CN110400773B - 一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 - Google Patents
一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110400773B CN110400773B CN201810371196.3A CN201810371196A CN110400773B CN 110400773 B CN110400773 B CN 110400773B CN 201810371196 A CN201810371196 A CN 201810371196A CN 110400773 B CN110400773 B CN 110400773B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- soi
- rapid thermal
- treatment process
- thermal treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 105
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 7
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- -1 Oxygen ions Chemical class 0.000 description 6
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
一种采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：满足下述要求：其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入H+和键合工艺步骤，获得带有H+注入层的键合片，然后将该键合片采用快速热处理工艺加微波的方式进行裂片，即能够获得所需SOI硅片。本发明中，快速热处理工艺加微波的裂片技术是指，使用RTP和微波同时作用于硅片上，使H+得到能量，硅片内注入的H+聚集成H2达到使硅片裂开的效果。本发明裂片后的SOI膜厚均匀性更好，粗糙度更低；本发明既能改善注入后的晶格损伤，同时减少裂片后的SOI表面缺陷，提高SOI表面质量；本发明裂片速度快，减少了硅片沾污；本发明效率高；综合技术效果很好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料制备技术领域，特别提供了一种采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法。
背景技术
一九八零年，IBM发展应用氧离子直接注入法(Separation by ImplantationOxygen,SIMOX)来发展制作SOI材料。该制程需要植入非常高剂量的氧离子(约5×1018/cm2)，虽然经过高温退火处理形成二氧化硅层，并以再洁净的方式消除大部分的缺陷，但仍然无法使因注入离子而造成的缺陷全部消除。到一九九二年，法国一家以研究为导向的公司Commossariat A l’Energie Atomique使用一种薄膜转移的技术，即智切法(SmartCut)，能成功地将硅单晶的薄膜转移至另一个硅基板上。此制程首先将氢离子注入于一片已生成氧化层的硅晶圆中，再与另一片硅晶圆进行键合。经高温退火处理时，注入的氢离子获得动能，而聚合成氢分子填充微裂缝中，所形成氢分子不能再以扩散离开裂缝，依PV＝nRT原理，氢分子数目快速扩大，使裂缝内压力上升，进而使微裂缝扩张形成裂缝平板及聚集成大面积裂孔，最后使得元件晶圆上下层剥离，产生薄膜并转移至基材晶圆上，形成SOI结构。
还有一种裂片方式是TM(热微波)裂片，所谓热微波裂片是指以微波辐射代替传统的热源，硅片对微波能量的吸收达到一定的温度，从而使H+聚集成H2达到使硅片裂开的效果。但针对微波裂片这个过程，硅片所受温度不均匀，容易导致最终膜厚不均匀，同时裂片后的SOI表面粗糙度高。
人们迫切希望获得一种技术效果优良的采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种技术效果优良的采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法。
本发明提供了一种采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：满足下述要求：其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入H+和键合工艺步骤，获得带有H+注入层的键合片，然后将该键合片采用快速热处理工艺(RTP)加微波的方式进行裂片，即能够获得所需SOI硅片。
所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，优选的技术要求是：
所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法满足下述要求：裂片过程中采用快速热处理工艺(RTP)单片式工艺，升温至不超过480℃的所需温度，稳定30S-10min，升降温速率为10-200℃/S；
在快速热处理工艺(RTP)工艺后或工艺中，对键合片施加微波工艺，要求调节微波功率范围在0-5000W，时间10s-20min。
以硅片为原材料对其进行氧化处理的要求是：对硅片原材料的一侧表面进行氧化处理，使其获得带有氧化层的硅片，其氧化层厚度在>0～1000nm之间。然后，进行清洗去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有氧化层的硅片表面颗粒情况、氧化层的厚度及其他各项参数，选择符合要求的硅片。
所述注入H+的工艺步骤具体要求是：对已经带有氧化层的硅片注入H+，注入剂量为1e15～1e18之间，注入深度按照需求来做。
所述键合工艺步骤具体要求是：再准备一个硅片，其电阻率和晶向根据需求选取，进行表面清洗去除表面自然氧化层及表层污染物后，使用测试设备测试硅片表面颗粒情况，将符合要求的硅片与注入H+的硅片进行键合，两硅片的激活时间为0-200s之间，所得到的键合片再进行100-400℃的低温退火，即获得带有H+注入的键合片。
本发明中，RTP(快速热处理工艺)加微波的裂片技术是指，使用RTP和微波同时作用于硅片上，使H+得到能量，硅片内注入的H+聚集成H2达到使硅片裂开的效果。
本发明具有以下有益效果：
1、相比于普通裂片技术，本发明使用的裂片方式(快速热处理工艺RTP加微波工艺)，使能量更集中均匀的作用于H+，，使裂片后的SOI膜厚均匀性更好，粗糙度更低。
2、本发明既能改善注入后的晶格损伤，同时减少裂片后的SOI表面缺陷，提高SOI表面质量。
3、本发明的裂片工艺，裂片速度快，减少了硅片沾污。
4、本发明，效率高，提高了产能，同时降低了成本。
综合而言，本发明具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为实施例1所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法的工艺流程图；
图2为实施例2制备的SOI硅片表面；
图3为对比例2制备的SOI硅片表面。
具体实施方式
实施例1
一种采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，满足下述要求：其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入H+和键合工艺步骤，获得带有H+注入层的键合片，然后将该键合片采用快速热处理工艺(RTP)加微波的方式进行裂片，即能够获得所需SOI硅片。
所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法满足下述要求：裂片过程中采用快速热处理工艺(RTP)单片式工艺，升温至不超过480℃的所需温度，稳定30S-10min，升降温速率为10-200℃/S；在快速热处理工艺(RTP)工艺后或工艺中，对键合片施加微波工艺，要求调节微波功率范围在0-5000W，时间10s-20min。
以硅片为原材料对其进行氧化处理的要求是：对硅片原材料的一侧表面进行氧化处理，使其获得带有氧化层的硅片，其氧化层厚度在>0～1000nm之间。然后，进行清洗去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有氧化层的硅片表面颗粒情况、氧化层的厚度及其他各项参数，选择符合要求的硅片。
所述注入H+的工艺步骤具体要求是：对已经带有氧化层的硅片注入H+，注入剂量为1e15～1e18之间，注入深度按照需求来做。
所述键合工艺步骤具体要求是：再准备一个硅片，其电阻率和晶向根据需求选取，进行表面清洗去除表面自然氧化层及表层污染物后，使用测试设备测试硅片表面颗粒情况，将符合要求的硅片与注入H+的硅片进行键合，两硅片的激活时间为0-200s之间，所得到的键合片再进行100-400℃的低温退火，即获得带有H+注入的键合片。
本实施例中，RTP(快速热处理工艺)加微波的裂片技术是指，使用RTP和微波同时作用于硅片上，使H+得到能量，硅片内注入的H+聚集成H2达到使硅片裂开的效果。
本实施例具有以下有益效果：
1、相比于普通裂片技术，本实施例使用的裂片方式(快速热处理工艺RTP加微波工艺)，使能量更集中均匀的作用于H+，，使裂片后的SOI膜厚均匀性更好，粗糙度更低。
2、本实施例既能改善注入后的晶格损伤，同时减少裂片后的SOI表面缺陷，提高SOI表面质量。
3、本实施例的裂片工艺，裂片速度快，减少了硅片沾污。
4、本实施例效率高，提高了产能，同时降低了成本。
综合而言，本实施例具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。
实施例2
本实施例为采用RTP加微波的裂片技术制备SOI硅片的方法，其工艺流程如图1所示。该方法以硅片为原材料，依次通过氧化、注入低剂量H+和键合工艺步骤，获得带有H+注入层的键合片，将该键合片采用具有特定工艺参数的RTP加微波的裂片技术处理后，即获得所需SOI硅片。
实施例1
1、取一片8寸P型硅片，其晶向选择可以是<100>或<111>，电阻率选择为重掺杂到高阻。
2、硅片上制备氧化层(二氧化硅)：将步骤1中硅片一侧表面上进行氧化(或两片均可氧化，按实际工艺条件来做)，获得带有氧化层的硅片(二氧化硅作为SOI的BOX层)，氧化采用常规工艺，制备的氧化层(氧化硅)厚度为>0-1000nm；制备的带有氧化层的硅片依次采用SC1、SC2清洗，去除硅片表面污染物，然后使用测试设备测试硅片表面颗粒情况、使用测试设备测试氧化硅的厚度及其他各项参数(比如氧化硅层的颗粒，电学参数)，选择符合要求的硅片用于步骤
3、将带有氧化层的硅片进行注入低剂量的氢离子，注入剂量为1e15～1e18之间，注入深度按照需求来做(一般深度为0-1000nm)。
4、选择一片8寸硅片(bare wafer)，其电阻率和晶向根据需求选取，依次进行DHF、SC1、SC2表面清洗，去除表面自然氧化层及表层可能存在的污染物，使用测试设备测试硅片表面颗粒情况，选择符合要求的硅片备用。
5、键合工艺：将步骤3中注入氢离子的硅片和步骤4中符合要求的硅片进行键合，键合过程激活时间为0-200S；然后进行低温退火，退火时间在0-8小时之间，退火温度在100-350℃之间控制，退火后获得即获得带有H+注入的键合片。
6、对键合片进行RTP加微波的方式裂片：采用RTP单片式工艺，升温至300℃，升温速率为100℃/S，稳定5min；同时施以微波照射，功率2000W，时间1min；之后硅片裂开。
7、通过步骤6得到优质的8寸SOI，进行后续加工，SOI对片按照公司规定进行回收。
对比例1
与实施例1不同之处在于：步骤6采用普通的微波裂片方式获得SOI结构。实施例1与对比例1所得SOI硅片的表面形貌见图2和图3，顶层膜厚均匀性对比见表1。通过对比可以看出，使用本实施例的裂片技术得到的SOI顶层膜厚均匀性包括粗糙度均明显优于对比例1采用普通微波裂片获得的SOI硅片。
表1顶层膜厚均匀性对比表格
以上所述仅为说明本发明的优选实施例，并非用以限定本发明的保护范围；凡其它未脱离发明所公开的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在所述的专利申请和权利要求范围内。
Claims (4)
1.一种采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：满足下述要求：其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入H+和键合工艺步骤，获得带有H+注入层的键合片，然后将该键合片采用快速热处理工艺加微波的方式进行裂片，即能够获得所需SOI硅片；
所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法满足下述要求：裂片过程中采用快速热处理工艺单片式工艺，升温至不超过480℃的所需温度，稳定5-10min，升降温速率为10-200℃/S；
在快速热处理工艺工艺后或工艺中，对键合片施加微波工艺，要求调节微波功率范围在2000-5000W，时间10s-20min。
2.按照权利要求1所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：以硅片为原材料对其进行氧化处理的要求是：对硅片原材料的一侧表面进行氧化处理，使其获得带有氧化层的硅片，其氧化层厚度在>0～1000nm之间。
3.按照权利要求2所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：所述注入H+的工艺步骤具体要求是：对已经带有氧化层的硅片注入H+，注入剂量为1e15～1e18之间，注入深度由注入能量决定，范围在10Kev-500Kev之间。
4.按照权利要求2所述采用快速热处理工艺制备SOI硅片的方法，其特征在于：所述键合工艺步骤具体要求是：再准备一个硅片，其电阻率和晶向根据需求选取，进行表面清洗去除表面自然氧化层及表层污染物后，使用测试设备测试硅片表面颗粒情况，将符合要求的硅片与注入H+的硅片进行键合，两硅片的激活时间为0-200s之间，所得到的键合片再进行100-400℃的低温退火，即获得带有H+注入的键合片。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810371196.3A CN110400773B (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 |
| US16/026,366 US10658226B2 (en) | 2018-04-24 | 2018-07-03 | Method for preparing SOI wafer by using rapid thermal processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810371196.3A CN110400773B (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110400773A CN110400773A (zh) | 2019-11-01 |
| CN110400773B true CN110400773B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=68238244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810371196.3A Active CN110400773B (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10658226B2 (zh) |
| CN (1) | CN110400773B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10991617B2 (en) | 2018-05-15 | 2021-04-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaving of semiconductor substrates |
| FR3108204B1 (fr) * | 2020-03-10 | 2023-10-27 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de suspension d’une couche mince sur une cavité avec effet raidisseur obtenu par pressurisation de la cavité par des espèces implantées |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102832160A (zh) * | 2012-07-24 | 2012-12-19 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种soi硅片的制备方法 |
| CN102969268A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法 |
| CN106992140A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种采用激光裂片技术制备soi硅片的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5496598B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2014-05-21 | 信越化学工業株式会社 | シリコン薄膜転写絶縁性ウェーハの製造方法 |
| JP5673572B2 (ja) * | 2012-01-24 | 2015-02-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| FR2989516B1 (fr) * | 2012-04-11 | 2014-04-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure soi mettant en oeuvre deux rta |
-
2018
- 2018-04-24 CN CN201810371196.3A patent/CN110400773B/zh active Active
- 2018-07-03 US US16/026,366 patent/US10658226B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969268A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法 |
| CN102832160A (zh) * | 2012-07-24 | 2012-12-19 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种soi硅片的制备方法 |
| CN106992140A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种采用激光裂片技术制备soi硅片的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Microwave based technique for ultra-fast and ultra-high temperature thermal processing of compound semiconductors and nano-scale Si semiconductors";Yong-Lai Tian;《17th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors-RTP 2009》;20091231;摘要及全部正文内容 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10658226B2 (en) | 2020-05-19 |
| CN110400773A (zh) | 2019-11-01 |
| US20190326160A1 (en) | 2019-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1744298A (zh) | 一种绝缘体上硅的制作方法 | |
| CN1495849A (zh) | 制造纳米soi晶片的方法及由该法制造的纳米soi晶片 | |
| CN104798176A (zh) | 复合基板的制造方法和复合基板 | |
| CN105190835B (zh) | 混合基板的制造方法和混合基板 | |
| KR101952982B1 (ko) | 복합 웨이퍼의 제조 방법 | |
| CN101101891A (zh) | 绝缘体上硅及其制备工艺 | |
| CN110400773B (zh) | 一种采用快速热处理工艺制备soi硅片的方法 | |
| JP5261960B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| KR20140123505A (ko) | 접합 soi 웨이퍼의 제조방법 | |
| KR20160134661A (ko) | 접합웨이퍼의 제조방법 | |
| CN101188190B (zh) | Soq基板以及soq基板的制造方法 | |
| CN102832160B (zh) | 一种soi硅片的制备方法 | |
| KR20160132017A (ko) | 접합 soi웨이퍼의 제조방법 | |
| JP4624812B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの製造方法 | |
| KR20150030740A (ko) | 〈100〉 실리콘 자기-지지 층의 분리 | |
| CN107146758B (zh) | 带有载流子俘获中心的衬底的制备方法 | |
| CN107154378B (zh) | 绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法 | |
| CN109148317B (zh) | 用于激光裂片技术制备soi硅片的机台 | |
| CN110085509B (zh) | 一种均匀性厚膜soi硅片的制备方法 | |
| JP6273322B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| CN107154347B (zh) | 绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法 | |
| CN110739214A (zh) | 一种减少注入损伤制备soi的方法 | |
| CN106981451B (zh) | 一种去除tm-soi顶层硅缺陷的方法 | |
| CN110085549B (zh) | 一种双面注入得到soi的方法 | |
| CN111146146A (zh) | 一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |