CN114068608A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板。显示面板包括电路基板以及多个微型发光二极管结构。多个微型发光二极管结构分别包含微型发光芯片与成形结构。微型发光芯片电性接合至电路基板。微型发光芯片包括第一表面、第二表面以及周侧表面。第一表面位于微型发光芯片朝向电路基板的一侧。第二表面相对于第一表面设置。周侧表面连接第一表面与第二表面。成形结构环绕微型发光芯片的周侧表面且包围第二表面。成形结构朝向远离电路基板的方向延伸并形成内侧壁。内侧壁与第二表面构成容置部。本发明的显示面板及其制造方法可提高出光指向性、可提高显示面板的光穿透度(或透光度)、可提高产品的良率或可节省大量成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法，尤其涉及一种可提高出光指向性或光穿透度的显示面板及其制造方法。
背景技术
目前，在微型发光二极管(microLED)的显示面板的制造过程中，在将微型发光二极管转移到电路基板后时，会另行制作遮光层(例如是黑色矩阵)覆盖在电路基板上，并且遮蔽每个子像素之间的间隙，进而避免各个子像素所发出的光线互相干扰。然而，由于此遮光层是在面板上进行，因而需要特别注意高温以及电路保护的问题，进而造成此制程的难度较高。此外，由于上述另行制作的遮光层会将子像素之间的空隙完全覆盖，因而导致显示面板的透光性较差。
基于显示画面的需要，遮光层需对应子像素的发光区制作出图形化的透光区域。然而，由于遮光层为非透光材料，因此当遮光层的厚度较厚时，将会导致黄光制程(photolithography)无法顺利地对遮光层的底部进行曝光，导致遮光层的厚度受到制程限制。
发明内容
本发明是针对一种显示面板及其制造方法，其可提高出光指向性、可提高显示面板的光穿透度(或透光度)、可提高产品的良率或可节省大量成本。
根据本发明的实施例，显示面板包括电路基板以及多个微型发光二极管结构。多个微型发光二极管结构分别包含微型发光芯片与成形结构。微型发光芯片电性接合至电路基板。微型发光芯片包括第一表面、第二表面以及周侧表面。第一表面位于微型发光芯片朝向电路基板的一侧。第二表面相对于第一表面设置。周侧表面连接第一表面与第二表面。成形结构环绕微型发光芯片的周侧表面且包围第二表面。成形结构朝向远离电路基板的方向延伸并形成内侧壁。内侧壁与第二表面构成容置部。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的成形结构从微型发光芯片的周侧表面延伸分布至第一表面。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的各个微型发光芯片还包括至少一电极。至少一电极设置于第一表面且暴露于成形结构外，并电性连接至电路基板。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的成形结构与电路基板之间具有间隙。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的各个微型发光芯片的第二表面区分为中心部分与外围部分。外围部分被成形结构覆盖。中心部分的面积与第二表面的面积的比值大于或等于0.7。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的内侧壁与第二表面之间具有夹角，且夹角介于90度与150度之间。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的成形结构具有端部。端部与第二表面之间的距离介于3微米至10微米之间。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的成形结构具有端部。容置部的横截面积从第二表面朝向端部逐渐增加。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的电路基板具有暴露区域。暴露区域位于相邻的任两个微型发光二极管结构于电路基板上的正投影之间。暴露区域不重叠于成形结构于电路基板上的正投影。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的成形结构为非透光材料。
在根据本发明的实施例的显示面板中，上述的各个微型发光芯片还包括导光层。导光层设置于第二表面。
根据本发明的实施例，显示面板的制造方法包括以下步骤。提供承载基板。形成多个连接层于承载基板上。提供多个微型发光芯片，其中各个微型发光芯片具有第一表面、相对于第一表面的第二表面以及连接第一表面与第二表面的周侧表面。操作承载基板，并将多个连接层接合至对应的第二表面，以使第一表面位于微型发光芯片远离承载基板的一侧。分别形成成形结构于各个微型发光芯片上，以使各个成形结构沿着各个连接层的侧壁延伸分布至各个微型发光芯片的周侧表面与第一表面。提供电路基板。操作承载基板，并将各个微型发光芯片接合至电路基板。移除各个连接层的至少一部分，以使多个微型发光芯片脱离承载基板。其中，各个成形结构包围各个微型发光芯片的第二表面并与第二表面构成容置部。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述在形成多个连接层于承载基板上的步骤中，还包括：使多个连接层彼此相连而在承载基板上形成一保护层。保护层位于多个成形结构与承载基板之间。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述的成形结构覆盖第一表面，且上述的制造方法还包括：移除第一表面的部份成形结构，以暴露出各个微型发光芯片的至少一电极。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述的制造方法还包括：进行图案化步骤，以依据曝光图形移除部分的成形结构。曝光图形在承载基板上的正投影不重叠于多个微型发光二极管结构在承载基板上的正投影。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述在形成多个连接层于承载基板上的步骤中，多个连接层为长方柱状、圆台状或梯形柱状。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述在形成多个连接层于承载基板上的步骤中，多个连接层的横截面积朝向远离承载基板的方向逐渐减少。
在根据本发明的实施例的显示面板的制造方法中，上述在移除各个连接层的步骤中，还包括：保留部分的连接层于第二表面。
基于上述，在本发明一实施例的显示面板及其制造方法中，由于成形结构可以延伸分布于微型发光芯片的周侧表面以及第一表面，因而可以避免相邻的两个微型发光芯片的出光互相干扰，并可提高出光指向性。再者，相较于一般会因黄光制程的限制而无法制作出厚度较厚的成形结构的制作步骤，本实施例的显示面板的制造方法则可轻易地通过改变连接层的高度来视需求调整或制作出厚度较厚的成形结构。此外，由于形成成形结构的步骤可在承载基板(暂时基板)上进行，因此在后续的制程中可不需要对电路基板进行高温以及电路保护等复杂且难度较高的制程，进而可大幅提高产品的良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1A至图1F示出为本发明一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图2A示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图2B示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图3示出为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图；
图4A至图4B示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图5示出为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
附图标号说明
100、100a、100b、100c、100d：显示面板；
101：微型发光二极管结构；
110：承载基板；
120、120b：连接层；
121：上表面；
123：侧壁；
125：保护层；
130：微型发光芯片；
131：第一表面；
132：第二表面；
1321：中心部分；
1322：外围部分；
133：周侧表面；
134：电极；
140、140a、140b：成形结构；
141：内侧壁；
143：端部；
150：电路基板；
150a：第一区域；
150b：第二区域；
150c：暴露区域；
151：接垫；
160：曝光图形；
180：导光层；
A1、A2：面积；
C1、C2：容置部；
D1：距离；
G1、G2：间隙；
θ：夹角。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A至图1F示出为本发明一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。本实施例的显示面板100的制造方法包括以下步骤：
请参照图1A，首先，提供承载基板110。其中，承载基板110例如是塑料基板、玻璃基板或蓝宝石(sapphire)基板等的暂时基板，但不以此为限。
接着，形成多个连接层120于承载基板110上。各个连接层120具有上表面121以及连接上表面121的侧壁123。在本实施例中，连接层120的材料可以为透光材料。连接层120的材料可例如是聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)或SU-8聚合物等，但不以此为限。在本实施例中，连接层120的形状大致上为长方柱状，但不以此为限。在一些实施例中，连接层120的形状也可以为圆台状(未示出)或梯形柱状(如图4A、图4B所示)。
然后，请参照图1B，提供多个微型发光芯片130。微型发光芯片130例如是微型发光二极管(micro LED,mLED/μLED)或有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)，但不以此为限。其中，各个微型发光芯片130具有第一表面131、相对于第一表面131的第二表面132、以及连接第一表面131与第二表面132的周侧表面133。各个微型发光芯片130包括至少一电极134(图1B示意地示出以2个电极为例)与绝缘层135。其中，绝缘层135设置于微型发光芯片130的第一表面131上，且暴露出部分的第一表面131。电极134设置于微型发光芯片130的第一表面131上，且设置于由绝缘层135所暴露出的部分的第一表面131上。
接着，将多个微型发光芯片130分别接合到各个连接层120。额外说明的是，虽然图1B所示出的微型发光芯片130的第二表面132和连接层120的上表面121具有相同的宽度(或面积)，但在其他实施例中(例如图3)，第二表面132和上表面121可以具有不同尺寸。
上述接合制程可采用对向压合的方式，例如将多个微型发光芯片130固定于另一基板，并压合至承载基板110上的多个连接层120。或者，也可操作承载基板110，并将多个连接层120的上表面121接合至对应的微型发光芯片130的第二表面132，但本发明不以此为限。此时，微型发光芯片130的第一表面131位于微型发光芯片130远离承载基板110的一侧。
如图1C所示，接着，形成成形结构(molding structure)140于各个微型发光芯片130上，以使成形结构140可沿着各个连接层120的侧壁123延伸分布至各个微型发光芯片130的周侧表面133与第一表面131。
在本实施例中，成形结构140可例如是以涂布的方式形成，但不以此为限。在本实施例中，成形结构140的材料可以为非透光材料或遮光材料，以减少相邻的两个微型发光芯片(即各个微型发光芯片130)的出光互相干扰的问题，并提高出光指向性。成形结构140的材料可例如是黑光致抗蚀剂(例如是含有炭黑)、白光致抗蚀剂(例如是含有二氧化钛)或灰光致抗蚀剂(例如是含有一定比例的炭黑与二氧化钛)，但不以此为限。其中，当成形结构140的颜色较深时，成形结构140的吸光效果较强且对比度较高；反之，当成形结构140的颜色较浅时，成形结构140较容易反射出光且亮度较高。在一些实施例中，成形结构140的材料也可例如是树脂、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚硅氧烷(polysiloxane)或聚酰亚胺(polyimide，PI)，但不以此为限。在一些实施例中，成形结构140的材料也可填入金属粒子而成为混合物，以用来增加反射效果。
如图1D所示，移除微型发光芯片130的第一表面131的部份的成形结构140，以暴露出各个微型发光芯片130的电极134。同时，在相邻的两个成形结构140的连接处部分的材料，也一并被移除而形成间隙G1。在此，成形结构140分别形成在各个微型发光芯片130上并将其覆盖，且成形结构140与这些微型发光芯片130构成微型发光二极管结构101。在本实施例中，可例如是以黄光制程(photolithography)的方式来移除部份的成形结构140，但不以此为限。此时，各个微型发光芯片130的电极134可暴露于成形结构140外。
请参照图1E，在上述步骤完成后，提供电路基板150，电路基板150包括多个接垫151以及驱动电路(未示出)，且驱动电路可电性连接至接垫151。
接着，进行微型发光芯片130的转移步骤：操作承载基板110，并将各个微型发光芯片130的电极134通过接垫151接合至电路基板150。此时，各个微型发光芯片130的电极134可接触接垫151并通过接垫151电性连接至电路基板150。在本实施例中，在成形结构140与电路基板150之间具有间隙G2。
然后，请参照图1F，移除各个连接层120的至少一部分与承载基板110交界处的材料，以使多个微型发光芯片130可脱离承载基板110。进一步地，将剩余的连接层120移除以暴露出各微型发光芯片130的第二表面132以及成形结构140的内侧壁141。在本实施例中，可例如是以激光剥离(laser lift-off，LLO)、等向性蚀刻或非等向性蚀刻的方式来移除连接层120，但不以此为限。此时，成形结构140包围各个微型发光芯片130的第二表面132，且成形结构140朝向远离电路基板150的方向延伸。成形结构140的内侧壁141可与第二表面132构成容置部C1。在本实施例中，容置部C1可以为空气空腔，以在后续制程中用来填入色转换材料(例如量子点)和/或微透镜(micro lens)，但不以此为限。
在本实施例中，由于成形结构140可以延伸分布于连接层120的侧壁123、微型发光芯片130的周侧表面133、以及微型发光芯片130的第一表面131，因而可以避免相邻的两个微型发光芯片130之间的出光互相干扰(crosstalk)，并可提高出光指向性(例如是朝向远离第一表面131的方向出光)。
在本实施例中，成形结构140具有端部143。在电路基板150的法线方向上，端部143与微型发光芯片130的第二表面132之间具有距离D1，且距离D1可以视为容置部C1的深度。由前述说明可知，由于距离D1是由连接层120的高度所决定，即成形结构140并非经由黄光微影制程而成形；因此，通过改变连接层120的高度，即可轻易地调整距离D1和/或成形结构140的厚度。因此，相较于一般会因黄光制程的限制而无法制作出厚度较厚(即，较深的容置部)的成形结构的制作步骤，本实施例的显示面板100的制造方法可不受此制程限制，以因应不同产品的需求。在本实施例中，距离D1可例如是介于3微米(μm)至10微米之间，但不以此为限。
在本实施例中，电路基板150可具有第一区域150a、第二区域150b以及暴露区域150c。在电路基板150的法线方向上，微型发光芯片130于电路基板150上的正投影可大致上与第一区域150a重叠。部分的成形结构140于电路基板150上的正投影可大致上与第二区域150b重叠。暴露区域150c位于相邻的任两个微型发光二极管结构101于电路基板150上的正投影之间。此外暴露区域150c不重叠于微型发光芯片130于电路基板150上的正投影，也不重叠于成形结构140于电路基板150上的正投影。在本实施例中，由于电路基板150的暴露区域150c不会被成形结构140遮蔽，因此暴露区域150c可以提高本实施例的显示面板100(例如具透光性的电路基板150)的光穿透度。
要注意的是，相较于一般在微型发光芯片转移到电路基板后才制作成形结构的显示面板，本实施例的显示面板100的制造方法则是在承载基板110(暂时基板)上就形成成形结构140，因此在后续的制程中可不需要对电路基板150进行高温或其他复杂难度较高的制程，进而可大幅提高产品的良率，同时省略一部分电路保护的步骤。
此外，由于黏取微型发光芯片130是微型发光二极管的巨量转移的主要方法之一，因此在本实施例的显示面板100的制造方法中，连接层120实质上系为转移制程中的转移组件(transfer unit)。换言之，本实施例通过原有制程中的转移组件来提供形成遮光层的形状的条件。进一步来说，在成形结构140成形后，移除连接层120亦为转移制程中的必要步骤，因而容置部C1也是在上述移除过程中自然形成。藉此，由于本实施例的显示面板100的制造方法系在既有的巨量转移制程的基础上进一步实现的，故而无需增加大量繁复制程，可显著地降低遮光层的制作成本。
以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。图2B示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。请同时参照图1A至图1F以及图2A、图2B，本实施例的显示面板100a与图1A至图1F中的显示面板100相似，主要差异之处在于：在本实施例的显示面板100a的制造方法中，还包括：使多个连接层120彼此相连而在承载基板110上形成保护层125；以及进行图案化步骤，以依据曝光图形160移除部分的成形结构140a。
具体来说，请同时参照图1A与图2A，在本实施例中，在形成如图1A的多个连接层120于承载基板110上时，可同时形成保护层125于承载基板110上以及多个连接层120之间，以使多个连接层120可通过保护层125彼此相连，并使保护层125可位于多个成形结构140a与承载基板110之间。接着，在后续形成成形结构140a时，成形结构140a则可覆盖保护层125。藉此，在后续以激光剥离制程分离连接层120与承载基板110时，保护层125可用来保护成形结构140a的端部143，使得后续形成的容置部C1的深度(即距离D1)更易于控制。在一些实施例中，保护层125可与连接层120一体成型。
接着，请一并参考图2B，在形成多个连接层120与保护层125于承载基板110上，再形成成形结构140a覆盖于微型发光芯片130、连接层120与保护层125上之后，通过曝光图形160定义需要移除的成形结构140a。其中，曝光图形160在承载基板110上的正投影不重叠于多个微型发光二极管结构101在承载基板110上的正投影。
如图2B所示，依据曝光图形160来进行一图案化步骤，以移除部分的成形结构140a，且这些移除部分系对应各个微型发光芯片130之间的间隙G1。其中，间隙G1可暴露出下方的保护层125；或者，由于保护层125在后续转移制程中并不需要保留，故此处的图案化步骤可允许成形结构140a下方的部分或全部的保护层125被移除(未示出于图中)。
图3示出为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请同时参照图1F与图3，本实施例的显示面板100b与图1F中的显示面板100相似，惟二者主要差异之处在于：在本实施例的显示面板100b中，各个微型发光芯片130的第二表面132可区分为中心部分1321与外围部分1322。
具体来说，请搭配图2A参照图3，在本实施例的显示面板100b的制造过程中，由于连接层(未示出)的上表面的宽度(或面积)小于微型发光芯片130的第二表面132的宽度(或面积)，因此，当微型发光芯片130的第二表面132接合到连接层时，第二表面132的中心部分1321覆盖连接层，第二表面132的外围部分1322则暴露出。
接着，由于在形成成形结构140的过程中，成形结构140可接触并覆盖由连接层所暴露出的外围部分1322，因此，在移除连接层之后，则可使第二表面132的中心部分1321被成形结构140暴露出，且外围部分1322仍可被成形结构140的覆盖。其中，中心部分1321的面积A1与第二表面132的面积A2的比值可例如是大于或等于0.7且小于1(即0.7≦A1/A2<1)，但不以此为限。
换言之，微型发光芯片130的第二表面132的中心部分1321的宽度(或面积)可大致上等于连接层的上表面的宽度(或面积)，且中心部分1321的宽度(或面积)可经由连接层的上表面的宽度(或面积)控制。
在本实施例中，由于微型发光芯片130的第二表面132的外围部分1322可被成形结构140的覆盖，且中心部分1321可被成形结构140暴露出。因而，通过控制出光区域(即中心部分1321)的大小，可使微型发光芯片130达到集中出光的效果。
图4A至图4B示出为本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。请同时参照图1A至图1F以及图4A至图4B，本实施例的显示面板100c与图1A至图1F中的显示面板100相似，惟二者主要差异之处在于：在本实施例的显示面板100c的制造方法中，连接层120b的形状大致上为梯形柱状，且第二表面132同样具有暴露的中心部分1321、以及被成形结构140b覆盖的外围部分1322。具体来说，请先参照图4A，在本实施例中，在形成多个连接层120b于承载基板110上的步骤中，连接层120b的横截面积会朝向远离承载基板110的方向逐渐减少。
接着，以类似图1B与图1C的步骤，提供多个微型发光芯片130，将多个连接层120b接合至对应的微型发光芯片130的第二表面132，形成成形结构140b于多个微型发光芯片130上，移除第一表面131的部份的成形结构140b，提供电路基板150，并将各个微型发光芯片130接合至电路基板150。
然后，请参照图4B，移除多个连接层120b，以使多个微型发光芯片130可脱离承载基板110，并暴露出各微型发光芯片130的第二表面132以及成形结构140b的内侧壁141。其中，内侧壁141与第二表面132之间具有夹角θ，且夹角θ例如是介于90度与150度之间，但不以此为限。此外，在本实施例中，由于容置部C2的横截面积可从第二表面132朝向端部143逐渐增加，因而使得容置部C2可以提供较多的空间，以在后续制程可中可用来填入较多的色转换材料和/或微透镜。
此外，在其他实施例中，连接层120b也可以为不同形状。例如图1F的容置部C1即是由长方柱状的连接层120形成。然而，本发明并不限于此，根据不同光型的需求，连接层120b也可以为其他形状(例如但不限于圆台状)，藉以改变第二表面132的中心部分1321的出光面积或形状。
利用前述的连接层120b以及成形结构140，本实施例可控制微型发光芯片130的出光角度和区域，以达到遮光层的功能。此外，相较于现有的遮光层结构仅设置于微型发光二极管的出光侧，本实施例的成形结构140更延伸分布于微型发光芯片130的周侧表面133以及第一表面131。藉此，配合成形结构140的内侧壁141，可确保微型发光芯片130发出的光线仅从上方(即第二表面132)出光，进而无侧向漏光问题，同时具备更佳的集中出光效果。
图5示出为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请同时参照图1F与图5，本实施例的显示面板100d与图1F中的显示面板100相似，惟二者主要差异之处在于：在本实施例的显示面板100d中，各个微型发光芯片130还包括导光层180。
具体来说，请参照图5，在本实施例中，导光层180设置于各个微型发光芯片130的第二表面132。导光层180可例如是连接层(未示出)的一部分。详细来说，在本实施例的显示面板100d的制造方法中，在移除连接层时，可以不完全移除连接层，并保留部分的连接层于第二表面132，以将所述部分的连接层作为导光层180。
综上所述，在本发明一实施例的显示面板及其制造方法中，由于成形结构可以延伸分布于微型发光芯片的周侧表面以及第一表面，因而可以避免相邻的两个微型发光芯片的出光有互相干扰的问题，并可提高出光指向性。接着，由于成形结构不会遮蔽电路基板的暴露区域，且可暴露出电路基板的暴露区域，因而可以提高本实施例的显示面板的光穿透度(或透光度)。再者，相较于一般会因黄光制程的限制而无法制作出厚度较厚的成形结构的制作步骤，本实施例的显示面板的制造方法则可轻易地通过改变连接层的高度来视需求调整或制作出厚度较厚的成形结构，使成形结构的容置部具备更佳的可应用性(例如但不限于用来填入量子点材料和/或屈光组件)。此外，由于形成成形结构的步骤可在承载基板(暂时基板)上进行，因此在后续的制程中可不需要对电路基板进行高温以及电路保护等复杂且难度较高的制程，进而可大幅提高产品的良率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (18)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
电路基板；以及
多个微型发光二极管结构，分别包含：
微型发光芯片，电性接合至所述电路基板，并包括：
第一表面，位于所述微型发光芯片朝向所述电路基板的一侧；
第二表面，相对于所述第一表面设置；以及
周侧表面，连接所述第一表面与所述第二表面；以及
成形结构，环绕所述微型发光芯片的所述周侧表面且包围所述第二表面，其中所述成形结构朝向远离所述电路基板的方向延伸并形成内侧壁，且所述内侧壁与所述第二表面构成容置部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述成形结构从所述微型发光芯片的所述周侧表面延伸分布至所述第一表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，各所述多个微型发光芯片还包括至少一电极，设置于所述第一表面且暴露于所述成形结构外，并电性连接至所述电路基板。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，各所述多个成形结构与所述电路基板之间具有间隙。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述多个微型发光芯片的所述第二表面区分为中心部分与外围部分，所述外围部分被所述成形结构覆盖，且所述中心部分的面积与所述第二表面的面积的比值大于或等于0.7。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述内侧壁与所述第二表面之间具有夹角，且所述夹角介于90度与150度之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述成形结构具有端部，且所述端部与所述第二表面之间的距离介于3微米至10微米之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述成形结构具有端部，且所述容置部的横截面积从所述第二表面朝向所述端部逐渐增加。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电路基板具有暴露区域，位于相邻的任两个所述微型发光二极管结构于所述电路基板上的正投影之间，且所述暴露区域不重叠于所述多个成形结构于所述电路基板上的正投影。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个成形结构为非透光材料。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述多个微型发光二极管结构还包括：
导光层，设置于所述第二表面。
12.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供承载基板；
形成多个连接层于所述承载基板上；
提供多个微型发光芯片，各所述多个微型发光芯片具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面以及连接所述第一表面与所述第二表面的周侧表面；
操作所述承载基板，并将所述多个连接层接合至对应的所述第二表面，以使所述第一表面位于所述微型发光芯片远离所述承载基板的一侧；
分别形成成形结构于各所述多个微型发光芯片上，以使各所述多个成形结构沿着各所述多个连接层的侧壁延伸分布至各所述多个微型发光芯片的所述周侧表面与所述第一表面；
提供电路基板；
操作所述承载基板，并将各所述多个微型发光芯片接合至所述电路基板；以及
移除各所述多个连接层的至少一部分，以使所述多个微型发光芯片脱离所述承载基板；
其中各所述多个成形结构包围各所述多个微型发光芯片的所述第二表面，并与所述第二表面构成容置部。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述多个连接层于所述承载基板上的步骤中，还包括：使所述多个连接层彼此相连而在所述承载基板上形成保护层，且所述保护层位于所述多个成形结构与所述承载基板之间。
14.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：
移除所述第一表面的部份所述成形结构，以暴露出各所述多个微型发光芯片的至少一电极。
15.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：
进行图案化步骤，以依据曝光图形移除部分的所述成形结构，其中所述曝光图形在所述承载基板上的正投影不重叠于所述多个微型发光二极管结构在所述承载基板上的正投影。
16.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述多个连接层于所述承载基板上的步骤中，所述多个连接层为长方柱状、圆台状或梯形柱状。
17.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述多个连接层于所述承载基板上的步骤中，所述多个连接层的横截面积朝向远离所述承载基板的方向逐渐减少。
18.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在移除各所述多个连接层的步骤中，还包括：保留部分的所述连接层于所述第二表面。
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