CN110211941A - 高密度idf型引线框架 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于半导体封装技术领域，提供了一种高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、上挡杆和下挡杆；每个安装单元的上引脚插入位于其上方的安装单元的下引脚之间，且每个安装单元的上引脚与位于其上方的安装单元的下档杆间距设置，每个安装单元的下引脚与位于其下方的安装单元的上档杆间距设置。进而可以实现安装单元的高密度IDF型排列，降低生产成本，提高生产效率，且焊锡可以沿着上引脚以及下引脚的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及到一种高密度IDF型引线框架。
背景技术
芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。分立器件和IC是两个相对的概念，分立器件是具有单一功能的芯片，而IC是集成了多种器件功能的复杂的集成电路，两者互不可替代，各自具有十分广泛的应用领域。目前分立器件主要是二极管、三极管、mos管产品，随着工艺的进一步成熟，芯片尺寸越来越小，单个圆片上集成的管芯数量越来越多。分立器件大都是贴片式封装，需要焊接到PCB板上使用。
传统IDF设计的SOT-23单元，例如申请号为201610017709.1的中国专利，虽然能够提高安装单元密度，但是由于其挡杆(即dam bar，在集成电路封装领域，具体指设置于框架与外引脚之间以及外引脚与外引脚之间的空隙处的金属杆，塑封时可以起到阻止塑封料向外引脚处流动的作用，防止造成“溢胶”) 与与相邻的下方的引脚连接，进而在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术中SOT-23单元在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差的不足，提供了一种高密度IDF型引线框架。
本发明是这样实现的：高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、下引脚与上引脚连接的上挡杆以及与下引脚连接的下挡杆；
其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。
作为本发明的一个优选方案，每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。
作为本发明的一个优选方案，每个所述上引脚与所述上档杆相近处的外侧构造有圆角；
每个所述下引脚与所述下档杆相近处的外侧构造有圆角。
作为本发明的一个优选方案，所述圆角的的半径为0.08mm。
作为本发明的一个优选方案，所述圆角的角度为150°。
作为本发明的一个优选方案，每个所述安装单元中所述下引脚的数量为2 个，每个所述安装单元中所述上引脚的数量为一个。
作为本发明的一个优选方案，还包括基板，所述基板上构造有多个并列设置的所述安装单元组。
作为本发明的一个优选方案，每个安装单元组与其相邻的安装单元组的距离为2.55mm。
作为本发明的一个优选方案，所述基板的宽度为78mm。
作为本发明的一个优选方案，所述安装单元组的排数为27。
本发明提供的一种高密度IDF型引线框架，相对于现有技术，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，形成IDF 型排列结构，进而可相对减少每两个安装单元之间的距离(即安装单元组的步距)，增加单位面积的安装单元的数量，即增加单位面积内的安装单元组的组数，提高了引线框材料利用率，可降低生产成本，提高生产效率。并且，在切筋工序时，不会切除破坏上引脚以及下引脚的前端面，即上引脚以及下引脚的端面全部镀锡(包括前端面)，变相的增加了上引脚以及下引脚的电镀上锡面积，有利于后续的引脚焊接作业，使得上引脚以及下引脚在后续焊接作业中，焊锡可以沿着上引脚以及下引脚的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释，并不限定本发明的范围。
图1是本发明实施例提供的高密度IDF型引线框架的结构示意图；
图2是图1中两个相邻的安装单元的配合示意图；
附图标号说明：
1、安装单元组；
11、安装单元；
111、上引脚；112、下引脚；113、上挡杆；114、下挡杆；
2、基板；
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例
具体的，请参阅图1-图2，本实施例公开了一种高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组1，每个安装单元组1包括多个水平排列的安装单元11，每个安装单元11包括上引脚111、下引脚112与上引脚112连接的上挡杆113以及与下引脚112连接的下挡杆114；
其中，每个安装单元11的上引脚111插入位于其上方的安装单元11的下引脚112之间，基板2上且每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114间距设置，每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113间距设置。
上述中，具体的，该高密度IDF型引线框架结构，每个安装单元11的上引脚111插入位于其上方的安装单元11的下引脚112之间，形成IDF型排列结构，进而可相对减少每两个安装单元11之间的距离(即安装单元组1的步距)，增加单位面积的安装单元11的数量，即增加单位面积内的安装单元组1的组数，提高了引线框材料利用率，可降低生产成本，提高生产效率。
并且，每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114间距设置，每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11 的上档杆113间距设置。进而在切筋工序时，不会切除破坏上引脚111以及下引脚112的前端面，即上引脚111以及下引脚112的端面全部镀锡(包括前端面)，变相的增加了上引脚111以及下引脚112的电镀上锡面积，有利于后续的引脚焊接作业，使得上引脚111以及下引脚112在后续焊接作业中，焊锡可以沿着上引脚111以及下引脚112的前端面上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。
作为本发明的一个优选方案，每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个安装单元 11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113之间的间距大小为 0.1mm-0.15mm。
上述中，具体的，在本实施例中，对于每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小以及每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113之间的间距大小不做限制，以可以实现上述中的功能和效果为准，当然，在本实施例中，可以优选每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。
作为本发明的一个优选方案，每个上引脚111与上档杆113相近处的外侧构造有圆角A；
每个下引脚112与下档杆114相近处的外侧构造有圆角A。
进一步的，可以优选圆角A的的半径为0.08mm。
进一步的，可以优选圆角A的角度为150°。
上述中，具体的，上引脚111以及下引脚112在实际焊接作业中，焊锡到达圆角A处时，可以沿着圆角A继续上爬，增加了实际焊接面积，可以保证焊接效果，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求。
作为本发明的一个优选方案，每个安装单元11中下引脚112的数量为2 个，每个安装单元11中上引脚111的数量为一个。
具体的，在本实施例中，以每个安装单元11中的上引脚111的数量为1 个以及下引脚112的数量为2个举例说明，当然，在其他实施例中，每个安装单元11中的上引脚111的数量以及下引脚112的数量可以根据实际生产情况而定，在此不做赘述。
作为本发明的一个优选方案，还包括基板2，基板2上构造有多个并列设置的安装单元组1。
作为本发明的一个优选方案，每个安装单元组1与其相邻的安装单元组1 的距离B为2.55mm。
作为本发明的一个优选方案，基板2的宽度为78mm。
作为本发明的一个优选方案，安装单元组1的排数为27。
上述中，具体的，该高密度IDF型引线框架，在宽度为78mm的基板2上，可以排列27组安装单元组1(即排列27排安装单元组)，可以实现高密度大矩阵排布，生产效率高。
综上，本实施例提供的一种高密度IDF型引线框架，相对于现有技术，每个安装单元11的上引脚111插入位于其上方的安装单元11的下引脚112之间，形成IDF型排列结构，进而可相对减少每两个安装单元11之间的距离(即安装单元组1的步距)，增加单位面积的安装单元11的数量，即增加单位面积内的安装单元组1的组数，提高了引线框材料利用率，可降低生产成本，提高生产效率；并且，每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114间距设置，每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元 11的上档杆113间距设置。进而在切筋工序时，不会切除破坏上引脚111以及下引脚112的前端面，即上引脚111以及下引脚112的端面全部镀锡(包括前端面)，变相的增加了上引脚111以及下引脚112的电镀上锡面积，有利于后续的引脚焊接作业，使得上引脚111以及下引脚112在后续焊接作业中，焊锡可以沿着上引脚111以及下引脚112的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC 标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明中的水平，垂直、同心等几何位置关系，仅仅是理想情况下的限定，考虑到技术、加工精度以及成本和技术效果的多重实际情况，在本领域偏差5％都是容许的，而且也是本发明限定几何位置关系的实际情况。
同时有以下几点需要说明：
(1)除非另作定义，本发明的实施例及附图中，同一标号代表同一含义。
(2)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(4)在不冲突的情况下，本发明的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.高密度IDF型引线框架，其特征在于，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个所述安装单元上引脚、下引脚与上引脚连接的上挡杆以及与下引脚连接的下挡杆；
其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。
2.如权利要求1所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。
3.如权利要求1所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个所述上引脚与所述上档杆相近处的外侧构造有圆角；
每个所述下引脚与所述下档杆相近处的外侧构造有圆角。
4.如权利要求2所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，所述圆角的的半径为0.08mm。
5.如权利要求2所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，所述圆角的角度为150°。
6.如权利要求1-5中任一项所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个所述安装单元中所述下引脚的数量为2个，每个所述安装单元中所述上引脚的数量为一个。
7.如权利要求6所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，还包括基板，所述基板上构造有多个并列设置的所述安装单元组。
8.如权利要求7所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个安装单元组与其相邻的安装单元组的距离为2.55mm。
9.如权利要求8所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，所述基板的宽度为78mm。
10.如权利要求9所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，所述安装单元组的排数为27。
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|---|---|
| CN (1) | CN110211941A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470234A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-04-06 | 气派科技股份有限公司 | 一种sot23引线框架及其封装工艺流程 |
| CN206340538U (zh) * | 2016-12-06 | 2017-07-18 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种高密度贴片三极管引线支架 |
| CN208489186U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-12 | 深圳市信展通电子有限公司 | 一种适用于分立器件封装的超高密度sot23支架结构 |
| CN208489187U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-12 | 深圳市信展通电子有限公司 | 一种超高密度的sod123支架结构 |
| CN210628297U (zh) * | 2019-05-22 | 2020-05-26 | 深圳市信展通电子有限公司 | 高密度idf型引线框架 |
-
2019
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470234A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-04-06 | 气派科技股份有限公司 | 一种sot23引线框架及其封装工艺流程 |
| CN206340538U (zh) * | 2016-12-06 | 2017-07-18 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种高密度贴片三极管引线支架 |
| CN208489186U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-12 | 深圳市信展通电子有限公司 | 一种适用于分立器件封装的超高密度sot23支架结构 |
| CN208489187U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-12 | 深圳市信展通电子有限公司 | 一种超高密度的sod123支架结构 |
| CN210628297U (zh) * | 2019-05-22 | 2020-05-26 | 深圳市信展通电子有限公司 | 高密度idf型引线框架 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518000 The whole building on the first floor of the factory building of Xinhao Second Industrial Zone, Xintian Community, Fuhai Street, Baoan District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: Shenzhen Xinzhantong Electronics Co., Ltd. Address before: 518000 the whole building on the first floor of building B1 in Xinhao second industrial zone, Qiaotou community, Fuhai street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: SHENZHEN XINZHANTONG ELECTRONICS CO.,LTD. |