TWI789995B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板，包括電路基板以及多個微型發光二極體結構。多個微型發光二極體結構分別包含微型發光晶片與成形結構。微型發光晶片電性接合至電路基板。微型發光晶片包括第一表面、第二表面以及周側表面。第一表面位於微型發光晶片朝向電路基板的一側。第二表面相對於第一表面設置。周側表面連接第一表面與第二表面。成形結構環繞微型發光晶片的周側表面且包圍第二表面。成形結構朝向遠離電路基板的方向延伸並形成內側壁。內側壁與第二表面構成容置部。
Description
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種可提高出光指向性或光穿透度的顯示面板及其製造方法。
目前，在微型發光二極體(microLED)的顯示面板的製造過程中，在將微型發光二極體轉移到電路基板後時，會另行製作遮光層(例如是黑色矩陣)覆蓋在電路基板上，並且遮蔽每個子畫素之間的間隙，進而避免各個子畫素所發出的光線互相干擾。然而，由於此遮光層是在面板上進行，因而需要特別注意高溫以及電路保護的問題，進而造成此製程的難度較高。此外，由於上述另行製作的遮光層會將子畫素之間的空隙完全覆蓋，因而導致顯示面板的透光性較差。
基於顯示畫面的需要，遮光層需對應子畫素的發光區製作出圖形化的透光區域。然而，由於遮光層為非透光材料，因此當遮光層的厚度較厚時，將會導致黃光製程(photolithography)無法順利地對遮光層的底部進行曝光，導致遮光層的厚度受到製程限制。
本發明提供一種顯示面板及其製造方法，其可提高出光指向性、可提高顯示面板的光穿透度(或透光度)、可提高產品的良率或可節省大量成本。
本發明的顯示面板包括電路基板以及多個微型發光二極體結構。多個微型發光二極體結構分別包含微型發光晶片與成形結構。微型發光晶片電性接合至電路基板。微型發光晶片包括第一表面、第二表面以及周側表面。第一表面位於微型發光晶片朝向電路基板的一側。第二表面相對於第一表面設置。周側表面連接第一表面與第二表面。成形結構環繞微型發光晶片的周側表面且包圍第二表面。成形結構朝向遠離電路基板的方向延伸並形成內側壁。內側壁與第二表面構成容置部。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構從微型發光晶片的周側表面延伸分布至第一表面。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光晶片更包括至少一電極。至少一電極設置於第一表面且暴露於成形結構外，並電性連接至電路基板。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構與電路基板之間具有間隙。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光晶片的第二表面區分為中心部分與外圍部分。外圍部分被成形結構覆蓋。中心部分的面積與第二表面的面積的比值大於或等於0.7。
在本發明的一實施例中，上述的內側壁與第二表面之間具有夾角，且夾角介於90度與150度之間。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構具有端部。端部與第二表面之間的距離介於3微米至10微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構具有端部。容置部的橫截面積從第二表面朝向端部逐漸增加。
在本發明的一實施例中，上述的電路基板具有暴露區域。暴露區域位於相鄰的任兩個微型發光二極體結構於電路基板上的正投影之間。暴露區域不重疊於成形結構於電路基板上的正投影。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構為非透光材料。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光晶片更包括導光層。導光層設置於第二表面。
本發明的顯示面板的製造方法包括以下步驟。提供承載基板。形成多個連接層於承載基板上。提供多個微型發光晶片，其中各個微型發光晶片具有第一表面、相對於第一表面的第二表面以及連接第一表面與第二表面的周側表面。操作承載基板，並將多個連接層接合至對應的第二表面，以使第一表面位於微型發光晶片遠離承載基板的一側。分別形成成形結構於各個微型發光晶片上，以使各個成形結構沿著各個連接層的側壁延伸分布至各個微型發光晶片的周側表面與第一表面。提供電路基板。操作承載基板，並將各個微型發光晶片接合至電路基板。移除各個連接層的至少一部分，以使多個微型發光晶片脫離承載基板。其中，各個成形結構包圍各個微型發光晶片的第二表面並與第二表面構成容置部。
在本發明的一實施例中，上述在形成多個連接層於承載基板上的步驟中，更包括：使多個連接層彼此相連而在承載基板上形成一保護層。保護層位於多個成形結構與承載基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的成形結構覆蓋第一表面，且上述的製造方法更包括：移除第一表面的部份成形結構，以暴露出各個微型發光晶片的至少一電極。
在本發明的一實施例中，上述的製造方法更包括：進行圖案化步驟，以依據曝光圖形移除部分的成形結構。曝光圖形在承載基板上的正投影不重疊於多個微型發光二極體結構在承載基板上的正投影。
在本發明的一實施例中，上述在形成多個連接層於承載基板上的步驟中，多個連接層為長方柱狀、圓台狀或梯形柱狀。
在本發明的一實施例中，上述在形成多個連接層於承載基板上的步驟中，多個連接層的橫截面積朝向遠離承載基板的方向逐漸減少。
在本發明的一實施例中，上述在移除各個連接層的步驟中，更包括：保留部分的連接層於第二表面。
基於上述，在本發明一實施例的顯示面板及其製造方法中，由於成形結構可以延伸分布於微型發光晶片的周側表面以及第一表面，因而可以避免相鄰的兩個微型發光晶片的出光互相干擾，並可提高出光指向性。再者，相較於一般會因黃光製程的限制而無法製作出厚度較厚的成形結構的製作步驟，本實施例的顯示面板的製造方法則可輕易地藉由改變連接層的高度來視需求調整或製作出厚度較厚的成形結構。此外，由於形成成形結構的步驟可在承載基板(暫時基板)上進行，因此在後續的製程中可不需要對電路基板進行高溫以及電路保護等複雜且難度較高的製程，進而可大幅提高產品的良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1F繪示為本發明一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。本實施例的顯示面板100的製造方法包括以下步驟：
請參照圖1A，首先，提供承載基板110。其中，承載基板110例如是塑膠基板、玻璃基板或藍寶石(sapphire)基板等的暫時基板，但不以此為限。
接著，形成多個連接層120於承載基板110上。各個連接層120具有上表面121以及連接上表面121的側壁123。在本實施例中，連接層120的材料可以為透光材料。連接層120的材料可例如是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)或SU-8聚合物等，但不以此為限。在本實施例中，連接層120的形狀大致上為長方柱狀，但不以此為限。在一些實施例中，連接層120的形狀也可以為圓台狀(未繪示)或梯形柱狀(如圖4A、4B所示)。
然後，請參照圖1B，提供多個微型發光晶片130。微型發光晶片130例如是微型發光二極體(micro LED, mLED/μLED)或有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)，但不以此為限。其中，各個微型發光晶片130具有第一表面131、相對於第一表面131的第二表面132、以及連接第一表面131與第二表面132的周側表面133。各個微型發光晶片130包括至少一電極134(圖1B示意地繪示以2個電極為例)與絕緣層135。其中，絕緣層135設置於微型發光晶片130的第一表面131上，且暴露出部分的第一表面131。電極134設置於微型發光晶片130的第一表面131上，且設置於由絕緣層135所暴露出的部分的第一表面131上。
接著，將多個微型發光晶片130分別接合到各個連接層120。額外說明的是，雖然圖1B所繪示的微型發光晶片130的第二表面132和連接層120的上表面121具有相同的寬度（或面積），但在其他實施例中（例如圖3），第二表面132和上表面121可以具有不同尺寸。
上述接合製程可採用對向壓合之方式，例如將多個微型發光晶片130固定於另一基板，並壓合至承載基板110上的多個連接層120。或者，也可操作承載基板110，並將多個連接層120的上表面121接合至對應的微型發光晶片130的第二表面132，但本發明不以此為限。此時，微型發光晶片130的第一表面131位於微型發光晶片130遠離承載基板110的一側。
如圖1C所示，接著，形成成形結構(molding structure)140於各個微型發光晶片130上，以使成形結構140可沿著各個連接層120的側壁123延伸分布至各個微型發光晶片130的周側表面133與第一表面131。
在本實施例中，成形結構140可例如是以塗佈的方式形成，但不以此為限。在本實施例中，成形結構140的材料可以為非透光材料或遮光材料，以減少相鄰的兩個微型發光晶片(即各個微型發光晶片130)的出光互相干擾的問題，並提高出光指向性。成形結構140的材料可例如是黑光阻(例如是含有炭黑)、白光阻(例如是含有二氧化鈦)或灰光阻(例如是含有一定比例的炭黑與二氧化鈦)，但不以此為限。其中，當成形結構140的顏色較深時，成形結構140的吸光效果較強且對比度較高；反之，當成形結構140的顏色較淺時，成形結構140較容易反射出光且亮度較高。在一些實施例中，成形結構140的材料也可例如是樹脂、環氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚矽氧烷(polysiloxane)或聚醯亞胺(polyimide，PI)，但不以此為限。在一些實施例中，成形結構140的材料也可填入金屬粒子而成為混合物，以用來增加反射效果。
如圖1D所示，移除微型發光晶片130的第一表面131的部份的成形結構140，以暴露出各個微型發光晶片130的電極134。同時，在相鄰的兩個成形結構140之連接處部分的材料，也一併被移除而形成間隙G1。在此，成形結構140分別形成在各個微型發光晶片130上並將其覆蓋，且成形結構140與這些微型發光晶片130構成微型發光二極體結構101。在本實施例中，可例如是以黃光製程(photolithography)的方式來移除部份的成形結構140，但不以此為限。此時，各個微型發光晶片130的電極134可暴露於成形結構140外。
請參照圖1E，在上述步驟完成後，提供電路基板150，電路基板150包括多個接墊151以及驅動電路(未繪示)，且驅動電路可電性連接至接墊151。
接著，進行微型發光晶片130的轉移步驟：操作承載基板110，並將各個微型發光晶片130的電極134透過接墊151接合至電路基板150。此時，各個微型發光晶片130的電極134可接觸接墊151並透過接墊151電性連接至電路基板150。在本實施例中，在成形結構140與電路基板150之間具有間隙G2。
然後，請參照圖1F，移除各個連接層120的至少一部分與承載基板110交界處的材料，以使多個微型發光晶片130可脫離承載基板110。進一步地，將剩餘的連接層120移除以暴露出各微型發光晶片130的第二表面132以及成形結構140的內側壁141。在本實施例中，可例如是以雷射剝離(laser lift-off，LLO)、等向性蝕刻或非等向性蝕刻的方式來移除連接層120，但不以此為限。此時，成形結構140包圍各個微型發光晶片130的第二表面132，且成形結構140朝向遠離電路基板150的方向延伸。成形結構140的內側壁141可與第二表面132構成容置部C1。在本實施例中，容置部C1可以為空氣空腔，以在後續製程中用來填入色轉換材料(例如量子點)和/或微透鏡(micro lens)，但不以此為限。
在本實施例中，由於成形結構140可以延伸分布於連接層120的側壁123、微型發光晶片130的周側表面133、以及微型發光晶片130的第一表面131，因而可以避免相鄰的兩個微型發光晶片130之間的出光互相干擾(crosstalk)，並可提高出光指向性(例如是朝向遠離第一表面131的方向出光)。
在本實施例中，成形結構140具有端部143。在電路基板150的法線方向上，端部143與微型發光晶片130的第二表面132之間具有距離D1，且距離D1可以視為容置部C1的深度。由前述說明可知，由於距離D1是由連接層120的高度所決定，即成形結構140並非經由黃光微影製程而成形；因此，藉由改變連接層120的高度，即可輕易地調整距離D1和/或成形結構140的厚度。因此，相較於一般會因黃光製程的限制而無法製作出厚度較厚（即，較深的容置部）的成形結構的製作步驟，本實施例的顯示面板100的製造方法可不受此製程限制，以因應不同產品的需求。在本實施例中，距離D1可例如是介於3微米(μm)至10微米之間，但不以此為限。
在本實施例中，電路基板150可具有第一區域150a、第二區域150b以及暴露區域150c。在電路基板150的法線方向上，微型發光晶片130於電路基板150上的正投影可大致上與第一區域150a重疊。部分的成形結構140於電路基板150上的正投影可大致上與第二區域150b重疊。暴露區域150c位於相鄰的任兩個微型發光二極體結構101於電路基板150上的正投影之間。此外暴露區域150c不重疊於微型發光晶片130於電路基板150上的正投影，也不重疊於成形結構140於電路基板150上的正投影。在本實施例中，由於電路基板150的暴露區域150c不會被成形結構140遮蔽，因此暴露區域150c可以提高本實施例的顯示面板100（例如具透光性的電路基板150）的光穿透度。
要注意的是，相較於一般在微型發光晶片轉移到電路基板後才製作成形結構的顯示面板，本實施例的顯示面板100的製造方法則是在承載基板110(暫時基板)上就形成成形結構140，因此在後續的製程中可不需要對電路基板150進行高溫或其他複雜難度較高的製程，進而可大幅提高產品的良率，同時省略一部分電路保護的步驟。
此外，由於黏取微型發光晶片130是微型發光二極體之巨量轉移的主要方法之一，因此在本實施例的顯示面板100的製造方法中，連接層120實質上係為轉移製程中的轉移元件(transfer unit)。換言之，本實施例係藉由原有製程中的轉移元件來提供形成遮光層之形狀的條件。進一步來說，在成形結構140成形後，移除連接層120亦為轉移製程中的必要步驟，因而容置部C1也是在上述移除過程中自然形成。藉此，由於本實施例的顯示面板100的製造方法係在既有的巨量轉移製程的基礎上進一步實現的，故而無需增加大量繁複製程，可顯著地降低遮光層的製作成本。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。圖2B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1F以及圖2A、2B，本實施例的顯示面板100a與圖1A至圖1F中的顯示面板100相似，主要差異之處在於：在本實施例的顯示面板100a的製造方法中，還包括：使多個連接層120彼此相連而在承載基板110上形成保護層125；以及進行圖案化步驟，以依據曝光圖形160移除部分的成形結構140a。
具體來說，請同時參照圖1A與圖2A，在本實施例中，在形成如圖1A的多個連接層120於承載基板110上時，可同時形成保護層125於承載基板110上以及多個連接層120之間，以使多個連接層120可透過保護層125彼此相連，並使保護層125可位於多個成形結構140a與承載基板110之間。接著，在後續形成成形結構140a時，成形結構140a則可覆蓋保護層125。藉此，在後續以雷射剝離製程分離連接層120與承載基板110時，保護層125可用來保護成形結構140a的端部143，使得後續形成的容置部C1的深度（即距離D1）更易於控制。在一些實施例中，保護層125可與連接層120一體成型。
接著，請一併參考圖2B，在形成多個連接層120與保護層125於承載基板110上，再形成成形結構140a覆蓋於微型發光晶片130、連接層120與保護層125上之後，藉由曝光圖形160定義需要移除的成形結構140a。其中，曝光圖形160在承載基板110上的正投影不重疊於多個微型發光二極體結構101在承載基板110上的正投影。
如圖2B所示，依據曝光圖形160來進行一圖案化步驟，以移除部分的成形結構140a，且這些移除部分係對應各個微型發光晶片130之間的間隙G1。其中，間隙G1可暴露出下方的保護層125；或者，由於保護層125在後續轉移製程中並不需要保留，故此處的圖案化步驟可允許成形結構140a下方的部分或全部的保護層125被移除(未繪示於圖中)。
圖3繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1F與圖3，本實施例的顯示面板100b與圖1F中的顯示面板100相似，惟二者主要差異之處在於：在本實施例的顯示面板100b中，各個微型發光晶片130的第二表面132可區分為中心部分1321與外圍部分1322。
具體來說，請搭配圖2A參照圖3，在本實施例的顯示面板100b的製造過程中，由於連接層(未繪示)的上表面的寬度（或面積）小於微型發光晶片130的第二表面132的寬度（或面積），因此，當微型發光晶片130的第二表面132接合到連接層時，第二表面132的中心部分1321覆蓋連接層，第二表面132的外圍部分1322則暴露出。
接著，由於在形成成形結構140的過程中，成形結構140可接觸並覆蓋由連接層所暴露出的外圍部分1322，因此，在移除連接層之後，則可使第二表面132的中心部分1321被成形結構140暴露出，且外圍部分1322仍可被成形結構140的覆蓋。其中，中心部分1321的面積A1與第二表面132的面積A2的比值可例如是大於或等於0.7且小於1 (即0.7≦A1/A2＜1)，但不以此為限。
換言之，微型發光晶片130的第二表面132的中心部分1321的寬度（或面積）可大致上等於連接層的上表面的寬度（或面積），且中心部分1321的寬度（或面積）可經由連接層的上表面的寬度（或面積）控制。
在本實施例中，由於微型發光晶片130的第二表面132的外圍部分1322可被成形結構140的覆蓋，且中心部分1321可被成形結構140暴露出。因而，藉由控制出光區域（即中心部分1321）的大小，可使微型發光晶片130達到集中出光的效果。
圖4A至圖4B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1F以及圖4A至圖4B，本實施例的顯示面板100c與圖1A至圖1F中的顯示面板100相似，惟二者主要差異之處在於：在本實施例的顯示面板100c的製造方法中，連接層120b的形狀大致上為梯形柱狀，且第二表面132同樣具有暴露的中心部分1321、以及被成形結構140b覆蓋的外圍部分1322。具體來說，請先參照圖4A，在本實施例中，在形成多個連接層120b於承載基板110上的步驟中，連接層120b的橫截面積會朝向遠離承載基板110的方向逐漸減少。
接著，以類似圖1B與圖1C的步驟，提供多個微型發光晶片130，將多個連接層120b接合至對應的微型發光晶片130的第二表面132，形成成形結構140b於多個微型發光晶片130上，移除第一表面131的部份的成形結構140b，提供電路基板150，並將各個微型發光晶片130接合至電路基板150。
然後，請參照圖4B，移除多個連接層120b，以使多個微型發光晶片130可脫離承載基板110，並暴露出各微型發光晶片130的第二表面132以及成形結構140b的內側壁141。其中，內側壁141與第二表面132之間具有夾角θ，且夾角θ例如是介於90度與150度之間，但不以此為限。此外，在本實施例中，由於容置部C2的橫截面積可從第二表面132朝向端部143逐漸增加，因而使得容置部C2可以提供較多的空間，以在後續製程可中可用來填入較多的色轉換材料和/或微透鏡。
此外，在其他實施例中，連接層120b也可以為不同形狀。例如圖1F的容置部C1即是由長方柱狀的連接層120形成。然而，本發明並不限於此，根據不同光型的需求，連接層120b也可以為其他形狀（例如但不限於圓台狀），藉以改變第二表面132的中心部分1321的出光面積或形狀。
利用前述的連接層120b以及成形結構140，本實施例可控制微型發光晶片130的出光角度和區域，以達到遮光層之功能。此外，相較於現有的遮光層結構僅設置於微型發光二極體的出光側，本實施例的成形結構140更延伸分布於微型發光晶片130的周側表面133以及第一表面131。藉此，配合成形結構140之內側壁141，可確保微型發光晶片130發出的光線僅從上方（即第二表面132）出光，進而無側向漏光問題，同時具備更佳的集中出光效果。
圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1F與圖5，本實施例的顯示面板100d與圖1F中的顯示面板100相似，惟二者主要差異之處在於：在本實施例的顯示面板100d中，各個微型發光晶片130更包括導光層180。
具體來說，請參照圖5，在本實施例中，導光層180設置於各個微型發光晶片130的第二表面132。導光層180可例如是連接層(未繪示)的一部分。詳細來說，在本實施例的顯示面板100d的製造方法中，在移除連接層時，可以不完全移除連接層，並保留部分的連接層於第二表面132，以將所述部分的連接層作為導光層180。
綜上所述，在本發明一實施例的顯示面板及其製造方法中，由於成形結構可以延伸分布於微型發光晶片的周側表面以及第一表面，因而可以避免相鄰的兩個微型發光晶片的出光有互相干擾的問題，並可提高出光指向性。接著，由於成形結構不會遮蔽電路基板的暴露區域，且可暴露出電路基板的暴露區域，因而可以提高本實施例的顯示面板的光穿透度(或透光度)。再者，相較於一般會因黃光製程的限制而無法製作出厚度較厚的成形結構的製作步驟，本實施例的顯示面板的製造方法則可輕易地藉由改變連接層的高度來視需求調整或製作出厚度較厚的成形結構，使成形結構的容置部具備更佳的可應用性（例如但不限於用來填入量子點材料及/或屈光元件）。此外，由於形成成形結構的步驟可在承載基板(暫時基板)上進行，因此在後續的製程中可不需要對電路基板進行高溫以及電路保護等複雜且難度較高的製程，進而可大幅提高產品的良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d:顯示面板
101:微型發光二極體結構
110:承載基板
120、120b:連接層
121:上表面
123:側壁
125:保護層
130:微型發光晶片
131:第一表面
132:第二表面
1321:中心部分
1322:外圍部分
133:周側表面
134:電極
140、140a、140b:成形結構
141:內側壁
143:端部
150:電路基板
150a:第一區域
150b:第二區域
150c:暴露區域
151:接墊
160:曝光圖形
180:導光層
A1、A2:面積
C1、C2:容置部
D1:距離
G1、G2:間隙
θ:夾角
圖1A至圖1F繪示為本發明一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖2A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖2B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖3繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖4A至圖4B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
100:顯示面板
101:微型發光二極體結構
130:微型發光晶片
131:第一表面
132:第二表面
133:周側表面
134:電極
140:成形結構
141:內側壁
143:端部
150:電路基板
150a:第一區域
150b:第二區域
150c:暴露區域
151:接墊
C1:容置部
D1:距離
G1:間隙
Claims (15)
- 一種顯示面板，包括：一電路基板；以及多個微型發光二極體結構，分別包含：一微型發光晶片，電性接合至該電路基板，並包括：一第一表面，位於該微型發光晶片朝向該電路基板的一側；一第二表面，相對於該第一表面設置；以及一周側表面，連接該第一表面與該第二表面；以及一成形結構，環繞該微型發光晶片的該周側表面且包圍該第二表面，其中該成形結構朝向遠離該電路基板的方向延伸並形成一內側壁，且該內側壁與該第二表面構成一容置部，其中該成形結構從該微型發光晶片的該周側表面延伸分布至該第一表面，其中各該微型發光晶片更包括至少一電極，設置於該第一表面且暴露於該成形結構外，並電性連接至該電路基板。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中各該成形結構與該電路基板之間具有一間隙。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中各該微型發光晶片的該第二表面區分為一中心部分與一外圍部分，該外圍部分被該成形結構覆蓋，且該中心部分的面積與該第二表面的面積的比值大於或等於0.7。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該內側壁與該第二表面之間具有一夾角，且該夾角介於90度與150度之間。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該成形結構具有一端部，且該端部與該第二表面之間的距離介於3微米至10微米之間。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該成形結構具有一端部，且該容置部的橫截面積從該第二表面朝向該端部逐漸增加。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該電路基板具有一暴露區域，位於相鄰的任兩個該微型發光二極體結構於該電路基板上的正投影之間，且該暴露區域不重疊於該些成形結構於該電路基板上的正投影。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該些成形結構為非透光材料。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中各該微型發光二極體結構更包括：一導光層，設置於該第二表面。
- 一種顯示面板的製造方法，包括：提供一承載基板；形成多個連接層於該承載基板上；提供多個微型發光晶片，各該微型發光晶片具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面以及連接該第一表面與該第二表面的一周側表面； 操作該承載基板，並將該些連接層接合至對應的該第二表面，以使該第一表面位於該微型發光晶片遠離該承載基板的一側；分別形成一成形結構於各該微型發光晶片上，以使各該成形結構沿著各該連接層的側壁延伸分布至各該微型發光晶片的該周側表面與該第一表面；移除該第一表面的部份該成形結構，以暴露出各該微型發光晶片的至少一電極；提供一電路基板；操作該承載基板，並將各該微型發光晶片接合至該電路基板；以及移除各該連接層的至少一部分，以使該些微型發光晶片脫離該承載基板；其中各該成形結構包圍各該微型發光晶片之該第二表面，並與該第二表面構成一容置部。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中在形成該些連接層於該承載基板上的步驟中，更包括：使該些連接層彼此相連而在該承載基板上形成一保護層，且該保護層位於該些成形結構與該承載基板之間。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，更包括： 進行一圖案化步驟，以依據一曝光圖形移除部分的該成形結構，其中該曝光圖形在該承載基板上的正投影不重疊於該些微型發光二極體結構在該承載基板上的正投影。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中在形成該些連接層於該承載基板上的步驟中，該些連接層為長方柱狀、圓台狀或梯形柱狀。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中在形成該些連接層於該承載基板上的步驟中，該些連接層的橫截面積朝向遠離該承載基板的方向逐漸減少。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中在移除各該連接層的步驟中，更包括：保留部分的該連接層於該第二表面。
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