TWM556936U - 側光型發光二極體封裝結構 - Google Patents

Abstract

本創作之側光型發光二極體封裝結構，其包含一基板、至少一發光二極體晶片、一積體電路晶片及一封裝體，其中，發光二極體晶片與積體電路晶片分別電性連接於基板上，該積體電路晶片具有至少一功能定義接點，且基板、發光二極體晶片及積體電路晶片受到一封裝體罩設封裝後形成一體，本創作係利用電性連接積體電路晶片的功能定義接點後，使該功能定義接點可產生一預定功能，當複數個側光型發光二極體封裝結構串聯完成，並接收一外部微控制器之一控制訊號時，各該發光二極體晶片將依據該訊號進而產生各種不同亮度及顏色之光色變化效果。

Description

側光型發光二極體封裝結構

本創作是有關於一種封裝結構，尤指一種具有至少一功能定義接點之積體電路晶片的側光型發光二極體封裝結構。

發光二極體(Light Emitting Diode；LED)的應用大致可分為顯示功能與照明功能；除單色發光二極體已被廣泛運用於照明用途外，多色、全彩發光二極體，更能在顯示用途上滿足人類的視覺需求；其中，全彩發光二極體，為達成各種顏色的呈現，每一全彩發光二極體封裝結構中，至少包含有紅光(R)發光二極體晶片、綠光(G)發光二極體晶片及藍光(B)發光二極體晶片，利用三色光來混合出千變萬化的光線色彩，但因各種光色所需求的RGB三原色光的比例不同，故全彩發光二極體需要搭配有驅動單元來有效精準的控制RGB三原色的混光比例，而當欲調整控制其發光顏色時，往往因必須外接設控制裝置加以控制，而導致其電路體積變大、及提高成本，且當數個全彩發光二極體並接一起時，往往因驅動單元無控制模組，因此當數個全彩發光二極體串聯在一起時，僅能使該 每一全彩發光二極體作同樣單一同步閃爍，而無法使每一全彩發光二極體單獨各自顯示作其它顏色或多樣閃爍之效果，因此，亦有業者整合有驅動單元的發光二極體組件，如中華民國新型專利第I380735號「具驅動晶片的發光二極體組件封裝結構改良、中華民國新型專利第M462449號「整合驅動機制的發光二極體結構」、中華民國新型專利第M381242號「光電IC結構」、中國發明專利第CN104637932A號「具有發光功能的LED驅動IC封裝結構」等，惟，上述專利仍存有下列問題：其一，習知需利用限流電阻控制工作電流或在電源輸入端接設一稽納二極體進行降壓與穩壓，其二，習知控制訊號需同時透過時脈數據及串行數據等多線傳輸的通訊方式，其三，習知控制晶片僅單一功能，使用者需受限於控制晶片之規格，不僅限制性高、通用性差且造成製造成本的提高，其四，習知技術的出光方向皆為頂射式(top view)，倘若改為側光式(side view)之設計，其高熱能問題也隨之產生；是故，如何將上述等缺失加以摒除，即為本創作人所欲解決之技術困難點之所在。

有鑑於上述的問題，本創作人係依據多年來從事發光二極體相關產品研發的經驗，針對發光二極體封裝結構進行研究及分析，期能設計出符合上述需求的實體產品；緣此，本創作之主要目的在於提供一種因應不同使用需求，電性連接積體電路晶片之各功能定義接點，各該功能定義接點可產生一預定功能，進而能適用於不同實施態樣者的側光型發光二極體封裝結構。

為達上述目的，本創作之側光型發光二極體封裝結構，其包含一基板、至少一發光二極體晶片、一積體電路晶片及一封裝體，其中，發光二極體晶片與積體電路晶片分別電性連接於基板上，且基板、發光二極體晶片及積體電路晶片受到一封裝體罩設後封裝形成一體，其中，積體電路晶片更包括一處理模組、一偵測模組及一驅動模組，各模組之間彼此電性連接，又，偵測模組電性連接於各功能定義接點，本創作係利用電性連接積體電路晶片的功能定義接點後，使該功能定義接點可產生一預定功能，當一外部微控制器發送之一控制訊號後，處理模組即會發送一指令至偵測模組，偵測模組在收到該指令後將偵測各該功能定義接點是否電性導通，並將偵測結果回傳至處理模組，進一步地，處理模組依據該偵測結果發送一訊號至驅動模組，當驅動模組收到該訊號後，即會依據該訊號進而控制該發光二極體晶片，使其產生各種不同亮度及顏色色光的效果。

進一步地，各元件之間的電性連接係以打線接合或覆晶接合方式耦接。

進一步地，該積體電路晶片具有複數個電性接點。

進一步地，積體電路晶片還可預留至少一輔助定義接點。

進一步地，該積體電路晶片的電性接點及功能定義接點 的總數量大於7個。

進一步地，該積體電路晶片的電性接點及功能定義接點的總數量大於9個。

該積體電路晶片的電性接點及功能定義接點的總數量大於11個。

該積體電路晶片的電性接點、功能定義接點及輔助定義接點的總數量大於13個。

進一步地，該功能定義接點可供以驅動該至少一發光二極體晶片的電流大小、切換韌體編碼方式、傳輸指令訊號及切換功能中之任一者。

進一步地，該基板為一金屬基板、一陶瓷基板、或一玻纖基板。

進一步地，該發光二極體晶片可為紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片或上述之任意組合。

進一步地，該金屬基板的材料可為銅、鉬、鎳、鋁、鎂、金、銀、矽、鉑、錫、鋅和碳化合物或上述任意組合。

進一步地，該陶瓷基板的材料選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、碳化矽、六方氮化硼、或氟化鈣。

進一步地，基板具有一安裝面，且相對於安裝面之另一面具有一導電底層，該導電底層具有一切割槽。

進一步地，基板之安裝面上成型有一散熱面，該散熱面與該安裝面相互平行，且該散熱面在封裝體的封裝範圍之外。

進一步地，該基板成型有複數個接觸墊。

進一步地，該積體電路晶片表面形成至少一功能定義凸塊。

進一步地，該個功能定義凸塊可用以傳輸電流訊號、韌體編碼訊號及指令訊號中之一者。

為使 貴審查委員得以清楚了解本創作之目的、技術特徵及其實施後之功效，茲以下列說明搭配圖示進行說明，敬請參閱。

1‧‧‧發光二極體燈串

10~10”‧‧‧側光型發光二極體封裝結構

101‧‧‧基板

102‧‧‧發光二極體晶片

1011‧‧‧安裝面

1021‧‧‧紅光發光二極體晶片

1012‧‧‧電子電路

1022‧‧‧綠光發光二極體晶片

1013‧‧‧導電底層

1023‧‧‧藍光發光二極體晶片

1014‧‧‧切割槽

1015‧‧‧最外邊界

103‧‧‧積體電路晶片

104‧‧‧封裝體

1031‧‧‧功能定義接點

1031’‧‧‧功能定義接點

1032‧‧‧處理模組

1033‧‧‧偵測模組

1034‧‧‧驅動模組

1035‧‧‧電性接點

1036‧‧‧輔助定義接點

105‧‧‧導線

105’‧‧‧導線

20‧‧‧側光型發光二極體封裝結構

201‧‧‧基板

202‧‧‧發光二極體晶片

2011‧‧‧安裝面

2012‧‧‧散熱面

203‧‧‧積體電路晶片

204‧‧‧封裝體

2031‧‧‧功能定義接點

30‧‧‧側光型發光二極體封裝結構

301‧‧‧基板

302‧‧‧發光二極體晶片

3011‧‧‧接觸墊

3021‧‧‧金屬凸塊

303‧‧‧積體電路晶片

304‧‧‧封裝體

3031‧‧‧功能定義凸塊

H‧‧‧高度距離

M‧‧‧外部微處理器

第1圖，為本創作之立體示意圖。

第2圖，為本創作第一實施例之封裝結構示意圖(一)。

第3圖，為本創作第一實施例之封裝結構示意圖(二)。

第4圖，本創作積體電路晶片之方塊示意圖。

第5圖，為本創作第二實施例之封裝結構示意圖(一)。

第6圖，為本創作第二實施例之封裝結構示意圖(二)。

第7圖，為本創作第三實施例之封裝結構示意圖。

第8圖，為本創作之系統架構方塊示意圖。

第9圖，為本創作之實施示意圖。

請參閱「第1圖」，圖中所示為本創作之立體示意圖，其中，側光型發光二極體封裝結構10包含一基板101、至少一發光二極體晶片102、一積體電路晶片103以及一封裝體104，其中，該基板101具有一安裝面1011，該安裝面1011上佈設有一電子電路(未繪製)，發光二極體晶片102組設於該安裝面1011上，且與該基板10呈電性連接，又，發光二極體晶片102係可為紅光(R)LED晶片、綠光(G)LED晶片、藍光(B)LED晶片或上述任意組合，再者，積體電路晶片103組設於安裝面1011上，且積體電路晶片103分別發光二極體晶片102及該基板101呈電性連接，一可透光材質的封裝體104位於該基板10上並罩設所述之發光二極體晶片102及積體電路 晶片103，該封裝體104可為各晶片提供環境及機械防護，同時亦充作透鏡，如圖所示，本創作係為所述之可透光材質的封裝體104可係環氧樹脂、聚矽氧、壓克力樹脂、矽樹脂或矽膠中之任一者，且封裝體104可為呈立方體形狀之垂直及水平平坦表面、圓形、半圓形、橢圓形之不同橫截面的柱形者，但不限於此，亦可為不同的稜柱或多邊形形狀，諸如三角形、五邊形、六邊形、八邊形等，又，所述的基板101可為金屬基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板或玻纖基板(如FR-4、FR-5、G-10、G-11等)，但並不局限於此，又，金屬基板的材料可為銅、鉬、鎳、鋁、鎂、金、銀、矽、鉑、錫、鋅和碳化合物或上述任意組合，陶瓷基板的材質可選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、碳化矽、六方氮化硼、及氟化鈣的其中之一者，是以，本創作之側光型發光二極體封裝結構10，相較於習知頂射式(top view)，可有效降低整個封裝結構的整體厚度。

請參閱「第2圖」，圖中所示為本創作第一實施例之封裝結構示意(一)，承上所述，基板101之安裝面1011上佈設有一電子電路1012，又，積體電路晶片103具有至少一功能定義接點1031及複數個電性接點1035，各該功能定義接點1031個自分別具有不同的功能定義，換言之，即一用以控制、傳送回饋訊息或是與之互動給發光二極體晶片102的整合邏輯電路被整合到功能定義接點1031內，其中，紅光發光二極體晶片1021設於該基板101之安裝面1011上，且與電子電路1012之一部份電性連接；綠光發光二極體晶片1022 設於該基板101之安裝面1011上，且與該電子電路1012之一部份電性連接；藍光發光二極體晶片1023設於該基板101之安裝面1011上，且與該電子電路1012之一部份電性連接；積體電路晶片103設於該基板101之安裝面1011上，且與該電子電路1012之一部份電性連接，又，分別與該紅光發光二極體晶片1021、綠光發光二極體晶片1022及藍光發光二極體晶片1023電性連接，且該等發光二極體晶片(1021~1023)可呈直線或非直線排列，較佳地係可呈三角形方式排列，如此，可達成均勻混光之效果，進而提升其光學應用率，再者，側光型發光二極體封裝10更包括一電源輸入端V1、一電源輸出端V2、一資訊輸入端D1及一資訊輸出端D2，各該輸入/出端(V1、V2、D1、D2)分別與電子電路1012之一部份電性連接，在本實施例中各元件之間的電性連接係以打線接合(wire bonding)方式耦接，即各元件間的電性連接須依靠導線的連接，使每一元件功能得以發揮，例如電源輸入端V1代表正極電源，與電子電路1012之一部份相連接後，藉由一導線105電性連接於紅光發光二極體晶片1021的正極依此類推，紅光發光二極體晶片1021的負極係電性連接於積體電路晶片103的一個電性接點1035，依此類推，再者，本創作係採用單線傳輸，即控制發光二極體晶片102明亮度或顏色變化所需要的資料訊號僅透過單一條傳輸線傳輸，相較於習知技術需同時透過時脈數據及串行數據等多線傳輸的通訊方式，可減少製程步驟與時間，再者，本創作之積體電路晶片103其功能定義接點1031及電性接點1035的總數量大於7個，較佳地該積體電路晶 片103的總數量大於9個或大於11個，又，所述的功能定義接點1031供以驅動該至少一發光二極體晶片的電流大小、切換韌體編碼方式、傳輸指令訊號及切換功能等作用，例如在本實施例中，倘若使用者僅有5mA電流，則可依照需求電性連接一功能定義接點1031，倘若使用者僅有20mA電流，則可事先電性連接另一功能定義接點1031’，但不以此為限，故使用者可依據需求不同事先電性連接各功能定義接點1031，藉此使側光型發光二極體封裝10產生相同亮度的光色變化效果，相較於習知因控制晶片僅單一功能，使用者須依據使用條件不同而分別製造使用不同規格之控制晶片，才可使其產生相同的亮度光色變化，導致製作成本提高及不便性，此外，本創作之積體電路晶片103還可預留至少一輔助定義接點1036，以提供使用者可進行擴充積體電路晶片103額外功能之輸入或輸出端，且不影響原有積體電路晶片103之功能定義接點1031及幾何相對位置，如此，可有效簡化操作手續及縮短製程時間，加快生產製造及品管測試之程序，進而達到提升產能之功效。

請接續參閱「第3圖」，圖中所示為本創作第一實施例之封裝結構示意(二)，承上所述，因習知發光二極體封裝單元通常為陣列式整片製作，需經過切割後才形成單一發光二極體封裝單元，但在切割過程中，發光二極體封裝單元背面之金屬經過切割後容易產生毛邊，此會形成焊接材料攀爬的阻力，換言之，金屬毛邊會使得焊接材料不易跨越，造成吃錫不良，故，本創作之基板101具有一安裝面1011，相對安裝面1011之 另一面具有一導電底層1013，且該導電底層1013具有一切割槽1014，該切割槽1014係導電底層1013最外邊界1015為朝基板101中心切割一區域面積，且該切割槽1014的形狀可為矩形、三角形、梯形、多邊形或是圓弧形等態樣，又，該切割槽1014之高度距離H大於0.05mm，較加地係介於0.05至0.1mm，如此，可降低導電底層1013的最外邊界1015被外物觸碰的機會，進而以避免產生毛邊，導致銲接時吃錫不良等問題。

請接續參閱「第4圖」，圖中所示為本創作積體電路之方塊示意圖，承上所述，積體電路晶片103更包括有一處理模組1032、一偵測模組1033及一驅動模組1034，其中，處理模組1032分別電性連接偵測模組1033與控制模組1034，又，偵測模組1033與各功能定義接點1031彼此呈電性連結，偵測模組1033係用以偵測各功能定義接點1031是否被電性導通，驅動模組1034則用以驅動發光二極體晶片102，使其達到產生明滅或顏色變化的效果，具體而言，當處理模組1032接收到偵測模組1033的一偵測狀態訊號，經判別運算處理後將傳送一驅動訊號至驅動模組1034，驅動模組1034依據該訊號執行後進而驅動發光二極體晶片102使其產生光色變化效果。

請接續參閱「第5圖」，圖中所示為本創作第二實施例之封裝結構示意圖(一)，因本創作為側光型(side-view)的發光二極體，因此在工作過程中高熱能問題也隨之產生，又，因發光二極體的發光亮度與流經的電流為正向關係，而電流越高，所產生的熱能就會越多，為使熱能可被快速傳導，故，本創作之側光型發光二極體封裝結構20包含一基板201、至 少一發光二極體晶片202以及一封裝體204，其中，基板201具有一安裝面2011，該安裝面2011上成型有一散熱面2012，該散熱面與該安裝面彼此相互平行，且該散熱面2012係由金屬材料製成，例如：銅、鐵、金、鉬、鎳、鋁、鎂、銀、鎢、矽、鉑、鋼、錫、鋅和碳化合物或上述任意組合，該金屬材料的導熱係數至少為12W/mK以上之材料，較佳地該導熱係數至少為100W/mK以上之材料，且厚度至少0.1mm以上，又，散熱面20121的面積為所述安裝面2011的面積的5~35%，例如：所述散熱面2012為鋁時，所述散熱面2012面積較佳為所述安裝面2011的面積的15~35%，而所述散熱面2012為銅時，散熱面2012面積較佳為所述安裝面2011的面積的5~20%，此外，至少一發光二極體晶片202電性連接於該基板201上，且至少一發光二極體晶片202係相鄰於散熱面2012，此外，在實施的過程中，為防止散熱面2012之高溫影響封裝體204的熱膨脹係數，故，散熱面2012在封裝體204的封裝範圍之外，如圖所示，藉由上述之設計可有利於發光二極體晶202片熱能的散發，即利用金屬材質具有良好的導熱性，而可達到散熱迅速之目的，並提高發光二極體封裝結構20的使用壽命；請接續參閱「第6圖」，圖中所示為本創作第二實施例之封裝結構示意圖(二)，呈上所述，側光型發光二極體封裝結構20可再包括一積體電路晶片203組設於基板201上，並分別與該基板201及該至少一發光二極體晶片202電性連接，且該積體電路晶片203具有複數個功能定義接點2031，當電性耦接該功能定義接點2031後，可使該功能定義接點產生一預定功能，藉此，使用者可依照使用需求，令側光型發光二極體封裝結構20產生各種不同亮度及顏色色光的效果 之外，同時改善高熱能之問題。

請參閱「第7圖」，圖中所示為本創作第三實施例之封裝結構示意圖，側光型發光二極體封裝結構30包含一基板301、至少一發光二極體晶片302、一積體電路晶片303以及一封裝體204，本實施例與第一實施例的不同之處在於，各元件之間的電性連接係以覆晶接合(flip chip bonding)方式電性連接，具體而言，該發光二極體晶片302具有二金屬凸塊2021；積體電路晶片303具有複數個功能定義凸塊3031，基板301具有複數個接觸墊3011，其中，該金屬凸塊3021及功能定義凸塊3031相對應接合於該基板301之接觸墊3011上，經由迴銲製程將各該凸塊融化，待各該凸塊(3021、3031)冷卻凝固之後，便形成各晶片(302、303)與基板301之間的信號傳輸通路，但不以此為限。

請參閱「第8圖」，圖中所示為本創作之系統架構方塊示意圖，並請參閱「第1~5圖」，當側光型發光二極體封裝結構10與一外部微處理器M(Micro Controller Unit，MCU)相互串聯並與一外部電源(圖未繪製)電性連接後，微處理器M可經由資訊輸入端D1發送一資料控制訊號至積體電路晶片103，首先，處理模組1032在接收到該控制訊號後將傳送一偵測指令至偵測模組1033，偵測模組1033在接收到該指令後進而偵測積體電路晶片103的各功能定義接點1031是否電性導通，並將其偵測狀態結果回傳至處理模組1032，處理模組1032在收到該偵測狀態後經判別運算處理後，即傳送一驅動訊號至驅動模組 1034，驅動模組1034在接受到該驅動訊號後進而驅動發光二極體晶片102，使發光二極體晶片102產生明滅或顏色變化的效果，舉例來說，倘若電性連接某一功能定義接點1031，該功能定義接點1031係用以傳輸指令訊號，所述的傳輸指令訊號可表示令發光二極體晶片102持續執行最後一控制訊號，並等待下一個控制訊號(例如：最後一控制訊號為產生光源3秒後停止1秒)，則驅動模組1034將驅動發光二極體晶片102持續執行產生光源3秒後停止1秒之控制訊號，直到微處理器M發送下一個資料控制訊號至積體電路晶片103，令驅動模組1034驅動發光二極體晶片102執行下一個動作，但不以此為限，即，所述的傳輸指令訊號亦可令發光二極體晶片102在完成最後一控制訊號後停止，也就是說，當驅動模組1034驅動發光二極體晶片102執行產生光源3秒後停止1秒後即會停止所有動作，直到微處理器M發送下一個資料控制訊號至積體電路晶片103，令驅動模組1034驅動發光二極體晶片102執行下一個動作，是以，本創作可依照使用需求電性連接積體電路晶片103之各功能定義接點1031，使其產生各種光色變化效果。

請接續參閱「第9圖」，圖中所示為本創作之實施示意圖，並請同時參閱「第8圖」，發光二極體燈串1係由複數個側光型發光二極體封裝結構10採串聯方式電性連接所組成，且該等側光型發光二極體封裝結構10係呈水平、直立及陣列排列中之任一者，當發光二極體燈串1與一外部微處理器(MCU)(圖未繪製)及一外部電源(圖未繪製)相互電性連接後，微處 理器即會對發光二極體燈串1進行資料控制訊號的傳遞，藉以控制發光二極體燈串1之整體燈光變化，具體而言，因本創作採單線傳輸之方式，故，當發光二極體封裝結構10之資訊輸入端D1接受到從微處理器傳輸的一資料控制訊號後，該資料控制訊號(例如：24bit數據)即會被第一積體電路晶片102提取，而剩餘的資料控制訊號則經資訊輸出端D2傳輸出給下一個串聯的側光型發光二極體封裝結構10’，是以，每經過一個側光型發光二極體封裝結構10(10’、10’’)的傳輸，資料控制訊號即會減少24bit，本創作所述之發光二極體燈串1係採用自動整形轉發技術，使其發光二極體封裝結構10的級聯個數不受訊號傳送的限制，故，本創作於較佳實施狀態下可執行約1677萬種顏色(2⁸×2⁸×2⁸)，因此，使用者可以依照使用需求的不同佈置若干個側光型發光二極體封裝結構10(10’、10’’)，並僅由同一外部微處理器來控制全彩變色等功效，使發光二極體燈串1可應用於燈條、字串、LED像素屏、LED雙面LED流星燈等各種發光產品，再者，因本創作係利用電性連接具複數個功能定義接點之積體電路晶片，故使用者將不受限於積體電路晶片103之規格，藉此提高產品之通用性。

由上所述可知，本創作之側光型發光二極體封裝結構主要包括一基板、至少一發光二極體晶片、一積體電路晶片及一封裝體，發光二極體晶片與積體電路晶片分別電性連接於基板上，其中，該積體電路晶片具有複數個功能定義接點，各功能定義接點分別具有不同的功能定義，又，基板、發光二極體晶片及積體電路晶片受到一封裝體罩設封裝 後形成一體，本創作係利用電性連接積體電路晶片的功能定義接點後，使其產生既定之功能，當側光型發光二極體封裝結構接收一外部微處理器傳送的一訊號後，積體電路晶片將依據各功能定義接點導通狀況產生既定之功能，進而控制該發光二極體晶片混和各種不同亮度及顏色之色光；是以，本創作據以實施後，確實可達到一種因應不同使用需求，電性連接積體電路晶片之各功能定義接點，進而能適用於不同實施態樣者的側光型發光二極體封裝結構。

唯，以上所述者，僅為本創作之較佳之實施例而已，並非用以限定本創作實施之範圍；任何熟習此技藝者，在不脫離本創作之精神與範圍下所作之均等變化與修飾，皆應涵蓋於本創作之專利範圍內。

綜上所述，本創作之功效，係具有新型之「產業可利用性」、「新穎性」與「進步性」等專利要件；申請人爰依專利法之規定，向 鈞局提起新型專利之申請。

Claims (20)

1. 一種側光型發光二極體封裝結構，經一外部電源導通後可產生一光源，其包含：一基板，具有一安裝面，該安裝面上佈設有一電子電路；至少一發光二極體晶片，設置於該基板上，且與該電子電路之一部分電性連接；一積體電路晶片，分別與該電子電路及該至少一發光二極體晶片呈電性連接，該積體電路晶片具有至少一功能定義接點及複數個電性接點，該至少一功能定義接點在被電性導通後可產生一預定功能；以及該基板、該至少一發光二極體晶片及該積體電路晶片受到一封裝體罩設封裝後形成一體。
2. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該至少一功能定義接點供以驅動該至少一發光二極體晶片的電流大小、切換韌體編碼方式、傳輸指令訊號及切換功能中之任一者。
3. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該側光型發光二極體封裝結構更包括一電源輸入端、一電源輸出端、一資訊輸入端及一資訊輸出端分別與該電子電路之一部份相互連接。
4. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該積體電路晶片更包括一偵測模組，電性連接於該至少一功能定義接點，用以偵測該至少一功能定義接點的一電性導通狀態；一處理模組，耦接於該偵測模組，根據該電性導通狀態產生一驅動訊號；以及一驅動模組，耦接於該處理模組，用以接收該驅動訊號，且根據該驅動訊號控制該至少一發光二極體晶片。
5. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該至少一發光二極體晶片及該積體電路晶片係透過打線接合技術與該基板電性連接。
6. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該至少一發光二極體晶片分別為一紅光發光二極體晶片、一綠光發光二極體晶片、及一藍光發光二極體晶片，且該等發光二極體呈非直線排列。
7. 如申請專利範圍第6項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該等發光二極體呈三角形排列。
8. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，相對於該安裝面之另一面具有一導電底層，該導電底層具有一切割槽。
9. 如申請專利範圍第8項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該切割槽的形狀為矩形、三角形、梯形、多邊形或圓弧形。
10. 如申請專利範圍第9項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該切割槽的高度距離大於0.05mm。
11. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該積體電路晶片更包含有至少一輔助定義接點。
12. 如申請專利範圍第1項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該至少一功能定義接點及該等電性接點的總數量大於7個。
13. 一種側光型發光二極體封裝結構，經一外部電源導通後可產生光源，其包含：一基板，具有一安裝面，該安裝面上成型有一散熱面，且該安裝面與該散熱面相互平行； 至少一發光二極體晶片，鄰設於該散熱面並電性連接於該基板上；以及一封裝體，罩設封裝於該基板及該至少一發光二極體晶片；以及該散熱面在該封裝體的封裝範圍之外。
14. 如申請專利範圍第13項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該散熱面為銅、鐵、金、鉬、鎳、鋁、鎂、銀、矽、鉑、鋼、錫、鋅和碳化合物中的至少一種。
15. 如申請專利範圍第13項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該散熱面的面積比例範圍占該安裝面的面積約5%~35%。
16. 一種側光型發光二極體封裝結構，經一外部電源導通後可產生光源，其包含：一基板，具有一安裝面，該安裝面上成型有一散熱面，且該安裝面與該散熱面相互平行；至少一發光二極體晶片，鄰設於該散熱面並電性連接於該基板上；一積體電路晶片，分別與該基板及該至少一發光二極體晶片呈電性連接，該積體電路晶片具有至少一功能定義接點及複數個電性接點，該至少一功能定義接點在被電性導通後可產生一預定功能；以及該基板、該至少一發光二極體晶片及該積體電路晶片受到一封裝體罩設封裝後形成一體，且該散熱面在該封裝體的封裝範圍之外。
17. 如申請專利範圍第16項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該至少一功能定義接點供以驅動該至少一發光二極體晶片的電流大小、切換韌體編碼方式、傳輸指令訊號及切換功能中之任一者。
18. 如申請專利範圍第16項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該積 體電路晶片更包括一偵測模組，電性連接於各該功能定義接點，用以偵測各該功能定義接點的一電性導通狀態；一處理模組，耦接於該偵測模組，根據該電性導通狀態產生一驅動訊號；以及一驅動模組，耦接於該處理模組，用以接收該驅動訊號，且根據該驅動訊號控制該等發光二極體晶片。
19. 如申請專利範圍第16項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，相對於該安裝面之另一面具有一導電底層，該導電底層具有一切割槽。
20. 如申請專利範圍第16項所述之側光型發光二極體封裝結構，其中，該散熱面的面積比例範圍占該安裝面地面積約5%~35%。