CN110199051A - Cu-Ni合金溅射靶及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的Cu‑Ni合金溅射靶具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围含有Ni，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量为500质量ppm以下，碳的含量为500质量ppm以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成，最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm²的区域为一个以下。

Description

Cu-Ni合金溅射靶及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种Cu-Ni合金溅射靶及其制造方法。

本申请主张基于2017年3月6日于日本申请的专利申请2017-042162号及2017年12月15日于日本申请的专利申请2017-241103号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，作为液晶或有机EL面板等平板显示器或触摸面板等配线膜广泛使用Al。最近，谋求配线膜的微细化(宽度狭窄化)及薄膜化，从而要求比电阻低于以往的配线膜。伴随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供了使用比电阻低于Al的材料即Cu或Cu合金的配线膜。

但是，由比电阻低的Cu或Cu合金组成的Cu配线膜存在耐候性低、尤其在湿度的气氛中容易变色的问题。因此，在Cu配线膜上设置保护膜。

例如，专利文献1中公开有由Cu合金组成的Cu配线保护膜及用于形成该Cu配线保护膜的Cu合金溅射靶，该Cu合金包含20质量％至65质量％的Ni、0.2质量％至5.0质量％的Al和/或Ti，剩余部分的90质量％以上为Cu。

专利文献1：日本特开2014-105362号公报

然而，最近正在发展着形成配线膜的玻璃基板的大型化，随此，有保护膜成膜用的溅射靶本身也会大型化的趋势。然而，若对如专利文献1所记载的以往的Cu合金溅射靶进行大型化，则存在根据溅射条件产生微电弧放电(异常放电)及飞溅，无法良好地实施成膜这样的问题。即，当使用大型的溅射靶时，由于要投入大电力，因此在溅射靶的溅射面产生孔隙，或者若存在氧化物等的夹杂物，则容易产生微电弧放电，溅射靶局部性地进行熔融而产生微粒，可能无法良好地形成Cu合金膜。为了在非大型的溅射靶中提高成膜效率而投入大电力的情况也是同样的。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够形成耐候性优异的Cu合金膜，并且能够抑制成膜时的微电弧放电的产生的Cu-Ni合金溅射靶及其制造方法。

为了解决上述课题，本发明的Cu-Ni合金溅射靶具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围含有Ni，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量为500质量ppm以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。

根据本发明的Cu-Ni合金溅射靶，由于主成分为Cu和Ni这两种元素，因此与如专利文献1的三元素或四元素系合金相比，组成的偏差变小。并且，Ni的含量被设为16质量％以上且55质量％以下的范围，因此所形成的Cu-Ni合金膜的耐候性变高。

进而，由于氢的含量小于5质量ppm，并且氧的含量限制在500质量ppm以下，因此能够抑制在溅射成膜时产生微电弧放电，并且能够稳定地进行溅射成膜。

在本发明的Cu-Ni合金溅射靶中，优选最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm²的区域为一个以下。此时，由于最大直径为2μm以上这种尺寸大的孔隙的混入量少，因此能够进一步可靠地抑制溅射成膜时的微电弧放电的产生。本说明书中的孔隙的数量为通过后述测定方法来测定的值。

并且，在本发明的Cu-Ni合金溅射靶中，优选碳的含量为500质量ppm以下。

大型的Cu合金溅射靶通常通过铸造及热轧的工序来制造，但是若在热轧时产生破裂，则有可能因在破裂的部分产生微电弧放电而导致无法用作溅射靶。通过将碳的含量限制在500质量ppm以下，能够提高热轧性，并抑制热轧时的破裂的产生，从而能够抑制微电弧放电。

本发明的一方式所涉及的Cu-Ni合金溅射靶的制造方法具备：

氢减少处理工序，对电解Ni进行加热而使其熔融，以相对于Ni的熔解温度高10℃以上的温度保持10分钟以上之后，进行冷却并固化而获得Ni铸块；

熔解铸造工序，熔解铸造无氧铜和所述Ni铸块而获得Cu-Ni合金铸块；

热轧工序，对在熔解铸造工序中获得的Cu-Ni合金铸块实施热轧，获得Cu-Ni合金轧制板，该Cu-Ni合金轧制板的平均结晶粒径设为100μm以下，维氏硬度设为60Hv以上且120Hv以下；及

机械加工工序，对所述Cu-Ni合金轧制板的成为溅射面的表面进行磨削及抛光，调整成溅射面的表面粗糙度以最大高度Rz计5μm以下。

根据本发明，能够提供一种能够形成耐候性优异的Cu-Ni合金膜，并且能够抑制成膜时的微电弧放电的产生的Cu-Ni合金溅射靶。

具体实施方式

以下，对本发明的一实施方式的Cu-Ni合金溅射靶进行详细说明。

本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶在形成例如平板显示器或触摸面板等配线膜、或层叠于由Cu或Cu合金组成的Cu配线膜上的保护膜时使用。

本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶的形状及尺寸并无限定，可以为圆板状或矩形板状的平板状，也可以为圆筒状。靶为平板状时，可以在靶的一面经由铟、铟-锡合金、锡等焊料固定由铜、不锈钢或钛组成的背板。靶为圆筒状时，可以在靶的内周面经由所述相同焊料的材料固定由所述相同的材质组成的圆筒状的衬管。

本发明的效果在溅射面的面积设为100000mm²以上的大型的溅射靶时显著，另外，若溅射靶为平板状，则效果变得显著。所述溅射面是指溅射靶的表面中照射等离子体而用于溅射的区域。

本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围含有Ni，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量设为500质量ppm以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。

在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶中，最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm²的区域设为一个以下。孔隙的数量的具体的测定方法将在后面进行叙述。

此外，在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶中，不可避免的杂质中碳的含量设为500质量ppm以下。

接着，对将本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶的组成及孔隙的数量如上述那样规定的原因进行说明。

(Ni的含量：16质量％以上且55质量％以下)

Ni为具有改善Cu的耐候性的作用效果的元素。通过含有Ni，能够抑制形成的Cu-Ni合金膜的变色。

当Ni的含量小于16质量％时，有可能无法充分提高耐候性，并且有可能无法充分抑制形成的Cu-Ni合金膜的变色。另一方面，当Ni的含量大于55质量％时，磁性变得过强，有可能难以溅射成膜。从这种理由考虑，在本实施方式中，将Ni的含量设定在16质量％以上且55质量％以下的范围内。为了可靠地改善Cu的耐候性，优选将Ni的含量设为20质量％以上且50质量％以下的范围，进一步优选设为25质量％以上且45质量％以下的范围。

(氢的含量：小于5质量ppm)

氢主要包含于Cu-Ni合金溅射靶的制造原料中，推测是残留的。Cu-Ni合金溅射靶的氢的含量与孔隙的数量相关，在本发明人等的研究中判明了，存在若氢含量少，则孔隙数量也变少的趋势。并且，在本发明人等的研究中还判明了，若存在孔隙，则电荷容易积聚在其周围的Cu-Ni合金部，因此若孔隙的数量增加，则在溅射成膜时，电荷可能会积聚在孔隙的周围，从而导致微电弧放电的产生次数增加。从这种理由考虑，在本实施方式中，将氢的含量设定为小于5质量ppm。

为了可靠地抑制微电弧放电以稳定地进行溅射成膜，将氢的含量优选设为小于4质量ppm，进一步优选设为小于3质量ppm。氢含量通常为0.1质量ppm以上。即使将氢含量设为小于0.1质量ppm，也无法提高减少孔隙数量的效果，反而用于减少氢含量的作业变得复杂，生产成本可能会变高。

(氧的含量：500质量ppm以下)

推测为氧是作为在构成Cu-Ni合金溅射靶的Cu及Ni的氧化物或靶的熔解铸造时，熔解炉的耐火物的一部分卷入铸块中而残留的氧化物而存在的物质。在本发明人等的研究中，判明了由于这些氧化物容易释放二次电子，若Cu-Ni合金溅射靶中的氧化物的含量过多，则在溅射成膜时，二次电子的释放量增加，微电弧放电的产生次数可能会增大。从这种理由考虑，在本实施方式中，将氧的含量设定为500质量ppm以下。

为了可靠地抑制微电弧放电，以稳定地进行溅射成膜，优选将氧的含量设为300质量ppm以下，进一步优选设为50质量ppm以下。氧含量通常为0.1质量ppm以上。即使将氧含量设为小于0.1质量ppm，减少二次电子的释放量的效果不会提高，相反，用于减少氧含量的作业变得复杂，生产成本可能会变高。

(碳的含量：500质量ppm以下)

碳为在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶的制造工序中，可能会成为破裂的产生原因的元素。破裂在Cu-Ni合金的轧制时，从Cu-Ni合金轧制板的外周进行。在本发明人等的研究中，判明了若为微细的破裂，则能够通过机械加工等去除，但是若碳的含量大于500质量ppm，则出现破裂变大的倾向，通过机械加工，有可能难以完全去除破裂。若在Cu-Ni合金溅射靶中存在破裂，则在溅射成膜时，以破裂为起点的微电弧放电的产生次数可能会增加。即，在本发明人等的研究中判明了，碳的含量少会使在溅射成膜时成为微电弧放电产生的原因之一的破裂的产生量少。从这种理由考虑，在本实施方式中，将碳的含量设定为500质量ppm以下。

为了可靠地抑制破裂的产生，并抑制溅射成膜时的微电弧放电的产生，优选将碳的含量设为300质量ppm以下，进一步优选设为50质量ppm以下。氢含量通常为3质量ppm以上。即使将碳含量设为小于3质量ppm，减少微细破裂的效果也不会提高，相反，用于减少碳含量的作业变得复杂，生产成本可能会变高。

(孔隙的数量)

在本发明人等的研究中，判明了在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶中，若在溅射面存在最大直径为2μm以上的孔隙，则有可能电荷集中于孔隙的周围而容易产生微电弧放电。从这种理由考虑，在本实施方式中，将最大直径为2μm以上的孔隙的数量限制在溅射面内的每1mm²区域为一个以下。孔隙的数量的具体测定方法将在后面进行叙述。

接着，对制造本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶的方法的一例进行说明。

本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶通过熔解铸造工序、热轧工序、(流平加工工序/冷轧工序、热处理工序)、机械加工工序这样的工序来制造。以下，对各工序进行说明。

(熔解铸造工序)

在熔解铸造工序中，熔解铸造Cu和Ni而获得Cu-Ni合金铸块。

首先，以成为上述靶组成的方式，秤量熔解原料。作为熔解原料，优选使用纯度99.99质量％以上的Cu和纯度99.9质量％以上的Ni。作为Cu的熔解原料，氧浓度规定为10质量ppm以下，优选使用纯度设为99.99质量％以上的无氧铜。

作为Ni的熔解原料，优选使用对通过电解法提纯而得的电解Ni进行了氢减少处理后得到的原料。

进行氢减少处理是因为通常电解Ni含有大于10质量ppm的氢，因此若直接用作熔解原料，则有可能电解Ni中的氢残留于Cu-Ni合金铸块而产生孔隙。若在Cu-Ni合金铸块中产生孔隙，则该孔隙可能会残留在靶中，从而在溅射成膜时成为产生微电弧放电的主要原因。

认为因电解Ni中的氢导致在Cu-Ni合金铸块中产生孔隙的机理如下所述。由于电解Ni含有溶解度以上的过剩的氢，因此若使Cu和电解Ni熔解而生成Cu-Ni合金的熔融金属，则电解Ni中的氢熔入到Cu-Ni合金的熔融金属(液相)。另一方面，由于氢在Cu-Ni合金的固相中的溶解度低，因此当Cu-Ni合金的熔融金属凝固时，在液相和固相的边界产生氢气的气泡。熔融金属的凝固和气泡的产生同时进行，未被排出到熔融金属的外部的气泡作为孔隙而残留于Cu-Ni合金铸块。

作为电解Ni的氢减少处理，能够使用如下方法：对电解Ni进行加热而使其熔融，在相对于Ni的熔解温度高10℃～50℃的温度下保持2分钟～30分钟之后，进行冷却并固化而获得Ni铸块。更优选为，也可以在相对于Ni的熔解温度高15℃～35℃的温度下保持10分钟～20分钟之后，进行冷却并固化而获得Ni铸块。

在电解Ni的氢减少处理中，加热装置优选使用感应熔解炉。氢减少处理优选在真空气氛或惰性气体气氛下进行。关于通过该氢减少处理来获得的Ni铸块，氢的含量为10质量ppm以下，尤其优选为5质量ppm以下。从制造成本的观点考虑，Ni铸块的氢的含量可以为0.1质量ppm以上。

在熔解铸造秤量后的Cu和Ni时，为了充分地混合熔解原料而使熔融金属的组成均匀化，优选使用感应熔解炉。

在熔解时，通过防止作为合金组成成分的Cu及Ni的氧化来抑制氧化物的混入的产生。为了防止熔解时的氧化，优选在真空气氛或惰性气体气氛中熔解。在考虑生产率而在大气气氛下进行熔解时，可以采用如下方法：为了保持熔解原料而使用碳坩埚，或通过碳粒子及碳粉末包覆熔融金属表面，由此将熔融金属保持在还原性气氛中。

可靠地防止上述合金元素的氧化在工业上是困难的，并且存在熔解炉的耐火材料或上述碳粉末等也被卷入到铸块中而成为非金属夹杂物的可能性。为了防止这些非金属夹杂物的卷入，优选使用纵型的连续铸造机，通过浇铸盘或分布器，使非金属夹杂物漂浮分离。也优选如单向凝固法那样放慢冷却速度而使非金属夹杂物漂浮分离。

(热轧工序)

在热轧工序中，将在熔解铸造工序中获得的Cu-Ni合金铸块切割成规定的长度之后实施热轧。

热轧的条件优选每1道次的压下率设为10％以上且20％以下，热轧温度设为550℃以上且1000℃以下。更优选每1道次的压下率为11％以上且17％以下，热轧温度为800℃以上且1000℃以下。压下率为通过下述式算出的值。

压下率(％)＝{(热轧道次前的Cu-Ni合金的厚度-热轧道次后的Cu-Ni合金的厚度)/热轧道次前的Cu-Ni合金的厚度}×100

作为热轧工序的整体的压下率优选为50％以上且90％以下，更优选作为热轧工序的整体的压下率为60％以上且80％以下。

通过热轧工序，能够获得平均结晶粒径设为100μm以下、维氏硬度设为60Hv以上且120Hv以下的Cu-Ni合金轧制板。更优选平均结晶粒径设为5μm以上且50μm以下，维氏硬度设为80Hv以上且110Hv以下。

(流平加工工序/冷轧工序、热处理工序)

在上述热轧工序中获得的Cu-Ni合金轧制板为了提高其轧制板的平面度可以实施流平加工或冷轧加工。

在进行流平加工或冷轧加工时，为了调整平均结晶粒径及维氏硬度，优选在以550℃以上且850℃以下的温度保持1小时～2小时的条件下进行热处理，然后，在大气中放置冷却。更优选在以650℃以上且850℃以下的温度保持1小时～2小时的条件下进行热处理，然后，在大气中放置冷却。

(机械加工工序)

在机械加工工序中，对成为如上所述那样获得的Cu-Ni合金轧制板的溅射面的表面进行磨削及抛光。优选调整成溅射面的表面粗糙度以最大高度Rz计5μm以下。更优选调整成溅射面的表面粗糙度以最大高度Rz计0.5μm以上且3μm以下。

通过如上的工序来制造本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶。

该Cu-Ni合金溅射靶根据需要而焊接或钎焊在Cu制的背板上，并且安装于溅射装置，在对置配置的基板上溅射形成Cu-Ni合金膜。

溅射形成的Cu-Ni合金膜具有与上述Cu-Ni合金溅射靶相同的组成。

根据本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶，成分为Cu和Ni这两种元素，因此组成的偏差变小。Ni的含量被设为16质量％以上且55质量％以下的范围，因此形成的Cu-Ni合金膜的耐候性变高。

另外，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量限制为500质量ppm以下，孔隙或氧化物的混入量少，因此能够抑制在溅射成膜时因孔隙或氧化物而产生微电弧放电，从而能够稳定地进行溅射成膜。

在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶中，最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm²区域设为一个以下，因此能够进一步可靠地抑制溅射成膜时的微电弧放电的产生。

并且，在本实施方式的Cu-Ni合金溅射靶中，所述不可避免的杂质中碳的含量设为500质量ppm以下，因此能够提高热轧性，并且能够抑制热轧时的破裂的产生。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，在不脱离本发明的技术思想的范围内能够适当地变更。

例如，在本实施方式中，作为呈平板状、并且其溅射面的面积设为100000mm²以上的大型的溅射靶进行了说明，但对Cu-Ni合金溅射靶的形状并无特别限定，可以呈圆板状或矩形平板状，也可以呈圆筒形状。针对溅射面的面积也不限定于上述范围。在任一情况下都能够获得本发明的效果。

实施例

以下，说明对本发明所涉及的Cu-Ni合金溅射靶的作用效果进行评价而得的评价试验的结果。

[本发明例1～7、比较例1～4]

(1)电解Ni的氢减少处理(氢减少Ni铸块的制造)

准备了电解Ni(纯度：99.99质量％以上)。电解Ni中的氢含量在11质量ppm～15质量ppm的范围。

将电解Ni投入到氧化铝坩锅中。接着，使用高频感应加热炉在真空气氛中，对电解Ni进行加热以使其熔融，在相对于Ni的熔解温度高10℃～50℃的温度下保持2分钟～15分钟之后，进行冷却并固化而获得了氢减少Ni铸块。在表1中示出氢减少处理时的熔融保持时间和所获得的氢减少Ni铸块的氢含量。但是，在比较例1中并未进行电解Ni的氢减少处理。电解Ni及氢减少Ni铸块的氢含量通过惰性气体熔解-导热法(JISZ2614)进行了分析。

(2)Cu-Ni合金铸块的制造

将在上述(1)中获得的氢减少Ni铸块和无氧铜(纯度：99.99质量％)以成为下述表1所示的组成的方式投入到表1所示的熔解坩埚中。但是，在比较例1中作为Ni原料直接使用了氢含量为11ppm的电解Ni。接着，使用高频感应加热炉在下述表1所示的气氛中进行加热，将所获得的熔融金属通过分布器浇铸到纵型的连续铸造机中，制造了具有180mm×60mm的矩形剖面的铸块。在切割去除该铸块的顶部及底部之后，切割成适合于热轧的长度，从而获得了180mm×60mm×长度600mm的Cu-Ni合金铸块。

(3)Cu-Ni合金轧制板的制造

将在上述(2)中获得的Cu-Ni合金铸块在850℃下加热1小时之后，将1道次的压下率设为11％～15％而实施热轧，从而获得了190mm×1900mm×厚度18mm的Cu-Ni合金轧制板。各最终热轧道次后的轧制板的温度为600℃～700℃。

在本发明例7中，在Cu-Ni合金轧制板的一部分产生了能够以目视确认的尺寸的破裂。

(4)评价用靶的制造

使用加工中心及车床，从所获得的Cu-Ni合金轧制板削出了直径125mm、厚度5mm的圆板状的靶材料。将所获得的Cu-Ni合金溅射靶焊接于直径145mm、厚度5mm的圆板状的Cu制的背板之后，进一步对溅射面进行抛光加工而获得了评价用靶。若使用抛光加工，则通过将颗粒从粗粒(#150)依次改变至细粒(#800)来进行抛光，将表面粗糙度降低至Rz：3μm之后，用乙醇清洗而去除抛光中附着的粉尘。

在本发明例7中，在切削靶材料时，去除了Cu-Ni合金轧制板的破裂部分。

(5)评价

针对如此获得的评价用靶，以如下方式评价了不可避免的杂质(氢、氧、碳)的含量、孔隙的数量、微电弧放电次数(异常放电次数)及膜的耐候性。

(氢、氧及碳的含量)

氢含量使用切割Cu-Ni轧制板而采集的样本小片，通过惰性气体熔解-导热法进行了分析。氧及碳使用同样采集的样品小片，通过JISZ2613规定的红外线吸收法进行了分析。

(孔隙的数量)

孔隙的数量通过下述方法来测定。另外，本说明书中的孔隙的数量均设为通过下述方法计量而得的值。

将评价用靶的溅射面均等地分成四等分，从各部位切出组织观察用的样品。使用#180至#2400的抛光纸，将这四个样品的溅射面，从粗粒至细粒依次改变抛光纸而进行抛光之后，使用平均粒径1μm的抛光材进行精抛光。根据该抛光方法，表面粗糙度成为大致小于Ra：0.1μm。接着，从抛光后的四个样品的溅射面，分别随机地各选择一个0.5mm×0.5mm(＝0.25mm²)的区域，使用光学显微镜观察了各区域作为倍率100倍的暗场图像。由于是暗场图像，因此若在溅射面存在一定尺寸以上的孔隙(凹陷)时，则该部分作为白色发光点而检测出。在各区域内，计算了孔隙的最大部分的长度为2μm以上的孔隙的个数。将在合计了四个区域的1mm²内检测出的孔隙的个数为一个或零个的情况评价为“OK”，将两个以上的情况评价为“NG”。将该评价结果示于表2。

(微电弧放电次数)

将评价用靶安装于溅射装置，在到达真空度：5×10^-4Pa、气压：氩0.3Pa、溅射功率：直流1000W的条件下，从使用开始进行30分钟的溅射之后，调查了微电弧放电的次数。微电弧放电通过如下方法来检测：将Landmark Technology Corp.制造的微电弧监视器添加到溅射电源中，检测放电电压的下降。模拟实际的操作形式即间歇性的溅射成膜并重复进行50次1分钟的放电和1分钟的停止，计算了累计检测出的电弧放电的能量为50MJ以下的微电弧放电次数。将微电弧放电次数的计算结果示于表2。

(膜的耐候性)

将50mm×50mm×0.7mm的无碱玻璃基板对置配置成评价用靶材料与基板间距离成为60mm，在到达真空度：5×10^-4Pa、气压：氩0.3Pa、溅射功率：直流600W的条件下实施溅射，并在基板上形成了膜厚150nm的Cu-Ni合金膜。

相对于形成的Cu-Ni合金膜实施在温度70℃、相对湿度90％的恒温恒湿条件下保持250小时的恒温恒湿试验之后，目视观察Cu-Ni合金膜表面，将认为变色的部分评价为“NG”，将无法确认到变色的部分评价为“OK”。将该评价结果示于表2。

[表1]

[表2]

在氢的含量为5质量ppm以上的比较例1中，孔隙数量增加，微电弧放电次数增加。

在氧的含量大于500质量ppm的比较例2中，微电弧放电次数增加，并且，形成的Cu-Ni合金膜在恒温恒湿试验后变色，耐候性不充分。

在Ni的含量小于16质量％的比较例3中，形成的Cu-Ni合金膜在恒温恒湿试验后变色，耐候性不充分。

在Ni的含量大于55质量％的比较例4中，无法进行溅射。推测为是因为磁性变强。

相对于此，在Ni、氢、氧的含量被设在本发明的范围内的本发明例中，孔隙数量少，并且可抑制微电弧放电次数，能够稳定地溅射成膜。并且，形成的Cu-Ni合金膜的耐候性优异。

由以上确认到，根据本发明例，能够提供一种能够形成耐候性优异的Cu-Ni合金膜，并且能够抑制成膜时的微电弧放电的产生的Cu-Ni合金溅射靶。

产业上的可利用性

本发明的Cu-Ni合金溅射靶能够形成耐候性优异的Cu-Ni合金膜，能够抑制成膜时的微电弧放电的产生，因此能够在产业上利用。

Claims (4)

1.一种Cu-Ni合金溅射靶，其特征在于，具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围含有Ni，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量为500质量ppm以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。

2.根据权利要求1所述的Cu-Ni合金溅射靶，其特征在于，

最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm²的区域为一个以下。

3.根据权利要求1或2所述的Cu-Ni合金溅射靶，其特征在于，

碳的含量为500质量ppm以下。

4.一种Cu-Ni合金溅射靶的制造方法，其具备：

氢减少处理工序，对电解Ni进行加热而使其熔融，以相对于Ni的熔解温度高10℃以上的温度保持10分钟以上之后，进行冷却并固化而获得Ni铸块；

熔解铸造工序，熔解铸造无氧铜和所述Ni铸块而获得Cu-Ni合金铸块；

热轧工序，对在熔解铸造工序中获得的Cu-Ni合金铸块实施热轧，获得Cu-Ni合金轧制板，该Cu-Ni合金轧制板的平均结晶粒径设为100μm以下，维氏硬度设为60Hv以上且120Hv以下；及

机械加工工序，对所述Cu-Ni合金轧制板的成为溅射面的表面进行磨削及抛光，调整成溅射面的表面粗糙度以最大高度Rz计5μm以下。