CN110468402A - 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法 - Google Patents

一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110468402A
CN110468402A CN201810448662.3A CN201810448662A CN110468402A CN 110468402 A CN110468402 A CN 110468402A CN 201810448662 A CN201810448662 A CN 201810448662A CN 110468402 A CN110468402 A CN 110468402A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
coating
ceramic coating
micron order
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810448662.3A
Other languages
English (en)
Inventor
熊天英
沈艳芳
王吉强
杨阳
吴杰
崔新宇
杜昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Metal Research of CAS
Original Assignee
Institute of Metal Research of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Metal Research of CAS filed Critical Institute of Metal Research of CAS
Priority to CN201810448662.3A priority Critical patent/CN110468402A/zh
Priority to PCT/CN2018/096364 priority patent/WO2019214075A1/zh
Publication of CN110468402A publication Critical patent/CN110468402A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C29/00Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04Impact or kinetic deposition of particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及Y2O3陶瓷涂层的制备技术领域,具体为一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,具体步骤如下:第一步,制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;第二步,将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:1~1:4;第三步,使用冷喷涂将Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末喷涂到铝合金基体表面得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;第四步,使用冷喷涂将微米级Y2O3粉喷涂到Al+Y2O3金属陶瓷涂层表面得到Y2O3陶瓷涂层;最终,得到底层为Al+Y2O3金属陶瓷涂层、上层为Y2O3陶瓷涂层的双层复合Y2O3陶瓷涂层。本发明仅使用低成本的压缩空气为载气就能在铝合金基体上制备出厚度为10~400μm的复合Y2O3陶瓷涂层,解决冷喷涂Y2O3陶瓷涂层存在的与铝合金金属基体之间热膨胀系数差别大的问题,提高涂层的结合力。

Description

一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法
技术领域
本发明涉及Y2O3陶瓷涂层的制备技术领域,具体为一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法。
背景技术
在等离子体刻蚀工艺中,具有化学活性的等离子体通常是由Cl2或CF4气体放电产生的,它不仅含有电子和离子,还含有大量的活性自由基(如Cl*,C12*,F*,CF*等)。这些活性自由基具有腐蚀性,会对刻蚀腔内表面产生强腐蚀作用,给腔室带来污染,影响刻蚀效果,甚至直接导致刻蚀腔失效。20世纪90年代的等离子刻蚀设备,由于功率较小和使用单一等离子体发生源,铝基体层加上Al2O3涂层就可以阻挡等离子体对刻蚀腔的蚀刻损伤。随着等离子功率越来越大,等离子体对刻蚀腔内壁损伤也越来越大,所以需要寻找新途径对刻蚀腔内表面进行改性,满足刻蚀工艺的需要。目前,高纯Al2O3和Y2O3作为抗等离子侵蚀材料已得到广泛应用。研究表明,高纯Y2O3涂层较高纯Al2O3涂层及Al2O3烧结块体表现出更为优异的抗等离子侵蚀性能,而Y2O3涂层的性能略低于Y2O3烧结块材。随着等离子体刻蚀能量在工况下不断提高,Y2O3涂层将会得到更广泛的应用。
Y2O3陶瓷涂层通常是用等离子喷涂法制备的,目前已有发明专利主要包括:CN201110396423.6,CN201110328346.0,CN201110394635.0,CN201110328389.9,CN201110328468.X,CN201110396482.3,CN201110328539.6,CN201110396196.7,CN201310134038.3,CN201610091244.4等中国专利申请号。等离子体法制备的Y2O3陶瓷涂层含有少量的单斜相。单斜相的存在会降低Y2O3涂层(主要由立方相组成)的机械性能,其原因是高温时单斜相会转变为立方相,产生体积膨胀。而等离子喷涂属于热喷涂技术,需要高温加热粉末至熔融状态沉积形成涂层,这样就不可避免出现相变的问题,导致Y2O3涂层性能降低。与此同时,有报道称等离子喷涂法制备的Y2O3涂层有时会出现黑色而不是白色(如:CN201110396482.3、CN201110396196.7等中国专利申请号),这就影响的涂层的外观,甚至在一定程度上影响涂层的使用性能,比如黑色粉末可能对刻蚀腔产生污染。
考虑到等离子喷涂法在制备Y2O3陶瓷涂层时存在的问题,科技工作者已开始研究冷喷涂技术沉积Y2O3陶瓷涂层的工艺,已申请中国发明专利(如:CN201310134038.3和CN201510676326.0等专利申请号)。在后续工作中,他们改进冷喷涂Y2O3涂层的制备工艺,引入Al+Y2O3金属陶瓷中间层缓解Y2O3陶瓷涂层与金属基体之间热膨胀系数的较大差异,从而增加后续纯Y2O3陶瓷涂层的结合能力,有助于获得厚涂层。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足,本发明的目的是提供一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,解决冷喷涂Y2O3陶瓷涂层存在的与铝合金金属基体之间热膨胀系数高的问题,提高涂层的结合力,开辟一种制备Y2O3陶瓷涂层的新方法。
本发明技术方案如下:
一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,包括下述步骤:
第一步,制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;
第二步,将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:1~1:4;
第三步,使用冷喷涂将第二步得到的Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末沉积到铝合金基体表面,铝合金基体的预热温度为100~300℃;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为100~300℃,气体压力为1.5~2.5MPa,喷涂距离为10~30mm,得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;
第四步,使用冷喷涂将第一步得到的微米级Y2O3粉喷涂到Al+Y2O3金属陶瓷涂层表面得到Y2O3陶瓷涂层,铝合金基体以及Al+Y2O3金属陶瓷涂层的预热温度为150~600℃;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为150~600℃,气体压力为1.5~2.5MPa,喷涂距离为10~30mm,得到Y2O3陶瓷涂层。
所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,采用冷喷涂将Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末喷涂到铝合金基体上,得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层作为底层。
所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,采用冷喷涂将微米级Y2O3粉喷涂到已制得的Al+Y2O3金属陶瓷涂层上,制备出纯的Y2O3陶瓷涂层,最终得到Al+Y2O3/Y2O3复合陶瓷涂层。
所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,Y2O3陶瓷涂层孔隙率低于2%,界面结合强度为20~50MPa,涂层厚度为10~400μm。
所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,具体制备过程如下:将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按质量比20~50:1~3:50~100混料进行水热处理,水热处理温度为110~170℃,处理时间为1~5h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,其一次粒径为50~200nm,团聚后的二次粒径为20~50μm。
本发明的优点及有益效果是:
1、本发明先借助水热处理技术得到经纳米粉团聚的微米级Y2O3粉体,再将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,然后采用冷喷涂分别将Al+Y2O3混合粉和Y2O3粉末沉积到铝合金基体上,仅使用低成本的压缩空气就能制备厚度为10~400μm的Al+Y2O3/Y2O3复合陶瓷涂层。该方法能有效解决冷喷涂Y2O3陶瓷涂层与金属基体热膨胀系数差异大、结合力不高的问题,沉积效率高,可根据实际使用情况调节Y2O3复合陶瓷涂层的厚度。
2、本发明工艺简单,适合工业化生产。
附图说明
图1(a)-(b)为不同制备工艺条件下获得的Y2O3陶瓷粉末的扫描电镜照片。其中,图1(a)为纳米Y2O3陶瓷粉,图1(b)为水热处理获得的微米级Y2O3陶瓷粉;Y2O3纳米粉的用量为20g,去离子水的用量为300g,硫酸铵粉末的用量为2g。
图2(a)-(c)为不同制备工艺条件下获得的Al+Y2O3/Y2O3陶瓷涂层的截面扫描电镜图片。其中,图2(a)Al:Y2O3=1:1,图2(b)Al:Y2O3=1:2,图2(c)Al:Y2O3=1:3;冷喷涂工艺参数为:①制备Al+Y2O3金属陶瓷涂层时:温度200℃,载气压力2.0MPa,喷涂距离20mm,载气为压缩空气;②制备Y2O3陶瓷涂层时:载气温度600℃,载气压力2.2MPa,喷涂距离20mm,载气为压缩空气。
具体实施方式
在具体实施过程中,本发明使用水热处理的微米级Y2O3陶瓷粉末作为前躯体,具体工艺为:第一步,制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;第二步,将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:1~1:4;第三步,使用冷喷涂将Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末喷涂到铝合金基体表面得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;第四步,使用冷喷涂将微米级Y2O3粉喷涂到Al+Y2O3金属陶瓷涂层表面得到Y2O3陶瓷涂层;最终,得到底层为Al+Y2O3金属陶瓷涂层、上层为Y2O3陶瓷涂层的双层复合Y2O3陶瓷涂层。冷喷涂的条件为:使用压缩空气为工作气体,气体温度为150~600℃,气体压力为1.5~2.5MPa,喷涂距离为10~30mm。本发明先借助水热处理技术得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3粉体,然后将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,使用冷喷涂制备Al+Y2O3金属陶瓷中间层(底层),Al+Y2O3金属陶瓷涂层的厚度为5~200μm;之后在最外层制备纯Y2O3陶瓷涂层,纯Y2O3陶瓷涂层的厚度为5~200μm。
其中,由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,具体制备过程如下:将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按质量比20~50:1~3:50~100混料进行水热处理,水热处理温度为110~170℃,处理时间为1~5h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,其一次粒径为50~200nm,团聚后的二次粒径为20~50μm。
下面结合附图及实施例详述本发明,以发明技术方案为前提进行实施,给出详细的实施方式和具体操作过程,但本发明的保护范围不仅限于下面的实施例。
实施例1
本实施例中,冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,包括下述实验步骤:
(1)制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按照质量比50:3:100混料,在150℃下进行水热处理2h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;Y2O3陶瓷粉末是由纳米粉团聚成的微米级粉末,其一次粒径为100~150nm,团聚后的二次粒径为30~40μm;
(2)将Al粉与上述微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:1;
(3)使用冷喷涂将(2)中得到的Al+Y2O3混合粉末沉积到6061铝合金基体表面得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用压缩空气为加速气体和送粉气体,气体温度为220℃,气体压力为2.0MPa,喷涂距离为15mm,Al+Y2O3金属陶瓷涂层的厚度为200μm。
(4)使用冷喷涂在(3)中得到的Al+Y2O3金属陶瓷涂层上直接沉积Y2O3陶瓷涂层,得到Y2O3陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为600℃,气体压力为2.5MPa,喷涂距离为20mm,纯Y2O3陶瓷涂层的厚度为100μm。
本实施例中,Y2O3陶瓷涂层孔隙率0.5%,界面结合强度为45MPa,涂层厚度为300μm。
实施例2
本实施例中,冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,包括下述实验步骤:
(1)制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按照质量比30:1:90混料,在120℃下进行水热处理3h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;Y2O3陶瓷粉末是由纳米粉团聚成的微米级粉末,其一次粒径为50~80nm,团聚后的二次粒径为20~30μm;
(2)将Al粉与上述微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:2;
(3)使用冷喷涂将(2)中得到的Al+Y2O3混合粉末沉积到6061铝合金基体表面得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用压缩空气为加速气体和送粉气体,气体温度为200℃,气体压力为2.0MPa,喷涂距离为20mm,Al+Y2O3金属陶瓷涂层的厚度为160μm。
(4)使用冷喷涂在(3)中得到的Al+Y2O3金属陶瓷涂层上直接沉积Y2O3陶瓷涂层,得到Y2O3陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为550℃,气体压力为2.2MPa,喷涂距离为20mm,纯Y2O3陶瓷涂层的厚度为120μm。
本实施例中,Y2O3陶瓷涂层孔隙率0.8%,界面结合强度为40MPa,涂层厚度为280μm。
实施例3
本实施例中,冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,包括下述实验步骤:
(1)制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按照质量比40:2:80混料,在160℃下进行水热处理4h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;Y2O3陶瓷粉末是由纳米粉团聚成的微米级粉末,其一次粒径为160~200nm,团聚后的二次粒径为40~50μm;
(2)将Al粉与上述微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:2;
(3)使用冷喷涂将(2)中得到的Al+Y2O3混合粉末沉积到6061铝合金基体表面得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用压缩空气为加速气体和送粉气体,气体温度为180℃,气体压力为1.8MPa,喷涂距离为15mm,Al+Y2O3金属陶瓷涂层的厚度为100μm。
(4)使用冷喷涂在(3)中得到的Al+Y2O3金属陶瓷涂层上直接沉积Y2O3陶瓷涂层,得到Y2O3陶瓷涂层;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为600℃,气体压力为2.3MPa,喷涂距离为25mm,纯Y2O3陶瓷涂层的厚度为150μm。
本实施例中,Y2O3陶瓷涂层孔隙率1.0%,界面结合强度为38MPa,涂层厚度为250μm。
从图1(a)-(b)可以看到,纳米Y2O3陶瓷粉末经前处理后团聚为微米陶瓷粉末,但仍保留纳米粉体的特性,颗粒尺寸在10μm左右。
从图2(a)-(c)可以看到,相同的基体和喷涂条件下、使用不同的喷涂工艺得到不同厚度的涂层,涂层的厚度约为:(a)300μm,(b)280μm,(c)250μm。
实施例结果表明,本发明仅使用低成本的压缩空气为载气就能在铝合金基体上制备出厚度为10~400μm的复合Y2O3陶瓷涂层,解决冷喷涂Y2O3陶瓷涂层存在的与铝合金金属基体之间热膨胀系数差别大的问题,提高涂层的结合力。本发明方法简单、沉积效率高,可根据实际工况选取Y2O3陶瓷涂层的厚度,可以用来制备厚的Y2O3陶瓷涂层。

Claims (5)

1.一种冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,其特征在于,包括下述步骤:
第一步,制备由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末;
第二步,将Al粉与微米级Y2O3粉混合均匀,体积比为1:1~1:4;
第三步,使用冷喷涂将第二步得到的Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末沉积到铝合金基体表面,铝合金基体的预热温度为100~300℃;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为100~300℃,气体压力为1.5~2.5MPa,喷涂距离为10~30mm,得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层;
第四步,使用冷喷涂将第一步得到的微米级Y2O3粉喷涂到Al+Y2O3金属陶瓷涂层表面得到Y2O3陶瓷涂层,铝合金基体以及Al+Y2O3金属陶瓷涂层的预热温度为150~600℃;
冷喷涂工艺条件为:使用的加速气体和送粉气体均为压缩空气,气体温度为150~600℃,气体压力为1.5~2.5MPa,喷涂距离为10~30mm,得到Y2O3陶瓷涂层。
2.根据权利要求1所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,其特征在于:采用冷喷涂将Al粉与微米级Y2O3粉的混合粉末喷涂到铝合金基体上,得到Al+Y2O3金属陶瓷涂层作为底层。
3.根据权利要求1所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,其特征在于:采用冷喷涂将微米级Y2O3粉喷涂到已制得的Al+Y2O3金属陶瓷涂层上,制备出纯的Y2O3陶瓷涂层,最终得到Al+Y2O3/Y2O3复合陶瓷涂层。
4.根据权利要求1所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,其特征在于:Y2O3陶瓷涂层孔隙率低于2%,界面结合强度为20~50MPa,涂层厚度为10~400μm。
5.根据权利要求1所述的冷喷涂制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法,其特征在于:由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,具体制备过程如下:将Y2O3纳米粉末、硫酸铵粉末与去离子水按质量比20~50:1~3:50~100混料进行水热处理,水热处理温度为110~170℃,处理时间为1~5h,清洗去除硫酸根粒离子,干燥后得到由纳米粉团聚的微米级Y2O3陶瓷粉末,其一次粒径为50~200nm,团聚后的二次粒径为20~50μm。
CN201810448662.3A 2018-05-11 2018-05-11 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法 Pending CN110468402A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810448662.3A CN110468402A (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法
PCT/CN2018/096364 WO2019214075A1 (zh) 2018-05-11 2018-07-20 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810448662.3A CN110468402A (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110468402A true CN110468402A (zh) 2019-11-19

Family

ID=68467730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810448662.3A Pending CN110468402A (zh) 2018-05-11 2018-05-11 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110468402A (zh)
WO (1) WO2019214075A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112680728A (zh) * 2020-12-09 2021-04-20 东莞仁海科技股份有限公司 一种金属表面陶瓷化工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102352509A (zh) * 2011-11-17 2012-02-15 铜陵学院 一种激光多层熔覆制备纳米厚陶瓷涂层的方法
CN103074566A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种超音速等离子体喷涂技术制备y2o3涂层的方法
CN103132003A (zh) * 2011-12-02 2013-06-05 中国科学院微电子研究所 一种半导体设备中黑色y2o3陶瓷涂层制造方法
CN106591820A (zh) * 2015-10-15 2017-04-26 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法
CN106995919A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 中国科学院金属研究所 一种冷喷涂制备光催化二氧化钛陶瓷涂层的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005047688C5 (de) * 2005-09-23 2008-09-18 Siemens Ag Kaltgasspritzverfahren
CN102272344A (zh) * 2008-11-04 2011-12-07 普莱克斯技术有限公司 用于半导体应用的热喷涂层
US9123651B2 (en) * 2013-03-27 2015-09-01 Lam Research Corporation Dense oxide coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
CN103215535B (zh) * 2013-04-16 2014-10-22 中国科学院金属研究所 一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103074566A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 中国科学院微电子研究所 一种超音速等离子体喷涂技术制备y2o3涂层的方法
CN102352509A (zh) * 2011-11-17 2012-02-15 铜陵学院 一种激光多层熔覆制备纳米厚陶瓷涂层的方法
CN103132003A (zh) * 2011-12-02 2013-06-05 中国科学院微电子研究所 一种半导体设备中黑色y2o3陶瓷涂层制造方法
CN106591820A (zh) * 2015-10-15 2017-04-26 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法
CN106995919A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 中国科学院金属研究所 一种冷喷涂制备光催化二氧化钛陶瓷涂层的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
丁彰雄等: "《船舶机械修理工艺学》", 28 February 2013 *
鄂大辛主编: "《特种加工基础实训教程》", 30 April 2017 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112680728A (zh) * 2020-12-09 2021-04-20 东莞仁海科技股份有限公司 一种金属表面陶瓷化工艺

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019214075A1 (zh) 2019-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021022791A1 (zh) 基于等离子喷涂和冷喷涂技术的ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
AU2019101816A4 (en) Method for preparing protective coating for plasma etching chamber of IC equipment
CN106591820B (zh) 一种ic装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法
CN106048596B (zh) 一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法
TWI546415B (zh) 含有稀土類元素之熔射用粉末及皮膜、以及具備前述皮膜之構件
CN1962942A (zh) 等离子控制原位生成TiC/金属复合熔覆层的方法
CN114000107B (zh) 一种利用eb-pvd技术制备的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法
CN106048502A (zh) 纳米yag涂层、其制备方法及应用
CN103194712B (zh) 一种高导热性的钨铜复合材料作为钨铜热沉和电子封装材料的应用
CN110468402A (zh) 一种冷喷涂制备y2o3陶瓷涂层的改进方法
CN105331921A (zh) 一种喷涂粉体、热喷涂原位合成硼化锆-碳化锆基陶瓷涂层及其制备方法
CN106591763B (zh) 爆炸喷涂制备ic装备铝合金零部件用高纯氧化钇涂层方法
CN107604299A (zh) 一种隔热涂层用的复合材料及其涂层制备方法
CN103103471B (zh) 一种金属陶瓷涂层的制备方法
CN110004393A (zh) 一种超音速火焰喷涂技术制备y2o3陶瓷涂层的方法
CN102102203A (zh) 耐熔蚀FeAl金属间化合物基复合结构涂层的制备方法
CN109957748A (zh) 一种ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
JP6596214B2 (ja) 溶射材料
WO2020042287A1 (zh) 一种y / y2o3金属陶瓷防护涂层的冷喷涂制备方法
CN106637037B (zh) 超低压气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用
CN110578143A (zh) 利用大气等离子喷涂制备Al-ZrO2/Y2O3复合涂层材料的方法
CN101906631B (zh) 一种快速制备Ti3Al/TiN复合涂层的方法
CN104862634A (zh) 用于金属基热喷涂的耐冲击陶瓷涂层及其喷涂方法
US20230223240A1 (en) Matched chemistry component body and coating for semiconductor processing chamber
CN107904559B (zh) 一种具有复合陶瓷涂层的内加热蒸发舟及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination