CN110249429A - 使用对准接合和衬底移除制作半导体器件 - Google Patents

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Abstract

实施例包括一种经由对准接合和衬底移除的多个阶段来制作半导体器件的制造方法。一个示例是集成全色LED显示面板，其中具有不同LED阵列的多个晶圆被集成到具有驱动器电路系统的主晶圆上。该驱动器电路系统通常是驱动显示面板上的个体LED的像素驱动器阵列。

Description

使用对准接合和衬底移除制作半导体器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年9月19日提交的题为“Making Semiconductor Devices withAlignment Bonding and Substrate Removal”的美国专利申请No.15/269,954的优先权；其根据35U.S.C.§119(e)要求2015年12月21日提交的题为“Method of Making RGB LEDMicro-Display by Multiple Alignment Bonding and Substrate Removal Process”的美国临时专利申请序列No.62/270,376的优先权。上述主题均通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开一般地涉及用于制造半导体器件的方法，例如，用于制造集成多色LED显示面板的方法。
背景技术
与薄膜晶体管技术结合的有源矩阵液晶显示器以及有机发光二极管(OLED)在当今商业电子设备中日益流行。这些显示器广泛的用在个人笔记本计算机、智能电话以及个人数字助理中。数百万的像素一起在显示器上创建图像。TFT用作单独地打开和关闭像素的开关，使像素呈现出明亮或者阴暗，这允许方便并且高效地控制每个像素以及整个显示器。
然而，传统的LCD显示器受困于低发光效率，导致高功耗以及有限的电池运行时间。尽管有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板通常比LCD面板消耗更少的功率，但是AMOLED显示面板仍然可以成为电池供电设备的主要耗电者。为了延长电池寿命，期望降低显示面板的功耗。
传统的无机半导体发光二极管已经证明了优异的发光效率，这使得有源矩阵LED显示器对于电池供电的电子设备更加理想。驱动器电路系统和发光二极管(LED)的阵列被用于控制数百万的像素，在显示器上表现图像。根据各种制造方法可以批量生产单色显示面板和全色显示面板两者。
然而，数千或甚至数百万的微型LED与像素驱动器电路阵列的集成十分具有挑战性。已经提出了各种制造方法。在一种途径中，控制电路系统被制造在一个衬底上并且LED被制造在一个分开的衬底上。将LED转移到中间衬底上，并且移除原始衬底。然后，在中间衬底上的LED被挑出，并且一次将一个或者几个放置在具有控制电路系统的衬底上。然而，这种制造过程低效且昂贵。另外，目前还没有大规模转移微型LED的制造工具。因此，必须研发新的工具。
在另一途径中，使用金属接合将具有其原始衬底的全部LED阵列对准以及接合到控制电路系统。在其上制造LED的衬底保留在最终产品中，这可以导致轻微的串扰。另外，两个不同衬底之间的热失配在接合界面处产生压力，这可以导致可靠性问题。此外，与单色显示面板相比，多色显示面板通常需要更多LED以及在不同衬底材料上生长的不同颜色的LED，因此使传统批量生产过程甚至更加复杂和低效。
因此，需要更好的制造方法。
发明内容
本公开通过使用多阶段的对准接合以及衬底移除来克服现有技术的限制。在对准接合步骤，两个晶圆被精确地对准(例如，通常到小于3微米的未对准)并且随后被接合。在衬底移除步骤，其中一个晶圆的衬底被移除。
一个示例是集成的多色LED显示面板，其中LED阵列与对应的驱动器电路系统集成在一起。驱动器电路系统通常是驱动显示面板上LED的像素驱动器阵列。在一种途径中，包括像素驱动器阵列的驱动器电路系统被制造在支撑衬底上。例如，这些可以是在硅衬底上制造的CMOS像素驱动器，并且此晶圆将被称为主晶圆。LED晶圆被单独制造。每个LED晶圆包括在衬底上制造的LED阵列。存在多个LED晶圆，例如，用于不同颜色LED的不同晶圆。
多阶段对准接合以及衬底移除过程被用于将LED转移到具有像素驱动器的主晶圆。LED晶圆中的一个被接合到该主晶圆，例如通过将LED接触接合到该主晶圆上的对应像素驱动器的接触。然后，LED晶圆的衬底被移除以允许下一个LED晶圆被接合。最后的LED晶圆可以被移除或者可以不被移除。优选地，一种颜色(即，来自一个晶圆的)的全部LED在单个对准接合中被接合到对应的像素驱动器。以这种方式，仅使用单阶段对准接合即可以形成集成单色LED显示器；并且使用三阶段对准接合(每个颜色一级)可以形成三色LED显示器(例如，使用红色、蓝色、绿色LED)。
除了集成LED显示面板(其中LED晶圆接合到具有驱动器电路系统的晶圆)之外，多阶段对准接合以及衬底移除过程可以被应用到其他类型的设备。例如，通常场景是有源器件与对应控制电路的集成。有源器件的示例包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)、硅光子器件、微机电系统(MEMS)器件、光电探测器以及电力电子器件。控制电路的示例包括电流驱动器、电压驱动器、跨阻放大器以及逻辑电路。
其他方面包括部件、设备、改进、方法、过程、应用、计算机可读介质以及与上述任一项相关的其他技术。
参考附图
本公开的实施例具有其他优势和特征，当结合附图时研读以下详细描述和权利要求时，将从中更容易地看出这些优势和特征，其中：
图1A是根据一个实施例的像素驱动器的电路图。
图1B是根据一个实施例的具有在支撑衬底上制造的像素驱动器阵列的主晶圆的横截面图。
图2A-图2H是图示根据一个实施例的通过多阶段对准接合以及衬底移除过程制造集成多色LED显示面板的横截面图。
图3A-图3C是根据一个实施例示出了介电涂层的应用以及平面化的横截面图。
图4是根据一个实施例的具有像素阵列的示例显示面板的俯视图。
图5A-图5E是图示根据另一实施例的通过多阶段对准接合以及衬底移除过程制造集成多色LED显示面板的横截面图。
附图只是为了说明的目的描绘了各种实施例。本领域技术人员将从以下讨论中容易地认识到，可以在不脱离这里所描述的原理的情况下采用本文所示结构以及方法的备选实施例。
具体实施方式
附图和以下描述仅以说明的方式涉及优选实施例。应该注意的是，从下面的讨论中，本文中所公开的结构和方法的备选实施例将很容易被识别为可实施的替代方案，其可以在不脱离所要求保护的原理的情况下被采用。
图1A是显示面板的像素的电路图，其包括像素驱动器和LED140。在此示例中，像素驱动器包括两个晶体管以及一个电容器130，其中一个晶体管是控制晶体管120，以及另一个晶体管是驱动晶体管110。在此示例中，控制晶体管120被配置为其栅极连接到扫描信号总线150，其一个源极/漏极连接到数据信号总线170，并且另一个漏极/源极连接到存储电容器130并且连接到驱动晶体管110的栅极。驱动晶体管110的一个源极/漏极被连接到电压源Vdd，并且另一个漏极/源极被连接到LED 140的p型电极。LED 140的n型电极被连接到电容器130并且接地。在此示例中，当扫描信号150打开控制晶体管120的栅极时，数据信号170对存储电容器130充电并且设置驱动晶体管110的栅极电压，其控制流过LED 140的电流。此处的存储电容器130被用于保持驱动晶体管110的栅极电压，因此在扫描信号150正在设置其他像素的时间期间保持流过LED 140的电流。其他像素驱动器设计将是显而易见的，例如如在美国临时专利申请No.12/214,395，“Monolithic Active or Passive Matrix LEDArray Display Panels and Display Systems Having the Same”中所描述的，该专利申请通过引用并入本文。
图1B是根据一个实施例在支撑衬底102上制造的示例驱动器电路系统的横截面图。在图1B中，各个驱动器电路110的阵列被制造在支撑衬底102上。驱动器电路110被标有后缀R、G、B，因为其对应于红色、绿色以及蓝色像素。为方便起见，将得到的晶圆称为主晶圆。像素驱动器110的阵列经由对准接合以及衬底移除被连接到LED(未在图1B中示出)以形成集成LED显示面板，以下进行更全面的描述。在此示例中，与图1A相比，为了清楚起见，图1B中仅呈现了每个像素驱动器电路的驱动晶体管110。驱动晶体管110是CMOS驱动器电路，其源极117连接到接触116，其将被接合到LED。在未呈现的备选实施例中，驱动器电路系统还可以是TFT电路系统。
为了清楚起见，图1B仅呈现了标记有110R、110G和110B的六个驱动器电路110，其对应于红色LED、绿色LED和蓝色LED，如下所述。应当理解，驱动器电路系统可以包括不同数量的驱动器电路。在完全可编程的显示面板中，LED和驱动器电路以阵列形式进行布置，以形成单独可寻址的像素的阵列，优选为彩色像素。在备选实施例中，显示面板可以具有更有限的可编程性，并且像素可以以不同的几何形状被布置。另外，驱动器电路和LED之间并非必须一一对应。例如，可以有两个或更多LED连接到相同的像素驱动器输出以产生冗余，从而如果当LED中的一个发生故障，则余下的LED还可以照亮此像素。
回到图1B，更详细地，驱动器电路系统100如下制造。支撑衬底102是在其上制造个体驱动器电路110的阵列的衬底。在一个实施例中，衬底102是Si衬底。在另一实施例中，支撑衬底102是透明衬底，例如，玻璃衬底。其他示例衬底包括GaAs、GaP、InP、SiC、ZnO以及蓝宝石衬底。
如下文所述，驱动器电路110形成驱动将被接合到驱动器电路的LED的个体像素驱动器。在如图1B所示的示例中，驱动器电路110是包括源极117、漏极118以及栅极119的CMOS驱动器电路。源极117进一步连接到与接合接触116接触的电极。漏极118经由Vdd接触120连接到外部电压源。在备选实施例中，根据驱动器电路110R的沟道类型(例如，n沟道或者p沟道FET)，可以切换漏极118R和源极117R的位置。
绝缘介电层113被形成以将Vdd接触120、栅极119和来自源极117的电极进行电隔离。接地接触114也形成在每个像素驱动器内，对应的LED将与其相连接。LED将在一侧接触接合接触116，并且在另一侧接触接地接触114。在未示出的备选实施例中，驱动器电路系统可以包括除CMOS驱动器电路之外的驱动器电路。作为一个示例，驱动器电路系统可以包括薄膜晶体管(TFT)驱动器电路。作为另一示例，驱动器电路系统可以是使用III-V化合物半导体的电路系统。
如以下更全面的描述，为每个驱动器电路110在绝缘介电层113的顶部形成接合接触116，以与对应LED的结合接触进行接触，使驱动器电路110能够电耦合到该LED。驱动器电路110的阵列经由对准接合以及衬底移除而被电连接到对应的LED以形成集成LED显示器。接合接触116是欧姆接触，例如金属接触。
图2A-图2H示出了多阶段对准接合以及衬底移除的制造过程，以形成用图1所示的驱动器电路系统制造的集成LED显示器。更具体地，图2A-图2D示出了红色LED到主晶圆的接合，图2E-图2F示出了蓝色LED到主晶圆的接合，以及图2G-图2H示出了绿色LED到主晶圆的接合。
图2A是第一LED晶圆200R的横截面图，其包括在衬底202R制造上的红色LED 210R的阵列。在一个实施例中，该衬底202R可以是GaAs衬底。在另一实施例中，该沉底202R可以是透明衬底，例如蓝宝石衬底。在一个实施例中，LED 210R被以阵列形式布置在衬底202R上，以在LED被集成到如图1所示的主晶圆之后，形成具有可单独寻址像素的完全可编程的显示面板。为清楚起见，图2A仅示出了在衬底202R上制造的两个LED 210R。应当理解，LED晶圆200R可以包括不同数量的LED。
LED 210R外延生长在衬底202R上。钝化层223R被形成以电隔离LED晶圆200R上的个体LED 210R，并且在LED的顶部形成接合层，在这种情况下对于LED中的每一个，如上所述，接合接触216R被形成以电耦合到如上在图1中所描述的对应的驱动器电路110R。
在图2A中，LED 210R是红色LED。如以下更全面描述的，通过经由多个阶段的对准接合以及衬底移除将图2A的红色LED晶圆200R、图2E的绿色LED晶圆200G以及图2G的蓝色LED晶圆200B集成来形成全色LED显示面板。在未呈现的备选实施例中，包括用磷光体层或者纳米颗粒覆盖的紫外(UV)LED的LED晶圆也可以用于经由对准接合以及衬底移除来形成全色LED显示器。单色LED显示面板也可以被制造，例如，如果来自于不同LED晶圆的LED全部是相同颜色的。或者，相同颜色LED与不同颜色磷光体或者纳米颗粒可以被用于制造多色显示器。
LED通常具有一对接触，一个接触LED的p型层，以及一个接触LED的n型层。在图2A的实施例中，这一对接触中只有一个接触经由接合过程被连接。在此示例中，接合接触216被连接到LED的p型层。
图2B是根据一个实施例的接合到支撑衬底102上的驱动器电路系统110的第一LED晶圆200R的横截面图。在图2B中，图2A中所示的红色LED晶圆200R被倒装接合到驱动器电路系统110上。更具体地，形成在红色LED晶圆200R上的接合接触216R被接合到形成在主晶圆上的对应接合接触116R上。每个红色LED 210R与对应的驱动器电路110R对准。
图2C是图示根据一个实施例的移除衬底202R的横截面图。在图2C中，LED晶圆200R的衬底202R被移除，以暴露已经被接合到对应驱动器电路110R的LED 210R。移除衬底202R还允许进一步的对准接合以及衬底移除阶段，在此期间其他LED晶圆被接合到驱动器电路系统110。在一个实施例中，衬底202R经由湿化学蚀刻被移除。例如，可以通过使用氢氧化铵(NH4OH)和过氧化氢(H2O2)混合物来应用湿化学蚀刻以去除衬底202R。
图2D是根据一个实施例的在衬底202R被移除之后的横截面图。在图2D中，LED晶圆的衬底被移除以暴露出已经电耦合到主晶圆上的对应驱动器电路110R上的个体LED 210R。如上所述，图2D中所示的器件结构可以形成单色LED显示器的基础，在此示例中是红色LED显示器。
图2E是根据一个实施例的接合到图2D中所示的主晶圆上的驱动器电路系统110上的第二LED晶圆200G的横截面图。在图2E中，在第一LED 210R被接合到驱动器电路系统之后，第二LED晶圆200G被倒装接合到支撑衬底102上的对应的驱动器电路系统110上。类似于在图2A中示出的LED晶圆200R，第二LED晶圆200G包括在其上外延生长绿色LED 210G的阵列的衬底202G。LED晶圆200G还包括钝化层和接合层，钝化层用以电隔离个体LED 210G，并且对于每个个体LED，接合层进一步包括形成在LED顶部的接合接触216G，以进一步接触对应的驱动器电路110G。与图2A-图2D中所示的LED晶圆200R不同，LED晶圆200G包括绿色LED210G而不是红色LED210R。用于每个绿色LED 210G的接合接触216G被连接到对应的驱动器电路110G的结合接触116G。在图2E中，绿色LED 210G显示为比红色LED 210R高，以便区分不同的LED。然而，绿色LED 210G和接合接触216G的总高度必须足够高以避免红色LED 210R(或者其他特征)与衬底202G之间的物理干扰。
图2F是图示根据一个实施例的移除第二LED晶圆的衬底202G的横截面图。在图2F中，绿色LED晶圆200G的衬底202G被移除以暴露出绿色LED 210G。在一个实施例中，衬底202G可以经由激光剥离工艺被移除。
图2G是根据一个实施例的接合到图2F中示出的主晶圆上的驱动器电路系统110的第三LED晶圆200B的横截面图。在图2G中，在LED 210R和LED 210G预先被接合到驱动器电路系统之后，第三LED晶圆200B被倒装接合到驱动器电路系统110。类似于之前的LED晶圆，第三LED晶圆200B包括在其上外延生长LED 210B的阵列的衬底202B。LED晶圆200B还包括钝化层和接合层，钝化层用以电隔离个体LED 210B，并且对于每个个体LED，接合层进一步包括形成在LED顶部上的结合接触216B，以进一步连接到对应的驱动器电路110B。不同于之前的LED晶圆，第三LED晶圆200B包括蓝色LED 210B。如图2G所示，每个蓝色LED 210B的接合接触216B被连接到对应的驱动器电路110B的接合接触116B。
图2H是示出根据一个实施例的移除第三LED晶圆的衬底202B的横截面图。在图2H中，蓝色LED晶圆200B的衬底202B被移除以暴露出蓝色LED 210B。在此示例中，LED晶圆200B是集成到主晶圆上以形成全色LED显示器的最后一个LED晶圆。在一个实施例中，衬底202B可以经由激光剥离工艺被移除。在未呈现的备选实施例中，在形成半导体器件(例如，LED显示器)的多阶段对准以及衬底移除的制造工艺期间，最后一个晶圆(例如，LED晶圆200B)的衬底保持，而不是被移除。例如，在图2G中所示的LED晶圆202B的衬底202B可以保留用作全色显示器的保护盖。抗反射涂层可以应用到剩余的衬底。
在此示例中，在全部的LED晶圆200R、200G和200B被接合到主晶圆之后，到LED 210的连接已经被形成。具体地，每个LED 210的p型层经由接合接触216-116被连接到对应驱动晶体管110的源极117。如上面参考图1B所述，在未呈现的备选实施例中，可以根据FET的沟道类型来切换漏极和源极的位置。
注意，图2A-图2H中的晶圆接合可以在切割之前或者切割之后发生。在一种途径中，接合是晶圆对晶圆接合。参考图2B，在将晶圆切割成个体管芯之前，将整个红色LED晶圆200R接合到整个驱动器电路系统晶圆。在另一途径中，接合是管芯到管芯接合。在此种情况下，图2B所示的红色LED晶圆200R实际是单个管芯(或者一组管芯)。驱动器电路系统还可以是单个管芯、一组管芯或者全晶圆。为了方便起见，术语晶圆接合、LED晶圆以及其他相似术语旨在包括所有这些变化。
图3A-图3C图示了根据一个实施例的LED的另一接触的连接(即，将LED的n型层连接到接地)。
图3A是图示根据一个实施例的将介电涂层320应用于图2H中制造的器件结构的横截面图。在图3A中，介电涂层320被形成在支撑衬底102上的多个LED上。介电涂层320可以由各种电绝缘材料制成，例如SiO2、SiNx和聚合物。其可以通过各种方法应用，例如化学气相沉积(CVD)、溅射沉积、电子束蒸发以及旋涂。在一个实施例中，如上所述，介电涂层320将个体LED彼此之间电隔离。介电涂层320还可以被用于将表面平面化。
图3B是根据一个实施例的横截面图，其中介电涂层的一部分已被移除以暴露出LED。介电涂层可以经由不同的方法被移除，例如，通过回蚀工艺，如RIE蚀刻、ICP蚀刻、离子铣削、离子束蚀刻等等。在图3中，覆盖LED的介电涂层320的顶部被移除以暴露出个体LED。以此种方式，LED可以与主晶圆上的电路系统进行电接触，如图3C所示。与每个LED的n型层相关联的n型接触经由电极217连接到接地接触114。
在图3C中，在多个阶段的晶圆接合以及衬底移除之后，显示面板被制造。在每个阶段中，LED晶圆上的LED 210被接合到主晶圆上的对应驱动器电路系统110。在此示例中，红色LED 210R首先被接合到对应驱动器电路110R，然后，绿色LED 210G被接合到对应驱动器电路110G，最终蓝色LED 210B被接合到对应驱动器电路110B。图3C仅示出了一个示例。在备选实施例中，将不同颜色LED接合到驱动器电路的顺序可以被改变。例如，绿色LED可以首先被接合到驱动器电路系统110G，然后红色LED被接合到驱动器电路系统110R，最终蓝色LED被接合到驱动器电路系统110B。同样，LED的颜色不限于红色、绿色和蓝色。其他的颜色组合也是可能的，例如蓝色和黄色、或者蓝色/绿色/橙色/红色。
每个LED 210具有一对接触(对于n型和p型层)。一个接触经由接合接触116-216连接到对应驱动晶体管110的输出。LED的另一个接触被连接到接地。在此示例中，在全部LED晶圆的接合已完成之后进行接地的连接。在此示例中，接地连接在驱动器IC内被分布到每个像素，并且每个像素驱动器电路的接地焊盘电连接到LED的n型电极。所有接地焊盘到驱动器IC的接地总线的连接在驱动器IC的内部被制作。在另一实施例中，驱动器IC内的接地连接仅分布到某些位置而不是分布到在其处制作公共接地焊盘的每个像素。在将全部LED接合到驱动器IC之后，制作LED的n型电极到这些公共接地焊盘的电连接。
图4是根据一个实施例的示例LED显示面板400的俯视图。显示面板400包括数据接口410、控制模块420以及像素区域440。数据接口410接收定义了将要显示的图像的数据。此数据的(多个)来源和格式根据应用而有所不同。控制模块420接收传入数据并且将其转换成适于驱动显示面板中的像素的格式。控制模块420可以包括：数字逻辑和/或状态机，以从接收的格式转换为适合于像素区域440的格式；移位寄存器或者其他类型的缓冲器和存储器，用以存储以及转移数据；数模转换器以及电平移位器；以及包括了时钟电路系统的扫描控制器。
像素区域440包括像素阵列。像素包括与像素驱动器单片集成的LED 434，例如如上所述或者在以下附图中。在此示例中，显示面板400是彩色RGB显示面板。其包括以列布置的红色、绿色和蓝色像素。列432R是红色像素，列432G是绿色像素，以及列432B是蓝色像素。在每个像素内，LED 434由像素驱动器控制。根据先前示出的实施例，像素经由接地焊盘436与电源电压(未示出)和接地接触，并且还与控制信号接触。尽管未在图4中示出，LED的p型电极以及驱动晶体管的输出被定位在LED 434下方，并且它们通过接合金属进行电连接。LED电流驱动信号连接(在LED的p型电极与像素驱动器的输出之间)、接地连接(在n型电极与系统接地之间)、Vdd连接(在像素驱动器的源极与系统Vdd之间)以及到像素驱动器的栅极的控制信号连接是根据之前描述的各种实施例制作的。
图4仅是代表性的附图。其他设计将是显而易见的。例如，颜色并非必须是红色、绿色和蓝色，并且并非必须存在相同数量的每种颜色的像素。也并非必须以列或者条布置像素。例如，一组四个彩色像素可以被布置成2×2方形。个体像素单元也可以被布置成共享行寻址或者列寻址，从而减少行迹线或者列迹线的总数。作为一个示例，除了图4中所示的像素的矩形矩阵的布置之外，也可以使用六边形像素矩阵的布置来形成显示面板400。
在一些应用中，完全可编程的矩形像素阵列并非必须的。具有各种形状的显示面板和显示器的其他设计也可以使用本文所述的器件结构来形成。一类示例是特定应用，包括指示牌和汽车。例如，多个像素可以被布置为星形或者螺旋形以形成显示面板，并且可以通过打开或者关闭LED来产生显示面板上的不同图案。另一特定示例是汽车前灯以及智能照明，其中某些像素被组合在一起以形成各种照明形状，并且每组LED像素可以被打开或者关闭，或者通过个体像素驱动器来调整。
甚至每个像素内的器件的横向布置也可以变化。在图1-图3中，LED和像素驱动器被垂直地布置。每个LED被定位在对应的像素驱动器电路的“顶部上”。其他的布置是可能的。例如，像素驱动器还可以被定位在LED的“后方”、“前方”或者“旁边”。
可以制造不同类型的显示面板。例如，显示面板的分辨率通常可以在从8×8到3840×2160的范围。常见的显示分辨率包括：QVGA，分辨率为320×240，长宽比为4:3；XGA，分辨率为1024×768，长宽比为4:3；HD，分辨率为1280×720，长宽比为16:9；FHD，分辨率为1920×1080，长宽比为16:9；UHD，分辨率为3840×2160，长宽比为16：9,；以及4K，分辨率为4096×2160。还可以有各种图像尺寸，从亚微米和更低到10mm和更高。整个显示区域的尺寸也可以广泛变化，对角线在从小到几十微米或更小到几百英寸或者更大的范围内。
不同的应用将对光学亮度具有不同要求。示例应用包括直接观察显示屏幕、用于家庭/办公室投影仪以及便携式电子设备(诸如智能电话、笔记本计算机、可穿戴电子设备和视网膜投影)的光引擎。功耗可以从用于视网膜投影仪的低至几毫瓦变动到用于户外的大屏幕显示器、投影仪以及智慧汽车前灯的高达数千瓦。在帧率方面，得益于无机LED的快速响应(纳秒)，帧速率可以高达kHz，或者对于小分辨率甚至高达MHz。
在图2-图3的示例中，LED晶圆到主晶圆的接合制作一个到LED的电连接。在图5的示例中，此接合制作两个连接。
图5A是根据一个实施例的包括在支撑衬底102上制造的驱动器电路110的阵列的主晶圆的横截面图。此设计类似于图1B所示的设计，除了存在额外的接合接触514。在图1B中，对于每个像素，存在连接到驱动晶体管110的一个接合接触116。在图5A中，存在两个接合接触516和514。接合接触516连接到驱动晶体管110，如图1B所示。然而，接合接触514连接到接地总线。
图5B是根据一个实施例的包括外延生长在衬底502R上的红色LED 510R的阵列的第一LED晶圆的横截面图。与图2-图3中的LED晶圆不同，红色LED 510R的p型层517R和n型层518R分别连接到接合接触526R和524R。介电层513R将两个接触彼此隔离。
图5C是根据一个实施例的接合到主晶圆的红色LED晶圆的横截面图。在图5B中，红色LED 510R被倒装接合到支撑衬底102上的驱动器电路系统110R。更具体地，对于每个LED510R，p型层接合接触526R被连接到对应驱动器电路110R的接合接触516R，以及n型层接合接触524R被连接到接合接触514R，其被连接到接地。
图5D是根据一个实施例的在衬底502被移除之后的横截面图。可以使用湿化学蚀刻或者激光剥离来移除衬底502R。在图5D中，LED晶圆的衬底被移除以暴露出已经被接合到支撑衬底102上的对应驱动器电路110R的个体LED 510R。
对于额外的LED晶圆可以重复该过程。图5E是根据一个实施例的与支撑衬底102上的驱动器电路系统110接合的具有红色、绿色和蓝色LED的阵列的全色显示面板的横截面图。在图5E中，通过多阶段对准接合以及衬底移除制造显示面板。在每个阶段期间，具有不同颜色LED的LED晶圆被接合到对应的驱动器电路系统110。在接合阶段之间移除LED晶圆的衬底。用于最后一个阶段的衬底可以被移除或者不被移除。
尽管详细描述包含很多细节，但是这些细节不应被解释为限制本发明的范围，而仅仅是说明了本发明的不同的示例和方面。应当理解，本发明的范围包括上文未详细讨论的其他实施例。例如，上述的方法可以应用于除了LED之外的功能设备与除了像素驱动器之外的控制电路系统的集成。非LED器件的示例包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电探测器、微机电系统(MEMS)、硅光子器件、电力电子器件和分布式反馈激光器(DFB)。其他控制电路系统的示例包括电流驱动器、电压驱动器、跨阻放大器和逻辑电路。
对于本领域技术人员显而易见的各种其他修改、改变和变化可以以本文公开的本发明的方法和装置的布置、操作和细节进行，而不脱离如所附权利要求中定义的本发明的精神和范围。因此，本发明的范围应由所附权利要求以及其合法等同来确定。

Claims (20)

1.一种用于制造集成LED显示器的方法，包括：
制造CMOS晶圆，所述CMOS晶圆包括在支撑衬底上制造的驱动器电路系统，所述驱动器电路系统包括像素驱动器阵列；
对于两个或者更多LED晶圆中的每一个，每个LED晶圆包括在衬底上制造的LED阵列，每个LED具有第一LED接触：
将所述LED晶圆接合到所述CMOS晶圆，包括将所述第一LED接触对准并且接合到所述CMOS晶圆上的对应的像素驱动器的接触；以及
对于除了最后一个LED晶圆之外的所有LED晶圆，在接合下一个LED晶圆之前移除所述LED晶圆的所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED晶圆中的至少两个包含不同颜色的LED。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成LED显示器是多色LED显示器。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述两个或更多LED晶圆包括具有红色LED的LED晶圆、具有绿色LED的LED晶圆以及具有蓝色LED的LED晶圆。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成LED显示器是RGB LED显示器；并且所述两个或更多LED晶圆包括具有用于产生红色像素的LED的第一LED晶圆、具有用于产生绿色像素的LED的第二LED晶圆以及具有用于产生蓝色像素的LED的第三LED晶圆。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED晶圆的所述衬底是与所述支撑衬底不同的材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述像素驱动器包括驱动对应的LED的驱动晶体管，并且将所述第一LED接触接合到所述CMOS晶圆上的对应的像素驱动器的接触包括：将所述第一LED接触接合到所述对应的像素驱动器的所述驱动晶体管的源极/漏极的接触。
8.根据权利要求1所述的方法，其中每个LED具有第二LED接触，并且将将所述LED晶圆接合到所述CMOS晶圆进一步包括：在接合所述第一LED接触的同时将所述第二LED接触接合到所述CMOS晶圆上的对应接触。
9.根据权利要求1所述的方法，其中每个LED具有第二LED接触，并且所述方法进一步包括：
在将LED晶圆接合到所述CMOS晶圆之后，进行从所述第二LED接触到所述CMOS晶圆上的对应的接触的连接。
10.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述LED晶圆的所述衬底包括通过湿化学蚀刻来移除所述衬底。
11.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述LED晶圆的所述衬底包括通过激光剥离工艺来移除所述衬底。
12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
移除所述最后一个LED晶圆的所述衬底。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述最后一个LED晶圆的所述衬底未被移除。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述最后一个LED晶圆的所述衬底是透明的。
15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在将所有LED晶圆接合到所述CMOS晶圆之后，在所述LED之间沉积介电层以电隔离所述LED。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
将所述介电层平面化。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述像素驱动器包括薄膜晶体管像素驱动器。
18.一种用于制造集成半导体器件的方法，包括：
制造主晶圆，所述主晶圆包括在支撑衬底上制造的控制电路系统，所述控制电路系统包括控制电路阵列；
对于两个或更多有源器件晶圆中的每一个，每个有源器件晶圆包括在衬底上制造的有源器件阵列：
将所述有源器件晶圆接合到所述主晶圆，包括将所述有源器件晶圆上的所述有源器件的接触接合到所述主晶圆上的对应的控制电路的接触；以及
对于除了最后一个有源器件晶圆之外的所有有源器件晶圆，在接合下一个有源器件晶圆之前移除所述有源器件晶圆的所述衬底。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述有源器件选自由垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电探测器、微机电系统(MEMS)、硅光子器件、电力电子器件和分布式反馈激光器(DFB)组成的组。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述控制电路选自由电流驱动器电路、电压驱动器电路、跨阻放大器(TIA)和逻辑控制电路组成的组。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110610931A (zh) * 2019-09-20 2019-12-24 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 多色Micro LED分区分批次制备方法
CN114551656A (zh) * 2022-01-28 2022-05-27 福建兆元光电有限公司 一种彩色Micro LED显示芯片模组的制造方法

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6533838B2 (ja) * 2015-11-04 2019-06-19 ゴルテック インコーポレイテッド マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
US10304375B2 (en) 2016-09-23 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Micro display panels with integrated micro-reflectors
TWI584491B (zh) * 2016-11-03 2017-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置與其製作方法
CN109906518B (zh) * 2016-12-05 2022-07-01 歌尔股份有限公司 微激光二极管转移方法和微激光二极管显示装置制造方法
KR20180065342A (ko) * 2016-12-07 2018-06-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US10325893B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Mass transfer of micro structures using adhesives
WO2018137139A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 Goertek. Inc Micro-led device, display apparatus and method for manufacturing a micro-led device
US10937768B2 (en) 2017-03-13 2021-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of manufacturing display device
AU2018250698B2 (en) * 2017-04-13 2022-05-26 Jade Bird Display (Shang Hai) Limited LED-OLED hybrid self-emissive display
KR102305180B1 (ko) * 2017-04-25 2021-09-28 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10096740B1 (en) * 2017-05-23 2018-10-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate
TWI633681B (zh) * 2017-06-09 2018-08-21 美商晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
TWI611573B (zh) * 2017-06-09 2018-01-11 晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
KR102514755B1 (ko) * 2017-07-10 2023-03-29 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법
WO2019013469A1 (ko) * 2017-07-10 2019-01-17 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법
US10134945B1 (en) * 2017-08-28 2018-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer to wafer bonding techniques for III-V wafers and CMOS wafers
US10354580B2 (en) * 2017-09-07 2019-07-16 United Microelectronics Corp. Integrated LED display and fabrication method thereof
CN109786307B (zh) * 2017-11-15 2021-02-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板的制备方法
CN107731864B (zh) * 2017-11-20 2020-06-12 开发晶照明（厦门）有限公司 微发光二极管显示器和制作方法
KR102603411B1 (ko) 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
KR102433873B1 (ko) * 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법
JP7140315B2 (ja) * 2018-03-14 2022-09-21 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法
US10437402B1 (en) 2018-03-27 2019-10-08 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US10854801B1 (en) * 2018-04-02 2020-12-01 Facebook Technologies, Llc Bonding strategies for placement of LEDs from multiple carrier substrates
TWI686563B (zh) * 2018-04-11 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 微型發光二極體顯示器及其製作方法
TWI724407B (zh) * 2018-04-12 2021-04-11 鴻海精密工業股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製備方法
US10325894B1 (en) * 2018-04-17 2019-06-18 Shaoher Pan Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US11605668B2 (en) * 2018-05-21 2023-03-14 Intel Corporation Pixel architectures for low power micro light-emitting diode displays
CN108493209B (zh) * 2018-05-24 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法
EP3803976B1 (en) * 2018-05-24 2024-05-22 Lumiode, Inc. Led display structures and fabrication of same
CN110676280A (zh) 2018-05-30 2020-01-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及显示面板制作方法
CN108598105B (zh) * 2018-06-26 2020-10-13 矽照光电（厦门）有限公司 一种柔性有源彩色显示模块生产方法
US11342479B2 (en) * 2018-09-11 2022-05-24 Facebook Technologies, Llc Reducing bowing of materials before wafer-to-wafer bonding for LED manufacturing
CN111048543A (zh) * 2018-10-12 2020-04-21 致伸科技股份有限公司 显示模块
FR3087246B1 (fr) * 2018-10-15 2022-12-16 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a architecture ajustable
KR102064806B1 (ko) * 2018-10-16 2020-01-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102652723B1 (ko) * 2018-11-20 2024-04-01 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법
EP3899920A4 (en) 2018-12-21 2022-09-28 Lumiode, Inc. ADDRESSING FOR EMISSIVE INDICATORS
JP7348520B2 (ja) * 2018-12-25 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
US11355665B2 (en) 2019-06-19 2022-06-07 Facebook Technologies, Llc Process flow for hybrid TFT-based micro display projector
US11239399B2 (en) 2019-02-05 2022-02-01 Facebook Technologies, Llc Architecture for hybrid TFT-based micro display projector
US11552163B2 (en) 2019-02-22 2023-01-10 Vuereal Inc. Staggered and tile stacked microdevice integration and driving
CN109802018B (zh) * 2019-03-27 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管阵列基板的制作方法
KR20200115852A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210004324A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
CN110634839B (zh) * 2019-09-26 2021-11-26 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管显示基板、装置及制备方法
US10847083B1 (en) 2019-10-14 2020-11-24 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices by laser-assisted bonding
US11011669B2 (en) 2019-10-14 2021-05-18 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices
CN111128942B (zh) * 2019-12-04 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种微发光二极管显示基板及其制备方法
EP3872797A1 (en) 2020-02-27 2021-09-01 Apple Inc. Local active matrix architecture
AU2021259592A1 (en) 2020-04-21 2022-12-08 Jade Bird Display (shanghai) Limited Light-emitting diode chip structures with reflective elements
US11804582B2 (en) * 2020-04-21 2023-10-31 Jade Bird Display (shanghai) Limited Light-emitting diode chip structures with reflective elements
DE21818011T1 (de) 2020-06-03 2023-07-06 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systeme und verfahren für eine mehrfarbige led-pixeleinheit mit horizontaler lichtemission
KR20210155440A (ko) * 2020-06-15 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
CN111769108A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
FR3114685A1 (fr) * 2020-09-30 2022-04-01 Aledia Dispositif optoélectronique
DE102021116242A1 (de) 2021-06-23 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
TWI787890B (zh) * 2021-06-30 2022-12-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
TWI789995B (zh) * 2021-11-16 2023-01-11 錼創顯示科技股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698077A (zh) * 2003-03-06 2005-11-16 索尼株式会社 器件转移方法和显示器装置
CN1755951A (zh) * 2004-09-29 2006-04-05 国联光电科技股份有限公司 发光二极管及其制作方法
JP2006140398A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法
CN101097907A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机发光器件及其制造方法
CN102341243A (zh) * 2009-03-04 2012-02-01 佳能株式会社 功能区域的转印方法、led阵列、led打印机头和led打印机
CN102637681A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 厦门市三安光电科技有限公司 垂直式发光器件及其制作方法
US20130026511A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for the light emitting device and light emitting device array
CN105051899A (zh) * 2013-03-15 2015-11-11 尼斯迪格瑞科技环球公司 将晶体管晶片接合到发光二极管晶片以形成有源发光二极管模块

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2309482A3 (en) 1998-10-30 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Field sequantial liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
US7871052B2 (en) 2008-03-18 2011-01-18 John Baum Flexible cover hold down system
JP2010251360A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
WO2010149027A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Industrial Technology Research Institute Light-emitting unit array, method for fabricating the same and projection apparatus
WO2011071559A1 (en) 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
KR101452768B1 (ko) 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101476688B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN110010750B (zh) * 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698077A (zh) * 2003-03-06 2005-11-16 索尼株式会社 器件转移方法和显示器装置
CN1755951A (zh) * 2004-09-29 2006-04-05 国联光电科技股份有限公司 发光二极管及其制作方法
JP2006140398A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法
CN101097907A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机发光器件及其制造方法
CN102341243A (zh) * 2009-03-04 2012-02-01 佳能株式会社 功能区域的转印方法、led阵列、led打印机头和led打印机
US20130026511A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for the light emitting device and light emitting device array
CN102637681A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 厦门市三安光电科技有限公司 垂直式发光器件及其制作方法
CN105051899A (zh) * 2013-03-15 2015-11-11 尼斯迪格瑞科技环球公司 将晶体管晶片接合到发光二极管晶片以形成有源发光二极管模块

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110610931A (zh) * 2019-09-20 2019-12-24 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 多色Micro LED分区分批次制备方法
CN114551656A (zh) * 2022-01-28 2022-05-27 福建兆元光电有限公司 一种彩色Micro LED显示芯片模组的制造方法

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