CN110461935B - 光聚合物组合物 - Google Patents

光聚合物组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN110461935B
CN110461935B CN201880021502.9A CN201880021502A CN110461935B CN 110461935 B CN110461935 B CN 110461935B CN 201880021502 A CN201880021502 A CN 201880021502A CN 110461935 B CN110461935 B CN 110461935B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photopolymer composition
silane
functional group
general formula
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880021502.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110461935A (zh
Inventor
张锡勋
郭修荣
金宪
权洗铉
张影来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Priority claimed from PCT/KR2018/015466 external-priority patent/WO2019117540A1/ko
Publication of CN110461935A publication Critical patent/CN110461935A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110461935B publication Critical patent/CN110461935B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F265/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of unsaturated monocarboxylic acids or derivatives thereof as defined in group C08F20/00
    • C08F265/04—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of unsaturated monocarboxylic acids or derivatives thereof as defined in group C08F20/00 on to polymers of esters
    • C08F265/06—Polymerisation of acrylate or methacrylate esters on to polymers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/42—Introducing metal atoms or metal-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
    • C08L83/12—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
    • G03H1/0402—Recording geometries or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
    • G03H1/0465—Particular recording light; Beam shape or geometry
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0065—Recording, reproducing or erasing by using optical interference patterns, e.g. holograms
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24044—Recording layers for storing optical interference patterns, e.g. holograms; for storing data in three dimensions, e.g. volume storage
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
    • G03H1/0402—Recording geometries or arrangements
    • G03H2001/0439—Recording geometries or arrangements for recording Holographic Optical Element [HOE]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H2260/00—Recording materials or recording processes
    • G03H2260/12—Photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B2007/240025—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material for storing optical interference patterns, e.g. holograms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

本公开的目的是提供一种光聚合物组合物、使用该光聚合物组合物的全息记录介质、光学元件和全息记录方法，所述光聚合物组合物包含：具有特定化学结构的聚合物基质或其前体；光反应性单体；和光引发剂。

Description

光聚合物组合物
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0169489和于2018年12月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0156150的权益，这两项申请的公开内容通过引用全部并入本说明书中。
本公开涉及一种光聚合物组合物、全息图记录介质、光学元件和全息记录方法。
背景技术
全息图记录介质通过曝光工艺改变介质中的全息记录层中的折射率来记录信息，读取由此记录的介质中的折射率的变化，并且再现该信息。
当使用光聚合物(光敏树脂)时，通过低分子量单体的光聚合可以容易地将光干涉图案存储为全息图。因此，光聚合物可以用于各种领域，如光学透镜、反光镜、偏转镜、滤光片、漫射屏、衍射元件、光导、波导、具有投屏和/或掩模功能的全息光学元件、光学存储器系统和光漫射板的介质、光学波长多工器、反射型和透射型滤色器等。
通常，用于全息图生产的光聚合物组合物包含聚合物粘合剂、单体和光引发剂，并且用激光干涉光照射由这种组合物制备而成的光敏膜来诱导局部单体的光聚合。
在这种光聚合过程中，在存在相对大量的单体的部分中，折射率变高。并且在存在相对大量的聚合物粘合剂的部分中，折射率相对降低，因此，发生折射率调制，并且通过这种折射率调制产生衍射光栅。折射率调制值(n)受到光聚合物层的厚度和衍射效率(DE)的影响，并且随着厚度减小，角选择性增加。
近来，需要开发能够以高衍射效率保持稳定全息图的物质，并且也已经进行各种尝试来制造具有薄的厚度和高折射率调制值的光聚合物层。
发明内容
技术问题
本公开提供一种光聚合物组合物，该光聚合物组合物可以更有效且容易地提供即使具有薄的厚度也具有高折射率调制值的光聚合物层。
本公开还提供一种全息图记录介质，该全息图记录介质包括即使具有薄的厚度也具有高折射率调制值的光聚合物层。
本公开还提供一种包括上述全息图记录介质的光学元件。
本公开还提供一种全息记录方法，包括使用相干激光使所述光聚合物组合物中含有的光反应性单体选择性地聚合。
技术方案
本公开提供一种光聚合物组合物，包含：聚合物基质或其前体，该聚合物基质或其前体包含在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂；光反应性单体；和光引发剂，其中，根据所述硅烷交联剂的固态29Si NMR分析的由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例为90摩尔％以上：
[通式1]
Figure BDA0002216327380000021
在通式1中，R1至R3各自是有机官能团。
本公开还提供一种由所述光聚合物组合物制备的全息图记录介质。
本公开还提供一种包括所述全息图记录介质的光学元件。
本公开还提供一种全息记录方法，包括使用相干激光使所述光聚合物组合物中含有的光反应性单体选择性聚合。
下文中，将更详细地描述根据本发明的具体实施方案的光聚合物组合物、全息图记录介质、光学元件和全息记录方法。
如本文所使用，术语“(甲基)丙烯酸酯”指甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。
如本文所使用，术语“(共)聚合物”指均聚物或共聚物(包括无规共聚物、嵌段共聚物和接枝共聚物)。
另外，本文所使用的术语“全息图”指通过曝光工艺在整个可见光范围和近紫外范围(300nm至800nm)中记录光学信息的记录介质，并且其实例包括所有的可视全息图，如同轴(Gabor)全息图、离轴全息图、全孔径转移全息图、白光透射全息图(“彩虹全息图”)、Denisyuk全息图、离轴反射全息图、边缘照明全息图或全息立体图。
在本公开中，烷基可以是直链或支链，并且对碳原子的数目没有特别地限制，但是优选为1至40。根据一个实施方案，烷基具有1至20个碳原子。根据另一实施方案，烷基具有1至10个碳原子。根据另一实施方案，烷基具有1至6个碳原子。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环庚基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但是不限于此。
在本公开中，亚烷基是来自烷烃的二价官能团，并且可以是直链、支链或环状。其具体实例包括亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚叔丁基、亚戊基、亚己基等。
根据本公开的一个实施方案，提供一种光聚合物组合物，包含：聚合物基质或其前体，该聚合物基质或其前体包含在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂；光反应性单体；和光引发剂，其中，根据硅烷交联剂的固态29Si NMR分析的由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例为90摩尔％以上：
[通式1]
Figure BDA0002216327380000041
在通式1中，R1至R3各自是有机官能团。
本发明人通过实验发现，与本领域先前已知的全息图相比，由包含含有在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂的聚合物基质或其前体的光聚合物组合物形成的全息图即使在更薄的厚度范围内，也可以表现出显著提高的折射率调制值和优异的对温度和湿度的耐久性，从而完成本发明。
当使用包含根据固态29Si NMR分析的由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例为90摩尔％以上的硅烷交联剂和在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的聚合物基质或其前体时，在由光聚合物组合物制造涂膜或全息图时交联密度得到优化，并且可以确保与现有基质相比优异的对温度和湿度的耐久性。此外，通过优化交联密度，可以提高具有高折射率的光反应性单体与具有低折射率的其它成分之间的移动性，从而使折射率调制最大化并且改善记录特性。
具体地，通过溶胶-凝胶反应，可以在含有硅烷类官能团的改性(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物与含有末端硅烷类官能团的硅烷交联剂之间容易地引入由硅氧烷键作为中介的交联结构，并且硅氧烷键可以提供优异的对温度和湿度的耐久性。
另外，可以添加氟类化合物或磷酸酯类化合物作为聚合物基质或其前体的成分。所述氟类化合物或磷酸酯类化合物具有比所述光反应性单体更低的折射率，从而降低聚合物基质的折射率并且使光聚合物组合物的折射率调制最大化。
另外，所述磷酸酯类化合物充当增塑剂来降低聚合物基质的玻璃化转变温度，从而提高光反应性单体和低折射性成分的移动性，并且有助于提高光聚合物组合物的模压性能。
包含在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂的聚合物基质或其前体可以充当最终产品如光聚合物组合物和由其制备的膜的载体。在由所述光聚合物组合物形成的全息图中，聚合物基质或其前体具有不同的折射率以增强折射率调制。
如上所述，所述聚合物基质可以包含硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物，和硅烷交联剂。因此，所述聚合物基质的前体可以包含形成聚合物基质的单体或低聚物。具体地，可以包含在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物、其单体、或该单体的低聚物，以及硅烷交联剂、其单体、或该单体的低聚物。
在所述聚合物基质中，在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂可以作为单独的成分存在，或者以彼此反应形成的复合物的形式存在。
硅烷类官能团可以位于(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的支链中。所述硅烷类官能团可以包括硅烷官能团或烷氧基硅烷官能团，并且优选地可以使用三甲氧基硅烷基团作为烷氧基硅烷官能团。
所述硅烷类官能团可以通过与硅烷交联剂中含有的硅烷类官能团的溶胶-凝胶反应形成硅氧烷键，以使(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物与硅烷交联剂交联。
根据硅烷交联剂的固态29Si NMR分析，由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例可以为90摩尔％以上或95摩尔％以上，优选地为99摩尔％以上。对所述比例的上限没有特别地限制，但是可以为100摩尔％或99.9摩尔％。
可以使用先前已知的仪器和方法，如Bruker AVANCE III 300MHz仪器和7mm MAS探针在静态条件下进行固态29Si NMR分析。根据测量结果，可以通过计算积分值来确认上述摩尔％范围。
根据固态29Si NMR分析的由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例为90摩尔％以上的硅烷交联剂使得可以在使用实施方案的光聚合物组合物制备全息图记录介质时在聚合物基质内部形成更多的直链交联结构。因此，全息图记录介质可以具有改善的记录特性、相对高的折射率调制值(△n)、高衍射效率和低激光损耗(Iloss)。即使当暴露于高于室温的温度和相对高的湿度下，也可以表现出衍射效率没有较大改变的特性。
更具体地，根据硅烷交联剂的固态29Si NMR分析，由下面通式1表示的官能团与由下面通式1至通式4表示的官能团的比例可以为90摩尔％以上或95摩尔％以上，优选为99摩尔％以上。
[通式1]
Figure BDA0002216327380000061
在通式1中，R1至R3各自是有机官能团。
[通式2]
Figure BDA0002216327380000062
在通式2中，R21至R24各自是有机官能团。
[通式3]
Figure BDA0002216327380000063
在通式3中，R31至R35各自是有机官能团。
[通式4]
Figure BDA0002216327380000071
在通式4中，R41至R46各自是有机官能团。
在通式1至通式4中，当R1至R3、R21至R24、R31至R35和R41至R46各自是有机官能团时，它们在固态29Si NMR分析中没有大大影响Si的键合结构，因此，对有机官能团的实例没有特别地限制。
更具体地，R1至R3可以各自是氢或C1至C20烷基。此外，R21至R22可以各自是氢或C1至C20烷基，R23至R24可以各自是氢、C1至C20烷基、羟基或C1至C20烷氧基。此外，R31可以是氢或C1至C20烷基，R32至R35可以各自是氢、C1至C20烷基、羟基或C1至C20烷氧基。此外，R41至R46可以各自是氢、C1至C20烷基、羟基或C1至C20烷氧基。
所述硅烷交联剂可以是每分子平均具有至少一个硅烷类官能团的化合物或其混合物，并且可以是含有至少一个硅烷类官能团的化合物。所述硅烷类官能团可以包括硅烷官能团或烷氧基硅烷官能团，并且优选地可以使用三乙氧基硅烷基团作为烷氧基硅烷官能团。所述硅烷类官能团通过与(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物中含有的硅烷类官能团的溶胶-凝胶反应形成硅氧烷键，以使(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物与硅烷交联剂交联。
此处，硅烷交联剂的硅烷类官能团的当量可以为200g/当量至1000g/当量。因此，(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物与硅烷交联剂之间的交联密度得到优化，使得可以确保与现有基质相比优异的对温度和湿度的耐久性。此外，通过优化交联密度，可以增加具有高折射率的光反应性单体与具有低折射率的其它成分之间的移动性，从而使折射率调制最大化并且提高记录特性。
当硅烷交联剂中含有的硅烷类官能团的当量过度增加至1000g/当量以上时，由于基质的交联密度降低，记录之后衍射光栅界面会坍塌。此外，疏松的交联密度和低的玻璃化转变温度会导致单体和增塑剂成分洗脱至表面上，从而产生雾度。
当硅烷交联剂中含有的硅烷类官能团的当量过度减小至小于200g/当量时，交联密度增加得太高，这阻碍单体和增塑剂成分的移动性，从而使记录特性劣化。
更具体地，所述硅烷交联剂可以包含重均分子量为100至2000、300至1000或300至700的直链聚醚主链，以及与该主链结合的作为末端基团或支链的硅烷类官能团。
重均分子量为100至2000的直链聚醚主链可以包含由下面通式3表示的重复单元。
[通式3]
-(R8O)n-R8-
在通式3中，R8是C1至C10亚烷基，n是1以上、1至50、5至20或8至10的整数。
通过将柔性聚醚多元醇引入到硅烷交联剂的主链中，可以控制基质的玻璃化转变温度和交联密度，从而提高成分的移动性。
同时，硅烷类官能团与聚醚主链之间的结合可以以氨基甲酸酯键作为中介。具体地，硅烷类官能团和聚醚主链可以通过氨基甲酸酯键形成共同键(mutual bond)。更具体地，硅烷类官能团中含有的硅原子直接或通过C1至C10亚烷基与氨基甲酸酯键的氮原子键合，并且聚醚主链中含有的R8官能团可以与氨基甲酸酯键的氧原子直接键合。
硅烷类官能团和聚醚主链通过氨基甲酸酯键键合的原因在于，硅烷交联剂通过含有硅烷类官能团的异氰酸酯化合物与重均分子量为100至2000的直链聚醚多元醇化合物之间的反应制备。
更具体地，所述异氰酸酯化合物可以包括脂肪族、脂环族、芳香族或芳香族-脂肪族单异氰酸酯、二异氰酸酯、三异氰酸酯或多异氰酸酯；或者具有氨基甲酸酯、脲、碳二亚胺、酰基脲、异氰脲酸酯、脲基甲酸酯、缩二脲、恶二嗪三酮、脲二酮或亚氨基恶二嗪二酮结构的二异氰酸酯或三异氰酸酯的低异氰酸酯或多异氰酸酯。
含有硅烷类官能团的异氰酸酯化合物的具体实例可以是3-异氰酸基丙基三乙氧基硅烷。
另外，所述聚醚多元醇可以是，例如，苯乙烯氧化物的加聚产物、环氧乙烷的加聚产物、环氧丙烷的加聚产物、四氢呋喃的加聚产物、环氧丁烷的加聚产物或环氧氯丙烷的加聚产物、它们的混合加成产物、它们的接枝产物、通过多元醇的缩合得到的聚醚多元醇或它们的混合物，以及通过多元醇、胺和氨基醇的烷氧基化得到的物质。
聚醚多元醇的具体实例包括无规或嵌段共聚物形式的聚(环氧丙烷)、聚(环氧乙烷)和它们的组合，或者OH官能度为1.5至6并且数均分子量为200g/mol至18000g/mol，优选OH官能度为1.8至4.0并且数均分子量为600g/mol至8000g/mol，特别优选OH官能度为1.9至3.1并且数均分子量为650g/mol至4500g/mol的聚(四氢呋喃)及其混合物。
当硅烷类官能团和聚醚主链通过氨基甲酸酯键键合时，可以更容易地合成硅烷交联剂。
硅烷交联剂的重均分子量(通过GPC测量)可以为1000至5,000,000。重均分子量指使用聚苯乙烯校准通过GPC方法测量的重均分子量(单位：g/mol)。在使用聚苯乙烯校准通过GPC方法测量重均分子量的过程中，可以使用公知的分析仪、诸如折射率检测器的检测器和分析柱。此外，可以使用常规应用的温度条件、溶剂和流速。作为测量条件的一个具体实例，可以应用30℃的温度、氯仿溶剂和1mL/min的流速。
所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物可以包含硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯重复单元，和(甲基)丙烯酸酯重复单元。
硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯重复单元的实例可以是由下面化学式1表示的重复单元。
[化学式1]
Figure BDA0002216327380000091
在化学式1中，R1至R3各自独立地是C1至C10烷基，R4是氢或C1至C10烷基，R5是C1至C10亚烷基。
优选地，化学式1可以是来自3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM-503)的重复单元，其中，R1至R3各自独立地是C1甲基，R4是C1甲基，R5是C3亚丙基，或者是来自3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM-5103)的重复单元，其中，R1至R3各自独立地是C1甲基，R4是氢，R5是C3亚丙基。
另外，所述(甲基)丙烯酸酯重复单元的一个实例可以是由下面化学式2表示的重复单元。
[化学式2]
Figure BDA0002216327380000101
在化学式2中，R6是C1至C20烷基，R7是氢或C1至C10烷基。优选地，化学式2可以是来自丙烯酸丁酯的重复单元，其中，R6是C4丁基，R7是氢。
化学式2的重复单元与化学式1的重复单元的摩尔比可以为0.5:1至14:1。当化学式1的重复单元的摩尔比过度减小时，基质的交联密度变得太低而不能充当载体，并且记录之后的记录特性会劣化。当化学式1的重复单元的摩尔比过度增大时，基质的交联密度变得太高并且各个成分的流动性会降低，引起折射率调制值降低。
所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的重均分子量(通过GPC测量)可以为100,000至5,000,000或300,000至900,000。重均分子量指使用聚苯乙烯校准通过GPC方法测量的重均分子量(单位：g/mol)。在使用聚苯乙烯校准通过GPC方法测量重均分子量的过程中，可以使用公知的分析仪、诸如折射率检测器的检测器和分析柱。此外，可以使用常规应用的温度条件、溶剂和流速。作为测量条件的一个具体实例，可以应用30℃的温度、氯仿溶剂和1mL/min的流速。
所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的硅烷类官能团的当量可以为300g/当量至2000g/当量、500g/当量至2000g/当量、550g/当量至1800g/当量、580g/当量至1600g/当量或586g/当量至1562g/当量。
硅烷类官能团的当量对应于每个硅烷类官能团的当量(g/当量)，并且是通过将(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的重均分子量除以每分子的硅烷类官能团的数目得到的数值。当量越小，官能团的密度越高。并且当量越大，官能团的密度越小。
因此，(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物与硅烷交联剂之间的交联密度得到优化，并且可以确保与现有基质相比优异的对温度和湿度的耐久性。此外，通过优化交联密度，可以提高具有高折射率的光反应性单体与具有低折射率的其它成分之间的移动性，从而使折射率调制最大化并且改善记录特性。
当(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物中含有的硅烷类官能团的当量过度减小至小于300g/当量时，基质的交联密度增加得太高，这阻碍成分的移动性，从而使记录特性劣化。当(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物中含有的硅烷类官能团的当量过度增大至大于2000g/当量时，交联密度变得太低而不能充当载体，使得记录之后产生的衍射光栅界面会坍塌，从而随着时间的推移降低折射率调制值。
同时，基于100重量份的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物，可以包含10重量份至90重量份、20重量份至70重量份或22重量份至65重量份的硅烷交联剂。
在反应产物中，当相对于100重量份的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物，硅烷交联剂含量过度减小时，基质的固化速率显著减慢而丧失其作为载体的功能，并且衍射光栅界面会容易坍塌。当硅烷交联剂含量过度增大时，基质的固化速率加快，但是反应性硅烷基团含量的过度增加引起与其它成分的相容性问题，导致雾度。
另外，反应产物的模量(储能模量)可以为0.01MPa至5MPa。例如，储能模量(G')可以使用TA Instruments制造的发现混合流变仪(discovery hybrid rheometer)(DHR)在室温(20℃至25℃)下以1Hz的频率测量。
另外，反应产物的玻璃化转变温度可以为-40℃至10℃。例如，玻璃化转变温度可以通过使用动态力学分析(DMA)装置在-80℃至30℃的温度下在0.1％的应变、1Hz的频率和5℃/min的加热速率的设定条件下测量涂布有所述光聚合物组合物的膜的相位角(损耗模量)的变化来得到。
所述光反应性单体可以包括多官能(甲基)丙烯酸酯单体或单官能(甲基)丙烯酸酯单体。
如上所述，在光聚合物组合物的光聚合过程中单体聚合并且聚合物以相对大的量存在的部分中，折射率变高。在聚合物粘合剂以相对大的量存在的部分中，折射率变得相对低，发生折射率调制，并且通过这种折射率调制产生衍射光栅。
具体地，光反应性单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸酯类α,β-不饱和羧酸衍生物，例如，(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸等，或者含有乙烯基或硫醇基的化合物。
所述光反应性单体的一个实例可以包括折射率为1.5以上、1.53以上或1.5至1.7的多官能(甲基)丙烯酸酯单体。折射率为1.5以上、1.53以上或1.5至1.7的所述多官能(甲基)丙烯酸酯单体可以包含卤素原子(溴、碘等)、硫(S)、磷(P)或芳环。
折射率为1.5以上的多官能(甲基)丙烯酸酯单体的更具体的实例包括双酚A改性二丙烯酸酯类型、芴丙烯酸酯类型(由Miwon Specialty Chemical Co.,Ltd.制备的HR6022等)、双酚芴环氧丙烯酸酯类型(由Miwon Specialty Chemical Co.,Ltd.制备的HR6100、HR6060、HR6042等)、卤化环氧丙烯酸酯类型(由Miwon Specialty Chemical Co.,Ltd.制备的HR1139、HR3362等)等。
所述光反应性单体的另一实例可以包括单官能(甲基)丙烯酸酯单体。所述单官能(甲基)丙烯酸酯单体可以在分子中含有醚键和芴官能团。其具体实例包括(甲基)丙烯酸苯氧基苄基酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯酚环氧乙烷、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸2-(苯硫基)乙酯、(甲基)丙烯酸联苯甲酯等。
同时，所述光反应性单体的重均分子量可以为50g/mol至1000g/mol或200g/mol至600g/mol。重均分子量指使用聚苯乙烯校准通过GPC方法测量的重均分子量。
同时，实施方案的光聚合物组合物包含光引发剂。光引发剂是通过光或光化辐射活化的化合物，并且引发含有光反应性官能团的化合物如光反应性单体的聚合。
作为所述光引发剂，可以使用通常已知的光引发剂而没有特别地限制，但是其具体实例包括光自由基聚合引发剂、光阳离子聚合引发剂和光阴离子聚合引发剂。
光自由基聚合引发剂的具体实例包括：咪唑衍生物、双咪唑衍生物、N-芳基甘氨酸衍生物、有机叠氮化合物、环戊二烯钛、铝酸盐络合物、有机过氧化物、N-烷氧基吡啶鎓盐、噻吨酮衍生物、胺衍生物等。更具体地，光自由基聚合引发剂的实例包括：1,3-二(叔丁基二氧羰基)二苯甲酮、3,3',4,4”-四(叔丁基二氧羰基)二苯甲酮、3-苯基-5-异唑酮、2-巯基苯并咪唑、双(2,4,5-三苯基)咪唑、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮(产品名称：Irgacure651/制造商：BASF)、1-羟基-环己基-苯基-酮(产品名称：Irgacure 184/制造商：BASF)、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1(产品名称：Irgacure 369/制造商：BASF)、双(η5-2,4-环戊二烯-1-基)-双(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)钛(产品名称：Irgacure784/制造商：BASF)、Ebecryl P-115(制造商：SK entis)等。
所述光阳离子聚合引发剂可以包括重氮盐、锍盐或碘鎓盐，其实例包括磺酸酯、亚氨基磺酸盐、二烷基-4-羟基锍盐、芳基磺酸-对硝基苄基酯、硅烷醇-铝络合物、(η6-苯)(η5-环戊二烯基)铁(II)等。此外，可以使用安息香甲苯磺酸盐、2,5-二硝基苄基甲苯磺酸盐、N-甲苯磺酰基邻苯二甲酸酰亚胺等。光阳离子聚合引发剂的更具体的实例包括市售产品如Cyracure UVI-6970、Cyracure UVI-6974和Cyracure UVI-6990(制造商：美国DowChemical Co.)、Irgacure 264和Irgacure 250(制造商：BASF)或CIT-1682(制造商：NipponSoda)。
所述光阴离子聚合引发剂可以包括硼酸盐，并且其实例包括丁酰氯丁基三苯基硼酸盐。光阴离子聚合引发剂的更具体的实例包括市售产品如borate V(制造商：Spectragroup)。
另外，实施方案的光聚合物组合物可以包含单分子(I型)引发剂或双分子(II型)引发剂。用于自由基光聚合的(I型)体系可以包括，例如，与叔胺组合的芳香族酮化合物，如二苯甲酮、烷基二苯甲酮、4,4'-双(二甲基氨基)二苯甲酮(米氏酮)、蒽酮和卤代二苯甲酮，或这些类型的混合物。双分子(II型)引发剂可以包括安息香及其衍生物、苄基缩酮、酰基氧化膦，例如，2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、双丙烯酰基氧化膦、苯基乙醛酰基酯、樟脑醌、α-氨基烷基酰苯、α,α-二烷氧基苯乙酮、1-[4-(苯硫基)苯基]辛烷-1,2-二酮2-(邻苯甲酰基肟)、α-羟烷基酰苯等。
所述光聚合物组合物可以包含：1重量％至80重量％的所述聚合物基质或其前体；1重量％至80重量％的所述光反应性单体；和0.1重量％至20重量％的所述光引发剂。当所述光聚合物组合物还包含如下文中描述的有机溶剂时，上述成分的含量以上述成分的总和(不包括有机溶剂的成分的总和)为基础。
所述光聚合物组合物还可以包含氟类化合物。所述氟类化合物稳定且反应性小并且具有低折射率。因此，当将所述氟类化合物添加到光聚合物组合物中时，可以降低聚合物基质的折射率，从而使与单体的折射率调制最大化。
所述氟类化合物可以包含选自醚基、酯基和酰胺基中的至少一个官能团，和至少两个二氟亚甲基。更具体地，所述氟类化合物可以具有由下面化学式4表示的结构，其中，包含醚基的官能团键合至中心官能团的两个末端，所述中心官能团包括两个二氟亚甲基之间的直接键或一个醚键。
[化学式4]
Figure BDA0002216327380000141
在化学式4中，R11和R12各自独立地是二氟亚甲基，R13和R16各自独立地是亚甲基，R14和R15各自独立地是二氟亚甲基，R17和R18各自独立地是聚环氧烷，m是1以上、1至10或1至3的整数。
优选地，在化学式4中，R11和R12各自独立地是二氟亚甲基，R13和R16各自独立地是亚甲基，R14和R15各自独立地是二氟亚甲基，R17和R18各自独立地是2-甲氧基乙氧基甲氧基，m是整数2。
所述氟类化合物的折射率可以小于1.45，或为1.3以上且小于1.45。如上所述，由于光反应性单体的折射率为1.5以上，其高于氟类化合物的折射率，因此，聚合物基质的折射率会降低，从而使与单体的折射率调制最大化。
具体地，基于100重量份的光反应性单体，所述氟类化合物的含量可以为30重量份至150重量份或50重量份至110重量份，并且聚合物基质的折射率可以为1.46至1.53。
当基于100重量份的光反应性单体，所述氟类化合物的含量过度减小时，由于缺乏低折射率成分，记录之后的折射率调制值会降低。当所述含量过度增大时，由于与其它成分的相容性差而会产生雾度，或者部分氟类化合物会被洗脱至涂层的表面。
所述氟类化合物的重均分子量(通过GPC测量)可以为300以上或为300至1000。测量重均分子量的具体方法如上面所描述。
同时，所述光聚合物组合物还可以包含光敏染料。光敏染料充当光敏颜料以使光引发剂感光。更具体地，光敏染料可以被照射在光聚合物组合物上的光激发，并且还可以充当引发剂来引发单体与交联单体的聚合。所述光聚合物组合物可以含有0.01重量％至30重量％或0.05重量％至20重量％的光敏染料。
对光敏染料的实例没有特别地限制，并且可以使用本领域中公知的各种化合物。所述光敏染料的具体实例包括：ceramidonin的锍衍生物、新亚甲基蓝、硫代赤藓红三乙基铵、6-乙酰氨基-2-甲基ceramidonin(6-acetylamino-2-methylceramidonin)、曙红、赤藓红、玫瑰红、硫堇蓝、碱性黄、氯化频哪氰醇、罗丹明6G、花青、乙基紫、维多利亚蓝R、天青石蓝、甲基氮萘红、结晶紫、亮绿、碱性橙G、达罗红、派洛宁Y、碱性红29、吡喃鎓碘化物、番红O、青蓝、亚甲基蓝、天青A，或它们中的两种以上的组合。
所述光聚合物组合物还可以包含有机溶剂。有机溶剂的实例包括酮、醇、乙酸酯、醚，和它们中的两种以上的混合物。
有机溶剂的具体实例包括：酮，如甲基乙基酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮或异丁基酮；醇，如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇或叔丁醇；乙酸酯，如乙酸乙酯、乙酸异丙酯或聚乙二醇单甲醚乙酸酯；醚，如四氢呋喃或丙二醇单甲醚；或它们中的两种以上的混合物。
有机溶剂可以在混合光聚合物组合物中含有的各个成分时添加，或者可以通过添加分散或混合在有机溶剂中的各个成分而包含在光聚合物组合物中。当光聚合物组合物中的有机溶剂的含量太低时，光聚合物组合物的流动性会降低，导致在最终制备的膜上出现诸如条纹图案的缺陷。此外，当添加太多的有机溶剂时，固体含量降低，并且涂布和成膜不充分，使得膜的物理性能和表面特性会劣化并且在干燥和固化工艺的过程中会出现缺陷。因此，所述光聚合物组合物可以包含有机溶剂，使得所含有的成分的总固体含量浓度为1重量％至70重量％或2重量％至50重量％。
所述光聚合物组合物还可以包含其它添加剂、催化剂等。例如，所述光聚合物组合物可以包含通常已知用于促进聚合物基质或光反应性单体的聚合的催化剂。所述催化剂的实例包括：辛酸锡、辛酸锌、二月桂酸二丁基锡、二甲基双[(1-氧代新癸基)氧基]锡烷、二羧酸二甲基锡、二(乙基己酸)锆、乙酰丙酮锆、对甲苯磺酸，或叔胺如1,4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷、二氮杂双环壬烷、二氮杂双环十一烷、1,1,3,3-四甲基胍、1,3,4,6,7,8-六氢-1-甲基-2H-嘧啶并(1,2-a)嘧啶等。
其它添加剂的实例包括消泡剂或磷酸酯类增塑剂，并且消泡剂可以是有机硅类反应性添加剂，例如，Tego Rad 2500。增塑剂的实例包括磷酸酯化合物，如磷酸三丁酯，并且可以与氟类化合物一起添加重量比为1:5至5:1的增塑剂。所述增塑剂的折射率可以小于1.5，分子量可以为700以下。
所述光聚合物组合物可以用于全息图记录。
同时，根据本公开的另一实施方案，可以提供一种由所述光聚合物组合物制备而成的全息图记录介质。
如上所述，当使用一个实施方案的光聚合物组合物时，与现有技术中先前已知的全息图相比，可以提供能够实现显著提高的折射率调制值和高的衍射效率同时具有更薄的厚度的全息图。
所述全息图记录介质即使在5μm至30μm的厚度下也可以得到0.020以上、0.021以上、0.022以上、0.023以上、0.020至0.035或0.027至0.030的折射率调制值(△n)。
另外，所述全息图记录介质在5μm至30μm的厚度下的衍射效率可以为50％以上、85％以上或85％至99％。
在一个实施方案的光聚合物组合物中，将其中含有的各个成分均匀混合、干燥并且在20℃以上的温度下固化，然后进行预定的曝光程序，从而制备用于在整个可见光范围和近紫外区域(300nm至800nm)中的光学应用的全息图。
在一个实施方案的光聚合物组合物中，可以首先均匀地混合用于形成聚合物基质或其前体的成分，然后可以将硅烷交联剂与催化剂混合来制备全息图。
在一个实施方案的光聚合物组合物中，可以使用本领域中常用的混合装置、搅拌器、混合器等来混合其中含有的各个成分而没有特别地限制。混合过程中的温度可以为0℃至100℃，优选为10℃至80℃，特别优选为20℃至60℃。
同时，在一个实施方案的光聚合物组合物中，首先将用于形成聚合物基质或其前体的成分均质化并且混合。随后，在添加硅烷交联剂时，所述光聚合物组合物可以变为在20℃以上的温度下固化的液体配方。
固化温度可以根据光聚合物的组成变化，并且固化通过，例如，在30℃至180℃的温度下加热来促进。
在固化时，光聚合物可以为注入或涂布在预定基板或模具上的状态。
同时，作为在由所述光聚合物组合物制备的全息图记录介质上记录可视全息图的方法，可以使用常规已知的方法而没有特别地限制。可以采用在下文中描述的实施方案的全息记录方法中描述的方法作为一个实例。
根据本公开的另一实施方案，可以提供一种全息记录方法，该全息记录方法包括使用相干激光使所述光聚合物组合物中含有的光反应性单体选择性地聚合。
如上所述，通过混合和固化所述光聚合物组合物的工艺，可以制备未记录可视全息图的介质，并且可以通过预定的曝光过程在介质上记录可视全息图。
可视全息图可以记录在使用已知的装置和方法在公知的条件下在通过混合和固化所述光聚合物组合物的工艺提供的介质上。
根据本公开的另一实施方案，可以提供一种包括所述全息图记录介质的光学元件。
所述光学元件的具体实例包括：光学透镜、反光镜、偏转镜、滤光片、漫射屏、衍射元件、光导、波导、具有投屏和/或掩模功能的全息光学元件、光学存储器系统和光漫射板的介质、光学波长多工器、反射型和透射型滤色器等。
包括全息图记录介质的所述光学元件的一个实例可以包括全息图显示装置。
全息图显示装置包括光源单元、输入单元、光学系统和显示单元。光源单元是照射用于在输入单元和显示单元中提供、记录和再现对象的三维图像信息的激光束的部分。此外，输入单元是预先输入待记录在显示单元上的对象的三维图像信息的部分，例如，对象的三维信息如用于各个空间的光的强度和相位可以输入到电寻址液晶SLM中，其中可以使用输入光束。光学系统可以包括反光镜、偏振器、分束器、射束光闸、透镜等。光学系统可以分布在用于将从光源单元发射的激光束发送至输入单元的输入光束、用于将激光束发送至显示单元的记录光束、参照光束、擦除光束、读取光束等中。
显示单元可以从输入单元接收对象的三维图像信息，将其记录在由光寻址SLM组成的全息图板上，并且再现对象的三维图像。此处，可以通过输入光束和参照光束的干涉来记录对象的三维图像信息。记录在全息图板上的对象的三维图像信息可以通过由读取光束产生的衍射图案再现为三维图像。擦除光束可以用于迅速移除所形成的衍射图案。同时，全息图板可以在输入三维图像的位置与再现三维图像的位置之间移动。
有益效果
根据本公开，提供一种可以更有效且容易地提供即使具有薄的厚度也具有高折射率调制值的光聚合物层的光聚合物组合物、即使具有薄的厚度也具有高折射率调制值的全息图记录介质、光学元件和全息记录方法。
具体实施方式
下文中，将参照下面的实施例详细地说明本发明。然而，这些实施例仅用于说明本发明，并且本发明的范围不限于此。
[制备实施例]
[制备实施例1：支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的制备]
将154g的丙烯酸丁酯和46g的KBM-503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)放置在2L的夹套反应器中并且用800g的乙酸乙酯稀释。将反应温度设定为约60℃至70℃并且继续搅拌约30分钟至1小时。向其中进一步添加0.02g的正十二烷基硫醇，并且进一步继续搅拌约30分钟。之后，向其中添加0.06g的作为聚合引发剂的AIBN，并且在反应温度下继续聚合4小时以上，直至剩余的丙烯酸酯含量变为小于1％，从而得到支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物(重均分子量为约500,000至600,000，Si-(OR)3的当量为1019g/当量)。
[制备实施例2：支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的制备]
将180g的丙烯酸丁酯和120g的KBM-503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)放置在2L的夹套反应器中并且用700g的乙酸乙酯稀释。将反应温度设定为约60℃至70℃并且继续搅拌约30分钟至1小时。向其中进一步添加0.03g的正十二烷基硫醇，并且进一步继续搅拌约30分钟。之后，向其中添加0.09g的作为聚合引发剂的AIBN，并且在反应温度下继续聚合4小时以上，直至剩余的丙烯酸酯含量变为小于1％，从而得到支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物(重均分子量为约500,000至600,000，Si-(OR)3的当量为586g/当量)。
[制备实施例3：支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物的制备]
将255g的丙烯酸丁酯和45g的KBM-503(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)放置在2L的夹套反应器中并且用700g的乙酸乙酯稀释。将反应温度设定为约60℃至70℃并且继续搅拌约30分钟至1小时。向其中进一步添加0.03g的正十二烷基硫醇，并且进一步继续搅拌约30分钟。之后，向其中添加0.09g的作为聚合引发剂的AIBN，并且在反应温度下继续聚合4小时以上，直至剩余的丙烯酸酯含量变为小于1％，从而得到支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物(重均分子量为约500,000至600,000，Si-(OR)3的当量为1562g/当量)。
[制备实施例4：上述硅烷交联剂的制备]
将19.79g的KBE-9007(3-异氰酸基丙基三乙氧基硅烷)、12.80g的PEG-400和0.57g的DBTDL放置在1000ml的烧瓶中，并且用300g的四氢呋喃稀释。在室温下搅拌直至通过TLC确认所有的反应物均被消耗之后，在减压下完全去除反应溶剂。
在显影液(二氯甲烷:甲醇＝30:1)下，通过柱色谱法以91％的收率分离28g的纯度为95％以上的液体产物，得到上述硅烷交联剂。
此处，使用Bruker AVANCE III 300MHz仪器和7mm的MAS探针在静态条件下进行硅烷交联剂的固态29Si NMR分析。通过计算积分值可以确认，硅氧烷官能团的由下面通式1表示的官能团与由下面通式1至通式4表示的官能团的比例为约95摩尔％(由下面通式1至通式4表示的官能团的描述如上面所描述)。
[通式1]
Figure BDA0002216327380000201
[通式2]
Figure BDA0002216327380000202
[通式3]
Figure BDA0002216327380000203
[通式4]
Figure BDA0002216327380000204
[制备实施例5：非反应性低折射性物质的制备]
将20.51g的2,2'-((氧代双(1,1,2,2-四氟乙烷-2,1-二基))双(氧代))双(2,2-二氟乙-1-醇)放置在1000ml的烧瓶中，溶解于500g的四氢呋喃中，并且在0℃下搅拌的同时多次缓慢添加4.40g的氢化钠(在矿物油中的60％的分散体)。在0℃下搅拌20分钟之后，缓慢滴加12.50ml的2-甲氧基乙氧基甲基氯。当通过1H NMR确认所有的反应物均被消耗时，在减压下完全去除反应溶剂。有机层用300g的二氯甲烷萃取三次来收集。之后，用硫酸镁过滤，并且在减压下去除所有的二氯甲烷，从而得到29g的纯度为95％以上的液体产物，收率为98％。
[实施例和比较例：光聚合物组合物的制备]
如下面表1或表2中所示，将在制备实施例1至3中得到的硅烷聚合物、光反应性单体(高折射率丙烯酸酯，折射率为1.600，HR6022，由Miwon制备)、制备实施例5的非反应性低折射性物质、磷酸三丁酯(TBP，分子量为266.31，折射率为1.424，由Sigma-Aldrich制备)、番红O(染料，由Sigma-Aldrich制备)、Ebecryl P-115(由SK entis制备)、Borate V(由Spectra group制备)、Irgacure 250(由BASF制备)、有机硅类反应性添加剂(Tego Rad2500)和甲基异丁基酮(MIBK)避光混合，并且用糊料搅拌器搅拌约10分钟，得到透明涂料溶液。
将上述制备实施例4的硅烷交联剂或具有网络结构的硅烷交联剂(Sibond H-5)添加到所述涂料溶液中，并且进一步搅拌5分钟至10分钟。之后，向涂料溶液中添加0.02g的作为催化剂的DBTDL，并且搅拌约1分钟。然后，使用迈耶棒将涂料溶液涂布在TAC基板(80μm)上至厚度为6μm，并且在40℃下干燥1小时。
之后，在约25℃和50％RH的恒定温度和湿度条件下，将样品在暗室中静置24小时以上。
[实验例：全息记录]
(1)将在各个实施例和比较例中制备的涂布有光聚合物的表面层压在载玻片上，并且固定，使得在记录时激光首先通过玻璃表面。
(2)衍射效率(η)的测量
通过两个干涉光(参照光和对象光)的干涉完成全息记录，并且完成透射型记录，使得两个光束入射到样品的同一侧。衍射效率随着两个光束的入射角而变化，并且当两个光束的入射角相同时变为非倾斜。在非倾斜记录中，由于两个光束的入射角平行于法线，因此，垂直于膜产生衍射光栅。
使用波长为532nm的激光以透射型非倾斜方式完成记录(2θ＝45°)，并且根据下面等式1计算衍射效率(η)。
[等式1]
Figure BDA0002216327380000221
在等式1中，η是衍射效率，PD是记录之后样品的衍射光束的输出量(mW/cm2)，PT是记录的样品的透射光束的输出量(mW/cm2)。
(3)折射率调制值(n)的测量
透射型全息图的无损介质光栅可以由下面等式2计算折射率调制值(△n)。
[等式2]
Figure BDA0002216327380000222
在等式2中，d是光聚合物层的厚度，△n是折射率调制值，η(DE)是衍射效率，λ是记录波长。
(4)激光损耗(Iloss)的测量
激光损耗(Iloss)可以由下面等式3计算。
[等式3]
Iloss＝1-{(PD+PT)/I0}
在等式3中，PD是记录之后样品的衍射光束的输出量(mW/cm2)，PT是记录的样品的透射光束的输出量(mW/cm2)，I0是记录光的强度。
[表1]实施例的光聚合组合物(单位：g)和由其制备的全息图记录介质的实验例的测量结果
Figure BDA0002216327380000231
*具有网络结构的硅烷交联剂：Silbond H-5(在乙醇中为27％)/根据固态29Si NMR分析的由通式4表示的官能团的比例为约16摩尔％(通式2的官能团：32％，通式3的官能团：52％)
**非反应性增塑剂：磷酸三丁酯(分子量为266.31，折射率为1.424，由Sigma-Aldrichch制备)
[表2]比较例的光聚合组合物和由其制备的全息图记录介质的实验例的测量结果
Figure BDA0002216327380000241
如上面表1和表2所示，可以确认，使用其中通过一起使用具有90摩尔％以上的比例的通式1的官能团的硅烷交联剂(制备实施例4)和在制备实施例1至制备实施例3中制备的聚合物来控制交联度的聚合物基质的实施例的光聚合物组合物具有0.020以上的折射率调制值(△n)。
相反，可以确认，由比较例的组合物制备的光聚合物涂膜具有比实施例相对低的衍射效率和相对高的激光损耗(Iloss)。

Claims (17)

1.一种光聚合物组合物，包含：聚合物基质或其前体，该聚合物基质或其前体包含在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类聚合物和硅烷交联剂；
光反应性单体；和
光引发剂，
其中，根据所述硅烷交联剂的固态29Si NMR分析，由下面通式1表示的官能团与硅氧烷官能团的比例为90摩尔％以上，
其中，所述硅烷交联剂包含重均分子量为100至2000的直链聚醚主链和与该主链结合的作为末端基团或支链的硅烷类官能团：
[通式1]
Figure FDA0003160665150000011
在通式1中，R1至R3各自是氢或C1至C20烷基。
2.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，根据所述硅烷交联剂的固态29Si NMR分析，由下面通式1表示的官能团与由下面通式1至通式4表示的官能团的比例为90摩尔％以上：
[通式1]
Figure FDA0003160665150000012
在通式1中，R1至R3各自是氢或C1至C20烷基，
[通式2]
Figure FDA0003160665150000021
在通式2中，R21至R24各自是氢或C1至C20烷基，
[通式3]
Figure FDA0003160665150000022
在通式3中，R31至R35各自是氢或C1至C20烷基，
[通式4]
Figure FDA0003160665150000023
在通式4中，R41至R46各自是氢或C1至C20烷基。
3.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述(甲基)丙烯酸酯类聚合物的所述硅烷类官能团的当量为300g/当量至2000g/当量。
4.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，基于100重量份的所述(甲基)丙烯酸酯类聚合物，所述硅烷交联剂的含量为10重量份至90重量份。
5.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述硅烷类官能团与所述聚醚主链之间的结合由氨基甲酸酯键作为中介。
6.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述硅烷交联剂的所述硅烷类官能团的当量为200g/当量至1000g/当量。
7.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述光反应性单体包括多官能(甲基)丙烯酸酯单体或单官能(甲基)丙烯酸酯单体。
8.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述光反应性单体的折射率为1.5以上。
9.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，包含：
1重量％至80重量％的所述聚合物基质或其前体；
1重量％至80重量％的所述光反应性单体；和
0.1重量％至20重量％的所述光引发剂。
10.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
还包含氟类化合物。
11.根据权利要求10所述的光聚合物组合物，
其中，所述氟类化合物包含选自醚基、酯基和酰胺基中的至少一个官能团，和至少两个二氟亚甲基。
12.根据权利要求10所述的光聚合物组合物，
其中，所述氟类化合物的折射率小于1.45。
13.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述聚合物基质的折射率为1.46至1.53。
14.根据权利要求1所述的光聚合物组合物，
其中，所述光聚合物组合物还包含光敏染料或其它添加剂。
15.一种全息图记录介质，该全息图记录介质由权利要求1所述的光聚合物组合物制备而成。
16.一种光学元件，该光学元件包括权利要求15所述的全息图记录介质。
17.一种全息记录方法，包括使用相干激光使权利要求1所述的光聚合物组合物中含有的光反应性单体选择性地聚合。
CN201880021502.9A 2017-12-11 2018-12-07 光聚合物组合物 Active CN110461935B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0169489 2017-12-11
KR20170169489 2017-12-11
KR1020180156150A KR102166848B1 (ko) 2017-12-11 2018-12-06 포토폴리머 조성물
KR10-2018-0156150 2018-12-06
PCT/KR2018/015466 WO2019117540A1 (ko) 2017-12-11 2018-12-07 포토폴리머 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110461935A CN110461935A (zh) 2019-11-15
CN110461935B true CN110461935B (zh) 2021-08-24

Family

ID=67104781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880021502.9A Active CN110461935B (zh) 2017-12-11 2018-12-07 光聚合物组合物

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11126082B2 (zh)
JP (1) JP6991242B2 (zh)
KR (1) KR102166848B1 (zh)
CN (1) CN110461935B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491173B1 (ko) * 2002-06-15 2005-05-24 대한민국 토종호박벌의 인공사육에 의한 대량증식방법
KR102156872B1 (ko) * 2017-09-27 2020-09-16 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102268129B1 (ko) * 2017-10-16 2021-06-22 주식회사 엘지화학 비반응성 불소계 화합물 및 이를 포함하는 광중합성 조성물
KR102244648B1 (ko) * 2017-12-08 2021-04-26 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102166848B1 (ko) * 2017-12-11 2020-10-16 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102338107B1 (ko) * 2018-09-14 2021-12-09 주식회사 엘지화학 홀로그램 매체
KR102309427B1 (ko) * 2018-09-27 2021-10-05 주식회사 엘지화학 홀로그램 매체
KR102239212B1 (ko) * 2018-12-14 2021-04-12 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
EP3943291A4 (en) * 2019-03-20 2022-12-14 Sekisui Chemical Co., Ltd. INTERMEDIATE FILM FOR LAMINATED GLASS, AND LAMINATED GLASS
KR102384288B1 (ko) 2019-07-02 2022-04-06 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR20220112996A (ko) * 2021-02-05 2022-08-12 주식회사 엘지화학 홀로그램 형성용 포토폴리머 조성물, 홀로그램 기록 매체, 및 광학 소자

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014026116A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性樹脂組成物、体積型ホログラム記録用感光性基板、及び、体積型ホログラム記録体。
CN103680534A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 琳得科株式会社 多层光记录介质制造用片材、多层光记录介质以及粘合剂
CN106661330A (zh) * 2014-07-23 2017-05-10 琳得科株式会社 固化性组合物、固化性组合物的制造方法、固化物、固化性组合物的使用方法和光学器件

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963471A (en) * 1989-07-14 1990-10-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Holographic photopolymer compositions and elements for refractive index imaging
JP3532621B2 (ja) * 1994-10-03 2004-05-31 日本ペイント株式会社 体積ホログラム記録用感光性組成物、及びそれを用いた記録媒体ならびに体積ホログラム形成方法
JP3080088B2 (ja) * 1999-02-01 2000-08-21 ミノルタ株式会社 電子写真感光体
JP2000275859A (ja) 1999-03-29 2000-10-06 Nippon Paint Co Ltd 光硬化性組成物
US6555288B1 (en) 1999-06-21 2003-04-29 Corning Incorporated Optical devices made from radiation curable fluorinated compositions
JP4073139B2 (ja) * 2000-02-28 2008-04-09 エスケー化研株式会社 塗料組成物
JP3849134B2 (ja) 2000-08-29 2006-11-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
US6569586B2 (en) * 2000-10-16 2003-05-27 Konica Corporation Photoreceptor for forming electrostatic latent image
JP4536276B2 (ja) 2001-02-09 2010-09-01 大日本印刷株式会社 体積型ホログラム記録用感光性組成物及び体積型ホログラム記録用感光性媒体
JP2004002494A (ja) 2001-04-19 2004-01-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化性組成物
JP2002337464A (ja) 2001-05-16 2002-11-27 Oji Paper Co Ltd カード類
JP2003185820A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Jsr Corp 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
JP2004017320A (ja) 2002-06-12 2004-01-22 Oji Paper Co Ltd Ｉｃカードおよびその製造方法
KR20050027567A (ko) * 2003-09-15 2005-03-21 최동훈 졸겔방법에 의해 제조된 매질을 바인더로 이용한 홀로그램기록용 포토폴리머 제조 방법
JP4352847B2 (ja) 2003-10-10 2009-10-28 三菱化学株式会社 ホログラム記録材料用組成物、レリーフホログラム及びホログラムの製造方法
KR20070022321A (ko) 2004-06-15 2007-02-26 제너럴 일렉트릭 캄파니 홀로그램 저장 매체
KR100669143B1 (ko) 2005-02-24 2007-01-15 삼성전자주식회사 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20080076563A (ko) 2007-02-16 2008-08-20 주식회사 동진쎄미켐 전도성을 갖는 스페이서용 감광성 수지 조성물
US20100003493A1 (en) * 2007-10-10 2010-01-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Radiation curable coating compositions, related coatings and methods
IL200997A0 (en) 2008-10-01 2010-06-30 Bayer Materialscience Ag Special polyether-based polyurethane formulations for the production of holographic media
CN101985531A (zh) * 2010-03-17 2011-03-16 上海宏盾防伪材料有限公司 光涂料与其制备方法以及利用该涂料制得的感光膜
KR101495482B1 (ko) * 2011-07-15 2015-02-24 코니카 미놀타 가부시키가이샤 가스 배리어성 필름 및 그의 제조 방법
JP2013147451A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Mitsubishi Rayon Co Ltd 新規シラン化合物、シルセスキオキサン化合物とその製造方法、硬化性組成物、硬化物、透明フィルムおよび積層体
WO2017192967A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 The Coca-Cola Company Juice products and methods for reduced enzymatic browning
KR102156872B1 (ko) * 2017-09-27 2020-09-16 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102244648B1 (ko) * 2017-12-08 2021-04-26 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102166848B1 (ko) * 2017-12-11 2020-10-16 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102166846B1 (ko) * 2017-12-11 2020-10-16 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
KR102157366B1 (ko) * 2017-12-15 2021-03-29 주식회사 엘지화학 염료 화합물 및 포토폴리머 조성물
CN108117624A (zh) * 2018-01-24 2018-06-05 中国科学院福建物质结构研究所 一种含poss 3d打印光敏树脂的制备及应用
KR102338107B1 (ko) * 2018-09-14 2021-12-09 주식회사 엘지화학 홀로그램 매체

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014026116A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性樹脂組成物、体積型ホログラム記録用感光性基板、及び、体積型ホログラム記録体。
CN103680534A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 琳得科株式会社 多层光记录介质制造用片材、多层光记录介质以及粘合剂
CN106661330A (zh) * 2014-07-23 2017-05-10 琳得科株式会社 固化性组合物、固化性组合物的制造方法、固化物、固化性组合物的使用方法和光学器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR102166848B1 (ko) 2020-10-16
KR20190069316A (ko) 2019-06-19
JP6991242B2 (ja) 2022-01-14
JP2020516934A (ja) 2020-06-11
CN110461935A (zh) 2019-11-15
US20200192218A1 (en) 2020-06-18
US11126082B2 (en) 2021-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110461935B (zh) 光聚合物组合物
CN111279415B (zh) 全息图介质和光学元件
CN110114724B (zh) 光聚合物组合物
CN110462734B (zh) 全息图记录介质、光学元件以及全息记录方法
CN112136080B (zh) 全息图介质
EP3838937A1 (en) Photopolymer composition
WO2019066313A1 (ko) 포토폴리머 조성물
KR102106544B1 (ko) 포토폴리머 조성물
KR20230006301A (ko) 포토폴리머 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant