发明构思的实施例的电子面板PN中，凹陷图案GV可以设置为在第二方向DR2上彼此分隔开的多个，并且有机层OL的一部分可以延伸为填充凹陷图案GV的一部分。在根据发明构思的实施例的电子面板PN中，可以省略凹陷图案GV，但发明构思不限于特定实施例。
如上所述，像素PX和输入感测单元ISU设置为在平面上与模块孔MH分隔开。在下文中，参照图4B和图4C，将描述模块孔MH以及与模块孔MH邻近的像素PX和输入感测单元ISU。
参照图4B，像素PX可以布置为围绕孔区域HA。像素PX的部分可以沿孔区域HA的边缘布置。像素PX可以在平面上与模块孔MH分隔开。
连接到像素PX的多条信号线SL1和SL2可以设置在孔区域HA中。信号线SL1和SL2可以经由孔区域HA连接到像素PX。在图4B中，为了便于描述，示出了其中连接到像素PX的多条信号线中的第一信号线SL1和第二信号线SL2的示例。
第一信号线SL1在第一方向DR1上延伸。第一信号线SL1连接到像素PX中的布置在第一方向DR1上的同一行内的像素PX。第一信号线SL1可以与数据线DL(见图3B)对应。
像素PX中的连接到第一信号线SL1的部分可以设置在模块孔MH上方，所述像素PX中的其它部分可以设置在模块孔MH下方。因此，即使省略像素PX中的相对于模块孔MH的一部分，连接到第一信号线SL1的同一行内的像素PX也可以通过同一条线接收数据信号。
第二信号线SL2在第二方向DR2上延伸。第二信号线SL2连接到像素PX中的布置在第二方向DR2上的同一行内的像素PX。第二信号线SL2可以与栅极线GL(见图3B)对应。
像素PX中的连接到第二信号线SL2的部分可以设置在模块孔MH的左侧处，所述像素PX中的其它部分可以设置在模块孔MH的右侧处。因此，即使省略像素PX中的相对于模块孔MH的一部分，连接到第二信号线SL2的同一行内的像素PX也可以通过基本相同的栅极信号而导通/截止。
根据发明构思的实施例的电子面板PN还可以包括设置在孔区域HA中的连接图案。这里，第一信号线SL1可以在与孔区域HA叠置的区域处断开。第一信号线SL的连接部分可以通过连接图案连接。类似地，第二信号线SL2可以在与孔区域HA叠置的区域处断开，并且还可以设置有连接第二信号线SL2的断开部分的连接图案。
参照图4C，输入感测单元ISU可以包括在第一方向DR1上延伸的第一感测电极和在第二方向DR2上延伸的第二感测电极。输入感测单元ISU通过第一感测电极与第二感测电极之间的电容变化来接收外部输入TC的位置或强度信息。在本实施例中，第一感测电极可以包括第一感测图案S1和第一桥接图案B1，第二感测电极可以包括第二感测图案S2和第二桥接图案B2。
第一感测图案S1可以设置为多个并布置为彼此分隔开。第一感测图案S1可以包括与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的多条网格线MSL。网格线MSL可以包括在一个方向上延伸的第一网格线MSL1和在与第一网格线MSL1交叉的方向上延伸的第二网格线MSL2。第一网格线MSL1和第二网格线MSL2可以彼此连接以形成具有网形状的第一感测图案S1。
第一桥接图案B1在第一方向DR1上延伸。第一桥接图案B1可以设置为多个并布置为连接在第一方向DR1上彼此相邻地布置的两个第一感测图案S1。第一感测图案S1可以通过第一桥接图案B1彼此连接以作为在第一方向DR1上延伸的第一感测电极。
第二感测图案S2与第一感测图案S1分隔开。第二感测图案S2可以设置为多个并布置为彼此分隔开。第二感测图案S2可以具有与第一感测图案S1的形状相同的形状。具体地，第二感测图案S2可以包括包含第一网格线MSL1和第二网格线MSL2的多条网格线MSL。根据发明构思的实施例的输入感测单元ISU可以包括第一感测图案S1和第二感测图案S2以改善柔性。然而，这仅是示例。例如，第二感测图案S2可以具有与第一感测图案S1的形状不同的形状，但发明构思不限于特定实施例。
第二桥接图案B2在第二方向DR2上延伸。第二桥接图案B2可以设置为多个并布置为连接在第二方向DR2上彼此相邻地布置的两个第二感测图案S2。第二感测图案S2可以通过第二桥接图案B2彼此连接以作为在第二方向DR2上延伸的第二感测电极。
在本实施例中，第一感测图案S1、第二感测图案S2和第二桥接图案B2可以设置在同一层上，第一桥接图案B1可以设置在不同的层上。因此，第一感测图案S1、第二感测图案S2和第二桥接图案B2可以通过使用同一掩模同时形成。第一桥接图案B1和第二桥接图案B2可以设置在彼此不同的层上。因此，即使第一桥接图案B1和第二桥接图案B2设置为在平面上彼此交叉，第一桥接图案B1和第二桥接图案B2也可以彼此电绝缘。第一感测图案S1可以通过预定的接触孔CH-B连接到第一桥接图案B1，第二感测图案S2可以直接连接到第二桥接图案B2。
在本实施例中，第一感测电极和第二感测电极的一部分可以相对于模块孔MH断开。例如，第一感测电极的一部分可以相对于模块孔MH被分为上部分和下部分。第一感测图案S1的一部分可以具有其中与孔区域HA叠置的部分被去除的形状。可选择地，例如，第二感测电极的一部分可以相对于模块孔MH被分为左部分和右部分。第二感测图案S2的一部分可以具有其中与孔区域HA叠置的部分被去除的形状。
在根据发明构思的实施例的电子面板PN中，输入感测单元ISU还可以包括第一桥接线BL1和第二桥接线BL2。第一桥接线BL1和第二桥接线BL2可以将经由孔区域HA断开的感测电极彼此电连接。具体地，第一桥接线BL1将被分为上部分和下部分的第一感测电极彼此连接，第二桥接线BL2将被分为左部分和右部分的第二感测电极彼此连接。
第一桥接线BL1和第二桥接线BL2可以设置在彼此不同的层上。在本实施例中，第一桥接线BL1可以与第一桥接图案B1设置在同一层上，第二桥接线BL2可以与第二桥接图案B2设置在同一层上。因此，第一桥接线BL1可以通过预定的接触孔CH-B连接到第一感测图案S1，第二桥接线BL2可以直接连接到第二感测图案S2。然而，这仅是示例。例如，根据发明构思的实施例的输入感测单元ISU可以具有各种结构，但不限于特定实施例。
在本实施例中，网格线MSL、第一桥接图案B1、第二桥接图案B2、第一桥接线BL1和第二桥接线BL2可以分别与导电图案MP1和MP2对应。具体地，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2中的每个可以是第一网格线MSL1或第二网格线MSL2。可选择地，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2中的每个可以是第一桥接线BL1或第二桥接线BL2。
在根据发明构思的电子面板PN中，相对于模块孔MH彼此分隔开的像素PX或者感测图案S1和S2可以通过信号线SL1和SL2或桥接线BL1和BL2彼此连接，以保持相对于模块孔MH彼此分隔开的像素PX之间或者感测图案S1和S2之间的有机结合，从而便于像素PX的电控制。因此，即使模块孔MH限定在被有效区域AA围绕的区域中，也可以提供其中有效区域AA被稳定地驱动的电子面板PN。
图5A是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的平面图。图5B是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的剖视图。图5A示出了当从前侧观看时电子面板PN的平面图。此外，为了便于描述，省略了图5A和图5B的组件的部分。
如图5A和图5B中所示，示出了设置在电子面板PN的前表面上的最上层上的第二导电层MTL2。彼此分隔开的第一感测图案S1和第二感测图案S2包括第二导电层MTL2和第一导电层MTL1。第一感测图案S1和第二感测图案S2中的每个可以包括第一网格图案MS1和第二网格图案MS2。第一网格图案MS1和第二网格图案MS2可以与第二导电图案MP2对应。
第一网格图案MS1和第二网格图案MS2可以在平面上与发光图案EP1、EP2和EP3分隔开。图5B的发光图案EP可以是第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3中的一个。也就是说，第二导电图案MP2可以在平面上不与发光图案EP1、EP2和EP3叠置。
根据发明构思，即使第二导电层MTL2是光学不透明的，也可以防止第二导电层MTL2对发光图案EP1、EP2和EP3的显示特性的影响。然而，这仅是示例。例如，第二导电层MTL2可以与发光图案EP1、EP2和EP3的一部分叠置，并且可以设置为光学不透明的并设置为与发光图案EP1、EP2和EP3叠置，但不限于特定实施例。
根据发明构思的实施例的输入感测单元ISU还可以包括虚设图案DP。虚设图案DP可以设置在第一感测图案S1与第二感测图案S2之间的分开的空间中。虚设图案DP可以防止第一感测图案S1与第二感测图案S2之间的边界被容易地可见而使输入感测单元ISU的可视性劣化。
在图5A中，多个发光图案EP1、EP2和EP3由虚线示出。发光图案EP1、EP2和EP3包括第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3。从第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3发射的光可以具有彼此不同的颜色。第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3可以在平面上具有彼此不同的形状。然而，这仅是示例。例如，第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3可以具有相同的形状，并且从第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3发射的光可以具有相同的颜色，但发明构思不限于特定实施例。
参照图5A和图5B，第一感测图案S1和第二感测图案S2中的每个可以具有包括第一导电层MTL1和第二导电层MTL2的基本双层结构。因此，构成第一感测图案S1的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2以及构成第二感测图案S2的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以具有相同的形状。
第一导电图案MP1可以设置为与第四绝缘层40的其中设置有发光图案EP的开口OP分隔开。构成第一感测图案S1的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2以及构成第二感测图案S2的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以通过穿透封装层DP-E的接触孔CH彼此电连接。
在本实施例中，第二电极E2可以在平面上与第一感测图案S1、第二感测图案S2和发光图案EP叠置。因此，接触孔CH也可以穿透第二电极E2。内绝缘层IP可以覆盖接触孔CH的侧表面以阻断第二电极E2与输入感测单元ISU之间的电连接。
根据发明构思，输入感测单元ISU可以包括均包含第一导电层MTL1和第二导电层MTL2的第一感测图案S1和第二感测图案S2。因此，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2可以通过穿透封装层DP-E和第二电极E2的接触孔CH彼此连接。
根据发明构思的实施例的输入感测单元ISU可以包括构成显示单元DPU(见图2B)的第二电极E2以及彼此分隔开并且封装层DP-E位于其间的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2。根据发明构思，输入感测单元ISU的组件的一部分可以设置在显示单元DPU的组件之间，以减小电子面板PN的厚度并改善电子面板PN在剖面上的集成。
图6A是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的平面图。图6B是示出根据发明构思的实施例的电子面板的区域的一部分的剖视图。图6A示出了与图5A对应的区域，图6B示出了与图5B对应的区域。在下文中，将参照图6A和图6B来描述本公开。可以对与图1至图5B的组件相同的组件给予相同的附图标记，并且将省略它们的详细描述。
在根据发明构思的实施例的电子面板PN中，第一感测图案S11和第二感测图案S21可以设置在彼此不同的层上。为了便于描述，图6A示出了其中设置在不同的层上的第一感测图案S11和第二感测图案S21的阴影不同地显示的状态。
如图6B中所示，第一感测图案S11可以包括第一导电层MTL11。第一导电层MTL11包括多个第一导电图案MP11。第一导电图案MP11设置在第四绝缘层40与控制层EL之间。第二感测图案S21可以包括第二导电层MTL21。第二导电层MTL21包括多个第二导电图案MP21。第二导电图案MP21设置在封装层DP-E上。
在根据本实施例的输入感测单元ISU中，第一感测图案S11和第二感测图案S21可以分别设置为彼此分隔开并且封装层DP-E位于其间的导电层MTL11和MTL21。因此，可以省略穿透封装层DP-E的接触孔CH(见图5B)。
在本实施例中，可以针对每个发光图案设置第二电极，并且第二电极包括彼此分隔开的多个图案。为了便于描述，示出了第一图案E21、第二图案E22和第三图案E23。第一图案E21、第二图案E22和第三图案E23可以分别设置为与第一发光图案EP1、第二发光图案EP2和第三发光图案EP3叠置。
图6B示出了包括第一图案E21的发光器件OD1。第一图案E21可以连接到穿透控制层EL和第四绝缘层40并且设置为与第一电极E1分隔开的辅助电极AE。第一图案E21可以通过辅助电极AE接收与第一电极E1的电信号相反的电信号。辅助电极AE可以在发光图案EP1、EP2和EP3之间延伸，并且还可以连接到第二图案E22和第三图案E23。因此，彼此分开的第一图案E21、第二图案E22和第三图案E23可以连接到一个辅助电极AE以接收基本相同的电信号。
根据发明构思，可以通过第一感测图案S11和第二感测图案S21分别提供设置在不同的层上并且封装层DP-E位于其间的第一导电层MTL11和第二导电层MTL21，以减小电子面板PN的厚度并改善电子面板PN的集成。此外，可以通过多个图案E21、E22和E23来设置第二电极以减小第二电极对第一感测图案S11与第二感测图案S21之间的电容的影响。因此，可以提供相对于外部输入TC具有足够感测灵敏度的电子面板PN。
图7A和图7B是根据发明构思的实施例的电子面板的剖视图。为了便于描述，图7A和图7B示出了与图6B的区域对应的区域。在下文中，将参照图7A和图7B来描述本公开。可以对与图1至图6B的组件相同的组件给予相同的附图标记，并且将省略它们的详细描述。
如图7A中所示，第一感测图案S12包括第一导电层MTL12，第二感测图案S22包括第二导电层MTL22。第二导电层MTL22包括设置在封装层DP-E上的多个第二导电图案MP22。由于该结构与图6B的第二导电图案MP21对应，因此将省略它们的重复描述。
第一导电层MTL12可以包括多个第一导电图案MP12和多个绝缘图案IL。绝缘图案IL可以设置在第一导电图案MP12上。绝缘图案IL可以接触第一导电图案MP12，并且绝缘图案IL可以分别覆盖第一导电图案MP12的顶表面。绝缘图案IL可以改善与第一导电图案MP12相邻的组件(例如，第二电极E2)之间的电绝缘。
可选择地，如图7B中所示，第一感测图案S13包括第一导电层MTL13，第二感测图案S23包括第二导电层MTL23。第二导电层MTL23包括设置在封装层DP-E上的多个第二导电图案MP23。由于该结构与图6B的第二导电图案MP21对应，因此将省略它们的重复描述。
第一导电层MTL13可以包括多个第一导电图案MP13和多个绝缘图案IL1。绝缘图案IL1可以设置在第一导电图案MP13上。绝缘图案IL1可以接触第一导电图案MP13，绝缘图案IL1可以分别覆盖第一导电图案MP13的顶表面和侧表面。
根据发明构思，电子面板PN还可以包括分别覆盖第一导电图案MP12和MP13的绝缘图案IL和IL1，以防止第二电极E2与第一导电层MTL12和MTL13之间的短路以及出现寄生电容的缺陷。因此，可以改善电子面板PN的电特性和可靠性。
图8A至图8M是示出根据发明构思的实施例的制造电子面板的工艺的剖视图。图9A至图9E是示出根据发明构思的实施例的制造电子面板的工艺的剖视图。图8A至图8M图示了示出制造图4A的区域的工艺的剖视图，图9A至图9E示出了与图8M的区域YY'对应的区域的剖视图。在下文中，将参照图8A至图9E来描述本公开。可以对与图1至图7B的组件相同的组件给予相同的附图标记，并且将省略它们的详细描述。
如图8A中所示，在基体基底BSS上形成像素晶体管TR-P、多个绝缘层10、20、30和40以及第一电极E1。可以通过在基体层BS上沉积或施用无机材料形成辅助层BL以提供基体基底BSS。可以通过包括沉积或图案化工艺的一般薄膜晶体管制造工艺来形成像素晶体管TR-P，但其不限于特定实施例。可以在第三绝缘层30中形成使输出电极OE暴露的通孔之后形成第一电极E1。这里，可以去除与孔区域HA对应的区域。此后，可以沉积或施用绝缘材料以形成第四绝缘层40。这里，第四绝缘层40可以与整个孔区域HA和有效区域AA叠置。
此后，如图8B中所示，可以使第四绝缘层40图案化以形成使第一电极E1的一部分暴露的开口OP。可以在开口OP中形成稍后将形成的发光图案。因此，开口OP可以与发光区域对应。这里，也可以去除与孔区域HA对应的区域。这里，可以去除第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每个的一部分以形成预定的开口。开口可以在平面上在孔区域HA中具有圆形形状。此外，稍后可以在开口中形成凹陷图案GV。
此后，如图8C中所示，在第四绝缘层40上形成第一掩模层M1。可以通过沉积或施用导电材料来形成第一掩模层M1。第一掩模层M1可以完全地覆盖有效区域AA和孔区域HA，并且还可以形成在其中形成有绝缘层的开口中。导电材料可以包括具有导电性的各种材料。例如，第一掩模层M1可以由金属、透明导电氧化物和导电聚合物中的至少一种形成。
此后，如图8D和图8E中所示，在第一掩模层M1上形成光致抗蚀剂图案PRP，然后使光致抗蚀剂图案PRP图案化以形成第二掩模层M2(见图8F)。可以通过在第一掩模层M1中形成限定在孔区域HA中的开口OP-M来形成第二掩模层M2(见图8F)。可以通过蚀刻工艺ET1来去除第一掩模层M1的从光致抗蚀剂图案PRP暴露的区域，以形成开口OP-M。开口OP-M可以与其中形成有凹陷图案GV的区域对应。
此后，如图8F至图8H中所示，在基体基底BSS中形成凹陷部(在下文中，也称为“凹槽部”)HM。可以在孔区域HA中形成凹陷部HM。凹陷部HM形成在与第二掩模层M2的开口OP-M对应的区域中。
具体地，如图8F和图8G中所示，在去除光致抗蚀剂图案PRP之后，可以通过使用第二掩模层M2作为掩模在辅助层BL中形成开口OP-B。可以通过蚀刻工艺ET2来去除辅助层BL的从第二掩模层M2暴露的区域(即，辅助层BL的通过第二掩模层M2的开口OP-M暴露的区域)，以形成开口OP-B。
此后，如图8G和图8H中所示，可以通过使用第二掩模层M2作为掩模来去除基体层BS的一部分以形成凹陷部HM。可以通过蚀刻工艺ET3来去除基体层BS的从辅助层BL暴露的区域的至少一部分(即，辅助层BL的通过开口OP-B暴露的区域的至少一部分)。这里，可以控制蚀刻工艺ET3的强度和时间，以去除基体层BS的仅一部分，该部分具有不足以穿透基体层BS的厚度。因此，凹陷部HM可以穿透辅助层BL，然后具有从基体层BS凹陷的深度。
凹陷部HM可以具有包括底切形状的侧表面。辅助层BL可以具有比基体层BS的内表面进一步突出的端部。这可以是由辅助层BL与基体层BS之间的蚀刻速率差异导致的。因此，凹陷部HM可以包括预定的尖端部。
此后，如图8I中所示，在第四绝缘层40上形成第一导电层MTL1。可以通过使第二掩模层M2图案化来形成第一导电层MTL1，以形成多个导电图案MP1。根据发明构思，第二掩模层M2可以不被去除而被保留，以作为第一导电层MTL1。因此，可以省略去除第二掩模层M2的工艺，并且可以在形成显示单元DPU的工艺期间执行形成输入感测单元ISU的一部分。
此后，如图8J中所示，形成发光器件OD。可以通过在第一电极E1上顺序地形成发光图案EP、控制层EL和第二电极E2来形成发光器件OD。可以通过在开口OP中印刷或注入发光材料来形成发光图案EP。
可以通过沉积有机材料来形成控制层EL。可以通过热沉积(即，蒸发)来形成控制层EL。这里，可以在凹槽部HM中沉积有机材料的一部分，以形成有机图案EL-P。可以通过沉积导电材料来形成第二电极E2。第二电极E2的沉积可以包括包含热沉积和溅射的物理沉积工艺。因此，尽管未示出，但可以在第二电极E2的沉积工艺期间在凹槽部HM中形成导电材料的一部分，以形成图案。
此后，如图8K中所示，在显示器件层DP-D上形成封装层DP-E。可以通过顺序地层叠第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2来形成封装层DP-E。
具体地，可以在有效区域AA和孔区域HA中形成第一无机层IOL1。可以通过沉积绝缘材料来形成第一无机层IOL1。例如，可以通过沉积无机材料来形成或通过化学气相沉积来形成第一无机层IOL1。这里，可以沿凹槽部HM的内表面来形成第一无机层IOL1。
可以通过诸如丝网印刷工艺或喷墨工艺的溶液工艺经由将液体有机材料施用到第一无机层IOL1来形成有机层OL。液体有机材料覆盖第一无机层IOL1的弯曲的顶表面以提供平坦的表面。在本实施例中，尽管有机层OL形成在有效区域AA中，但发明构思的实施例不限于此。例如，有机层OL的一部分可以根据施用或扩散的液体有机材料的量延伸，以填充凹槽部HM的一部分。
可以通过在有机层OL上沉积绝缘材料来形成第二无机层IOL2。例如，可以通过沉积无机材料来形成或通过化学气相沉积来形成第二无机层IOL2。第二无机层IOL2覆盖有机层OL的顶表面和第一无机层IOL1的未被有机层OL覆盖的部分。第二无机层IOL2可以形成为接触第一无机层IOL1，并且第一无机层IOL1和第二无机层IOL2可以密封有机层OL。这里，可以沿凹槽部HM的内表面来形成第二无机层IOL2，因此可以形成凹陷图案GV。
此后，如图8L中所示，在孔区域HA中形成模块孔MH。模块孔MH可以形成为穿透电子面板PN。可以通过激光或钻孔穿透设置在孔区域HA中的基体基底BSS、第一绝缘层10、第二绝缘层20、控制层EL、第二电极E2、第一无机层IOL1和第二无机层IOL2。
此后，如图8M中所示，可以在封装层DP-E上形成多个第二导电图案MP2以形成输入感测单元ISU。这将参照图9A至图9E来描述。
如图9A中所示，在第四绝缘层40上形成第一导电图案MP1，并且在第一导电图案MP1上顺序地层叠控制层EL、第二电极E2、第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。图9A可以与图8I的工艺对应。
此后，如图9B中所示，形成使第一导电图案MP1暴露的接触孔CH。可以通过预定的蚀刻工艺通过去除控制层EL、第二电极E2、第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2的部分来形成接触孔CH。用于形成接触孔CH的蚀刻工艺可以作为单个工艺或多个工艺来执行。对于控制层EL、第二电极E2、第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2中的每个，可以在不同环境下执行蚀刻工艺，但其不限于特定实施例。
此后，如图9C中所示，形成绝缘层ILL。可以通过沉积或施用绝缘材料来形成绝缘层ILL。这里，绝缘层ILL可以覆盖第二无机层IOL2的顶表面、接触孔CH的内表面以及第一导电图案MP1的通过接触孔CH暴露的部分。
此后，如图9D中所示，可以使绝缘层ILL图案化以形成内绝缘层IP。可以通过仅留下绝缘层ILL的覆盖接触孔CH的内表面的部分并且去除其余部分来形成内绝缘层IP。具体地，可以通过去除绝缘层ILL的覆盖第二无机层IOL2的顶表面的部分和绝缘层ILL的覆盖第一导电图案MP1的顶表面的部分来形成内绝缘层IP。因此，第一导电图案MP1的一部分可以从内绝缘层IP暴露，并且第二电极E2可以被内绝缘层IP覆盖。尽管未示出，但绝缘层ILL的覆盖第二无机层IOL2的顶表面的部分可以不被去除以保留在第二无机层IOL2上，但发明构思不限于特定实施例。
此后，如图9E中所示，形成第二导电图案MP2。可以通过在第二无机层IOL2上沉积或施用导电材料然后使沉积或施用的导电材料图案化来形成第二导电图案MP2。第二导电图案MP2可以接触第一导电图案MP1的从内绝缘层IP暴露的顶表面。
因此，即使第一导电图案MP1和第二导电图案MP2彼此分隔开并且封装层DP-E位于其间，第一导电图案MP1和第二导电图案MP2也可以容易地彼此连接。此外，即使第二电极E2设置在第一导电图案MP1与第二导电图案MP2之间，也由于第二电极E2被内绝缘层IP覆盖，因此可以稳定地阻断第二电极E2与第二导电图案MP2之间的电连接。
根据发明构思，输入感测单元的组件的一部分可以设置在显示单元的组件之间，并且可以防止组件之间的电干扰。因此，可以减小电子设备的厚度，并且可以改善剖面上的多个单元的集成。
此外，根据发明构思，可以在制造显示单元的工艺中形成输入感测单元的组件的一部分。因此，可以减少工艺数量以降低制造成本。
对于本领域技术人员将明显的是，可以在发明构思中进行各种修改和变化。因此，本公开意图覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的发明的修改和变化。
因此，发明构思的真正保护范围应由所附权利要求的技术范围来确定。

Claims (11)

1.一种电子设备，所述电子设备包括：
基体基底，包括彼此面对的前表面和后表面，并且在所述基体基底中限定有穿透所述前表面和所述后表面的模块孔；
薄膜晶体管，设置在所述基体基底上；
发光器件，包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、设置在所述第一电极上的第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光图案；
封装层，覆盖所述发光器件；
输入感测单元，设置在所述基体基底上，并且包括多个第一导电图案和设置在所述多个第一导电图案上的多个第二导电图案；以及
绝缘层，设置在所述多个第一导电图案与所述多个第二导电图案之间，
其中，所述封装层设置在所述多个第一导电图案与所述多个第二导电图案之间。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多个第二导电图案包括：
第一感测电极，在第一方向上延伸；以及
第二感测电极，在与所述第一方向交叉的方向上延伸以与所述第一感测电极一起产生电容。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述多个第一导电图案中的至少一部分通过穿透所述封装层的接触孔连接到所述多个第二导电图案中的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述多个第一导电图案在平面上与所述第二电极叠置，并且
所述接触孔穿透所述第二电极。
5.根据权利要求3所述的电子设备，所述电子设备还包括覆盖所述接触孔的侧表面的内绝缘层，
其中，所述第二电极和所述多个第二导电图案通过所述内绝缘层彼此电断开。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极、所述发光图案和所述第二电极中的每个设置为多个，
其中，所述多个第二电极设置为分别与所述多个发光图案叠置，并且
其中，所述多个第一导电图案在平面上与所述多个第二电极分隔开。
7.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备还包括与所述第一电极相邻的辅助电极，
其中，所述第一电极、所述发光图案和所述第二电极中的每个设置为多个，
其中，所述多个第二电极设置为分别与所述多个发光图案叠置，并且
其中，所述多个第二电极连接到所述辅助电极。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极、所述发光图案和所述第二电极中的每个设置为多个，
其中，所述多个第二电极设置为分别与所述多个发光图案叠置，并且
其中，所述多个第一导电图案和所述多个第二导电图案在平面上彼此分隔开。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述绝缘层包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，并且
所述有机层完全地覆盖所述多个第一导电图案。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述绝缘层包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，
其中，所述有机层完全地覆盖所述多个第一导电图案，
其中，所述绝缘层还包括分别覆盖所述多个第一导电图案的多个绝缘图案，并且
其中，所述有机层覆盖所述多个绝缘图案。
11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述封装层包括第一无机层、设置在所述第一无机层上的第二无机层以及设置在所述第一无机层与所述第二无机层之间的有机层，并且
所述模块孔穿透所述第一无机层和所述第二无机层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021217525A1 (zh) * 2020-04-29 2021-11-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102060471B1 (ko) * 2017-02-01 2019-12-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20200060002A (ko) * 2018-11-22 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102664157B1 (ko) * 2018-12-03 2024-05-07 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR102517734B1 (ko) * 2018-12-17 2023-04-03 엘지디스플레이 주식회사 센서패키지 모듈을 포함하는 유기발광 표시장치
CN110010668B (zh) * 2019-04-09 2021-07-27 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110444576B (zh) * 2019-08-14 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR20210040230A (ko) * 2019-10-02 2021-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210103614A (ko) * 2020-02-13 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111552408A (zh) * 2020-04-29 2020-08-18 南昌欧菲显示科技有限公司 桥式触控电极及其制作方法和触控屏
US20230413615A1 (en) * 2020-09-23 2023-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US12056301B2 (en) * 2021-10-18 2024-08-06 Lg Display Co., Ltd. Touch display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170063216A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
US20170162637A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108132732A (zh) * 2018-01-31 2018-06-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触摸屏及移动终端
US20180164933A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Lg Display Co., Ltd. Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5811312B2 (ja) * 2013-09-04 2015-11-11 コニカミノルタ株式会社 面状発光ユニット
KR102175991B1 (ko) * 2014-12-26 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104731405B (zh) * 2015-03-09 2018-01-19 上海天马微电子有限公司 一种触控显示装置及其制造方法
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR102388722B1 (ko) * 2015-11-20 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR102550322B1 (ko) 2016-03-22 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102421577B1 (ko) 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102493607B1 (ko) * 2016-06-15 2023-02-01 삼성전자주식회사 지문 인식 기능을 지원하는 전자 장치 및 이의 운용 방법
KR102066099B1 (ko) * 2016-07-29 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102586113B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시패널, 터치스크린 내장형 표시장치, 통합 구동 회로 및 구동 방법
KR102103962B1 (ko) 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR102565306B1 (ko) * 2016-11-23 2023-08-10 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 터치표시장치
KR102618350B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180070218A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107024813B (zh) * 2017-06-06 2020-10-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN107132685B (zh) * 2017-06-23 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板和显示装置
KR102418612B1 (ko) * 2018-01-03 2022-07-08 엘지전자 주식회사 이동 단말기
CN108416280B (zh) * 2018-02-26 2021-09-17 厦门天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
KR102560100B1 (ko) 2018-03-08 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102593459B1 (ko) * 2018-04-18 2023-10-24 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102609418B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 표시 패널의 제조 방법
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170063216A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
US20170162637A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180164933A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Lg Display Co., Ltd. Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
CN108132732A (zh) * 2018-01-31 2018-06-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触摸屏及移动终端

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021217525A1 (zh) * 2020-04-29 2021-11-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
CN114127945A (zh) * 2020-04-29 2022-03-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
CN114127945B (zh) * 2020-04-29 2023-07-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
US11910660B2 (en) 2020-04-29 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display substrate and manufacturing method thereof, and organic light-emitting display device

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