CN110313026A - 半导体装置、显示装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种降低包括在显示装置中的源极驱动器的功耗并抑制发热的方法。在通过源极线对每个像素供应图像数据的数据信号的显示装置中，包括源极驱动器，每个源极线电连接到源极驱动器，并且源极驱动器具有驱动源极线的功能。在图像数据的数据信号的变化量小的情况下，换言之，在可以以小电力对源极线进行充放电的情况下，源极驱动器减小输出级的晶体管的外观上的尺寸，而可以降低功耗。此外，可以减少发热量。

Description

半导体装置、显示装置及电子设备
技术领域
本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置。特别是，本发明的一个实施方式涉及一种显示装置所包括的源极驱动器。
注意，本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。
作为本说明书等所公开的本发明的一个实施方式的技术领域的具体例子，可以举出半导体装置、显示装置、电子设备、它们的驱动方法或它们的制造方法。在本说明书等中，半导体装置通常是指能够通过利用半导体特性而工作的装置。例如，集成电路、包括集成电路的芯片、包括封装芯片的电子构件、包括集成电路的电子设备是半导体装置的例子。
背景技术
随着电视(TV)等显示装置的大屏幕化，对高分辨率图像(即，像素数多的图像)的需求增加。在日本，2015年开始了具有全高清(全HD)的四倍的像素的被称为ultra-highdefinition(也称为“4K分辨率”、“4K2K”和“4K”)的高分辨率电视用广播服务。此外，2016年开始了具有ultra-high definition的四倍的像素的super-high definition(也称为“8K分辨率”、“8K4K”和“8K”)的超高分辨率电视用广播服务。此外，正在开发用于super-highdefinition的电子设备(非专利文献1)。
这里，被称为全高清的显示装置通常包括1920×1080个像素，被称为ultra-highdefinition的显示装置通常包括3840×2160个像素，并且被称为super-high definition的显示装置通常包括7680×4320个像素。
此外，期望显示装置的帧频增加。帧频是显示装置每秒重写显示图像的次数。通过增加帧频，实现没有闪烁的动态图像的流畅显示。全高清的帧频为30Hz左右(60Hz隔行扫描)或60Hz左右，另一方面，super-high definition的目标值是120Hz。
[参考文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2010/095306号
[非专利文献]
[非专利文献1]S.Kawashima，et al.，“13.3-In.8K×4K 664-ppi OLED DisplayUsing CAAC-OS FETs，”SID 2014DIGEST，pp.627-630.
发明内容
对显示装置的每个像素通过源极线供应图像数据的数据信号。源极线电连接到显示装置中的源极驱动器，并且源极驱动器具有驱动源极线的功能。集成电路(IC)(也称为驱动器IC)被用于源极驱动器。
这里，当帧频增加时，用于对源极线进行充放电的时间减少。此外，当显示装置的像素数增加时，通过源极线供应给像素的数据信号的数据量增加，并且用于对源极线进行充放电的时间减少。为了在短时间内对源极线进行充放电，需要提高源极驱动器的驱动能力。
此外，当源极线随着显示装置的大屏幕化而变长时，源极线的寄生电容增加，因此，需要提高源极驱动器的驱动能力。在这种情况下，为了提高源极驱动器的驱动能力，需要增加源极驱动器的输出级的晶体管尺寸。但是，存在功耗增加的问题。
随着源极驱动器的功耗增加，发热量变大。当显示装置的像素数增加时，源极线的数量增加。当源极驱动器的布置密度增加时，有源极驱动器的温度升过高的问题。除了源极驱动器的功耗增加的问题之外，还需要考虑源极驱动器的温度。
例如，在专利文献1中公开了一种通过在源极驱动器和像素之间设置通过时分将源极驱动器的输出信号分配到多个输出端子的开关来抑制源极驱动器的发热的方法。但是，对源极驱动器的输出信号进行时分的方法不适合于需要在短时间内进行源极线的充放电的显示装置。
本发明的一个实施方式的目的是提供一种功耗低的新颖的源极驱动器。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种功耗低且发热量少的新颖的源极驱动器。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种功耗低的新颖的半导体装置。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种功耗低且发热量少的新颖的半导体装置。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种使用新颖的源极驱动器的显示装置。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种包括使用新颖的源极驱动器的显示装置的电子设备。
注意，本发明的一个实施方式并不需要实现所有上述目的，只要实现至少一个目的即可。上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。可以从说明书、权利要求书、附图等的记载中导出并衍生出上述以外的目的。
本发明的一个实施方式是一种半导体装置，该半导体装置包括数据寄存器、控制器、D/A转换器及缓冲放大器。数据寄存器具有储存第一数据和第二数据的功能，并交替地将第一数据和第二数据输出到D/A转换器。D/A转换器具有将从数据寄存器输入的第一或第二数据转换为模拟信号的功能。缓冲放大器具有放大模拟信号并在预定时间内进行预定负载的充放电的功能。控制器计算第一数据和第二数据的变化量，当变化量小于预定量时，使缓冲放大器所包括的部分晶体管无效。
本发明的另一个实施方式是一种显示装置，该显示装置包括像素阵列及源极驱动器。像素阵列包括源极线和像素。源极驱动器包括数据寄存器、控制器、D/A转换器和缓冲放大器。数据寄存器具有储存第一图像数据和第二图像数据的功能，并交替地将第一图像数据和第二图像数据输出到D/A转换器。D/A转换器具有将从数据寄存器输入的第一或第二图像数据转换为模拟信号的功能。缓冲放大器具有放大模拟信号并在预定时间内将放大的数据供应给源极线的功能。控制器计算第一图像数据和第二图像数据的变化量，当变化量小于预定量时，使缓冲放大器所包括的部分晶体管无效。
此外，在上述实施方式中，像素阵列包括栅极线。像素在与源极线平行的方向上以及与栅极线平行的方向上以矩阵状排列。在与源极线平行的方向上排列的像素数是栅极线的数量的N倍(N是2以上的整数)，并且在与栅极线平行的方向上排列的像素数是源极线的数量的1/N倍。
在上述实施方式中，像素包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。
通过根据负载而改变源极驱动器的输出级的晶体管的数量，可以改变晶体管的外观上的尺寸，而可以降低功耗。因此，在用于对源极线进行充放电的电力小的情况下，可以减小源极驱动器的输出级的晶体管尺寸，而可以降低功耗。
在本发明中，可以在增加源极驱动器的驱动能力的同时降低功耗。此外，可以减少发热量。因此，可以提供能够实现可对应显示装置的大屏幕化、像素数的增加、帧频的增加等的驱动能力以及低功耗的源极驱动器。即使源极驱动器的布置密度增加，也可以解决源极驱动器的温度升过高的问题。
根据本发明的一个实施方式，可以提供一种新颖结构的源极驱动器。此外，可以提供一种新颖结构的半导体装置。此外，可以提供一种包括新颖结构的源极驱动器的显示装置。此外，可以提供一种具有包括新颖结构的源极驱动器的显示装置的电子设备。
注意，本发明的一个实施方式的效果不限定于上述效果。上述效果并不妨碍其他效果的存在。其他效果是在下文记载中说明的、上文中未说明的效果。所属技术领域的普通技术人员可以从说明书、附图等的记载导出并适当地衍生出该在上文中未说明的效果。本发明的一个实施方式具有上述效果和其他效果中的至少一个效果。因此，本发明的一个实施方式有时不具有上述效果。
附图说明
图1是显示装置的结构例子的俯视图。
图2是示出显示装置的结构例子的方框图。
图3是示出显示装置的结构例子的方框图。
图4A是示出源极驱动器的结构例子的方框图，图4B是示出对源极线进行充电时的电位变化的图表。
图5是示出缓冲放大器的结构例子的电路图。
图6是与控制器及缓冲放大器有关的流程图。
图7A和图7B是示出像素的结构例子的电路图。
图8A和图8B是示出像素的结构例子的截面图。
图9A至图9C示出电子设备的结构。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。但是，实施方式可以通过多种形式实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以在不脱离本发明的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式的记载内容中。可以适当地组合下面所示的实施方式。
此外，在实施方式中说明的显示装置是包括像素阵列、栅极驱动器、源极驱动器等的半导体装置。因此，有时将显示装置换称为半导体装置、电子设备等。
在附图等中，为了方便起见，有时夸大表示大小、层的厚度或区域，因此，并不一定限定于附图所示的尺寸。附图是理想例子的示意图，本发明的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
在附图等中，有时使用同一附图标记表示同一构成要素、具有相同功能的构成要素、由同一材料形成的构成要素、同时形成的构成要素等，并且有时省略重复说明。
在本说明书等中，可以将“膜”和“层”相互调换。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
在本说明书等中，“上”和“下”等表达配置的词句不一定需要在构成要素的位置关系的记载中意味着“直接在…之上”和“直接在…之下”。例如，“栅极绝缘层上的栅电极”可以是指在栅极绝缘层和栅电极之间有另一构成要素的情况。
在本说明书等中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此也包括该角度为85°以上且95°以下的状态。
在本说明书等中，“第一”、“第二”、“第三”等的序数词是为了避免构成要素的混淆而使用的，而不是用于在数目方面上进行限制。
在本说明书等中，“电连接”包括构成要素通过“具有某种电作用的元件”连接的情况。只要可以进行连接对象间的电信号的授受，就对“具有某种电作用的元件”没有特别的限制。作为“具有某种电作用的元件”的例子，除了电极和布线之外，还有晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、具有各种功能的元件。
注意，在本说明书等中，“电压”大多是指某个电位与基准电位(例如，接地电位)之间的差。由此，可以将“电压”换称为“电位差”。
在本说明书等中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏极端子、漏区域或漏电极)与源极(源极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够通过沟道区域流过源极与漏极之间。注意，在本说明书等中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
另外，在采用极性不同的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，源极及漏极的功能有时互相调换。因此，在本说明书等中，“源极”和“漏极”可以互相调换。
在本说明书等中，在没有特别的说明的情况下，关态电流是指晶体管处于关闭状态(也称为非导通状态、遮断状态)的漏极电流。在没有特别的说明的情况下，n沟道型晶体管的关闭状态是指对于源极电压的栅极电压(Vgs)低于阈值电压(Vth)的状态，p沟道型晶体管的关闭状态是指对于源极电压的栅极电压(Vgs)高于阈值电压(Vth)的状态。也就是说，n沟道型晶体管的关态电流有时是指对于源极电压的栅极电压(Vgs)低于阈值电压(Vth)时的漏极电流。
在上述关态电流的说明中，可以将漏极换称为源极。也就是说，关态电流有时是指晶体管处于关闭状态时的源极电流。
在本说明书等中，有时“泄漏电流”表示与“关态电流”相同的意思。在本说明书等中，关态电流有时是指在晶体管处于关闭状态时流在源极与漏极间的电流。
在本说明书等中，金属氧化物(metal oxide)是指广义上的金属的氧化物。金属氧化物被分类为氧化物绝缘体、氧化物导电体(包括透明氧化物导电体)和氧化物半导体(oxide semiconductor，也可以简称为OS)等。例如，有时将用于晶体管的活性层的金属氧化物称为氧化物半导体。换言之，可以将具有放大作用、整流作用和开关作用中的至少一个的金属氧化物称为金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor)或缩写为OS。OS晶体管或OS FET是指包含金属氧化物或氧化物半导体的晶体管。
(实施方式1)
在本实施方式中，对包括像素阵列、栅极驱动器及源极驱动器的显示装置进行说明。
<显示装置>
图1是示出显示装置的结构例子的俯视图。
显示装置100包括像素阵列101、栅极驱动器102、栅极驱动器103、端子104a至104d、源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f。
像素阵列101包括多个像素10。每个像素10是由晶体管驱动的有源元件。像素阵列101具有形成显示装置100的显示区域并显示图像的功能。将在实施方式2中说明像素10的更具体的结构例子。
栅极驱动器102和栅极驱动器103(以下，称为栅极驱动器102和103)具有驱动用来选择像素10的栅极线的功能。不一定需要设置栅极驱动器102或栅极驱动器103。注意，虽然图1示出栅极驱动器102和103与像素阵列101设置在同一衬底上的例子，但是栅极驱动器102和103可以是专用IC。
源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f具有驱动对像素10供应数据信号的源极线的功能。源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f也可以仅是源极驱动器105a至105f或仅是源极驱动器106a至106f。
IC被用于源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f。虽然在图1中通过玻璃覆晶封装(chip on glass：COG)方式安装IC，但是对安装方法没有特别的限制，也可以采用封装在柔性基板上(chip on flexible：COF)方式、卷带自动结合(tape automatedbonding：TAB)方式等。
注意，虽然图1示出六个源极驱动器安装在显示装置100的一个边的例子，但是对源极驱动器的数量没有限制。根据像素阵列101中的像素数和源极驱动器的输出端子数而设置源极驱动器。
<像素阵列1>
图2是示出显示装置100的结构例子的方框图。
像素阵列101包括像素10(1,1)至10(m，n)、源极线SL(1)至SL(m)以及栅极线GL(1)至GL(n)。这里，m和n各自是1以上的整数，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数。在图2中，省略了用来形成电源线或电容器的恒定电位线等。
栅极驱动器102和103通过栅极线GL(1)至GL(n)电连接到像素阵列101。源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f通过源极线SL(1)至SL(m)电连接到像素阵列101。注意，在图2中，将源极驱动器105a至105f统称为源极驱动器105，将源极驱动器106a至106f统称为源极驱动器106。
在箭头R1所示的方向上排列的像素组10(1，j)至10(m，j)电连接到栅极线GL(j)。栅极驱动器102和103驱动栅极线GL(j)并选择像素10(1，j)至10(m，j)。
在箭头C1所示的方向上排列的像素组10(i，1)至10(i，n)电连接到源极线SL(i)。源极驱动器105和106(以下，称为源极驱动器105和106)通过源极线SL(1)至SL(m)将图像数据的数据信号供应给像素10(1，j)至10(m，j)。通过从栅极线GL(1)到栅极线GL(n)反复进行该工作，显示装置100可以在像素阵列101上显示图像。
在像素10中可以使用液晶元件、电子纸、有机电致发光(electroluminescent：EL)元件、量子点发光二极管(quantum-dot light emitting diode：QLED)等各种显示元件。
<像素阵列2>
接下来，参照图3中的具有与图2不同的结构例子的显示装置110说明显示装置100。在显示装置110中，像素数与显示装置100相同，但是源极线的数量和栅极线的数量与显示装置100不同。
包括在显示装置110中的像素阵列101包括像素10(1,1)至10(m，n)、源极线SL(1)至SL(2m)以及栅极线GL(1)至GL(n/2)。注意，m和n各自是1以上的整数，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n/2以下的整数。未示出用来形成电源线和电容器的恒定电位线等。
栅极驱动器102和103通过栅极线GL(1)至GL(n/2)电连接到像素阵列101。源极驱动器105和106通过源极线SL(1)至SL(2m)电连接到像素阵列101。
在箭头R1所示的方向上排列的像素组10(1,2j-1)至10(m，2j-1)以及像素组10(1,2j)至10(m，2j)电连接到栅极线GL(j)。栅极驱动器102和103驱动栅极线GL(j)并选择像素10(1,2j-1)至10(m，2j-1)以及像素10(1,2j)至10(m，2j)。
在箭头C1所示的方向上排列的像素组10(i，1)至10(i，n)中，像素10(i，2j-1)电连接到源极线SL(2i-1)，并且像素10(i，2j)电连接到源极线SL(2i)。
源极驱动器105和106通过源极线SL(1)至SL(2m)将图像数据的数据信号供应给像素10(1,2j-1)至10(m，2j-1)以及像素10(1,2j)至10(m，2j)。通过从栅极线GL(1)到栅极线GL(n/2)反复进行该工作，显示装置110可以在像素阵列101上显示图像。
这里，显示装置110的栅极线的数量小于显示装置100的栅极线的数量，因此可以增加通过栅极线选择像素的时间。也就是说，可以增加用于对源极线进行充放电的时间。注意，源极线的数量很大，因此需要增加源极驱动器105和106的输出端子的数量。此外，在像素10中，有时显示元件所占的面积的比例较小。
显示装置110的结构例子在如下情况下是有效的：随着显示装置的大屏幕化，源极线的寄生电容增加的情况；随着显示装置的像素数的增加，用于对源极线进行充放电的时间减少的情况；以及随着显示装置的帧频增加，用于对源极线进行充放电的时间减少的情况；等。尤其是，该结构例子对于ultra-high definition(3840×2160)和super-highdefinition(7680×4320)等高分辨率的显示装置是有效的。
在显示装置110中，栅极线的数量是显示装置100中的栅极线的数量的一半，并且源极线的数量是显示装置100中的源极线的数量的两倍。但是，其组合不限于此，可以考虑各种组合。
注意，在图1至图3中，像素10示出最小显示单元。就是说，在显示装置100或显示装置110是包括RGB(红色、绿色和蓝色)的像素的全高清(1920×1080)的情况下，像素阵列101包括1920×1080×3个像素10。显示装置100和显示装置110的像素结构不限于此。例如，显示装置100和显示装置110可以包括RGBW(红色、绿色、蓝色和白色)的像素或RGBY(红色、绿色、蓝色和黄色)的像素。可以考虑各种组合。
<源极驱动器>
图4A所示的方框图是可用于源极驱动器105a至105f以及源极驱动器106a至106f的源极驱动器的结构例子。
图4A所示的源极驱动器105a包括接口22、数据寄存器23、数模转换器(D/A转换器)24、缓冲放大器25以及控制器26。
图像数据及控制信号等从应用处理器等外部半导体装置21输入到源极驱动器105a，并且源极驱动器105a将数据信号输出到电连接到源极线的输出端子27。
作为接口22，可以使用低压差分信令(LVDS)、移动工业处理器接口(MIPI)、串行外围设备接口(SPI)等。输入的图像数据通过串并转换电路等而保存在数据寄存器23中。
数据寄存器23具有保存图像数据的功能，该图像数据的数量是输出端子27的图像数据的数量的至少两倍。控制器26具有计算对每个输出端子27先前输出的数据信号与此次输出的数据信号之间的差的功能。
D/A转换器24可以是电阻梯D/A转换器、电阻串D/A转换器、电容器阵列D/A转换器、电流源D/A转换器、德耳塔-西格玛(△Σ)D/A转换器等。在通过D/A转换器24将图像数据转换为模拟信号之后，通过缓冲放大器25放大模拟信号，并且从输出端子27输出放大的信号作为数据信号。
接着，在图5中示出说明缓冲放大器25的结构例子的电路图。
缓冲放大器25包括图5所示的电路30，该电路30的数量对应于输出端子27的数量。在图5所示的电路30中，由D/A转换器24转换的一个模拟信号输入到输入端子IN，并且模拟信号从输出端子OUT输出到包括在源极驱动器105a中的一个输出端子27。
电路30包括晶体管Tr11至Tr38。VDD是高电源电位，控制信号输入到VBIAS1至VBIAS4、VPCAS和VNCAS。控制信号从控制器26输入到输入端子SW。在先前输出的数据信号与此次输出的数据信号之间的差较大的情况下，控制器26将高电平信号输出到输入端子SW，在该差较小的情况下，控制器26将低电平信号输出到输入端子SW。
电路30具有放大源极线的功能，该源极线通过输出端子27电连接到电路30，由此可以在预定时间内进行充放电。输出级的晶体管对于在预定时间内对源极线进行充放电很重要，在电路30中，晶体管Tr32和Tr34(p沟道型晶体管)以及晶体管Tr35和Tr37(n沟道型晶体管)是输出级的晶体管。
接着，在图4B的图表中示出通过包括在缓冲放大器25中的电路30对源极线进行充电时的电位变化。
图4B是示出通过电路30对包括在像素阵列101中的一个源极线进行充电时的电位变化的图表。横轴表示时间，纵轴表示源极线的电位。在此示出电路30将源极线从1V充电到10V的情况和电路30将源极线从1V充电到5.5V的情况。
△V表示满足设计标准确定的充电状态的电位差。在需要最长时间的充放电工作中，电路30被设计成在规定时间内与目标电位的偏差为△V以下。在图4B中，当进行从1V到10V的充电时，充放电工作需要最长时间，其规定时间为t1(s)。
当在上述条件下设计的电路30对源极线进行从1V到5.5V的充电时，只要输出级的晶体管是相同的，与5.5V的偏差成为△V以下的时间就比t1(s)短。该时间称为t2(s)。就是说，当进行从1V到5.5V的充电时，t1-t2(s)是不需要进行充电的时间。但是，在t1-t2(s)之间，电路30的输出级的晶体管工作，而保持p沟道型晶体管和n沟道型晶体管的平衡，因此，贯通电流从p沟道型晶体管向n沟道型晶体管流动。
因此，在先前输出的数据信号与此次输出的数据之间的差较小的情况下(在图4B中进行从1V到5.5V的充电的情况下)，控制器26输出低电平信号。当控制器26输出低电平信号时，电路30的晶体管Tr34和Tr37截止(参照图5)。在这种情况下，虽然t2(s)增加(接近t1(s))，但是晶体管Tr34和Tr37截止，因此可以减小在电路30的输出级的晶体管中流过的贯通电流。
注意，在图5中，设置有晶体管Tr31和Tr38，以便截止晶体管Tr34和Tr37。设置有晶体管Tr33和Tr36，以便传输或停止晶体管Tr34和Tr37的控制信号的供应。此外，也可以设置有晶体管Tr31、Tr33和Tr34以及晶体管Tr38、Tr36和Tr37的多个组合。
此外，控制器26可以使用通用逻辑电路形成，因为在由D/A转换器24转换之前的数字信号被用作参考。例如，当图像数据为N比特并且当M比特以上的高阶比特变化时，可以由控制器26确定高电平信号的输出。这里，M和N各自是1以上的整数，M为N以下。
更具体而言，在图像数据为8比特数据并且当更高阶比特变化时由控制器26输出高电平信号的情况下，当图像数据从‘00000001’变为‘00001000’时，控制器26输出低电平信号，当图像数据从‘00000001’变为‘10000000’时，控制器26输出高电平信号。通过这样的工作，在需要以缓冲放大器25的最大输出幅度的一半以上的幅度对源极线进行充放电的情况下，控制器26输出高电平信号。
<流程图>
在图6中示出与控制器26和缓冲放大器25有关的流程图。
源极驱动器105a开始工作(步骤S11)。控制器26将包括在缓冲放大器25中的电路30的输入端子SW设定为低电平(步骤S12)。
控制器26确定M比特以上的高阶比特相对于N比特的图像数据(从M比特到N比特)是否有变化(步骤S13)。在M比特以上的高阶比特有变化的情况下，控制器26将电路30的输入端子SW设定为高电平(步骤S14)。
缓冲放大器25对通过输出端子27电连接到缓冲放大器25的源极线进行充放电(步骤S15)。控制器26将电路30的输入端子SW设定为低电平(步骤S16)。
此外，在步骤S13中M比特以上的高阶比特没有变化的情况下，电路30的输入端子SW保持为低电平，并且缓冲放大器25对源极线进行充放电(步骤S17)。
当源极线的充放电结束时，电路30确定是否继续工作(步骤S18)。在继续工作时，过程返回到步骤S13。在不继续工作时，源极驱动器105a结束工作(步骤S19)。
通过上述方式，当参照保存在数据寄存器23中的图像数据并且输出到源极线的数据信号的变化量小时，可以减小源极驱动器的输出级的晶体管尺寸。通过减小输出级的晶体管尺寸，可以降低源极驱动器的功耗，并可以减少发热量。在具有对应显示装置的大屏幕化、高分辨率和高帧频的高驱动能力的源极驱动器中，可以抑制功耗和发热量。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图7A和7B以及图8A和8B对可用于上述实施方式中的像素阵列101的像素10进行说明。
<像素>
图7A示出作为显示元件包括发光元件的像素10的结构例子。图7A所示的像素10包括晶体管Tr41、Tr42、电容器C41、发光元件LE。注意，虽然这里的晶体管Tr41、Tr42为n沟道型晶体管，但是也可以适当地改变晶体管的极性。
晶体管Tr41的栅极与栅极线GL电连接。晶体管Tr41的源极和漏极中的一个与晶体管Tr42的栅极及电容器C41的一个电极电连接。晶体管Tr41的源极和漏极中的另一个与源极线SL电连接。晶体管Tr42的源极和漏极中的一个与电容器C41的另一个电极及发光元件LE的一个电极电连接，晶体管Tr42的源极和漏极中的另一个与被供应电位Va的布线电连接。发光元件LE的另一个电极与被供应电位Vc的布线电连接。
这里，将与晶体管Tr41的源极和漏极中的一个、晶体管Tr42的栅极及电容器C41的一个电极电连接的节点称为节点N41。此外，将与晶体管Tr42的源极和漏极中的一个及电容器C41的另一个电极电连接的节点称为节点N42。
这里，对电位Va为高电源电位且电位Vc为低电源电位的情况进行说明。电位Va及电位Vc在多个像素10中可以为共同电位。电容器C41被用作用来保持节点N41的电位的存储电容器。
另外，晶体管Tr41控制对节点N41供应源极线SL的电位。具体而言，通过控制栅极线GL的电位，使晶体管Tr41开启，对应于数据信号的源极线SL的电位被供应到节点N41，由此进行对像素10的写入。然后，通过控制栅极线GL的电位，使晶体管Tr41关闭，由此保持节点N41的电位。
根据节点N41、N42的电位差控制流过晶体管Tr42的源极与漏极之间的电流。发光元件LE以对应于该电流的亮度发光。因此，可以控制像素10的灰度级。此外，优选使晶体管Tr42在饱和区域中工作。
另外，图7B示出作为显示元件包括液晶元件的像素10的结构例子。图7B所示的像素10包括晶体管Tr43、电容器C42、液晶元件LC。注意，虽然这里的晶体管Tr43为n沟道型晶体管，但是也可以适当地改变晶体管的极性。
晶体管Tr43的栅极与栅极线GL电连接。晶体管Tr43的源极和漏极中的一个与液晶元件LC的一个电极及电容器C42的一个电极电连接。晶体管Tr43的源极和漏极中的另一个与源极线SL电连接。液晶元件LC的另一个电极与被供应电位Vcom的布线电连接。电容器C42的另一个电极与被供应规定电位的布线电连接。
将与晶体管Tr43的源极和漏极中的一个、液晶元件LC的一个电极及电容器C42的一个电极连接的节点称为节点N43。
电位Vcom在多个像素10中可以为共同电位。电位Vcom也可以为与电连接于电容器C42的另一个电极的布线相同的电位。电容器C42被用作用来保持节点N43的电位的存储电容器。
晶体管Tr43具有控制对节点N43供应源极线SL的电位的功能。具体而言，通过控制栅极线GL的电位，使晶体管Tr43开启，对应于数据信号的源极线SL的电位被供应到节点N43，由此进行对像素10的写入。然后，通过控制栅极线GL的电位，使晶体管Tr43关闭，由此保持节点N43的电位。
液晶元件LC包括一对电极及包含被供应一对电极间的电压的液晶材料的液晶层。包含在液晶元件LC中的液晶分子的取向根据被供应到一对电极间的电压的值变化，因此液晶层的透过率变化。由此，当控制从源极线SL供应到节点N43的电位时，可以控制像素10的灰度级。
通过对像素矩阵101所包括的所有栅极线GL进行上述工作，可以显示一个帧的图像。此外，通过每秒进行上述工作60次，换言之，通过每秒重写图像60次，可以实现帧频为60Hz的显示装置。
当驱动栅极线GL时，既可以使用逐行扫描方式，又可以使用隔行扫描方式。另外，当将数据信号供应到源极线SL时，既可以使用向源极线SL依次供应数据信号的点顺序驱动，又可以使用向所有源极线SL一齐供应数据信号的线顺序驱动。此外，也可以对多个源极线SL的各组供应数据信号。
<晶体管>
作为包括在像素10中的晶体管的半导体，可以使用硅或锗等第十四族的元素、砷化镓等化合物半导体、有机半导体、金属氧化物等。另外，半导体可以为非单晶半导体(例如，非晶半导体、微晶半导体、多晶半导体)或单晶半导体。
在此，像素10所包括的晶体管优选在沟道形成区域中含有非晶半导体，尤其是含有氢化非晶硅(a-Si：H)。包含非晶半导体的晶体管易于形成在大型衬底上，所以该晶体管适合于大屏幕显示装置的制造。
另外，像素10所包括的晶体管可以为在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管(OS晶体管)。OS晶体管的场效应迁移率比包含氢化非晶硅的晶体管高。此外，OS晶体管不需要在形成使用多晶硅的晶体管等中需要的晶化工序。
另外，由于OS晶体管的关态电流极小，当作为晶体管Tr41(或晶体管Tr43)使用OS晶体管时，可以在像素10中长时间保持数据信号。由此，在像素阵列101显示的图像没有变化的期间或变化为一定值以下的期间中，可以将数据信号的更新频度设定得低。此外，可以暂时降低帧频。
数据信号的更新频度例如可以为0.1秒间1回以下、1秒间1回以下或10秒间1回以下。具体地，在显示装置为其中提供有多个像素10的ultra-high definition、super-highdefinition等的情况下，通过降低重写数据信号的频率可以有效地降低功耗。
<截面图>
使用图8A和8B所示的截面图说明像素阵列101和像素10的具体结构例子。注意，图8A和8B所示的截面图是作为显示元件使用发光元件，尤其使用有机EL元件的例子。
设置在衬底301上的像素10包括晶体管Tr42(参照图7A)。此外，晶体管Tr42设置在绝缘层302上。此外，晶体管Tr42包括绝缘层302上的电极331，并且电极331上形成有绝缘层303。绝缘层303上设置有半导体层332。半导体层332上设置有电极333及电极334，电极333及电极334上设置有绝缘层305及绝缘层306，在绝缘层305及绝缘层306上设置有电极335。
在晶体管Tr42中，电极331被用作栅电极，电极333被用作源电极和漏电极中的一个，电极334被用作源电极和漏电极中的另一个，电极335被用作背栅电极。
由于晶体管Tr42具有底栅极结构且包括背栅极，因此可以增大晶体管的通态电流(on-state current)。另外，可以控制晶体管的阈值电压。为了使制造工序简化有时可以省略形成电极335。
在晶体管Tr42的沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管(OS晶体管)用作用于晶体管的半导体材料的情况下，金属氧化物优选包括至少包含铟、锌及M(M为铝、钛、镓、锗、钇、锆、镧、铈、锡、钕或铪等金属)的表示为In-M-Zn类氧化物的材料。为了减少包含该金属氧化物的晶体管的电特性不均匀，除了铟、锌及M以外，该氧化物优选还包含稳定剂(stabilizer)。
作为稳定剂，可以使用镓、锡、铪、铝或锆等。作为其他稳定剂，可以举出镧系元素的镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥等。
作为半导体层所包含的金属氧化物，例如可以使用如下氧化物：In-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Zn类氧化物、In-Hf-Zn类氧化物、In-La-Zn类氧化物、In-Ce-Zn类氧化物、In-Pr-Zn类氧化物、In-Nd-Zn类氧化物、In-Sm-Zn类氧化物、In-Eu-Zn类氧化物、In-Gd-Zn类氧化物、In-Tb-Zn类氧化物、In-Dy-Zn类氧化物、In-Ho-Zn类氧化物、In-Er-Zn类氧化物、In-Tm-Zn类氧化物、In-Yb-Zn类氧化物、In-Lu-Zn类氧化物、In-Sn-Ga-Zn类氧化物、In-Hf-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Ga-Zn类氧化物、In-Sn-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Hf-Zn类氧化物、In-Hf-Al-Zn类氧化物。
注意，在此“In-Ga-Zn类氧化物”是指作为主要成分包含In、Ga和Zn的氧化物，对In：Ga：Zn的比例没有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金属元素。
半导体层和导电层也可以具有与包含在上述氧化物中的金属元素相同的金属元素。通过将相同的金属元素用于半导体层和导电层，可以降低制造成本。例如，通过使用具有相同的金属组成的金属氧化物靶材，可以降低制造成本。另外，也可以将相同的蚀刻气体或蚀刻液用于半导体层和导电层的加工。注意，即使半导体层和导电层具有相同的金属元素，有时其组成也互不相同。例如，在晶体管及电容器的制造工序中，有时膜中的金属元素脱离而成为不同的金属组成。
半导体层所包含的金属氧化物的能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上。通过使用这种能隙宽的金属氧化物，可以减少晶体管的关态电流。
当半导体层所包含的金属氧化物为In-M-Zn氧化物时，优选用来形成In-M-Zn氧化物膜的溅射靶材的金属元素的原子数比满足In≥M及Zn≥M。作为这种溅射靶材的金属元素的原子数比，优选为In:M:Zn＝1:1:1、In:M:Zn＝1:1:1.2、In:M:Zn＝3:1:2、In:M:Zn＝4:2:4.1等。注意，所形成的半导体层中的金属元素的原子数比在上述溅射靶材中的金属元素的原子数比的±40％范围内变动作为误差。
优选将载流子密度低的金属氧化物用于半导体层。例如，半导体层可以使用载流子密度为1×1017/cm3以下，优选为1×1015/cm3以下，更优选为1×1013/cm3以下，进一步优选为1×1011/cm3以下，更进一步优选使用小于1×1010/cm3，1×10-9/cm3以上的金属氧化物形成。这种半导体层的杂质浓度及缺陷能级密度低，所以具有稳定的特性。
注意，不局限于上述组成及材料，可以根据所需的晶体管的半导体特性及电特性(例如，场效应迁移率、阈值电压)来使用具有适当的组成的材料。优选适当地设定半导体层的载流子密度、杂质浓度、缺陷密度、金属元素与氧的原子数比、原子间距离、密度等，以得到所需的晶体管的半导体特性。
当半导体层所包含的金属氧化物包含第14族元素之一的硅或碳时，半导体层中的氧空位增加，该半导体层有可能变为n型。因此，半导体层中的硅或碳的浓度(通过二次离子质谱分析法测得的浓度)为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
有时当碱金属及碱土金属与金属氧化物键合时生成载流子，此时，晶体管的关态电流可能会增大。因此，通过二次离子质谱分析法测得的半导体层的碱金属或碱土金属的浓度为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。
金属氧化物例如也可以具有非单晶结构。非单晶结构例如包括多晶结构、微晶结构及非晶结构。在非单晶结构中，非晶结构的缺陷态密度最高。
非晶结构的金属氧化物例如具有无秩序的原子排列且不具有结晶成分。或者，非晶结构的氧化物膜例如具有完全的非晶结构且不具有结晶部。
此外，金属氧化物也可以为具有如下区域中的两种以上的混合膜：非晶结构的区域、微晶结构的区域、多晶结构的区域、单晶结构的区域。此外，混合膜有时例如具有包括上述区域中的两种以上的区域的单层结构或叠层结构。
上述半导体材料除了晶体管Tr42以外还可以用于图7A中的晶体管Tr41、图7B中的晶体管Tr43。
另外，像素10包括电容器C41。电容器C41包括电极334与电极336隔着绝缘层303重叠的区域。电极336使用与电极331相同的材料形成。
图8A和图8B示出作为显示元件使用发光元件，尤其使用有机EL元件的例子。EL元件分为有机EL元件和无机EL元件，因此，下面将说明有机EL元件和无机EL元件。
在有机EL元件中，通过施加电压，电子从一个电极注入到EL层中，而空穴从另一个电极注入到EL层中。这些载流子(电子及空穴)重新结合，由此发光有机化合物形成激发态。该发光有机化合物从该激发态回到基态而发光。由于这种机理，这种发光元件被称为电流激发型发光元件。除了发光化合物以外，EL层也可以还包括空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质、双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等。EL层可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等形成。
无机EL元件根据其元件结构而分类为分散型无机EL元件和薄膜型无机EL元件。分散型无机EL元件包括发光层，其中发光材料的粒子分散在粘合剂中，并且其发光机理是利用供体能级和受主能级的供体-受主重新结合型发光。薄膜型无机EL元件具有其中发光层夹在电介质层之间，并且该电介质层还夹在电极之间的结构，其发光机理是利用金属离子的内壳层电子跃迁的局部型发光。
在图8A中，发光元件LE与设置在像素10中的晶体管Tr42连接。发光元件LE包括电极层341、发光层342、电极层343的叠层，但是发光元件LE的结构不局限于此。根据从发光元件LE提取光的方向等，可以适当地改变发光元件LE的结构。
隔壁344使用有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。尤其优选的是，该隔壁使用感光树脂材料形成，在电极层341上具有开口，该开口的侧面以连续的曲率倾斜。
发光层342可以由一个层构成，也可以由多个层的叠层构成。
为了防止氧、氢、水分、二氧化碳等侵入发光元件LE，也可以在电极层343及隔壁344上形成保护层。作为保护层，可以使用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、氮氧化铝、类金刚石碳(diamond like carbon：DLC)等。此外，在由衬底301、衬底312以及密封剂311形成的空间中设置有填充剂345并被密封。为了使发光元件LE不暴露于外部气体，优选使用气密性高且脱气少的保护薄膜(粘合薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或覆盖材料进行发光元件LE的封装(封入)。
作为填充剂345，除了氮或氩等惰性气体以外，也可以使用紫外线固化树脂或热固化树脂，例如可以使用聚氯乙烯(PVC)、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或乙烯醋酸乙烯酯(EVA)。填充剂345也可以包含干燥剂。
作为密封剂311，可以使用玻璃粉等玻璃材料或者两液混合型树脂等在室温下固化的树脂、光固化树脂、热固化树脂等。密封剂311也可以包含干燥剂。
另外，如果需要，则可以在发光元件的光射出面上适当地设置诸如偏振片、圆偏振片(包括椭圆偏振片)、相位差板(λ/4板或λ/2板)、滤色片等的光学薄膜。此外，偏振片或者圆偏振片也可以设置有抗反射膜。例如，可以进行通过利用表面的凹凸扩散反射光来降低反射眩光的抗眩光处理。
当发光元件具有微腔结构时，能够提取色纯度高的光。另外，当组合微腔结构和滤色片时，可以防止反射眩光，而可以提高显示图像的可见度。
电极层341及电极层343可以使用包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、铟锡氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等的透光性导电材料形成。
电极层341及电极层343可以使用选自钨(W)、钼(Mo)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等金属、其合金和其氮化物中的一种以上形成。
此外，电极层341及电极层343可以使用包含导电高分子(也称为导电聚合体)的导电组成物形成。作为导电高分子，可以使用所谓的π电子共轭导电高分子。例如，可以举出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者苯胺、吡咯及噻吩中的两种以上的共聚物或其衍生物。
为了将从发光元件LE发射的光提取到外部，电极层341和电极层343中的至少一个为透明即可。根据光提取方法，显示装置的结构分为顶面发射结构、底面发射结构及双面发射结构。在顶面发射结构中，从衬底312一侧提取光。在底面发射结构中，从衬底301一侧提取光。在双面发射结构中，从衬底312一侧及衬底301一侧的双方提取光。例如，在显示装置具有顶面发射结构时，电极层343为透明。例如，在显示装置具有底面发射结构时，电极层341为透明。例如，在显示装置具有双面发射结构时，电极层341及电极层343为透明。
图8B示出作为图8A所示的晶体管Tr42设置顶栅型晶体管时的截面图。在图8B的晶体管Tr42中，电极331被用作栅电极，电极333被用作源电极和漏电极中的一个，电极334被用作源电极和漏电极中的另一个。
关于图8B的其他的构成要素，可以参照图8A的记载。虽然在图8A和图8B中作为显示元件使用发光元件，但是，如图7B所示，作为显示元件也可以使用液晶元件。
本实施方式可以与本说明书中的其他实施方式适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中，参照附图对本发明的一个实施方式的电子设备进行说明。
可以在下面说明的电子设备的任何例子中设置在上述实施方式中说明的显示装置100和110。因此，可以提供具有高分辨率且能够增加屏幕尺寸的显示部的电子设备。
作为电子设备的例子，可以举出：电视装置、台式或笔记本型个人计算机、计算机的显示器、数字标牌、大型游戏机(例如，弹珠机)等具有较大的屏幕的电子设备；数码相机、数码摄像机、数码相框；移动电话机；便携式游戏机；便携式信息终端；声音再现装置；等。
本发明的一个实施方式的电子设备也可以包括天线。当由天线接收信号时，电子设备可以在显示部上显示图像或数据等。在电子设备包括天线及二次电池时，天线也可以用于非接触电力传送。
本发明的一个实施方式的电子设备也可以包括传感器(具有测量力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线的功能的传感器)。
本发明的一个实施方式的电子设备可以具有各种功能，例如，将各种信息(例如，静态图像、动态图像、文字图像)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。
图9A示出电视装置的例子。在电视装置7100中，显示部7000组装在外壳7101中。在此，外壳7101被支架7103支撑。
可以对图9A所示的显示部7000使用本发明的一个实施方式的显示装置。
可以通过利用设置在外壳7101的操作开关或另外提供的遥控操作机7111进行图9A所示的电视装置7100的操作。另外，显示部7000也可以包括触摸传感器。可以通过用指头等触摸显示部7000进行该显示部7000的操作。另外，遥控操作机7111也可以设置有用来显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111的操作键或触摸面板，可以控制频道及音量，并可以控制显示在显示部7000上的图像。
另外，电视装置7100可以设置有接收机及调制解调器等。通过利用接收机，可以接收一般的电视广播。当通过调制解调器以有线或无线的方式将电视装置连接到通信网络时，可以进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图9B示出笔记型个人计算机7200。笔记型个人计算机7200包括外壳7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在外壳7211中组装有显示部7000。
可以对图9B所示的显示部7000使用本发明的一个实施方式的显示装置。
图9C示出数字标牌的例子。
图9C所示的数字标牌7300包括外壳7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，数字标牌可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。
可以对图9C所示的显示部7000使用本发明的一个实施方式的显示装置。
显示部7000的面积越大，一次能够提供的信息量越多。并且，显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。
由于不仅可以显示静态图像或动态图像，还能够被使用者直觉性地操作，所以优选将触摸面板用于显示部7000。另外，在本发明的一个实施方式的显示装置用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。
另外，如图9C所示，数字标牌7300优选通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端7311联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在便携式信息终端7311的屏幕。此外，通过操作便携式信息终端7311，可以切换显示部7000的显示图像。
此外，可以在数字标牌7300上使用信息终端7311的屏幕作为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个人可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。
另外，可以将本发明的一个实施方式的显示系统沿着房屋或高楼的内壁或外壁组装。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合而实施。
符号说明
C1：箭头，C41：电容器，C42：电容器，IN：输入端子，N41：节点，N42：节点，N43：节点，OUT：输出端子，R1：箭头，SW：输入端子，Tr11：晶体管，Tr31：晶体管，Tr32：晶体管，Tr34：晶体管，Tr35：晶体管，Tr37：晶体管，Tr38：晶体管，Tr41：晶体管，Tr42：晶体管，Tr43：晶体管，VBIAS1：控制信号，VBIAS4：控制信号，VPCAS：控制信号，VNCAS：控制信号，10：像素，21：半导体装置，22：接口，23：数据寄存器，24：D/A转换器，25：缓冲放大器，26：控制器，27：输出端子，30：电路，100：显示装置，101：像素阵列，102：栅极驱动器，103：栅极驱动器，104a：端子，104b：端子，105：源极驱动器，105a：源极驱动器，105f：源极驱动器，106：源极驱动器，106a：源极驱动器，106f：源极驱动器，110：显示装置，301：衬底，302：绝缘层，303：绝缘层，305：绝缘层，306：绝缘层，311：密封剂，312：衬底，331：电极，332：半导体层，333：电极，334：电极，335：电极，336：电极，341：电极层，342：发光层，343：电极层，344：隔壁，345：填充剂，7000：显示部，7100：电视装置，7101：外壳，7103：支架，7111：遥控操作机，7200：笔记型个人计算机，7211：外壳，7212：键盘，7213：指向装置，7214：外部连接端口，7300：数字标牌，7301：外壳，7303：扬声器，7311：信息终端
本申请基于2017年3月17日提交到日本专利局的日本专利申请No.2017-052965，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (6)

1.一种半导体装置，包括：
数据寄存器；
控制器；
D/A转换器；以及
缓冲放大器，
其中，所述数据寄存器被配置为储存第一数据和第二数据，
所述数据寄存器交替地将所述第一数据和所述第二数据输出到所述D/A转换器，
所述D/A转换器被配置为将从所述数据寄存器输入的所述第一数据或所述第二数据转换为模拟信号，
所述缓冲放大器被配置为放大所述模拟信号并在预定时间内进行预定负载的充放电，
所述控制器计算所述第一数据和所述第二数据的变化量，
并且，当所述变化量小于预定量时，所述控制器使所述缓冲放大器所包括的部分晶体管无效。
2.一种显示装置，包括：
像素阵列；以及
源极驱动器，
其中，所述像素阵列包括源极线和像素，
所述源极驱动器包括数据寄存器、控制器、D/A转换器和缓冲放大器，
所述数据寄存器被配置为储存第一图像数据和第二图像数据，
所述数据寄存器交替地将所述第一图像数据和所述第二图像数据输出到所述D/A转换器，
所述D/A转换器被配置为将从所述数据寄存器输入的所述第一图像数据或所述第二图像数据转换为模拟信号，
所述缓冲放大器被配置为放大所述模拟信号并在预定时间内将放大的数据供应给所述源极线，
所述控制器计算所述第一图像数据和所述第二图像数据的变化量，
并且，当所述变化量小于预定量时，所述控制器使所述缓冲放大器所包括的部分晶体管无效。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中所述像素阵列包括栅极线，
所述像素在与所述源极线平行的方向上以及与所述栅极线平行的方向上以矩阵状排列，
在与所述源极线平行的方向上排列的所述像素的数量是所述栅极线的数量的N倍，
N是2以上的整数，
并且在与所述栅极线平行的方向上排列的所述像素的数量是所述源极线的数量的1/N倍。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，
其中所述像素包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。
5.一种半导体装置，包括：
数据寄存器；
控制器；
D/A转换器；以及
缓冲放大器，
其中，所述数据寄存器被配置为储存第一数据和第二数据，
所述数据寄存器交替地将所述第一数据和所述第二数据输出到所述D/A转换器，
所述D/A转换器被配置为将从所述数据寄存器输入的所述第一数据或所述第二数据转换为模拟信号，
所述缓冲放大器被配置为放大所述模拟信号并在预定时间内对预定负载进行充放电，
所述缓冲放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一电源线电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一电源线电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一晶体管的栅极电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接，
所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与第二电源线电连接，
所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，
所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电源线电连接，
所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的栅极电连接，
所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第五晶体管的栅极电连接，
所述控制器计算所述第一数据和所述第二数据的变化量，
并且，当所述变化量小于预定量时，所述控制器通过使所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管及所述第六晶体管关闭来使充放电功能中的一部分无效。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中所述缓冲放大器包括第七晶体管及第八晶体管，
所述第七晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电源线电连接，
所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个与所述二晶体管的栅极电连接，
所述第八晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电源线电连接，
并且所述第八晶体管的源极和漏极中的另一个与所述五晶体管的栅极电连接。
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