CN110325910A - 多官能光致产酸剂和包含其的用于厚层的化学增幅型光致抗蚀剂组合物 - Google Patents

多官能光致产酸剂和包含其的用于厚层的化学增幅型光致抗蚀剂组合物 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物，其中光致产酸剂具有优异的溶解度和感光度，并且除了作为光致产酸剂的效果之外，还具有抗腐蚀效果。因此，包含所述光致产酸剂的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物减少了在显影之后在曝光部分处的浮渣和/或基脚。

Description

多官能光致产酸剂和包含其的用于厚层的化学增幅型光致抗 蚀剂组合物
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0112690号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本发明涉及光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物。
背景技术
随着用于FAB工艺的小型化技术的应用的扩展，封装技术也已变化为用于制备高性能、薄、短且小的封装件的加工技术。特别地，随着半导体输入/输出端的增加，已扩展倒装芯片的使用并且已引入FOWLP技术，并且已扩展能够实现芯片之间的直接连接的TSV工艺以使信号延迟最小化，并因此对凸起(bump)的需求增加，并且开发凸起PR技术非常重要。
凸起PR应在10μm至100μm的厚膜中具有优异的感光度和分辨率，并且其应具有良好的图案化性能，例如良好的平直度、残留、基脚(footing)、切口等特性，以及对镀覆溶液的优异耐受性以通过镀覆过程形成金属凸起。
因此，为了提高厚膜中的感光度和分辨率，使用化学增幅型光致抗蚀剂，并且已知组合物包含通过酸而离解以增加对碱性显影溶液的溶解度的树脂、光敏产酸剂(光致产酸剂)、酸扩散抑制剂、抗腐蚀剂、和特定的溶解抑制剂。
根据现有技术，使用萘二甲酰亚胺型光致产酸剂，在这种情况下，由于溶解度不好，因此增加含量以提高感光度，但是这具有在显影之后浮渣残留在曝光部分处的限制。因此，需要对能够改善所述缺点的光致产酸剂进行研究。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供光致产酸剂，其具有优异的溶解度和感光度，并且除了作为光致产酸剂的效果之外，还表现出优异的抗腐蚀效果。
本发明的另一个目的是提供包含所述光致产酸剂的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物。
技术方案
根据本发明的一个实施方案，提供了由以下化学式1表示的光致产酸剂。
[化学式1]
在化学式1中，
R1、R2和R6各自独立地为氢、卤素、硫醇(SH)、C1至C10烷基、C1至C10氟烷基、C1至C10烷氧基、C1至C10烷基硫基、或者经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
R1、R2和R6中的至少一者为经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
L1为经取代或未经取代的包含或不包含与氮原子连接的羰基的C1至C4亚烷基，或羰基，
L2为羰基或亚甲基，
R3为氢、C1至C20脂族官能团，或者其与L1一起形成C6至C20芳族环或C5至C20脂族环，以及
R7为C1至C10氟代烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10烷基硫基。
根据本发明的另一个实施方案，提供了包含所述光致产酸剂的用于厚膜的光致抗蚀剂组合物。
在下文中，将详细地说明根据本发明的具体实施方案的光致产酸剂、包含所述光致产酸剂的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物和由其制备的光致抗蚀剂图案。
同时，如本文所用，术语“C1至C20亚烷基二硫醇基”意指这样的官能团：其中线性C1至C20亚烷基位于两个硫醇基之间，并且其与另一官能团键合的点为两个硫醇基中的任一个硫。
此外，如本文所用，意指与另一取代基连接的键。
光致产酸剂
本发明人确定，在用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物中，如果常规萘二甲酰亚胺型光致产酸剂包含经一个或更多个亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，则溶解度可以是优异的，因此可以提高感光度，在显影之后在曝光部分处可以不产生浮渣，并且可以在没有单独的抗腐蚀剂的情况下表现出优异的抗腐蚀效果，并且完成了本发明。
具体地，本发明的光致产酸剂可以由以下化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
R1、R2和R6各自独立地为氢、卤素、硫醇(SH)、C1至C10烷基、C1至C10氟烷基、C1至C10烷氧基、C1至C10烷基硫基、或者经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
R1、R2和R6中的至少一者为经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
L1为经取代或未经取代的包含或不包含与氮原子连接的羰基的C1至C4亚烷基，或羰基，
L2为羰基或亚甲基，
R3为氢、C1至C20脂族官能团，或者与L1一起形成C6至C20芳族环或C5至C20脂族环，以及
R7为C1至C10氟代烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10烷基硫基。
根据本发明的一个实施方案的光致产酸剂具有由化学式1表示的结构，其中R1、R2和R6中的至少一者为经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基。
同时，根据本发明的一个实施方案，C1至C10烷基可以为线性形状的，并且可以具有其中在线性链的相同或不同位置处取代有两个或更多个相同或不同的亚烷基二硫醇基的结构。
由于根据本发明的一个实施方案的光致产酸剂因上述新结构而具有优异的溶解度，并因此可以提高感光度，并且除了作为光致产酸剂的效果之外，还可以表现出优异的抗腐蚀效果，因此其与常规的萘二甲酰亚胺型光致产酸剂相比具有高的适用性。特别地，所述光致产酸剂的抗腐蚀替代效果可以通过在线性烷基处取代的亚烷基二硫醇基表现出来。
此外，根据本发明的一个实施方案的光致产酸剂具有由化学式1表示的结构，其中R3可以为氢或C1至C20脂族官能团，或者可以与L1一起形成C6至C20芳族环或C5至C20脂族环。例如，光致产酸剂可以具有由化学式1表示的结构，其中R3和L1可以一起形成5元环或6元环。
具体地，根据本发明的一个实施方案的光致产酸剂可以具有由化学式1表示的结构，其中R3与L1连接以形成C6至C20芳族环，并且R3为包含至少一个双键的C6至C20亚烯基。例如，形成的芳族环可以为苯或萘。
根据本发明的另一个实施方案的光致产酸剂可以具有由化学式1表示的结构，其中R3与L1连接以形成C5至C20脂族环，并且R3为C5至C20亚烷基。例如，形成的脂族环可以为环己烷。
同时，根据本发明的一个实施方案的光致产酸剂具有化学式1的结构，其中L1为以下化学式2：
[化学式2]
其中，在化学式2中，
R5为包含或不包含与氮原子连接的羰基的C1至C3亚烷基，或羰基，以及R4为氢、C1至C20脂族官能团，或者与R3一起形成选自苯、萘和环己烷中的一种或更多种环。
如上所述的光致产酸剂的具体实例可以包括由以下化学式3至8表示的化合物，但本发明不限于此。
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
在化学式3至8中，n1和n2各自独立地为整数，并且1≤n1≤20且1≤n2≤20。
化学式1的合成可以通过以下进行：将经取代或未经取代的具有一个或更多个双键或三键的烃基引入常规光致产酸剂例如PG-1((三氟甲基磺酰氧基)-1,8-萘二甲酰亚胺)中，并将一个或更多个亚烷基二硫醇基引入双键或三键中。
用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物
根据本发明的另一个实施方案的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物包含上述光致产酸剂。
通常，除了光致产酸剂之外，用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物还可以包含通过酸而离解以增加对碱性显影溶液的溶解度的树脂，以及光引发剂。
通过酸而离解以增加对碱性显影溶液的溶解度的树脂没有特别限制，只要其为具有被保护基团保护的酸基团的聚合物树脂即可，并且酸基团可以为例如羧基、酚羟基等。同时，作为树脂，可以使用本领域公知的聚合物树脂，例如其可以为酚醛清漆树脂、羟基苯乙烯树脂、丙烯酸类树脂等，但其不限于此。
作为光引发剂，可以使用本领域常用的那些，并且其没有特别限制。例如，光引发剂可以选自二苯甲酮、芳族α-羟基酮、苄基缩酮、芳族α-氨基酮、苯基乙醛酸酯、单酰基氧化膦、双酰基氧化膦、三酰基氧化膦、衍生自芳族酮的肟酯、和/或咔唑型肟酯。
此外，除了上述组分之外，用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物还可以包含酸扩散抑制剂、表面活性剂、抗腐蚀剂、溶解抑制剂、溶剂等。
可以包含酸扩散抑制剂以改善曝光之后的稳定性、抗蚀剂图案形状等，例如其可以为选自三乙胺、三丙胺、三苄胺、三羟乙胺和乙二胺中的一者或更多者。
抗腐蚀剂通过光致抗蚀剂剥离组合物发挥使金属图案的腐蚀程度最小化的功能，并且可以没有特别限制地使用本领域常用的那些。
同时，抗腐蚀剂可以为例如基于三唑的化合物、五倍子酸(gallic acid，GA)、或其混合物。抗腐蚀剂可以物理地和化学地吸附至构成金属图案的金属，从而防止金属图案的腐蚀。例如，基于三唑的化合物可以包括苯并三唑(BTA)、甲苯基三唑(TTA)等。然而，如果使用根据本发明的光致产酸剂，则其可以通过化学式1的结构替代抗腐蚀剂，并因此可以不必使用抗腐蚀剂。
同时，作为溶解抑制剂，可以没有特别限制地使用本领域公知的那些。
可以包含溶剂以将各种组分均匀地溶解和混合并控制光致抗蚀剂组合物的粘度，并且其可以为例如：酮，例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异戊基酮、2-庚酮等；多元醇及其衍生物，例如乙二醇、乙二醇单乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇单乙酸酯、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、二丙二醇、单甲醚、单乙醚、单丙醚、单丁醚、二丙二醇单乙酸酯的单苯醚等；环醚，例如二烷等；酯，例如甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、乙酰乙酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羟基丙酸甲酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、甲基2-羟基-3-甲基丁酸、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯等；或芳族烃，例如甲苯、二甲苯等。它们可以单独使用或者以其两种或更多种的组合使用。
同时，在用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物中，基于100重量份的通过酸而离解以增加对碱性显影溶液的溶解度的树脂，光致产酸剂可以以0.5重量份至10重量份的含量包含在内，溶剂可以以1重量份至10重量份的含量包含在内，表面活性剂可以以0.01重量份至1重量份的含量包含在内。此外，基于100重量份的光致产酸剂，酸扩散抑制剂可以以0.001重量份至0.1重量份的含量包含在内。如果组分以上述范围包含在光致抗蚀剂组合物中，则光致抗蚀剂组合物的溶解度和感光度可以由于亚烷基二硫醇基而提高，并且可以同时表现出抗腐蚀替代效果，因此减少显影之后的浮渣和/或基脚。
有益效果
根据本发明的光致产酸剂具有优异的溶解度和感光度，并且除了作为光致产酸剂的效果之外，还具有优异的抗腐蚀效果。
因此，包含所述光致产酸剂的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物可以在显影之后在曝光部分处具有减少的浮渣和/或基脚。
具体实施方式
虽然可以对本发明做出多种修改，并且本发明可以具有多种形式，但是以下将详细地例示和说明具体实施例。然而，应理解，这些实施例不旨在将本发明限于具体的公开内容，并且在不脱离本发明的精神和技术范围的情况下，本发明包括其所有修改、等同方案或替代方案。
在下文中，将通过具体实施例更详细地说明本发明的作用和效果。然而，这些实施例仅作为本发明的示例而呈现，并且本发明的权利范围不由此确定。
<光致产酸剂的制备例>
制备例1
通过以上合成过程制备NIT-2SH。具体的合成过程如下。
化合物2的合成
向容纳有化合物1(1.0当量)的烧瓶中，添加1-戊炔(1.5当量)、乙酸钯(3摩尔％)、1,3,5-三氮杂-7-磷杂金刚烷(9摩尔％)和碳酸铯(1.5当量)，并引入乙腈，将溶液在80℃下搅拌24小时。在反应结束之后，添加水，将溶液用二氯甲烷萃取三次。将在萃取之后获得的有机层用硫酸镁干燥并过滤，然后除去溶剂。通过柱色谱法纯化，以85％的产率获得了23g化合物2。
化合物3的合成
向容纳有化合物2(1.0当量)的烧瓶中，添加HO-NH3Cl(盐酸羟胺，1.5当量)和NaHCO3(1.5当量)，并引入乙醇，将溶液回流1小时，然后除去溶剂。添加水和HCl(1N)，将产生的无色固体过滤，然后用二乙醚洗涤从而以73％的产率获得16g化合物3。
化合物4的合成
将化合物3(1.0当量)溶解在氯仿中，然后添加吡啶(1.5当量)，将溶液冷却至0℃。缓慢添加Tf2O(三氟甲磺酸酐，1.3当量)，并将混合物在室温下搅拌3小时。在反应结束之后，添加水，将分离的有机层用NaOH的水溶液(0.2N)、HCl(1N)和水洗涤，然后用硫酸镁干燥并过滤，然后除去溶剂。通过柱色谱法纯化，以43％的产率获得了8.3g化合物4。
NIT-2SH的合成
在容纳有化合物4(1.0当量)的烧瓶中，添加V-65(1.2当量)和1,2-乙二硫醇(10当量)，引入PGMEA，在65℃下进行硫醇-烯点击反应3小时，由此制备NIT-2SH结构的化合物。在反应结束之后，添加水，将分离的有机层用水洗涤，用硫酸镁干燥，过滤，然后除去溶剂。通过柱色谱法纯化，以24％的产率获得了3.1g NIT-2SH。
比较制备例1
可商购。
实施例
用下表1中所述的组分和含量制备实施例1至4和比较例1至4的正性光致抗蚀剂组合物。在此，由以下化学式9和10表示的化合物为丙烯酸类树脂，由以下化学式11表示的化合物为PHS树脂，NIT-2SH和NIT为光敏光致产酸剂化合物(PAG)，猝灭剂为酸扩散抑制剂。
[丙烯酸类树脂1，化学式9]
[丙烯酸类树脂2，化学式10]
[化学式11]
光致抗蚀剂组合物的组分和含量示于下表1中。
[表1]
(单位：重量份)
同时，表1中所述的含量基于固体含量，丙烯酸类树脂和PHS树脂的总和为100重量份，并且基于100重量份的丙烯酸类树脂和PHS树脂的总和，NIT-2SH或NIT分别为3重量份，猝灭剂为0.01重量份。
性能评估
(1)溶解度
根据以下标准评估实施例1至4和比较例1至4中制备的光致抗蚀剂组合物在制备之后直至完全溶解所花费的时间。结果示于下表2中。
◎：在制备之后30分钟内溶解
○：在制备之后2小时内溶解
△：在制备之后8小时内溶解
X：在制备之后24小时内溶解
(2)感光度
将实施例1至4和比较例1至4中制备的光致抗蚀剂组合物旋涂在Si基底上，在120℃的热板上干燥2小时，然后使用步进掩模对其进行曝光，在100℃的热板上另外干燥2分钟，然后在TMAH(氢氧化四甲基铵)的水溶液中显影。将使它们显影至底部而没有残留浮渣时的曝光量评估为感光度。结果示于表2中。
(3)抗腐蚀效果＝在显影之后曝光部分的基脚的差异
将实施例1至4和比较例1至4中制备的光致抗蚀剂组合物旋涂在Si基底上，在120℃的热板上干燥2小时，然后使用步进掩模对其进行曝光，在100℃的热板上另外干燥2分钟，然后在TMAH(氢氧化四甲基铵)的水溶液中显影。将从厚膜抗蚀剂图案的顶部孔径到底部孔径减小的值测量为基脚长度，其为可显影性的指标。根据以下标准测量可显影性，并且结果示于表2中。
◎：基脚长度大于0nm且小于500nm
○：基脚长度大于500nm且小于1μm
△：基脚长度大于1μm且小于2μm
X：基脚长度大于2μm
[表2]
溶解度 感光度(曝光量，mJ/cm<sup>2</sup>) 基脚长度
实施例1 ◎ 340 ◎
实施例2 ◎ 510 ○
实施例3 ◎ 380 ◎
实施例4 ◎ 550 ○
比较例1 △ 740 X
比较例2 X 990 X
比较例3 △ 800 X
比较例4 X 990 X
从表2可以确定，与根据比较例1至4的光致抗蚀剂组合物相比，根据本发明的实施例1至4的光致抗蚀剂组合物在溶解度、感光度和可显影性(抗腐蚀效果)方面表现出优异的效果。

Claims (6)

1.一种由以下化学式1表示的光致产酸剂：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
R1、R2和R6各自独立地为氢、卤素、硫醇(SH)、C1至C10烷基、C1至C10氟烷基、C1至C10烷氧基、C1至C10烷基硫基、或者经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
R1、R2和R6中的至少一者为经一个或更多个C1至C20亚烷基二硫醇基取代的C1至C10烷基，
L1为经取代或未经取代的包含或不包含与氮原子连接的羰基的C1至C4亚烷基，或羰基，
L2为羰基或亚甲基，
R3为氢、C1至C20脂族官能团，或者与L1一起形成C6至C20芳族环或C5至C20脂族环，以及
R7为C1至C10氟代烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10烷基硫基。
2.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其中R3与L1连接以形成C6至C20芳族环，并且R3为包含至少一个双键的C6至C20亚烯基。
3.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其中R3与L1连接以形成C5至C20脂族环，并且R3为C5至C20亚烷基。
4.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其中
化学式1的L1为以下化学式2：
[化学式2]
其中，在化学式2中，
R5为包含或不包含与氮原子连接的羰基的C1至C3亚烷基，或羰基，
R4为氢、C1至C20脂族官能团，或者与R3一起形成选自苯、萘和环己烷中的一种或更多种环。
5.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其中所述光致产酸剂为选自由以下化学式3至化学式8表示的化合物中的一者或更多者：
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
其中，在化学式3至8中，
n1和n2各自独立地为整数，并且1≤n1≤20且1≤n2≤20。
6.一种用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物，包含根据权利要求1至5中任一项所述的光致产酸剂。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7022009B2 (ja) * 2018-06-11 2022-02-17 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030064315A1 (en) * 2001-03-27 2003-04-03 Korea Research Institute Of Chemical Technology Reactive photo acid-generating agent and heat-resistant photoresist composition with polyamide precursor
US20100028807A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Imide Compound and Chemically Amplified Resist Composition Containing The Same
KR20120114353A (ko) * 2010-01-13 2012-10-16 가부시키가이샤 아데카 신규 설폰산 유도체 화합물 및 신규 나프탈산 유도체 화합물
CN102911094A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 锦湖石油化学株式会社 锍化合物、光致产酸剂及抗蚀剂组合物
KR20150087846A (ko) * 2012-11-12 2015-07-30 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. 방향족 이미드 화합물 및 그 제조 방법
KR20160048144A (ko) * 2013-09-30 2016-05-03 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
CN106715398A (zh) * 2014-09-18 2017-05-24 贺利氏贵金属北美代顿有限责任公司 于抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5715892B2 (ja) 2011-06-17 2015-05-13 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物
EP2998297A1 (en) 2014-09-18 2016-03-23 Heraeus Materials Korea Corporation Photo-acid generating compounds, compositions comprising said compounds, composite and process for making said composite as well as uses of said compounds
US9477150B2 (en) 2015-03-13 2016-10-25 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
JP6584362B2 (ja) 2016-04-27 2019-10-02 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030064315A1 (en) * 2001-03-27 2003-04-03 Korea Research Institute Of Chemical Technology Reactive photo acid-generating agent and heat-resistant photoresist composition with polyamide precursor
US20100028807A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Imide Compound and Chemically Amplified Resist Composition Containing The Same
KR20120114353A (ko) * 2010-01-13 2012-10-16 가부시키가이샤 아데카 신규 설폰산 유도체 화합물 및 신규 나프탈산 유도체 화합물
CN102911094A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 锦湖石油化学株式会社 锍化合物、光致产酸剂及抗蚀剂组合物
KR20150087846A (ko) * 2012-11-12 2015-07-30 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. 방향족 이미드 화합물 및 그 제조 방법
KR20160048144A (ko) * 2013-09-30 2016-05-03 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
CN106715398A (zh) * 2014-09-18 2017-05-24 贺利氏贵金属北美代顿有限责任公司 于抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物

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