CN110544621B - 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。能提供用于实现进行维护处理的定时的合理化的技术。该技术具有：将基板从储存有多个基板的储存容器搬运到处理室并进行处理的工序；受理处理室的维护预约信息的工序；以及在受理维护预约信息后，在与维护预约信息相关的处理室中的基板处理完成之前继续进行基板处理，在完成基板处理后停止向处理室的基板搬运并使处理室成为可维护状态的工序。

Description

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质
技术领域
本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录有程序的记录介质。
背景技术
在半导体装置(器件)的制造工序中，为了实现基板处理过程的高效化，有时将多个基板作为一个单位(批)处理。对于执行这样的基板处理过程的基板处理装置而言，已知有对于进行该基板处理过程的处理空间(处理室)进行维护处理而不损失生产率的技术(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6159536号公报
在将多个基板作为一批处理的情况下，根据进行维护处理的定时，各基板的处理品质可能成为问题。例如，若维护处理夹在针对某批的处理的过程中，则在维护处理的前后处理条件改变，有可能在同一批内处理品质产生差别。另外，例如，若使维护处理的执行过于推后，则有可能错过适当的定时，对基板的处理品质造成不良影响。另外，例如，若委托维护作业者等判断在哪个定时进行维护处理，则对该维护作业者等的负担过大，并且，不一定能进行适当的判断。
发明内容
本公开提供能实现进行维护处理的定时的合理化的技术。
根据一个方式，提供了一种技术，具有：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的工序；
受理上述处理室的维护预约信息的工序；以及
在受理上述维护预约信息后，在与该维护预约信息相关的上述处理室中的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的工序。
发明效果
根据本公开的技术，能实现进行维护处理的定时的合理化。
附图说明
图1是一实施方式的基板处理装置的整个系统的横剖面的概略图。
图2是一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
图3是一实施方式的控制器的概略结构图。
图4是一实施方式的基板处理工序的简要流程图。
图5是对于多个基板按顺序进行基板处理的情况下的步骤的简要流程图。
图6是一实施方式的控制器的功能构成例的框图。
图7是一实施方式的维护定时控制处理的一个例子的流程图。
附图标记说明
100、100a、100b、100c、100d…基板处理装置，200…晶圆(基板)，201…处理空间(处理室)，202…处理容器，260…控制器，260a…CPU，260c…存储装置，260f…信息受理部，260g…维护控制部，260h…信息报告部，261…输入输出装置，500…主装置，2000…基板处理系统，2001…储存容器(吊舱(ポッド))，2220…大气(大気)搬运机器人，2700…真空搬运机器人
具体实施方式
＜一实施方式＞
以下，参照附图对本公开的一实施方式进行说明。
在以下的实施方式中列举的基板处理装置在半导体装置的制造工序中使用，构成为对成为处理对象的基板进行预定的处理。
作为成为处理对象的基板，例如，列举了嵌入有半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶圆基板(以下，仅称为“晶圆”。)。此外，在本说明书中使用“晶圆”这样的术语的情况下，有指“晶圆本身”的情况、指“晶圆与形成于其表面的预定的层、膜等的层叠体(集合体)”的情况(即，包含形成于表面的预定的层、膜等在内称为晶圆的情况)。另外，在本说明书中使用“晶圆的表面”这样的术语的情况下，有指“晶圆本身的表面(暴露面)”的情况、指“在晶圆上形成的预定的层、膜等表面，即，作为层叠体的晶圆的最表面”的情况。在本说明书中使用“基板”这样的术语的情况也与使用“晶圆”这样的术语的情况同义。
另外，作为对晶圆进行的处理，例如，有氧化处理、扩散处理、用于离子注入后载流子激活和平坦化的回流(リフロ)或退火(アニール)、成膜处理等。在本实施方式中，特别列举以进行成膜处理的情况为例。
(1)整个系统的结构
首先，对一实施方式的基板处理装置的整个系统的构成例进行说明。
图1是本实施方式的基板处理装置的整个系统的横剖面的概略图。
如图1所示，应用了本公开的基板处理装置的整个系统(以下，仅称为“基板处理系统”。)2000是对作为基板的晶圆200进行处理的系统，是具有多台基板处理装置100而构成的所谓的集群式。更详细而言，集群式的基板处理系统2000具备IO工作台2100、大气搬运室2200、负载锁定(Load Lock)真空(L/L)室2300、真空搬运室2400以及多台基板处理装置100(100a、100b、100c、100d)而构成。以下实施方式的基板处理系统2000是包括基板处理装置100a、100b、100c、100d的例子。但是实施方式并不限于此。例如，基板处理装置的台数可以是5台以上，也可以是3台以下。此外，在图中，对于前后左右而言，X1方向为右，X2方向为左，Y1方向为前，Y2方向为后。
在基板处理系统2000的前面设置有IO工作台(加载端口)2100。在IO工作台2100上搭载有多个被称为前开标准舱(FOUP：Front Open Unified Pod)的储存容器(以下，仅称为“吊舱”。)2001。吊舱2001被用作搬运晶圆200的载体，构成为在其内部分别以水平姿势储存有多张未处理的晶圆200或者处理完毕的晶圆200。
IO工作台2100与大气搬运室2200相邻。在大气搬运室2200内设置有作为转移晶圆200的第一搬运机器人的大气搬运机器人2220。在大气搬运室2200，在与IO工作台2100不同的一侧连结有负载锁定真空室2300。
负载锁定真空室2300其内部的压力与大气搬运室2200的压力和后述的真空搬运室2400的压力对应地变动，为此，构成为能耐负压的结构。在负载锁定真空室2300，在与大气搬运室2200不同的一侧连结有真空搬运室(传输模块：TM)2400。
TM2400作为成为在负压下搬运晶圆200的搬运空间的搬运室发挥作用。构成TM2400的壳体2410在俯视时形成为五边形，在五边形的各边中除了连结负载锁定真空室2300的边以外的各边连结多台(例如4台)对晶圆200进行处理的基板处理装置100。在TM2400的大致中央部设置有作为在负压下转移(搬运)晶圆200的第二搬运机器人的真空搬运机器人2700。此外，这里，虽然示出真空搬运室2400为五边形的例子，但也可以是四边形、六边形等多边形。
设置于TM2400内的真空搬运机器人2700具有能够独立动作的二个臂2800、2900。真空搬运机器人2700被后述的控制器260控制。
在TM2400与各基板处理装置100之间设置有闸阀(GV)1490。具体而言，在基板处理装置100a与TM2400之间设置有闸阀1490a，在与基板处理装置100b之间设置有GV1490b。在与基板处理装置100c之间设置有GV1490c，在与基板处理装置100d之间设置有GV1490d。通过各GV1490的开放，TM2400内的真空搬运机器人2700能够进行经由设置于各基板处理装置100的基板搬入搬出口1480的晶圆200的出入。闸阀1490a、1490b、1490c、1490d的结构相同，因此在以下的说明中，将闸阀1490a、1490b、1490c、1490d汇总或者单独地称为闸阀1490。
(2)基板处理装置的构成
接下来，对在上述的基板处理系统2000中使用的基板处理装置100(100a、100b、100c、100d)进行说明。此外，基板处理装置100a～基板处理装置100d是相同的结构，所以在以下的说明中，将它们统称为基板处理装置100。
基板处理装置100在进行作为半导体装置的制造工序的一工序的成膜处理时使用，例如，构成为单晶圆式(枚葉式)基板处理装置。
图2是本实施方式的基板处理装置的概略结构图。
(处理容器)
如图2所示，基板处理装置100具备处理容器202。处理容器202例如通过铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或者石英构成为横剖面为圆形且扁平的封闭容器。另外，处理容器202具备上部容器202a和下部容器202b，在它们之间设置有分隔部204。在被分隔部204上方的上部容器202a包围的空间作为对成为成膜处理的处理对象的晶圆200进行处理的处理空间(也称为“处理室”)201发挥作用。另一方面，被分隔部204下方的空间的下部容器202b包围的空间作为用于转移晶圆200的搬运空间(也称为“转移室”)203发挥作用。为了作为转移室203发挥作用，在下部容器202b的侧面设置有与闸阀1490邻接的基板搬入搬出口1480，晶圆200经由该基板搬入搬出口1480在与TM2400之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个升降销207。并且，下部容器202b接地。
(基板支承部)
在处理室201内设置有支承晶圆200的基板支承部(基座)210。基座210具备具有载置晶圆200的载置面211的基板载置台212。基板载置台212至少内置用于调整(加热或者冷却)载置面211上的晶圆200的温度的加热器213a、213b。在加热器213a、213b分别独立地连接有调整向各自的供给电力的温度调整部213c、213d。各温度调整部213c、213d根据来自后述的控制器260的指示，被分别独立控制。由此，加热器213a、213b构成为能够对于载置面211上的晶圆200按各区域进行独自的温度调整的区域控制。另外，在基板载置台212，在与升降销207对应的位置分别设置有升降销207贯通的贯通孔214。
基板载置台212由轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。而且，构成为能够通过使升降机构218工作，而使基板载置台212升降。轴217下端部的周围被波纹管(ベローズ)219覆盖，处理室201内被气密地保持。
基板载置台212在搬运晶圆200时，下降使得基板载置面211成为基板搬入出口1480的位置(晶圆搬运位置)，在晶圆200的处理时，晶圆200上升到处理室201内的处理位置(晶圆处理位置)。具体而言，在使基板载置台212下降到晶圆搬运位置时，升降销207的上端部从基板载置面211的上表面突出，升降销207从下方支承晶圆200。另外，在使基板载置台212上升到晶圆处理位置时，升降销207从基板载置面211的上表面埋没，基板载置面211从下方支承晶圆200。此外，升降销207与晶圆200直接接触，所以例如希望由石英、氧化铝等材质形成。
(气体导入口)
在处理室201的上部设置有用于向处理室201内供给各种气体的气体导入口241。将在后面描述与气体导入口241连接的气体供给单元的结构。
为了使从气体导入口241供给的气体分散并均衡地扩散到处理室201内，优选在与气体导入口241连通的处理室201内配置有具有分散板234b的喷头(缓冲室)234。
在分散板234b的支承部件231b连接有匹配器251和高频电源252，构成为能够供给电磁波(高频电力、微波)。由此，能够通过分散板234b激发供给到处理室201内的气体并转换成等离子体。也就是说，分散板234b、支承部件231b、匹配器251以及高频电源252作为将后述的第一处理气体以及第二处理气体等离子体化，并供给等离子体化后的气体的第一气体供给部(详细将在后面描述)的一部分以及第二气体供给部(详细将在后面描述)的一部分发挥作用。
(气体供给部)
在气体导入口241连接有共用气体供给管242。在共用气体供给管242连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、第三气体供给管245a。从包括第一气体供给管243a的第一气体供给部243主要供给第一处理气体(详细将在后面描述)，从包括第二气体供给管244a的第二气体供给部244主要供给第二处理气体(详细将在后面描述)。从包括第三气体供给管245a的第三气体供给部245主要供给净化气体(パージガス)。
(第一气体供给部)
在第一气体供给管243a从上游方向按顺序设置有第一气体供给源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243c以及作为开闭阀的阀门243d。而且，从第一气体供给源243b经由MFC243c、阀门243d、第一气体供给管243a、共用气体供给管242向处理室201供给含有第一元素的气体(第一处理气体)。
第一处理气体例如是包含硅(Si)元素的气体。具体而言，使用二氯硅烷(SiH2Cl2，DCS(dichlorosilane))气体、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4，Tetraethoxysilane：TEOS)气体等。在以下的说明中，对使用DCS气体的例子进行说明。
在第一气体供给管243a的阀门243d的下游侧连接有第一非活性气体供给管246a的下游端。在第一非活性气体供给管246a从上游方向按顺序设置有非活性气体供给源246b、MFC246c、以及阀门246d。而且，从非活性气体供给源246b经由MFC246c以及阀门246d向第一气体供给管243a供给非活性气体。
非活性气体例如是氮气(N2)。此外，作为非活性气体，除了N2气以外，例如能够使用氩(Ar)气、氦(He)气、氖(Ne)气、氙(Xe)气等惰性气体。
主要通过第一气体供给管243a、MFC243c以及阀243d构成作为处理气体供给部之一的第一气体供给部(也称为含Si气体供给部)243。此外，也可以考虑将第一气体供给源243b包含于第一气体供给部243。
另外，主要通过第一非活性气体供给管246a、MFC246c以及阀门246d构成第一非活性气体供给部。此外，也可以考虑将非活性气体供给源246b、第一气体供给管243a包含于第一非活性气体供给部。并且，也可以考虑将第一非活性气体供给部包含于第一气体供给部243。
(第二气体供给部)
在第二气体供给管244a从上游方向按顺序设置有第二气体供给源244b、MFC244c、以及阀门244d。而且，从第二气体供给源244b经由MFC244c、阀门244d、第二气体供给管244a、共用气体供给管242向处理室201供给含有第二元素的气体(第二处理气体)。
第二处理气体含有与第一处理气体所含有的第一元素(例如Si)不同的第二元素(例如氮)，例如是含氮(N)气体。作为含N气体，例如使用氨气(NH3)。
在第二气体供给管244a的阀门244d的下游侧连接有第二非活性气体供给管247a的下游端。在第二非活性气体供给管247a从上游方向按顺序设置有非活性气体供给源247b、MFC247c、以及阀门247d。而且，从非活性气体供给源247b经由MFC247c以及阀门247d向第二气体供给管244a供给非活性气体。
非活性气体与第一非活性气体供给部的情况相同。
主要通过第二气体供给管244a、MFC244c以及阀门244d构成作为处理气体供给部的另一个的第二气体供给部(也称为含氮气体供给部)244。此外，也可以考虑将第二气体供给源244b包含于第二气体供给部244。
另外，主要通过第二非活性气体供给管247a、MFC247c以及阀门247d构成第二非活性气体供给部。此外，也可以考虑将非活性气体供给源247b、第二气体供给管244a包含于第二非活性气体供给部。并且，也可以考虑将第二非活性气体供给部包含于第二气体供给部244。
(第三气体供给部)
在第三气体供给管245a从上游方向按顺序设置有第三气体供给源245b、MFC245c、以及阀门245d。而且，从第三气体供给源245b经由MFC245c、阀门245d、第三气体供给管245a、共用气体供给管242向处理室201供给作为净化气体的非活性气体。
这里，非活性气体例如是N2气。此外，作为非活性气体，除了N2气以外，例如能够使用Ar气、He气、Ne气、Xe气等惰性气体。
主要通过第三气体供给管245a、MFC245c以及阀门245d构成作为非活性气体供给部的第三气体供给部(也称为净化气体供给部)245。此外，也可以考虑将第三气体供给源245b包含于第三气体供给部245。
(排气部)
在处理室201(上部容器202a)的内壁上表面设置有用于将处理室201内的环境气(雰囲気)排出的排气口221。排气口221连接有作为第一排气管的排气管224在。排气管224串联地连接有将处理室201内控制为预定的压力的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)等压力调整器227、设置于其前级或者后级的作为排气调整部的排气调整阀228、真空泵223。
压力调整器227以及排气调整阀228构成为在进行后述的基板处理工序时，同样地根据后述的控制器260所进行的控制来调整处理室201内的压力。更详细而言，构成为根据记载有基板处理的步骤、条件等的制程工艺(プロセスレシピ)，通过改变压力调整器227以及排气调整阀228中的阀(阀门)的开度，来调整处理室201内的压力。
另外，在排气管224例如在压力调整器227的前级(即，接近处理室201的一侧)设置有作为测量该排气管224内的压力的压力测量部的压力传感器229。此外，这里，举出压力传感器229测量排气管224内的压力的情况为例，但压力传感器229也可以测量处理室201内的压力。也就是说，压力传感器229测量处理室201内或者构成排气部的排气管224内的任意一方的压力即可。
主要通过排气口221、排气管224、压力调整器227、排气调整阀228构成了排气部(排气路线)。此外，也可以考虑将真空泵223、压力传感器229包含于排气部。
(3)基板处理装置中的控制器的构成
接下来，对作为一实施方式的基板处理装置的一部分的控制器260进行说明。
图3是本实施方式的控制器的概略结构图。
(硬件构成)
控制器260作为控制基板处理装置100的各部以及基板处理系统2000的搬运机器人等的动作的控制部(控制单元)发挥作用。因此，如图3所示，控制器260构成为具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)260a、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)260b、存储装置260c、I/O端口260d的计算机。RAM260b、存储装置260c、I/O端口260d构成为能够经由内部总线260e与CPU260a进行数据交换。
存储装置260c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置260c内可读出地储存有控制基板处理装置100的动作的控制程序、记载有基板处理的步骤、条件等的制程工艺、在各种处理过程中产生的运算数据、处理数据等。此外，制程工艺是被组合为使控制器260执行基板处理的各步骤并能够得到预定的结果的内容，作为程序发挥作用。
RAM260b构成为暂时保持由CPU260a读出的程序、运算数据、处理数据等的存储器区域(工作区域)。
I/O端口260d与闸阀1490、升降机构218、压力调整器227、排气调整阀228、真空泵223、压力传感器229、MFC243c、244c、245c、246c、247c、阀门243d、244d、245d、246d、247d、温度调整部213c、213d、匹配器251、高频电源252、真空搬运机器人2700、大气搬运机器人2220等连接。
另外，控制器260构成为能够连接例如构成为触摸面板等的输入输出装置261、外部存储装置262。并且，控制器260构成为能够经由信号收发部285以及网络263(因特网、专用线路等)连接有成为基板处理装置100的上位装置的主装置(主计算机)500。此外，本公开中的连接是指包括各部用物理电缆(信号线)连接这样的主旨，但也包括各部的信号(电子数据)能够直接或者间接地发送/接收这样的主旨。
(程序)
储存于存储装置260c内的控制程序、制程工艺等作为被作为运算部的CPU260a执行的程序发挥作用。以下，对它们进行统称，仅称为程序或者方法。在本说明书中使用程序这样的术语的情况下，有仅包括程序单体的情况、仅包括方法单体的情况、或者包括它们的组合的情况。
作为运算部的CPU260a构成为从存储装置260c读出程序并执行。而且，CPU260a按照由读出的程序规定的内容，进行闸阀1490的开闭动作、升降机构218的升降动作、温度调整部213c、213d的电力供给、匹配器251的电力的匹配动作、高频电源252的开关控制、MFC243c、244c、245c、246c、247c的动作控制、阀门243d、244d、245d、246d、247d的气体的开关控制、压力调整器227的阀门开度调整、排气调整阀228的阀门开度调整、真空泵的开关控制、真空搬运机器人2700的动作控制、大气搬运机器人2220的动作控制等。
此外，控制器260并不局限于构成为专用的计算机的情况，也可以构成为通用的计算机。例如，能够通过准备储存上述的程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)262，使用这样的外部存储装置262将程序安装到通用的计算机，来构成本实施方式的控制器260。但是，用于向计算机供给程序的手段并不局限于经由外部存储装置262供给的情况。例如，也可以使用网络263(因特网、专用线路)等通信单元，不经由外部存储装置262提供程序。此外，存储装置260c、外部存储装置262构成为计算机可读取的记录介质。以下，对它们进行统称，仅称为记录介质。此外，在本说明书中，使用记录介质这样的术语的情况有仅包括存储装置260c单体的情况、仅包括外部存储装置262单体的情况、或者包括它们双方的情况。
(4)基板处理工序的基本步骤
接下来，作为半导体装置(半导体器件)的制造工序的一工序，举出在晶圆200上形成预定膜的基板处理工序为例，对其概要进行说明。此外，这里，作为预定膜，例如举出将作为氮化膜的硅氮化膜(SiN膜)成膜的情况为例。以下说明的基板处理工序由上述的基板处理系统2000中的各基板处理装置100(100a、100b、100c、100d)进行。另外，在以下的说明中，各部的动作被控制器260控制。
图4是本实施方式的基板处理工序的概要的流程图。
(基板搬入/加热工序：S101)
在基板处理时，首先，在基板搬入/加热工序(S101)中，从IO工作台2100上的吊舱2001取出未处理的晶圆200，并且将该晶圆200搬入到任意一个基板处理装置100。在存在多个基板处理装置100的情况下，以预定顺序进行向各个基板处理装置100的搬入。晶圆200的取出使用大气搬运室2200内的大气搬运机器人2220进行。另外，晶圆200的搬入使用TM2400内的真空搬运机器人2700进行。而且，若搬入晶圆200，则使真空搬运机器人2700退避，关闭GV1490将基板处理装置100的处理容器202内封闭。其后，使基板载置台212上升，使基板载置面211上的晶圆200位于晶圆处理位置。在该状态下，控制排气部(排气系统)以使处理室201内成为预定的压力，并且控制加热器213a、213b以使晶圆200的表面温度成为预定的温度。
(基板处理工序：S102)
若位于晶圆处理位置的晶圆200成为预定温度，则接着，进行基板处理工序(S102)。在基板处理工序(S102)中，在将晶圆200加热到预定的温度的状态下，控制第一气体供给部243将第一气体供给到处理室201，并且，控制排气部从处理室201排气，对晶圆200进行处理。此外，此时，也可以控制第二气体供给部244，使第二气体与第一气体同时地存在于处理空间进行CVD处理，或者交替地供给第一气体和第二气体进行循环处理。另外，在将第二气体作为等离子体状态进行处理的情况下，也可以通过对分散板234b供给高频电力，来在处理室201内生成等离子体。
作为膜处理方法的一具体例的循环处理，考虑如下的方法。例如，列举了使用DCS气体作为第一气体，使用NH3气体作为第二气体的情况。该情况下，在第一工序中将DCS气体供给到晶圆200，在第二工序中将NH3气体供给到晶圆200。在第一工序与第二工序之间，作为净化工序，供给N2气并且排出处理室201的环境气。通过进行多次进行该第一工序、净化工序、第二工序的循环处理，而在晶圆200上形成有硅氮化(SiN)膜。
(基板搬出工序：S103)
在对晶圆200实施了预定的处理后，在基板搬出工序(S103)中，进行从基板处理装置100的处理容器202内的处理完毕的晶圆200的搬出。处理完毕的晶圆200的搬出例如使用TM2400内的真空搬运机器人2700的臂2900进行。
此时，例如，在真空搬运机器人2700的臂2800保持有未处理的晶圆200的情况下，真空搬运机器人2700进行该未处理的晶圆200向处理容器202内的搬入。而且，对于处理容器202内的晶圆200进行基板处理工序(S102)。此外，在臂2800未保持未处理的晶圆200的情况下，仅进行处理完毕的晶圆200的搬出。
若真空搬运机器人2700进行晶圆200的搬出，则其后，将搬出的处理完毕的晶圆200收容到IO工作台2100上的吊舱2001内。使用大气搬运室2200内的大气搬运机器人2220进行晶圆200向吊舱2001的收容。
(判定工序：S104)
在基板处理系统2000中，反复进行基板处理工序(S102)以及基板搬入搬出工序(S103)直到没有未处理的晶圆200为止。而且，若没有了未处理的晶圆200，则结束上述的一系列的处理(S101～S104)。
(5)维护处理的概要
接下来，对上述的基板处理系统2000中的基板处理装置100的维护处理进行说明。
在基板处理系统2000中，在各基板处理装置100中进行的基板处理工序时，将多个晶圆200作为一个单位(批)处理。例如，将储存于一个吊舱2001的多个(例如，25张)晶圆200作为一批。另外，例如，也可以将储存于预定数量的吊舱2001的各晶圆200作为一批。
在将多个晶圆200作为一批的情况下，在基板处理装置100中，对于构成该批的各晶圆200按顺序实施基板处理工序。
图5是对于多个基板按顺序进行基板处理的情况的步骤的简要流程图。
具体而言，如图5所示，在基板处理装置100中，对于第m(m是自然数，优选为2以上的自然数)批，从该批的第1张晶圆200开始基板处理。而且，按顺序反复进行构成该批的各晶圆200的基板处理，直至作为该批的最终张的第n(n是自然数)张的晶圆200的基板处理完成为止。若第m批的所有晶圆200的基板处理完成，则其后，对于第m+1批，再次以相同的顺序进行基板处理。
这样，在对于多个晶圆200反复进行基板处理的情况下，在基板处理装置100中，有可能在处理容器202内堆积不必要的膜(反应副生成物等)。因此，优选对于基板处理装置100在预定的维护时期进行用于清洁的维护处理。此外，维护时期基于晶圆200的处理张数、累计膜厚、反应副生成物等的累计膜厚、累积处理时间等至少任意一个来判断。
但是，在将多个晶圆200作为一批处理的情况下，根据进行维护处理的定时，各晶圆200的处理品质可能成为问题。例如，若维护处理夹在针对某批处理过程中，则有可能在维护处理的前后处理条件改变，在同一批内晶圆200的处理品质产生差别。另外，例如，若为了使处理条件一致而过于推后维护处理的执行，则有可能错过适当的定时，对晶圆200的处理品质造成不良影响。另外，例如，若委托维护作业者等判断在哪个定时进行维护处理，则对该维护作业者等的负担过大，并且不一定能进行适当的判断。
因此，在本实施方式的基板处理系统2000中，为了实现在各基板处理装置100中进行维护处理的定时的合理化，控制器260实现以下说明的特征性功能结构，并且，通过该功能结构进行以下说明的特征性控制处理。以下，对特征性功能结构以及控制处理按顺序进行说明。
(6)控制器的特征性功能结构
图6是一实施方式的控制器的功能结构例的框图。
如图6所示，控制器260通过CPU260a执行从存储装置260c读出的程序，作为信息受理部260f、维护控制部260g以及信息报告部260h发挥作用。
信息受理部260f是受理维护预约信息的功能。维护预约信息是预约对各基板处理装置100的处理容器202内，特别是在处理容器202内形成的处理室201进行维护处理的信息，是按基板处理装置100分别独立地给予的信息。维护预约信息例如在预定的维护时期从主装置500给予。是否成为维护时期基于各基板处理装置100中的晶圆200的处理张数、累计膜厚、累积处理时间等至少任意一个由主装置500来判断。但是，维护预约信息并不局限于从主装置500给予，例如，也可以通过维护作业者等的操作而从附属设置于各基板处理装置100的触摸面板等输入输出装置261给予。
维护控制部260g是若信息受理部260f受理维护预约信息则控制被该维护预约信息预约的进行维护处理的定时的功能。此外，维护处理的定时控制的具体方式的详细内容将在后面描述。
信息报告部260h是若信息受理部260f受理维护预约信息则进行受理维护预约信息并预约了维护处理的主旨的报告的功能。由信息报告部260h进行的报告例如通过附属设置于预约了维护处理的基板处理装置100的触摸面板等输入输出装置261上的画面显示进行。但是，并不局限于此，例如，也可以通过向主装置500的数据发送来进行。
(7)维护定时的特征性控制处理步骤
接着，对利用上述的功能结构进行的维护处理的定时控制，说明具体的控制方式。
(第一控制方式)
首先，对第一控制方式进行说明。
图7是本实施方式的维护定时控制处理的一个例子的流程图。
例如，如图7所示，考虑在某基板处理装置100中，在第m批的各晶圆200的基板处理中，即第m批中的第n张晶圆200的基板处理完成前，对于该基板处理装置100发出维护预约信息的情况。对于维护预约信息而言，若基板处理装置100中的晶圆200的处理张数、累计膜厚、累积处理时间等超过预定的允许值，则判断为该基板处理装置100成为维护时期，不管该基板处理装置100中的基板处理的状况如何，都从主装置500或者输入输出装置261发出。若维护预约信息被发出，则该维护预约信息被信息受理部260f受理。
若信息受理部260f受理维护预约信息，则维护控制部260g从该受理后到基板处理装置100中处理中的基板处理完成之前，更具体而言，到处理中的第m批中的第n张晶圆200的基板处理完成之前，使该基板处理装置100继续进行基板处理。也就是说，使基板处理装置100继续进行基板处理直到构成处理中的批的所有晶圆200的基板处理完成为止。因此，例如，若是使储存于一个吊舱2001的多个晶圆200作为一批的情况，则在储存于该吊舱2001的所有晶圆200的基板处理完成之前继续进行基板处理装置100中的基板处理。
另外，若信息受理部260f受理维护预约信息，则在该时刻，信息报告部260h进行受理维护预约信息并预约了维护处理的主旨的报告。由此，操作输入输出装置261的维护作业者或者作为主装置500的操作人员的系统管理者(以下，仅称为“维护作业者、系统管理者等”。)能够识别根据维护预约信息预约了维护处理。
而且，若构成处理中的批的所有晶圆200的基板处理完成，则其后，维护控制部260g使处理完毕的所有晶圆200储存到吊舱2001，另一方面，停止新的晶圆200(即，第m+1批中的第1张晶圆200)向该基板处理装置100的搬运，使该基板处理装置100中的处理容器202内(特别是，处理室201内)成为可维护状态。
可维护状态是指基板处理装置100停止动作，能够将该基板处理装置100的处理容器202向大气开放，能够对该处理容器202内(特别是，处理室201内)进行清洁等维护处理状态。
如以上说明那样，在第一控制方式中，从受理针对基板处理装置100的维护预约信息到使该基板处理装置100成为可维护状态之前，产生使处理中的基板处理完成的时滞(时间差)。因此，能够在任意的定时发出维护预约信息，在该情况下，例如，也不会产生在针对某批的处理的中途中断基板处理这样的情况。另外，即使在任意的定时发出维护预约信息，在其后的预定定时，基板处理装置100也自动地移至可维护状态。
因此，根据第一控制方式，不管发出维护预约信息的定时如何，在同一批内晶圆200的处理品质不会产生差别。另外，例如，也不会使维护处理的执行过于推后而错过适当的定时，能够将对晶圆200的处理品质造成不良影响的情况避免于未然。并且，也能够抑制对维护作业者、系统管理者等的负担，对于该维护作业者、系统管理者等来说，便利性非常优异。也就是说，根据第一控制方式，能实现在基板处理装置100中进行维护处理的定时的合理化。此外，在具有多个基板处理装置100的基板处理系统2000中，通过使进行维护处理的定时合理化，能够使基板处理系统2000的运转率提高。即，能够使基板处理系统2000中的半导体装置的制造生产率提高。
(第二控制方式)
接下来，对第二控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一控制方式的不同点进行说明。
在受理维护预约信息后，在第一控制方式中在处理中的批的所有晶圆200完成之前继续进行基板处理装置100中的基板处理，但在第二控制方式中，根据处理中的批中的未处理的晶圆200的张数，决定在基板处理装置100中继续进行的基板处理的处理张数。
例如，考虑将储存于一个吊舱2001的多张(例如，25枚)晶圆200作为一个批的情况。在该情况下，若未处理的晶圆200的张数是整个批的张数的一半以下，则维护控制部260g继续进行基板处理装置100中的基板处理直至该批的所有晶圆200完成为止。另一方面，若未处理的晶圆200的张数超过整个批的张数的一半，则预料该处理需要更多的时间，所以维护控制部260g不等待该批的所有晶圆200的处理完成，在其中的预定张数(例如，正在处理中的至少1张)的处理完成的阶段，使基板处理装置100成为可维护状态。也就是说，例如，若是将25张晶圆200作为一批的情况，则将接近其一半的10～13张左右设定为成为判断基准的阈值，根据受理维护预约信息的时刻的未处理张数是否是阈值以下，使在基板处理装置100中继续进行的基板处理的处理张数改变。
如以上说明那样，在第二控制方式中，根据受理维护预约信息的时刻中的处理中批的未处理张数，使在基板处理装置100中继续进行的基板处理的处理张数改变。因此，例如，若未处理张数较少，则继续进行该基板处理直至该批次的基板处理完成为止，由此，能够抑制同一批内的处理品质的差别。另一方面，若未处理张数较多，则不等待该批次的基板处理的完成就成为可维护状态，从而能够开始迅速的维护处理。
因此，根据第二控制方式，根据受理维护预约信息的时刻的处理中的批的未处理张数，能够使进行维护处理的定时随机应变，作为其结果，对于在基板处理装置100中进行维护处理的定时，能实现进一步的合理化。
(第三控制方式)
接下来，对第三控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一或者第二控制方式的不同点进行说明。
如上述那样，在第一或者第二控制方式中，若受理维护预约信息，则在继续进行处理中的批的基板处理后，在预定的定时使基板处理装置100成为可维护状态。但是，即使在发出维护预约信息后，根据情况由于某种理由，也可能有需要使进行维护处理的定时提前、或者延迟的情况。因此，在第三控制方式中，对于根据维护预约信息使基板处理装置100成为可维护状态的定时，受理该定时在预定范围内的变更。
例如，维护控制部260g在受理维护预约信息后，使基板处理装置100成为可维护状态前，从主装置500或者输入输出装置261发送来使维护处理提前的主旨的指示信息，则受理该定时的变更以使该基板处理装置100成为可维护状态的定时提前。更具体而言，维护控制部260g在使成为可维护状态的定时提前时，至少在接受了指示信息的时刻使基板处理装置100中基板处理中的晶圆200完成该基板处理，且利用真空搬运机器人2700或者大气搬运机器人2220将搬运中的晶圆200回收到吊舱2001。而且，若将晶圆200回收到吊舱2001，则即使是变更前的定时(例如，处理中的批完成的定时)以前，也使基板处理装置100成为可维护状态。
另外，例如，维护控制部260g在受理维护预约信息后，使基板处理装置100成为可维护状态前，从主装置500或者输入输出装置261发送来推后维护处理的主旨的指示信息，则受理该定时的变更以使该基板处理装置100成为可维护状态的定时延迟。更具体而言，维护控制部260g在使成为可维护状态的定时延迟的情况下，在变更前的定时(例如，处理中的批完成的定时)不使基板处理装置100成为可维护状态，而在该基板处理装置100中使下一批的晶圆200的基板处理开始。而且，在等待到下一批(例如，第m+1批)的所有晶圆200的基板处理完成后，使基板处理装置100成为可维护状态。
如以上说明那样，在第三控制方式中，即使在受理维护预约信息后，也受理使基板处理装置100成为可维护状态的定时在预定范围内的变更。因此，即使是通过维护预约信息预约了维护处理的状态，在由于某种理由需要使维护处理的定时提前或者延迟的情况下，能够与该定时的提前或者推后对应。
因此，根据第三控制方式，能够根据需要使进行维护处理的定时改变，对于维护作业者、系统管理者等来说便利性非常优异。另外，因为能够与维护处理的定时的改变对应，所以也能实现维护处理的定时的进一步的合理化。
此外，优选定时的变更仅在预定范围内受理。预定范围例如对于晶圆200的处理张数、累计膜厚、累积处理时间、处理批数、维护处理的执行时期等的任意一个、或者它们的组合适当地设定可允许的范围即可。这样，若限定于预定范围内的变更，则能够避免定时被无限地变更，所以不会产生由于定时变更引起的恶劣影响。也就是说，优选定时变更限定于不产生由于该定时变更引起的恶劣影响的范围内。
(第四控制方式)
接下来，对第四控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一～第三控制方式的不同点进行说明。
例如，即使在发出维护预约信息后，根据情况由于某种理由，也可能有不需要通过该维护预约信息被预约的维护处理的情况。因此，在第四控制方式中，在受理维护预约信息后，能够受理该维护预约信息的取消。
具体而言，若维护控制部260g在受理维护预约信息后，使基板处理装置100成为可维护状态前，从主装置500或者输入输出装置261发送来取消维护预约信息的主旨的指示信息，则受理该维护预约信息的取消。而且，维护控制部260g使维护预约信息取消，例如，即使成为取消前的定时(例如，处理中的批完成的定时)也不使基板处理装置100成为可维护状态，在该基板处理装置100使下一批的晶圆200的基板处理开始。
如以上说明那样，在第四控制方式中，即使是受理维护预约信息后，因为受理该维护预约信息的取消，所以能够在变得不需要维护处理的情况下适当地对应。因此，根据第四控制方式，能够根据需要使维护预约信息取消，能实现灵活并且适当的系统运用。
(第五控制方式)
接下来，对第五控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一～第四控制方式的不同点进行说明。
在第五控制方式中，若受理维护预约信息，则进行从该受理后到基板处理装置100中的基板处理完成且该基板处理装置100成为可维护状态为止所需时间的报告。
具体而言，若受理维护预约信息，则维护控制部260g确定与此对应地使基板处理装置100成为可维护状态的定时，并且计算到该定时为止所需时间。所需时间的计算方法利用公知技术即可。而且，若维护控制部260g计算所需时间，则信息报告部260h对于该所需时间的计算结果进行向输入输出装置261或者主装置500的报告。
如以上说明那样，在第五控制方式中，进行直到基板处理装置100成为可维护状态为止所需时间的报告，所以维护作业者、系统管理者等能够容易并且准确地识别能够在哪个时刻实施维护处理。因此，根据第五控制方式，对于维护作业者、系统管理者等来说，便利性非常优异。另外，也能够实现维护处理的实施时期的适当化，在实现适当的系统运用的方面非常优选。
(第六控制方式)
接下来，对第六控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一～第五控制方式的不同点进行说明。
在上述的第三控制方式中，在受理维护预约信息后受理定时变更，但在第六控制方式中，在发出维护预约信息的时刻，能够根据该维护预约信息任意地指定使基板处理装置100成为可维护状态的定时。因此，维护预约信息包含有指定使基板处理装置100成为可维护状态的定时的参数信息。
例如，若是想立即实施维护处理的情况，则使维护控制部260g受理包括该主旨的参数信息的维护预约信息。而且，受理了该维护预约信息的维护控制部260g在受理时刻使在基板处理装置100中基板处理中的晶圆200完成该基板处理，其后使基板处理装置100成为可维护状态。
另外，例如，若是想在继续进行了多批的基板处理后实施维护处理的情况，则使维护控制部260g受理包括该主旨的参数信息的维护预约信息。而且，受理了该维护预约信息的维护控制部260g在多批的基板处理完成之前使基板处理装置100继续进行基板处理，在多批的基板处理完成后使基板处理装置100成为可维护状态。
如以上说明那样，在第六控制方式中，通过维护预约信息所包含的参数信息，能够任意地指定使基板处理装置100成为可维护状态的定时。因此，根据第六控制方式，能够在维护作业者、系统管理者等所希望的定时实施维护处理，对于维护作业者、系统管理者等来说，便利性非常优异。另外，也能够实现维护处理的实施时期的适当化，在实现适当的系统运用的方面非常优选。
(第七控制方式)
接下来，对第七控制方式进行说明。这里，主要对与上述的第一～第六控制方式的不同点进行说明。
在上述的第一～第六控制方式中，假设在一个基板处理装置100中连续对同一批的各晶圆200进行处理的情况，但在第七控制方式中，利用与TM2400连结的多台基板处理装置100，对各基板处理装置100分配基板处理。
例如，在受理了某基板处理装置100的维护预约信息的情况下，维护控制部260g使该基板处理装置100中基板处理中的晶圆200继续进行该基板处理。另一方面，若与基板处理中的晶圆200同一批有未处理的晶圆200，则维护控制部260g将未处理的晶圆200搬运到未受理维护预约信息的其他的基板处理装置100，使该基板处理装置100进行晶圆200的基板处理。也就是说，将同一批的未处理的晶圆200的基板处理分配到未受理维护预约信息的其他的基板处理装置100。若以图1所示的基板处理系统2000为例进行说明，则如以下那样。在基板处理装置100a～100d中的基板处理装置100a受理了维护预约信息的情况下，维护控制部260g使基板处理装置100b～100d中基板处理中的晶圆200继续进行该基板处理。另一方面，在基板处理装置100a进行的处理中的晶圆的基板处理完成后，使基板处理装置100a成为脱机状态。
如以上说明那样，在第七控制方式中，利用多台基板处理装置100，将基板处理分配到各基板处理装置100。因此，根据第七控制方式，与不分配基板处理的情况相比，能够缩短从维护预约信息的受理到维护处理的所需时间，在实现高效的系统运用的方面非常优选。在此，系统运用是指基板处理系统2000的运用。
(8)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或者多个效果。
(a)在本实施方式中说明的一个控制方式中，受理维护预约信息后，继续进行该维护预约信息所涉及的基板处理装置100中的基板处理，在完成该基板处理后使基板处理装置100成为可维护状态。因此，在将多个晶圆200作为一批处理的情况下，即使在任意的定时发出维护预约信息，都不对各晶圆200的处理品质造成不良影响，也不使对维护作业者或系统管理者等的负担过大，能实现在基板处理装置100中进行维护处理的定时的合理化。
(b)在本实施方式进行说明的一个控制方式中，例如，在将储存于一个吊舱2001的多个晶圆200作为一批处理的情况下，若受理维护预约信息，则在储存于该吊舱2001的所有晶圆200的基板处理完成之前继续进行基板处理装置100中的基板处理。因此，不管发出维护预约信息的定时如何，同一批内的晶圆200的处理品质不会产生差别，非常合适应用于以吊舱2001为单位将各晶圆200批量化的情况。
(c)在本实施方式中说明的一个控制方式中，根据受理了维护预约信息的时刻下的处理中的批的未处理张数，使在基板处理装置100中继续进行的基板处理的处理张数改变。因此，能够使进行维护处理的定时随机应变，作为其结果，在基板处理装置100中进行维护处理的定时能实现进一步的合理化。
(d)在本实施方式中说明的一个控制方式中，若受理维护预约信息，则进行受理该维护预约信息并预约了维护的主旨的报告。因此，对于维护作业者、系统管理者等来说，能够识别已根据维护预约信息预约维护处理，便利性非常优异。
(e)在本实施方式中说明的一个控制方式中，对于根据维护预约信息使基板处理装置100成为可维护状态的定时，受理该定时在预定范围内的变更。因此，能够根据需要使进行维护处理的定时改变，对于维护作业者、系统管理者等来说便利性非常优异。另外，因为能够与维护处理的定时的改变对应，所以维护处理的定时也能实现进一步的合理化。
(f)在本实施方式中说明的一个控制方式中，在受理维护预约信息后，能够受理该维护预约信息的取消。因此，能够根据需要使维护预约信息取消，能实现灵活并且适当的系统运用。
(g)在本实施方式中说明的一个控制方式中，在受理维护预约信息后，进行直到基板处理装置100中的基板处理完成且该基板处理装置100成为可维护状态为止所需时间的报告。因此，对于维护作业者、系统管理者等来说，便利性非常优异。另外，也能够实现维护处理的实施时期的适当化，在实现适当的系统运用方面非常优选。
(h)在本实施方式中说明的一个控制方式中，维护预约信息包含有指定使基板处理装置100成为可维护状态的定时的参数信息。因此，能够在维护作业者、系统管理者等所希望的定时实施维护处理，对于维护作业者、系统管理者等来说便利性非常优异。另外，也能够实现维护处理的实施时期的适当化，在实现适当的系统运用方面非常优选。
＜其他实施方式＞
以上具体地对本公开的一实施方式进行了说明，但本公开并不局限于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围进行各种变更。
例如，在上述的实施方式中，对交替地供给第一气体和第二气体而成膜的方法进行了说明，但也能够应用于其他的方法。例如，也可以是不使用两种气体，而使用一种气体的处理。
另外，在上述的实施方式中，示出了使用含硅气体作为原料气体，使用含氮气体作为反应气体，在晶圆表面上形成SiN膜的例子，但也能够应用于使用其他气体的成膜。例如，有含氧膜、含氮膜、含碳膜，含硼膜、含金属膜和含有多个这些元素的膜等。此外，作为这些膜，例如，有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
另外，在上述的实施方式中，作为通过基板处理工序进行的处理，举出成膜处理为例，但本公开并不局限于此。即，本公开也能够应用于在上述的实施方式中举例的成膜处理以外的处理。例如，使用等离子体的扩散处理、氧化处理、氮化处理、氮氧化处理、还原处理、氧化还原处理、蚀刻处理、加热处理等。进一步地，例如，在仅使用反应气体对基板表面或形成于基板的膜进行等离子体氧化处理、等离子体氮化处理时，也能够应用本公开。另外，也能够应用于仅使用反应气体的等离子体退火处理。也可以将这些处理作为第一处理，其后，使上述的第二处理进行。
另外，在上述的实施方式中，示出了在一个处理室中对一张基板进行处理的装置结构，但并不局限于此，也可以是在水平方向或者垂直方向上排列多张基板的装置。
另外，例如，在上述的实施方式中，对半导体装置的制造工序进行了说明，但本公开也能够应用于半导体装置的制造工序以外。例如，有液晶器件的制造工序、太阳电池的制造工序、发光器件的制造工序、玻璃基板的处理工序、陶瓷基板的处理工序、导电性基板的处理工序等基板处理。
＜本公开的优选方式＞
以下，对本公开的优选的方式进行附注。
[附注1]
根据本公开的一方式，提供了半导体装置的制造方法，具有：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的工序；
受理上述处理室的维护预约信息的工序；以及
在受理上述维护预约信息后，在与该维护预约信息相关的上述处理室中的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的工序。
[附注2]
提供了附注1所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
在受理上述维护预约信息后，在储存于上述储存容器的所有基板的基板处理完成之前继续进行上述处理室中的基板处理。
[附注3]
提供了附注1所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
在受理上述维护预约信息后，根据储存于上述储存容器的未处理基板的张数，决定在上述处理室中继续进行的基板处理的处理张数。
[附注4]
提供了附注1～3的任一方式所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
具有若受理上述维护预约信息，则进行受理该维护预约信息并预约了维护的主旨的报告的工序。
[附注5]
提供了附注4所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
通过(具有上述处理室的基板处理装置中的)画面显示进行上述报告。
[附注6]
提供了附注4所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
通过向管理上述处理室中的基板处理的主装置的数据发送进行上述报告。
[附注7]
提供了附注4所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
具有受理根据上述维护预约信息使上述处理室成为可维护状态的定时在预定范围内的变更的工序。
[附注8]
提供了附注7所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
受理上述定时的变更以使该定时提前。
[附注9]
提供了附注8所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
在使上述定时提前时，至少使上述处理室中的基板处理中的基板完成该基板处理，且搬运中的基板回收到上述储存容器。
[附注10]
提供了附注7所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
受理上述定时的变更以使该定时延迟。
[附注11]
提供了附注10所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
在使上述定时延迟的情况下，在变更前的定时不使上述处理室成为可维护状态，在该处理室中使针对下个基板的基板处理开始。
[附注12]
提供了附注4所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
具有受理上述维护预约信息的取消的工序。
[附注13]
提供了附注4所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
具有在受理上述维护预约信息后，进行直到上述处理室中的基板处理完成，该处理室成为可维护状态为止所需时间的报告的工序。
[附注14]
提供了附注1～13的任一方式所记载的半导体装置的制造方法，优选为，
上述维护预约信息包括指定使上述处理室成为可维护状态的定时的参数信息。
[附注15]
根据本公开的另一方式，提供了一种基板处理装置，具有：
处理室，其对基板进行处理；
搬运机器人，其进行储存有多个基板的储存容器与上述处理室之间的基板搬运；
信息受理部，其受理上述处理室的维护预约信息；以及
维护控制部，其在受理上述维护预约信息后，在与该维护预约信息相关的上述处理室中的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态。
[附注16]
根据本公开的又一方式，提供了程序，通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的步骤；
受理上述处理室的维护预约信息的步骤；以及
在受理上述维护预约信息后，在与该维护预约信息相关的上述处理室中的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的步骤。
[附注17]
根据本公开的又一方式，提供了一种记录介质，记录有程序，该程序通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的步骤；
受理上述处理室的维护预约信息的步骤；以及
在受理上述维护预约信息后，在与该维护预约信息相关的上述处理室中的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的步骤。

Claims (17)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的工序；
受理上述处理室的维护预约信息的工序；以及
在受理上述维护预约信息后，根据储存于上述储存容器的未处理基板的张数是否为阈值以下，决定在与该维护预约信息相关的上述处理室中继续进行的基板处理的处理张数，在该决定的处理张数的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在受理上述维护预约信息后，在储存于上述储存容器的所有基板的基板处理完成之前继续进行上述处理室中的基板处理。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有若受理上述维护预约信息，则进行受理该维护预约信息并预约了维护的主旨的报告的工序。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
通过具有上述处理室的基板处理装置中的画面显示进行上述报告。
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
通过向管理上述处理室中的基板处理的主装置的数据发送进行上述报告。
6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有受理根据上述维护预约信息使上述处理室成为可维护状态的定时在预定范围内的变更的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
受理上述定时的变更以使该定时提前。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在使上述定时提前时，至少使上述处理室中的基板处理中的基板完成该基板处理，且搬运中的基板回收到上述储存容器。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
受理上述定时的变更以使该定时延迟。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在使上述定时延迟的情况下，在变更前的定时不使上述处理室成为可维护状态，在该处理室中使针对下个基板的基板处理开始。
11.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有受理上述维护预约信息的取消的工序。
12.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有在受理上述维护预约信息后，进行直到上述处理室中的基板处理完成且该处理室成为可维护状态为止所需时间的报告的工序。
13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述维护预约信息包括指定使上述处理室成为可维护状态的定时的参数信息。
14.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行处理；
搬运机器人，其进行储存有多个基板的储存容器与上述处理室之间的基板搬运；
信息受理部，其受理上述处理室的维护预约信息；以及
维护控制部，其在受理上述维护预约信息后，根据储存于上述储存容器的未处理基板的张数是否为阈值以下，决定在与该维护预约信息相关的上述处理室中继续进行的基板处理的处理张数，在该决定的处理张数的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
上述维护控制部构成为在受理上述维护预约信息后，在储存于上述储存容器的所有基板的基板处理完成之前继续进行上述处理室中的基板处理。
16.一种记录介质，记录有程序，该程序通过计算机使基板处理装置执行如下步骤：
从储存有多个基板的储存容器将该基板搬运到处理室并进行处理的步骤；
受理上述处理室的维护预约信息的步骤；以及
在受理上述维护预约信息后，根据储存于上述储存容器的未处理基板的张数是否为阈值以下，决定在与该维护预约信息相关的上述处理室中继续进行的基板处理的处理张数，在该决定的处理张数的基板处理完成之前继续进行该基板处理，在完成该基板处理后停止向该处理室的基板搬运并使该处理室成为可维护状态的步骤。
17.根据权利要求16所述的记录介质，其特征在于，
在受理上述维护预约信息后，在储存于上述储存容器的所有基板的基板处理完成之前继续进行上述处理室中的基板处理。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11823932B2 (en) 2020-08-26 2023-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing system and substrate processing apparatus
CN112410765A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种团簇式设备控制方法及装置及存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001028327A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Canon Inc デバイス製造装置
JP2005276060A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造設備の管理装置および管理方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599767A (en) 1979-01-26 1980-07-30 Hitachi Ltd Iil type semiconductor device
JPH10270535A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
US6889110B1 (en) * 1999-10-01 2005-05-03 Novellus Systems, Inc. Operational lists for simultaneous wafer scheduling and system event scheduling
US7043318B1 (en) * 2001-10-23 2006-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Lot start agent that determines quantity and timing for lot starts
JP2003338446A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Canon Inc 半導体露光装置及び露光装置管理システム
US7512454B1 (en) * 2002-05-31 2009-03-31 Advanced Micro Devices, Inc. Display unit with processor and communication controller
JP4522158B2 (ja) * 2004-06-15 2010-08-11 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP4513102B2 (ja) 2006-02-06 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置における処理器具の交換方法及び交換用プログラム
US7906032B2 (en) * 2006-03-31 2011-03-15 Tokyo Electron Limited Method for conditioning a process chamber
JP2010098053A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法及び記録媒体
JP2013065736A (ja) * 2011-09-19 2013-04-11 Denso Corp 製造システム
WO2013077191A1 (ja) 2011-11-25 2013-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置群コントローラ、生産処理システム、処理装置群制御方法、生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP6159536B2 (ja) * 2012-03-05 2017-07-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の保守方法及び移載方法並びにプログラム
JP2014116341A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム及び基板処理装置の縮退運用方法
US10724137B2 (en) * 2013-02-05 2020-07-28 Kokusai Eletric Corporation Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium, and cleaning completion determining method
TWI653585B (zh) * 2013-08-05 2019-03-11 應用材料股份有限公司 用於在預測系統中最佳化獲利的方法及裝置
US20150050812A1 (en) * 2013-08-13 2015-02-19 Globalfoundries Inc. Wafer-less auto clean of processing chamber
WO2015030047A1 (ja) * 2013-08-27 2015-03-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置のメンテナンス方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理装置のメンテナンスプログラムを読取可能な記録媒体
JP6069578B2 (ja) * 2014-02-24 2017-02-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP6446537B2 (ja) * 2015-03-31 2018-12-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US20160342147A1 (en) * 2015-05-19 2016-11-24 Applied Materials, Inc. Methods and systems for applying run-to-run control and virtual metrology to reduce equipment recovery time
JP6499563B2 (ja) 2015-11-06 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2019052339A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 東京エレクトロン株式会社 排気管のクリーニング方法
KR20200123480A (ko) * 2018-03-20 2020-10-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 통합형 반도체 공정 모듈을 포함하는 자기 인식 및 보정 이종 플랫폼, 및 이를 사용하기 위한 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001028327A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Canon Inc デバイス製造装置
JP2005276060A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造設備の管理装置および管理方法

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