TW202105576A - 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種謀求進行維護處理的時點之合理化的技術。 本發明提供之技術具有以下步驟：自被儲存有複數個基板的儲存容器，將基板搬送至處理室進行處理的步驟；受理處理室之維護預約資訊的步驟；及於維護預約資訊之受理後，直至有關維護預約資訊之在處理室之基板處理完成為止，持續基板處理，於基板處理完成後停止將基板搬送至處理室，使處理室設為可維護狀態的步驟。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
於半導體裝置(元件)之製造步驟中，為謀求基板處理製程之效率化，存在有將複數片基板作為一個單位(批次)進行處理的情況。對於執行該基板處理製程的基板處理裝置，已知一種不損及產出量而對進行該基板處理製程的處理空間(處理室)進行維護處理的技術(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6159536號公報
(發明所欲解決之問題)
將複數個基板作為一個批次進行處理之情形時，根據進行維護處理之時點而各基板之處理品質可能成為問題。例如，若在對某批次的處理之中途夾著維護處理，則處理條件於維護處理之前後產生改變，從而存在有於同一批次內處理品質產生偏差之虞。又，例如，若過度推後維護處理之執行，則會越過適當之時點，從而存在有對基板之處理品質造成不良影響之虞。又，例如，若將於哪一時點進行維護處理之判斷交給維護作業者等，則對該維護作業者等之負擔過大，而且未必能進行適當之判斷。
本發明提供一種謀求進行維護處理的時點之合理化的技術。 (解決問題之技術手段)
根據一態樣，本發明提供一種技術，其具有以下步驟： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的步驟； 受理上述處理室之維護預約資訊的步驟；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，且於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的步驟。 (對照先前技術之功效)
根據本發明之技術，可謀求進行維護處理的時點之合理化。
＜一實施形態＞ 以下，一面參照圖式，一面對本發明之一實施形態進行說明。
以下實施形態中舉例的基板處理裝置係於半導體裝置之製造步驟中被使用者，且係以對成為處理對象的基板進行既定處理之方式而所構成者。作為成為處理對象的基板，例如可舉出嵌入有半導體積體電路裝置(半導體元件)的半導體晶圓基板(以下，簡稱為「晶圓」)。再者，本說明書中使用「晶圓」之用語時，有指「晶圓本身」之情形、或指「晶圓與形成於其表面的既定之層、膜等的積層體(集合體)」之情形(即，包含有形成於表面的既定之層、膜等而稱為晶圓之情形)。又，本說明書中使用「晶圓之表面」之用語時，有指「晶圓其本身之表面(露出面)」之情形、或指「形成於晶圓上的既定之層、膜等之表面，即，作為積層體的晶圓之最表面」之情形。本說明書中使用「基板」之用語時亦與使用「晶圓」之用語時為相同含義。又，作為對晶圓進行的處理，例如有氧化處理、擴散處理、用於離子注入後之載體活性化或平坦化的回焊或退火、及成膜處理等。本實施形態中，特別舉出進行成膜處理之情形為例。
(1)系統整體之構成 首先，對一實施形態之基板處理裝置之系統整體之構成例進行說明。圖1係本實施形態之基板處理裝置之系統整體之橫截面之概略圖。
如圖1所示，適用本發明的基板處理裝置之系統整體(以下，簡稱為「基板處理系統」)2000係處理作為基板的晶圓200者，且係具有複數台基板處理裝置100而所構成之所謂叢集型者。更詳細而言，叢集型之基板處理系統2000具備有輸入輸出(IO，Input/Output)平台2100、大氣搬送室2200、載入鎖定真空(L/L，Load/Lock)室2300、真空搬送室2400、及複數台基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)而所構成。以下，實施形態為基板處理系統2000包含有基板處理裝置100a、100b、100c、100d之例。然而，實施形態並不限定於此。例如，基板處理裝置之台數可為5台以上，亦可為3台以下。再者，於圖中，關於前後左右，將X1方向設為右，X2方向設為左，Y1方向設為前，Y2方向設為後。
於基板處理系統2000之前方側，設置有IO平台(負載埠)2100。於IO平台2100上，搭載有複數個被稱為前開式晶圓盒(FOUP：Front Open Unified Pod)的儲存容器(以下，簡稱為「盒」)2001。盒2001被用作搬送晶圓200的載體，且構成為於其內部分別以水平姿勢儲存有複數片未處理之晶圓200或經處理過之晶圓200。
IO平台2100相鄰於大氣搬送室2200。於大氣搬送室2200內，設置有移載晶圓200之作為第1搬送機器人的大氣搬送機器人2220。於大氣搬送室2200，於與IO平台2100不同之側，連結有載入鎖定真空室2300。
載入鎖定真空室2300係其內部之壓力配合大氣搬送室2200之壓力與後述之真空搬送室2400之壓力而產生變動，因此構成為能耐負壓的構造。於載入鎖定真空室2300，於與大氣搬送室2200不同之側，連結有真空搬送室(轉移模組：TM)2400。
TM2400作為成為於負壓下晶圓200被搬送的搬送空間的搬送室而發揮功能。構成TM2400的殼體2410於俯視下形成為五邊形，於五邊形各邊中之除連結載入鎖定真空室2300之邊以外的各邊，連結有複數台(例如4台)處理晶圓200的基板處理裝置100。於TM2400之大致中央部，設置有於負壓下移載(搬送)晶圓200之作為第2搬送機器人的真空搬送機器人2700。再者，此處，表示將真空搬送室2400設為五邊形之例，但亦可為四邊形或六邊形等多邊形。
被設置於TM2400內的真空搬送機器人2700具有可獨立地動作之二個臂2800、2900。真空搬送機器人2700藉由後述之控制器260所控制。
於TM2400與各基板處理裝置100之間，設置有閘閥(GV)1490。具體而言，於基板處理裝置100a與TM2400之間設置有閘閥1490a，於TM2400與基板處理裝置100b之間設置有GV1490b。於TM2400與基板處理裝置100c之間設置有GV1490c，於TM2400與基板處理裝置100d之間設置有GV1490d。藉由各GV1490之開放，TM2400內之真空搬送機器人2700可經由被設置於各基板處理裝置100的基板搬入搬出口1480進行晶圓200之進出。閘閥1490a、1490b、1490c、1490d之構成相同，故於以下之說明中，存在有將閘閥1490a、1490b、1490c、1490d彙總或個別地稱為閘閥1490的情況。
(2)基板處理裝置之構成 其次，對在上述基板處理系統2000中所被使用的基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)進行說明。再者，基板處理裝置100a至基板處理裝置100d為相同之構成，故於以下之說明中，將其等統稱為基板處理裝置100。
基板處理裝置100係於執行半導體裝置之製造步驟之一步驟即成膜處理時所被使用者，例如構成為作為單片式基板處理裝置。圖2係本實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
(處理容器) 如圖2所示，基板處理裝置100具備有處理容器202。處理容器202例如藉由鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等之金屬材料或石英而構成為橫截面為圓形且扁平的密閉容器。又，處理容器202具備有上部容器202a與下部容器202b，於其等之間設置有間隔部204。藉由較間隔部204更靠上方的上部容器202a所包圍的空間，作為處理成為成膜處理之處理對象的晶圓200的處理空間(亦稱為「處理室」)201而發揮功能。另一方面，藉由較間隔部204更靠下方之空間的下部容器202b所包圍的空間，作為用以移載晶圓200的搬送空間(亦稱為「移載室」)203而發揮功能。為了作為移載室203而發揮功能，於下部容器202b之側面，設置有與閘閥1490相鄰的基板搬入搬出口1480，晶圓200經由該基板搬入搬出口1480而在與TM2400之間移動。於下部容器202b之底部，設置有複數個升降銷207。進而，下部容器202b被接地。
(基板支撐部) 於處理室201內，設置有支撐晶圓200的基板支撐部(基座)210。基座210具備具有載置晶圓200的載置面211的基板載置台212。基板載置台212至少內置有調整(加熱或冷卻)載置面211上之晶圓200之溫度的加熱器213a、213b。於加熱器213a、213b，個別地連接有調整對各者之供給電力的溫度調整部213c、213d。各溫度調整部213c、213d根據來自後述控制器260之指示而分別獨立地受到控制。藉此，加熱器213a、213b構成為對載置面211上之晶圓200可實施在各區域分開進行獨自之溫度調整的區域控制。又，於基板載置台212，於與升降銷207對應之位置分別設置有升降銷207所貫通的貫通孔214。
基板載置台212以軸217所支撐。軸217貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202之外部被連接至升降機構218。而且，構成為藉由使升降機構218作動而能使基板載置台212升降。軸217下端部之周圍藉由波紋管219所覆蓋，處理室201內被保持為氣密。
基板載置台212於晶圓200之搬送時，以基板載置面211成為基板搬入搬出口1480之位置(晶圓搬送位置)之方式下降，於晶圓200之處理時，晶圓200上升至處理室201內之處理位置(晶圓處理位置)。具體而言，使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，升降銷207之上端部自基板載置面211之上表面突出，升降銷207自下方支撐晶圓200。又，於使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207自基板載置面211之上表面埋沒，基板載置面211自下方支撐晶圓200。再者，升降銷207係與晶圓200直接接觸，故例如較理想為以石英、氧化鋁等之材質而形成。
(氣體導入口) 於處理室201之上部，設置有用以對處理室201內供給各種氣體的氣體導入口241。關於連接於氣體導入口241的氣體供給單元之構成將於以下敍述。
在連通於氣體導入口241的處理室201內，為了使自氣體導入口241被供給的氣體分散且均勻地擴散至處理室201內，較理想為配置具有分散板234b的簇射頭(緩衝室)234。
於分散板234b之支撐構件231b，連接有整合器251與高頻電源252，且以可供給電磁波(高頻電力、微波)之方式所構成。藉此，可通過分散板234b激發被供給至處理室201內的氣體而產生電漿化。亦即，分散板234b、支撐構件231b、整合器251及高頻電源252係對後述之第1處理氣體及第2處理氣體進行電漿化者，作為供給電漿化後之氣體的第1氣體供給部(詳情將於以下敍述)之一部分及第2氣體供給部(詳情將於以下敍述)之一部分而發揮功能。
(氣體供給部) 於氣體導入口241，連接有共通氣體供給管242。於共通氣體供給管242，連接有第1氣體供給管243a、第2氣體供給管244a、及第3氣體供給管245a。自包含有第1氣體供給管243a的第1氣體供給部243主要供給第1處理氣體(詳情將於以下敍述)，自包含有第2氣體供給管244a的第2氣體供給部244主要供給第2處理氣體(詳情將於以下敍述)。自包含有第3氣體供給管245a的第3氣體供給部245主要供給沖洗氣體。
(第1氣體供給部) 於第1氣體供給管243a，自上游方向依序設置有第1氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC，mass flow controller)243c、及作為開閉閥的閥243d。而且，自第1氣體供給源243b將含有第1元素的氣體(第1處理氣體)經由MFC243c、閥243d、第1氣體供給管243a、及共通氣體供給管242而供給至處理室201。
第1處理氣體例如係包含有矽(Si)元素的氣體。具體而言，可使用二氯矽烷(SiH2 Cl2 ，dichlorosilane：DCS)氣體、四乙氧基矽烷(Si(OC2 H5 )4 ，Tetraethoxysilane：TEOS)氣體等。於以下之說明中，對使用DCS氣體之例進行說明。
於第1氣體供給管243a之相較閥243d更靠下游側，連接有第1惰性氣體供給管246a之下游端。於第1惰性氣體供給管246a，自上游方向依序設置有惰性氣體供給源246b、MFC246c、及閥246d。而且，自惰性氣體供給源246b將惰性氣體經由MFC246c及閥246d而供給至第1氣體供給管243a。惰性氣體例如為氮(N2 )氣體。再者，作為惰性氣體，除N2 氣體之外，例如可使用氬(Ar)氣體、氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氙(Xe)氣體等之稀有氣體。
主要藉由第1氣體供給管243a、MFC243c及閥243d而構成作為處理氣體供給部之一的第1氣體供給部(亦稱為含Si氣體供給部)243。再者，亦可考慮將第1氣體供給源243b包含於第1氣體供給部243。又，主要藉由第1惰性氣體供給管246a、MFC246c及閥246d而構成第1惰性氣體供給部。再者，亦可考慮將惰性氣體供給源246b、第1氣體供給管243a包含於第1惰性氣體供給部。進而，亦可考慮將第1惰性氣體供給部包含於第1氣體供給部243。
(第2氣體供給部) 於第2氣體供給管244a，自上游方向依序設置有第2氣體供給源244b、MFC244c、及閥244d。而且，自第2氣體供給源244b將含有第2元素的氣體(第2處理氣體)經由MFC244c、閥244d、第2氣體供給管244a、及共通氣體供給管242而供給至處理室201。
第2處理氣體係含有與第1處理氣體所含有的第1元素(例如Si)不同的第2元素(例如氮)者，例如為含氮(N)之氣體。作為含N的氣體，例如可使用氨(NH3 )氣體。
於第2氣體供給管244a之相較閥244d更靠下游側，連接有第2惰性氣體供給管247a之下游端。於第2惰性氣體供給管247a，自上游方向依序設置有惰性氣體供給源247b、MFC247c、及閥247d。而且，自惰性氣體供給源247b將惰性氣體經由MFC247c及閥247d而供給至第2氣體供給管244a。關於惰性氣體，與第1惰性氣體供給部之情形相同。
主要藉由第2氣體供給管244a、MFC244c及閥244d而構成作為處理氣體供給部之另一個的第2氣體供給部(亦稱為含氮氣體供給部)244。再者，亦可考慮將第2氣體供給源244b包含於第2氣體供給部244。又，主要藉由第2惰性氣體供給管247a、MFC247c及閥247d而構成第2惰性氣體供給部。再者，亦可考慮將惰性氣體供給源247b、第2氣體供給管244a包含於第2惰性氣體供給部。進而，亦可考慮將第2惰性氣體供給部包含於第2氣體供給部244。
(第3氣體供給部) 於第3氣體供給管245a，自上游方向依序設置有第3氣體供給源245b、MFC245c、及閥245d。而且，自第3氣體供給源245b將作為沖洗氣體的惰性氣體經由MFC245c、閥245d、第3氣體供給管245a、及共通氣體供給管242而供給至處理室201。
此處，惰性氣體例如為N2 氣體。再者，作為惰性氣體，除N2 氣體之外，例如可使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等之稀有氣體。
主要藉由第3氣體供給管245a、MFC245c及閥245d而構成作為惰性氣體供給部的第3氣體供給部(亦稱為沖洗氣體供給部)245。再者，亦可考慮將第3氣體供給源245b包含於第3氣體供給部245。
(排氣部) 於處理室201(上部容器202a)之內壁上表面，設置有用以將處理室201內之環境氣體排氣的排氣口221。於排氣口221，連接有作為第1排氣管的排氣管224。於排氣管224，串聯連接有將處理室201內控制為既定壓力的自動壓力控制器(APC，Auto Pressure Controller)等之壓力調整器227、被設置於其前段或後段之作為排氣調整部的排氣調整閥228、及真空泵223。
壓力調整器227及排氣調整閥228構成為於執行後述基板處理步驟時，根據藉由同樣後述之控制器260所進行之控制，並且調整處理室201內之壓力。更詳細而言，構成為配合記載有基板處理之程序、條件等的製程配方，使壓力調整器227及在排氣調整閥228中之閥(valve)之開度可改變，藉此調整處理室201內之壓力。
又，於排氣管224，例如於壓力調整器227之前段(即，靠近處理室201之側)，設置有測定該排氣管224內之壓力之作為壓力測定部的壓力感測器229。再者，此處，舉出壓力感測器229測定排氣管224內之壓力之情形為例，但壓力感測器229亦可為測定處理室201內之壓力者。亦即，壓力感測器229只要為測定處理室201內或構成排氣部的排氣管224內之任一者之壓力者即可。
主要藉由排氣口221、排氣管224、壓力調整器227、及排氣調整閥228而構成排氣部(排氣管線)。再者，亦可考慮將真空泵223、壓力感測器229包含於排氣部。
(3)在基板處理裝置中之控制器之構成 其次，對一實施形態之基板處理裝置之一部分即控制器260進行說明。圖3係本實施形態之控制器之概略構成圖。
(硬體構成) 控制器260係作為控制基板處理裝置100之各部及基板處理系統2000之搬送機器人等之動作的控制部(控制手段)而發揮功能。因此，如圖3所示，控制器260作為具備有中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)260a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、及I/O埠260d的電腦而所構成。RAM260b、記憶裝置260c、及I/O埠260d構成為可經由內部匯流排260e而與CPU260a進行資料交換。
記憶裝置260c例如以快閃記憶體、硬碟驅動器(HDD，Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置260c內，可讀出地儲存有控制基板處理裝置100之動作的控制程式、記載有基板處理之程序、條件等的製程配方、及在各種處理之過程中所產生的運算資料、處理資料等。再者，製程配方係以使控制器260執行基板處理之各程序，且可獲得既定之結果之方式所組合而成者，其作為程式而發揮功能。
RAM260b係作為暫時地保存藉由CPU260a所讀出的程式、運算資料、處理資料等的記憶體區域(工作區)而所構成。
I/O埠260d連接於閘閥1490、升降機構218、壓力調整器227、排氣調整閥228、真空泵223、壓力感測器229、MFC243c、244c、245c、246c、247c、閥243d、244d、245d、246d、247d、溫度調整部213c、213d、整合器251、高頻電源252、真空搬送機器人2700、及大氣搬送機器人2220等。
又，控制器260構成為例如可連接作為觸控面板等而所構成的輸入輸出裝置261、外部記憶裝置262。進而，控制器260構成為可經由收發部285及網路263(網際網路、專用線路等)而連接成為基板處理裝置100之上位裝置的主裝置(主電腦)500。再者，本發明中之連接亦包含將各部以物理之纜線(信號線)連結之意，但亦包含可直接或間接地發送/接收各部之信號(電子資料)之意。
(程式) 被儲存於記憶裝置260c內的控制程式、製程配方等係作為被作為運算部的CPU260a執行的程式而發揮功能。以下，將其等進行統稱而亦簡稱為程式或簡稱為配方。本說明書中使用程式之用語時，存在有僅包含有程式之情形、僅包含有配方之情形、或包含有其等之組合之情形。
作為運算部的CPU260a構成為自記憶裝置260c讀出程式並執行。而且，CPU260a以按照所讀出之程式所規定之內容之方式進行閘閥1490之開閉動作、升降機構218之升降動作、溫度調整部213c、213d之電力供給、整合器251之電力之整合動作、高頻電源252之接通斷開控制、MFC243c、244c、245c、246c、247c之動作控制、閥243d、244d、245d、246d、247d之氣體之接通斷開控制、壓力調整器227之閥開度調整、排氣調整閥228之閥開度調整、真空泵之接通斷開控制、真空搬送機器人2700之動作控制、及大氣搬送機器人2220之動作控制等。
再者，控制器260並不限於作為專用之電腦而構成之情形，亦可作為通用之電腦而構成。例如，準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟、雷射唱片(CD，Compact Disc)或數位多功能影音光碟(DVD，Digital Versatile  Disc)等之光碟、MO(Magnetic Optical)等之磁光碟、通用串列匯流排(USB，universal serial bus)記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)262，藉由使用該外部記憶裝置262將程式安裝於通用之電腦等，而可構成本實施形態之控制器260。但是，用以將程式供給至電腦的手段並不限於經由外部記憶裝置262而供給之情形。例如，亦可使用網路263(網際網路、專用線路)等之通信手段，不經由外部記憶裝置262而供給程式。再者，記憶裝置260c、外部記憶裝置262係作為電腦可讀取之記錄媒體而所構成。以下，將其等進行統稱，亦簡稱為記錄媒體。再者，本說明書中，使用記錄媒體之用語時存在有僅包含有記憶裝置260c之情形、僅包含有外部記憶裝置262之情形、或包含有其等兩者之情形。
(4)基板處理步驟之基本程序 其次，作為半導體裝置(半導體元件)之製造步驟之一步驟，舉出於晶圓200上成膜既定膜的基板處理步驟為例而說明其概要。再者，此處，作為既定膜，例如舉出成膜作為氮化膜之氮化矽膜(SiN膜)之情形之例。以下說明之基板處理步驟係在上述基板處理系統2000中之各基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)進行。又，於以下說明中，各部之動作藉由控制器260被控制。
圖4係本實施形態之基板處理步驟之概要之流程圖。
(基板搬入、加熱步驟：S101) 於基板處理時，首先，於基板搬入、加熱步驟(S101)中，自IO平台2100上之盒2001取出未處理之晶圓200，並且將該晶圓200搬入至任一基板處理裝置100。於存在有複數個基板處理裝置100之情形時，以既定程序搬入至各個基板處理裝置100。晶圓200之取出係使用大氣搬送室2200內之大氣搬送機器人2220進行。又，晶圓200之搬入係使用TM2400內之真空搬送機器人2700進行。然後，將晶圓200搬入後，使真空搬送機器人2700退避，關閉GV1490而將基板處理裝置100之處理容器202內密閉。其後，使基板載置台212上升，使基板載置面211上之晶圓200位於晶圓處理位置。該狀態下，以處理室201內成為既定壓力之方式控制排氣部(排氣系統)，並且以晶圓200之表面溫度成為既定溫度之方式控制加熱器213a、213b。
(基板處理步驟：S102) 位於晶圓處理位置的晶圓200成為既定溫度後，繼而，執行基板處理步驟(S102)。於基板處理步驟(S102)中，將晶圓200加熱至既定之溫度之狀態下，控制第1氣體供給部243而將第1氣體供給至處理室201，並且控制排氣部而將處理室201排氣，對晶圓200進行處理。再者，此時，亦可控制第2氣體供給部244，使第2氣體與第1氣體同時地存在於處理空間而進行化學氣相沈積(CVD，chemical vapor deposition)處理，或交替地供給第1氣體與第2氣體而進行循環處理。又，將第2氣體設為電漿狀態而進行處理之情形時，亦可藉由對分散板234b供給高頻電力而於處理室201內產生電漿。
作為膜處理方法之一具體例即循環處理，考慮以下方法。例如，可舉出使用DCS氣體作為第1氣體，並使用NH3 氣體作為第2氣體之情形。該情形時，於第1步驟中將DCS氣體供給至晶圓200，於第2步驟中將NH3 氣體供給至晶圓200。於第1步驟與第2步驟之間，作為沖洗步驟，供給N2 氣體，並且將處理室201之環境氣體排氣。藉由進行執行複數次之第1步驟、沖洗步驟、及第2步驟的循環處理而於晶圓200上形成氮化矽(SiN)膜。
(基板搬出步驟：S103) 對晶圓200實施既定之處理之後，於基板搬出步驟(S103)中，將經處理過之晶圓200自基板處理裝置100之處理容器202內搬出。經處理過之晶圓200之搬出例如使用TM2400內之真空搬送機器人2700之臂2900進行。
此時，例如，於真空搬送機器人2700之臂2800保持有未處理之晶圓200之情形時，真空搬送機器人2700將該未處理之晶圓200搬入至處理容器202內。然後，對處理容器202內之晶圓200執行基板處理步驟(S102)。再者，於臂2800未保持有未處理之晶圓200之情形時，僅將經處理過之晶圓200搬出。
若真空搬送機器人2700進行晶圓200之搬出，則於其後，將所搬出之經處理過的晶圓200收納於IO平台2100上之盒2001內。晶圓200向盒2001中之收納係使用大氣搬送室2200內之大氣搬送機器人2220進行。
(判定步驟：S104) 基板處理系統2000中，反覆執行基板處理步驟(S102)及基板搬入搬出步驟(S103)，直至未處理之晶圓200消失為止。然後，若未處理之晶圓200消失，則結束上述一連串之處理(S101～S104)。
(5)維護處理之概要 其次，對在上述基板處理系統2000中之基板處理裝置100之維護處理進行說明。
於基板處理系統2000中，於在各基板處理裝置100進行之基板處理步驟時，將複數個晶圓200作為一個單位(批次)而進行處理。例如，將儲存於一個盒2001中的複數片(例如，25片)晶圓200作為一個批次。又，例如，亦可將儲存於既定數量之盒2001中的各晶圓200作為一個批次。
將複數個晶圓200作為一個批次之情形時，於基板處理裝置100中，對構成該批次的各晶圓200依序實施基板處理步驟。圖5係對複數個基板依序進行基板處理之情形時之程序之概要之流程圖。具體而言，如圖5所示，於基板處理裝置100中，對於第m(m為自然數，較佳為2以上之自然數)批次，自該批次之第1片晶圓200開始基板處理。然後，依序反覆進行構成該批次的各晶圓200之基板處理，直至該批次之最終片數即第n(n為自然數)片晶圓200之基板處理完成為止。若第m批次之所有晶圓200之基板處理完成，則於其後，對第m＋1批次再次以相同之程序進行基板處理。
如此，於對複數個晶圓200反覆進行基板處理之情形時，基板處理裝置100中，存在有於處理容器202內堆積不需要之膜(反應副產物等)之虞。因此，較佳為對基板處理裝置100於既定之維護時期進行用於清潔的維護處理。再者，維護時期係根據晶圓200之處理片數、累計膜厚、反應副產物等之累積膜厚、累積處理時間等之至少任一者而被判斷。
但是，將複數個晶圓200作為一個批次而處理之情形時，各晶圓200之處理品質根據進行維護處理之時點而可能成為問題。例如，若對某批次之處理之中途夾著維護處理，則處理條件於維護處理之前後會改變，從而存在有於同一批次內晶圓200之處理品質產生偏差之虞。又，例如，若為了使處理條件一致而過度後推維護處理之執行，則越過適當之時點，從而存在有對晶圓200之處理品質造成不良影響之虞。又，例如，若將於哪一時點進行維護處理之判斷交給維護作業者等，則對該維護作業者等之負擔過大，而且未必能進行適當之判斷。
因此，本實施形態之基板處理系統2000中，為謀求在各基板處理裝置100進行維護處理之時點之合理化，控制器260實現以下說明之特徵性功能構成，並且根據該功能構成而進行以下說明之特徵性控制處理。以下，對特徵性功能構成及控制處理依序地進行說明。
(6)控制器之特徵性功能構成 圖6係藉由一實施形態之控制器所進行之功能構成例之方塊圖。如圖6所示，控制器260藉由CPU260a執行自記憶裝置260c所讀出的程式而作為資訊受理部260f、維護控制部260g及資訊通知部260h發揮功能。
資訊受理部260f之功能為受理維護預約資訊。維護預約資訊係對在各基板處理裝置100之處理容器202內特別是形成在處理容器202內的處理室201預約進行維護處理的資訊，且係對每一基板處理裝置100個別地被賦予的資訊。維護預約資訊例如於既定之維護時期自主裝置500被賦予。是否已成為維護時期，根據在各基板處理裝置100中之晶圓200之處理片數、累計膜厚、累積處理時間等之至少任一者而利用主裝置500判斷。但是，維護預約資訊並不限於自主裝置500被賦予，例如，亦可藉由維護作業者等之操作而自被附設於各基板處理裝置100的觸控面板等之輸入輸出裝置261被賦予。
維護控制部260g之功能為，若資訊受理部260f受理維護預約資訊，則控制藉由該維護預約資訊進行被預約之維護處理的時點。再者，關於維護處理之時點控制之具體之態樣，將於以下敍述詳情。
資訊通知部260h之功能為，若資訊受理部260f受理維護預約資訊，則資訊通知部260h進行受理維護預約資訊且預約有維護處理的要旨之通知。藉由資訊通知部260h所進行之通知例如藉由在被附設於預約有維護處理的基板處理裝置100之觸控面板等之輸入輸出裝置261的畫面顯示而進行。但是，並不限定於此，例如，亦可藉由對主裝置500之資料發送而進行。
(7)維護時點之特徵性控制處理程序 繼而，針對利用上述功能構成進行之維護處理之時點控制的具體之控制態樣進行說明。
(第1控制態樣) 首先，對第1控制態樣進行說明。圖7係本實施形態之維護時點控制處理之一例之流程圖。
例如圖7所示，於某基板處理裝置100中，對於第m批次之各晶圓200之基板處理中，即於第m批次之第n片晶圓200之基板處理完成之前，對該基板處理裝置100發出有維護預約資訊之情形進行考慮。關於維護預約資訊，若基板處理裝置100中之晶圓200之處理片數、累計膜厚、累積處理時間等超出既定之容許值，則判斷該基板處理裝置100成為維護時期，無關於該基板處理裝置100中之基板處理之狀況而自主裝置500或輸入輸出裝置261發出。若發出有維護預約資訊，則該維護預約資訊藉由資訊受理部260f被受理。
若資訊受理部260f受理維護預約資訊，則維護控制部260g自該受理後至在基板處理裝置100之處理中之基板處理完成為止，更具體而言，至在處理中之第m批次之第n片晶圓200之基板處理完成為止，使該基板處理裝置100持續地進行基板處理。亦即，使基板處理裝置100持續地進行基板處理，直至構成處理中之批次的所有晶圓200之基板處理完成為止。因此，例如，只要為將儲存於一個盒2001中的複數個晶圓200作為一個批次之情形，則持續進行在基板處理裝置100中之基板處理，直至被儲存於該盒2001的所有晶圓200之基板處理完成為止。
又，若資訊受理部260f受理維護預約資訊，則於該時間點，資訊通知部260h進行受理維護預約資訊且預約有維護處理的要旨之通知。藉此，操作輸入輸出裝置261的維護作業者或主裝置500之操作員即系統管理者(以下，簡稱為「維護作業者、系統管理者等」)可根據維護預約資訊而識別出預約有維護處理。
然後，若構成處理中之批次的所有晶圓200之基板處理完成，則於其後，維護控制部260g將經處理過之所有晶圓200儲存於盒2001，另一方面，停止將新的晶圓200(即，在第m＋1批次中之第1片晶圓200)搬送至該基板處理裝置100，使在該基板處理裝置100中之處理容器202內(尤其是處理室201內)設為可維護狀態。
所謂可維護狀態係指基板處理裝置100停止動作，可將該基板處理裝置100之處理容器202進行大氣開放，可對該處理容器202內(尤其是處理室201內)進行清潔等之維護處理的狀態。
如上所說明，第1控制態樣中，自對基板處理裝置100的維護預約資訊之受理起，至使該基板處理裝置100設為可維護狀態為止，產生相當於使處理中之基板處理完成的時滯(時間差)。因此，可於任意時點發出維護預約資訊，即便為該情形，例如，在對某批次的處理之中途亦不發生中斷基板處理的情況。又，即便於任意時點發出維護預約資訊，基板處理裝置100亦於其後之既定時點自動地轉變為可維護狀態。
因此，根據第1控制態樣，無關於發出維護預約資訊的時點，不會於同一批次內於晶圓200之處理品質上產生偏差。又，例如，亦不會過度推後維護處理之執行而越過適當之時點，從而可事先地避免對晶圓200之處理品質造成不良影響。進而，亦可抑制對維護作業者、系統管理者等之負擔，對該維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。亦即，根據第1控制態樣，可謀求在基板處理裝置100進行維護處理之時點的合理化。再者，於具有複數個基板處理裝置100的基板處理系統2000中，藉由將進行維護處理的時點合理化，而可使基板處理系統2000之運轉率提高。即，可使在基板處理系統2000中之半導體裝置之製造產出量提高。
(第2控制態樣) 其次，對第2控制態樣進行說明。此處，主要說明與上述第1控制態樣之不同點。
於維護預約資訊之受理後，第1控制態樣中持續進行在基板處理裝置100中之基板處理，直至處理中之批次之所有晶圓200完成為止，但第2控制態樣中，根據在處理中之批次之未處理之晶圓200之片數，決定在基板處理裝置100持續地進行之基板處理之處理片數。
例如，針對將被儲存於一個盒2001中之複數片(例如，25片)晶圓200作為一個批次之情形進行考慮。於該情形時，若未處理之晶圓200之片數為批次整體之片數之一半以下，則維護控制部260g使在基板處理裝置100中之基板處理持續進行，直至該批次之所有晶圓200完成為止。另一方面，若未處理之晶圓200之片數超出批次整體之片數之一半，則預測該處理需要較多時間，故維護控制部260g不等該批次之所有晶圓200之處理完成，而是在其中之既定片數(例如，處理中之至少1片)之處理完成的階段，使基板處理裝置100設為可維護狀態。亦即，例如，若為將25片晶圓200作為一個批次之情形，則將接近其一半之10～13片左右作為成為判斷基準之閾值而進行設定，配合受理維護預約資訊的時間點之未處理片數是否為閾值以下，而使在基板處理裝置100持續地進行的基板處理之處理片數可改變。
如上所說明，於第2控制態樣中，配合在受理維護預約資訊的時間點之處理中批次之未處理片數，而使在基板處理裝置100持續地進行之基板處理之處理片數可改變。因此，例如，若未處理片數較少，則持續進行該基板處理直至該批次量之基板處理完成為止，藉此可抑制在同一批次內之處理品質之偏差。另一方面，若未處理片數較多，則不等該批次量之基板處理完成而使基板設為可維護狀態，藉此可迅速地開始維護處理。
因此，根據第2控制態樣，可根據在受理維護預約資訊的時間點之處理中批次之未處理片數，而使進行維護處理的時點隨機應變地可改變，作為其結果，針對於在基板處理裝置100進行維護處理的時點，可謀求更加合理化。
(第3控制態樣) 其次，對第3控制態樣進行說明。此處，主要說明與上述第1或第2控制態樣之不同點。
如上所述，第1或第2控制態樣中，若受理維護預約資訊，則於持續地進行對處理中批次之基板處理之後，於既定之時點使基板處理裝置100設為可維護狀態。但是，即便發出維護預約資訊後，視情形因某些理由，亦可能產生需要提早或延遲進行維護處理的時點。因此，於第3控制態樣中，針對於根據維護預約資訊而使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點，受理在該時點之既定範圍內的變更。
例如，維護控制部260g於維護預約資訊之受理後，且於使基板處理裝置100設為可維護狀態之前，若自主裝置500或輸入輸出裝置261發送來將維護處理提前的要旨之指示資訊，則以提早使該基板處理裝置100設為可維護狀態之時點之方式受理該時點之變更。更具體而言，維護控制部260g於將設為可維護狀態的時點提早時，至少在接收到指示資訊的時間點，對於在基板處理裝置100執行基板處理中之晶圓200，使該基板處理完成，對於利用真空搬送機器人2700或大氣搬送機器人2220執行搬送中之晶圓200，回收至盒2001中。然後，將晶圓200回收至盒2001之後，即便為成為在變更前之時點(例如，處理中批次完成之時點)之以前，亦使基板處理裝置100設為可維護狀態。
又，例如，維護控制部260g於維護預約資訊之受理後，且於使基板處理裝置100設為可維護狀態之前，若自主裝置500或輸入輸出裝置261發送來推後維護處理的要旨之指示資訊，則以延遲使該基板處理裝置100設為可維護狀態的時點之方式受理該時點之變更。更具體而言，維護控制部260g於延遲設為可維護狀態之時點之情形時，於變更前之時點(例如，處理中批次完成之時點)不使基板處理裝置100設為可維護狀態，在該基板處理裝置100針對下一批次之晶圓200的基板處理進行開始。然後，等至對下一批次(例如，第m＋1批次)之所有晶圓200之基板處理完成之後，使基板處理裝置100設為可維護狀態。
如上所說明，於第3控制態樣中，即使於維護預約資訊之受理後，亦受理使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點之在既定範圍內之變更。因此，即便為藉由維護預約資訊預約有維護處理之狀態，於因某些理由而需要提早或延遲維護處理之時點之情形時，亦可應對該時點之提前或推後。
因此，根據第3控制態樣，視需要可使進行維護處理之時點可改變，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，能應對維護處理之時點之可改變，故對於維護處理之時點亦可謀求更加合理化。
再者，時點之變更較佳為，僅於既定範圍內受理。既定範圍例如關於晶圓200之處理片數、累計膜厚、累積處理時間、處理批次數、維護處理之執行時期等之任一者或其等之組合，只要適當設定可容許之範圍即可。如此，若限定於在既定範圍內之變更，則可避免時點無限地變更，故不產生因時點變更所造成之弊端。亦即，時點變更較佳為，限定於不產生因該時點變更所造成之弊端的範圍內。
(第4控制態樣) 其次，對第4控制態樣進行說明。此處，主要說明與上述第1～第3控制態樣之不同點。
例如，即便於發出維護預約資訊後，視情形因某些理由而亦有可能無需藉由該維護預約資訊被預約的維護處理的情況。因此，於第4控制態樣中，於受理維護預約資訊之後，可受理該維護預約資訊之撤銷。
具體而言，維護控制部260g於維護預約資訊之受理之後，且於使基板處理裝置100設為可維護狀態之前，若自主裝置500或輸入輸出裝置261發送來撤銷維護預約資訊的要旨之指示資訊，則受理該維護預約資訊之撤銷。然後，維護控制部260g設為無維護預約資訊，例如，即便為撤銷前之時點(例如，處理中批次完成之時點)亦不使基板處理裝置100設為可維護狀態，而是在該基板處理裝置100開始進行對下一批次之晶圓200的基板處理。
如上所說明，第4控制態樣中，即便於維護預約資訊之受理後，亦受理該維護預約資訊之撤銷，故可適當地應對無需維護處理之情形。因此，根據第4控制態樣，視需要可設為使維護預約資訊不存在的情況，從而可謀求靈活且適當之系統運用。
(第5控制態樣) 其次，對第5控制態樣進行說明。此處，主要說明與上述第1～第4控制態樣之不同點。
於第5控制態樣中，若受理維護預約資訊，則通知自該受理後至在基板處理裝置100中之基板處理完成而使該基板處理裝置100成為可維護狀態為止的所需時間。
具體而言，若受理維護預約資訊，則維護控制部260g據此而特定出使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點，並且算出直至該時點為止的所需時間。所需時間之算出方法只要利用公知技術即可。然後，若維護控制部260g算出所需時間，則資訊通知部260h將該所需時間之算出結果通知輸入輸出裝置261或主裝置500。
如上所說明，第5控制態樣中，進行基板處理裝置100成為可維護狀態為止之所需時間之通知，故維護作業者、系統管理者等可容易且確實地識別在哪一時間點可實施維護處理。因此，根據第5控制態樣，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，可謀求維護處理之實施時期之適當化，在謀求適當之系統運用方面上極佳。
(第6控制態樣) 其次，對第6控制態樣進行說明。此處，主要說明與上述第1～第5控制態樣之不同點。
上述第3控制態樣中於維護預約資訊之受理後受理時點變更，但於第6控制態樣中，於發出維護預約資訊之時間點，配合該維護預約資訊而可任意地指定使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點。因此，在維護預約資訊中包含有指定使基板處理裝置100設為可維護狀態之時點的參數資訊。
例如，若為當即欲實施維護處理之情形，則使維護控制部260g受理包含有該要旨之參數資訊的維護預約資訊。然後，受理了該維護預約資訊的維護控制部260g於受理時間點，對於在基板處理裝置100執行基板處理中之晶圓200，使該基板處理完成，其後使基板處理裝置100設為可維護狀態。又，例如，若為於持續進行對複數個批次之基板處理之後欲實施維護處理之情形，則使維護控制部260g受理包含有該要旨之參數資訊的維護預約資訊。然後，受理了該維護預約資訊的維護控制部260g使基板處理裝置100持續地進行基板處理，直至對複數個批次之基板處理完成為止，且於對複數個批次之基板處理完成之後使基板處理裝置100設為可維護狀態。
如上所說明，第6控制態樣中，藉由被包含在維護預約資訊的參數資訊而可任意地指定使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點。因此，根據第6控制態樣，維護作業者、系統管理者等可於所需之時點實施維護處理，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，亦可謀求維護處理之實施時期之適當化，在謀求適當之系統運用方面上極佳。
(第7控制態樣) 其次，對第7控制態樣進行說明。此處，主要對與上述第1～第6控制態樣之不同點進行說明。
於上述第1～第6控制態樣中，假定在一個基板處理裝置100中持續地處理同一批次之各晶圓200之情形，但於第7控制態樣中，利用被連結於TM2400的複數台基板處理裝置100，將基板處理分配至各基板處理裝置100。
例如，於受理對某基板處理裝置100的維護預約資訊之情形時，維護控制部260g對於在該基板處理裝置100執行基板處理中之晶圓200持續地進行該基板處理。另一方面，若在與基板處理中之晶圓200同一批次中存在有未處理之晶圓200，則維護控制部260g使未處理之晶圓200搬送至未受理維護預約資訊的其他基板處理裝置100，且在該基板處理裝置100進行晶圓200之基板處理。亦即，將同一批次之未處理之晶圓200之基板處理分配至未受理維護預約資訊的其他基板處理裝置100。若以圖1所示之基板處理系統2000為例進行說明，則如下。於基板處理裝置100a～100d中之基板處理裝置100a受理了維護預約資訊之情形時，維護控制部260g對於在基板處理裝置100b～100d執行基板處理中之晶圓200持續地進行該基板處理。另一方面，於藉由基板處理裝置100a所執行之處理中之晶圓之基板處理完成之後，使基板處理裝置100a設為離線狀態。
如上所說明，第7控制態樣中，利用複數台基板處理裝置100，將基板處理分配至各基板處理裝置100。因此，根據第7控制態樣，與不分配基板處理之情形相比，可縮短自維護預約資訊之受理至維護處理為止的所需時間，在謀求有效的系統運用方面上極佳。此處所謂系統運用係指基板處理系統2000之運用。
(8)本實施形態之效果 根據本實施形態，發揮以下所示之一種或複數種效果。
(a)於本實施形態所說明之一控制態樣下，於受理維護預約資訊之後，持續進行有關該維護預約資訊之在基板處理裝置100的基板處理，於該基板處理完成後使基板處理裝置100設為可維護狀態。因此，於將複數個晶圓200作為一個批次而處理之情形時，即便於任意時點發出維護預約資訊，亦不會對各晶圓200之處理品質造成不良影響，又不會使對維護作業者、系統管理者等之負擔過大，可謀求在基板處理裝置100進行維護處理之時點之合理化。
(b)於本實施形態所說明之一控制態樣下，例如，於將被儲存於一個盒2001的複數個晶圓200作為一個批次之情形時，若受理維護預約資訊，則直至被儲存於該盒2001的所有晶圓200之基板處理完成為止，持續進行在基板處理裝置100的基板處理。因此，無關於發出維護預約資訊之時點，不會在同一批次內於晶圓200之處理品質上產生偏差，非常適合以盒2001為單位將各晶圓200批次化之情形時適用。
(c)於本實施形態所說明之一控制態樣下，根據受理維護預約資訊之時間點的處理中批次之未處理片數，使在基板處理裝置100持續地進行之基板處理之處理片數可改變。因此，可使進行維護處理的時點隨機應變地可改變，作為其結果，對於在基板處理裝置100進行維護處理的時點，可謀求更加合理化。
(d)於本實施形態所說明之一控制態樣下，若受理維護預約資訊，則進行受理該維護預約資訊且預約有維護的要旨之通知。因此，對維護作業者、系統管理者等而言，根據維護預約資訊而可識別預約有維護處理的情況，故便利性非常優異。
(e)於本實施形態所說明之一控制態樣下，對於配合維護預約資訊而使基板處理裝置100設為可維護狀態的時點，受理該時點之在既定範圍內之變更。因此，可視需要而使進行維護處理之時點可改變，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，能應對維護處理之時點之可改變，故對於維護處理之時點亦可謀求更加合理化。
(f)於本實施形態所說明之一控制態樣下，於受理維護預約資訊之後，可受理該維護預約資訊之撤銷。因此，視需要而可使維護預約資訊消失，從而可謀求靈活且適當之系統運用。
(g)於本實施形態所說明之一控制態樣下，於維護預約資訊之受理後，通知在基板處理裝置100實施之基板處理完成直至使該基板處理裝置100成為可維護狀態為止的所需時間。因此，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，可謀求維護處理之實施時期之適當化，在謀求適當之系統運用方面上極佳。
(h)於本實施形態所說明之一控制態樣下，維護預約資訊中包含有指定使基板處理裝置100設為可維護狀態之時點的參數資訊。因此，維護作業者、系統管理者等可實施於所需之時點之維護處理，對維護作業者、系統管理者等而言便利性非常優異。又，亦可謀求維護處理之實施時期之適當化，在謀求適當之系統運用方面上極佳。
＜其他實施形態＞ 以上，具體說明了本發明之一實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其主旨之範圍進行各種變更。
例如，於上述實施形態中，對交替地供給第1氣體與第2氣體而成膜之方法進行了說明，但亦能適用於其他方法。例如，亦可為使用1種氣體而非2種氣體的處理。
又，於上述實施形態中，呈現使用含矽氣體作為原料氣體並使用含氮氣體作為反應氣體而於晶圓面上形成SiN膜之例，但亦可適用於使用其他氣體的成膜。例如有含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜及含有複數種該等元素的膜等。再者，作為該等之膜，例如有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、及TiAlC膜等。
又，於上述實施形態中，作為在基板處理步驟中執行的處理而舉出成膜處理為例，但本發明並不限定於此。即，本發明亦可適用於除上述實施形態中舉例之成膜處理以外之處理。例如，有使用電漿的擴散處理、氧化處理、氮化處理、氮氧化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。進而，例如，於僅使用反應氣體對在基板表面、基板上所形成的膜進行電漿氧化處理、電漿氮化處理時，亦可適用本發明。又，亦可適用於僅使用反應氣體的電漿退火處理。將該等處理作為第1處理，亦可其後，進行上述第2處理。
又，於上述實施形態中，呈現在一個處理室處理一片基板的裝置構成，但並不限於此，亦可為將複數片基板排列於水平方向或垂直方向的裝置。
又，例如，於上述實施形態中，對半導體裝置之製造步驟進行了說明，但本發明亦可適用於除半導體裝置之製造步驟以外之步驟。例如，有液晶元件之製造步驟、太陽電池之製造步驟、發光元件之製造步驟、玻璃基板之處理步驟、陶瓷基板之處理步驟、導電性基板之處理步驟等之基板處理。
＜本發明之較佳之態樣＞ 以下，附記本發明之較佳之態樣。
[附記1] 根據本發明之一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的步驟； 受理上述處理室之維護預約資訊的步驟；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之該基板處理完成為止，持續進行基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的步驟。
[附記2] 提供一種如附記1之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 於上述維護預約資訊之受理後，直至被儲存於上述儲存容器的所有基板之基板處理完成為止，持續進行在上述處理室的基板處理。
[附記3] 提供一種如附記1之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 於上述維護預約資訊之受理後，根據被儲存於上述儲存容器的未處理基板之片數，決定在上述處理室中持續地進行的基板處理之處理片數。
[附記4] 提供一種如附記1至3中任一態樣之半導體裝置之製造方法，其較佳為具有以下步驟： 受理上述維護預約資訊後，進行受理該維護預約資訊且預約有維護的要旨之通知的步驟。
[附記5] 提供一種如附記4之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 藉由(在具有上述處理室的基板處理裝置之)畫面顯示而進行上述通知。
[附記6] 提供一種如附記4之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 藉由對管理在上述處理室之基板處理的主裝置發送資料而進行上述通知。
[附記7] 提供一種如附記4之半導體裝置之製造方法，其較佳為具有以下步驟： 受理根據上述維護預約資訊而使上述處理室設為可維護狀態之時點之在既定範圍內之變更的步驟。
[附記8] 提供一種如附記7之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 以提早上述時點之方式受理該時點之變更。
[附記9] 提供一種如附記8之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 於提早上述時點時，至少對在上述處理室之基板處理中之基板使該基板處理完成，對於搬送中之基板將其回收至上述儲存容器。
[附記10] 提供一種如附記7之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 以延遲上述時點之方式受理該時點之變更。
[附記11] 提供一種如附記10之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 於延遲上述時點之情形時，在變更前之時點不使上述處理室設為可維護狀態，而在該處理室開始進行對下一基板之基板處理。
[附記12] 提供一種如附記4之半導體裝置之製造方法，其較佳為具有以下步驟： 受理上述維護預約資訊之撤銷的步驟。
[附記13] 提供一種如附記4之半導體裝置之製造方法，其中較佳為具有以下步驟， 於上述維護預約資訊之受理後，通知在上述處理室的基板處理完成後直至該處理室成為可維護狀態為止的所需時間的步驟。
[附記14] 提供一種如附記1至13中任一態樣之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 上述維護預約資訊包含有指定使上述處理室設為可維護狀態之時點的參數資訊。
[附記15] 根據本發明之另一態樣，提供一種基板處理裝置，其具有： 處理室，其處理基板； 搬送機器人，其進行儲存有複數個基板的儲存容器與上述處理室之間的基板搬送， 資訊受理部，其受理上述處理室之維護預約資訊；及 維護控制部，其於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態。
[附記16] 根據本發明之又一態樣，提供一種程式，其藉由電腦使基板處理裝置執行以下程序： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的程序； 受理上述處理室之維護預約資訊的程序；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的程序。
[附記17] 根據本發明之進而又一態樣，提供一種記錄媒體，其記錄有藉由電腦使基板處理裝置執行以下程序的程式： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的程序； 受理上述處理室之維護預約資訊的程序；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的程序。
100、100a、100b、100c、100d:基板處理裝置 200:晶圓(基板) 201:處理空間(處理室) 202:處理容器 202a:上部容器 202b:下部容器 203:移載室 204:間隔部 207:升降銷 211:載置面 212:基板載置台 213a、213b:加熱器 213c、213d:溫度調整部 214:貫通孔 217:軸 218:升降機構 219:波紋管 221:排氣口 223:真空泵 224:排氣管 227:壓力調整器 228:排氣調整閥 229:壓力感測器 231b:支撐構件 234:簇射頭(緩衝室) 234b:分散板 241:氣體導入口 242:共通氣體供給管 243a:第1氣體供給管 243b:第1氣體供給源 243c、244c、245c、246c、247c:流量控制部 243d、244d、245d、246d、247d:閥 244:第2氣體供給部 244a:第2氣體供給管 244b:第2氣體供給源 245:第3氣體供給部 245a:第3氣體供給管 245b:第3氣體供給源 246b、247b:惰性氣體供給源 247a:第2惰性氣體供給管 251:整合器 252:高頻電源 260:控制器 260a:CPU 260b:RAM 260c:記憶裝置 260d:I/O埠 260e:內部匯流排 260f:資訊受理部 260g:維護控制部 260h:資訊通知部 261:輸入輸出裝置 262:外部記憶裝置 263:網路 285:收發部 500:主裝置 1480:基板搬入搬出口 1490、1490a、1490b、1490c、1490d:閘閥 2000:基板處理系統 2001:儲存容器(盒) 2100:IO平台 2200:大氣搬送室 2220:大氣搬送機器人 2300:載入鎖定真空室 2400:真空搬送室 2410:殼體 2700:真空搬送機器人 2800、2900:臂
圖1係一實施形態之基板處理裝置之系統整體之橫截面之概略圖。 圖2係一實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。 圖3係一實施形態之控制器之概略構成圖。 圖4係一實施形態之基板處理步驟之概要之流程圖。 圖5係對複數個基板依序地進行基板處理之情形時之程序之概要之流程圖。 圖6係藉由一實施形態之控制器所進行之功能構成例之方塊圖。 圖7係一實施形態之維護時點控制處理之一例之流程圖。

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的步驟； 受理上述處理室之維護預約資訊的步驟；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，且於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的步驟。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 於上述維護預約資訊之受理後，直至被儲存於上述儲存容器的所有基板之基板處理完成為止，持續進行在上述處理室的基板處理。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 於上述維護預約資訊之受理後，根據被儲存於上述儲存容器的未處理基板之片數，決定在上述處理室中持續地進行的基板處理之處理片數。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 若受理上述維護預約資訊，則進行受理該維護預約資訊且預約有維護的要旨之通知的步驟。
  5. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中， 藉由在具有上述處理室的基板處理裝置之畫面顯示而進行上述通知。
  6. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中， 藉由對管理在上述處理室之基板處理的主裝置之資料發送而進行上述通知。
  7. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 受理根據上述維護預約資訊而使上述處理室設為可維護狀態之時點之在既定範圍內之變更的步驟。
  8. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中， 以提早上述時點之方式受理該時點之變更。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中， 於提早上述時點時，至少對在上述處理室之基板處理中之基板，使該基板處理完成，對於搬送中之基板，將其回收至上述儲存容器。
  10. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中， 以延遲上述時點之方式受理該時點之變更。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中， 於延遲上述時點之情形時，在變更前之時點不使上述處理室設為可維護狀態，而在該處理室開始對下一基板之基板處理。
  12. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 受理上述維護預約資訊之撤銷的步驟。
  13. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 於上述維護預約資訊之受理後，通知在上述處理室的基板處理完成後直至該處理室成為可維護狀態為止的所需時間的步驟。
  14. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中， 上述維護預約資訊包含有指定使上述處理室設為可維護狀態之時點的參數資訊。
  15. 一種基板處理裝置，其具有： 處理室，其處理基板； 搬送機器人，其進行儲存有複數個基板的儲存容器與上述處理室之間的基板搬送； 資訊受理部，其受理上述處理室之維護預約資訊；及 維護控制部，其於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中， 上述維護控制部構成為於上述維護預約資訊之受理後，直至被儲存於上述儲存容器的所有基板之基板處理完成為止，持續進行在上述處理室的基板處理。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其中， 上述維護控制部構成為於上述維護預約資訊之受理後，根據被儲存於上述儲存容器的未處理基板之片數，決定在上述處理室中持續地進行的基板處理之處理片數。
  18. 一種記錄媒體，其記錄有藉由電腦使基板處理裝置執行以下程序的程式： 自被儲存有複數個基板的儲存容器，將該基板搬送至處理室進行處理的程序； 受理上述處理室之維護預約資訊的程序；及 於上述維護預約資訊之受理後，直至有關該維護預約資訊之在上述處理室之基板處理完成為止，持續進行該基板處理，於該基板處理完成後停止將基板搬送至該處理室，使該處理室設為可維護狀態的程序。
  19. 如請求項18之記錄媒體，其中， 於上述維護預約資訊之受理後，直至被儲存於上述儲存容器的所有基板之基板處理完成為止，持續進行在上述處理室的基板處理。
  20. 如請求項18之記錄媒體，其中， 於上述維護預約資訊之受理後，根據被儲存於上述儲存容器的未處理基板之片數，決定在上述處理室中持續地進行的基板處理之處理片數。
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