CN110536775B - 研磨垫及其制造方法、以及研磨加工品的制造方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 305
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 99
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 28
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 15
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920006146 polyetheresteramide block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMYOHQBLOZMDLP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-hydroxy-3-piperidin-1-ylpropoxy)phenyl]-3-phenylpropan-1-one Chemical compound C1CCCCN1CC(O)COC1=CC=CC=C1C(=O)CCC1=CC=CC=C1 DMYOHQBLOZMDLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAAYJRKCGZQWCB-UHFFFAOYSA-N 2-(1-cyanopropyldiazenyl)butanenitrile Chemical compound CCC(C#N)N=NC(CC)C#N YAAYJRKCGZQWCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001079 Thiokol (polymer) Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Chemical group 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Abstract
研磨垫,其具备基材、和配置于该基材上的树脂部,该树脂部单独或与上述基材共同构成凹凸图案,上述凹凸图案为具有研磨面的多个凸部排列而成的图案,在上述基材表面的每单位面积(1cm2)中,对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述研磨面的总面积为0.05~0.8cm2,凸部的斜边与底边所成的角θ为5~60°。
Description
技术领域
本发明涉及研磨垫及其制造方法、以及研磨加工品的制造方法。
背景技术
近年来,对于下一代功率半导体元件材料,作为宽带隙半导体的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石(C)、蓝宝石(Al2O3)及氮化铝(AlN)等材料受到瞩目。例如,碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比带隙为其3倍、绝缘击穿电场强度为其约7倍等优异的物性值,与目前的硅半导体相比,在高温动作性优异、小型且节能效果也高这样的方面优异。另外,对于蓝宝石晶片而言,由于其化学稳定性、光学特性(透明性)、机械强度、热特性(导热性)等,作为具有光学要素的电子设备、例如高性能投影仪用部件的重要性不断提高。面向这些下一代功率器件的真正普及,基板的大口径化·量产化正在发展,相应地,基板加工技术的重要性也在增加。在其加工工艺中,与Si同样地,通过对用于晶片的圆柱状单晶(晶锭)进行切割而切成圆盘状。接着,使切割后的圆盘状单晶的表面进行平坦化,但首先,为了大致消除其表面的粗糙,使用抛光平台实施抛光加工。然后,为了进一步提高圆盘状单晶的表面的平坦性、且除去表面的微细伤痕而镜面化,实施擦光(polishing)加工。而后,为了进一步提高圆盘状单晶的表面的平坦性、且除去表面的微细伤痕而镜面化,实施擦光加工。因此,利用抛光加工来提高圆盘状单晶表面的平坦性并减少微细伤痕对之后的擦光加工带来影响,因此是重要的。
在通常的抛光加工中,在包含金刚石磨粒的浆料的存在下,使用金属系平台实施研磨。由此,作为游离磨粒的金刚石磨粒埋入金属系平台表面,能够实施抛光加工。特别地,作为用于质地远远硬于Si的SiC等高硬度材料的抛光加工,使用铜及锡等的金属系平台、并将该平台与作为游离磨粒的金刚石磨粒组合的抛光加工(以下,也称为“金刚石抛光”。)是已知的(例如,参见专利文献1)。另外,在作为抛光加工后的工序的擦光工序中,不使用游离磨粒、而是使用形成有多个研磨结构体的研磨片来实施研磨的方法是已知的,所述研磨结构体是在饱和共聚聚酯树脂中分散一次粒径小于3μm的研磨材料粒子(固定磨粒)而得到的(例如,参见专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-61961号公报
专利文献2:日本特开2009-72832号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,专利文献1中记载的这样的金属系平台由于重而存在下述问题点:难以操作,以及使用后的维持管理(埋入有作为游离磨粒的金刚石磨粒的平台表面的保养等)需要劳力。
另外,专利文献2中记载的研磨片用于玻璃、陶瓷、塑料、金属等的通常的研磨加工。将这样的用于通常的研磨加工的研磨片用于SiC等的加工时,存在研磨速率低、不实用这样的问题。特别地,就专利文献2中记载的研磨片而言,仅露出于研磨结构体表面的研磨材料粒子作为固定磨粒发挥功能,埋没于研磨结构体内的研磨材料粒子未作为磨粒发挥作用,因此研磨速率还存在改良的余地。
另外,除了SiC外,蓝宝石也具有次于金刚石、SiC的修正莫氏硬度,对药品的耐受性高,加工极其困难。因此,在除通常的Si半导体晶片等之外的、作为下一代功率半导体元件材料受到期待的材料、尤其是具有高硬度的难加工材料的研磨加工中,期望操作性优异、且研磨速率也优异的研磨垫。
针对上述问题,本申请的发明人发现,通过以规定的密度具有由树脂构成的凸部图案、并且使有助于研磨的凸部上表面的面积(研磨有效面积)在规定的范围内,从而能够实现与上述金属平台相比、操作性及维持管理性更优异、尤其是在难磨削材料的研磨中研磨速率更优异的研磨垫。
此次,本申请的发明人为了实现该研磨垫的制品价值的更进一步提高,针对进一步提高制品寿命进行了研究。通常而言,在凸部由树脂构成的研磨垫中,随着在研磨中使用,凸部逐渐减少,伴随凸部的减少,研磨速率降低。研磨速率降低一定以上时,研磨加工效率降低,因此更换为新的研磨垫。从提高研磨垫的制品寿命的观点考虑,考虑了提高凸部的高度、将直至研磨速率降低至一定以上的时间进一步延长。然而,本申请的发明人进行了研究后获知,在从制品寿命的观点考虑而提高凸部的高度、换言之形成使凸部间的槽加深的构成的情况下,磨粒被捕获于凸部间的槽中,反而使研磨速率降低。
本发明是鉴于上述情况而做出的,目的在于提供操作性及维持管理性优异、尤其在难磨削材料的研磨中研磨速率优异、并且能够实现制品寿命的更进一步提高的研磨垫及其制造方法、以及使用了该研磨垫的研磨加工品的制造方法。
用于解决课题的手段
本申请的发明人为了解决上述课题而进行了深入研究。结果发现,为具备持有规定的凹凸图案的研磨面的研磨垫时,能够解决上述课题,从而完成了本发明。
即,本发明如下所述。
〔1〕研磨垫,其具备基材、和配置于该基材上的树脂部,
该树脂部单独或者与上述基材共同构成凹凸图案,
上述凹凸图案为具有研磨面的多个凸部排列而成的图案,
在上述基材表面的每单位面积(1cm2)中,对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述研磨面的总面积为0.05~0.8cm2,
满足下述式(1)的θ为5~60°,
tanθ=t/((L1-M1)/2)......(1)
t:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的平均高度
L1:上述凸部的底面的平均等效圆直径
M1:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的上表面的平均等效圆直径。
〔2〕如〔1〕所述的研磨垫,其中,上述凸部的平均高度t为0.06~1mm。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的研磨垫,其中,上述研磨面的表面粗糙度Rz为0.1~20μm。
〔4〕如〔3〕所述的研磨垫,其中,将研磨中使用的游离磨粒的平均粒径0.25~18μm作为基准1.0,上述表面粗糙度Rz为0.75以下。
〔5〕如〔1〕~〔4〕中任一项所述的研磨垫,其中,上述凸部的平均等效圆直径L1为1~5mm。
〔6〕如〔1〕~〔5〕中任一项所述的研磨垫,其中,相邻的上述凸部的最接近距离L2为0.1~3mm。
〔7〕如〔1〕~〔6〕中任一项所述的研磨垫,其中,上述树脂部包含选自由环氧系树脂、丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、不饱和聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、及聚氨酯系树脂组成的组中的至少一种。
〔8〕如〔1〕~〔7〕中任一项所述的研磨垫,其中,在上述基材的与上述树脂部相反的一侧还具备粘接层。
〔9〕如〔1〕~〔8〕中任一项所述的研磨垫,其中,上述研磨面实质上不包含固定磨粒。
〔10〕研磨垫的制造方法,其为〔1〕~〔9〕中任一项所述的研磨垫的制造方法,
所述制造方法具有下述工序:
利用丝网印刷法、曝光制版法、或铸模成型法,在基板上形成包含凹凸图案的树脂部,所述凹凸图案是具有研磨面的多个凸部排列而成的。
〔11〕研磨加工品的制造方法,其具有下述研磨工序:
在游离磨粒的存在下,使用〔1〕~〔9〕中任一项所述的研磨垫,对被研磨物进行研磨。
〔12〕如〔11〕所述的研磨加工品的制造方法,其中,上述游离磨粒的平均粒径为0.25~18μm。
发明的效果
根据本发明,能够提供操作性及维持管理性优异、尤其在难磨削材料的研磨中研磨速率优异、并且能够实现制品寿命的更进一步提高的研磨垫及其制造方法、以及使用了该研磨垫的研磨加工品的制造方法。
附图说明
[图1]为示出本实施方式的研磨垫的一例的概略性立体图。
[图2]为本实施方式的凸部的立体图及截面图。
[图3]为示出对凸部施加研磨压力时的研磨面的面积(研磨有效面积)的测定方法的概略图。
[图4]为示出本实施方式的凹凸图案的一例的概略图。
具体实施方式
以下,根据需要,一边参照附图,一边对用于实施本发明的方式(以下,简称为“本实施方式”。)详细地进行说明。需要说明的是,附图中,对同一要素标记同一符号,并省略重复的说明。另外,上下左右等位置关系只要没有特别说明,则是基于附图所示的位置关系。此外,附图的尺寸比率不限定于图示的比率。
〔研磨垫〕
本实施方式的研磨垫具备基材、和配置于该基材上的树脂部,该树脂部单独或与上述基材共同构成凹凸图案,上述凹凸图案为具有研磨面的多个凸部排列而成的图案,在上述基材表面的每单位面积(1cm2)中,对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述研磨面的总面积为0.05~0.8cm2,满足下述式(1)的θ为5~60°。
tanθ=t/((L1-M1)/2)......(1)
t:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的平均高度
L1:上述凸部的底面的平均等效圆直径
M1:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的上表面的平均等效圆直径
需要说明的是,本实施方式中,也将基材表面的每单位面积(1cm2)中的、对凸部施加500g/cm2的研磨压力时的研磨面的总面积简称为“研磨有效面积”。另外,也将满足上述式(1)的θ简称为“平均角度θ”。
图1中示出表示本实施方式的研磨垫的一例的概略性立体图。如图1所示,该研磨垫10具备基材12、和配置于该基材12上的树脂部11,该树脂部11与基材12共同构成凹凸图案。凹凸图案为在基材12的表面上配置基于树脂部11的圆台状的多个点而得到的图案。另外,本实施方式的研磨垫根据需要可具有粘接层13。
本实施方式的研磨垫由于具有基材、和配置于该基材上的树脂部,因此比金属系平台轻,能够在规定次数的研磨结束后用完就扔掉,从这方面考虑,操作性及维持管理性优异。另外,该研磨垫具有凹凸图案,并在该凹凸图案表面的研磨面中具有上述数值范围内的研磨有效面积,由此研磨速率优异,能够发挥出与金属系平台相匹敌的研磨速率。认为其原因在于:(1)研磨时,金刚石磨粒这样的游离磨粒介在于被研磨物与密合于该被研磨物的凸部之间,由此能够有效地使凸部及游离磨粒作用于(研磨)被研磨物;(2)通过设置凹部,与被研磨物密合的面中的、每单位面积的按压力增大;以及(3)通过具有上述数值范围内的研磨有效面积,能够使上述(1)与(2)的均衡性优异。但是,主要原因并不限定于此。另外,凹凸图案为规则的情况下,能够进行更均匀的研磨,可实现表面品质优异的研磨。
另外,如图2所示,大致区分的话,对研磨工序中的游离磨粒AG施加了由研磨垫的旋转带来的离心力F1、和磨粒自身的重力F2。为了使磨粒到达凸部11a的上表面,由在研磨垫的面方向上起作用的离心力F1和平均角度θ确定的沿斜面向上的力必须大于沿斜面向下的重力F2。从这样的观点考虑,本实施方式中,就研磨垫具有的凸部11a而言,通过使凸部11a的平均角度θ在规定范围内,从而磨粒AG能够到达构成用于研磨被研磨物的研磨面的凸部11a的上表面。
〔基材〕
作为基材,没有特别限定,例如,可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯系膜;聚乙烯(PE)膜、聚丙烯(PP)膜、乙烯-丙烯共聚物膜等聚烯烃系膜;聚醚醚酮(PEEK)膜、聚苯硫醚(PPS)膜。作为基材,只要能够在上表面印刷后述的树脂即可,从耐化学药品性·耐热性·经济性等观点考虑,优选聚酯系膜。
〔树脂部〕
树脂部配置于基材上,单独或与基材共同构成凹凸图案。树脂部的与基材相反的一侧的表面成为用于研磨被研磨物的研磨面。需要说明的是,本实施方式的研磨垫中,优选研磨面实质上不包含固定磨粒。所谓“实质上不包含固定磨粒”,是指在作为树脂部的表面的研磨面不出现磨粒的状态。通过使研磨面实质上不包含磨粒,从而能够使游离磨粒停留的研磨面的面积增大。
(研磨有效面积)
相对于表面的每单位面积(1cm2),研磨有效面积为0.05~0.8cm2,优选为0.1~0.8cm2,更优选为0.15~0.75cm2,进一步优选为0.2~0.7cm2,尤其优选为0.25~0.7cm2。通过使研磨有效面积为0.05cm2以上,可有助于研磨的面积得以增大,研磨速率进一步提高。另外,通过使研磨有效面积为0.8cm2以下,相对地凹部增加,包含游离磨粒的浆料的供给·排出的效率进一步提高。
此处,“研磨有效面积”为:每单位面积(1cm2)中的、施加500g/cm2的研磨压力时凹凸图案中对研磨作出贡献的凸部的上表面的面积。研磨有效面积的测定方法只要为每单位面积(1cm2)施加500g/cm2的研磨压力而进行测定的方法即可,没有特别限定。
例如,以玻璃板与研磨垫10的研磨面(树脂部11的表面)接触的方式进行叠合,以对它们均匀地施加负荷的方式装上研磨压力500gf/cm2的砝码,进行加压,从上方用显微镜进行测定,对与玻璃板接触的每一个凸部的上表面(研磨面)的面积进行测定,可将其作为凹凸图案中对研磨作出贡献的每一个凸部的研磨面积。
另外,作为其他方法,如图3所示,也可以在研磨垫10的研磨面(树脂部11的表面)以使研磨有效面积测定用的压板4与压敏纸5的平坦表面直接接触的方式进行叠合,以对它们均匀地施加负荷的方式,用具有相对凹凸图案而言充分大的面积的辊等施加相当于研磨压力500gf/cm2的转印压力,在压敏纸5上转印凸部图案。然后,对转印至压敏纸5上的每一个凸部的上表面(研磨面6)的面积进行测定,将其作为凹凸图案中对研磨作出贡献的每一个凸部的研磨面积。需要说明的是,在转印不充分的情况下,也可以在研磨垫10的研磨面(树脂部11的表面)上直接涂布压敏纸的显色液,以涂布后的研磨垫的研磨面(树脂部表面)进行上述测定。
接着,将以上述方式得到的每一个凸部的研磨面任意地选出10处,求出每一个凸部的研磨面的等效圆直径,并对得到的等效圆直径进行加权平均,由此算出凸部的上表面的平均等效圆直径M1。由平均等效圆直径M1求出每一个凸部的等效圆面积,将基材表面的每单位面积(1cm2)中的凸部个数与等效圆面积相乘,可算出研磨有效面积。
研磨有效面积=(平均等效圆直径M1)×(基材表面的每单位面积(1cm2)的凸部的个数)
需要说明的是,在平均等效圆直径M1的计算中,可以用平板扫描仪或数码照相机将转印的凸部图案转变为图像数据,对得到的图像数据进行二值化处理,在经二值化处理的凸部图案内,任意地选出10处凸部,求出各凸部的等效圆直径,并对得到的等效圆直径进行加权平均,由此算出凸部的上表面的平均等效圆直径M1。需要说明的是,二值化处理可以使用通常的二值化处理软件来计算,例如,可以通过使用“Pick Map Version2.4”并将阈值设定为220来计算。
需要说明的是,研磨有效面积(cm2)可以通过后述的修整处理·磨光处理等进行调节。具体而言,可以将研磨面的研磨有效面积(cm2)调节为优选0.2~0.8cm2、更优选0.3~0.75cm2、进一步优选0.4~0.7cm2。
〔凸部〕
本实施方式中,凸部的上表面成为与被研磨物接触的研磨面。从提高研磨速率的观点考虑,优选以在凸部的上表面容易存在游离磨粒的方式调节凸部的形状,另外,从提高制品寿命的观点考虑,凸部的高度优选高。因此,本实施方式中,以满足下述式(1)的θ成为5~60°的方式构成凸部。
tanθ=t/((L1-M1)/2)......(1)
t:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的平均高度
L1:上述凸部的底面的平均等效圆直径
M1:对上述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的上述凸部的上表面的平均等效圆直径
需要说明的是,本实施方式中,作为凸部的截面形状,例如,可举出梯形形状、三角形状、半圆形状、大致半圆形状。梯形形状、三角形状中,除了严格意义上的以由直线形成的边构成的形状外,关于其边,也可以由歪斜的直线(曲线)构成,只要各形状的顶点确定即可。
作为这样的凸部的形状,没有特别限定,例如,可举出圆台状、大致圆台状、椭圆台状、大致椭圆台状、多棱台状等台状。与被研磨物接触的凸部优选形成规则的图案。通过具有规则的图案,能够进行均匀的研磨,能够实现表面品质优异的研磨。需要说明的是,所谓“规则的图案”,是指将作为单元的小图案并排多个而得到的图案。具体而言,图4所示的规则的图案由多个小图案P构成。作为单元的小图案可以为一种,也可以并用两种以上。
(平均角度θ)
平均角度θ为5~60°,优选为10~55°,更优选为15~50°。通过使平均角度θ为5°以上,从而不会使研磨有效面积以必要以上的程度降低,研磨速率进一步提高。另外,通过使平均角度θ为60°以下,磨粒容易沿凸部的斜边上升,因此,能够在凸部的上表面存在更多的游离磨粒。结果,研磨速率进一步提高。
需要说明的是,凸部为圆台状或圆锥状时,施加500g/cm2的研磨压力时的凸部的上表面及底面成为大致一样的圆形状,磨粒从任意方向沿凸部的斜面上升时,其上升方式均大致相同。另一方面,在凸部为多棱台状或多棱锥状等的情况下,凸部的上表面及底面成为多角形状,根据磨粒沿凸部的斜面上升的方向,有陡峭的斜面,也有平缓的斜面。这样的多棱台状或多棱锥状中,存在游离磨粒容易上升的较平缓的斜边和难以上升的陡峭的斜边,从宏观的观点考虑的话,可以将各斜边所成的角度的平均作为指标来评价游离磨粒的上升容易度。因此,在本实施方式中的“平均角度θ”的计算中,使用具有与凸部的上表面及底面的面积相等的圆面积的圆的直径、即平均等效圆直径L1及M1。
另外,凸部为圆台状、圆锥状、多棱台状、或多棱锥状时,磨粒上升的斜面成为大致一样的面。另一方面,凸部为半球状或大致半球状等的情况下,就磨粒上升的斜面而言,根据磨粒的位置,有陡峭的部位也有平缓的部位。这样的半球状或大致半球状中,存在游离磨粒容易上升的较平缓的部位和较难上升的陡峭的部位,从宏观的观点考虑的话,可以将斜边所成的角度的平均作为指标来评价游离磨粒的上升容易度。因此,在本实施方式中的“平均角度θ”的计算中,使用通过平均等效圆直径L1及M1和高度t算出的tanθ。
(平均等效圆直径L1)
平均等效圆直径L1优选为1~5mm,更优选为1.5~4.5mm,进一步优选为2~4mm。通过使平均等效圆直径L1为1mm以上,从而维持规定的平均角度θ、同时能够将高度t设计为更高,因此有制品寿命进一步提高的倾向。另外,通过使平均等效圆直径L1为5mm以下,从而凸部变小,相对地凹部增加,有包含游离磨粒的浆料的供给·排出的效率进一步提高的倾向。
需要说明的是,平均等效圆直径L1可以通过研磨垫表面的显微镜照片来测定。另外,就平均等效圆直径L1而言,在研磨压力500g/cm2的加压前后,其变化小至可忽视的程度,因此,可以采用研磨压力500g/cm2的加压前的值。平均等效圆直径L1的计算与凸部的上表面的平均等效圆直径M1的计算同样,任意地选出10处凸部研磨面,求出每一个凸部的底面的等效圆直径,并对得到的等效圆直径进行加权平均,由此能够算出。
(平均等效圆直径M1)
平均等效圆直径M1优选为0.2~3.5mm,更优选为0.3~3mm,进一步优选为0.4~2.5mm。通过使平均等效圆直径M1为0.2mm以上,从而维持规定的平均角度θ、同时能够将高度t设计为更高,因此有制品寿命进一步提高的倾向。另外,通过使平均等效圆直径M1为3.5mm以下,从而凸部变小,相对地凹部增加,有包含游离磨粒的浆料的供给·排出的效率进一步提高的倾向。需要说明的是,平均等效圆直径M1的计算方法如上所述。
(高度t)
另外,对磨粒AG施加的力在研磨工序中复杂地变化,并不总是一定量的离心力F1施加于磨粒AG,也不限于离心力F1总在磨粒沿凸部的斜坡上升的方向上施加。为了使置于这样的复杂力场中的磨粒AG到达凸部11a的上表面,平均角度θ与同制品寿命的长度相关的凸部11a的高度t的均衡性也是重要的。从这样的观点考虑,施加500g/cm2的研磨压力时的凸部的平均高度t优选为0.06~1mm,更优选为0.1~0.9mm,进一步优选为0.2~0.8mm。通过使凸部的平均高度t为0.06mm以上,有制品寿命进一步提高的倾向。另外,通过使凸部的平均高度t为1mm以下,游离磨粒容易到达凸部的上表面,因此,有研磨速率进一步提高的倾向。
需要说明的是,平均高度t的测定方法只要为每单位面积(1cm2)施加500g/cm2的研磨压力进行测定的方法即可,没有特别限定。例如,为对与玻璃板接触的研磨面的面积进行测定的方法时,平均高度t可以测定基材与玻璃板的平均距离而求出。另外,使用压敏纸的情况下,可测定基材12与压敏纸5的平均距离而求出。
研磨面的表面粗糙度Rz为由JIS B0633:2001(ISO4288:1996)确定的最大高度的粗糙度。
研磨面的表面粗糙度Rz优选为0.1~20μm,更优选为0.15~18μm,进一步优选为0.2~16μm。
作为一个方式,在树脂部由光固性树脂或感光性树脂构成、更具体而言由丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰胺系树脂、及聚氨酯系树脂构成的情况下,根据与该树脂的硬度等物性的关系,研磨面的表面粗糙度Rz优选为0.1~3μm,更优选为0.15~2μm,进一步优选为0.2~1μm。通过使研磨面的表面粗糙度Rz为0.1μm以上,从而到达凸部的上表面的游离磨粒容易留在凸部的上表面,因此,有研磨速率进一步提高的倾向。另外,通过使研磨面的表面粗糙度Rz为3μm以下,表面的起伏被抑制,磨粒容易留在研磨面,研磨面的均质性、平坦性也得以保持,因此,有得到的研磨物的表面品质进一步提高的倾向。
作为另一方式,在树脂部由热固性树脂构成、更具体而言由环氧树脂、酚醛树脂构成的情况下,根据与该树脂的硬度等物性的关系,研磨面的表面粗糙度Rz优选为1~20μm,更优选为2~18μm,进一步优选为3~16μm。通过使研磨面的表面粗糙度Rz为1μm以上,到达凸部的上表面的游离磨粒容易留在凸部的上表面,因此,有研磨速率进一步提高的倾向。另外,通过使研磨面的表面粗糙度Rz为20μm以下,表面的起伏被抑制,磨粒容易留在研磨面,研磨面的均质性、平坦性也得以保持,因此,有得到的研磨物的表面品质进一步提高的倾向。研磨面的表面粗糙度Rz可以通过后述的修整处理·磨光处理等进行调节。具体而言,可以将凸部(研磨面)的表面粗糙度Rz调节为优选1~7μm、更优选2~6μm、进一步优选3~5μm。
此外,将使用的游离磨粒的平均粒径0.25~18μm作为基准1.0,表面粗糙度Rz优选为0.75以下,更优选为0.65以下,进一步优选为0.6以下。通过在与使用的游离磨粒的关系中,使表面粗糙度Rz满足上述范围,由此有下述倾向:到达凸部的上表面的游离磨粒不会埋入研磨面的槽中,并且容易停留。
任意选择的邻接的凸部彼此的最接近距离(例如,图4中符号L2表示的凸部彼此的距离)优选为0.1~3mm,更优选为0.5~2.5mm,进一步优选为1.0~2.0mm。通过使邻接的凸部彼此的最接近距离在上述范围内,从而能够得到以较高密度配置有较小凸部的凹凸图案,因此,有研磨速率进一步提高的倾向。
每单位面积(1cm2)的凸部的个数优选为4~80个,更优选为6~75个,进一步优选为9~70个。通过使该每单位面积的凸部的个数为4个以上,从而使得包含游离磨粒的浆料的供给·排出能力优异,有研磨速率提高的倾向。通过使每单位面积的凸部的个数为80个以下,能够使每一个凸部的高度进一步提高,有制品寿命进一步提高的倾向。需要说明的是,关于凸部的每单位面积的个数,可以通过下述方式算出:用目视确认规定面积、例如4cm2(2cm见方)的凸部的个数,并换算为每单位面积的个数。
作为构成树脂部的树脂,没有特别限定,例如,可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚Novolac型环氧树脂、甲酚Novolac型环氧树脂等环氧系树脂;聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯系树脂;不饱和聚酯系树脂;聚醚酰胺、聚醚酯酰胺、含有铵盐型叔氮原子的聚酰胺等聚酰胺系树脂;在分子内具有醚键或酯键的聚氨酯、聚氨酯聚脲、聚氨酯丙烯酸酯、酰胺化合物与异氰酸酯化合物的加成聚合物等聚氨酯系树脂;聚丙烯酸酯、聚丙烯腈等丙烯酸系树脂;聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氟乙烯等乙烯基系树脂;聚砜、聚醚砜等聚砜系树脂;乙酰化纤维素、丁酰化纤维素等酰化纤维素系树脂;及聚苯乙烯系树脂。其中,优选环氧系树脂、不饱和聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、及聚氨酯系树脂。通过使用这样的树脂,有研磨速率进一步提高的倾向。需要说明的是,构成树脂部的树脂可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
〔粘接层〕
本实施方式的研磨垫可以在基材的与树脂部相反的一侧还具备用于将研磨垫贴附于研磨机的研磨平台上的粘接层。粘接层可以包含以往已知的研磨垫中使用的粘接剂或粘合剂。作为粘接层的材料,例如,可举出丙烯酸系粘接剂、腈系粘接剂、丁腈橡胶系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚氨酯系粘接剂、聚酯系粘接剂、有机硅系粘接剂等各种热塑性粘接剂。粘接层可以为例如双面胶带。
〔锚定层〕
本实施方式的研磨垫可以在基材与树脂部之间具有锚定层。通过具有锚定层,从而有进一步提高基材与树脂部的密合性的倾向。作为构成锚定层的材料,没有特别限定,例如,可举出丙烯酸系树脂涂覆剂。
〔研磨垫的制造方法〕
本实施方式的研磨垫的制造方法具有下述工序:利用丝网印刷法、曝光制版法、或铸模成型法,在基板上形成包含凹凸图案的树脂部,所述凹凸图案是具有研磨面的多个凸部排列而得到的。
〔丝网印刷法〕
丝网印刷法(孔版印刷)中,准备为能够形成凸部图案而制作的丝网掩模,使用丝网掩模,在基板上印刷固化性组合物,使其固化。从形成微细的凹凸图案的观点考虑,优选树脂液的粘度低,可从该观点考虑来选择树脂种类。通过丝网印刷法,能够形成平均角度θ较小的凸部。另外,相较于曝光制版法,丝网印刷法中能够使用热固性树脂、光固性树脂等,有树脂种类的选择范围宽这样的优点。
此外,在使用光固性树脂的情况下,具有下述倾向:容易将得到的凸部(研磨面)的表面粗糙度Rz调节为优选0.1~3μm、更优选0.15~2μm、进一步优选0.2~1μm。
另一方面,在使用热固性树脂的情况下,具有下述倾向:容易将得到的凸部(研磨面)的表面粗糙度Rz调节为优选1~20μm、更优选2~18μm、进一步优选3~16μm。另外,可通过后述的修整处理将凸部(研磨面)的表面粗糙度Rz调节为优选1~7μm、更优选2~6μm、进一步优选3~5μm。
丝网印刷法中,作为提高高度t的方法,没有特别限制,例如,可举出下述方法:通过增大凸部的底面的平均等效圆直径L1,从而相对地提高高度t。
(固化性组合物)
作为固化性组合物,没有特别限定,例如,可举出包含光聚合引发剂及聚合性化合物的光固性组合物、包含热聚合引发剂及聚合性化合物的热固性组合物、包含热固性树脂、UV固化树脂、二液混合型的固化树脂的固化性组合物等。另外,固化性组合物可根据需要包含具有两个以上的聚合性官能团的交联剂等。
作为聚合性化合物,没有特别限定,例如,可举出(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯。
作为光聚合引发剂,没有特别限定,例如,可举出二苯甲酮系化合物、苯乙酮系化合物、噻吨酮系化合物。另外,作为热聚合性引发剂,没有特别限定,例如,可举出2,2’-偶氮二丁腈这样的偶氮化合物、过氧化苯甲酰(BPO)等过氧化物。
作为热固性树脂,没有特别限定,例如,可举出酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、脲树脂、甲醛树脂等。
作为UV固化树脂,没有特别限定,例如,可以为数均分子量1000~10000左右的预聚物,作为材料,可举出丙烯酸(甲基丙烯酸)系酯树脂、其聚氨酯改性树脂、聚硫橡胶(Thiokol)系树脂等,可根据用途适当地使用反应性稀释剂、有机溶剂。
另外,作为二液混合型的固化树脂,没有特别限定,例如,可以使用不同物性的预聚物,可举出环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰胺树脂等。
(固化工序)
本实施方式的研磨垫的制造方法除了具有上述丝网印刷工序外,还可具有使固化性树脂固化的固化工序。固化工序是使附着的固化性组合物固化而得到固化层的工序。作为固化方法,没有特别限定,例如,可举出光固化、热固化等。固化层在与基材相反一侧的表面具有凹凸图案,表面具有用于对被研磨物进行研磨的研磨面。
(其他工序)
本实施方式的研磨垫的制造方法根据需要可具有其他工序等。例如,在丝网印刷工序之后、固化工序之前可以具有将固化性组合物中的挥发成分的至少一部分挥发除去的工序。另外,在丝网印刷工序之后且固化工序之前、及/或、在固化工序之后,为了形成所期望的凹凸图案,可以具有将固化性组合物、固化层的一部分除去的工序。作为除去方法,例如,可举出切削。
〔曝光制版法〕
本实施方式的研磨垫的制造方法中,作为凸部的成型方法,可以应用凸版用的制版方法。曝光制版法中,可举出具有下述工序的方法:首先使基材与光感光性树脂版(常温下为固体状)接合的工序;使能够记录凸部图案的负型膜或正型膜密合于光感光性树脂版的表面的工序;隔着负型膜或正型膜对光感光性树脂版进行曝光的工序;和将负型膜或正型膜剥去,对未曝光部分进行冲洗,使曝光部分成为凸部,进行显影的工序。另外,该方法中,作为其他工序,可以进行通过热风干燥使凸部图案干燥的工序、用于提高基材与凸部的密合性及提高凸部的硬度的后曝光。
在应用这样的凸版用制版方法的研磨垫的制造方法中,为了得到规定的平均角度θ等,曝光光不仅可以从正上方(其使得容易绕到负型膜或正型膜的下方)曝光而且也可以倾斜地曝光,或者也可以使负型膜或正型膜的孔具有锥状。为这样的方法时,与难以形成高的凸部的上述丝网印刷法不同,仅通过使用更厚的光感光性树脂版即可容易地提高高度t。另外,如上所述,也能够减小平均角度θ。
作为构成光感光性树脂版的树脂,没有特别限制,例如,可举出聚醚酰胺、聚醚酯酰胺、含有铵盐型叔氮原子的聚酰胺、具有1个以上的酰胺键的酰胺化合物与有机二异氰酸酯化合物的加成聚合物、不具有酰胺键的二胺与有机二异氰酸酯化合物的加成聚合物等。另外,更优选包含上述的光聚合引发剂。
〔铸模成型法〕
本实施方式的研磨垫的制造方法中,也可以使用成型用版(铸模)将凸部图案转印形成于研磨层。也可以通过下述工序来将凸部图案转印形成于研磨层,即,制作包含将多个凹部排列而得到的凹凸图案的版的工序、向版的凹部内流入固化性树脂的工序、使基材接合于固化性树脂及版的工序、使固化性树脂固化、并将固化性树脂从版剥离的工序等。作为版,可以使用橡胶版、树脂版等。固化性树脂可举出上述的热固性树脂、光固性树脂、二液型固化树脂等。成型方法可举出在常温常压借助树脂自身的重量流入模具中的重力浇铸法、将模具和树脂放入真空容器中进行减压、以大气压进行压入的真空浇铸法等。
此外,在丝网印刷法、曝光制版法、或铸模成型法之后,可以具有利用修整处理·磨光处理对凹凸图案的表面进行整理的工序。
〔研磨加工品的制造方法〕
本实施方式的研磨加工品的制造方法只要是具有在游离磨粒的存在下、使用上述研磨垫来对被研磨物进行研磨的研磨工序的方法即可,没有特别限定。研磨工序可以为一级抛光研磨(粗抛光),也可以为二级抛光(精抛光),也可以为擦光研磨,还可以为兼具上述多种研磨的研磨。
作为被研磨物,没有特别限定,例如,可举出半导体设备、电子部件等的材料、尤其是Si基板(硅晶片)、SiC(碳化硅)基板、GaAs(砷化镓)基板、玻璃、硬盘、LCD(液晶显示器)用基板等薄型基板(被研磨物)。其中,本实施方式的研磨加工品的制造方法能够合适地用作可适用于功率器件、LED等的材料、例如蓝宝石、SiC、GaN、及金刚石等难以进行研磨加工的难加工材料的制造方法。这些之中,从能够更有效地利用由本实施方式的研磨垫带来的作用效果的观点考虑,优选半导体晶片,优选SiC基板、蓝宝石基板或GaN基板。作为其材质,优选SiC单晶及GaN单晶等难磨削材料,但也可以为蓝宝石、氮化硅、氮化铝的单晶等。
〔研磨工序〕
研磨工序为在游离磨粒的存在下、使用上述研磨垫来对被研磨物进行研磨的工序。作为研磨方法,可使用以往已知的方法,没有特别限定。
研磨方法中,首先,在研磨装置的规定位置安装研磨垫。进行该安装时,介由上述粘接层安装研磨垫以使其固定于研磨装置。而后,将保持于保持平台(其以与作为研磨平台的研磨垫对置的方式配置)上的被研磨物向研磨面侧压靠,与此同时,一边从外部供给包含金刚石磨粒的研磨浆料一边使研磨垫及/或保持平台旋转。由此,在被供给于研磨垫与被研磨物之间的磨粒的作用下,对被研磨物的加工面(被研磨面)实施研磨加工。
研磨浆料优选包含金刚石磨粒、和将其分散的分散介质。研磨浆料中的金刚石磨粒的含有比例没有特别限定,从更有效地进行研磨加工、并且抑制被研磨物中的加工变性层变厚的观点考虑,相对于研磨浆料的总量而言优选为0.01~1.0重量%。
需要说明的是,研磨中使用的游离磨粒不限于金刚石磨粒,例如,可以为二氧化硅、氧化铝等。另外,游离磨粒的平均粒径优选为0.25~18μm,更优选为0.5~18μm,进一步优选为1~15μm,尤其优选为2~13μm。磨粒的平均粒径越大,则磨粒越容易沿凸部的斜坡上升而到达研磨面,有研磨速率进一步提高的倾向。另外,磨粒的平均粒径越小,越能够进一步抑制工件表面的划痕的产生。
另外,游离磨粒的平均粒径优选为表面粗糙度Rz的1.35倍以上,更优选为1.5倍以上,进一步优选为1.65倍以上。通过使游离磨粒与表面粗糙度Rz满足上述关系,从而有下述倾向:到达凸部的上表面的游离磨粒不会埋入研磨面的槽中,容易停留在凸部的上表面。
作为分散介质,例如,可举出水及有机溶剂,从进一步抑制被研磨物的变性的观点考虑,优选有机溶剂。作为有机溶剂,通常沸点110~300℃左右的有机溶剂适合。有机溶剂的种类中,可根据树脂、操作性适当选择脂肪族及芳香族、环状烃、酯、醚、胺、酰胺系、酮类等市售的有机溶剂。溶剂可以单独使用一种或者组合两种以上而使用。另外,溶剂中可根据需要包含其他添加剂。作为这样的添加剂,例如可举出极性化合物,具体而言,可举出非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、羧酸酯、羧酰胺及羧酸。此外,可以添加消泡剂、分散剂、流平剂、作为粘性改良材料的各种有机硅、无机微粉末。
需要说明的是,从研磨加工时抑制伴随研磨垫与被研磨物之间的摩擦的温度上升的观点考虑,可以向研磨垫的研磨面适当供给不含磨粒但可以含添加剂的溶剂。作为该溶剂及添加剂的例子,可举出上述物质。
实施例
以下,用实施例及比较例,更具体地说明本发明。本发明并不受以下实施例任何限定。
〔研磨有效面积〕
在研磨垫的研磨面涂布压敏纸的显色液,将涂布有显色液的研磨垫的研磨面(树脂部表面)、用于测定研磨有效面积的压板4与压敏纸5叠合,用具有相对凹凸图案而言充分大的面积的辊施加相当于500gf/cm2研磨压力的转印压力,使凸部图案转印于压敏纸。另外,对加压时的凸部平均高度t进行测定。然后,将研磨垫与压敏纸剥离,对转印至压敏纸上的研磨面的面积进行测定。将压敏纸表面的每单位面积(1cm2)中的、转印的研磨面的面积作为研磨垫的研磨有效面积。
关于以下所示的实施例1至3,对修整前的研磨垫的研磨有效面积(cm2)进行评价,然后按照以下所示的修整条件实施修整工序,对修整后的研磨垫的研磨有效面积(cm2)进行评价。关于以下所示的实施例4至5、以及比较例1至3,仅对修整前的研磨垫的研磨有效面积(cm2)进行评价。
〔平均角度θ〕
在通过研磨有效面积的测定而得到的二值化后的凸部图案内,任意地选出3个凸部,求出凸部的等效圆直径,对得到的等效圆直径进行加权平均,由此算出凸部的上表面的平均等效圆直径M1。另外,此时,对基材12与压敏纸5的平均距离进行测定,也算出平均高度t。进而,用激光显微镜(KEYENCE公司制LASER MICROSCOPE VH-5500)拍摄研磨垫的表面,从得到的图像中确定出凸部底面的轮廓,由确定出的轮廓算出凸部底面的平均等效圆直径。最后,由利用下述式(1)算出的tanθ的值算出θ。
tanθ=t/((L1-M1)/2)......(1)
t:对凸部施加500g/cm2的研磨压力时的凸部的平均高度
L1:凸部的底面的平均等效圆直径
M1:对凸部施加500g/cm2的研磨压力时的凸部的上表面的平均等效圆直径
〔研磨面的表面粗糙度Rz〕
按照JIS B0633:2001(ISO4288:1996),使用触针式表面粗糙度计(Tayler Hobson公司制form-talysurf PGI1240),测定研磨面的表面粗糙度Rz。测定对象物的凸部表面以测量针从顶部中心至邻接的顶部中心、沿高度方向的参数(Rz)成为最大的测定方向通过的方式设置,用触针测定20.1mm。从测量得到的截面图像选择凸部表面顶部,Rz为0.5mm以下时,于0.25mm截止(Cutoff),Rz超过0.5mm时,于0.8mm截止,将凸部表面顶部的长度作为评价长度,求出表面粗糙度Rz。
关于以下所示的实施例1至3,对修整前的研磨垫的表面粗糙度Rz进行评价,然后在以下所示的修整条件下实施修整工序,对修整后的研磨垫的表面粗糙度Rz进行评价。关于以下所示的实施例4至5、以及比较例1至3,仅对修整前的研磨垫的表面粗糙度Rz进行评价。
〔研磨试验〕
介由双面胶带将研磨垫设置于研磨装置的规定位置,针对作为被研磨物的2英寸的蓝宝石C晶片,在下述条件下进行实施研磨的研磨试验。需要说明的是,关于以下所示的实施例1至3,研磨试验时,首先,在下述修整条件所示的条件下进行研磨垫的修整工序,并在下述研磨条件所示的条件下实施研磨。
关于以下所示的实施例4至5、以及比较例1至3,不进行下述修整工序,在下述研磨条件所示的条件下实施研磨。
(修整条件)
修整号:#270(相当于65μm)
修整转速:70rpm
修整压力:311gf/cm2
修整时间:5min
(研磨条件)
平台转速:100rpm
面压力:495gf/cm2
润滑剂(1ubricant)高粘度:V600
研磨时间:
研磨速率:20min
连续研磨:最长超过15小时
磨粒:多晶金刚石(磨粒直径为7μm)
(研磨速率)
就研磨速率(单位:μm/h)而言,根据由上述研磨前后的被研磨物的质量减少而求出的研磨量、被研磨物的研磨面积及比重,算出因研磨而被除去的厚度,以单位时间内被除去的厚度的形式进行评价。需要说明的是,厚度根据由加工前后的被研磨物的质量减少而求出的研磨量、被研磨物的研磨面积及比重算出。需要说明的是,针对3片蓝宝石C晶片实施研磨试验,将其加权平均作为研磨速率。
(制品寿命)
就制品寿命而言,作为将初始研磨速率设为100%时研磨速率降低至60%的时间,以下述的三个等级进行评价。
○:超过15小时。
Δ:处于7~15小时之间。
×:不足7小时。
〔实施例1〕
将环氧树脂(DIC公司制,商品名“EPICLON850-S”、环氧当量:183~193g/eq)51质量份、四氢邻苯二甲酸酐(DIC公司制,商品名“EPICLONB-570-H”,酸酐当量:166g/eq)45质量份、气相二氧化硅(fumed silica)(日本Aerosil公司制:Aerosil RY200S)3质量份、和咪唑(2E4MZ,四国化成工业(株)制)1质量份进行混合,制备固化性组合物。需要说明的是,基于上述气相二氧化硅的磨粒没有研磨效果,或者即使有研磨效果也是极低的水平。
在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Toyobo Co.,Ltd制,制品名CosmoshineA4300 250μm)上,通过丝网印刷,使用点直径为2mm、邻接的点彼此的最接近距离为0.5mm的丝网掩模,涂布固化性组合物,以使得点状的凸部以图1所示的凹凸图案规则地排列。
然后,加热至130度,由此使固化性组合物固化,形成树脂部。最后,在基材的与树脂部相反的一侧粘贴作为粘接层的双面胶带(3M公司制,制品名膜基材双面粘合胶带442JS),得到实施例1的研磨垫。
〔实施例2〕
除了使用点的直径为3mm、邻接的点彼此的最接近距离为0.5mm的丝网掩模以外,利用与实施例1同样的方法,得到实施例2的研磨垫。
〔实施例3〕
除了使用点的直径为4mm、邻接的点彼此的最接近距离为0.5mm的丝网掩模以外,利用与实施例1同样的方法,得到实施例3的研磨垫。
〔实施例4〕
将UV涂布剂(Teikoku Printing Inks Mfg.Co.,Ltd.制,制品名UV BOP)100质量份、光固性单体(新中村化学工业公司制,制品名TMM-360)20质量份、和光固性单体(新中村化学工业公司制,制品名LMA)10质量份进行混合,制备固化性组合物。
在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Toyobo Co.,Ltd制,制品名CosmoshineA4300 250μm)上,通过丝网印刷,使用点直径为2mm、邻接的点彼此的最接近距离为0.5mm的丝网掩模,涂布固化性组合物,以使得点状的凸部以图1所示的凹凸图案规则地排列。
然后,用UV装置(eyegraphics公司制,制品名金属卤化物灯120W/cm)进行UV照射,由此使固化性组合物固化,形成树脂部。最后,在基材的与树脂部相反的一侧,粘贴作为粘接层的双面胶带(3M公司制,制品名膜基材双面粘合胶带442JS),得到实施例4的研磨垫。
〔实施例5〕
除了使用点的直径为1mm、邻接的点彼此的最接近距离为1mm的丝网掩模以外,利用与实施例4同样的方法,得到实施例5的研磨垫。
〔比较例1〕
除了使用点的直径为1mm、邻接的点彼此的最接近距离为2mm的丝网掩模以外,利用与实施例4同样的方法,得到比较例1的研磨垫。
〔比较例2〕
除了使用点的直径为0.5mm、邻接的点彼此的最接近距离为0.33mm的丝网掩模以外,利用与实施例4同样的方法,得到比较例2的研磨垫。
〔比较例3〕
准备具有下述圆台状凹部的模具:直径为8mm、邻接的凹部彼此的最接近距离为3mm、高度为1.6mm且锥角为83度。
接着,将UV涂布剂(Teikoku Printing Inks Mfg.Co.,Ltd.制,制品名UV BOP)100质量份、光固性单体(新中村化学工业公司制,制品名TMM-360)20质量份、和光固性单体(新中村化学工业公司制,制品名LMA)10质量份进行混合,制备固化性组合物。
接着,将固化性组合物浇铸至模具的凹部中,一边用辊施加压力一边将作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Toyobo Co.,Ltd制,制品名Cosmoshine A4300 250μm)铺设于模具之上,形成将固化性组合物与基材膜粘接的状态。进而,用UV装置(eyegraphics公司制,制品名金属卤化物灯120W/cm),通过基材膜进行UV照射,由此使固化性组合物固化,使基材膜从模具脱除,形成树脂部。最后,在基材的与树脂部相反的一侧粘贴作为粘接层的双面胶带(3M公司制,制品名膜基材双面粘合胶带442JS),得到比较例3的研磨垫。
():括号内为修整后
产业上的可利用性
本发明的研磨垫作为光学材料、半导体设备、硬盘用的玻璃基板等的抛光、研磨、尤其是蓝宝石、SiC等的抛光、研磨用的研磨垫具有产业上的可利用性。
附图标记说明
10...研磨垫、11...树脂部、11a...凸部、11b...截面、12...基材、13...粘接层、4...压板、5...压敏纸、6...研磨面。
Claims (10)
1.研磨垫,其具备基材、和配置于所述基材上的树脂部,
所述树脂部单独或与所述基材共同构成凹凸图案,
所述凹凸图案为具有研磨面的多个凸部排列而成的图案,
在所述基材表面的每单位面积即每1cm2中,对所述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的所述研磨面的总面积为0.05~0.8cm2,
满足下述式(1)的θ为5~60°,所述凸部的平均高度t为0.2mm~1mm,
tanθ=t/((L1-M1)/2)……(1)
t:对所述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的所述凸部的平均高度
L1:所述凸部的底面的平均等效圆直径
M1:对所述凸部施加500g/cm2的研磨压力时的所述凸部的上表面的平均等效圆直径,
以研磨中使用的游离磨粒的平均粒径1~18μm作为基准1.0,所述研磨面的表面粗糙度Rz为0.75以下。
2.如权利要求1所述的研磨垫,其中,所述研磨面的表面粗糙度Rz为0.1~20μm。
3.如权利要求1或2所述的研磨垫,其中,所述凸部的平均等效圆直径L1为1~5mm。
4.如权利要求1或2所述的研磨垫,其中,相邻的所述凸部的最接近距离L2为0.1~3mm。
5.如权利要求1或2所述的研磨垫,其中,所述树脂部包含选自由环氧系树脂、丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、不饱和聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、及聚氨酯系树脂组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1或2所述的研磨垫,其中,在所述基材的与所述树脂部相反的一侧还具备粘接层。
7.如权利要求1或2所述的研磨垫,其中,所述研磨面实质上不包含固定磨粒。
8.研磨垫的制造方法,其为权利要求1~7中任一项所述的研磨垫的制造方法,
所述制造方法具有下述工序:
利用丝网印刷法、曝光制版法、或铸模成型法,在基板上形成包含凹凸图案的树脂部,所述凹凸图案是具有研磨面的多个凸部排列而成的。
9.研磨加工品的制造方法,其具有下述研磨工序:
在游离磨粒的存在下,使用权利要求1~7中任一项所述的研磨垫,对被研磨物进行研磨。
10.如权利要求9所述的研磨加工品的制造方法,其中,所述游离磨粒的平均粒径为0.25~18μm。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-104786 | 2017-05-26 | ||
JP2017104786A JP6990993B2 (ja) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法 |
PCT/JP2018/019103 WO2018216593A1 (ja) | 2017-05-26 | 2018-05-17 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110536775A CN110536775A (zh) | 2019-12-03 |
CN110536775B true CN110536775B (zh) | 2022-11-29 |
Family
ID=64396457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880025797.7A Active CN110536775B (zh) | 2017-05-26 | 2018-05-17 | 研磨垫及其制造方法、以及研磨加工品的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6990993B2 (zh) |
CN (1) | CN110536775B (zh) |
WO (1) | WO2018216593A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2019364026A1 (en) | 2018-10-23 | 2021-05-27 | Jcr Pharmaceuticals Co., Ltd. | Filter for filtering, container with filter, and method for removing foreign matter in cell suspension |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6206759B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines |
JP2003225855A (ja) | 2002-01-30 | 2003-08-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨用パッド及びそれを用いた被研磨物の研磨方法 |
JP2005074614A (ja) | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Nitta Haas Inc | 研磨パッドの製造方法および研磨パッド |
JP4190398B2 (ja) | 2003-11-19 | 2008-12-03 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP2005166712A (ja) | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Cmp用研磨パッド、及び研磨方法 |
JP4806160B2 (ja) | 2003-12-19 | 2011-11-02 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
CN102601747B (zh) * | 2011-01-20 | 2015-12-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种研磨垫及其制备方法、使用方法 |
JP5923353B2 (ja) | 2012-03-21 | 2016-05-24 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド用シート及びその製造方法、研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨方法 |
US10160092B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-12-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls |
KR20170013315A (ko) * | 2014-06-17 | 2017-02-06 | 반도 카가쿠 가부시키가이샤 | 연마패드 및 연마패드의 제조방법 |
JP6602629B2 (ja) | 2015-10-02 | 2019-11-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨ブラシ |
-
2017
- 2017-05-26 JP JP2017104786A patent/JP6990993B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019103 patent/WO2018216593A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 CN CN201880025797.7A patent/CN110536775B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018199182A (ja) | 2018-12-20 |
CN110536775A (zh) | 2019-12-03 |
JP6990993B2 (ja) | 2022-01-12 |
WO2018216593A1 (ja) | 2018-11-29 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |