CN110537231A - 导电性薄膜及触摸面板 - Google Patents

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Abstract

一种导电性薄膜，其依次具备透明基材、中间层、透明导电层及金属层。金属层的厚度为100nm以上且400nm以下，中间层的折射率为1.60以上且1.70以下，中间层含有无机颗粒成分，该无机颗粒成分包含二氧化硅颗粒及除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒，中间层中的无机颗粒成分的含有比例为40.0质量％以上且66.0质量％以下。

Description

导电性薄膜及触摸面板
技术领域
本发明涉及导电性薄膜、及具备该导电性薄膜的触摸面板。
背景技术
一直以来，已知图像显示装置具备形成有由铟锡复合氧化物(ITO)等形成的透明导电层的触摸面板用薄膜。近些年，对于这样的透明导电性薄膜，为了在触摸输入区域的边界部形成环绕布线而达成窄边框化，提出了在ITO层的表面进一步设置铜层的导电性薄膜(例如参照专利文献1)。
这样的导电性薄膜例如通过下述方法制造：通过溅射法在薄膜基材的一侧依次层叠透明导电体层和铜层并卷取为卷状。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-161282号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，透明导电层易于从透明基材剥离，因此正在研究在透明导电层与透明基材之间设置密合层。
另一方面，随着触摸面板的大型化，需要在其边框部分形成窄幅的长条状的环绕布线，并且要求提高金属层的导电性。因此，正在研究降低金属层的表面电阻值，具体而言，正在研究将金属层设为100nm以上的膜厚。
然而，在透明导电层上通过溅射法形成厚膜的金属层并卷取为卷状时，金属层的应变变强，因此金属层使透明导电层在面方向变形。其结果，即使在透明导电层与透明基材之间设置密合层，也会产生金属层及透明导电层从透明基材剥离的不良情况。即，仅在透明导电层与透明基材之间设置一般的密合层，透明导电层与透明基材之间的密合性是不充分的。
另外，在将透明导电层形成规定的布线图案的情况下，产生了以布线图案无法被辨识的方式形成导电性薄膜的需要。然而，为了使密合性提高而设置密合层时，受其折射率等的影响，会产生布线图案被辨识的情况。
进而，对透明导电层有导电性优异的要求。即，要求降低透明导电层的表面电阻值。然而，受与透明导电层相邻的密合层的影响，会产生透明导电层的表面电阻值不被降低的情况。
本发明提供透明导电层的导电性良好，且抑制透明导电层的布线图案的辨识、并且金属层与透明基材的密合性提高了的导电性薄膜及触摸面板。
用于解决问题的方案
本发明[1]包含一种导电性薄膜，其依次具备透明基材、中间层、透明导电层及金属层，前述金属层的厚度为100nm以上且400nm以下，前述中间层的折射率为1.60以上且1.70以下，前述中间层含有无机颗粒成分，该无机颗粒成分包含二氧化硅颗粒及除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒，前述中间层中的所述无机颗粒成分的含有比例为40.0质量％以上且66.0质量％以下。
本发明[2]包含[1]所述的导电性薄膜，其中，前述中间层的厚度为30nm以上且150nm以下。
本发明[3]包含[1]或[2]所述的导电性薄膜，其中，前述中间层中的前述无机颗粒成分的含有比例为50.0质量％以上且60.0质量％以下。
本发明[4]包含[1]～[3]中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述中间层为含有前述无机颗粒成分的树脂层。
本发明[5]包含[1]～[4]中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒为氧化锆。
本发明[6]包含[1]～[5]中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属层含有铜、镍、铬、铁及钛中的至少1种。
本发明[7]包含[1]～[6]中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述透明导电层及前述金属层两者均进行了图案化。
本发明[8]包含[1]～[7]中任一项所述的导电性薄膜，其被卷绕为卷状。
本发明[9]包含一种触摸面板，其具备[1]～[8]中任一项所述的导电性薄膜。
发明的效果
本发明的导电性薄膜及触摸面板的金属层与透明基材的密合性良好。另外，可抑制透明导电层的布线图案的辨识。此外，透明导电层的导电性良好。
附图说明
图1示出本发明的导电性薄膜的一个实施方式的侧截面图。
图2示出由图1所示的导电性薄膜形成的图案化导电性薄膜的侧截面图。
图3示出本发明的导电性薄膜的另一实施方式(不具备硬涂层的方式)的侧截面图。
图4示出本发明的图案化导电性薄膜的另一实施方式(不具备硬涂层的方式)的侧截面图。
具体实施方式
以下参照图对本发明的实施方式进行说明。在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(第1方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧、第1方向另一侧)。另外，纸面左右方向为左右方向(第2方向、宽度方向、与上下方向正交的方向)，纸面左侧为左侧(第2方向一侧)，纸面右侧为右侧(第2方向另一侧)。另外，纸面的厚度方向为前后方向(第3方向、与上下方向及左右方向二者正交的方向)，纸面前侧为前侧(第3方向一侧)，纸面后侧为后侧(第3方向另一侧)。其他图与图1同样。
<第1实施方式>
1.导电性薄膜
作为本发明的导电性薄膜的第1实施方式的导电性薄膜1例如图1所示，具有在面方向上延伸、且具有规定厚度的薄膜形状(包含片形状)。薄膜形状被定义为具有平坦的上表面及平坦的下表面的薄板形状(以下同样)。
导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材等一个部件，即，不是图像显示装置。即，导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件，为不包含LCD模块等图像显示元件，包含后述的透明基材2、硬涂层3、中间层4、透明导电层5、和金属层6，以部件自身流通、在产业上可利用的器件。
具体而言，如图1所示，导电性薄膜1依次具备透明基材2、硬涂层3、中间层4、透明导电层5、和金属层6。更具体而言，导电性薄膜1具备透明基材2、在透明基材2的上表面(单面)配置的硬涂层3、在硬涂层3的上表面配置的中间层4、在中间层4的上表面配置的透明导电层5、和在透明导电层5的上表面配置的金属层6。导电性薄膜1优选由透明基材2、硬涂层3、中间层4、透明导电层5、和金属层6形成。以下对各层进行详细说明。
2.透明基材
透明基材2为确保导电性薄膜1的机械强度的基材。透明基材2与硬涂层3及中间层4一起支撑透明导电层5及金属层6。
透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为高分子薄膜的材料，可举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)，例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)等烯烃树脂，例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。
从透明性、耐热性、机械强度等观点来看，优选可举出聚酯树脂、烯烃树脂，更优选可举出PET、COP。
从机械强度、耐擦伤性、将导电性薄膜1作为触摸面板用薄膜时的打点特性等观点来看，透明基材2的厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外例如为300μm以下，优选为150μm以下。
透明基材2的厚度例如可使用厚度仪(数字千分表，digital dial gauge)来测定。
需要说明的是，根据需要可以在透明基材2的上表面和/或下表面设置易粘接层、粘接剂层、隔离物等。
3.硬涂层
硬涂层3为在层叠多个导电性薄膜1时等用于使导电性薄膜1的表面(即，金属层6的上表面)不易产生擦伤的擦伤保护层。另外，还可以为用于对导电性薄膜1赋予抗粘连性的防粘连层。
硬涂层3具有薄膜形状，例如以与透明基材2的上表面接触的方式配置在透明基材2的上表面整面。更具体而言，硬涂层3以与透明基材2的上表面及中间层4的下表面接触的方式配置在透明基材2与中间层4之间。
硬涂层3例如由硬涂组合物形成。硬涂组合物含有树脂成分，优选由树脂成分形成。
作为树脂成分，可举出例如固化性树脂、热塑性树脂(例如聚烯烃树脂)等，优选可举出固化性树脂。
作为固化性树脂，可举出例如通过活性能量射线(具体而言，紫外线、电子束等)的照射而固化的活性能量射线固化性树脂、例如通过加热而固化的热固化性树脂等，优选可举出活性能量射线固化性树脂。
活性能量射线固化性树脂可举出例如在分子中含有具有聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团，可举出例如乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。
作为活性能量射线固化性树脂，具体而言，可举出例如氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。
另外，作为除活性能量射线固化性树脂以外的固化性树脂，可举出例如氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物等。
这些树脂成分可以单独使用或组合使用2种以上。
树脂成分中，也可以含有聚合引发剂等树脂添加剂。
作为聚合引发剂，可举出例如光聚合引发剂、热聚合引发剂等自由基聚合引发剂。这些聚合引发剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为光聚合引发剂，可举出例如苯偶姻醚化合物、苯乙酮化合物、α-酮醇化合物、芳香磺酰氯化合物、光活性肟化合物、苯偶姻化合物、苯偶酰化合物、二苯甲酮化合物、噻吨酮化合物、α-氨基酮化合物等。
作为热聚合引发剂，可举出例如有机过氧化物、偶氮化合物等。
硬涂组合物可以含有颗粒。
作为颗粒，可举出无机颗粒、有机颗粒等。作为无机颗粒，可举出例如二氧化硅颗粒、例如由氧化锆、氧化钛、氧化锌、氧化锡等形成的金属氧化物颗粒、例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。作为有机颗粒，可举出例如交联丙烯酸类树脂颗粒等。颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。
硬涂组合物中可以还含有流平剂、触变剂、抗静电剂等公知的添加剂。
硬涂层3的厚度例如为0.5μm以上，优选为1.0μm以上，另外，例如为10μm以下，优选为3.0μm以下，更优选为2.0μm以下。硬涂层3的厚度例如可使用厚度仪(数字千分表)测定。
4.中间层
中间层4是用于使导电性薄膜1的金属层6侧(特别是透明导电层5)与透明基材2侧(特别是硬涂层3)的密合性提高从而抑制导电性薄膜1内部的层间剥离的密合层。另外也是为了抑制透明导电层5的布线图案的辨识并且确保导电性薄膜1优异的透明性而调整导电性薄膜1的光学特性(例如折射率)的光学调整层。
中间层4具有薄膜形状，例如以与硬涂层3的上表面接触的方式配置在硬涂层3的上表面整面。更具体而言，中间层4以与硬涂层3的上表面及透明导电层5的下表面接触的方式配置在硬涂层3与透明导电层5之间。
中间层4由中间层组合物形成。中间层组合物优选含有无机颗粒成分及树脂成分，更优选由无机颗粒成分及树脂成分形成。即，中间层4优选为含有无机颗粒成分的树脂层，更优选为由无机颗粒成分及树脂成分形成的树脂层。
作为树脂成分，可举出例如与硬涂组合物所使用的树脂相同的树脂。树脂可以单独使用或组合使用2种以上。优选可举出固化性树脂，更优选可举出活性能量射线固化性树脂。
相对于中间层组合物，树脂成分的含有比例例如为34.0质量％以上，优选为40.0质量％以上，另外，例如为60.0质量％以下，优选为50.0质量％以下，更优选为45.0质量％以下。
无机颗粒成分含有二氧化硅颗粒和除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒(以下也称作第2无机颗粒)。
作为第2无机颗粒，优选可举出折射率比二氧化硅颗粒高的无机颗粒(例如折射率为2.00以上)，具体而言可举出氧化锆颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒等金属氧化物颗粒。从密合性、抑制布线图案的辨识的观点来看，优选可举出氧化锆颗粒。这些第2无机颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。
无机颗粒成分优选含有二氧化硅颗粒及金属氧化物颗粒，更优选含有二氧化硅(SiO2)颗粒及氧化锆(ZnO2)颗粒，进一步优选由二氧化硅颗粒及氧化锆颗粒形成。
无机颗粒成分中的二氧化硅颗粒的含有比例例如为1.0质量％以上，优选为3.0质量％以上，更优选为5.0质量％以上，另外，例如为50.0质量％以下，优选为20.0质量％以下，进一步优选为15.0质量％以下。二氧化硅颗粒的含有比例在上述范围内时，可使密合性更为良好。另外，可使透明导电层5的表面电阻值更为降低。
无机颗粒成分中的第2无机颗粒的含有比例例如为50.0质量％以上，优选为80.0质量％以上，更优选为85.0质量％以上，另外，例如为99.0质量％以下，优选为97.0质量％以下，进一步优选为95.0质量％以下。第2无机颗粒的含有比例在上述范围内时，可改善中间层4的折射率，可易于将中间层4的折射率调整为1.60以上且1.70以下的范围内。其结果，可更为抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
二氧化硅颗粒的平均粒径例如为1nm以上，优选为5nm以上，另外，例如为100nm以下，优选为50nm以下。
第2无机颗粒的平均粒径例如为10nm以上，优选为20nm以上，另外，例如为100nm以下，优选为50nm以下。
颗粒的平均粒径表示基于体积基准的粒径分布的平均粒径(D50)，例如可以通过光衍射/散射法对使颗粒分散于水中而得到的溶液进行测定。
无机颗粒成分的含有比例相对于中间层组合物(进而为中间层4)为40.0质量％以上且66.0质量％以下。优选为50.0质量％以上，更优选为55.0质量％以上，另外，优选为60.0质量％以下。无机颗粒成分的含有比例超过上述上限时，密合性降低，或透明导电层5的表面电阻值变高。另外，无机颗粒成分的含有比例低于上述下限时，透明导电层5的布线图案变得易于被辨识。
中间层4的折射率为1.60以上且1.70以下。优选为1.62以上，另外，优选为1.68以下。中间层4的折射率在上述范围内时，可抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
折射率例如可通过阿贝折射仪在波长589nm的条件下测定。
中间层4的厚度例如为10nm以上，优选为30nm以上，另外，例如为300nm以下，优选为150nm以下。中间层4的厚度在上述范围内时，可更为抑制透明导电层5的布线图案的辨识。
中间层4的厚度例如可通过使用透射式电子显微镜观察导电性薄膜1的截面来测定。
5.透明导电层
透明导电层5为用于在之后的工序中形成为布线图案(后述图案化透明导电层5A)的、例如形成触摸面板的触摸输入区域中的布线图案(例如电极布线)的透明的导电层。
中间层4具有薄膜形状，例如以与中间层4的上表面接触的方式配置在中间层4的上表面整面。更具体而言，透明导电层5以与中间层4的上表面及金属层6的下表面接触的方式配置在中间层4与金属层6之间。
作为透明导电层5的材料，可举出例如包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。根据需要可以在金属氧化物中进一步掺杂上述组中所示的金属原子。
透明导电层5的材料可举出例如铟锡复合氧化物(ITO)等含铟氧化物，例如锑锡复合氧化物(ATO)等含锑氧化物等，优选含铟氧化物，更优选可举出ITO。
使用ITO作为透明导电层5的材料的情况下，相对于氧化锡及氧化铟(In2O3)的总量，氧化锡(SnO2)含量例如为0.5质量％以上，优选为3质量％以上，另外，例如为15质量％以下，优选为13质量％以下。通过使氧化锡的含量在上述下限以上，可使ITO层的耐久性更为良好。通过使氧化锡的含量在上述上限以下，可使ITO层的结晶转化容易从而提高透明性、电阻率的稳定性。
本说明书中的“ITO”只要为至少包含铟(In)和锡(Sn)的复合氧化物即可，也可以包含除它们以外的追加成分。作为追加成分，可举出例如除In、Sn以外的金属元素，具体而言可举出Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透明导电层5的厚度例如为10nm以上，优选为20nm以上，另外，例如为50nm以下，优选为30nm以下。
透明导电层5的厚度例如可通过使用透射式电子显微镜观察导电性薄膜1的截面来测定。
透明导电层5为结晶质及非晶质均可，另外，也可以为结晶质及非晶质的混合体。透明导电层5优选由结晶质形成，更具体而言，为结晶质ITO层。由此，可使透明导电层5的透明性提高，另外，可使透明导电层5的表面电阻值更为降低。
透明导电层5为结晶质例如可如下来判断：在透明导电层5为ITO层的情况下，在20℃的盐酸(浓度5质量％)中浸渍15分钟后，进行水洗/干燥、测定15mm左右间的端子间电阻。在本说明书中，在盐酸(20℃、浓度：5质量％)中浸渍/水洗/干燥后，15mm间的端子间电阻为10kΩ以下的情况下，ITO层为结晶质。
透明导电层5(特别是结晶质ITO层)的表面电阻值例如为不足100Ω/□，优选为80Ω/□以下，更优选为75Ω/□以下，另外，例如为10Ω/□以上。表面电阻值例如可依据JISK 7194(1994年)通过4端子法测定。
6.金属层
金属层6为用于在之后的工序中形成为布线图案(后述图案化金属层6A)的、例如形成触摸面板的触摸输入区域的外侧(外周)的边界部(外周缘部)中的布线图案(例如环绕布线)的导电性的金属层。
金属层6为导电性薄膜1的最上层，具有薄膜形状，以与透明导电层5的上表面接触的方式配置在透明导电层5的上表面整面。
作为金属层6的材料，可举出例如铜、镍、铬、铁、钛、或它们的合金等金属。从导电性等观点来看，优选可举出铜。
需要说明的是，金属层6为铜等易于发生氧化的材料的情况下，该金属层6的表面可以被氧化。具体而言，在金属层6为铜层的情况下，金属层6也可以为表面的一部分或全部具备铜氧化物的铜层。
金属层6的厚度为100nm以上且400nm以下。优选为150nm以上，另外，优选为300nm以下。金属层6的厚度低于上述下限时，金属层6的表面电阻值变高从而导电性降低。因此，与触摸面板的大型化对应地，难以形成窄幅的长条状的布线图案(边框部的环绕布线)。另外，金属层6的厚度超过上述上限时，导电性的提高饱和，在成本方面变得不利。另外，边框部的薄膜化变困难。
金属层6的厚度例如可通过使用透射式电子显微镜观察导电性薄膜1的截面来测定。
7.导电性薄膜的制造方法
制造导电性薄膜1时，例如在辊对辊(roll to roll)工序中，在透明基材2的一面上依次设置硬涂层3、中间层4、透明导电层5及金属层6。即，边在长度方向上将长条状的透明基材2由送出辊送出而向输送方向的下游侧输送，边在透明基材2的上表面设置硬涂层3，接着，在硬涂层3的上表面设置中间层4，接着，在中间层4的上表面设置透明导电层5，接着，在透明导电层5的上表面设置金属层6，以卷取辊卷取导电性薄膜。以下进行详细说明。
首先，准备被卷绕在送出辊上的长条状的透明基材2，以卷绕于卷取辊的方式输送透明基材2。
然后，从透明基材2与硬涂层3的密合性的观点来看，根据需要，可对透明基材2的表面实施例如溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子束照射、化学转化、氧化等蚀刻处理和底涂处理。另外，可通过溶剂清洗、超声波清洗等对透明基材2进行除尘、洁净化。
接着，在透明基材2的上表面设置硬涂层3。例如通过在透明基材2的上表面湿式涂布硬涂组合物从而在透明基材2的上表面形成硬涂层3。
具体而言，例如，制备以溶剂稀释硬涂组合物而得到的硬涂组合物涂布液，接着，将该涂布液涂布于透明基材2的上表面并干燥。
作为溶剂，可举出例如有机溶剂、水系溶剂(具体而言，水)等，优选可举出有机溶剂。作为有机溶剂，可举出例如甲醇、乙醇、异丙醇等醇化合物，例如丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮化合物，例如乙酸乙酯、醋酸丁酯等酯化合物，丙二醇单甲醚等醚化合物，例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。这些溶剂可以单独使用或组合使用2种以上。优选可举出酯化合物、醚化合物。
涂布液中的固体成分浓度例如为1质量％以上，优选为10质量％以上，另外，例如为30质量％以下，优选为20质量％以下。
作为涂布方法，可根据涂布液及透明基材2来适宜选择。可举出例如浸涂法、气刀涂布法、帘式涂布法、辊涂法、线棒涂布法、凹版涂布法、喷墨法等。
干燥温度例如为50℃以上，优选为60℃以上，例如为200℃以下，优选为150℃以下。
干燥时间例如为0.5分钟以上，优选为1分钟以上，例如为60分钟以下，优选为20分钟以下。
然后，在硬涂组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下，在涂布液的干燥后，通过照射活性能量射线使活性能量射线固化性树脂固化。
需要说明的是，在硬涂组合物含有热固化性树脂的情况下，通过该干燥工序，在干燥溶剂的同时还可以使热固化性树脂热固化。
接着，在硬涂层3的上表面设置中间层4。例如通过在硬涂层3的上表面湿式涂布中间层组合物从而在硬涂层3的上表面形成中间层4。
具体而言，例如：根据需要制备以溶剂稀释中间层组合物而得到的中间层组合物涂布液，接着，将该涂布液涂布于硬涂层3的上表面并干燥。
中间层组合物的制备、涂布、干燥等的条件可举出与硬涂组合物中例示的制备、涂布、干燥等的条件相同的条件。
然后，在中间层组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下，在涂布液的干燥后，通过照射活性能量射线使活性能量射线固化性树脂固化。
另外，在中间层组合物含有热固化性树脂的情况下，通过该干燥工序，在干燥溶剂的同时，还可以使热固化性树脂热固化。
接着，在中间层4的上表面设置透明导电层5。例如通过干式方法在中间层4的上表面形成透明导电层5。
作为干式方法，可举出例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。优选可举出溅射法。通过该方法可形成为薄膜且厚度均匀的透明导电层5。
溅射法中，在真空室内将靶及被粘物(层叠有中间层4及硬涂层3的透明基材2)对向配置，在供给气体的同时由电源施加电压，由此使气体离子加速而向靶照射，从靶表面使靶材料弹出，并使该靶材料在被粘物表面层叠。
作为溅射法，可举出例如二级溅射法、ECR(电子回旋共振)溅射法、磁控溅射法、离子束溅射法等。优选可举出磁控溅射法。
在采用溅射法时，作为靶材，可举出构成透明导电层5的上述金属氧化物等，优选可举出ITO。从ITO层的耐久性、结晶化等观点来看，ITO的氧化锡浓度例如为0.5质量％以上，优选为3质量％以上，另外，例如为15质量％以下，优选为13质量％以下。
作为气体，可举出例如Ar等非活性气体。另外，根据需要，可与氧气等反应性气体组合使用。在与反应性气体组合使用的情况下，反应性气体的流量比(sccm)不特别限定，相对于溅射气体及反应性气体的总流量比例如为0.1流量％以上且5流量％以下。
从抑制溅射速率的降低、放电稳定性等观点来看，溅射时的气压例如为1Pa以下，优选为0.1Pa以上且0.7Pa以下。
电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源及RF电源中的任意者，另外，也可以为它们的组合
接着，在透明导电层5的上表面设置金属层6。例如通过干式方法在透明导电层5的上表面形成金属层6。
作为干式方法，可举出与上述透明导电层5的形成中同样的方法，优选可举出溅射法。通过该方法，可形成为厚膜的、具有均匀厚度的金属层6。
金属层6中的溅射法的条件也可举出与透明导电层5的形成中例示的条件相同的条件。
需要说明的是，作为靶材料，可举出构成金属层6的上述金属等，优选可举出铜。
接着，将得到的长条状的导电性薄膜1卷取于卷取辊上。
其结果，可得到被卷绕为卷状的导电性薄膜1。
需要说明的是，根据需要，可对导电性薄膜1的透明导电层5实施结晶转化处理。结晶化转化处理可以对得到的导电性薄膜1实施，另外，也可以对层叠金属层6之前的导电性薄膜1(中间层叠体，即，透明基材2/硬涂层3/中间层4/透明导电层5的层叠体)实施。
具体而言，在大气下对导电性薄膜1或中间层叠体实施加热处理。
加热处理例如可使用红外线加热器、烘箱等来实施。
加热温度例如为100℃以上，优选为120℃以上，另外，例如为200℃以下，优选为160℃以下。通过将加热温度设在上述范围内，可抑制透明基材2的热损伤及由透明基材2产生的杂质、并且使结晶转化可靠地发生。
加热时间根据加热温度来适宜决定，例如为10分钟以上，优选为30分钟以上，另外，例如为5小时以下，优选为3小时以下。
由此，可得到具备经结晶化的透明导电层5的导电性薄膜1。
需要说明的是，在上述工序中，可以每个层的形成时卷绕于卷取辊上。另外，也可以不卷绕而连续地实施直到硬涂层3、中间层4、透明导电层5及金属层6的形成为止，在金属层6的形成后卷绕于卷取辊上。
需要说明的是，可以在结晶转化处理之前或之后根据需要使用公知的蚀刻手法将透明导电层5和/或金属层6图案化为条状等布线图案。
在将透明导电层5及金属层6蚀刻的情况下，可以同时蚀刻它们，另外，也可以分别蚀刻，从能够使透明导电层5及金属层6分别可靠地形成各自的图案的观点来看，优选分别将它们蚀刻。
例如，首先，以在金属层6的俯视周边部(例如相当于环绕布线的区域)形成期望的布线图案(例如环绕布线)的形式，通过蚀刻除去金属层6(特别是俯视中央部)。接着，以形成期望的布线图案(例如触摸输入区域中的布线图案)的形式，通过蚀刻除去从金属层6露出的透明导电层5(特别是俯视中央部)。
由此，如图2所示，作为导电性薄膜1的一个实施方式，可得到具备透明基材2、硬涂层3、中间层4、图案化透明导电层5A、及图案化金属层6A的图案化导电性薄膜1A。
需要说明的是，图案化金属层6A形成俯视框形状的边框部，图案化透明导电层5A在图案化金属层6A内形成规定的布线图案。
8.触摸面板
导电性薄膜1例如可作为图像显示装置所具备的触摸面板用基材使用。作为触摸面板的形式，可举出例如静电电容型、电阻膜型等各种类型，特别是可以适宜地用于静电电容型的触摸面板。具体而言，例如通过将图案化导电性薄膜1A配置于保护玻璃等保护基材，从而作为触摸面板使用。
另外，导电性薄膜1也可适宜用于例如电泳方式、扭转球方式、热·可重写方式、光学写入液晶方式、高分子分散液晶方式、宾·主液晶方式、调色剂显示方式、变色方式、电场析出方式等的柔性显示元件。
9.作用效果
而且，该导电性薄膜1依次具备透明基材2、中间层4、透明导电层5及金属层6，金属层6的厚度为100nm以上且400nm以下。因此，可使金属层6的导电性(低表面电阻值)良好。其结果，在触摸面板的边框部分(端部)能够可靠地形成窄幅且长条状的布线图案(环绕布线)。因此，即使触摸面板大型化，也可以实现窄边框化。
另外，中间层4的折射率为1.60以上且1.70以下，中间层4含有包含二氧化硅颗粒及第2无机颗粒的无机颗粒成分，中间层4的无机颗粒成分的含有比例为40.0质量％以上且66.0质量％以下。
因此，在具备厚膜的金属层6(即低表面电阻值)的导电性薄膜1中，金属层6与透明基材2的密合性良好。特别是透明导电层5与中间层4的界面的密合性良好，可抑制它们之间的内聚破坏，因此可抑制金属层6与透明基材2的分离。另外，使透明导电层5形成布线图案(例如触摸面板的触摸输入区域中的图案；图案化透明导电层5A)时，可抑制其布线图案的辨识。进而，透明导电层5的导电性良好，因此在触摸面板大型化时也具备优异的触摸响应性。
需要说明的是，一直以来，在透明导电层5与透明基材2之间设置密合层时，会产生因密合层带来的光学影响而导致透明导电层5的布线图案变得易于被辨识的情况。另外，透明导电层5由于与密合层相邻，因此会影响透明导电层5的结晶化、进而会影响低电阻化，会产生透明导电层的结晶化被阻碍、表面电阻值不降低的情况。
与此相对，本发明的导电性薄膜1中，在硬涂层3与透明导电层5之间配置有上述特定构成的中间层4。因此，能够在使它们的密合性提高的同时抑制布线图案的辨识、进而不阻碍透明导电层5的结晶化、使表面电阻值降低。
<变形例>
图1示出的实施方式中，导电性薄膜1具备硬涂层3，但例如如图3所示，导电性薄膜1也可以不具备硬涂层3。即，图3示出的导电性薄膜1由透明基材2、中间层4、透明导电层5、金属层6形成。
另外，图2示出的实施方式中，图案化导电性薄膜1A具备硬涂层3，但例如如图4示出的那样，导电性薄膜1也可以不具备硬涂层3。即，图4示出的导电性薄膜1由透明基材2、中间层4、图案化透明导电层5A、图案化金属层6A形成。
该实施方式也表现出与图1及图2示出的实施方式同样的作用效果。从耐擦伤性的观点来看，优选可举出图1及图3示出的实施方式。
另外，图1及图2示出的实施方式的透明基材2的下表面露出，虽未图示，但例如也可以在透明基材2的下表面进而具备硬涂层3、中间层4、透明导电层5及金属层6中的全部或一部分。
该实施方式也表现出与图1及图2示出的实施方式同样的作用效果。
实施例
以下示出实施例及比较例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受实施例及比较例任何限定。以下的记载中所使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述“具体实施方式”中记载的与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。
(实施例1)
作为长条状的透明基材，准备厚度100μm的环烯烃聚合物薄膜(COP薄膜、日本Zeon株式会社制、“ZEONOR ZF-16”)。
将紫外线固化型丙烯酸类树脂(DIC Corporation制、“ELS888”)100质量份及光聚合引发剂(BASF Corporation制、“Irgacure184”)2质量份及乙酸乙酯160质量份混合从而制备硬涂组合物溶液。在COP薄膜的上表面涂布硬涂组合物溶液，在80℃、1分钟条件下干燥并照射紫外线。由此，在COP薄膜的上表面形成厚度2μm的硬涂层。
在含有无机颗粒的树脂溶液(JSR Corporation制、“KZ6954”)100质量份中混合丙二醇单甲醚700质量份从而制备中间层组合物溶液。在硬涂层的上表面涂布中间层组合物溶液，在60℃、1分钟的条件下干燥并照射紫外线。由此，在硬涂层的上表面形成厚度100nm的中间层。
需要说明的是，含有无机颗粒的树脂溶液(JSR Corporation制、“KZ6954”)的固体成分为：无机颗粒成分62.5质量％及树脂成分37.5质量％。另外，无机颗粒成分为二氧化硅颗粒(平均粒径10nm)19质量％及氧化锆颗粒(平均粒径25nm)81质量％。
接着，将COP薄膜/硬涂层/中间层的层叠体投入到卷取式溅射装置，在中间层的上表面形成厚度为30nm的ITO层(非晶质)。具体而言，在导入有氩气98％及氧气2％的气压0.4Pa的真空环境下，使用由97质量％的氧化铟及3质量％的氧化锡的烧结体形成的ITO靶，对中间层实施溅射。
接着，将COP薄膜/硬涂层/中间层/ITO层(非晶质)的层叠体投入到卷取式溅射装置，在ITO层的上表面形成厚度为200nm的铜层。具体而言，在导入有氩气的气压0.4Pa的真空气氛下，使用由无氧铜形成的ITO靶，对ITO层实施溅射。
由此制作实施例1的卷状的导电性薄膜。
(实施例2～4)
在中间层的形成中，除了中间层的配方为表1中记载的配方，适宜混合2种JSRCorporation制的OPSTAR KZ SERIES(“KZ6954”及“KZ6956”)从而制备无机颗粒树脂溶液以外，与实施例1同样地制作导电性薄膜。
需要说明的是，各实施例及各比较例所使用的JSR Corporation制的OPSTAR KZSERIES、OPSTAR Z SERIES、及荒川化学工业株式会社制的“RA017”中含有的无机颗粒(二氧化硅颗粒和/或氧化锆颗粒)的种类大致相同。
(实施例5)
在中间层的形成中，除了中间层的配方为表1中记载的配方，且以折射率成为1.60的方式，将2种JSR Corporation制的OPSTAR KZ SERIES(“KZ6954”25质量％：“KZ6956”75质量％)100质量份、及2种含有有机树脂的溶液(大阪有机化学工业株式会社制的“VISCOAT300”17质量份、及日本化药株式会社制的“KAYARAD BNP-1”18质量份)混合从而制备无机颗粒树脂溶液以外，与实施例1同样地制作导电性薄膜。
(实施例6)
在中间层的形成中，除了中间层的配方为表1中记载的配方，且以折射率成为1.70的方式，将JSR Corporation制的“OPSTAR Z7414”66质量份、及荒川化学工业株式会社制的“RA017”34质量份混合从而制备无机颗粒树脂溶液以外，与实施例1同样地制作导电性薄膜。
(比较例1～5)
在中间层的形成中，除了中间层的配方为表1中记载的配方，将JSR Corporation制的OPSTAR KZ SERIES(“KZ6953”、“KZ6954”、“KZ6956”)或OPSTAR Z SERIES(“Z7549”)适宜混合从而制备无机颗粒树脂溶液以外，与实施例1同样地制作导电性薄膜。
(比较例6)
除将铜层的厚度变更为50nm以外，与比较例1同样地制作导电性薄膜。
(各层的厚度)
对于厚度不足1.0μm的层，使用透射式电子显微镜(株式会社日立制作所制、“H-7650”)，观察导电性薄膜的截面进行测定。对于厚度为1.0μm以上的层，使用厚度仪(Peacock株式会社制数字千分表DG-205)测定。将其结果示于表1。
(折射率)
使用阿贝折射仪(ATAGO CO.,LTD.制)测定波长589nm下的折射率。
(密合性)
对各实施例及各比较例中得到的导电性薄膜的铜层的表面，以形成100个1mm见方的方格(10行×10列)的方式，使用切割刀切割为棋盘格状。接着，重复进行2次下述工序：在经切割的铜层表面上贴附粘合带(SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“セロテープ(注册商标)No.252”)后，剥离。目视观察此时的铜层表面的表面，通过以下的方式评价密合性。将其结果示于表1。
5：完全未见铜层的剥离(剥离面积不足1％)
4：在棋盘格的切缝周边可见到缺口的程度(剥离面积为1％以上且不足10％)。
3：铜层的剥离面积为10％以上且不足40％
2：铜层的剥离面积为40％以上且不足60％
1：铜层的剥离面积为60％以上且不足80％
0：铜层的剥离面积为80％以上
需要说明的是，对上述的ITO层为非晶质的导电性薄膜也测定了铜层的密合性，对于铜层的密合性，可得到与ITO层为结晶层的情况下同样的测定结果。
(布线图案的辨识性)
将各实施例及各比较例中得到的卷状的导电性薄膜切成10cm×10cm，在其导电性薄膜的金属层上配置规定图案的干膜抗蚀剂，仅将金属层蚀刻后，除去抗蚀剂。由此，仅在周边边缘将与边框的环绕布线相当的金属层图案化。
接着，在除导电性薄膜的边框以外的俯视中央的ITO层上配置规定图案的干膜抗蚀剂，仅将ITO层蚀刻后，除去抗蚀剂。由此，在俯视中央将与布线图案相当的ITO层(参照图2)图案化。
在LED光源下，从倾斜45度方向目视得到的图案化导电性薄膜的布线图案。
将未确认到布线图案的情况评价为○，将稍微确认到布线图案的情况评价为△，将明确确认到布线图案的情况评价为×。将其结果示于表1。
(ITO层的表面电阻值)
将各实施例及各比较例中即将形成铜层的导电性薄膜(COP薄膜/硬涂层/中间层/ITO层(非晶质)的层叠体)以卷对卷(roll to roll)的方式投入至空气循环式烘箱，以140℃60分钟的条件实施加热处理，使ITO层结晶化。由此得到表面电阻值测定用样品(COP薄膜/硬涂层/中间层/结晶质ITO层的层叠体)。
依据JIS K 7194(1994年)，通过4端子法测定各样品的结晶质ITO层的表面电阻值。将其结果示于表1。
(铜层的表面电阻值)
通过4端子法测定各实施例及各比较例中得到的卷状的导电性薄膜的铜层的表面电阻值的结果为：比较例6的导电性薄膜的表面电阻值(0.6Ω/□)比各实施例及比较例1～5的导电性薄膜的表面电阻值(0.1Ω/□)显示出明显较高的值。
[表1]
需要说明的是，上述发明是作为本发明的例示的实施方式而提供的，但其只是简单的例示，并不做限定性地解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例也包含在前述的权利要求书中。
产业上的可利用性
本发明的导电性薄膜及触摸面板可应用于各种工业制品，例如可适宜用于图像显示装置等。
附图标记说明
1 导电性薄膜
2 透明基材
4 中间层
5 透明导电层
6 金属层

Claims (9)

1.一种导电性薄膜，其特征在于，依次具备透明基材、中间层、透明导电层及金属层，
所述金属层的厚度为100nm以上且400nm以下，
所述中间层的折射率为1.60以上且1.70以下，
所述中间层含有无机颗粒成分，该无机颗粒成分包含二氧化硅颗粒及除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒，
所述中间层中的所述无机颗粒成分的含有比例为40.0质量％以上且66.0质量％以下。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述中间层的厚度为30nm以上且150nm以下。
3.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述中间层中的所述无机颗粒成分的含有比例为50.0质量％以上且60.0质量％以下。
4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述中间层为含有所述无机颗粒成分的树脂层。
5.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述除二氧化硅颗粒以外的无机颗粒为氧化锆。
6.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述金属层含有铜、镍、铬、铁及钛中的至少1种。
7.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电层及所述金属层两者均进行了图案化。
8.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，被卷绕为卷状。
9.一种触摸面板，其特征在于，具备权利要求1所述的导电性薄膜。
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