CN110858584A - 发光模块及发光串列装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光模块及发光串列装置,其包含绝缘本体、控制芯片、发光单元及多个引脚。绝缘本体具有上容置空间及下容置空间,下容置空间正对地位于上容置空间的下方,上容置空间于绝缘本体的上端处形成一开口。控制芯片位于下容置空间中。发光单元位于上容置空间中且电性连接控制芯片。多个引脚外露于绝缘本体外。控制芯片能接收一外部控制装置通过引脚所传递的电信号,以控制发光单元发光。本发明的发光模块能用以改善现有技术中,内部封装有控制芯片的发光模块尺寸无法再缩小的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光模块及发光串列装置,特别是涉及一种内部包含有控制芯片的发光模块及具有发光模块的发光串列装置。
背景技术
现有内部包含有控制芯片的LED单元,由于控制芯片的设置,因此,无法被广泛地应用于小尺寸的电子装置中。但内部包含有控制芯片的LED单元,在电子控制等方面相较于传统将控制芯片设置于LED单元外,具有方便控制等优势。因此,对于LED单元的相关业者而言,如此,缩小内部具有控制芯片的LED单元,成为极需被改善的问题之一。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光模块及发光串列装置,用以改善现有技术中,内部封装有控制芯片的发光模块尺寸无法再缩小的问题。
本发明的实施例中公开了一种发光模块,其特征在于,发光模块包含:一绝缘本体,绝缘本体围绕形成一上容置空间及一下容置空间,下容置空间正对地位于上容置空间的下方,上容置空间于绝缘本体的上端处形成一开口;一控制芯片,位于下容置空间中;至少一发光单元,位于上容置空间中且电性连接控制芯片,发光单元所发出的光束能通过开口向外射出;多个引脚,外露于绝缘本体外,其中,控制芯片能接收一外部控制装置通过引脚所传递的电信号,以控制发光单元发光。
优选地,发光模块进一步包含一基板,基板设置于绝缘本体中,基板位于上容置空间及下容置空间之间,基板的彼此相反的两个宽侧面分别定义为一第一安装面及一第二安装面,第一安装面外露于上容置空间,第二安装面外露于下容置空间,其中发光单元固定设置于第一安装面上,控制芯片固定设置于第二安装面上。
优选地,基板包含多个导电通道,发光单元通过至少一个导电通道电性连接控制芯片,至少一个导电通道与引脚电连接。
优选地,发光模块包含多个导线架,发光单元通过导线架电性连接控制芯片,导线架的部分外露于绝缘本体,形成引脚。
优选地,上容置空间及下容置空间中各自填充有一胶体,发光单元通过至少一金属导线或焊接体电性连接于第一安装面,控制芯片通过至少一金属导线或焊接体电性连接于第二安装面。
优选地,发光单元及控制芯片各自不凸出于绝缘本体。
优选地,发光模块具有三个发光单元,分别为一红光发光二极管芯片、一蓝光发光二极管芯片及一绿光发光二极管芯片,红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠。
优选地,上容置空间与下容置空间相互连通,发光模块进一步包含一基板,基板设置于绝缘本体的下端处,基板的一宽侧面外露于下容置空间,控制芯片固定设置于基板外露于下容置空间的宽侧面,发光单元固定设置于控制芯片相反于基板的一侧。
本发明的实施例中公开了一种发光串列装置,其特征在于,发光串列装置包含:一发光模块及至少一串接模块。发光模块包含:一绝缘本体,绝缘本体围绕形成一上容置空间及一下容置空间,下容置空间正对地位于上容置空间的下方,上容置空间于绝缘本体的上端处形成一开口;一控制芯片,位于下容置空间中;至少一第一发光单元,位于上容置空间中且电性连接控制芯片,第一发光单元所发出的光束能通过开口向外射出;多个引脚,外露于绝缘本体外。串接模块具有至少一第二发光单元,第二发光单元电性串联第一发光单元,其中,控制芯片能接收一外部控制装置通过引脚所传递的电信号,以同时控制第一发光单元及第二发光单元发光。
优选地,发光模块具有三个第一发光单元,分别为一第一红光发光二极管芯片、一第一蓝光发光二极管芯片及一第一绿光发光二极管芯片,其中第一红光发光二极管芯片、第一绿光发光二极管芯片及第一蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠;串接模块具有三个第二发光单元,分别为一第二红光发光二极管芯片、一第二蓝光发光二极管芯片及一第二绿光发光二极管芯片,其中第二红光发光二极管芯片、第二绿光发光二极管芯片及第二蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠,其中第一红光发光二极管芯片电性串联第二红光发光二极管芯片,第一蓝光发光二极管芯片电性串联第二蓝光发光二极管芯片,第一绿光发光二极管芯片电性串联第二绿光发光二极管芯片。
本发明的有益效果可以在于:通过使控制芯片与发光单元分别设置于基板或是多个导线架彼此相反的两个侧面的设计,或例如是使控制芯片与发光单元呈垂直式设置,将可大幅缩小发光模块整体的尺寸。
附图说明
图1为本发明的发光模块的第一实施例的立体示意图。
图2为本发明的发光模块的第一实施例的另一角度的立体示意图。
图3为本发明的发光模块的第一实施例的剖面示意图。
图4为本发明的发光模块的其中一个实施例的剖面示意图。
图5为本发明的发光模块的第二实施例的剖面示意图。
图6为图5的局部VI放大示意图。
图7为本发明的发光模块的第三实施例的立体示意图。
图8为本发明的发光模块的第三实施例的剖面示意图。
图9为本发明的发光模块的第四实施例的立体示意图。
图10为本发明的发光模块的第四实施例的剖面示意图。
图11为本发明的发光模块的第五实施例的立体示意图。
图12为本发明的发光模块的第五实施例的剖面示意图。
图13为本发明的发光串列装置的局部俯视示意图。
图14为本发明的发光串列装置的其中一个发光模块的示意图。
图15为本发明的发光模块的第六实施例的剖面示意图。
具体实施方式
请一并参阅图1至图3,图1及图2为本发明的发光模块第一实施例的立体示意图;图3为本发明的发光模块的第一实施例的剖面示意图。如图所示,发光模块100包含一绝缘本体10、一基板13、三个发光单元14、一控制芯片15及四个引脚16。
绝缘本体10彼此相反的两端分别内凹形成有一第一凹槽101及一第二凹槽102,第一凹槽101内为上容置空间10a(如图4所示),第二凹槽102内为下容置空间10b(如图4所示),上容置空间10a及下容置空间10b被绝缘本体10围绕形成,下容置空间10b正对地位于上容置空间10a的下方,上容置空间10a于绝缘本体10的上端处形成一开口。
在实际应用中,第一凹槽101及第二凹槽102的外型可以是依据需求变化,图中所示仅为其中一实施例;第一凹槽101的上容置空间10a及第二凹槽102的下容置空间10b基本上是不相互连通,但不以此为限。在实际应用中,形成上容置空间10a的侧壁,即为第一凹槽101的侧壁,可以是设置有反射层(图未示),且形成上容置空间10a的侧壁也可以是呈现为倾斜状,如此,将可辅助导引发光单元14所发出的光束。在实际实施中,第一凹槽101的上容置空间10a中可以是填充有透光胶体11,而第二凹槽102的下容置空间10b中可以是填充有封装胶体12,但不以此为限。如图4所示,在特殊的应用中,上容置空间10a及下容置空间10b中也可以是完全不填充有胶体。或者,在不同的实施例中,也可以是上容置空间10a及下容置空间10b仅有其中一个填充有胶体。填充于上容置空间10中的胶体必须为透光的胶体,以让设置于上容置空间10a中的发光单元14所发出的光束得以向外射出。填充于下容置空间10b的胶体,则不局限为透光或是不透光。
基板13设置于绝缘本体10中,且基板13位于第一凹槽101及第二凹槽102之间,即为位于上容置空间10a及下容置空间10b之间,基板13彼此相反的两个宽侧面分别定义为一第一安装面131及一第二安装面132,第一安装面131外露于第一凹槽101的底部,即外露于上容置空间10a中,第二安装面132外露于第二凹槽102的底部,即外露于下容置空间10b中。
如图3所示,基板13中可以包含有多个导电通道133。具体来说,基板13可以是任何形式的电路板,而第一安装面131及第二安装面132可以是依据需求以蚀刻等方式,形成有导电布线结构(Layout)及多个焊垫等结构,而导电通道133可以是由形成于基板13的穿孔及填充于穿孔中的导电材料所构成。关于第一安装面131及第二安装面132上所形成的导电布线结构及焊垫等结构,可以是依据发光单元14的种类、发光单元14的数量、控制芯片15的种类及发光模块100的引脚16数量等设计,于此不加以限制。关于导电通道133的数量及其设置位置,可以是依据控制芯片15及发光单元14设置于基板13上的位置而决定。其中,控制芯片15例如可以是用来驱动发光单元14亮起的驱动芯片,或者可以是各式的微处理器。值得一提的是,在具体的应用中,为了避免控制芯片15不预期地被破坏,控制芯片15设置于下容置空间10b中时,控制芯片15是不凸出于绝缘本体10。
如图3所示,三个发光单元14固定设置于第一安装面131,且各个发光单元14通过多个金属导线141,而与第一安装面131上的导电布线结构电连接,并与基板13中的导电通道133电连接。固定于第一安装面131的三个发光单元14位于第一凹槽101的上容置空间10a中,且三个发光单元14被填充于第一凹槽101中的透光胶体11所包覆,而三个发光单元14所发出的光束,能通过透光胶体11以向外射出。
在实际应用中,三个发光单元14可以分别为一红光发光二极管芯片、一蓝光发光二极管芯片及一绿光发光二极管芯片,红光发光二极管芯片能发出波长610纳米至780纳米的光束,蓝光发光二极管芯片能发出波长450纳米至495纳米的光束,绿光发光二极管芯片能发出波长500纳米至570纳米的光束,红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片及绿光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠,而红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片及绿光发光二极管芯片所发出的光束,能相互混合成为一混光光束。特别说明的是,发光单元14可以是包含有任何发光芯片,例如是能发出红外线、紫外(UV)光的发光芯片,不以上述红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片及绿光发光二极管芯片为限。于本实施例中,是以三个能发出不同色光的发光单元14为例,但不以此为限,在具体的实施例中,发光模块100可以是具有四个以上或是两个以下的发光单元14,且发光单元14所能发出的光束的波长可以是彼此相同,或者是完全不同,或者也可以是部分的发光单元14所发出的光束的波长是相同。
值得一提的是,在具体的应用中,为了避免发光单元14不预期地被破坏,发光单元14设置于上容置空间10a中时,发光单元14是不凸出于绝缘本体10;且在上容置空间10a中设置有多个发光单元14的情况下,使多个发光单元14不凸出于绝缘本体10的设计,还可以使多个发光单元14所发出的光束,能先于上容置空间10a中充分地相互混合后,才由绝缘本体10的上端处的开口向外射出。
控制芯片15固定设置于第二安装面132,且控制芯片15通过多个金属导线151与第二安装面132上的导电布线结构电连接,控制芯片15能通过基板13中的导电通道133与三个发光单元14电连接,但控制芯片15与三个发光单元14电性连接的方式不以通过基板13的导电通道133为限,任何可以使控制芯片15与三个发光单元14电性连接的方式皆属于本实施例的据以实施的范围中。控制芯片15位于第二凹槽102内的下容置空间10b中,且控制芯片15被包覆于填充于第二凹槽102中的封装胶体12中,而控制芯片15是不外露于绝缘本体10或封装胶体12。其中,封装胶体12可以是不透光结构或是透光结构,于此不加以限制。
第二凹槽102仅是用以使基板13的第二安装面132外露于下容置空间10b中,而让控制芯片15能设置于第二安装面132上,因此,第二凹槽102的下容置空间10b的尺寸及外型,大致是依据控制芯片15的尺寸设计,而第二凹槽102的下容置空间10b的尺寸、外型与第一凹槽101的上容置空间10a的尺寸、外型没有绝对的相对关系。通过使第二凹槽102正对地位于第一凹槽101的下方(即使下容置空间10b正对地位于上容置空间10a的下方),将可有效地缩小发光模块100的整体尺寸。
如图2所示,多个引脚16外露于绝缘本体10外,部分引脚16与发光单元14电连接,部分引脚16与控制芯片15电连接;其中,引脚16可以是通过基板13的第一安装面131上的导电布线结构、第二安装面132上的导电布线结构及多个导电通道133,与多个发光单元14及控制芯片15电连接。特别说明的是,于此所指的引脚16即是用来使发光模块100焊接于相关电子构件的结构;在具体的实施应用中,引脚16可以是由基板13所延伸的结构,或者引脚16可以为独立于基板13的金属构件,而引脚16的一端是固定于基板13上,引脚16的另一端则是外露于绝缘本体10外。其中,控制芯片15能接收外部控制装置通过引脚16所传递的电信号,以控制发光单元14所发出的光束的亮度或色温。关于引脚16的数量及其外型,可以是依据需求变化,不以图中所示为限。
请一并参阅图5及图6,图5为本发明的发光模块的第二实施例的剖面示意图,图6为图5的局部VI放大示意图。如图所示,本实施例与前述实施例最大差异在于:各个发光单元14可以是通过焊接体142与设置于第一安装面131上的多个焊垫134相互连接,且控制芯片15也可以是通过焊接体142与设置于第二安装面132上的多个焊垫134相互连接。其中,设置于第一安装面131及第二安装面132的多个焊垫134是与设置于基板13中的导电通道133电连接。
具体来说,在实际安装发光单元14及控制芯片15的过程中,可以是于发光单元14及控制芯片15欲进行电连接的位置上设置焊接球(例如锡球),再直接将设置有焊接球的发光单元14及控制芯片15对应设置于第一安装面131及第二安装面132上的多个焊垫134,而后再对焊接球进行固化作业,以于发光单元14及焊垫134之间和控制芯片15与焊垫134之间形成焊接体142;如此,制造方式将无需使用前述实施例所述的金属导线,从而可大幅提升发光单元14或控制芯片15正确地安装于基板13的良率。
特别说明的是,在实际应用中,发光单元14及控制芯片15可以是依据实际生产制造时的需求,而分别以本实施例的方式或是以前述实施例的方式安装于基板13上;举例来说,同一个发光模块100中,可以是使发光单元14通过多个金属导线141与基板13电连接,而使控制芯片15通过多个焊接体142与基板13电连接;或者,同一个发光模块100也可以是使发光单元14通过多个焊接体142与基板13电连接,而使控制芯片15通过多个金属导线151与基板13电连接。
请一并参阅图7至图10,图7及图8显示为本发明的发光模块的第三实施例的示意图;图9及图10显示为本发明的发光模块的第四实施例的示意图。如图7及图8所示,本实施例与前述实施例最大差异在于:发光模块100可以不包含有前述的基板13,而包含有多个导线架17(lead frame)。以下说明仅针对导线架17进行说明,其余构件请参阅前述实施例说明,于此不再赘述。
各个导线架17彼此相反的两侧面,分别露出于第一凹槽101及第二凹槽102,即各个导线架17分别露出于第一凹槽101的上容置空间10a及第二凹槽102的下容置空间10b,且各个导线架17的部分外露于绝缘本体10,以作为前述实施例所载的引脚16;关于引脚16的详细说明,请参阅前述实施例,于此不再赘述。
多个发光单元14固定设置于多个导线架17露出于第一凹槽101的上容置空间10a的部分,多个发光单元14对应位于上容置空间10a中,各个发光单元14通过多个第一金属导线141与至少一部分的导线架17电连接。其中,多个发光单元14及多个第一金属导线141一同被透光胶体11包覆。关于导线架17的数量,可以是依据发光单元14的数量及控制芯片15的种类决定,于此不加以限制,例如可以是4个、6个、8个等。
控制芯片15固定设置于多个导线架17露出于第二凹槽102的下容置空间10b的部分,控制芯片15通过多个金属导线151与至少一部分的导线架17电连接。控制芯片15及多个金属导线151被封装胶体12包覆。控制芯片15通过多个金属导线151及各个金属导线151所电连接的导线架17而与多个发光单元14电连接。由此,控制芯片15能接收外部控制装置通过多个导线架17所传递的电信号,以对应控制各个发光单元14所发出的光束的亮度或色温。
如图9及图10所示,外露于绝缘本体10外的导线架18的外型,可以是依据使用环境的需求变化,不局限于图7及图8所示。具体来说,导线架18所形成的引脚的焊接面181可以是大致与发光模块100的出光面齐平。
请一并参阅图11及图12,图11显示为本发明的发光模块的第五实施例的示意图,图12显示为图11的剖面示意图。如图所示,本实施例与前述第三实施例、第四实施例最大不同之处在于:导线架18的外型可以是依据实际需求变化。具体来说,本实施例的导线架18是仅外露于绝缘本体10的一侧,而发光模块100可以是直接通过于绝缘本体10一侧的导线架18固定于电路板上,据以让发光模块100可以作为侧发光光源。本实施例的发光模块的其他构件的详细说明与前述实施例相同,于此不再赘述。
请一并参阅图13及图14,图13显示为本发明的发光串列装置应用于显示装置的局部俯视图,图14为发光串列装置的其中一个发光模块的示意图。如图13所示,显示装置D包含一电路板D1及多个发光串列装置。各个发光串列装置包含有一发光模块100及至少一串接模块200,例如四个串接模块200。关于发光模块100的详细说明,请参阅前述实施例,于此不再赘述。各串接模块200包含有至少一第二发光单元,例如三个第二发光单元202A、202B、202C。四个串接模块200的第二发光单元202A、202B、202C与第一发光单元14A、14B、14C分别电性串联。
特别说明的是,为利于清楚说明本实施例的主要特征,在图13及图14中所示的发光模块100,是仅示出出基板13、三个第一发光单元14A、14B、14C、控制芯片15及形成于基板13上的多个金属垫13A、13B。其中,于此所指的第一发光单元14A、14B、14C与前面实施例所述的发光单元14完全相同,于本实施例中仅是为了清楚说明,而将前述的发光单元14改称为第一发光单元14A、14B、14C。
在具体的应用中,三个第一发光单元14A、14B、14C可以分别为一第一红光发光二极管芯片、一第一蓝光发光二极管芯片及一第一绿光发光二极管芯片。各个第一发光单元14A、14B、14C可以是通过两个金属导线141而与两个金属垫13A、13B连接。三个金属垫13B可以是通过基板13中的导电通道而与设置于基板13的第二安装面的控制芯片电连通。
于图13及图14中,是以各个第一发光单元14A、14B、14C以打线(Wire Bonding)的方式与基板13上的金属垫13A、13B相连接,但第一发光单元14A、14B、14C安装于基板13上的方式,不以此为限;在不同的应用中,第一发光单元14A、14B、14C也可以是以倒装的方式固定于基板13上。
各个串接模块200的三个第二发光单元202A、202B、202C可以分别是第二红光发光二极管芯片、第二蓝光发光二极管芯片及第二绿光发光二极管芯片。第二红光发光二极管芯片、第二蓝光发光二极管芯片及第二绿光发光二极管芯片具有相同于前述的发光二极管芯片的照射范围部分重叠的特性,在此不再赘述。各个串接模块200彼此间可以是通过多个金属导线300而彼此相互串联,且其中一个串接模块200是通过多个金属导线300与发光模块100相连接。也就是说,显示装置D中的各个发光串列装置的发光模块100是与多个串接模块200电性串联,而各个发光串列装置的第一红光发光二极管芯片电性串联第二红光发光二极管芯片,第一蓝光发光二极管芯片电性串联第二蓝光发光二极管芯片,第一绿光发光二极管芯片电性串联第二绿光发光二极管芯片,如此,各个发光模块100的控制芯片15将可以同时控制对应的发光模块100及与其相串联的所有串接模块200发光。
通过使各个发光模块100的控制芯片15能控制对应的发光模块100及与其相连接的多个串接模块200的设计,将可大幅降低显示装置D所需的控制芯片的数量,从而可降低显示装置D的制作成本,且还可以大幅降低显示装置D的电路板D1上的相关电路设计的复杂度,从而可以提升显示装置D的制造良率,更可以提升显示装置D的性价比。
当然,各个发光模块100的控制芯片15的相关电路设计,可以是依据发光模块100所连接的串接模块200的种类、数量等进行设计,意即,用来同时控制一个发光模块100及多个串接模块200的控制芯片15的电路设计,可以是与用来控制单一个发光模块100的控制芯片15的电路设计不同。另外,在实际应用中,各个发光模块100的控制芯片15可以是连接至一微处理器,而微处理器则是通过各个发光模块100的控制芯片15,控制其余的串接模块200。
关于各个发光模块100所连接的串接模块200的数量,多个发光模块100彼此间的连接关系(串联或是并联等),于此不加以限制,在实际应用中,可以是依据显示装置D的不同而有所不同。另外,各个发光模块100所包含的第一发光单元14A、14B、14C的数量,亦可依据需求变化,不以三个为限;同样地,串接模块200所包含的第二发光单元的数量,亦可依据需求变化,仅需相等于第一发光单元的数量即可。
特别说明的是,如图3所示,在实际应用中,本实施例所举的显示装置D的各个发光模块100的第二凹槽102可以是正对地位于第一凹槽101的下方,使下容置空间10b正对地位于上容置空间10a的下方,由此,不但可以大幅缩小各个发光模块100的体积外,还可以使发光模块100的第一发光单元14A、14B、14C位于发光模块100的正中央的位置,且由于各个串接模块200是不具有控制芯片的一般发光二极管单元,因此,各个串接模块200的第二发光单元也可以是位于串接模块200的正中央;也就是说,显示装置D的第一发光单元14A、14B、14C及第二发光单元都可以是位于所对应地的模块的正中央,如此,将可大幅提升显示装置D的显示质量。
更详细来说,市场现有的内置驱动芯片的发光模块,是使驱动芯片与发光二极管芯片集成在基板的同一平面,如此,将导致发光模块整体尺寸较大;而此种现有的发光模块,应用于显示装置中时,由于各个发光二极管芯片无法位于发光模块的正中央,因此,应用此种发光模块的显示装置,用户在特定角度下观看时,将容易发生有颜色偏差的问题。
依上所述,本实施例的显示装置D的各个发光模块100的第一发光单元14A、14B、14C与控制芯片15是上下垂直地排列设置于基板13上,因此,发光模块100的整体体积相较于现有的内置驱动芯片的发光模块小,且由于发光模块100的第一发光单元14A、14B、14C不是与控制芯片15设置于基板13的同一侧面,因此,第一发光单元14A、14B、14C可以是对应位于发光模块100的正中央,故,本发明的显示装置D相较于上述利用现有内置驱动芯片的发光模块所组成的显示装置,将不容易发生颜色偏差的问题。
请参阅图15,其为本发明的发光模块的第六实施例的剖面示意图。本实施例与前述实施例最大不同之处在于:绝缘本体10围绕形成上容置空间10a及下容置空间10b,且绝缘本体10的上容置空间10a及下容置空间10b是彼此相互连通,而基板13是设置于绝缘本体10的下端处,且基板13是正对地位于下容置空间10b的下方。基板13的一宽侧面外露于下容置空间10b。控制芯片15固定设置于基板13外露于下容置空间10b的宽侧面,发光单元14固定设置于控制芯片15相反于基板13的一侧。换句话说,基板13对应位于绝缘本体10的一端,而基板13与绝缘本体10的侧壁共同形成有一凹槽,此凹槽内为相互连通的上容置空间10a及下容置空间10b,控制芯片15固定设置于基板13露出于凹槽的宽侧面,发光单元14则是固定设置于控制芯片相反于基板13的一侧。
Claims (10)
1.一种发光模块,其特征在于,所述发光模块包含:
一绝缘本体,所述绝缘本体围绕形成一上容置空间及一下容置空间,所述下容置空间正对地位于所述上容置空间的下方,所述上容置空间于所述绝缘本体的上端处形成一开口;
一控制芯片,位于所述下容置空间中;
至少一发光单元,位于所述上容置空间中且电性连接所述控制芯片,所述发光单元所发出的光束能通过所述开口向外射出;和
多个引脚,外露于所述绝缘本体外,其中,所述控制芯片能接收一外部控制装置通过所述引脚所传递的电信号,以控制所述发光单元发光。
2.依据权利要求1所述的发光模块,其特征在于,所述发光模块进一步包含一基板,所述基板设置于所述绝缘本体中,所述基板位于所述上容置空间及所述下容置空间之间,所述基板的彼此相反的两个宽侧面分别定义为一第一安装面及一第二安装面,所述第一安装面外露于所述上容置空间,所述第二安装面外露于所述下容置空间,其中所述发光单元固定设置于所述第一安装面上,所述控制芯片固定设置于所述第二安装面上。
3.依据权利要求2所述的发光模块,其特征在于,所述基板包含多个导电通道,所述发光单元通过至少一个所述导电通道电性连接所述控制芯片,至少一个所述导电通道与所述引脚电连接。
4.依据权利要求1所述的发光模块,其特征在于,所述发光模块包含多个导线架,所述发光单元通过所述导线架电性连接所述控制芯片,所述导线架的部分外露于所述绝缘本体,形成所述引脚。
5.依据权利要求2所述的发光模块,其特征在于,所述上容置空间及所述下容置空间中各自填充有一胶体,所述发光单元通过至少一金属导线或焊接体电性连接于所述第一安装面,所述控制芯片通过至少一金属导线或焊接体电性连接于所述第二安装面。
6.依据权利要求1所述的发光模块,其特征在于,所述发光单元及所述控制芯片各自不凸出于所述绝缘本体。
7.依据权利要求1所述的发光模块,其特征在于,所述发光模块具有三个所述发光单元,分别为一红光发光二极管芯片、一蓝光发光二极管芯片及一绿光发光二极管芯片,所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片及所述蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠。
8.依据权利要求1所述的发光模块,其特征在于,所述上容置空间与所述下容置空间相互连通,所述发光模块进一步包含一基板,所述基板设置于所述绝缘本体的下端处,所述基板的一宽侧面外露于所述下容置空间,所述控制芯片固定设置于所述基板外露于所述下容置空间的宽侧面,所述发光单元固定设置于所述控制芯片相反于所述基板的一侧。
9.一种发光串列装置,其特征在于,所述发光串列装置包含:
一发光模块,所述发光模块包含:
一绝缘本体,所述绝缘本体围绕形成一上容置空间及一下容置空间,所述下容置空间正对地位于所述上容置空间的下方,所述上容置空间于所述绝缘本体的上端处形成一开口;
一控制芯片,位于所述下容置空间中;
至少一第一发光单元,位于所述上容置空间中且电性连接所述控制芯片,所述第一发光单元所发出的光束能通过所述开口向外射出;和
多个引脚,外露于所述绝缘本体外;和
至少一串接模块,所述串接模块具有至少一第二发光单元,所述第二发光单元电性串联所述第一发光单元,其中,所述控制芯片能接收一外部控制装置通过所述引脚所传递的电信号,以同时控制所述第一发光单元及所述第二发光单元发光。
10.依据权利要求9所述的发光串列装置,其特征在于,所述发光模块具有三个所述第一发光单元,分别为一第一红光发光二极管芯片、一第一蓝光发光二极管芯片及一第一绿光发光二极管芯片,其中所述第一红光发光二极管芯片、所述第一绿光发光二极管芯片及所述第一蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠;所述串接模块具有三个所述第二发光单元,分别为一第二红光发光二极管芯片、一第二蓝光发光二极管芯片及一第二绿光发光二极管芯片,其中所述第二红光发光二极管芯片、所述第二绿光发光二极管芯片及所述第二蓝光发光二极管芯片中的任一个的照射范围能与其余的发光二极管芯片中的至少一个的照射范围部分重叠,其中所述第一红光发光二极管芯片电性串联所述第二红光发光二极管芯片,所述第一蓝光发光二极管芯片电性串联所述第二蓝光发光二极管芯片,所述第一绿光发光二极管芯片电性串联所述第二绿光发光二极管芯片。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111372352A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 指示传感模块、封装工艺及触摸开关 |
CN111599911A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-28 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led发光单元及显示面板 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018100946A1 (de) * | 2018-01-17 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils |
US20210257348A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Tek Beng Low | Light emitting diode package having back-to-back compartment configuration |
CN114864568A (zh) | 2022-04-24 | 2022-08-05 | 弘凯光电(江苏)有限公司 | 封装结构及显示装置 |
CN118156399A (zh) * | 2024-05-11 | 2024-06-07 | 东莞市欧思科光电科技有限公司 | Led灯珠、led灯带及线缆 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168122A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 電子部品実装モジュールの製造方法および電子部品実装モジュール |
JP2003304004A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 光伝送チップ及び取付構造 |
US20090267104A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Lighthouse Technology Co., Ltd | Light-emitting diode package |
US9660150B2 (en) * | 2015-05-13 | 2017-05-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US267104A (en) * | 1882-11-07 | piquet | ||
JPH10144965A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP3985327B2 (ja) | 1998-02-27 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP3682449B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2005-08-10 | 正義 干野 | 照明ランプ |
JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP4757477B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-08-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
JP2007287789A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Epson Imaging Devices Corp | 照明装置、液晶装置及び電子機器 |
US8716952B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-05-06 | Cree, Inc. | Lighting device having first, second and third groups of solid state light emitters, and lighting arrangement |
US9940879B2 (en) * | 2011-10-05 | 2018-04-10 | Apple Inc. | White point uniformity techniques for displays |
TWM436944U (en) | 2012-05-14 | 2012-09-01 | Semisilicon Technology Corp | LED having dual platform |
TWM454627U (zh) | 2012-12-19 | 2013-06-01 | Txc Corp | 分區並列式光感測晶片封裝結構 |
TWM556936U (zh) | 2017-10-26 | 2018-03-11 | 立碁電子工業股份有限公司 | 側光型發光二極體封裝結構 |
TWI662660B (zh) * | 2018-09-03 | 2019-06-11 | 欣興電子股份有限公司 | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
TWI680593B (zh) * | 2018-10-12 | 2019-12-21 | 欣興電子股份有限公司 | 發光元件封裝結構及其製造方法 |
-
2019
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168122A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 電子部品実装モジュールの製造方法および電子部品実装モジュール |
JP2003304004A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 光伝送チップ及び取付構造 |
US20090267104A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Lighthouse Technology Co., Ltd | Light-emitting diode package |
US9660150B2 (en) * | 2015-05-13 | 2017-05-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111372352A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 指示传感模块、封装工艺及触摸开关 |
CN111599911A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-28 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led发光单元及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US10923461B2 (en) | 2021-02-16 |
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