CN110256983A - 一种uv减粘保护膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及胶黏带技术领域，更具体地，本发明涉及一种UV减粘保护膜及其制备方法。本发明第一个方面提供了一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；其中，UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂、溶剂；其中，聚丙烯酸酯的重均分子量为12万～15万。

Description

一种UV减粘保护膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及胶黏带技术领域，更具体地，本发明涉及一种UV减粘保护膜及其制备方法。
背景技术
半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取，即pickup)等各工序。对于这些工序中使用的切割胶带，期望对切割工序中形成的元件小片(芯片)具有充分的粘合力，同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。
作为切割胶带，有如下的切割胶带：在对紫外线和/或电子束等活性光线具有透射性的基材膜上涂布有由紫外线等引起聚合固化反应的粘合剂层。该切割胶带采取如下方法：在切割工序后对粘合剂层照射紫外线等使粘合剂层聚合固化而使粘合力降低后，拾取分割成的芯片
但在实际应用过程中，为提高加工器件的拾取性能，会造成初粘力与剥离强度较低，容易出现脱落；当紫外固化之后，较难实现压敏剂容易脱落，对被粘接物不会造成污染；同时实现被粘接物与压敏剂之间有一定的粘度，不会使被粘接物松动、脱落而造成物件崩裂、飞溅现象。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明第一个方面提供了一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；其中，UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂；其中，聚丙烯酸酯的重均分子量为12万～15万。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，按重量份计，UV减粘层的制备原料包括35～60份聚丙烯酸酯、5～30份多官能度单体、0.1～2.5份交联剂、0.1～1.5份光聚合引发剂。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，聚丙烯酸酯的粘度为1000～3000cps。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，多官能度单体选自二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、3-(4-羟基-2-甲基苯基)-2-丙烯酸、5-(3,4-二羟基苯基)-2,4-戊二烯酸、3-羟基辛-7-烯酸、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯中的任一种或多种的组合。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，多官能度单体的碳原子为8～15。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，基材层的厚度为50～70μm，UV减粘层的厚度为5～15μm，离型膜层的厚度为5～10μm。
作为本发明的一种优选技术方案，其中，基材选自聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸－丙烯酸酯膜、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、以及乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸酯共聚物中的任一种或多种的组合。
本发明的第二个方面提供了所述UV减粘保护膜的制备方法，将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，烘干；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
与现有技术相比，本发明提供的保护膜具有优异的粘合力，UV照射前具有高粘合力，剥离力高，UV照射后具有低粘合力，UV剥离力低，抗静电效果好。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个组分或者操作与另一个组分或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些组分或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者成分那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法或者成分所固有的要素。
本发明中的词语“优选的”、“优选地”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。
应当理解，除了在任何操作实例中，或者以其他方式指出的情况下，表示例如说明书和权利要求中使用的成分的量的所有数字应被理解为在所有情况下被术语“约”修饰。
为解决技术问题，本发明第一方面提供了一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层。
在一种实施方式中，基材选自聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸－丙烯酸酯膜、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、以及乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸酯共聚物中的任一种或多种的组合；优选地，基材为聚氯乙烯，本发明的聚氯乙烯基材为本领域技术熟悉的材料，对购买厂家不做特别限制。
在一种实施方式中，UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂；优选地，按重量份计，UV减粘层的制备原料包括35～60份聚丙烯酸酯、5～30份多官能度单体、0.1～2.5份交联剂、0.1～1.5份光聚合引发剂；更优选地，按重量份计，UV减粘层的制备原料包括50份聚丙烯酸酯、20份多官能度单体、1.2份交联剂、0.75份光聚合引发剂。
在一种实施方式中，聚丙烯酸酯的重均分子量为12万～15万；优选地，聚丙烯酸酯的重均分子量为13.5万～14万。
在一种实施方式中，聚丙烯酸酯的粘度为1000～3000cps；优选地，聚丙烯酸酯的粘度为2000～2500cps。
在一种实施方式中,聚丙烯酸酯购自巨胜科技有限公司，本发明对购买厂家不做特别限制。
通过实验可以发现，通过调节所用聚丙烯酸酯的分子量以及粘度，可以降低切割过程中的崩裂现象，同时也能够优化UV固化后，晶圆的拾取性能，同时减少晶圆的脱落、松动现象，这可能由于当分子量过小、粘度较低时，分子自由运动能力较高，在晶圆等器件表面的铺展、渗透能力较高，但同时在会降低粘结边缘的稳定性，造成飞溅、崩裂现象，且在固化过程中，分子之间可能存在分子级别的间隙，随着分子密度的减小，会有较大缝隙产生，造成晶圆等器件的脱落与松动；而当分子量较大、较高时，分子彼此间的缠绕密度提高，流动性降低，则会劣化晶圆的拾取性能，同时，随着固化进行，分子密度进一步提高，内聚力明显增大，分子与晶圆表面的作用力显著降低，同样会造成晶圆等器件的脱落与松动。
在一种实施方式中，多官能度单体选自二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、3-(4-羟基-2-甲基苯基)-2-丙烯酸、5-(3,4-二羟基苯基)-2,4-戊二烯酸、3-羟基辛-7-烯酸、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯中的任一种或多种的组合。
优选地，多官能度单体的碳原子为8～15；进一步优选地，多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸；进一步优选地，3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸的重量比为(5～8)：1；更优选地，3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸的重量比为6.5：1。
通过实验发现，采用3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸作为原材料时，可以提高胶黏剂的初粘力，同时避免切割过程中崩裂，可能由于3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸分子链较短，可在体系中有一定自由度的穿梭，且分子支链数较少，结构相对规整，在调整聚丙烯酸酯结构规整度的同时，提高梯体系的柔性，使UV减粘组合物与被粘合物体表面之间接触面积较广，提高胶黏剂的初粘力；又因其具有一定的分子链长度，且末端含有叔丁基这样的爪型结构，提高了体系内的作用力，避免切割过程中的崩裂。
在一种实施方式中，交联剂选自异氰酸酯类固化剂、胺类固化剂、氨基树脂固化剂、氮丙啶类固化剂中的任一种或多种的组合；优选地，交联剂为异氰酸酯类固化剂，如1,3－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基二异氰酸脂、1,4－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基甲烷二异氰酸脂、2,4－甲苯二异氰酸脂、2,6－甲苯二异氰酸脂、4,4'－甲苯胺二异氰酸脂、2,4,6－三异氰酸脂甲苯、1,3,5－三异氰酸脂苯、三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、六亚甲基二异氰酸脂、五亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂、以及2,4,4－三甲基六亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合；更优选地，交联剂为1,4－苯二异氰酸脂。
在一种实施方式中，光聚合引发剂选自二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙酮-1、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基-甲基苯基丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、二甲苯酮；优选地，光聚合引发剂为苯甲酰基苯甲酸。
在一种实施方式中，UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂；优选地，抗静电剂与多官能度单体的重量比为(0.1～0.5)：1；更优选地，抗静电剂与多官能度单体的重量比为0.35：1。
在一种实施方式中，抗静电剂为纳米石墨烯；优选地，纳米石墨烯的粒径为45～65nm，购自超威纳米，本发明对购买厂家不做特别限制。
通过实验发现，在胶黏剂体系中添加纳米石墨烯可以有效减少晶圆表面无尘的积淀，这是由于纳米石墨烯为疏水性剂材料，同时有利于提高材料的抗静电性能，因此减少周围正、负电荷的产生，从而减少其对灰尘的吸引能力，减少晶圆表面无尘的积淀。
此外，申请人也意外发现，在胶黏剂体系中添加纳米石墨烯可以进一步提高器件的拾取性能，且纳米石墨烯的粒径为45～65nm，拾取性能较佳，可能加入纳米级的石墨烯，减少了体系的内部空隙，从而降低了固化过程中的内聚力，但同时降低了胶黏剂体系与被粘结物表面的接触面积，从而达到粘合力的平衡，优化拾取性能，当粒径过大时，空隙太大，粘合力较小，容易导致器件的松动与脱落，而当粒径过小时，有着促进分子流动，提高胶黏剂与器件表面的作用力，造成器件的表面的污染，降低拾取性能。
在一种实施方式中，基材的厚度为50～70μm，UV减粘层的厚度为5～15μm，离型膜层的厚度为5～10μm；优选地，基材的厚度为55～60μm，UV减粘层的厚度为10～13μm，离型膜层的厚度为8～10μm。
在一种实施方式中，离型膜选自PE离型膜、PET离型膜、OPP离型膜、PC离型膜、PS隔离膜、PMMA离型膜、BOPP离型膜、PE剥离膜、塑料薄膜、TPX离型膜、PVC剥离膜、PTFE离型膜、PET离型膜、单硅离型薄膜、聚脂离型薄膜、特氟龙离型薄膜、复合式离型膜、耐高温离型膜、聚苯醚剥离膜、聚四氟乙烯隔离膜、聚乙烯离形膜中的任一种或多种的组合；优选地，离型膜为PET离型膜。
本发明的第二个方面提供了所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，烘干；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
优选地，所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，100～120℃烘干2～5min；再于减粘层表面贴合离型膜层即得所述UV减粘保护膜。
更优选地，所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，110℃烘干3min；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
实施例1
本发明的实施例1提供一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；
基材为聚氯乙烯；
UV减粘层的制备原料包括50份聚丙烯酸酯、20份多官能度单体、1.2份交联剂、0.75份光聚合引发剂；
聚丙烯酸酯的重均分子量为13.5万～14万，聚丙烯酸酯的粘度为2000～2500cps；
多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸，3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸的重量比为6.5：1；
交联剂为1,4－苯二异氰酸脂；
光聚合引发剂为苯甲酰基苯甲酸；
UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂，抗静电剂与多官能度单体的重量比为0.35：1；
抗静电剂为纳米石墨烯，纳米石墨烯的粒径为45～65nm；
离型膜为PET离型膜；
基材的厚度为55～60μm，UV减粘层的厚度为10～13μm，离型膜层的厚度为8～10μm；
所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，110℃烘干3min；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
实施例2
本发明的实施例2提供一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；
基材为聚氯乙烯；
UV减粘层的制备原料包括60份聚丙烯酸酯、30份多官能度单体、2.5份交联剂、1.5份光聚合引发剂；
聚丙烯酸酯的重均分子量为19.5万～20万，聚丙烯酸酯的粘度为4000～4500cps；
多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸，3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸的重量比为8：1；
交联剂为1,4－苯二异氰酸脂；
光聚合引发剂为苯甲酰基苯甲酸；
UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂，抗静电剂与多官能度单体的重量比为0.5：1；
抗静电剂为纳米石墨烯，纳米石墨烯的粒径为45～65nm；
离型膜为PET离型膜；
基材的厚度为55～60μm，UV减粘层的厚度为10～13μm，离型膜层的厚度为8～10μm；
所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，110℃烘干3min；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
实施例3
本发明的实施例3提供一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；
基材为聚氯乙烯；
UV减粘层的制备原料包括35份聚丙烯酸酯、5份多官能度单体、0.1份交联剂、0.1份光聚合引发剂,；
聚丙烯酸酯的重均分子量为13.5万～14万，聚丙烯酸酯的粘度为2000～2500cps；
多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸，3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸的重量比为5：1；
交联剂为1,4－苯二异氰酸脂；
光聚合引发剂为苯甲酰基苯甲酸；
UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂，抗静电剂与多官能度单体的重量比为0.1：1；
抗静电剂为纳米石墨烯，纳米石墨烯的粒径为45～65nm；
离型膜为PET离型膜；
基材的厚度为55～60μm，UV减粘层的厚度为10～13μm，离型膜层的厚度为8～10μm；
所述UV减粘保护膜的制备方法：将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，110℃烘干3min；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
实施例4
本发明的实施例4提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，聚丙烯酸酯的重均分子量为13.5万～14万，聚丙烯酸酯的粘度为2000～2500cps。
实施例5
本发明的实施例5提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，聚丙烯酸酯的重均分子量为9.5万～10万，聚丙烯酸酯的粘度为900～950cps。
实施例6
本发明的实施例6提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，多官能度单体为二丙烯酸乙二醇酯与二丙烯酸三甘醇酯，所述二丙烯酸乙二醇酯与二丙烯酸三甘醇酯重量比为6.5：1。
实施例7
本发明的实施例7提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯。
实施例8
本发明的实施例8提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，多官能度单体为3-羟基辛-7-烯酸。
实施例9
本发明的实施例9提供一种UV减粘保护膜，其具体实施方式同实施例1，不同之处在于，纳米石墨烯的粒径为20～25nm。
性能评估：
1.初粘力：按照GB/T4852—2002标准，采用斜面滚球法进行测定；
2.芯片保持性，拾取性和崩裂的评价：将所得保护膜贴合于形成有虚拟电路图案的直径8英寸×厚度0.15mm的硅晶片和环形框；贴合15min后用高压汞灯照射300mJ/cm2的紫外线，其后进行切割、拾取各工序，切割工序的条件参考如下：切割装置:DISCO公司制DAD341；切割刀片:DISCO公司制NBC－ZH205O－27HEEE；切割刀片的形状:外径55.56mm、刃宽35μm、内径19.05mm；切割刀片转速:40000rpm；切割刀片进给速度:100mm/秒；切割尺寸:1.0mm见方；在切割胶带中的切入量:30μm；切削水温度:25℃；切削水量:1.0升/分钟；
拾取工序的条件如下：拾取装置:CanonMachinery公司制CAP－300II；
扩展量:8m；针销形状:70μmR；针销数:1根；针销上推高度:0.3mm
切割工序和拾取工序中，进行以下评价：
a.芯片保持性：根据切割工序后半导体芯片保持于保护膜的半导体芯片的残留率，按以下基准进行评价。
◎(优):芯片飞散低于5％；
○(良):芯片飞散为5％以上且低于10％；
×(不可):芯片飞散为10％以上。
b.拾取性：拾取性根据拾取工序中可拾取半导体芯片的比例，按以下基准评价。
◎(优):芯片的拾取成功率为95％以上；
○(良):芯片的拾取成功率为80％以上且低于95％；
×(不可):芯片的拾取成功率低于80％。
c.崩裂：对于崩裂，随机选择50个所拾取的芯片，用500倍的显微镜观察观察芯片背面的4条边，按以下基准评价向中心方向最大缺损的大小：
◎(优):缺损大小小于25μm；
○(良):缺损大小为25μm以上且小于50μm；
×(不可):缺损大小为50μm以上。
3.污染性：将保护膜贴附于硅晶片的镜面，20分钟后用高压汞灯照射300mJ/cm2的紫外线后，将切割胶带剥离。用颗粒计数器测定硅晶片的镜面(贴附面)上残留的0.28μm以上的粒子数。
◎(优):颗粒为500个以下；
○(良):颗粒为501个以上且小于2000个；
×(不可):颗粒为2000个以上。
4.芯片松动：芯片松动根据拾取工序中要拾取的半导体芯片所邻接的半导体芯片因销顶起的冲击而松动的比例，按以下基准评价。
◎(优):芯片松动低于1％；
○(良):芯片松动为1％以上且低于3％；
×(不可):芯片松动为3％以上
表1性能测试结果
由测试结果可以看出本发明提供的保护膜具有优异的粘合力，UV照射前具有高粘合力，剥离力高，UV照射后具有低粘合力，UV剥离力低；且在加工过程中具有很好的拾取性，且可以有效避免松动、脱落、污染的问题。
前述的实例仅是说明性的，用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。在权利要求中所用的一些数值范围也包括了在其之内的子范围，这些范围中的变化也应在可能的情况下解释为被所附的权利要求覆盖。

Claims (10)

1.一种UV减粘保护膜，其特征在于，依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层；其中，UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂；其中，聚丙烯酸酯的重均分子量为12万～15万。
2.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，按重量份计，UV减粘层的制备原料包括35～60份聚丙烯酸酯、5～30份多官能度单体、0.1～2.5份交联剂、0.1～1.5份光聚合引发剂。
3.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，聚丙烯酸酯的粘度为1000～3000cps。
4.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，多官能度单体选自二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、3-(4-羟基-2-甲基苯基)-2-丙烯酸、5-(3,4-二羟基苯基)-2,4-戊二烯酸、3-羟基辛-7-烯酸、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯中的任一种或多种的组合。
5.根据权利要求4所述UV减粘保护膜，其特征在于，多官能度单体的碳原子为8～15。
6.根据权利要求5所述UV减粘保护膜，其特征在于，多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸。
7.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂。
8.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，基材层的厚度为50～70μm，UV减粘层的厚度为5～15μm，离型膜层的厚度为5～10μm。
9.根据权利要求1所述UV减粘保护膜，其特征在于，基材选自聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸－丙烯酸酯膜、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、以及乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸酯共聚物中的任一种或多种的组合。
10.根据权利要求1～9任一项所述UV减粘保护膜的制备方法，其特征在于，将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面，烘干；再于减粘层表面贴合离型膜层，即得所述UV减粘保护膜。
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