CN110317206A - 一种以三芳胺为核心的化合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种以三芳胺为核心的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示： 通式(1)。本发明还公开了上述化合物的应用。本发明的化合物以三芳胺为核心，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，较高Eg，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

Description

一种以三芳胺为核心的化合物及其应用
技术领域
本发明涉及一种以三芳胺为核心的化合物及其应用，属于半导体技术领域。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。OLED发光器件作为电流器件，当对其两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷时，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。目前对OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压、提高器件的发光效率、提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能的OLED功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电性能，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包括空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现也可能完全迥异。
因此，针对当前OLED器件的产业应用要求以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合、性能更高的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前的OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的之一，是提供一种以三芳胺为核心的化合物。本发明的化合物以三芳胺为核心，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，较高Eg，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种以三芳胺为核心的化合物，该化合物的结构如通式(1)所示：
通式(1)中，L1表示为单键、C6-C60亚芳基、C6-C60芳基或C5-C60杂芳基，所述C6-C60芳基或C5-C60杂芳基的任一H原子可被C1-C10的烷基取代；
R1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构：
通式(2)、通式(3)、通式(4)和通式(5)中，U、V、Y、Z出现时相同或不同的表示为N原子或C-R2，R2出现时相同或不同的表示为氢原子、氰基或C1-C20直链或支链取代的烷基、具有5-30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系；
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8表示为氧原子、硫原子、烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚甲基、烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基，且当X3表示为烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基时，X4仅表示为氧原子或硫原子，所述烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基的任一H原子可被C1-C10的烷基取代。
本发明的化合物为三芳胺类化合物，三芳胺类结构使得其有很强的空穴传输能力，空穴迁移率高，可作为空穴传输材料使用，高的空穴传输速率能够提高有机电致发光器件的效率；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率，降低高电流密度下的效率滚降，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命。
本发明的化合物以三芳胺为中心，连接的3个支链呈放射状，材料成膜后，各支链可相互交叉形成致密性高的膜层，从而降低材料在OLED器件应用后的漏电流，因此提高器件使用寿命。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述通式(1)中，L1表示为单键、亚苯基、亚联苯基、亚三苯基、亚萘基或亚吡啶基中的一种，所述亚苯基、亚联苯基、亚三苯基、亚萘基或亚吡啶基的任一H原子可被甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基取代；
通式(2)、通式(3)、通式(4)和通式(5)中，U、V、Y、Z出现时相同或不同的表示为N原子或C-R2，R2出现时相同或不同的表示为氢原子、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、三苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基中的一种，其中所述甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、三苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基的任一H原子可被甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基或联苯基取代；X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8表示为氧原子、硫原子、二甲基取代的亚甲基、苯基取代的亚胺基、联苯基取代的亚胺基、二苯并呋喃基取代的亚胺基或9,9-二甲基芴基取代的亚胺基。
更进一步，所述化合物的具体结构式为：
中的任意一种。本发明的目的之二，是提供一种有机电致发光器件。本发明的化合物在OLED器件应用时，通过器件结构优化，可保持高的膜层稳定性，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命，本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种有机电致发光器件，至少一层功能层含有上述以三芳胺为核心的化合物。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述功能层为发光层和/或电子阻挡层和/或空穴传输层。
本发明的目的之三，是提供一种照明或显示元件。本发明的有机电致发光器件可以应用在照明或显示原件，使器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种照明或显示元件，包括如上所述的有机电致发光器件。
本发明的有益效果是：
1.本发明的化合物为三芳胺类化合物，并且为芳胺接双二甲基芴类化合物，芳胺接双二甲基芴类结构使得其有很强的空穴传输能力，空穴迁移率高，可作为空穴传输材料使用，高的空穴传输速率能够提高有机电致发光器件的效率；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率，降低高电流密度下的效率滚降，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命。
2.本发明的化合物以三芳胺为中心，连接的3个支链呈放射状，材料成膜后，各支链可相互交叉形成致密性高的膜层，从而降低材料在OLED器件应用后的漏电流，因此提高器件使用寿命。
3.本发明的化合物在OLED器件应用时，通过器件结构优化，可保持高的膜层稳定性，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命，本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
4.本发明提供的化合物具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，较高Eg，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
附图说明
图1为本发明化合物应用的器件结构示意图，其中，各标号所代表的部件如下：
1、透明基板层，2、ITO阳极层，3、空穴注入层，4、空穴传输层a，5、空穴传输层b，6、发光层，7、电子传输层，8、电子注入层，9、阴极反射电极层。
图2为本发明OLED器件的电流效率随温度的变化曲线。
图3为本发明器件实施例1与器件比较例1所制作的器件进行反向电压的漏电流测试曲线图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
合成例1(中间体1的合成)
将0.1mol原料2-氨基-9,9-二甲基芴与0.12mol原料2-溴-9,9-二甲基芴溶解于500mL无水甲苯中，除氧后加入0.005mol Pd2(dba)3和0.15mol三叔丁基磷,在惰性气氛下110℃反应24小时,反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸，除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体1；元素分析结构(分子式C30H27N)：理论值C,89.73；H,6.78；N,3.49；测试值：C,89.74；H,6.78；N,3.48；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为401.55，实测值为401.90。
合成例2(中间体2的合成)
将0.02mol中间体1与0.024mol1,4-二溴苯溶解于300mL无水甲苯中，除氧后加入0.001mol Pd2(dba)3和0.03mol三叔丁基磷,在惰性气氛下110℃反应24小时,反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸，除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体2；元素分析结构(分子式C36H30BrN)：理论值C,77.69；H,5.43；Br,14.36；N,2.52；测试值：C,77.68；H,5.43；Br,14.36；N,2.53；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为556.55，实测值为556.84。
合成例3(中间体3的合成)
合成例2中，除了使用1,3-二溴苯来代替1,4-二溴苯之外，同样地进行反应后，得到中间体3；元素分析结构(分子式C36H30BrN)：理论值C,77.69；H,5.43；Br,14.36；N,2.52；测试值：C,77.69；H,5.43；Br,14.37；N,2.53；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为556.55，实测值为556.74。
合成例4(中间体4的合成)
在惰性气氛下，称取0.01mol中间体2、0.0075mol双(频哪醇合)二硼、0.0005molPd(dppf)Cl2和0.022mol醋酸钾溶于150ml甲苯中，100-120℃下反应12-24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，得到粗产品，过中性硅胶柱，得到中间体4；元素分析结构(分子式C36H32BNO2)：理论值C,82.92；H,6.19；B,2.07；N,2.69；测试值：C,82.92；H,6.19；B,2.07；N,2.68；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为521.47，实测值为521.84。
合成例5(中间体5的合成)
合成例4中，除了使用中间体3来代替中间体2之外，同样地进行反应后，得到中间体5；元素分析结构(分子式C36H32BNO2)：理论值C,82.92；H,6.19；B,2.07；N,2.69；测试值：C,82.93；H,6.19；B,2.07；N,2.68；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为521.47，实测值为521.93。
合成实施例1(化合物10的合成)
将0.01mol中间体1与0.012mol原料1溶解于50mL无水甲苯中，除氧后加入0.0005mol Pd2(dba)3和0.015mol三叔丁基磷,在惰性气氛下110℃反应24小时,反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸，除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到化合物10；元素分析结构(分子式C51H41NO)：理论值C,89.57；H,6.04；N,2.05；测试值：C,89.57；H,6.04；N,2.04；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为683.89，实测值为684.41。
合成实施例2(化合物29的合成)
合成实施例1中，除了使用原料2来代替原料1之外，同样地进行反应后，得到化合物29；元素分析结构(分子式C54H40N2O)：理论值C,88.49；H,5.50；N,3.82；测试值：C,88.49；H,5.50；N,3.82；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为732.93，实测值为733.43。
合成实施例3(化合物51的合成)
合成实施例1中，除了使用原料3来代替原料1之外，同样地进行反应后，得到化合物51；元素分析结构(分子式C51H41NO)：理论值C,89.57；H,6.04；N,2.05；测试值：C,89.56；H,6.04；N,2.05；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为683.89，实测值为684.31。
合成实施例4(化合物74的合成)
合成实施例1中，除了使用原料4来代替原料1之外，同样地进行反应后，得到化合物74；元素分析结构(分子式C54H47N)：理论值C,91.35；H,6.67；N,1.97；测试值：C,91.35；H,6.67；N,1.98；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为709.98，实测值为710.12。
合成实施例5(化合物99的合成)
将0.01mol中间体4和0.012mol原料5溶解于甲苯和乙醇的150mL
(V甲苯：V乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh3)4和0.02mol K2CO3，在惰性气氛下110℃反应24小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到化合物99；元素分析结构(分子式C60H44N2O)：理论值C,89.08；H,5.48；N,3.46；测试值：C,89.08；H,5.48；N,3.47；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为809.02，实测值为809.44。
合成实施例6(化合物113的合成)
合成实施例5中，除了使用原料6来代替原料5之外，同样地进行反应后，得到化合物113；元素分析结构(分子式C57H45NO)：理论值C,90.08；H,5.97；N,1.84；测试值：C,90.08；H,5.97；N,1.83；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为759.99，实测值为760.21。
合成实施例7(化合物121的合成)
合成实施例5中，除了使用原料7来代替原料5之外，同样地进行反应后，得到化合物121；元素分析结构(分子式C60H44N2O)：理论值C,89.08；H,5.48；N,3.46；测试值：C,89.08；H,5.48；N,3.47；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为809.02，实测值为809.54。
合成实施例8(化合物132的合成)
合成实施例5中，除了使用原料3来代替原料5之外，同样地进行反应后，得到化合物132；元素分析结构(分子式C57H45NO)：理论值C,90.08；H,5.97；N,1.84；测试值：C,90.07；H,5.97；N,1.84；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为759.99，实测值为760.11。
合成实施例9(化合物143的合成)
合成实施例5中，除了使用原料8来代替原料5之外，同样地进行反应后，得到化合物143；元素分析结构(分子式C63H50N2)：理论值C,90.61；H,6.04；N,3.35；测试值：C,90.60；H,6.04；N,3.36；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为835.11，实测值为835.64。
合成实施例10(化合物165的合成)
合成实施例5中，除了使用原料9来代替原料5之外，同样地进行反应后，得到化合物165；元素分析结构(分子式C63H50N2)：理论值C,90.61；H,6.04；N,3.35；测试值：C,90.61；H,6.03；N,3.36；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为835.11，实测值为835.22。
合成实施例11(化合物187的合成)
合成实施例5中，除了使用原料10来代替原料5，用中间体5来代替中间体4之外，同样地进行反应后，得到化合物187；元素分析结构(分子式C63H50N2)：理论值C,90.61；H,6.04；N,3.35；测试值：C,90.62；H,6.03；N,3.35；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为835.11，实测值为835.36。
合成实施例12(化合物201的合成)
合成实施例5中，除了使用原料11来代替原料5，用中间体5来代替中间体4之外，同样地进行反应后，得到化合物201；元素分析结构(分子式C60H51N)：理论值C,91.68；H,6.54；N,1.78；测试值：C,91.69；H,6.54；N,1.77；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为786.07，实测值为786.63。
合成实施例13(化合物214的合成)
合成实施例5中，除了使用原料12来代替原料5，用中间体5来代替中间体4之外，同样地进行反应后，得到化合物214；元素分析结构(分子式C60H44N2O)：理论值C,89.08；H,5.48；N,3.46；测试值：C,89.08；H,5.48；N,3.45；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为809.02，实测值为809.66。
合成实施例14(化合物225的合成)
合成实施例5中，除了使用原料13来代替原料5，用中间体5来代替中间体4之外，同样地进行反应后，得到化合物225；元素分析结构(分子式C60H44N2O)：理论值C,89.08；H,5.48；N,3.46；测试值：C,89.07；H,5.48；N,3.45；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为809.02，实测值为809.76。
合成实施例15(化合物244的合成)
合成实施例5中，除了使用原料14来代替原料5，用中间体5来代替中间体4之外，同样地进行反应后，得到化合物244；元素分析结构(分子式C63H50N2)：理论值C,90.61；H,6.04；N,3.35；测试值：C,90.60；H,6.04；N,3.36；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为835.11，实测值为835.87。
以下通过实施例1-15和比较例1、2、3详细说明本发明合成的化合物在器件中作为空穴传输层材料的应用效果。各实施例得到的器件的结构组成如表1所示。所得器件的测试结果见表2所示。
器件实施例1
透明基板层/ITO阳极层/空穴注入层(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层a(NPB，厚度40nm)/空穴传输层b(化合物10，厚度80nm)/发光层(CBP和GD19按照100：5的重量比混掺，厚度40nm)/电子传输层(TPBI，厚度40nm)/电子注入层(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层(Al)。涉及到的材料结构式如下：
具体制备过程如下：
如图1所示，透明基板层1为透明基材，如透明PI膜、玻璃等。对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼MoO3作为空穴注入层3使用。接着蒸镀40nm厚度的NPB作为空穴传输层a。紧接着蒸镀80nm厚度的化合物10作为空穴传输层b。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，其结构包括OLED发光层6所使用CBP作为主体材料，GD19作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为40nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为TPBI。该材料的真空蒸镀膜厚为40nm，此层为电子传输层7。在电子传输层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层，此层为电子注入层8。在电子注入层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(Al)层，此层为阴极反射电极层9使用。如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率以及器件的寿命。
表1
表2
说明:寿命测试系统为本发明所有权人与上海大学共同研究的OLED器件寿命测试仪。
由表2的结果可以看出本发明所述化合物可应用于OLED发光器件制作，并且与比较例1、2、3相比，无论是效率还是寿命均获得较大改观，特别是器件的驱动寿命获得较大的提升。
从实施例所提供的测试数据来看，本发明化合物作为空穴传输层材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。进一步的本发明材料制备的OLED器件在低温及高温下工作时效率也比较稳定，将器件实施例2、7、12和器件比较例1、比较例2、比较例3在-10～80℃区间进行效率测试，所得结果如表3和图2所示。
表3
从表3和图2的数据可知，器件实施例2、7、12为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，和器件比较例1、比较例2、比较例3相比，不仅低温效率高，而且在温度升高过程中，效率平稳升高。
为进一步测试本发明化合物所产生的有益效果，将本发明器件实施例1和器件比较例1所制作器件进行反向电压的漏电流测试，测试数据如图3所示。从图3中可得知，应用本发明化合物的器件实施例1和器件比较例1所制作器件相比，漏电流很小，且电流曲线稳定，因此，本发明材料应用于器件制作后，具有较长使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种以三芳胺为核心的化合物，其特征在于，该化合物的结构如通式(1)所示：
通式(1)中，L1表示为单键、C6-C60亚芳基、C6-C60芳基或C5-C60杂芳基，所述C6-C60芳基或C5-C60杂芳基的任一H原子可被C1-C10的烷基取代；
R1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构：
通式(2)、通式(3)、通式(4)和通式(5)中，U、V、Y、Z出现时相同或不同的表示为N原子或C-R2，R2出现时相同或不同的表示为氢原子、氰基或C1-C20直链或支链取代的烷基、具有5-30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系；
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8表示为氧原子、硫原子、烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚甲基、烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基，且当X3表示为烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基时，X4仅表示为氧原子或硫原子，所述烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基的任一H原子可被C1-C10的烷基取代。
2.根据权利要求1所述的一种以三芳胺为核心的化合物，其特征在于，所述通式(1)中，L1表示为单键、亚苯基、亚联苯基、亚三苯基、亚萘基或亚吡啶基中的一种，所述亚苯基、亚联苯基、亚三苯基、亚萘基或亚吡啶基的任一H原子可被甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基取代；
通式(2)、通式(3)、通式(4)和通式(5)中，U、V、Y、Z出现时相同或不同的表示为N原子或C-R2，R2出现时相同或不同的表示为氢原子、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、三苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基中的一种，其中所述甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、三苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基的任一H原子可被甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基或联苯基取代；X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8表示为氧原子、硫原子、二甲基取代的亚甲基、苯基取代的亚胺基、联苯基取代的亚胺基、二苯并呋喃基取代的亚胺基或9,9-二甲基芴基取代的亚胺基。
3.根据权利要求1所述的一种以三芳胺为核心的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构式为：
中的任意一种。
4.一种有机电致发光器件，其特征在于，至少一层功能层含有权利要求1-3任一项所述的以三芳胺为核心的化合物。
5.根据权利要求4所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层为发光层和/或电子阻挡层和/或空穴传输层。
6.一种照明或显示元件，其特征在于，包括如权利要求4或5所述的有机电致发光器件。
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