CN109825827A - 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法 - Google Patents

一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109825827A
CN109825827A CN201910130903.4A CN201910130903A CN109825827A CN 109825827 A CN109825827 A CN 109825827A CN 201910130903 A CN201910130903 A CN 201910130903A CN 109825827 A CN109825827 A CN 109825827A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
protective coating
etch chamber
zro
plasma etch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910130903.4A
Other languages
English (en)
Inventor
熊天英
崔新宇
沈艳芳
王吉强
杜昊
祁建忠
杨颖�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd
Original Assignee
Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd filed Critical Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd
Priority to CN201910130903.4A priority Critical patent/CN109825827A/zh
Publication of CN109825827A publication Critical patent/CN109825827A/zh
Priority to AU2019101816A priority patent/AU2019101816A4/en
Priority to PCT/CN2019/097064 priority patent/WO2020168679A1/zh
Priority to ZA2021/05559A priority patent/ZA202105559B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，采用冷喷涂沉积技术，将Al和Y2O3‑ZrO2的混合粉末高速沉积，冷喷涂使用压缩空气为工作气体，喷涂距离10～60mm，喷涂温度200～600℃，气体压力1.5～3MPa，粉末粒度1～50μm，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的金属陶瓷防护涂层。该涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。首先，将Al和Y2O3‑ZrO2粉末按比例混和均匀后进行干燥；其次，使用冷喷涂沉积技术将该粉末喷涂到基体表面，通过控制工艺过程参数得到金属陶瓷复合涂层；该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节涂层的厚度，可以用来制备厚的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层。

Description

一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
技术领域
本发明涉及金属陶瓷涂层的制备技术领域，具体为一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法。
背景技术
以往研究中，多采用热喷涂设备制备YSZ涂层，需要加热到2000℃以上，条件苛刻，而且费用昂贵。涂层最外层有横向裂纹，致密性差，质量有待提高。
使用冷喷涂技术制备陶瓷涂层时，使用的陶瓷粉末的性质是至关重要的。普通的纳米粉末不适合用于冷喷涂制备涂层，这是由于冷喷涂的高压高速气流会在基体表面形成弓激波阻碍纳米粉体的沉积。而喷涂颗粒度偏大时，会对基体形成冲蚀，很难形成涂层。因此，欲使用冷喷涂制备YSZ陶瓷涂层，制备适宜冷喷涂的YSZ粉末至关重要。
目前的国际趋势是研究氧化钇稳定氧化锆陶瓷涂层以提高涂层的综合性能。Seok等(Seok H W，Kim Y C，Chol E Y，et a1.Multi-component thermal spray coatingmaterial and production method and coating method thereof：US， 13/915976[P].2013-06-12.)采用大气等离子喷涂的方法制备了几种耐刻蚀涂层，例如Al2O3涂层、Y2O3涂层、不同氧化钇含量的Y2O3-ZrO2涂层、Y2O3-ZrO2-A12O3涂层等，并测试了它们的刻蚀速率，得出结论：Y2O3-ZrO：涂层的刻蚀速率基本小于氧化钇涂层，且当Y2O3：ZrO2为70：30时，涂层的刻蚀速率最小，约为5nm/min，即耐等离子刻蚀性能最好。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足之处，本发明的目的是提供一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，解决当前IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层在高功率刻蚀过程中容易失效的问题，开辟一种新的制备IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的有效途径，以期早日获得实际应用。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，采用Al和Y2O3-ZrO2的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层，利用高速气流将Al和Y2O3-ZrO2的混合粉末直接喷涂于等离子刻蚀腔体表面，喷涂参数为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为 200-600℃，气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm，使混合粉末沉积在等离子刻蚀腔的内表面上，形成均匀分布的防护涂层；其中，Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末的重量比例为0.1-1:1；其中Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为3-5：1。
(1)微米级混合粉末的制备：
将Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末按照重量比例为0.1-1:1比例混合，在Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为3～5：1，经干燥得到微米级混合粉末，粉末粒度1～50μm；
(2)冷喷涂沉积等离子体刻蚀腔防护涂层：
将步骤(1)得到的微米级混合粉末经压缩空气预热后沉积在刻蚀腔材料内表面，获得离子体刻蚀腔防护涂层；所述冷喷涂沉积过程中：使用压缩空气作为工作气体，工作气体温度为200-600℃，工作气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm。
等离子体刻蚀腔防护涂层的喷涂装置，具有进气管1、加热器2、送粉器5、电磁阀6、超音速喷嘴4、控制柜1；进气管的一端与空气压缩机相连，另一端与送粉器、加热器、超音速喷嘴相连，进气管置于加热器中的部分为螺旋形结构。
制备等离子体刻蚀腔防护涂层的过程中，由空气压缩机输出的工作气体分为两路，一路进入加热器，经预热后气体进入超音速喷嘴的混合腔；另一路进入送粉器，作为载气将粉末引入超音速喷嘴与第一路经过预热的气体相混合，将粉末瞬时预热后，经过超音速喷嘴的缩放区，膨胀加速，形成超音速气固双相流，高速撞击刻蚀腔材料内表面使粉末发生剧烈变形实现沉积，并在刻蚀腔材料内表面形成复合型防护涂层。
防护涂层的孔隙率低于2％，陶瓷涂层与基体材料的界面结合强度为20-50MPa，涂层厚度为10-400μm。
本发明的优点及有益效果如下：
本发明则借助冷喷涂沉积技术，仅使用较低成本的压缩空气作为载气就能制备厚度为10-400μm的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层。该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节涂层的厚度，可以用来制备厚的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层。
附图说明
图1是本发明采用的喷涂装置示意图。
具体实施方式
以下结合附图1和实施例详述本发明。
一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，该方法包括如下步骤：
(1)微米级混合粉末的制备：
将Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末按照重量比例为(0.1～1):1比例混合，在Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为(3～5)：1，经干燥得到微米级混合粉末，粉末粒度1～50μm；
(2)冷喷涂沉积等离子体刻蚀腔防护涂层：
将步骤(1)得到的微米级混合粉末经加热的压缩空气预热后高通量沉积在刻蚀腔材料内表面，获得离子体刻蚀腔防护涂层；所述冷喷涂沉积过程中：使用压缩空气作为工作气体，工作气体温度为200-600℃，工作气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为 10-60mm。
上述步骤(1)中，纯Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末的重量比例为(0.1～1):1。
上述步骤(1)中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为(3～5)：1。
上述步骤(1)中，所述微米级Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末经干燥得到微米级混合粉末，混合粉末粒度1～50μm。
上述步骤(2)中，所述的工作气体为压缩空气。
上述步骤(2)中，所述的沉积工艺参数为：工作气体温度为200-600℃，工作气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm。
采用上述方法制备了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层，该防护涂层的孔隙率低于2％，陶瓷涂层与基体材料的界面结合强度为20-50MPa，涂层厚度为10-400μm。
本发明将Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末按照重量比例为(0.1～1):1比例混合，在 Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为(3～5)：1，经干燥得到微米级混合粉末，粉末粒度1～50μm。将上述混合粉末经加热的压缩空气预热后沉积在刻蚀腔材料内表面，获得离子体刻蚀腔防护涂层；所述冷喷涂沉积过程中：使用压缩空气作为工作气体，工作气体温度为200-600℃，工作气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm。
实施例1
本实施例是在6061合金基体上制备IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层，制备方法具体步骤如下：
(1)称量20g纯Al粉，160gY2O3粉末和40gZrO2粉末，混合后干燥备用；
(2)以步骤(1)中制备的微米级Al+(Y2O3-ZrO2)混合粉末为喷涂粉末，采用冷喷涂沉积技术在6061合金基体上制备Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，厚度约为180μm。
制备涂层时，冷喷涂工艺条件为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为400℃，气体压力为2.0MPa，喷涂距离为20mm。
本实施制备的Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，孔隙率为2.0％，涂层与基体材料的界面结合强度为45MPa。
实施例2
本实施例是在Al基体上制备IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层，制备方法具体步骤如下：
(1)称量30g纯Al粉，240gY2O3粉末和60gZrO2粉末，混合后干燥备用；
(2)以步骤(1)中制备的微米级Al+(Y2O3-ZrO2)混合粉末为喷涂粉末，采用冷喷涂沉积技术在Al基体上制备Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，厚度约为150μm。
制备涂层时，冷喷涂工艺条件为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为500℃，气体压力为2.2MPa，喷涂距离为25mm。
本实施制备的Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，孔隙率为1.8％，涂层与基体材料的界面结合强度为43MPa。
实施例3
本实施例是在6061合金基体上制备IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层，制备方法具体步骤如下：
(1)称量15g纯Al粉，90gY2O3粉末和30gZrO2粉末，混合后干燥备用；
(2)以步骤(1)中制备的微米级Al+(Y2O3-ZrO2)混合粉末为喷涂粉末，采用冷喷涂沉积技术在6061合金基体上制备Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，厚度约为220μm。
制备涂层时，冷喷涂工艺条件为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为600℃，气体压力为2.3MPa，喷涂距离为20mm。
本实施制备的Al+(Y2O3-ZrO2)复合涂层，孔隙率为1.9％，涂层与基体材料的界面结合强度为40MPa。
以上实施例结果表明，本发明制备的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层，先通过表面活性剂的使用，采用水热法制备具有纳米晶结构的微米级团聚型YSZ粉体，然后才用冷喷涂技术制备YSZ涂层。该涂层与基体结合良好，涂层孔隙率低于2％，界面结合强度为 20～50MPa，涂层厚度为10～400μm。
以上是以发明技术方案为前提下给出详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于上面的实施例。

Claims (5)

1.一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于，采用Al和Y2O3-ZrO2的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层，利用高速气流将Al和Y2O3-ZrO2的混合粉末直接喷涂于等离子刻蚀腔体表面，喷涂参数为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为200-600℃，气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm，使混合粉末沉积在等离子刻蚀腔的内表面上，形成均匀分布的防护涂层；其中，Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末的重量比例为0.1-1:1；其中Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为3-5：1。
2.根据权利要求1所述的一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于：
(1)微米级混合粉末的制备：
将Al粉末和Y2O3-ZrO2粉末按照重量比例为0.1-1:1比例混合，在Y2O3-ZrO2粉末中，Y2O3与ZrO2粉末的重量比为3～5：1，经干燥得到微米级混合粉末，粉末粒度1～50μm；
(2)冷喷涂沉积等离子体刻蚀腔防护涂层：
将步骤(1)得到的微米级混合粉末经压缩空气预热后沉积在刻蚀腔材料内表面，获得离子体刻蚀腔防护涂层；所述冷喷涂沉积过程中：使用压缩空气作为工作气体，工作气体温度为200-600℃，工作气体压力为1.5-3.0MPa，喷涂距离为10-60mm。
3.根据权利要求1所述的一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于：等离子体刻蚀腔防护涂层的喷涂装置，具有进气管1、加热器2、送粉器5、电磁阀6、超音速喷嘴4、控制柜1；进气管的一端与空气压缩机相连，另一端与送粉器、加热器、超音速喷嘴相连，进气管置于加热器中的部分为螺旋形结构。
4.根据权利要求1所述的一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于：制备等离子体刻蚀腔防护涂层的过程中，由空气压缩机输出的工作气体分为两路，一路进入加热器，经预热后气体进入超音速喷嘴的混合腔；另一路进入送粉器，作为载气将粉末引入超音速喷嘴与第一路经过预热的气体相混合，将粉末瞬时预热后，经过超音速喷嘴的缩放区，膨胀加速，形成超音速气固双相流，高速撞击刻蚀腔材料内表面使粉末发生剧烈变形实现沉积，并在刻蚀腔材料内表面形成复合型防护涂层。
5.根据权利要求4所述的一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于：防护涂层的孔隙率低于2％，陶瓷涂层与基体材料的界面结合强度为20-50MPa，涂层厚度为10-400μm。
CN201910130903.4A 2019-02-22 2019-02-22 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法 Pending CN109825827A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910130903.4A CN109825827A (zh) 2019-02-22 2019-02-22 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
AU2019101816A AU2019101816A4 (en) 2019-02-22 2019-07-22 Method for preparing protective coating for plasma etching chamber of IC equipment
PCT/CN2019/097064 WO2020168679A1 (zh) 2019-02-22 2019-07-22 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
ZA2021/05559A ZA202105559B (en) 2019-02-22 2021-08-06 Preparation method of protective coating for ic equipment plasma etching chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910130903.4A CN109825827A (zh) 2019-02-22 2019-02-22 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109825827A true CN109825827A (zh) 2019-05-31

Family

ID=66863953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910130903.4A Pending CN109825827A (zh) 2019-02-22 2019-02-22 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN109825827A (zh)
AU (1) AU2019101816A4 (zh)
WO (1) WO2020168679A1 (zh)
ZA (1) ZA202105559B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110468367A (zh) * 2019-08-05 2019-11-19 中国科学院金属研究所 基于等离子喷涂和冷喷涂技术的ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
WO2020168679A1 (zh) * 2019-02-22 2020-08-27 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
CN113529065A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 中国科学院金属研究所 一种基于冷喷涂高速沉积增材制造技术制备金属铱涂层的方法及装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113106437B (zh) * 2021-03-23 2022-10-14 武汉大学 用于防熔融氯盐腐蚀的Ni-Mo-Al2O3金属涂层及其制备方法
CN113529072B (zh) * 2021-07-14 2022-07-22 济南大学 一种激光熔覆沸腾式送粉器
CN113737169B (zh) * 2021-08-16 2024-05-14 江苏大学 电致塑性辅助冷喷涂装置及涂层制备方法
CN115828574B (zh) * 2022-11-28 2023-09-26 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 一种等离子喷涂参数确定方法
CN116410021B (zh) * 2023-04-17 2024-04-19 北京理工大学 一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1403210A (zh) * 2001-09-05 2003-03-19 中国科学院金属研究所 冷气动力喷涂装置
US20120103519A1 (en) * 2010-10-25 2012-05-03 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Plasma Etch Resistant, Highly Oriented Yttria Films, Coated Substrates and Related Methods
CN103215535A (zh) * 2013-04-16 2013-07-24 中国科学院金属研究所 一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法
CN104704606A (zh) * 2012-07-27 2015-06-10 应用材料公司 针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料
TW201641744A (zh) * 2015-05-07 2016-12-01 應用材料股份有限公司 腔室組件之腐蝕控制

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101466967B1 (ko) * 2012-06-13 2014-12-15 한국과학기술연구원 내식성이 향상된 다성분계 열용사용 코팅물질, 그 제조방법 및 코팅방법
CN104294206B (zh) * 2014-10-09 2016-05-04 沈阳富创精密设备有限公司 一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法
US20180258539A1 (en) * 2015-06-29 2018-09-13 Oerlikon Metco (Us) Inc. Cold gas spray coating methods and compositions
CN106591820B (zh) * 2015-10-15 2019-05-03 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法
KR101865722B1 (ko) * 2016-12-13 2018-06-08 현대자동차 주식회사 다공성 단열 코팅층의 제조 방법
CN109338270A (zh) * 2018-10-30 2019-02-15 中国兵器工业第五九研究所 双梯度隔热抗烧蚀涂层及其制备方法
CN109825827A (zh) * 2019-02-22 2019-05-31 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1403210A (zh) * 2001-09-05 2003-03-19 中国科学院金属研究所 冷气动力喷涂装置
US20120103519A1 (en) * 2010-10-25 2012-05-03 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Plasma Etch Resistant, Highly Oriented Yttria Films, Coated Substrates and Related Methods
CN104704606A (zh) * 2012-07-27 2015-06-10 应用材料公司 针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料
CN103215535A (zh) * 2013-04-16 2013-07-24 中国科学院金属研究所 一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法
TW201641744A (zh) * 2015-05-07 2016-12-01 應用材料股份有限公司 腔室組件之腐蝕控制

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020168679A1 (zh) * 2019-02-22 2020-08-27 沈阳富创精密设备有限公司 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
CN110468367A (zh) * 2019-08-05 2019-11-19 中国科学院金属研究所 基于等离子喷涂和冷喷涂技术的ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
WO2021022791A1 (zh) * 2019-08-05 2021-02-11 沈阳富创精密设备有限公司 基于等离子喷涂和冷喷涂技术的ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
CN113529065A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 中国科学院金属研究所 一种基于冷喷涂高速沉积增材制造技术制备金属铱涂层的方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU2019101816A4 (en) 2021-09-09
WO2020168679A1 (zh) 2020-08-27
ZA202105559B (en) 2021-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109825827A (zh) 一种ic装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法
WO2021022791A1 (zh) 基于等离子喷涂和冷喷涂技术的ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
CN103009704B (zh) 一种纳米/类柱状晶混合结构热障涂层及其制备方法
CN108060384A (zh) 一种双陶瓷层热障涂层体系及其复合制备工艺
CN103374693B (zh) 高温炉辊表面的纳米热障涂层及制备方法
CN105132908A (zh) 燃气轮机叶片热障涂层粘结层及其制备方法
CN101723667A (zh) 带有网状裂纹结构的多元稀土氧化物掺杂氧化锆热障涂层及其制备方法
CN109440046B (zh) 一种航空发动机及燃气轮机叶片用热障涂层及其制备方法
CN109266992B (zh) 一种高温耐磨氧化铝陶瓷基复合涂层的制备方法
WO2022152264A1 (zh) 一种高温防护用NiCrBSi-ZrB2金属陶瓷粉末、复合涂层及其制备方法
CN106835112A (zh) 一种镁合金表面冷喷涂420不锈钢复合涂层的制备方法
CN102828137A (zh) 一种高温合金表面纳米复合涂层及其制备方法
CN110396687A (zh) 一种Ti2AlC MAX相陶瓷涂层及其冷喷涂制备方法
CN110106463B (zh) 一种具有层间孔隙结构热障涂层的制备方法
CN105543760A (zh) 高温高压氧阀密封面耐磨涂层的制备方法
CN112831747B (zh) 一种热防护涂层及其制备方法
CN115121789B (zh) 一种抗热震性高耐磨涂层材料及其制备方法
CN109837496A (zh) 一种硅酸镱等离子喷涂粉末的制备方法
CN111962028A (zh) 一种eb-pvd/aps复合结构双陶瓷层热障涂层及其制备方法
CN113529065B (zh) 一种基于冷喷涂高速沉积增材制造技术制备金属铱涂层的方法及装置
CN104498858A (zh) 一种纳米陶瓷热障涂层及其制备方法
CN110205626A (zh) 一种功能梯度热障涂层及其制备方法
CN109957748A (zh) 一种ic装备关键零部件表面防护涂层的制备方法
CN114752881B (zh) 一种抗cmas腐蚀热障涂层的制备方法以及由此得到的热障涂层
CN114774834A (zh) 一种高熵稀土铝酸盐热防护涂层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: No.18a-1, Feiyun Road, Hunnan District, Shenyang City, Liaoning Province

Applicant after: Shenyang fuchuang precision equipment Co.,Ltd.

Address before: No.18a-1, Feiyun Road, Dongling District, Shenyang, Liaoning Province, 110000

Applicant before: Shenyang Fortune Precision Equipment Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190531