JP2020031212A - 発光モジュール及び発光ストリング装置 - Google Patents

発光モジュール及び発光ストリング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020031212A
JP2020031212A JP2019150004A JP2019150004A JP2020031212A JP 2020031212 A JP2020031212 A JP 2020031212A JP 2019150004 A JP2019150004 A JP 2019150004A JP 2019150004 A JP2019150004 A JP 2019150004A JP 2020031212 A JP2020031212 A JP 2020031212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
diode chip
housing space
control chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019150004A
Other languages
English (en)
Inventor
黄建中
jian zhong Huang
李硯霆
yan ting Li
何俊傑
Jun Jie He
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BRIGHTEK OPTOELECTRONIC (SHENZHEN) CO Ltd
BRIGHTEK OPTOELECTRONIC SHENZHEN CO Ltd
Brightek Optoelectronic Co Ltd
Original Assignee
BRIGHTEK OPTOELECTRONIC (SHENZHEN) CO Ltd
BRIGHTEK OPTOELECTRONIC SHENZHEN CO Ltd
Brightek Optoelectronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BRIGHTEK OPTOELECTRONIC (SHENZHEN) CO Ltd, BRIGHTEK OPTOELECTRONIC SHENZHEN CO Ltd, Brightek Optoelectronic Co Ltd filed Critical BRIGHTEK OPTOELECTRONIC (SHENZHEN) CO Ltd
Publication of JP2020031212A publication Critical patent/JP2020031212A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、絶縁本体と、制御チップと、発光ユニットと、複数のピンと、を備える発光モジュール及び発光ストリング装置を提供する。【解決手段】絶縁本体10は、上端に開口される上収容空間と、上収容空間の真下に位置する下収容空間と、を有する。制御チップ15は下収容空間に位置する。発光ユニット14は、制御チップに電気的に接続されるように上収容空間に位置する。複数のピンは絶縁本体に露出する。制御チップは、外部制御装置からピンを介して伝送される電気信号を受信して、発光ユニットの発光を制御する。本発明に係る発光モジュールは、制御チップが内蔵される発光モジュールのサイズをより縮小することができないような従来技術の問題を改良することができる。【選択図】図3

Description

本発明は、発光モジュール及び発光ストリング装置に関し、特に制御チップが内蔵される発光モジュール及び上記発光モジュールを備える発光ストリング装置に関する。
従来、制御チップが内蔵されるLEDユニットは、制御チップが設置されるため小サイズの電子装置に広く適用されないが、制御チップがLEDユニットの外部に設置される従来のものと比べると、電子制御などの点において便利な制御などの利点を有する。従って、LEDユニットに関する分野の当業者にとって、制御チップが内蔵されるLEDユニットを縮小することは至急改良の必要がある課題となる。
本発明は、制御チップが内蔵される発光モジュールサイズをより縮小することができないような従来技術の問題を改良するために、発光モジュール及び発光ストリング装置を提供することを目的とする。
本発明に係る実施例には、上端に開口される上収容空間及び当該上収容空間の真下に位置する下収容空間が形成されるように囲まれる絶縁本体と、下収容空間に位置する制御チップと、制御チップに電気的に接続されるように上収容空間に位置し、発するビームを開口を介して外へ出射する少なくとも一つの発光ユニットと、絶縁本体に露出する複数のピンと、を備え、制御チップは、外部制御装置からピンを介して伝送される電気信号を受信して、発光ユニットの発光を制御する、ことを特徴とする発光モジュールが開示される。
好ましくは、発光モジュールは、上収容空間及び下収容空間の間に位置するように絶縁本体の中に設置される基板をさらに備え、基板の対向する2つの主表面をそれぞれ第1の実装面及び第2の実装面として定義する場合、第1の実装面が上収容空間に露出し、第2の実装面が下収容空間に露出し、発光ユニットが第1の実装面に固定して設置され、制御チップが第2の実装面に固定して設置される。
好ましくは、基板は複数の導電通路を含み、発光ユニットが少なくとも一つ導電通路を介して制御チップに電気的に接続され、少なくとも一つ導電通路がピンに電気的に接続される。
好ましくは、発光モジュールは複数のリードフレームを有し、発光ユニットがリードフレームを介して制御チップに電気的に接続され、リードフレームの一部は絶縁本体に露出してピンとして形成される。
好ましくは、上収容空間及び下収容空間にそれぞれ樹脂が充填され、発光ユニットが少なくとも一つの金属リード又は溶接体を介して第1の実装面に電気的に接続され、制御チップが少なくとも一つの金属リード又は溶接体を介して第2の実装面に電気的に接続される。
好ましくは、発光ユニット及び制御チップの各々は絶縁本体から突出しない。
好ましくは、発光モジュールは、赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップの3つの発光ユニットを備え、赤発光ダイオードチップ、緑発光ダイオードチップ及び青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲が、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なる。
好ましくは、上収容空間は下収容空間と互いに連通し、発光モジュールは、主表面が下収容空間に露出するように絶縁本体の下端に設けられる基板をさらに有し、制御チップが基板における下収容空間に露出する主表面に固定して設置され、発光ユニットが制御チップにおける基板に反対する側に固定して設置される。
本発明に係る実施例には、発光モジュール及び少なくとも一つのシリアルモジュールを有し、発光モジュールは、上端に開口される上収容空間及び上収容空間の真下に位置する下収容空間が形成されるように囲まれる絶縁本体と、下収容空間に位置する制御チップと、制御チップに電気的に接続されるように上収容空間に位置し、発するビームを開口を介して外へ出射する少なくとも一つの第1の発光ユニットと、絶縁本体に露出する複数のピンと、を備え、シリアルモジュールは、第1の発光ユニットに直列に電気的に接続される少なくとも一つの第2の発光ユニットを備え、制御チップが外部制御装置からピンを介して伝送される電気信号を受信して、第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットの発光を同時に制御する、ことを特徴とする発光ストリング装置が開示される。
好ましくは、発光モジュールは、第1の赤発光ダイオードチップ、第1の青発光ダイオードチップ及び第1の緑発光ダイオードチップの3つの第1の発光ユニットを備え、第1の赤発光ダイオードチップ、第1の緑発光ダイオードチップ及び第1の青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲が、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なり、シリアルモジュールは、第2の赤発光ダイオードチップ、第2の青発光ダイオードチップ及び第2の緑発光ダイオードチップの3つの第2の発光ユニットを備え、第2の赤発光ダイオードチップ、第2の緑発光ダイオードチップ及び第2の青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲が、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なり、第1の赤発光ダイオードチップが第2の赤発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、第1の青発光ダイオードチップが第2の青発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、第1の緑発光ダイオードチップが第2の緑発光ダイオードチップに直列に電気的に接続される。
本発明は、制御チップと発光ユニットとが基板または複数のリードフレームにおける対向する両側面にそれぞれ設置される設計により、あるいは例えば制御チップと発光ユニットとが垂直的に設置される設計により、発光モジュール全体のサイズを大幅縮小することができるような優れた効果を奏する。
図1は、本発明に係る発光モジュールの第1の実施例の斜視模式図である。 図2は、本発明に係る発光モジュールの第1の実施例の他の角度からの斜視模式図である。 図3は、本発明に係る発光モジュールの第1の実施例の断面模式図である。 図4は、本発明に係る発光モジュールの一つの実施例の断面模式図である。 図5は、本発明に係る発光モジュールの第2の実施例の断面模式図である。 図6は、図5の一部拡大模式図である。 図7は、本発明に係る発光モジュールの第3の実施例の斜視模式図である。 図8は、本発明に係る発光モジュールの第3の実施例の断面模式図である。 図9は、本発明に係る発光モジュールの第4の実施例の斜視模式図である。 図10は、本発明に係る発光モジュールの第4の実施例の断面模式図である。 図11は、本発明に係る発光モジュールの第5の実施例の斜視模式図である。 図12は、本発明に係る発光モジュールの第5の実施例の断面模式図である。 図13は、本発明に係る発光ストリング装置の一部上面模式図である。 図14は、本発明に係る発光ストリング装置の一つの発光モジュールの模式図である。 図15は、本発明に係る発光モジュールの第6の実施例の断面模式図である。
図1〜図3を合わせて参照すると、図1及び図2は、本発明に係る発光モジュールの第1の実施例の斜視模式図であり、図3は、本発明に係る発光モジュールの第1の実施例の断面模式図である。図に示すように、発光モジュール100は、絶縁本体10、基板13、3つの発光ユニット14、制御チップ15及び4つのピン16を備える。
絶縁本体10における対向する両端には、第1の凹溝101及び第2の凹溝102がそれぞれ内へ窪んで形成される。第1の凹溝101中に上収容空間10aがあり(図4に示すように)、第2の凹溝102中に下収容空間10bがある(図4に示すように)。また、絶縁本体10は、上収容空間10a及び下収容空間10bが形成されるように囲まれる。下収容空間10bは上収容空間10aの真下に位置する。絶縁本体10の上端に上収容空間10aが開口される。
実際の適用には、第1の凹溝101及び第2の凹溝102の外形が必要に応じて変化されてもよく、図示されるものがその一つの実施例に過ぎない。第1の凹溝101の上収容空間10aと第2の凹溝102の下収容空間10bとがほとんど連通されないが、それに限定されない。実際の適用には、上収容空間10aとして形成される側壁、すなわち第1の凹溝101の側壁は、反射層が設置されてもよく(未図示)、また、傾斜状を呈してもよい。これにより、発光ユニット14からのビームをガイドすることに寄与する。実際の実施には、第1の凹溝101の上収容空間10aに透光樹脂11が充填されてもよく、第2の凹溝102の下収容空間10bにパッケージ樹脂12が充填されてもよいが、それに限定されない。図4に示すように、特徴の適用には、上収容空間10a及び下収容空間10bに樹脂が全く充填されなくてもよく、あるいは、異なる実施例には、上収容空間10a及び下収容空間10bのうちの1つだけに樹脂が充填されてもよい。上収容空間10に充填される樹脂は、上収容空間10aに設置される発光ユニット14からのビームを外へ出射するように光を透過させるための樹脂でなければならない。下収容空間10bに充填される樹脂は、透光または不透光に限定されない。
基板13は、第1の凹溝101及び第2の凹溝102の間に位置するように、すなわち上収容空間10a及び下収容空間10bの間に位置するように、絶縁本体10中に設置され、対向する2つの主表面をそれぞれ第1の実装面131及び第2の実装面132として定義する場合、第1の実装面131が第1の凹溝101の底部に露出し、第2の実装面132が第2の凹溝102の底部に露出し、すなわち、第1の実装面131が上収容空間10aに露出し、第2の実装面132が下収容空間10bに露出する。
図3に示すように、基板13には、複数の導電通路133を含んでもよい。具体的には、基板13が任意形態の回路基板であってもよく、第1の実装面131及び第2の実装面132には、必要に応じてエッチングなどにより導電配線構成(Layоut)及び複数のパッドなどの構成が形成されてもよい。導電通路133は、基板13に形成される貫通穴及び貫通穴に充填される導電材料により構成されてもよい。第1の実装面131及び第2の実装面132に形成される導電配線構成及びパッドなどの構成については、発光ユニット14の種類、発光ユニット14の数、制御チップ15の種類及び発光モジュール100のピン16の数などに応じて設計されてもよく、ここで制限されない。導電通路133の数及びその設置位置については、制御チップ15及び発光ユニット14が基板13に設置される位置により決定されてもよい。だたし、制御チップ15は、例えば、発光ユニット14が点灯するように駆動する駆動チップ、又は各種のマイクロプロセッサであってもよい。説明すべきことは、具体的な適用には、制御チップ15が不意図的に破壊されることを回避するために、制御チップ15が下収容空間10bに設置される場合、制御チップ15が絶縁本体10から突出しないようにする。
図3に示すように、3つの発光ユニット14が第1の実装面131に固定して設置され、且つ各発光ユニット14が複数の金属リード141を介して第1の実装面131における導電配線構成に電気的に接続され、基板13における導電通路133に電気的に接続される。第1の実装面131に固定される3つの発光ユニット14は第1の凹溝101の上収容空間10aに位置する。3つの発光ユニット14は第1の凹溝101に充填される透光樹脂11により被覆される。3つの発光ユニット14からのビームは透光樹脂11を介して外へ出射することができる。
実際の適用には、3つの発光ユニット14は、それぞれ赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップであってもよい。赤発光ダイオードチップは波長610nm〜780nmのビームを出射し、青発光ダイオードチップは波長450nm〜495nmのビームを出射し、緑発光ダイオードチップは波長500nm〜570nmのビームを出射し、赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップ中の何れかの一つの照射範囲は他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なり、赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップからのビームは混合して混光ビームになることができる。特に説明すべきことは、発光ユニット14は任意の発光チップを有してもよく、例えば、赤外線、紫外(UV)光の発光チップであってもよく、赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップに限定されない。本実施例において、異なる色の光を出射する3つの発光ユニット14を例とするが、それに限定されない。具体的な実施例において、発光モジュール100は4つ以上または2つ以下の発光ユニット14を有してもよい。発光ユニット14から出射するビームの波長は、互いに同じであってもよく、全く異なってもよい。一部の発光ユニット14からのビームの波長は同じであってもよい。
説明すべきことは、具体的な適用には、発光ユニット14が不意図的に破壊されることを回避するために、発光ユニット14が上収容空間10aに設置される場合、発光ユニット14が絶縁本体10から突出しないように設計する。また、上容空間10aに複数の発光ユニット14が設置される場合、複数の発光ユニット14絶縁本体10から突出しないように設計する。これにより、複数の発光ユニット14からのビームは上収容空間10aに十分に混合してから、絶縁本体10の上端の開口から外へ出射することができる。
制御チップ15は、第2の実装面132に固定して設置され、複数の金属リード151を介して第2の実装面132における導電配線構成に電気的に接続され、基板13における導電通路133を介して3つの発光ユニット14に電気的に接続される。しかしながら、制御チップ15と3つの発光ユニット14との電気的に接続の方法が、基板13を介する導電通路133に限定されなく、制御チップ15と3つの発光ユニット14とを電気的に接続する方式のいずれも本実施例の実施範囲に属する。制御チップ15は、第2の凹溝102内の下収容空間10bに位置し、第2の凹溝102に充填されるパッケージ樹脂12に被覆され、絶縁本体10又はパッケージ樹脂12に露出しない。だたし、パッケージ樹脂12は、不透光構成または透光構成であってもよいが、ここで制限されない。
第2の凹溝102は、基板13の第2の実装面132を下収容空間10bに露出させ、制御チップ15が第2の実装面132に設置することを可能にするためのものに過ぎないため、第2の凹溝102の下収容空間10bのサイズ及び外形が、ほぼ制御チップ15のサイズに応じて設計され、第2の凹溝102の下収容空間10bのサイズや外形と、第1の凹溝101の上収容空間10aのサイズや外形とが、絶対な相対関係を有しない。第2の凹溝102を第1の凹溝101の真下に位置させる(すなわち、下収容空間10bを上収容空間10aの真下に位置させる)ようにすることにより、発光モジュール100の全体のサイズを有効に縮小できる。
図2に示すように、複数のピン16が絶縁本体10外に露出し、一部のピン16が発光ユニット14に電気的に接続され、一部のピン16が制御チップ15に電気的に接続される。また、ピン16は、基板13の第1の実装面131における導電配線構成、第2の実装面132における導電配線構成及び複数の導電通路133により、複数の発光ユニット14及び制御チップ15に電気的に接続されてもよい。特に説明すべきことは、ここで言及されるピン16は、発光モジュール100を関連電子部材に溶接するための構成である。具体的な実施適用には、ピン16は、基板13から延伸される構成であって良く、または、一端が基板13にされ、他の一端が絶縁本体10外に露出し且つ基板13から独立する金属部材でもよい。だたし、制御チップ15は、外部制御装置からピン16を介して伝送される電気信号を受信して、発光ユニット14からのビームの輝度又は色温を制御することができる。ピン16の数及びその外形は、必要に応じて変化され、図示のものに限定されない。
図5及び図6を参照すると、図5は、本発明に係る発光モジュールの第2の実施例の断面模式図であり、図6は、図5の一部拡大模式図である。図に示すように、上記の実施例と最も異なる相違点として、本実施例において、各発光ユニット14は溶接体142により第1の実装面131に設置される複数のパッド134に互いに接続され、制御チップ15も溶接体142により第2の実装面132に設置される複数のパッド134に互いに接続される。だたし、第1の実装面131及び第2の実装面132に設置される複数のパッド134は、基板13に設置される導電通路133に電気的に接続される。
具体的には、発光ユニット14及び制御チップ15の実際の取り付けの途中、発光ユニット14及び制御チップ15の電気的に接続する位置に溶接ボール(例えば、錫ボール)を設置してから、溶接ボールが設置される発光ユニット14及び制御チップ15を第1の実装面131及び第2の実装面132における複数のパッド134に直接に対応的に設置して、溶接ボールに対して硬化作業を行うことにより、発光ユニット14とパッド134との間及び制御チップ15とパッド134との間に、上記溶接体142を形成してもよい。このように、製造方法では、上記の実施例に記載の金属リードが必要でないため、発光ユニット14又は制御チップ15を正確に基板13に取り付ける収率を大幅に向上することができる。
特に説明すべきことは、実際の適用には、発光ユニット14及び制御チップ15を、実際生産製造中の要求に応じて、本実施例の方法または上記の実施例の方法で基板13に取り付けることができる。例えば、一つの発光モジュール100では、発光ユニット14を複数の金属リード141を介して基板13に電気的に接続させることにより、制御チップ15が複数の溶接体142により基板13に電気的に接続するようにしてもよく、あるいは、発光ユニット14を複数の溶接体142を介して基板13に電気的に接続させることにより、制御チップ15が複数の金属リード151により基板13に電気的に接続するようにしてもよい。
図7〜図10を合わせて参照すると、図7及び図8は、本発明に係る発光モジュールの第3の実施例の模式図を示し、図9及び図10は、本発明に係る発光モジュールの第4の実施例の模式図を示す。図7及び図8に示すように、上記の実施例と最も異なる相違点として、本実施例において、発光モジュール100は基板13を含まず、複数のリードフレーム17(lead frame)を含む。以下は、リードフレーム17のみに対して説明し、他の部材については、上記の実施例での説明を参照してもよいので、ここで重複して説明しない。
各リードフレーム17の対向する両側面は、それぞれ第1の凹溝101及び第2の凹溝102に露出する。すなわち、各リードフレーム17はそれぞれ第1の凹溝101の上収容空間10a及び第2の凹溝102の下収容空間10bに露出し、各リードフレーム17の一部は上記実施例に記載のピン16として絶縁本体10に露出する。ピン16の詳細な説明は、上記の実施例を参照すればよいため、ここで重複して説明しない。
複数の発光ユニット14は、複数のリードフレーム17における第1の凹溝101の上収容空間10aに露出する部分に固定して設置され、上収容空間10aに対応的に位置し、それぞれ複数の第1の金属リード141を介して少なくとも一部のリードフレーム17に電気的に接続する。だたし、複数の発光ユニット14及び複数の第1の金属リード141が、ともに透光樹脂11に被覆される。リードフレーム17の数は、発光ユニット14の数及び制御チップ15の種類に応じて決定されてもよいため、ここで制限されなく、例えば、4個、6個、8個などであってもよい。
制御チップ15は、複数のリードフレーム17における第2の凹溝102の下収容空間10bに露出する部分に固定して設置され、複数の第2の金属リード151を介して少なくとも一部のリードフレーム17に電気的に接続される。制御チップ15及び複数の第2の金属リード151は、パッケージ樹脂12に被覆される。制御チップ15は、複数の第2の金属リード151及び各第2の金属リード151が電気的に接続されるリードフレーム17を介して複数の発光ユニット14に電気的に接続される。これによって、制御チップ15は、外部制御装置から複数のリードフレーム17を介して伝送される電気信号を受信して、各発光ユニット14からのビームの輝度や色温を対応的に制御することができる。
図9及び図10に示すように、絶縁本体10外に露出するリードフレーム18の外形は、利用環境の要求に応じて変化され、図7及び図8に示すものに限定されない。具体的には、リードフレーム18から形成されるピンの溶接面181が、発光モジュール100の出光面とほぼ面一になってもよい。
図11及び図12を参照すると、図11は、本発明に係る発光モジュールの第5の実施例の模式図を示し、図12は、図11の断面模式図を示す。図に示すように、上記の第3の実施例及び第4の実施例と最も異なる相違点として、本実施例において、リードフレーム18の外形は実際の要求に応じて変化される。具体的には、本実施例のリードフレーム18が絶縁本体10の一側のみに露出し、発光モジュール1が直接絶縁本体10の一側のリードフレーム18を介して回路基板に固定されてもよい。従って、発光モジュール10は側方発光光源としてもよい。本実施例の発光モジュールの他の部材に関する詳細な説明は、上記の実施例と同じであるため、ここで重複して説明しない。
図13及び図14をともに参照すると、図13は、本発明に係る発光ストリング装置が表示装置に適用される場合の一部上面図を示し、図14は、発光ストリング装置の一つの発光モジュールの模式図を示す。図13に示すように、表示装置Dは、回路基板D1及び複数の発光ストリング装置を備える。各発光ストリング装置は、発光モジュール100及び少なくとも一つのシリアルモジュール200、例えば4つのシリアルモジュール200を備える。発光モジュール100の詳細な説明は、上記の実施例を参照すればよいため、ここで重複して説明しない。各シリアルモジュール200は、少なくとも一つの第2の発光ユニット、例えば3つの第2の発光ユニット202A、202B、202Cを備える。4つのシリアルモジュール200における第2の発光ユニット202A、202B、202Cは、それぞれ第1の発光ユニット14A、14B、14Cに直列に電気的に接続される。
特に説明すべきことは、本実施例の主要な特徴を明確に説明するために、図13及び図14に示す発光モジュール100において、ただ基板13、3つの第1の発光ユニット14A、14B、14C、制御チップ15及び基板13に形成される複数の金属パット13A、13Bが図示される。だたし、ここで言及される第1の発光ユニット14A、14B、14Cは、上記の実施例に記載の発光ユニット14と全く同じであり、本実施例では、ただはっきり説明するために、上記の発光ユニット14を第1の発光ユニット14A、14B、14Cに変える。
具体的な適用には、3つの第1の発光ユニット14A、14B、14Cは、それぞれ第1の赤発光ダイオードチップ、第1の青発光ダイオードチップ及び第1の緑発光ダイオードチップであって良い。各第1の発光ユニット14A、14B、14Cは、2つの金属リード141を介して2つの金属パット13A、13Bに接続してもよい。3つの金属パット13Bは、基板13における導電通路を介して基板13の第2の実装面に設置される制御チップに電気連通されてもよい。
図13及び図14では、各第1の発光ユニット14A、14B、14Cがワイヤボンディング(Wire Bоnding)で基板13での金属パット13A、13Bに接続されるが、第1の発光ユニット14A、14B、14Cが基板13に取り付けられるように構成されるが、これに限定されない。異なる適用には、第1の発光ユニット14A、14B、14Cがフリップチップにより基板13に固定されてもよい。
各シリアルモジュール200の3つの第2の発光ユニット202A、202B、202Cは、それぞれ第2の赤発光ダイオードチップ、第2の青発光ダイオードチップ及び第2の緑発光ダイオードチップであってもよい。第2の赤発光ダイオードチップ、第2の青発光ダイオードチップ及び第2の緑発光ダイオードチップは、上記の発光ダイオードチップと同様に、照射範囲が部分的に重なる特徴を有するので、ここで重複して説明しない。各シリアルモジュール200は、複数の金属リード300を介して互いに直列接続され、且つその中の一つが複数の金属リード300を介して発光モジュール100に接続される。すなわち、表示装置Dにおける各発光ストリング装置の発光モジュール100は、複数のシリアルモジュール200に直列に電気的に接続されるが、各発光ストリング装置の第1の赤発光ダイオードチップが第2の赤発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、第1の青発光ダイオードチップが第2の青発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、第1の緑発光ダイオードチップが第2の緑発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、このように、各発光モジュール100の制御チップ15は、対応する発光モジュール100及びそれに直列接続される全てのシリアルモジュール200の発光を同時に制御することができる。
各発光モジュール100の制御チップ15が対応する発光モジュール100及びそれに接続される複数のシリアルモジュール200を制御できるように設計されることにより、表示装置Dに必要な制御チップの数を大幅低減させて、表示装置Dの製造コストを低減させることができ、また、表示装置Dの回路基板D1における関連回路設計の複雑性を大幅低減させて、表示装置Dの製造収率を向上し、表示装置Dのコストパフォーマンスをより向上することができる。
もちろん、各発光モジュール100の制御チップ15の関連回路設計は、発光モジュール100が接続されるシリアルモジュール200の種類、数などに応じて設計すればよく、つまり、一つの発光モジュール100及び複数のシリアルモジュール200を同時に制御するための制御チップ15の回路設計は、単一の発光モジュール100を制御するための制御チップ15の回路設計と異なってもよい。なお、実際の適用には、各発光モジュール100の制御チップ15がマイクロプロセッサに接続されるが、マイクロプロセッサが各発光モジュール100の制御チップ15により、他のシリアルモジュール200を制御することになる。
各発光モジュール100が接続されるシリアルモジュール200の数や、複数の発光モジュール100間の接続関係(直列接続または並列接続など)については、ここで制限されなく、実際の適用には、表示装置Dによって異なる。なお、各発光モジュール100に含まれる第1の発光ユニット14A、14B、14Cの数も、必要に応じて変化され、3つに限定されない。同様に、シリアルモジュール200に含まれる第2の発光ユニットの数も、必要に応じて変化され、第1の発光ユニットの数と同じであればよい。
特に説明すべきことは、図3に示すように、実際の適用には、本実施例に挙げられる表示装置Dにおける各発光モジュール100の第2の凹溝102は、下収容空間10bが上収容空間10aの真下に位置するように、第1の凹溝101の真下に位置してもよく、したがって、各発光モジュール100の体積を大幅縮小することだけでなく、発光モジュール100の第1の発光ユニット14A、14B、14Cを発光モジュール100の真中に位置させることができ、また、各シリアルモジュール200が制御チップを有しない普通の発光ダイオードユニットであるので、各シリアルモジュール200の第2の発光ユニットが、シリアルモジュール200の真中に位置してもよく、すなわち、表示装置Dの第1の発光ユニット14A、14B、14C及び第2の発光ユニットは、いずれも対応のモジュールの真中に位置してもよく、このように、表示装置Dの表示品質を大幅向上することができる。
より具体的には、市販の従来の駆動チップが内蔵される発光モジュールには、駆動チップと発光ダイオードチップとが基板の1つの平面に集積され、したがって、発光モジュールの全体サイズが大きくなる。従来の発光モジュールが表示装置に適用される場合、各発光ダイオードチップが発光モジュールの真中に位置することができないので、このような発光モジュールが適用される表示装置では、ユーザが特定の角度から見るとき、色ずれの問題が発生しやすい。
上記によると、本実施例の表示装置Dにおける各発光モジュール100の第1の発光ユニット14A、14B、14C及び制御チップ15は、基板13に上下垂直に並べて配列されるので、従って、発光モジュール100の全体体積は、従来の駆動チップが内蔵される発光モジュールより小さく、且つ、発光モジュール100における第1の発光ユニット14A、14B、14Cと制御チップ15とが基板13の同一の側面に設置されていないので、第1の発光ユニット14A、14B、14Cは、発光モジュール100の真中に対応的に位置してもよく、したがって、本発明に係る表示装置Dは、上記の従来の駆動チップが内蔵される発光モジュールにより構成される表示装置と比べると、色ずれの問題が発生しにくい。
図15を参照すると、図15は、本発明に係る発光モジュールの第6の実施例の断面模式図である。本実施例において、絶縁本体10は、上収容空間10a及び下収容空間10bが形成されるように囲まれ、且つ、上収容空間10a及び下収容空間10bが互いに連通され、基板13が絶縁本体10の下端に設置され、基板13が下収容空間10bの真下に位置することが、上記の実施例と最も異なる。基板13の主表面は、下収容空間10bに露出する。制御チップ15は、基板13の下収容空間10bに露出する主表面に固定設置され、発光ユニット14は、制御チップ15の基板13と反対する側に固定して設置される。言い換えれば、基板13が、絶縁本体10の一端に対応的に位置し、基板13および絶縁本体10の側壁が、ともに凹溝として形成され、この凹溝に、互いに連通される上収容空間10a及び下収容空間10bがあり、制御チップ15が、基板13の凹溝に露出する主表面に固定して設置され、発光ユニット14が、制御チップの基板13と反対する側に固定して設置される。
10 絶縁本体
10a 上収容空間
10b 下収容空間
11 透光樹脂
13 基板
13A、13B 金属パット
14 発光ユニット
14A、14B、14C 第1の発光ユニット
15 制御チップ
16 ピン
17、18 リードフレーム
100 発光モジュール
101 第1の凹溝
102 第2の凹溝
131 第1の実装面
132 第2の実装面
133 導電通路
134 パッド
141、151 金属リード
142 溶接体
200 シリアルモジュール
202A、202B、202C 第2の発光ユニット
D 表示装置
D1 回路基板

Claims (10)

  1. 上端に開口される上収容空間及び前記上収容空間の真下に位置する下収容空間が形成されるように囲まれる絶縁本体と、
    前記下収容空間中にある制御チップと、
    前記制御チップに電気的に接続されるように前記上収容空間に位置し、発するビームを前記開口を介して外へ出射する少なくとも一つの発光ユニットと、
    前記絶縁本体に露出する複数のピンと、
    を備え、
    前記制御チップは、外部制御装置から前記ピンを介して伝送される電気信号を受信して、前記発光ユニットの発光を制御する、
    ことを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記発光モジュールは、前記上収容空間と前記下収容空間との間に位置するように前記絶縁本体の中に設置される基板をさらに備え、
    前記基板の対向する2つの主表面をそれぞれ第1の実装面及び第2の実装面として定義する場合、前記第1の実装面が前記上収容空間に露出し、前記第2の実装面が前記下収容空間に露出し、
    前記発光ユニットが前記第1の実装面に固定して設置され、前記制御チップが前記第2の実装面に固定して設置される、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 前記基板は複数の導電通路を含み、
    前記発光ユニットが少なくとも一つの前記導電通路を介して前記制御チップに電気的に接続され、
    少なくとも一つの前記導電通路が前記ピンに電気的に接続される、ことを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。
  4. 前記発光モジュールは複数のリードフレームを有し、
    前記発光ユニットが前記リードフレームを介して前記制御チップに電気的に接続され、
    前記リードフレームの一部は、前記絶縁本体に露出して前記ピンとして形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  5. 前記上収容空間及び前記下収容空間にそれぞれ樹脂が充填され、
    前記発光ユニットが少なくとも一つの金属リード又は溶接体を介して前記第1の実装面に電気的に接続され、
    前記制御チップが少なくとも一つの金属リード又は溶接体を介して前記第2の実装面に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。
  6. 前記発光ユニット及び前記制御チップの各々は前記絶縁本体から突出しない、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  7. 前記発光モジュールは、赤発光ダイオードチップ、青発光ダイオードチップ及び緑発光ダイオードチップの3つの前記発光ユニットを備え、
    前記赤発光ダイオードチップ、前記緑発光ダイオードチップ及び前記青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲は、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なる、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  8. 前記上収容空間は前記下収容空間と互いに連通し、
    前記発光モジュールは、主表面が前記下収容空間に露出するように前記絶縁本体の下端に設けられる基板をさらに有し、
    前記制御チップが、前記基板における前記下収容空間に露出する主表面に固定して設置され、
    前記発光ユニットが、前記制御チップにおける前記基板と反対する側に固定して設置される、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  9. 発光モジュール及び少なくとも一つのシリアルモジュールを備え、
    前記発光モジュールは、
    上端に開口される上収容空間及び前記上収容空間の真下に位置する下収容空間が形成されるように囲まれる絶縁本体と、
    前記下収容空間中に位置する制御チップと、
    前記制御チップに電気的に接続されるように前記上収容空間に位置し、発するビームを前記開口を介して外へ出射する少なくとも一つの第1の発光ユニットと、
    前記絶縁本体に露出する複数のピンと、
    を備え、
    前記少なくとも一つのシリアルモジュールは、前記第1の発光ユニットに直列に電気的に接続される少なくとも一つの第2の発光ユニットを有し、
    前記制御チップは、外部制御装置から前記ピンを介して伝送される電気信号を受信して、前記第1の発光ユニット及び前記第2の発光ユニットの発光を同時に制御する、ことを特徴とする発光ストリング装置。
  10. 前記発光モジュールは、第1の赤発光ダイオードチップ、第1の青発光ダイオードチップ及び第1の緑発光ダイオードチップの3つの前記第1の発光ユニットを備え、
    前記第1の赤発光ダイオードチップ、前記第1の緑発光ダイオードチップ及び前記第1の青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲は、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なり、
    前記シリアルモジュールは、第2の赤発光ダイオードチップ、第2の青発光ダイオードチップ及び第2の緑発光ダイオードチップの3つの前記第2の発光ユニットを備え、
    前記第2の赤発光ダイオードチップ、前記第2の緑発光ダイオードチップ及び前記第2の青発光ダイオードチップのいずれかの発光ダイオードチップの照射範囲が、他の発光ダイオードチップのうちの少なくとも一つの発光ダイオードチップの照射範囲に部分的に重なり、
    前記第1の赤発光ダイオードチップが前記第2の赤発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、前記第1の青発光ダイオードチップが前記第2の青発光ダイオードチップに直列に電気的に接続され、前記第1の緑発光ダイオードチップが前記第2の緑発光ダイオードチップに直列に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項9に記載の発光ストリング装置。
JP2019150004A 2018-08-23 2019-08-19 発光モジュール及び発光ストリング装置 Pending JP2020031212A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810966699.5 2018-08-23
CN201810966699 2018-08-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020031212A true JP2020031212A (ja) 2020-02-27

Family

ID=67734515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019150004A Pending JP2020031212A (ja) 2018-08-23 2019-08-19 発光モジュール及び発光ストリング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10923461B2 (ja)
EP (1) EP3614428A3 (ja)
JP (1) JP2020031212A (ja)
KR (1) KR20200023212A (ja)
CN (1) CN110858584A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7490032B2 (ja) 2022-04-24 2024-05-24 弘▲凱▼光▲電▼(江▲蘇▼)有限公司 パッケージ構造及び表示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
US20210257348A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19 Tek Beng Low Light emitting diode package having back-to-back compartment configuration
CN111372352B (zh) * 2020-03-27 2022-03-15 弘凯光电(深圳)有限公司 指示传感模块、封装方法及触摸开关
CN111599911A (zh) * 2020-05-27 2020-08-28 佛山市国星光电股份有限公司 一种led发光单元及显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144965A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
JP2004128408A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Masayoshi Hoshino 発光部材およびそれを用いた照明ランプ
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2007287789A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Epson Imaging Devices Corp 照明装置、液晶装置及び電子機器
US20090267104A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode package
JP2016213417A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 ローム株式会社 半導体発光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US267104A (en) * 1882-11-07 piquet
JP3985327B2 (ja) 1998-02-27 2007-10-03 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
JP2001168122A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Matsushita Electronics Industry Corp 電子部品実装モジュールの製造方法および電子部品実装モジュール
JP2003304004A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送チップ及び取付構造
US8716952B2 (en) * 2009-08-04 2014-05-06 Cree, Inc. Lighting device having first, second and third groups of solid state light emitters, and lighting arrangement
US9940879B2 (en) * 2011-10-05 2018-04-10 Apple Inc. White point uniformity techniques for displays
TWM436944U (en) 2012-05-14 2012-09-01 Semisilicon Technology Corp LED having dual platform
TWM454627U (zh) 2012-12-19 2013-06-01 Txc Corp 分區並列式光感測晶片封裝結構
TWM556936U (zh) 2017-10-26 2018-03-11 立碁電子工業股份有限公司 側光型發光二極體封裝結構
TWI662660B (zh) * 2018-09-03 2019-06-11 欣興電子股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI680593B (zh) * 2018-10-12 2019-12-21 欣興電子股份有限公司 發光元件封裝結構及其製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144965A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
JP2004128408A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Masayoshi Hoshino 発光部材およびそれを用いた照明ランプ
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2007287789A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Epson Imaging Devices Corp 照明装置、液晶装置及び電子機器
US20090267104A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode package
JP2016213417A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 ローム株式会社 半導体発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7490032B2 (ja) 2022-04-24 2024-05-24 弘▲凱▼光▲電▼(江▲蘇▼)有限公司 パッケージ構造及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200066698A1 (en) 2020-02-27
EP3614428A3 (en) 2020-08-05
EP3614428A2 (en) 2020-02-26
KR20200023212A (ko) 2020-03-04
CN110858584A (zh) 2020-03-03
US10923461B2 (en) 2021-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020031212A (ja) 発光モジュール及び発光ストリング装置
JP5634647B1 (ja) Ledモジュール
US8633643B2 (en) LED package, LED package module having the same and manufacturing method thereof, and head lamp module having the same and control method thereof
JP3668438B2 (ja) チップ発光ダイオード
JP2007095797A (ja) 光源装置
JP2011138849A (ja) 発光装置およびその製造方法
KR100714749B1 (ko) 발광 소자 패키지 모듈 및 이의 제조 방법
EP2876355B1 (en) LED base module and LED lighting device
US11139420B2 (en) LED package structure
US20210398865A1 (en) Light emitting device
TWM570532U (zh) Light module
KR101374894B1 (ko) 양면 발광형 발광 다이오드 패키지
TWI720338B (zh) 發光模組及發光模組的製作方法
CN110858463A (zh) 显示设备
JP5232698B2 (ja) 多面付け基板および半導体発光装置の製造方法。
KR101537796B1 (ko) 발광 장치
TW202011372A (zh) 顯示裝置
CN216871960U (zh) 发光装置
TWM570514U (zh) Display device
JP5999341B2 (ja) 発光装置および照明装置
CN114628566B (zh) 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法
JP7312847B2 (ja) 色混合のための多層pcbスタック
JP7044412B1 (ja) Led光源装置およびled光源装置の製造方法
US20210217941A1 (en) Printed Circuit Board and Method of Manufacturing a Printed Circuit Board with at Least One Optoelectronic Component Integrated into the Printed Circuit Board
KR101510938B1 (ko) 평판형 엘이디 조명장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190819

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200901

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210323