CN110683766B - 一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法，全抛釉包括高温A釉和低温B釉，且高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH‑1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH‑1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。在稳定坯体吸水率时而调节窑炉温度，在调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，实现调节全抛釉的熔融温度，保证了全抛釉烧成后外观一致性。

Description

一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法
技术领域
本发明涉及黑色喷墨陶瓷砖生产领域，尤其涉及一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法。
背景技术
目前，市面上流行的黑金花、劳伦黑金等全抛釉的黑色喷墨陶瓷砖产品，而黑色喷墨陶瓷砖的坯往往是使用生产陶器的高铁含量的原料，但是为了做到瓷化的程度，需要进行高温烧制，高温烧制下烧失量大排气多，坯料组批不够稳定，这就造成坯体在相同窑炉温度时的坯体吸水率不同，因此必须调整窑炉温度烧以固定的坯体吸水率，这就造成为了稳定坯体吸水率，造成不同批次的全抛釉类的黑色喷墨陶瓷砖的窑炉温度不同，而全抛釉的熔融温度又是固定不变的，这就造成黑色类装饰全抛釉的熔融效果不佳，势必影响黑金花、劳伦黑金等全抛釉产品的质量。
因此，如何提供一种能够调整釉浆熔融温度的全抛釉，成为扼要解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法，旨在解决现有全抛釉不能调整釉浆熔融温度的问题。
本发明为解决上述技术问题，提供的技术方案如下：一种全抛釉，其包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。
进一步的，所述TH-1236熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 49.94％，Al2O3 19.88％，Fe2O3 0.13％，CaO 8.40％，MgO 6.23％，K2O 0.34％，Na2O 3.16％，ZnO2.21％，B2O3 0.79％，BaO 4.49％，烧失量4.43％。
进一步的，所述1212熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 58.22％，Al2O3 7.51％，Fe2O3 0.12％，CaO 9.82％，MgO 1.02％，K2O 4.48％，Na2O 0.65％，ZnO15.00％，B2O3 1.96％，BaO 0.07％，烧失量1.15％。
进一步的，所述全抛釉以质量百分数计，包括：高温A釉80％，低温B釉20％。
本发明为解决上述技术问题，提供的又一技术方案如下：一种全抛釉的制备方法，其特征在于，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为80％：20％；并加入原料重量的CMC 0.15％、三聚磷酸钠0.5％和防腐剂0.05％；并按重量比为料：球：水＝1:2:0.4，将球磨后的釉浆过325目筛，且筛余为0.2％-0.4％。
本发明为解决上述技术问题，提供的又一技术方案如下：一种黑色喷墨陶瓷砖，其中，所述黑色喷墨陶瓷砖包括如上所述的全抛釉。
本发明为解决上述技术问题，提供的又一技术方案如下：一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其包括：
将粉料压制成型并经干燥窑烘干，得到坯体；
对坯体进行吹尘，以78±2g/m2的喷水量进行喷水，并按照施釉量530±2g/m2淋底釉，获得砖坯；
对淋底釉后的砖坯进行喷墨印花装饰；
对喷墨印花装饰后的砖坯淋如上所述的全抛釉，施釉量为310±2g/m2；
将淋全抛釉后的砖坯置入窑烧成，在氧化气氛下烧制70±5min，得到黑色喷墨陶瓷砖半成品；
将所述黑色喷墨陶瓷砖半成品依次进行抛光、打蜡、磨边和贴膜，得到黑色喷墨陶瓷砖成品。
进一步的，所述底釉原料以质量分数计，包括：高岭土7份，钾长石33份，钠长石33份，石英粉13份，硅酸锆8份，煅烧土1份，硅灰石2份，氧化锌3份。
进一步的，所述底釉的制备方法包括：
称取底釉的原料，并将各组分混合，得到底釉原料混合料；
按照底釉原料混合料的重量比，分别称取CMC 0.12％、三聚磷酸钠0.4％和防腐剂0.05％，与底釉原料混合料进行混合，获得底釉球磨前料；
按照重量比为底釉球磨前料：球：水＝1：2：0.4，对所述底釉球磨前料进行湿球磨加工，并控制球磨后的釉浆过325目筛筛余0.1％-0.3％，获得底釉。
进一步的，所述黑色喷墨陶瓷砖半成品的烧成温度为底温1160±5℃，面温1140-1150℃。
有益效果：本发明提供了一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法，所述全抛釉包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。通过将全抛釉设置为高温A釉和低温B釉的混合物，进而通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而有效的调节所述全抛釉的熔融温度，进而有效的保证了在稳定坯体吸水率时，调节窑炉温度，进而在根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，可加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，可加大配方B的加入比例，使得全抛釉的熔融温度适应所述窑炉温度，进而有效的保证了全抛釉烧成后外观一致性。
附图说明
图1是本发明中一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明提供了一种全抛釉，其包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。
可以理解，通过将全抛釉设置为高温A釉和低温B釉的混合物，进而通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而有效的调节所述全抛釉的熔融温度，进而有效的保证了在稳定坯体吸水率时，调节窑炉温度，进而在根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，可加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，可加大配方B的加入比例，使得全抛釉的熔融温度适应所述窑炉温度，进而有效的保证了全抛釉烧成后外观一致性。
在一些实施方式中，所述TH-1236熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO249.94％，Al2O3 19.88％，Fe2O3 0.13％，CaO 8.40％，MgO 6.23％，K2O 0.34％，Na2O3.16％，ZnO 2.21％，B2O3 0.79％，BaO 4.49％，烧失量4.43％。
在一些实施方式中，所述1212熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO258.22％，Al2O3 7.51％，Fe2O3 0.12％，CaO 9.82％，MgO 1.02％，K2O 4.48％，Na2O 0.65％，ZnO 15.00％，B2O3 1.96％，BaO 0.07％，烧失量1.15％。
在一些较佳实施方式中，所述全抛釉以质量百分数计，包括：高温A釉80％，低温B釉20％。
本发明还提供了一种全抛釉的制备方法，其包括，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为80％：20％；并加入原料重量的CMC 0.15％、三聚磷酸钠0.5％和防腐剂0.05％；并按重量比为料：球：水＝1:2:0.4，将球磨后釉浆过325目筛，且筛余为0.2％-0.4％。
可以理解，先按照4:1的比例称取所述取高温A釉和低温B釉原料，获得的全抛釉的原料；按照全抛釉的原料的重量的0.15％，称取CMC(即羧甲基纤维素)，按照全抛釉的原料的重量的0.5％称取三聚磷酸钠、按照全抛釉的原料的重量的0.05％称取防腐剂；之后在将混合后的全抛釉的原料、球石和水，按照1:2:0.4的比例进行球磨加工，并将球磨加工后的釉浆过325目筛，并控制筛余为0.2％-0.4％。
本发明还提供了一种黑色喷墨陶瓷砖，其中，所述黑色喷墨陶瓷砖包括如本发明上述的全抛釉；可以理解，通过在所述黑色喷墨陶瓷砖上喷淋本发明上述实施例中提供的全抛釉，进而可以保证黑色喷墨陶瓷砖进而有效的保障了不同批次的黑色喷墨陶瓷砖外观一致性。
请参阅图1，本发明还提供了一种全抛釉的制备方法一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其包括：
步骤S11、将粉料压制成型并经干燥窑烘干，得到坯体；
步骤S12、对坯体进行吹尘，以78±2g/m2的喷水量进行喷水，并按照施釉量530±2g/m2淋底釉，获得砖坯；
步骤S13、对淋底釉后的砖坯进行喷墨印花装饰；
步骤S14、对喷墨印花装饰后的砖坯淋如本发明上述实施例中的全抛釉，施釉量为310±2g/m2；
步骤S15、将淋全抛釉后的砖坯置入窑烧成，在氧化气氛下烧制70±5min，得到黑色喷墨陶瓷砖半成品；
步骤S16、将所述黑色喷墨陶瓷砖半成品依次进行抛光、打蜡、磨边和贴膜，得到黑色喷墨陶瓷砖成品。
可以理解，本发明提供的黑色喷墨陶瓷砖制造方法通过喷淋本发明上述实施例中的黑色装饰釉，进而有效的保证了不同黑色喷墨陶瓷砖坯体的吸水率的情况下，可以随意调节窑炉温度，然后根据窑炉温度调节所述全抛釉中高温A釉和低温B釉的组分比例，实现黑色装饰釉的熔融温度可以调节，进而使得所述全抛釉的熔融温度与所述窑炉温度对应，进而保证了不同批次的黑色喷墨陶瓷砖的外观一致性。
进一步的，所述步骤S12中的底釉的原料以质量分数计，包括：高岭土7份，钾长石33份，钠长石33份，石英粉13份，硅酸锆8份，煅烧土1份，硅灰石2份，氧化锌3份。
进一步的，所述步骤S12中的底釉的制备方法包括：
称取底釉的原料，并将各组分混合，得到底釉原料混合料；
按照底釉原料混合料的重量比，分别称取CMC 0.12％、三聚磷酸钠0.4％和防腐剂0.05％，与底釉原料混合料进行混合，获得底釉球磨前料；
按照重量比为底釉球磨前料：球：水＝1：2：0.4，对所述底釉球磨前料进行湿球磨加工，并控制球磨后的釉浆过325目筛筛余0.1％-0.3％，获得底釉。
进一步的，所述步骤S15中的黑色喷墨陶瓷砖半成品的烧成温度为底温1160±5℃，面温1140-1150℃。
下面通过具体实施例对本发明进一步地详细说明。
实施例一：
本实施例提供了一种全抛釉，其包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。
所述TH-1236熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 49.94％，Al2O319.88％，Fe2O3 0.13％，CaO 8.40％，MgO 6.23％，K2O 0.34％，Na2O 3.16％，ZnO 2.21％，B2O3 0.79％，BaO 4.49％，烧失量4.43％。
所述1212熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 58.22％，Al2O3 7.51％，Fe2O3 0.12％，CaO 9.82％，MgO 1.02％，K2O 4.48％，Na2O 0.65％，ZnO 15.00％，B2O31.96％，BaO 0.07％，烧失量1.15％。
可以理解，通过将全抛釉设置为高温A釉和低温B釉的混合物，进而通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而有效的调节所述全抛釉的熔融温度，进而有效的保证了在稳定坯体吸水率时，调节窑炉温度，进而在根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，可加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，可加大配方B的加入比例，使得全抛釉的熔融温度适应所述窑炉温度，实现了所述全抛釉的熔融温度可以调节，进而有效的保证了全抛釉烧成后外观一致性。
实施例二：
本实施例提供了一种全抛釉，其与上述具体实施例一的不同点在于，所述全抛釉以质量百分数计，包括：高温A釉80％，低温B釉20％。
可以理解，通过将全抛釉设置为高温A釉和低温B釉的混合物，进而通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而有效的调节所述全抛釉的熔融温度，进而有效的保证了在稳定坯体吸水率时，调节窑炉温度，进而在根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，可加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，可加大配方B的加入比例，使得全抛釉的熔融温度适应所述窑炉温度，实现了所述全抛釉的熔融温度可以调节，进而有效的保证了全抛釉烧成后外观一致性。
实施例三：
本实施例提供了一种全抛釉的制备方法，其包括，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为80％：20％；并加入原料重量的CMC 0.15％、三聚磷酸钠0.5％和防腐剂0.05％；并按重量比为料：球：水＝1:2:0.4，将球磨后釉浆过325目筛，且筛余为0.2％-0.4％。
可以理解，先按照4:1的比例称取所述取高温A釉和低温B釉原料，获得的全抛釉的原料；按照全抛釉的原料的重量的0.15％，称取CMC(即羧甲基纤维素)，按照全抛釉的原料的重量的0.5％称取三聚磷酸钠、按照全抛釉的原料的重量的0.05％称取防腐剂；之后在将混合后的全抛釉的原料、球石和水，按照1：2：0.4的比例进行球磨加工，并将球磨加工后的釉浆过325目筛，并控制筛余为0.2％-0.4％。
实施例四：
本实施例提供了一种全抛釉的制备方法，其包括，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为75％：25％；并加入原料重量的CMC 0.15％、三聚磷酸钠0.5％和防腐剂0.05％；并按重量比为料：球：水＝1:2:0.4，球磨后釉浆过325目筛，且筛余为0.2％-0.4％。
可以理解，先按照75％：25％的比例称取所述取高温A釉和低温B釉原料，获得的全抛釉的原料；按照全抛釉的原料的重量的0.15％，称取CMC(即羧甲基纤维素)，按照全抛釉的原料的重量的0.5％称取三聚磷酸钠、按照全抛釉的原料的重量的0.05％称取防腐剂；之后在将混合后的全抛釉的原料、球石和水，按照1:2:0.4的比例进行球磨加工，并将球磨加工后的釉浆过325目筛，并控制筛余为0.2％-0.4％。
实施例五：
本实施例提供了一种全抛釉的制备方法，其包括，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为85％：15％；并加入原料重量的CMC 0.15％、三聚磷酸钠0.5％和防腐剂0.05％；并按重量比为料：球：水＝1:2:0.4，球磨后釉浆过325目筛，且筛余为0.2％-0.4％。
可以理解，先按照85％：15％的比例称取所述取高温A釉和低温B釉原料，获得的全抛釉的原料；按照全抛釉的原料的重量的0.15％，称取CMC(即羧甲基纤维素)，按照全抛釉的原料的重量的0.5％称取三聚磷酸钠、按照全抛釉的原料的重量的0.05％称取防腐剂；之后在将混合后的全抛釉的原料、球石和水，按照1:2:0.4的比例进行球磨加工，并将球磨加工后的釉浆过325目筛，并控制筛余为0.2％-0.4％。
实施例六：
本实施例提供了一种黑色喷墨陶瓷砖，其中，所述黑色喷墨陶瓷砖包括如本发明上述的全抛釉；可以理解，通过在所述黑色喷墨陶瓷砖上喷淋本发明上述实施例中提供的全抛釉，进而可以保证黑色喷墨陶瓷砖进而有效的保障了不同批次的黑色喷墨陶瓷砖外观一致性。
实施例七：
请参阅图1，本实施例提供了一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其包括：
步骤S11、将粉料压制成型并经干燥窑烘干，得到坯体；
步骤S12、对坯体进行吹尘，以78±2g/m2的喷水量进行喷水，并按照施釉量为530±2g/m2淋底釉，获得砖坯；
步骤S13、对淋底釉后的砖坯进行喷墨印花装饰；
步骤S14、对喷墨印花装饰后的砖坯淋如本发明上述实施例中的全抛釉，施釉量为310±2g/m2；
步骤S15、将淋全抛釉后的砖坯置入窑烧成，在氧化气氛下烧制70±5min，得到黑色喷墨陶瓷砖半成品；
步骤S16、将所述黑色喷墨陶瓷砖半成品依次进行抛光、打蜡、磨边和贴膜，得到黑色喷墨陶瓷砖成品。
可以理解，本发明提供的黑色喷墨陶瓷砖制造方法通过喷淋本发明上述实施例中的黑色装饰釉，进而有效的保证了不同黑色喷墨陶瓷砖坯体的吸水率的情况下，可以随意调节窑炉温度，然后根据窑炉温度调节所述全抛釉中高温A釉和低温B釉的组分比例，实现黑色装饰釉的熔融温度可以调节，进而使得所述全抛釉的熔融温度与所述窑炉温度对应，进而保证了不同批次的黑色喷墨陶瓷砖的外观一致性。
实施例八：
本实施例提供了一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其与上述实施例七的不同点在于，所述步骤S12中的底釉原料以质量分数计，包括：高岭土7份，钾长石33份，钠长石33份，石英粉13份，硅酸锆8份，煅烧土1份，硅灰石2份，氧化锌3份。
实施例九：
本实施例提供了一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其与上述实施例七的不同点在于，所述步骤S12中的底釉的制备方法包括：
称取底釉的原料，并将各组分混合，得到底釉原料混合料；
按照底釉原料混合料的重量比，分别称取CMC 0.12％、三聚磷酸钠0.4％和防腐剂0.05％，与底釉原料混合料进行混合，获得底釉球磨前料；
按照重量比为底釉球磨前料：球：水＝1：2：0.4，对所述底釉球磨前料进行湿球磨加工，并控制球磨后的釉浆过325目筛筛余0.1％-0.3％，获得底釉。
实施例十：
本实施例提供了一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其与上述实施例七的不同点在于，所述步骤S15中的所述黑色喷墨陶瓷砖半成品的烧成温度为底温1160±5℃，面温1140-1150℃。
综上所述，本发明提供了一种全抛釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法，所述全抛釉包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份。通过将全抛釉设置为高温A釉和低温B釉的混合物，进而通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而有效的调节所述全抛釉的熔融温度，进而有效的保证了在稳定坯体吸水率时，调节窑炉温度，进而在根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，可加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，可加大配方B的加入比例，使得全抛釉的熔融温度适应所述窑炉温度，进而有效的保证了全抛釉烧成后外观一致性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种全抛釉，其特征在于，包括：高温A釉和低温B釉，且所述高温A釉和低温B釉的质量比之和为1；其中，所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份；
所述TH-1236熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 49.94%，Al2O3 19.88%，Fe2O3 0.13%，CaO 8.40%，MgO 6.23%，K2O 0.34%，Na2O 3.16%，ZnO 2.21%，B2O3 0.79%，BaO4.49%，烧失量4.43%；
所述1212熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 58.22%，Al2O3 7.51%，Fe2O30.12%，CaO 9.82%，MgO 1.02%，K2O 4.48%，Na2O 0.65%，ZnO 15.00%，B2O3 1.96%，BaO0.07%，烧失量1.15%；
通过控制所述高温A釉和低温B釉组分比例，进而调节所述全抛釉的熔融温度，根据窑炉温度调整所述全抛釉中的高温A釉和低温B釉组分比例，当窑炉温度上升时，加大配方A的加入比例；当窑炉温度下降时，加大配方B 的加入比例。
2.根据权利要求1所述的全抛釉，其特征在于，所述全抛釉以质量百分数计，包括：高温A釉80%，低温B釉20%。
3.一种如权利要求1-2任一项所述的全抛釉的制备方法，其特征在于，称取高温A釉和低温B釉原料，并控制所述高温A釉和低温B釉重量比为80%：20%；并加入原料重量的CMC0.15%、三聚磷酸钠 0.5%和防腐剂 0.05%；并按重量比为料：球：水=1:2:0.4，将球磨后的釉浆过325目筛，且筛余为0.2%-0.4%；
所述高温A釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块33份、1212熔块23份、石英粉12份、方解石16份、硅灰石7份、氧化锌3份；所述低温B釉以质量分数计，包括高岭土6份、TH-1236熔块12份、1212熔块45份、石英粉6份、方解石20份、硅灰石7份、氧化锌4份；所述TH-1236熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 49.94%，Al2O3 19.88%，Fe2O3 0.13%，CaO 8.40%，MgO 6.23%，K2O 0.34%，Na2O 3.16%，ZnO 2.21%，B2O3 0.79%，BaO 4.49%，烧失量4.43%；所述1212熔块中的原料组成以质量百分数计，包括：SiO2 58.22%，Al2O3 7.51%，Fe2O30.12%，CaO 9.82%，MgO 1.02%，K2O 4.48%，Na2O 0.65%，ZnO 15.00%，B2O3 1.96%，BaO0.07%，烧失量1.15%。
4.一种黑色喷墨陶瓷砖，其特征在于，所述黑色喷墨陶瓷砖包括如权利要求1-2任一项所述的全抛釉。
5.一种黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其特征在于，包括：
将粉料压制成型并经干燥窑烘干，得到坯体；
对坯体进行吹尘，以78±2g/m2的喷水量进行喷水，并按照施釉量530±2g/m2淋底釉，获得砖坯；
对淋底釉后的砖坯进行喷墨印花装饰；
对喷墨印花装饰后的砖坯淋如权利要求1-2任一项所述的全抛釉，施釉量为310±2g/m2；
将淋全抛釉后的砖坯置入窑烧成，在氧化气氛下烧制70±5min，得到黑色喷墨陶瓷砖半成品；
将所述黑色喷墨陶瓷砖半成品依次进行抛光、打蜡、磨边和贴膜，得到黑色喷墨陶瓷砖成品。
6.根据权利要求5所述的黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其特征在于，所述底釉原料以质量分数计，包括：高岭土7份，钾长石33份，钠长石33份，石英粉13份，硅酸锆8份，煅烧土1份，硅灰石2份，氧化锌3份。
7.根据权利要求6所述的黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其特征在于，所述底釉的制备方法包括：
称取底釉的原料，并将各组分混合，得到底釉原料混合料；
按照底釉原料混合料的重量比，分别称取CMC 0.12%、三聚磷酸钠 0.4%和防腐剂0.05%，与底釉原料混合料进行混合，获得底釉球磨前料；
按照重量比为底釉球磨前料：球：水=1：2：0.4，对所述底釉球磨前料进行湿球磨加工，并控制球磨后的釉浆过325目筛，筛余为0.1%-0.3%，获得底釉。
8.根据权利要求5所述的黑色喷墨陶瓷砖制造方法，其特征在于，所述黑色喷墨陶瓷砖半成品的烧成温度为底温1160±5℃，面温1140-1150℃。
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