CN110164843B - 引线框、带有树脂的引线框、带有树脂的引线框的制造方法以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明能够抑制沿着预定方向连结的多个单元引线框变形。引线框具有：框体、单元引线框形成区域和加强部。框体以包围外周部的方式设置。单元引线框形成区域设置在框体内，多个单元引线框以矩阵状排列，多个单元引线框沿着预定方向连结。加强部在单元引线框形成区域内，至少沿与预定方向交叉的方向延伸。

Description

引线框、带有树脂的引线框、带有树脂的引线框的制造方法以 及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及引线框、带有树脂的引线框、带有树脂的引线框的制造方法以及半导体装置的制造方法。
背景技术
现有技术中，已知在一体树脂封装(MAP：Molded Array Package：模制阵列封装)类型的引线框中，存在一种将与1个半导体装置对应的单元引线框沿着预定方向连结的引线框(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5896302号公报
发明内容
发明欲解决的技术问题
但是，在现有的引线框中，在沿着预定方向连结的单元引线框的长度变长的情况下，强度变小，容易变形，因此，在使用这样的引线框的半导体装置的制造工序中，有可能由于这样的变形而产生不良状况。
实施方式的一个方面是鉴于上述情况而完成的，其目的是提供一种能够抑制沿着预定方向连结的多个单元引线框变形的引线框。
用于解决问题的技术手段
实施方式的一个方面所涉及的引线框具有：框体、单元引线框形成区域和加强部。所述框体以包围外周部的方式设置。所述单元引线框形成区域设置在所述框体内，多个单元引线框以矩阵状排列，多个所述单元引线框沿着预定方向连结。在所述单元引线框形成区域内，所述加强部至少沿与所述预定方向交叉的方向延伸。
发明效果
根据实施方式的一个方面，能够抑制沿着预定方向连结的多个单元引线框变形。
附图说明
图1A是实施方式所涉及的引线框的示意图和放大图。
图1B是图1A中的B-B线剖视图。
图1C是图1A中的C-C线剖视图。
图2A是实施方式所涉及的带有树脂的引线框的示意图和放大图。
图2B是图2A中的D-D线剖视图。
图2C是图2A中的E-E线剖视图。
图3是示出实施方式所涉及的带有树脂的引线框的单元引线框形成区域11的俯视图。
图4A是实施方式的变形例1所涉及的引线框以及带有树脂的引线框的示意图。
图4B是实施方式的变形例2所涉及的引线框以及带有树脂的引线框的示意图。
图4C是实施方式的变形例3所涉及的引线框以及带有树脂的引线框的示意图。
图5A是用于说明实施方式所涉及的带有树脂的引线框的制造方法的处理流程的图(1)。
图5B是用于说明实施方式所涉及的带有树脂的引线框的制造方法的处理流程的图(2)。
图5C是用于说明实施方式所涉及的带有树脂的引线框的制造方法的处理流程的图(3)。
图6A是用于说明使用实施方式所涉及的带有树脂的引线框的半导体装置的制造方法的处理流程的图(1)。
图6B是用于说明使用实施方式所涉及的带有树脂的引线框的半导体装置的制造方法的处理流程的图(2)。
图6C是用于说明使用实施方式所涉及的带有树脂的引线框的半导体装置的制造方法的处理流程的图(3)。
图7是实施方式的变形例4所涉及的引线框的放大图。
图8是示出在实施方式所涉及的带有树脂的引线框的制造工序中执行的处理的处理过程的流程图。
图9是示出在实施方式所涉及的半导体装置的制造工序中执行的处理的处理过程的流程图。
符号说明
1 引线框
2 带有树脂的引线框
3 半导体装置
10 框体
10a 凹部
11 单元引线框形成区域
12 单元引线框
13 连接部
14 焊盘
15 树脂部
15a 狭缝
15A 树脂
17 加强部
18 注入部
18a 毛刺
19 排出部
19a 毛刺
23 LED元件
24 接合线
25 透明树脂部
40 模具
41 上模
41a 注入流道
41b 排出流道
42 下模
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的引线框、带有树脂的引线框、带有树脂的引线框的制造方法以及半导体装置的制造方法进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下示出的实施方式。
＜引线框以及带有树脂的引线框的概要＞
首先，参照图1A～图4C，对实施方式所涉及的引线框1以及带有树脂的引线框2的概要进行说明。图1A是实施方式所涉及的引线框1的示意图和放大图。
引线框1具有俯视时为四边框状的框体10，这样的框体10内设置多个(实施方式中为2个)将多个单元引线框12矩阵状地排列的单元引线框形成区域11。然后，在单元引线框12的外周部设置有将相邻的单元引线框12彼此连接的连接部13。
单元引线框12具有：连接部13和多个焊盘14。焊盘14具有：第1焊盘14a，搭载半导体元件(例如，LED(Light Emitting Diode：发光二极管)元件23(参照图6A))；以及第2焊盘14b，与接合线24接合(参照图6A)。
然后，第1焊盘14a通过连接部13而与相邻的单元引线框12的第1焊盘14a连接，第2焊盘14b通过连接部13而与相邻的单元引线框12的第2焊盘14b连接。需要说明的是，图1A中虽然未示出，但第1焊盘14a也可以通过连接部13而与相邻的单元引线框12的第2焊盘14b连接。
在实施方式所涉及的引线框1中，对由铜、铜合金等构成的金属基板进行蚀刻加工，形成框体10、单元引线框形成区域11、单元引线框12等。在这样的蚀刻加工中，如图1B和图1C所示，存在对两面进行蚀刻加工以形成开口部的全蚀刻加工以及对正面侧或背面侧进行蚀刻加工以减少厚度的半蚀刻加工。
需要说明的是，在本申请说明书的放大俯视图中，为了便于理解，对实施半蚀刻加工的部位加上某种阴影线，对以相同厚度实施半蚀刻加工的部位加上相同的阴影线。
需要说明的是，实施方式涉及的引线框1不限于用蚀刻加工形成的情况，例如也可以用冲压加工(冲裁加工)形成。
此处，在实施方式中，如图1A所示地，以矩阵状排列的单元引线框12仅在沿着预定方向A的一个方向通过连接部13连结。换言之，在单元引线框形成区域11内，在与预定方向A垂直的方向，焊盘14彼此被互相截断。因此，沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的强度变低。
因此，在实施方式中，在单元引线框形成区域11内设置有加强部17。这样的加强部17至少沿与预定方向A交叉的方向(图1A中为与预定方向A垂直的方向)延伸。在实施方式中，加强部17以架在单元引线框形成区域11的中央部的方式延伸。基于此，与未设置加强部17的情况相比，能够缩短被连结的多个单元引线框12的长度(实施方式中，约1/2)。
通过以上方式，能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的强度下降。因此，根据实施方式，能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
另外，在实施方式中，如图1A所示，优选将加强部17设置成从单元引线框形成区域11的一端延伸到另一端。基于此，在单元引线框形成区域11的整个区域，能够将被连结的多个单元引线框12的长度缩短。
因此，根据实施方式，由于能够缩短所有被连结的多个单元引线框12的长度，因此，在单元引线框形成区域11的整个区域，能够抑制被连结的多个单元引线框12变形。
另外，在实施方式中，如图1A所示地，优选加强部17在单元引线框形成区域11具有十字形状。例如，使一根加强部17在与预定方向A垂直的方向延伸，并且沿着预定方向A设置一根加强部17。基于此，能够使单元引线框形成区域11整体的强度提高。
图2A是实施方式所涉及的带有树脂的引线框2的示意图和放大图。图2A所示的带有树脂的引线框2例如是在制造搭载有LED元件23(参照图6A)的半导体装置3(图6C参照)时使用的引线框。
需要说明的是，虽然实施方式中示出搭载有LED元件23的半导体装置3的制造中使用的带有树脂的引线框2，但是也可以应用于在其他类型的半导体装置的制造中使用的带有树脂的引线框2。
带有树脂的引线框2与上述引线框1的不同点在于，在单元引线框12内形成的空隙设置有树脂部15。即，带有树脂的引线框2具有上述的引线框1和树脂部15。
树脂部15设置于在单元引线框12内(例如，多个焊盘14之间)形成的空隙，例如，由环氧树脂、硅酮树脂、陶瓷树脂等热固化性树脂构成。需要说明的是，树脂部15例如也可以由聚酰胺、聚邻苯二甲酰胺、聚苯硫醚等热塑性树脂构成。树脂部15与连接部13、焊盘14一体地成形。
此处，实施方式涉及的带有树脂的引线框2与引线框1同样地，在单元引线框形成区域11内设置有加强部17。基于此，能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
需要说明的是，如图2A～图2C所示，优选在加强部17交替地设置有未被半蚀刻加工的厚壁部17a和背面侧被半蚀刻加工的薄壁部17b。具体而言，在连接部13所连接的部位设置与焊盘14的宽度匹配的厚壁部17a，在除此之外的部位设置薄壁部17b。需要说明的是，厚壁部17a的宽度未必需要与焊盘14的宽度匹配，可以是任意宽度。
通过这样的厚壁部17a，能够牢固地保持被连接的连接部13，因此，能够进一步抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
另外，利用薄壁部17b，在形成树脂部15时，能够使构成这样的树脂部15的树脂15A(参照图5B)在形成于薄壁部17b的下表面侧的间隙内流通。因此，在形成树脂部15时，能够使树脂15A遍及整个单元引线框形成区域11。
另外，在实施方式中，如图2A和图2B所示，优选对连接部13的背面侧进行半蚀刻加工。基于此，能够使树脂15A在形成于连接部13的下表面侧之处的间隙流通，因此，在形成树脂部15时，能够使树脂15A容易地遍及整个单元引线框形成区域11。
另外，通过对连接部13的背面侧进行半蚀刻加工，从而在后述的制造半导体装置3的工序中，在用旋转刀具沿着切割线DL(参照图6B)进行切割时，能够降低旋转刀具的磨损。
需要说明的是，在实施方式中，虽然示出了对连接部13的背面侧进行半蚀刻加工的例子，但是也可以对连接部13的正面侧进行半蚀刻加工，也可以不对连接部13进行半蚀刻加工。
另外，在实施方式中，与上述的引线框1同样地，优选加强部17在单元引线框形成区域11具有十字形状。基于此，能够使单元引线框形成区域11整体的强度提高。
另外，在实施方式中，优选由硅酮树脂构成树脂部15。基于此，能够使用带有树脂的引线框2进行制造，使搭载有高发热的LED元件23的半导体装置3的耐热性提高。
需要说明的是，在由硅酮树脂构成树脂部15的情况下，在成形这样的硅酮树脂之后残留的残留应力大，因此，带有树脂的引线框2有可能翘曲。
然而，在实施方式中，加强部17在单元引线框形成区域11具有十字形状，从而提高单元引线框形成区域11整体的强度。另外，在实施方式中，在用预定的模具40(参照图5A)形成树脂部15时，能够用模具40按压十字形状的加强部17。
此外，在实施方式中，在树脂成形时用模具40按压加强部17，因此，如图2B、图2C和图3所示，在单元引线框12的上表面侧形成具有预定形状的树脂部15，而在加强部17的上表面侧不形成树脂部15。
即，在树脂部15，在加强部17的上表面侧形成十字形状的狭缝15a。而且，通过形成这样的狭缝15a，单元引线框形成区域11中的树脂部15的应力得以缓和。
因此，根据实施方式，在由硅酮树脂构成树脂部15的情况下，能降低带有树脂的引线框2的翘曲。
需要说明的是，在实施方式涉及的引线框1以及带有树脂的引线框2中，虽然示出了将加强部17形成为十字形状的例子，但是加强部17未必限于十字形状。例如，也可以如图4A所示地，使1根加强部17仅在与预定方向A交叉的方向延伸。图4A是实施方式的变形例1所涉及的引线框1以及带有树脂的引线框2的示意图。
基于此，能够缩短沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的长度，因此，能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
另外，如图4B所示地，也可以使两根加强部17仅在与预定方向A交叉的方向排列并延伸。图4B是实施方式的变形例2所涉及的引线框1以及带有树脂的引线框2的示意图。
基于此，能够进一步缩短沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的长度，因此能够有效地抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
另外，根据变形例2，即使在单元引线框形成区域11的尺寸变大的情况下，也能够缩短沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的长度。因此，即使是更大尺寸的引线框1以及带有树脂的引线框2，也能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
需要说明的是，在变形例2中，虽然示出了使两根加强部17排列并延伸的例子，但是也可以使三根以上的加强部17排列并延伸。例如，即使在单元引线框形成区域11的尺寸变大的情况下，以被排列配置的加强部17的间隔约为25mm的方式排列多个加强部17即可。
进一步地，也可以如图4C所示地，使两根加强部17在与预定方向A交叉的方向延伸，并且沿着预定方向A设置一根加强部17。图4C是实施方式的变形例3所涉及的引线框1以及带有树脂的引线框2的示意图。
基于此，能够进一步地缩短沿着预定方向A连结的多个单元引线框12的长度，并且能够提高单元引线框形成区域11整体的强度。
因此，根据变形例3，能够有效地抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形，并且能够提高单元引线框形成区域11整体的强度。
另外，在实施方式中，如图1A和图2A所示地，在形成树脂部15时，优选将经由模具40注入树脂15A的注入部18以及经由模具40排出树脂15A的剩余部分的排出部19均设置在单元引线框形成区域11内。
例如，如图1A和图2A所示地，优选在单元引线框形成区域11的一角(图中的左上角)设置注入部18，在从该注入部18与单元引线框形成区域11的对角线方向对置的一角(图中的右下角)设置排出部19。这样的注入部18以及排出部19的功能将在后述。
＜制造方法的详细情况＞
接下来，参照图5A～图6C，对实施方式所涉及的带有树脂的引线框2以及半导体装置3的制造方法的详细情况进行说明。图5A～图5C是对各处理进行剖视时的图。需要说明的是，在图5A～图5C中，左侧记载的附图示出注入部18的附近，右侧记载的附图示出排出部19的附近。
首先，如图5A所示地，准备对预定处实施了蚀刻加工的引线框1。在这样的引线框1，如图1A所示地，在单元引线框形成区域11内的预定的位置设置加强部17，并且在预定的两角分别设置注入部18和排出部19。另外，如图5A所示地，注入部18以及排出部19是孔洞状。
另外，在设置于单元引线框12内的第1焊盘14a、第2焊盘14b的双面形成镀膜21。该镀膜21的材料也可以是Ag、Ni、Pd、Au中的任一者或者其组合。
然后，将已加工成预定形状的引线框1安装在预定的模具40。模具40具有上模41和下模42，并且以用这样的上模41和下模42从上下夹着引线框1的方式被安装。需要说明的是，在实施方式中，下模42以面对着焊盘14的搭载面14c的方式被安装。
在安装这样的上模41和下模42时，为了提高模制填充性和脱模性，在上模41与引线框1之间以及下模42与引线框1之间插入有膜43。
另外，在上模41中，在预定的位置设置注入流道41a和排出流道41b。然后，在将上模41安装在引线框1时，注入流道41a与注入部18连接，排出流道41b与排出部19连接。
另外，在被配置在注入流道41a与注入部18的连接部以及排出流道41b与排出部19的连接部之处的膜43分别形成贯通孔43a、43b。
进一步地，在下模42形成有与注入部18连接的凹部42a、与排出部19连接的凹部42b以及以包围单元引线框12的搭载面14c侧的方式设置的凹部42c。
需要说明的是，虽然在实施方式中示出注入流道41a为顶浇口方式的情况，但是注入流道41a也可以是侧浇口方式。
接着，如图5B所示地，经由注入流道41a、贯通孔43a以及注入部18，在模具40内注入构成树脂部15的树脂15A。然后，在这样的模具40内填充树脂15A，在引线框1的空隙残留的空气、已填充的树脂15A的剩余部分经由排出部19、贯通孔43b以及排出流道41b而从模具40排出。
此处，在实施方式中，通过在注入部18的下部形成凹部42a，从而能够使树脂15A暂时积存在该凹部42a之后再填充到模具40内，因此，能够将树脂15A顺畅地填充在模具40内。另外，通过在排出部19的下部形成凹部42b，从而使树脂15A暂时积存在该凹部42b之后再从模具40内排出，因此，能够将树脂15A顺畅地从模具40内排出。
然后，对填充有树脂15A的模具40进行预定的热处理，使树脂15A固化，成为树脂部15。
接着，如图5C所示地，拆下上模41以及下模42，带有树脂的引线框2完成。此处，在单元引线框12中的焊盘14的搭载面14c侧，以包围第1焊盘14a以及第2焊盘14b的方式形成凸部15b。
另外，在注入部18的形成有凹部42a处(即，注入部18中的焊盘14的搭载面14c侧)形成毛刺18a，在排出部19的形成有凹部42b处(即，排出部19中的焊盘14的搭载面14c侧)形成毛刺19a。
需要说明的是，在拆下上模41时，与上模41抵接的膜43被与上模41一起从带有树脂的引线框2剥离。另外，在拆下下模42时，与下模42抵接的膜43残留在带有树脂的引线框2。因此，在拆下上模41以及下模42之后，另行将残留在带有树脂的引线框2的膜43剥离。
接着，参照图6A～图6C，对使用制作成的带有树脂的引线框2制造半导体装置3的工序进行说明。图6A～图6C是对各处理进行剖视时的图。需要说明的是，图6A～图6C示出注入部18的附近，将焊盘14的搭载面14c作为上侧。
首先，如图6A所示地，在第1焊盘14a的搭载面14c上搭载LED元件23。然后，在LED元件23的各电极与第1焊盘14a的搭载面14c侧的镀膜21和第2焊盘14b的搭载面14c侧的镀膜21之间，分别利用接合线24进行电连接。
此处，假设在注入部18或者排出部19的至少一者设置在框体10而不是单元引线框形成区域11的情况下，在将接合线24进行接合之前，在用预定的按压工具(未图示)保持框体10时，毛刺18a或毛刺19a有可能干扰这样的按压工具。
基于以上情况，由于无法充分保持引线框1，因此，存在接合线24的接合强度下降的情况。因此，半导体装置3(图6C参照)的可靠性有可能下降。
然而，在实施方式中，通过将注入部18以及排出部19设置在单元引线框形成区域11，因此，在将接合线24进行接合时，能够用按压工具充分保持框体10，而无需将毛刺18a或毛刺19a去除。因此，根据实施方式，能够制造确保接合线24有充分的接合强度的半导体装置3。
另外，根据实施方式，在对接合线24进行接合时，由于能够省略预先去除毛刺18a、19a的工序，因此能够高效地制造半导体装置3。
进一步地，根据实施方式，在用上述的按压工具保持带有树脂的引线框2时，经由在树脂部15形成的狭缝15a而直接按压加强部17，而不是框体10。基于此，能够更充分地保持带有树脂的引线框2，因此，能够制造确保了接合线24的更充分的接合强度的半导体装置3。
接着，将以上制作成的结构体装配在预定的模具，用透明的热固化性树脂进行模制处理，从而如图6B所示地，在带有树脂的引线框2的搭载面14c侧形成透明树脂部25。这样的透明树脂部25在对LED元件23以及接合线24进行封装的同时，使从LED元件23射出的光透射。
接着，用旋转刀具沿着在相邻的单元引线框12彼此之间假想设置的切割线DL进行切割。基于此，如图6C所示地，分割成每个单独的半导体装置3，从而完成半导体装置3。
在这样的半导体装置3中，以包围LED元件23的方式形成凸部15b，因此，能够通过凸部15b使从LED元件23射出的光向上方反射。因此，根据实施方式，能够实现发光效率高的半导体装置3。
接下来，参照图7，对实施方式的变形例4所涉及的引线框1进行说明。图7是实施方式的变形例4所涉及的引线框1的放大图。需要说明的是，在图7中，对与实施方式相同的部位标注相同符号，有时省略重复说明。
另外，虽然未图示，但是将变形例4所涉及的引线框1以上述方式安装在模具40，形成树脂部15，从而能够制造变形例4所涉及的带有树脂的引线框2。
变形例4的引线框1在正面侧沿着框体10形成凹部10a。这样的凹部10a例如通过对金属基板的正面侧实施半蚀刻加工从而槽状地形成。
根据变形例4，在制造上述的带有树脂的引线框2的工序中，将在引线框1的正面与下模42之间插有的膜43压入凹部10a，从而能够抑制树脂15A向框体10的外侧泄漏。
在变形例4中，优选将凹部10a形成在框体10的整周上。基于此，能够有效地抑制树脂15A向框体10的外侧泄漏。需要说明的是，凹部10a不限于形成在框体10的整周上，也可以形成在框体10的一部分。
另外，在凹部10a形成在框体10的一部分的情况下，凹部10a不限于槽状，也可以形成为从引线框1的正面贯通到背面。
另外，在变形例4中，如图7所示地，优选多个贯通孔10b沿着槽状的凹部10a排列地形成。这样的贯通孔10b形成在槽状的凹部10a与切割线DL交叉处，该切割线DL假想地设置在相邻的单元引线框12彼此间。
基于此，在制造上述的半导体装置3的工序中，在用旋转刀具沿着切割线DL进行切割时，能够利用贯通孔10b进行这样的旋转刀具的定位。另外，在用旋转刀具沿着切割线DL切割时，能够降低旋转刀具的磨损。
需要说明的是，在上述的变形例4中，虽然示出了槽状的凹部10a被形成在引线框1的正面侧的例子，但是槽状的凹部10a也可以形成在引线框1的背面侧。
＜制造工序的处理过程＞
接下来，参照图8和图9，对实施方式所涉及的带有树脂的引线框2以及半导体装置3的制造工序中执行的处理进行说明。图8是示出在实施方式所涉及的带有树脂的引线框2的制造工序中执行的处理的处理过程的流程图。
首先，对预定处实施蚀刻加工，准备形成有框体10、单元引线框形成区域11等的引线框1(步骤S101)。对该引线框1在单元引线框形成区域11内的预定的位置设置加强部17，并且在预定的两角分别设置注入部18和排出部19。
接着，以将模具40(具体地，上模41)的注入流道41a与注入部18连接并且将排出流道41b与排出部19连接的方式将引线框1安装在模具40(步骤S102)。
需要说明的是，在步骤S102中，下模42以面对着焊盘14的搭载面14c的方式安装。另外，在安装上模41和下模42时，为了提高模制填充性和脱模性，在上模41与引线框1之间以及下模42与引线框1之间插入有膜43。
然后，经由上模41的注入流道41a以及注入部18，将树脂15A注入到模具40内(步骤S103)。
接着，对模具40实施预定的热处理，以将树脂15A固化(步骤S104)。通过以上处理，在单元引线框12内的空隙形成树脂部15。
最后，使模具40从引线框1脱离(步骤S105)，得到实施方式涉及的带有树脂的引线框2。需要说明的是，不必去除在使模具40从引线框1脱离时形成的毛刺18a、19a。
图9是示出在实施方式所涉及的半导体装置3的制造工序中执行的处理的处理过程的流程图。
首先，在设置于带有树脂的引线框2的单元引线框12之处的焊盘14(具体地，第1焊盘14a)的搭载面14c上搭载LED元件23(步骤S201)。该LED元件23例如使用焊料、银膏、丙烯类膏、绝缘膏等固定在焊盘14。
接着，以不去除在注入部18的附近形成的毛刺18a、在排出部19的附近形成的毛刺19a的状态，用按压工具保持带有树脂的引线框2的框体10(步骤S202)。
接着，将接合线24接合在用上述按压工具保持的带有树脂的引线框2所搭载的LED元件23以及焊盘14(步骤S203)。该接合线24例如使用焊线机等接合在LED元件23、焊盘14。
接着，将上面制作成的结构体装配在预定的模具，用透明的热固化性树脂进行模制处理，从而在引线框1的搭载面14c侧形成透明树脂部25(步骤S204)。
最后，用旋转刀具沿着在相邻的单元引线框12彼此间假想设置的切割线DL进行切割(步骤S205)，得到实施方式涉及的半导体装置3。
以上，针对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。例如，在上述的实施方式中，虽然示出了在带有树脂的引线框2中使用的引线框1，但是实施方式涉及的引线框1不限于在带有树脂的引线框2中使用的情况。
另外，在上述的实施方式中，也可以利用预定的粗糙化处理对引线框1的金属基板、镀膜21的表面进行粗糙化。基于此，能够进一步提高引线框1与树脂部15的贴合性、镀膜21与透明树脂部25的贴合性。
如上所述，实施方式所涉及的引线框1具有框体10、单元引线框形成区域11和加强部17。框体10以包围外周部的方式设置。单元引线框形成区域11设置在框体10内，多个单元引线框12以矩阵状排列，多个单元引线框12沿着预定方向A连结。加强部17在单元引线框形成区域11内在与预定方向A交叉的方向延伸。基于此，能够抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形。
另外，在实施方式所涉及的引线框1中，加强部17设置为从单元引线框形成区域11的一端延伸到另一端。基于此，在单元引线框形成区域11的整个区域，能够抑制被连结的多个单元引线框12变形。
另外，在实施方式所涉及的引线框1中，加强部17在单元引线框形成区域11具有十字形状。基于此，能够提高单元引线框形成区域11整体的强度。
另外，在实施方式所涉及的引线框1中，加强部17交替地设置被半蚀刻加工的部位(薄壁部17b)和未被半蚀刻加工的部位(厚壁部17a)。基于此，能够进一步地抑制沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形，并且在形成树脂部15时，能够使构成这样的树脂部15的树脂15A遍及整体单元引线框形成区域11。
另外，在实施方式所涉及的引线框1中，在框体10形成沿着框体10的凹部10a。基于此，能够抑制树脂15A向框体10的外侧泄漏。
另外，实施方式所涉及的带有树脂的引线框2具有：上述的引线框1；以及树脂部15，设置在形成于单元引线框12内的空隙。基于此，能够实现抑制了沿着预定方向A连结的多个单元引线框12变形的带有树脂的引线框2。
另外，在实施方式所涉及的带有树脂的引线框2中，在树脂部15，在加强部17的上表面侧形成狭缝15a。基于此，单元引线框形成区域11中的树脂部15的应力被缓和。
另外，在实施方式所涉及的带有树脂的引线框2中，树脂部15由硅酮树脂构成。基于此，在使用带有树脂的引线框2进行制造并且搭载有高发热的LED元件23的半导体装置3中，能够提高耐热性。
另外，在实施方式所涉及的带有树脂的引线框2中，经由预定的模具40而注入构成树脂部15的树脂15A的注入部18以及经由预定的模具40而排出树脂15A的剩余部分的排出部19均被设置在单元引线框形成区域11内。基于此，能够制造确保接合线24有充分的接合强度的半导体装置3。
另外，实施方式所涉及的带有树脂的引线框2的制造方法包含：将上述的引线框1以注入部18与模具40的注入流道41a连接且排出部19与模具40的排出流道41b连接的方式安装在模具40的工序(步骤S102)，该引线框1中，经由预定的模具40而注入树脂15A的注入部18以及经由预定的模具40而排出树脂15A的剩余部分的排出部19均被设置在单元引线框形成区域11内；以及经由注入流道41a和注入部18而将树脂15A注入到模具40内的工序(步骤S103)。基于此，能够制造带有树脂的引线框2，该带有树脂的引线框2能够制造确保接合线24有充分的接合强度的半导体装置3。
另外，实施方式所涉及的半导体装置3的制造方法包含：在上述的带有树脂的引线框2的单元引线框12内搭载半导体元件(LED元件23)的工序(步骤S201)；用按压工具保持框体10的工序(步骤S202)；以及将接合线24接合在已搭载的半导体元件(LED元件23)的工序(步骤S203)。基于此，能够制造确保接合线24有充分的接合强度的半导体装置3。
本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式并不限定于如以上所示且记述的特定的详细及代表性的实施方式。因此，在不脱离所附的权利要求书及其等同物所定义的总发明概念的精神或范围的情况下可以进行各种变更。

Claims (12)

1.一种引线框，其特征在于，具有：
框体，所述框体以包围外周部的方式设置；
单元引线框形成区域，所述单元引线框形成区域设置在所述框体内，多个单元引线框以矩阵状排列，并且多个所述单元引线框沿着预定方向经由连接部连结；以及
加强部，所述加强部在所述单元引线框形成区域内至少沿与所述预定方向交叉的方向延伸，
所述加强部中，交替地设置被半蚀刻加工的部位和未被半蚀刻加工的部位，
在所述连接部所连接的部位设置所述未被半蚀刻加工的部位。
2.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，
所述加强部设置为从所述单元引线框形成区域的一端延伸到另一端。
3.根据权利要求1或2所述的引线框，其特征在于，
所述加强部在所述单元引线框形成区域具有十字形状。
4.根据权利要求1或2所述的引线框，其特征在于，
在所述框体形成有沿着所述框体的凹部。
5.根据权利要求3所述的引线框，其特征在于，
在所述框体形成有沿着所述框体的凹部。
6.一种带有树脂的引线框，其特征在于，具有：
权利要求1～5中任一项所述的引线框；以及
树脂部，所述树脂部设置在形成于所述单元引线框内的空隙。
7.根据权利要求6所述的带有树脂的引线框，其特征在于，
在所述树脂部，在所述加强部的上表面侧形成狭缝。
8.根据权利要求6或7所述的带有树脂的引线框，其特征在于，
所述树脂部由硅酮树脂构成。
9.根据权利要求6或7所述的带有树脂的引线框，其特征在于，
注入部和排出部均设置在所述单元引线框形成区域内，所述注入部供构成所述树脂部的树脂经由预定的模具而注入，所述排出部供所述树脂的剩余部分经由所述预定的模具而排出。
10.根据权利要求8所述的带有树脂的引线框，其特征在于，
注入部和排出部均设置在所述单元引线框形成区域内，所述注入部供构成所述树脂部的树脂经由预定的模具而注入，所述排出部供所述树脂的剩余部分经由所述预定的模具而排出。
11.一种带有树脂的引线框的制造方法，其特征在于，包含：
将注入部和排出部均设置在所述单元引线框形成区域内的权利要求1～5中任一项所述的引线框以所述注入部与预定的模具的注入流道连接、所述排出部与所述模具的排出流道连接的方式安装在所述模具的工序，其中，所述注入部供所述树脂经由所述模具而注入，所述排出部供所述树脂的剩余部分经由所述模具而排出；以及
经由所述注入流道和所述注入部而将树脂注入到所述模具内的工序。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
在权利要求9或10所述的带有树脂的引线框的所述单元引线框内搭载半导体元件的工序；
用按压工具保持所述框体的工序；以及
将接合线接合在已搭载的所述半导体元件的工序。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW445606B (en) * 2000-03-03 2001-07-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with lead frame having concave portion
JP2006032471A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd Ｃｓｐ基板の製造方法
JP5247626B2 (ja) * 2008-08-22 2013-07-24 住友化学株式会社 リードフレーム、樹脂パッケージ、半導体装置及び樹脂パッケージの製造方法
JP5807800B2 (ja) * 2010-11-18 2015-11-10 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP5287889B2 (ja) * 2011-02-02 2013-09-11 凸版印刷株式会社 半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置
JP6021416B2 (ja) * 2012-05-01 2016-11-09 日東電工株式会社 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法
JP6143468B2 (ja) * 2013-01-11 2017-06-07 株式会社三井ハイテック リードフレーム
WO2016055903A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
DE102015100025A1 (de) * 2015-01-05 2016-07-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen
CN104659010B (zh) * 2015-02-11 2018-03-16 江苏长电科技股份有限公司 一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构与封装体结构
JP6577373B2 (ja) * 2016-01-18 2019-09-18 新光電気工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法、半導体装置

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