CN113121113A - 一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于瓷砖烧制领域,提供了一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,包括以下步骤:S1.材料选用锆英砂,将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后,通过600‑1200℃煅烧,得到材料A;S2.选用全抛釉,并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料B;S3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料C;S4.制坯:将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中,并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯;S5.在步骤S4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉;S6.将步骤S5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150‑200℃下烘干。本发明使用了材质基础便宜的基础釉料B,减少了陶瓷熔块干粒的占比,成本约减少30%,同时,在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果,使得产品的可选择性大大提升。
Description
技术领域
本发明属于瓷砖烧制领域,尤其涉及一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法。
背景技术
全抛釉是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉,它是施于仿古砖的最后一道釉料,一般为透明面釉或透明凸状花釉,施于全抛釉的全抛釉砖集抛光砖与仿古砖优点于一体的。全抛釉瓷砖的釉面如抛光砖般光滑亮洁,同时其釉面花色如仿古砖般图案丰富,色彩厚重或绚丽。
现有材质的全抛釉瓷砖,用手触摸,表面光亮柔和、平滑不凸出,显得晶莹透亮,釉下石纹纹理清晰自然,与上层透明釉料融合后,犹如一层透明水晶釉膜覆盖,使得整体层次更加立体分明。
但是,现有的全抛釉瓷砖选用了较大比例的陶瓷熔块干粒,使得制造的成本大大提升,不利于企业的竞争力。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,旨在解决现有的全抛釉瓷砖选用了较大比例的陶瓷熔块干粒,使得制造的成本大大提升,不利于企业的竞争力的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,包括以下步骤:
S1.材料选用锆英砂,首先经过颚式破碎机破碎,将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后,通过600-1200℃煅烧,筛选除去杂质,提取闪光颗粒,得到材料A;
S2.选用全抛釉,并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料B;
S3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料C;
S4.制坯:将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中,并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯,然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干,得到瓷质砖生坯;
S5.在步骤S4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉,后进行喷墨印刷,然后再进行表面施釉;
S6.将步骤S5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干,接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法,将瓷质砖生坯一次烧成,烧成温度为1150-1200℃,烧成周期为60min,制得半成品瓷质砖;
S7.用金刚砂磨块对步骤S6中制得的半成品瓷质砖进行抛光处理,再用闪抛磨块进行抛哑光处理,最后检验入库。
进一步的技术方案,根据S2,干粒子熔块为高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石中的一种。
进一步的技术方案,根据S2,干粒子的膨胀系数为5~10,三种不同膨胀系数的干粒子的膨胀系数之和介于18~27。
进一步的技术方案,根据S2,混合的方式为600~1200℃煅烧熔融。
进一步的技术方案,根据S1~S5,施釉的具体方法为:将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,然后加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡,作为初步施釉,初步施釉后进行干燥,然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
进一步的技术方案,初步施釉后进行干燥的装置为电热炉。
进一步的技术方案,电热炉的温度为100~150℃。
进一步的技术方案,根据S1~S5,施釉的具体方法为:瓷质砖生坯按设定样式通过丝网印花胶水,将A料通过淋釉的施釉方式施布釉料,印花胶水按预设样式将A料固定后通过风吸方式将多余的A料吸走,然后,将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡;先进行小干燥;然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
本发明实施例提供的一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,本发明使用了材质基础便宜的基础釉料B,减少了陶瓷熔块干粒的占比,成本约减少30%,同时,在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果,使得产品的可选择性大大提升。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
作为本发明一个实施例提供的一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,包括以下步骤:
S1.材料选用锆英砂,首先经过颚式破碎机破碎,将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后,通过600-1200℃煅烧,筛选除去杂质,提取闪光颗粒,得到材料A;
S2.选用全抛釉,并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料B;
S3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料C;
S4.制坯:将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中,并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯,然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干,得到瓷质砖生坯;
S5.在步骤S4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉,后进行喷墨印刷,然后再进行表面施釉;
S6.将步骤S5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干,接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法,将瓷质砖生坯一次烧成,烧成温度为1150-1200℃,烧成周期为60min,制得半成品瓷质砖;
S7.用金刚砂磨块对步骤S6中制得的半成品瓷质砖进行抛光处理,再用闪抛磨块进行抛哑光处理,最后检验入库。
在本发明实施例中,本发明使用了材质基础便宜的基础釉料B,减少了陶瓷熔块干粒的占比,成本约减少30%,同时,在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果,使得产品的可选择性大大提升。
作为本发明的一种优选实施例,根据S2,干粒子熔块为高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石中的一种。
在本发明实施例中,高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石为成本较为低廉的基础材料。
作为本发明的一种优选实施例,根据S2,干粒子的膨胀系数为5~10,三种不同膨胀系数的干粒子的膨胀系数之和介于18~27。
在本发明实施例中,控制膨胀系数避免成品在热胀冷缩的情况下产生较大的变形。
作为本发明的一种优选实施例,根据S2,混合的方式为600~1200℃煅烧熔融。
在本发明实施例中,此处为煅烧温度工艺。
作为本发明的一种优选实施例,根据S1~S5,施釉的具体方法为:将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,然后加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡,作为初步施釉,初步施釉后进行干燥,然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
在本发明实施例中,此实施例为基础材料B的配制工艺施加再将羧甲基纤维素钠、氧化锌的目的是保证釉层粘结的稳固性。
作为本发明的一种优选实施例,初步施釉后进行干燥的装置为电热炉。
在本发明实施例中,此处为加热装置。
作为本发明的一种优选实施例,电热炉的温度为100~150℃。
在本发明实施例中,此处为加热温度。
作为本发明的一个实施例,根据S1~S5,施釉的具体方法为:瓷质砖生坯按设定样式通过丝网印花胶水,将A料通过淋釉的施釉方式施布釉料,印花胶水按预设样式将A料固定后通过风吸方式将多余的A料吸走,然后,将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡;先进行小干燥;然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
在本发明实施例中,此实施例为工艺B-施釉方法的工艺流程。
本发明上述实施例中提供了一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,并基于该一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法装置提供了基础材料B、闪光颗粒A,通过陶瓷熔块干粒C的熔合,获得了:本发明使用了材质基础便宜的基础釉料B,减少了陶瓷熔块干粒的占比,成本约减少30%,同时,在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果,使得产品的可选择性大大提升的技术效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.材料选用锆英砂,首先经过颚式破碎机破碎,将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后,通过600-1200℃煅烧,筛选除去杂质,提取闪光颗粒,得到材料A;
S2.选用全抛釉,并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料B;
S3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料C;
S4.制坯:将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中,并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯,然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干,得到瓷质砖生坯;
S5.在步骤S4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉,后进行喷墨印刷,然后再进行表面施釉;
S6.将步骤S5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干,接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法,将瓷质砖生坯一次烧成,烧成温度为1150-1200℃,烧成周期为60min,制得半成品瓷质砖;
S7.用金刚砂磨块对步骤S6中制得的半成品瓷质砖进行抛光处理,再用闪抛磨块进行抛哑光处理,最后检验入库。
2.根据权利要求1所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,根据S2,所述干粒子熔块为高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石中的一种。
3.根据权利要求1所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,根据S2,所述干粒子的膨胀系数为5~10,所述三种不同膨胀系数的干粒子的膨胀系数之和介于18~27。
4.根据权利要求1所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,根据S2,所述混合的方式为600~1200℃煅烧熔融。
5.根据权利要求1所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,根据S1~S5,所述施釉的具体方法为:将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,然后加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡,作为初步施釉,初步施釉后进行干燥,然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
6.根据权利要求5所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,所述初步施釉后进行干燥的装置为电热炉。
7.根据权利要求6所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,其特征在于,所述电热炉的温度为100~150℃。
8.根据权利要求1所述的全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法,根据S1~S5,其特征在于,所述施釉的具体方法为:瓷质砖生坯按设定样式通过丝网印花胶水,将A料通过淋釉的施釉方式施布釉料,印花胶水按预设样式将A料固定后通过风吸方式将多余的A料吸走,然后,将A、B、C按照质量比为(10-30)%:(40-50)%:(40-50)%混合,再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料,通过淋釉的施釉方式施布釉料,施布量为450-550g/㎡;先进行小干燥;然后将材料B用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面,再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层。
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