CN110635039A - 一种钝化钙钛矿的方法及钙钛矿太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N‑甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。

Description

一种钝化钙钛矿的方法及钙钛矿太阳能电池
技术领域
本发明涉及一种钝化钙钛矿的方法，尤其关于一种以环状醚钝化钙钛矿的方法。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿材料具有优异的光学和电子特性，如高吸收系数、长电荷载流子扩散长度和低缺陷密度以及可调谐带隙。实现高效率的器件均是采用较为复杂组分的钙钛矿多晶薄膜，范围从二元阳离子(MAFA或CsFA)和三元阳离子(CsMAFA)到Rb+改性的多元阳离子的钙钛矿薄膜。由于FA(甲脒)与MA(甲胺)相比，热稳定性更高和带隙更优，FA被用作当前最高效率的电池中的钙钛矿层的主要组分。值得注意的是，FAPbI3的纯钙钛矿相在室温条件不稳定以及长期稳定性较差，常常采用Cs+、Rb+离子稳定FAPbI3的钙钛矿相，但引入Cs+、Rb+会分别容易形成CsPbI3和RbPbI3，使得钙钛矿相发生分离，导致其光电性能下降。
此外，全无机钙钛矿CsPbX3(X为包括Cl、Br和I的卤素)具有优异的热稳定性和光电特性，并且可以通过Cl、Br和I的组分调节，改变带隙和光电性质。但CsPbX3的钙钛矿相很容易受到水分影响，发生相变，退化成不具有光学活性的非钙钛矿相。
由上述可知，如何稳定钙钛矿相是一个亟待解决的问题。先前技术，例如中国发明专利CN108807144A中有公开利用冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其中，涉及冠醚掺杂于钙钛矿材料中，但制备无机钙钛矿薄膜的过程中冠醚会残留在薄膜内部，影响薄膜性能。然而，冠醚的存在不利于光生载流子的传输，减小了电荷的输运能力，使得器件的效率降低，仅有8％左右。
因此，业界亟需一种能够钝化钙钛矿的方法，以提高钙钛矿的稳定性、光电效率。
发明内容
本发明有关一种钝化钙钛矿的方法，其所制备的钙钛矿层具有质量高、均匀致密的优点。而且，经过环状醚钝化处理钙钛矿层表面后，不影响钙钛矿薄膜的电荷传输，可以有效提高电池的效率和稳定性。环状醚既含有疏水性的外部骨架，又具有可与Cs+成键的内腔,通过静电作用，C-O偶极和Cs+离子生成稳定的配合物。本发明可有效地抑制水分对钙钛矿的破坏，使其抗湿性增强。基于该方法处理的钙钛矿层所组装的太阳能电池的性能优异。
本发明提供的钝化钙钛矿的方法，包括以下步骤：
S1.制备钙钛矿前驱体溶液；
S2.将基底退火，其中所述基底含电子传输层；
S3.将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及
S4.在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿为AaMbXc，其中A包括C6H5C2H4NH3 +、CH3C3H6NH3 +、COOH(CH2)4NH3 +、CH3NH3 +、HC(NH2)2 +、Cs+或Rb+中的至少一种；M包括Pb2+或Sn2+中的至少一种；以及X包括卤素离子或类卤素离子。
根据本发明的实施例，所述电子传输层为n型无机半导体或n型有机半导体，所述n型无机半导体或n型有机半导体包括PCBM、TiO2、SnO2、ZnO或ZnO-ZnS所组成的组中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮或N-乙基吡咯烷酮中的任一种或两种以上的混合物。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿前驱体溶液是以N-甲基吡咯烷酮作为溶剂。
根据本发明的实施例，所述环状醚包括1,3-二氧五环、1,4-二氧六环、冠醚、氮杂冠醚、硫杂冠醚、酰胺基-冠醚、酯基-冠醚、硫杂穴醚、酰胺基-穴醚、酯基-穴醚中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层的步骤包括通过溶液处理、气相蒸镀或热蒸镀法其中的一种在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层。
根据本发明的实施例，所述的方法还包括：
S5在所述经环状醚处理的钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层。
根据本发明的实施例，所述空穴传输层为p型无机半导体或p型有机半导体，所述p型无机半导体或p型有机半导体包括CuI、CuSCN、spiro-OMeTAD、P3HT或PTAA中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述的方法还包括：
S6.在所述空穴传输层上形成电极层。
本发明一方面提供一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括导电基底、电子传输层、空穴传输层及背电极，其中，所述钙钛矿太阳能电池还包括钙钛矿层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，其中所述钙钛矿层是以本发明所述的方法所制备。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿层的厚度为200至900nm。
根据本发明的实施例，所述电子传输层的厚度为10至120nm；所述空穴传输层的厚度为50至300nm；所述电极层的厚度为30至200nm。
相较于先前技术，本发明的钝化稳定钙钛矿的方法，使钙钛矿层具有优异的相稳定性，低缺陷态密度和长载流子寿命。基于该方法处理的钙钛矿层组装的太阳能电池的性能优异。该钝化稳定钙钛矿层的方法简单便捷、兼容性高且重复性高。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
图1为本发明实施例3(对比例2)所制备的钙钛矿太阳能电池的效率曲线图；
图2为本发明实施例4所制备的钙钛矿太阳能电池的效率曲线图；
图3为本发明实施例3(对比例2)和实施例4中制备的钙钛矿薄膜的紫外-可见光光谱图；
图4为本发明实施例3(对比例2)和实施例4中制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性跟踪测试曲线图，其中测试条件：暗态，湿度20％，温度25℃。
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如「上」、「内」、「外」、「底」、「一」、「中」等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
本发明一方面提供一种钝化钙钛矿的方法，包括以下步骤：
S1.制备钙钛矿前驱体溶液；根据本发明的实施例，所述钙钛矿可为AaMbXc，其中A可包括C6H5C2H4NH3 +、CH3C3H6NH3 +、COOH(CH2)4NH3 +、CH3NH3 +、HC(NH2)2 +、Cs+或Rb+中的至少一种；M可包括Pb2+或Sn2+中的至少一种；以及X可包括卤素离子或或类卤素离子；优选地，X可为Cl-、Br-或I-中的至少一種。本领域技术人员可以理解，所述钙钛矿可为一种或者多种无机卤化物钙钛矿、有机-无机杂化卤化物钙钛矿的混合。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿前驱体溶液可包括，例如N-甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮或类似溶液作为溶剂或混合助剂，但不限于此。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂可为N-甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮或N-乙基吡咯烷酮中任一种；或任选N-甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮或N-乙基吡咯烷酮中的两种以上的混合物使用。
根据本发明的优选实施例，所述钙钛矿前驱体溶液可以N-甲基吡咯烷酮作为溶剂。
S2.将基底退火，其中所述基底含电子传输层；根据本发明的实施例，所述电子传输层可为至少一种n型无机半导体或n型有机半导体。
所述电子传输层材料可以是适合与钙钛矿搭配使用的，所述n型无机半导体或n型有机半导体可包括但不限于，例如PCBM、TiO2、SnO2、ZnO或ZnO-ZnS中的至少一种。
根据本发明的优选实施例，所述电子传输层材料可为ZnO-ZnS。由于ZnO-ZnS与钙钛矿吸光层的能级匹配较好，稳定性高，因此，可得到光电转换效率较高。
S3.将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；根据本发明的实施例，所述钙钛矿前驱体溶液可以通过旋涂法、刮涂法、提拉法、狭缝涂布法、热蒸镀法等一种或者多种的工艺结合涂布于基底上。
S4.在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。根据本发明的实施例，所述环状醚可包括但不限于，例如1,3-二氧五环、1,4-二氧六环、冠醚、氮杂冠醚、硫杂冠醚、酰胺基-冠醚、酯基-冠醚、硫杂穴醚、酰胺基-穴醚、酯基-穴醚中的至少一种。
根据本发明的实施例，所述形成环状醚钝化层的方式可包括但不限于通过溶液处理、气相蒸镀、热蒸镀法等方式在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层。
根据本发明的优选实施例，可使用蒸镀方法形成环状醚钝化层。蒸镀方法是一种无损技术，具有厚度可控、薄膜致密的优点，且不容易像溶液法存在溶剂对钙钛矿的破坏。此外，钙钛矿太阳能电池的背电极也可采用蒸镀技术，而使本发明钝化钙钛矿的方法具有兼容性。
根据本发明的实施例，所述的方法还可包括S5在所述经环状醚处理的钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层。
根据本发明的实施例，所述空穴传输层可为至少一种p型无机半导体或p型有机半导体。
所述空穴传输层材料可以是适合与钙钛矿搭配使用的，例如但不限于CuI、CuSCN、spiro-OMeTAD、P3HT或或PTAA中至少一种。
根据本发明的优选实施例，所述空穴传输层材料可为spiro-OMeTAD。由于spiro-OMeTAD与钙钛矿吸光层的能级匹配较好，可得到光电转换效率高。
根据本发明的实施例，所述的方法还可包括S6.在所述空穴传输层上形成电极层。
本发明一方面提供一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括导电基底、电子传输层、空穴传输层及背电极，其中，所述钙钛矿太阳能电池还包括钙钛矿层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，其中所述钙钛矿层是以本发明所述的方法所制备。
根据本发明的实施例，所述的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电基底、电子传输层、经本发明钝化稳定的钙钛矿层、空穴传输层及电极层。
根据本发明的实施例，所述电极层可为金电极、碳基电极或其他导电电极。
根据本发明的实施例，所述钙钛矿层的厚度为200至900nm。
根据本发明的实施例，所述电子传输层的厚度为10至120nm；所述空穴传输层的厚度为50至300nm；所述电极层的厚度为30至200nm。
以下通过实施例说明本发明所提供制备方法的详细制作流程与条件。
实施例1–使用NMP(N-甲基吡咯烷酮)作为溶剂或混合剂
制备方法：
根据本发明所提供的方法，将PbI2、CsI和NMP按1:1:1的摩尔比溶解在DMF(N，N-二甲基甲酰胺)中，以70℃加热并连续搅拌1小时，使其完全溶解，得CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，浓度为1mol/L；将基底(导电玻璃/致密ZnO-ZnS层/介孔TiO2层构成)在空气氛围、550℃退火30分钟后降至室温，再将所述基底转移至手套箱；将所述CsPbI3钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述基底上，转速为3000转/分，时间30秒，并以140℃加热含有CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的基底20分钟，生成黑色钙钛矿相的CsPbI3钙钛矿薄膜；将空穴传输层材料spiro-OMeTAD的氯苯溶液(浓度30mg/mL)、四叔丁基吡啶(TBP)和双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)充分混合均匀后，旋涂在所述CsPbI3钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层；使用热蒸镀方法，在所述空穴传输层上蒸镀金电极层。本实施例中的钙钛矿薄膜厚度为400nm，空穴传输层厚度为100nm，金电极层厚度为80nm。上述制备工艺均在湿度为10～15％的氛围中进行。
光电转换性能测试：
将实施例1所制备的太阳能电池进行性能测试，其光电转换效率达到9.1％。
实施例2–使用DMF(N,N-二甲基乙酰胺)作为溶剂或混合剂
制备方法：
根据本发明所提供的方法，将PbI2、CsI和DMF按1:1:1的摩尔比溶解在DMF中，以70℃加热并连续搅拌1小时，使其完全溶解，得CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，浓度为1mol/L；将基底(导电玻璃/致密ZnO-ZnS层/介孔TiO2层构成)在空气氛围、550℃退火30分钟后降至室温，再将所述基底转移至手套箱；将所述CsPbI3钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述基底上，转速为3000转/分，时间30秒，并以140℃加热含有CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的基底20分钟，生成黑色钙钛矿相的CsPbI3钙钛矿薄膜；将空穴传输层材料spiro-OMeTAD的氯苯溶液(浓度30mg/mL)、TBP和Li-TFSI充分混合均匀后，旋涂在所述CsPbI3钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层；使用热蒸镀方法，在所述空穴传输层上蒸镀金电极层。本实施例中的钙钛矿薄膜厚度为400nm，空穴传输材料层厚度为100nm，金电极层厚度为80nm。上述制备工艺均在湿度为10～15％的氛围中进行。
光电转换性能测试：
将实施例2所制备的太阳能电池进行性能测试，其光电转换效率达到7.0％。
实施例3–使用环状醚掺杂钝化钙钛矿
制备方法：
根据本发明所提供的方法，将PbI2和CsI按1:1的摩尔比溶解在NMP中，以70℃加热并连续搅拌1小时，使其完全溶解，得CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，浓度为1mol/L；将2mg 18-冠醚-6的粉末加到所述CsPbI3钙钛矿前驱体溶液中，超声混合均匀，得经掺杂的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液；将基底(导电玻璃/致密ZnO-ZnS层/介孔TiO2层构成)在空气氛围、550℃退火30分钟后降至室温，再将所述基底转移至手套箱；将所述经掺杂的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述基底上，转速为3000转/分，时间30秒，并以140℃加热含有经掺杂的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的基底20分钟，生成黑色钙钛矿相的CsPbI3钙钛矿薄膜；将空穴传输层材料spiro-OMeTAD的氯苯溶液(浓度30mg/mL)、TBP和Li-TFSI充分混合均匀后，旋涂在所述CsPbI3钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层；使用热蒸镀方法，在所述空穴传输层上蒸镀金电极层。本实施例中的钙钛矿薄膜厚度为400nm，空穴传输材料层厚度为100nm，金电极层厚度为80nm。上述制备工艺均在湿度为10～15％的氛围中进行。
光电转换性能测试：
将实施例3所制备太阳能电池进行性能测试，其光电转换效率达到8.05％。图2为实施例3所制备的钙钛矿太阳能电池的效率曲线图。
实施例4–通过蒸镀工艺以环状醚钝化钙钛矿
制备方法：
根据本发明所提供的方法，将PbI2和CsI按1:1的摩尔比溶解在NMP中，以70℃加热并连续搅拌1小时，使其完全溶解，得CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，浓度为1mol/L；将基底(导电玻璃/致密ZnO-ZnS层/介孔TiO2层构成)在空气氛围、550℃退火30分钟后降至室温，再将所述基底转移至手套箱；将所述CsPbI3钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述基底上，转速为3000转/分，时间30秒，并以140℃加热含有CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的基底20分钟，生成黑色钙钛矿相的CsPbI3钙钛矿薄膜；采用热蒸镀方法，在所述CsPbI3钙钛矿薄膜上蒸镀18-冠醚-6钝化层，得到经18-冠醚-6处理的CsPbI3钙钛矿薄膜；将空穴传输层材料spiro-OMeTAD的氯苯溶液(浓度30mg/mL)、TBP和Li-TFSI充分混合均匀后，旋涂在所述经环状醚处理的CsPbI3钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层；使用电子束蒸镀方法，在所述空穴传输层上蒸镀金电极层。本实施例中的钙钛矿薄膜厚度为400nm，空穴传输材料层厚度为100nm，金电极层厚度为80nm。上述制备工艺均在湿度为10～15％的氛围中进行。
光电转换性能测试：
将实施例4所制备的太阳能电池进行性能测试，其光电转换效率达到15.0％。图1为本发明实施例4所制备的钙钛矿太阳能电池的效率曲线图。
实施例5–通过旋涂以环状醚钝化钙钛矿
制备方法：
根据本发明所提供的方法，将PbI2和CsI按1:1的摩尔比溶解在NMP中，以70℃加热并连续搅拌1小时，使其完全溶解，得CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，浓度为1mol/L；将基底(导电玻璃/致密ZnO-ZnS层/介孔TiO2层构成)在空气氛围、550℃退火30分钟后降至室温，再将所述基底转移至手套箱；将所述经掺杂的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述基底上，转速为3000转/分，时间30秒，并以140℃加热含有经掺杂的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的基底20分钟，生成黑色钙钛矿相的CsPbI3钙钛矿薄膜；将5mg/mL 18-冠醚-6溶液旋涂于所述CsPbI3钙钛矿薄膜上，转速为3000转/分，时间30秒；以100℃加热10分钟，得到经18-冠醚-6处理的CsPbI3钙钛矿薄膜；将空穴传输层材料spiro-OMeTAD的氯苯溶液(浓度30mg/mL)、TBP和Li-TFSI充分混合均匀后，旋涂在所述经18-冠醚-6处理的CsPbI3钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层；使用电子束蒸镀方法，在所述空穴传输层上蒸镀金电极层。本实施例中的钙钛矿薄膜厚度为400nm，空穴传输材料层厚度为100nm，金电极层厚度为80nm。上述制备工艺均在湿度为10～15％的氛围中进行。
光电转换性能测试：
将实施例5所制备的太阳能电池进行性能测试，其光电转换效率为12.0％。
根据本发明上述实施例可以发现，与DMF作为溶液(实施例2)相比，NMP作为溶液所制备的钙钛矿薄膜(实施例1)具有较高质量，其表面更均匀、平整，且无空洞缺陷。
为了提高所制备的太阳能电池的效率和稳定性，利用环状醚进一步钝化钙钛矿，从图1-3可以看出，环状醚钝化后的钙钛矿的效率更高，稳定性更好。其中，本发明使用蒸镀工艺以环状醚钝化处理钙钛矿(实施例4)的光电转换率更高于使用先前技术，如申请公开号CN108807144A所揭露的冠醚掺杂改性钙钛矿者(实施例3)，也优于以传统旋涂方式钝化处理钙钛矿者(实施例5)。
相较于以掺杂改性钙钛矿或以旋涂法处理钙钛矿，本发明利用NMP制备钙钛矿前驱体溶液，NMP的酰胺基可以与Pb离子、Cs离子产生相互作用，使钙钛矿层具有质量高、均匀致密的优点。
此外，本发明提出的通过蒸镀工艺以环状醚钝化的钙钛矿表面的方法所制成的钙钛矿薄膜，由于环状醚只存在于钙钛矿薄膜的表面，减少环状醚对于薄膜内电荷输运的不利影响。采用蒸镀法又是一种无损技术，不会破坏钙钛矿且兼容性高。环状醚的醚氧键又能有效地抑制水分，使钙钛矿的抗湿性增强。
本发明所提供的环状醚钝化稳定钙钛矿具有优异的相稳定性，低缺陷态密度和长载流子寿命。因此本发明所提供的钙钛矿太阳能电池效率更高，稳定性和重复性更好。与现有技术相比，本发明提出以N-甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率达15％，稳定性也有明显提升。
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (10)

1.一种钝化钙钛矿的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1.制备钙钛矿前驱体溶液；
S2.将基底退火，其中所述基底含电子传输层；
S3.将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及
S4.在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮或N-乙基吡咯烷酮中任一种或两种以上的混合物。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂是N-甲基吡咯烷酮。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿为AaMbXc，其中A包括C6H5C2H4NH3 +、CH3C3H6NH3 +、COOH(CH2)4NH3 +、CH3NH3 +、HC(NH2)2 +、Cs+或Rb+其中的一种；M为Pb2+或Sn2+其中的一种；以及X为卤素离子或类卤素离子。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子传输层是n型无机半导体或n型有机半导体，所述的n型无机半导体或n型有机半导体的材料包括PCBM、TiO2、SnO2、ZnO或ZnO-ZnS其中的一种。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环状醚包括1,3-二氧五环、1,4-二氧六环、冠醚、氮杂冠醚、硫杂冠醚、酰胺基-冠醚、酯基-冠醚、硫杂穴醚、酰胺基-穴醚或酯基-穴醚其中的至少一种。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层的步骤包括通过溶液处理、气相蒸镀或热蒸镀法其中的一种在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层。
8.如权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述S4步骤之后还包括：
S5在所述经环状醚处理的钙钛矿薄膜上，形成空穴传输层，所述空穴传输层是p型无机半导体或p型有机半导体，所述的p型无机半导体或p型有机半导体的材料包括CuI、CuSCN、spiro-OMeTAD、P3HT或PTAA其中的一种。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述S5步骤之后还包括：
S6.在所述空穴传输层上形成电极层。
10.一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括导电基底、电子传输层、空穴传输层及背电极，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括钙钛矿层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，其中所述钙钛矿层是以如权利要求1至7任一项所述的方法所制备的经环状醚处理的钙钛矿薄膜，所述钙钛矿层的厚度为200至900nm。
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