JP5287889B2 - 半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの発光素子を担持、搭載する半導体発光装置用リードフレームおよび、それを用いた半導体発光装置に関する。
一般的に、ＬＥＤチップなどの半導体発光素子を担持、搭載して半導体発光装置を構成するリードフレームは、板状の鉄−ニッケル等の合金薄板、銅−ニッケル−錫等の合金薄板からなるリードフレーム用金属板を、その片面又は両面から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてフォトエッチング加工して製造され、ＬＥＤチップなどの半導体発光素子を搭載するためのパッド部（アイランド部）と、該パッド部とは絶縁状態に離反し、半導体発光素子と電気的に接続が行われるインナーリード部及びアウトリード部を備えている。
ＬＥＤチップなどの半導体発光素子を担持するための基板としては、合金薄板からなるリードフレームを用いる以外に、セラミック基板やプリント基板等が使用される。特許文献１〜３には、ＬＥＤ等の半導体発光素子の担持体へのマウント技術が記載されている。
特許文献３には、リードフレーム基材に桟フレームを設け、リードフレームの隙間部に樹脂を充填し、樹脂に接しないように設けた光反射リングを備え、リードフレーム上に設置した半導体発光素子からの光を光反射リングの反射面で反射する半導体発光装置が開示されていた。
そして、これらの従来技術は、リードフレームのＬＥＤチップ側の表面には銀めっき層が形成されてＬＥＤチップからの光を反射して明るさを増した半導体発光装置を形成していた。
特開２００３−８０７１号公報 特開２００４−１７２１６０号公報 特開２００８−２２７１６６号公報
しかし、これらの従来技術では、ＬＥＤチップからの光を反射するべくリードフレームのＬＥＤチップ側の表面に形成した銀めっき層が、大気中に含まれる極微量のＳ（硫黄）成分と結びつき容易に黒変化（硫化Ａｇ）する欠点があった。このように銀めっき層を採用したＬＥＤ光源である半導体発光装置の場合、光反射率の高い銀めっき層を採用しても、短時間で変色（黒色化）がおきるため、ＬＥＤ光源として高い光反射率を維持するのが難しい欠点があった。
また、銀にはいわゆるマイグレーションが起き易い欠点があり、耐圧が低下したり短絡が発生しやすい欠点もあった。
しかし、その対策として用いることを考えられる耐硫化性銀合金として提案されている銀合金は、ＬＥＤチップをダイボンディングし、あるいは金線等のワイヤーをワイヤーボンディングして金属接合する場合に、その銀合金に添加した耐硫化成分がワイヤーとの金
属接合を妨げ、接合の信頼性を損なう問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ＬＥＤチップからの光を反射するべくリードフレームのＬＥＤチップ側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消し、と同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を劣化させない半導体発光装置を得ることを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明は、半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層は、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上とＣｅとを含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くしたことを特徴とする半導体発光装置用
リードフレームである。
また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームであって、前記銀合金めっき層の前記、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上とＣｅとの含有量が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、前記銀合金めっき層の厚さを０．０２μｍ以上３μｍ以下の厚さに形成したことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。
また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームであって、前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に樹脂が充填されて成ることを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。
また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームを用いた半導体発光装置であって、前記パッド部に半導体発光素子を搭載し、前記半導体発光素子と前記半導体発光素子側の前記リード部の表面とをワイヤーボンディングにより電気接続したことを特徴とする半導体発光装置である。
本発明によれば、リードフレームの金属板１ａの表面に銀めっき層１ｂを形成し、更にその上に、Ｘ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎなどの耐硫化成分のうち一つ以上を含有するＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを、その厚さを銀めっき層１ｂの厚さより薄く形成することで、Ｘ成分が大気中のＳ（硫黄）成分と銀との結合を抑制して良好な耐硫化性を付与して高い光反射率を大気中で長期間維持できる膜を形成できる効果がある。
また、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの膜の厚さを銀めっき層１ｂの厚さより薄くすることで、ワイヤーボンディングのワイヤーがＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを突き破って銀めっき層１ｂへ直接接合することができ、ワイヤーの接合部を強固に接合できる効果がある。
更に、そのＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃは銀めっき層１ｂの銀のマイグレーションを抑制できる効果がある。
本発明の半導体発光装置用リードフレームの側断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームの上面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームを分割して得る半導体発光装置ＬＥの上面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームを用いた半導体発光装置ＬＥのＸ１−Ｘ１側断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームを用いた半導体発光装置ＬＥのＸ２−Ｘ２側断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームを用いた半導体発光装置ＬＥのＹ−Ｙ側断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームに施す少なくとも２層のめっき層の層構成を示す断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームへの充填樹脂のモールド成型方法を示す側断面図である。 本発明の半導体発光装置用リードフレームに施す少なくとも２層のめっき層の効果の実験結果を示す図である。
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態を図１〜図９を用いて説明する。図１（ａ）は、充填樹脂４を充填する以前のリードフレーム１の側断面図を示す。図１（ｂ）は、充填樹脂４を充填して成るリードフレーム１の側断面図を示す。図１（ｃ）は、リードフレーム１を用いて製造した半導体発光装置用リードフレームの側断面図を示し、図２は、その上面図を示す。
図３は、図１（ｃ）の半導体発光装置用リードフレームを個片に分割して得る半導体発光装置ＬＥを示す上面図である。また、図４は、図３中のＸ１−Ｘ１線における側断面図を、図５は、図３中のＸ２−Ｘ２線における側断面図を、図６は図３中のＹ−Ｙ線における側断面図を各々示す。図７は、リードフレーム１の板状機材の層構成を示す断面図である。また、図８は、本発明の半導体発光装置用リードフレームのモールド成型による製造方法を示す側断面図である。図９は、本発明のリードフレーム１に施す少なくとも２層のめっき層の効果の実験結果を示す図である。
（リードフレーム）
図１（ａ）に示すリードフレーム１は、枚葉状あるいは帯状の金属板１ａに、図２の点線Ｚ部で示す１単位フレームＺ毎にパッド部２及びリード部２ａとを形成し、その１単位フレームＺを縦横方向に多面付け配列して構成する。
リードフレーム１は、金属合金製の金属板１ａの表面側と裏面側からフォトエッチング加工することにより形成する。リードフレーム１の構成は、図１（ａ）に示すように、金属合金製の厚さｔ１（例えば０．２ｍｍ）の金属板１ａを両面からフォトエッチング加工することにより形成された表面側の厚さｔ２（例えば０．１ｍｍ）の上部構造と、裏面側の厚さｔ３（例えば０．１ｍｍ）の下部構造のパターンから構成し、パッド部２とリード部２ａでは上部構造と下部構造を一体に形成する。
リードフレーム１は、板状の鉄−ニッケル等の合金薄板又は銅−ニッケル−錫等の合金薄板を金属板１ａとして用いるが、熱伝導率が高い銅又は銅合金を金属板１ａとして用いる方が放熱性が向上するため好ましい。その他には、アルミニウム合金等の金属板１ａをリードフレーム１の材料として用いることも可能である。
リードフレーム１用の金属板１ａとして、厚さｔ１（例えば０．２ｍｍ）の銅材を用いて、厚さ０．０１５ｍｍ〜０．０３０ｍｍのエッチングレジスト層のパターンを金属板１ａの両面に形成して金属板１ａの両面からエッチングを行うことにより、図１（ａ）に断面を示すように、金属板１ａの側断面の上下の角部分を鈍角な形状にしたリードフレーム１を製造する。
図２に、リードフレーム１の平面パターンを、それに充填した充填樹脂４とともにあらわす。図１（ａ）と図２に示すように、リードフレーム１の厚さｔ２の上部構造のパターンは、パッド部２と、それから離反して所定の間隔で隣接する１乃至複数箇所に形成されたリード部２ａと、それらを連結する吊りバー２０とタイバー３０を備えている。
厚さｔ３の下部構造のパターンは、パッド部２に裏面側で一体である放熱部３（放熱板）と、リード部２ａに裏面側で一体である放熱部３ａ（放熱板）としている。
そして、図１（ｂ）のようにリードフレーム１のパッド部２とリード部２ａの間に充填樹脂４を充填し、図１（ｃ）のように、パッド部２の半導体発光素子側の面である半導体発光素子搭載用表面Ａに厚さが０．０５ｍｍから０．１ｍｍのＬＥＤチップ（半導体発光素子）１０を搭載する。
（半導体発光装置ＬＥ）
半導体発光装置用リードフレームは、図２のように個片への分割線ＢＸとＢＹとで前後左右に分割して個片に分割することで、個々の半導体発光装置ＬＥを製造する。図３から図６は、図１（ｃ）の半導体発光装置用リードフレームを個片に分割して得る半導体発光装置ＬＥを示す図であり、図３はその上面図であり、図４から図６はその側断面図である。
リードフレーム１のパッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａと、リード部２ａの電気的接続エリアＣの面とは、リードフレーム１の同一の金属板から形成されるため同一平面上にあり高さが同じである。
また、パッド部２の裏面と一体の下部構造の放熱部３（放熱板）の放熱用裏面Ｂと、リード部２ａの裏面と一体の下部構造の放熱部３ａ（放熱板）の放熱用裏面Ｄとは同一平面上にあり高さが同じである。
パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａ上にＬＥＤチップ１０を搭載し、そのＬＥＤチップ１０上の電極端子とリード部２ａの電気的接エリアＣを、ワイヤーボンディングで金線のワイヤーＷを接続する。これにより、ＬＥＤチップ１０とリード部２ａが電気接続される。
（リードフレームの構造）
本実施形態のリードフレーム１は、図４のように、パッド部２の表面（上面）の半導体発光素子搭載用表面Ａは、ＬＥＤチップ１０を搭載するための面積Ｓ１を有する。
パッド部２において、その上部構造と対向する裏面側の放熱部３の放熱用裏面Ｂ（放熱板）は、ＬＥＤチップ１０本体から発生する駆動熱やＬＥＤチップ１０の周囲環境条件による熱を放散させて、ＩＣチップ１０に熱が蓄積されないように、パッド部２裏面側から外界側に熱を放散させるための面積Ｓ２を有する。
リードフレーム１のパッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａの面積Ｓ１と、パッド部２の、半導体発光素子搭載用表面Ａと対向する放熱用裏面Ｂの面積Ｓ２との関係は、０＜
Ｓ１＜Ｓ２とし、その半導体発光素子搭載用表面Ａの面積よりも放熱用裏面Ｂの面積が広くなるように設定する。このようにすることで、放熱部位が広く設定でき、放熱性に優れた半導体発光装置ＬＥが得られる効果がある。
また、リードフレーム１のパッド部２とリード部２ａの上部構造の側面部には、その上部構造の表面（半導体発光素子搭載用表面Ａ及び電気的接続エリアＣを含む面）側から下部構造の裏面（放熱用裏面Ｂ及び放熱用裏面Ｄを含む面）側の方向に拡がる、段差状部又はテーパー状部Ｅを形成する。この段差状部又はテーパー状部Ｅは、樹脂モールド時の充填樹脂４を保持する。
リードフレーム１のパッド部２とリード部２ａの下部構造の放熱部３及び３ａの側面部には、その下部構造の裏面側から上部構造の表面側の方向に拡がるテーパー状部Ｅ１を形成する。このテーパー状部Ｅ１は、樹脂モールド時の充填樹脂４を保持する。
また、本実施形態のリードフレーム１においては、図１〜図２に示すように、リード部２ａで、上部構造が例えば厚さｔ２（＝０．１ｍｍ）で下部構造が厚さｔ３（＝０．１ｍｍ）の放熱部３ａ（放熱板）とが一体になったリード部２ａの構造を、厚さｔ２の上部構造と厚さｔ３の下部構造が一体となったパッド部２から離反させて１乃至複数箇所に備えている。
図５に示すリード部２ａの表面の電気的接続エリアＣは、パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａと同じ高さの面であり、ＬＥＤチップ１０と電気配線する金線のワイヤーＷがボンディングされるワイヤーボンディング領域となる領域であり、その面積はＳ３である。また、リード部２ａの電気的接続エリアＣに対向する放熱部３ａの面は放熱用裏面Ｄ（放熱板）であり、その面積はＳ４である。
（金属板１ａ上の金属めっき層の層構成）
図７（ａ）の側断面図により、図１（ａ）のリードフレーム１の金属板１ａとその表面に形成した金属めっき層の層構成を示す。リードフレーム１のＬＥＤチップ（半導体発光素子）１０搭載側の表面（上面）に少なくとも２層のめっき層を形成する。その２層のめっき層の下層は、リードフレーム１の上面の金属板１ａの側に厚さが０．５μｍ以上８μｍ以下の銀めっき層１ｂを形成する。すなわち、図１（ａ）のパッド部２の上面の半導体発光素子搭載用表面Ａとリード部２ａの上面の電気的接続エリアＣの表面に銀めっき層１ｂを施す。
金属板１ａのパッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａの表面及びリード部２ａの表面の電気接続エリアＣに銀めっき層１ｂが施されることで、半導体発光素子搭載用表面Ａの光の反射率が高くなり、ＬＥＤチップ１０が発光した光を反射させて半導体発光装置ＬＥの輝度を高めることができる。これにより、ＬＥＤチップ１０から発せられた光を効率よく利用することができる効果がある。また、電気的接続エリアＣの表面は、銀めっき層１ｂが施されることで、ワイヤーボンディングやチップボンディング等により、ＬＥＤチップ１０とリード部２ａとの電気的接続を行う際の接続性が向上する。
半導体発光素子側の表面に施す２層のめっき層の上層として、先に形成した銀めっき層１ｂの表面（上面）に、Ｘ成分として、耐硫化性を有するＺｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、その成分の含有量が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である銀合金めっき層、すなわちＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成する。
このＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃは、銀めっき層１ｂの表面に合金めっきして形成する。このＡｇ−Ｘ合金は、その厚さを銀めっき層１ｂの厚さ以下の膜に、厚さが０．０２μｍ
以上３μｍ以下に形成する。
これらＺｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎの１つ以上から成るＸ成分を含むＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃは、高い反射率を有するとともに、銀中に微量含有したＸ成分が大気中のＳ（硫黄）成分と銀との結合を抑制することで、良好な耐硫化性を有する。そのため、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃが銀めっき層１ｂの表面を保護してめっき膜の耐硫化性を向上させ、めっき膜の高光反射率を維持できる効果がある。
銀めっき層１ｂのみでは、大気中に含まれる極微量のＳ成分と結びつき容易に黒変化（硫化Ａｇ）する欠点があったが、本実施形態は、その銀めっき層１ｂの欠点を、銀めっき層１ｂの表面上にＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを重ねて形成して大気から保護する２層のめっき層を形成することで改善する。本実施形態は、それにより、銀めっき層１ｂの高光反射率を大気中で長期間維持することができる効果がある。
これらのＸ成分を含むＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの膜は硬く、応力を加えると破損し易い問題があったが、本実施形態では、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの膜の厚さを銀めっき層１ｂの厚さ以下にして銀めっき層１ｂの表面に形成することにより、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃに加えられる応力を下地の銀めっき層１ｂがクッションとなって吸収することで、硬いＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃが応力により破損し易い欠点を改善できる効果がある。
特に、本実施形態では、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃのＸ成分の含有量を５ｗｔ％以下にすることで、下地の銀めっき層１ｂの銀の結晶の格子定数と近い格子定数を有する膜にＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成することで、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃが下地の銀めっき層１ｂと良く馴染んでＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃと銀めっき層１ｂが強く結合してその界面で剥離しないように一体化できる効果がある。
すなわち、図９に示すように、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さの推奨値はＸ成分の重量％によって変わるが、Ｘ成分が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下において、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さが０．０２μｍ以上３μｍ以下の厚さにおいて、耐硫化性が改善され、また、ワイヤーボンディング性が維持される。
本実施形態ではワイヤーボンディング性が維持されるのは以下の理由による。すなわち、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの表面から金線のワイヤーＷをワイヤーボンディングする際に、金線のワイヤーＷが銀めっき層１ｂより薄いＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを突き破って銀めっき層１ｂに達して銀めっき層１ｂと直接接合させる。このように、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さを銀めっき層１ｂの厚さより薄くすることで、ワイヤーボンディングのワイヤーＷが薄いＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの膜を突き破って銀めっき層１ｂに達して銀めっき層１ｂへ直接接合することができ、ワイヤーＷの接合部を強固に接合できる効果がある。
また、以上に説明した効果に加え、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃは、銀めっき層１ｂの表面を保護して銀のイオン化を抑制することで、銀めっき層１ｂの銀のマイグレーションを抑制できる効果がある。
（変形例１）
変形例１として、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを、銀めっき層１ｂの表面に蒸着やスパッタリング、あるいは、イオンプレーティング等の乾式めっきによりＸ成分を成膜して、加熱してＸ成分を下地の銀めっき層１ｂに熱拡散させることでＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成することも可能である。特に、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃにする銀の量の３０分の１の量のＸ成分を銀めっき層１ｂの表面に成膜して、加熱してＸ成分を下地の銀めっき層１
ｂに熱拡散させることで、目的のＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを銀めっき層１ｂの表面に形成することができる。
（変形例２）
変形例２として、銀めっき層１ｂの表面に、Ｃｅ系光沢剤とＺｎ成分を含む低シアン銀めっき液を用いた湿式めっきにより、Ｘ成分としてＺｎとＣｅの混合成分を含むＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成する。
変形例２は、光沢剤のＣｅを含むことで、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの表面が平滑化されＬＥＤチップ１０の発する光の反射効率を高めることができる効果がある。
（変形例３）
変形例３として、図７（ｂ）に示す層構成のように、リードフレーム１のＬＥＤチップ（半導体発光素子）１０搭載側の金属板１ａの表面（上面）に３層のめっき層を形成する。その３層のめっき層の最下層は、金属板１ａの表面（上面）に耐熱拡散性に優れたＮｉ（ニッケル）めっきあるいはＣｏ（コバルト）めっき等の硬質の下地めっき層１ｄを形成する。その下地めっき層１ｄの上に先に述べた２層のめっき層を形成する。
例えば、金属板１ａの表面に光沢或いは半光沢のＮｉ下地めっきから成る硬質の下地めっき層１ｄを０．５〜８μｍ形成し、この上に０．５〜８μｍの銀めっき層１ｂを設け、更にその上にＺｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，ＳｎのＸ成分のうち一つ以上を含有量が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％含むＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを、その厚さを銀めっき層１ｂよりも薄く、０．０２μｍ〜３μｍ程度設ける。
変形例３では、下地めっき層１ｄを銀めっき層１ｂと金属板１ａの間に設けることで、銅合金などから成る金属板１ａの銅金属成分が銀めっき層１ｂに熱拡散して銀めっき層１ｂを変色させることを防ぐ金属熱拡散バリアとして働く効果があり、高価な銀めっき層１ｂの膜厚を薄く形成することができ、銀めっき層１ｂの形成コストを低減できる効果がある。
（変形例４）
変形例４として、金属板１ａの表面にＡｕ、Ｐｄ、Ｚｎなどの耐硫化性に優れたストライクめっきを厚さを０．０２μｍから０．５μｍ設けることで下地めっき層１ｄを形成し、その下地めっき層１ｄの上に先に述べた２層のめっき層を形成する。
すなわち、この下地めっき層１ｄの上に、０．５〜８μｍの銀めっき層１ｂを設け、更にその上にＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さを銀めっき層１ｂよりも薄く、０．０２μｍ〜３μｍ程度設ける。
これにより、変形例４は、銀めっき層１ｂが表面側からはＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃで保護され、金属板１ａ側ではストライクめっきから成る下地めっき層１ｄで保護され、金属板１ａ側の銅などの金属成分が銀めっき層１ｂに熱拡散して銀めっき層１ｂを変色させることを防ぐ効果があり、また、銀めっき層１ｂを上下面両面とも保護して硫化を妨げることができる効果がある。
（変形例５）
また、変形例５として、図７（ｃ）に示す層構成のように、半導体発光装置ＬＥを外部基板に搭載、接続させるための外部接続電極として、金属板１ａの下面の放熱用裏面Ｄ及び放熱用裏面Ｂに先に述べた少なくとも２層のめっき層を形成する。
すなわち、金属板１ａの下面に下面銀めっき層１ｅを形成し、更に、その下面に下面Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｆを形成する。金属板１ａの下面に形成した下面銀めっき層１ｅも、下面Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｆで保護されることで、下面銀めっき層１ｅの銀のイオン化を抑制し銀のマイグレーションを防止できる効果がある。
（リードフレームの構造（２））
リードフレーム１の電気的接続エリアＣの面積Ｓ３と放熱用裏面Ｄの面積Ｓ４との関係は、０＜Ｓ３＜Ｓ４にする。すなわち、ワイヤーボンディングする電気的接続エリアＣの面積よりも放熱用裏面Ｄの面積が広くなるように設定する。このようにすることで、放熱部位が広く設定でき、放熱性に優れた半導体発光装置ＬＥが得られる効果がある。
そして、電気的接続エリアＣと放熱用裏面Ｄとの間における上部構造のリード部２ａの側面側には、その電気的接続エリアＣから放熱用裏面Ｄの方向に拡がる段差状部又はテーパー状部Ｅを形成し、樹脂モールド時の充填樹脂４をフレーム表面側から裏面側の方向に脱落しないように保持するようにしている。一方、下部構造の放熱部３（放熱板）の側面部には、その放熱用裏面Ｄから電気的接続エリアＣの方向に拡がるテーパー状部Ｅ１を形成し、樹脂モールド時の充填樹脂４をフレーム裏面側から表面側の方向に脱落しないように保持するようにしている。
このリードフレーム１は、上部構造部のテーパー状部Ｅのテーパーは例えばハの字状であり、下部構造部のテーパー状部Ｅ１のテーパーは例えば逆ハの字状と、上部構造部と下部構造部の各々のテーパー方向は逆方向となっている。そのため、例えば、パッド部２とリード部２ａとで挟まれた部位の充填樹脂４は、上側の面（上部構造部側の面）と下側の面（下部構造部側の面）との間にくびれた部位を有するようになり、図６に示すように断面視で鼓状（あるいは、砂時計状）となる。リードフレーム１は、このくびれ部の上下で各々逆の方向のテーパ部となった側面で充填樹脂４を保持するため、充填樹脂４のリードフレーム１からの脱落を防止できる効果がある。
リードフレーム１は、ＬＥＤチップ１０を搭載するためのパッド部２を下部構造の放熱部３と重ならせて形成し、パッド部２と離反させたリード部２ａを下部構造の放熱部３ａと重ならせて形成し、それらを、図１（ａ）と図２のような吊りバー２０とタイバー３０で接続する。吊りバー２０とタイバー３０は、上部構造で形成し、それが下部構造の放熱部３又は放熱部３ａと重なる領域では、それらの下部構造と一体に形成し、それ以外の領域では、リードフレーム１の上部構造のみで形成する。
（半導体発光装置用リードフレームの製造方法）
次に本実施形態による半導体発光装置用リードフレームの製造方法を説明する。
（リードフレーム１の形成）
まず、鉄−ニッケル等の合金薄板又は銅−ニッケル−錫等の金属合金製の金属板１ａの表面に、フォトレジスト（感光性樹脂）を塗布してフォトレジスト層を形成する。次いで、パッド部２の面積Ｓ１からなる半導体発光素子搭載用表面Ａ、及びリード部２ａの面積Ｓ３からなる電気的接続エリアＣ、吊りバー２０及びタイバー３０を形成する部分にレジストパターンを形成するために、所定のパターンを有するパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層にパターンを露光する。次いで、フォトレジスト層に現像、必要に応じて硬膜処理を行う。これにより、パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａ及びリード部２ａの電気的接続エリアＣとなる部分と吊りバー２０及びタイバー３０となる部分を残してフォトレジストが現像除去される。そして、パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａを形成する部位、リード部２ａの電気的接続エリアＣ、及び、吊りバー２０とタイバー３０を形成する部位にレジストパターンが形成される。
同様に、金属板１ａの裏面にもフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成後、パターン露光、現像等という一連の処理を行う。パターン露光にあたっては、放熱部３の面積Ｓ２からなる放熱用裏面Ｂ、及び放熱部３ａの面積Ｓ４からなる放熱用裏面Ｄを形成するためのパターンを露光し、次に現像する。これにより、放熱部３の放熱用裏面Ｂとなる部分、及び放熱部３ａの放熱用裏面Ｄとなる部分を残して、フォトレジストが現像除去されたレジストパターンが形成される。
次に、金属板１ａの裏面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着し、金属板１ａの表面側から表面のフォトレジスト非形成部を所定の深度（図１（ａ）に示す厚さｔ２）まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理（ハーフエッチング処理）を行う。次に、洗浄後にその表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。
次に、金属板１ａの裏面の耐腐食用の樹脂フィルムを剥がし、金属板１ａの裏面側から、裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度（図１（ａ）に示す厚さｔ３）まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより、表面、裏面に各々対応するレジストパターンが形成されていない金属部位に貫通部が形成され、図１（ａ）と図２に示すようなリードフレーム１が形成される。
ここで、図２に示すように、エッチング後にリードフレーム１の各１単位フレームＺが金属板１ａから脱離することを防止するために、各１単位フレームＺを連結する格子状の枠部のタイバー３０を形成する。すなわち、１単位フレームＺは、枠部であるタイバー３０の開口部の領域内にタイバー３０と連結するよう形成する。
また、図２に示すように、ダイバー３０から分岐させた吊りバー２０を介して１単位フレームＺとタイバー３０とを連結させる。この吊りバー２０により、リードフレーム１のエッチング加工処理後に、パッド部２及びリード部２ａが金属板１ａから脱落するのを防止して、必要な期間、パッド部２及びリード部２ａを金属板１ａに連結保持しておく。
なお、仕様によっては、吊りバー２０を形成せずに、１単位フレームＺとタイバー３０とを直接に連結させることであっても構わない。
上述した説明では、リードフレーム１を形成するエッチング加工は、表裏の面に各々１回ずつ行い、計２回行っているが、表裏から同時に１回のエッチングで金属板１ａにエッチング加工を行っても構わない。
なお、以上の処理でリードフレーム１をエッチングして形成する際、レジストパターンから露出した金属板１ａ部位には等方的にエッチングが行われる。そのため、金属板１ａの両面から各々エッチングを行うことで、テーパー状部Ｅのテーパー方向と、テーパー状部Ｅ１のテーパー方向とが逆となったリードフレーム１が得られる。
すなわち、半導体発光素子搭載用表面Ａと放熱用裏面Ｂとの間におけるパッド部の側面部に、その半導体発光素子搭載用表面Ａから放熱用裏面Ｂの方向に拡がる、モールド時に充填される充填樹脂４を保持するための段差状部Ｅ又はテーパー状部Ｅが形成される。また、電気的接続エリアＣと放熱用裏面Ｄとの間におけるリード部２ａの側面側には、その電気的接続エリアＣから放熱用裏面Ｄの方向に拡がる、モールド時に充填される充填樹脂４を保持するための段差状部Ｅ又はテーパー状部Ｅが形成されたリードフレーム１が形成される。
次に、リード部２ａの電気的接続エリアＣに、Ｎｉ（ニッケル）の下地めっき層１ｄを形成し、その上に銀めっき層１ｂを形成する。そして、更にその上に、Ｘ成分として、Ｚ
ｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎの耐硫化成分のうち一つ以上を含有し、該Ｘ成分の含有量が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であるＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成する。
なお、電気的接続エリアＣへのめっきは、後で説明する、充填樹脂４をリードフレーム１に充填してモールド成型する工程の後に、充填樹脂４から露出した電気的接続エリアＣにめっきする処理により行っても良い。
（充填樹脂のモールド成型）
次に、このようにして形成したリードフレーム１に対し、以下に説明するように、金型を用いた樹脂モールド成型を行うことで充填樹脂４を成型し、半導体発光素子搭載用表面Ａと放熱用裏面Ｂのそれぞれの面、電気的接続エリアＣと放熱用裏面Ｄのそれぞれの面が充填樹脂４から露呈するように充填樹脂４が充填されたリードフレーム１を製造する。
樹脂モールド成型で用いる金型は、図８のように、リードフレーム１を収める所定の内部形状とした凹部を予め形成している金型を用いる。金型は、図８に示すように、蓋となる板状の上金型４０と下金型４１とで１組の金型を形成する構成にする。下金型４１には、溶融する充填樹脂４を注入する注入口４２と、リードフレーム１を装填可能な凹部４３を内部空間として形成しておく。
なお上金型４０には、充填樹脂４の上部に約０．３ｍｍの高さの光反射リング４ａを形成するための型となる、深さ約０．３ｍｍの光反射リング用凹部４０ａを内部空間として形成しておく。
樹脂モールド成型は、先ず、下金型４１の凹部４３にリードフレーム１を装填し、次に、上金型４０で下金型４１上に蓋をして型締めする。
次に、注入口４２から、凹部４３と光反射リング用凹部４０ａとの内部空間内に加熱溶融した充填樹脂４を注入して、装填されたリードフレーム１に充填樹脂４をモールド成型して樹脂が充填されたリードフレームを得る。
ここで、充填樹脂４が金型に注入される際、リードフレーム１のうち、樹脂の注入口４２の近傍の１単位フレームＺから、注入口から離れた部位にある１単位フレームＺへと、順次に樹脂が流れていき、樹脂モールドされていく。
また、樹脂モールドの際にリードフレーム１の表面と裏面に充填樹脂４が付着しないよう、下金型４１の凹部４３の深さ（内部空間の高さ）はリードフレーム１の厚みと略同一に形成する。それにより、金型内にリードフレーム１を装填した際に、リードフレーム１の表面は上金型４０の面に密着させ、裏面は下金型４１の面に密着させる。
そうすることで、凹部（内部空間）に樹脂を注入した際に、リードフレーム１の表面と裏面とへの樹脂の付着を防止し、リードフレーム１の表面（半導体発光素子搭載用表面Ａ、電気的接続エリア）と裏面（放熱用裏面）とを各々充填樹脂４から露出させる。
これにより、充填樹脂４が、パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａとリード部２ａの電気的接続エリアＣの高さから、それに対向する放熱用裏面Ｂと放熱用裏面Ｄの高さまでの範囲のリードフレーム１の厚さに充填されてモールド成型される。
充填樹脂４をリードフレーム１に充填してモールド成型した後、上金型４０を外し、樹脂が充填されたリードフレームを下金型４１から取り出す。これにより、図１（ｂ）のよ
うにリードフレーム１のパッド部２とリード部２ａ間に充填樹脂４が充填され、タイバー３０及び吊りバー２０の下に充填樹脂４の層が形成され、かつ、半導体発光素子搭載用表面Ａと放熱用裏面Ｂ、及び、電気的接続エリアＣと放熱用裏面Ｄが充填樹脂４から外面に露呈した半導体発光装置用リードフレームが形成される。
上金型４０に形成した光反射リング用凹部４０ａに充填樹脂４を注入して、その充填樹脂４を光反射リング４ａの形に成形する。すなわち、上金型４０は、光反射リング４ａが、半導体発光素子搭載用表面Ａと電気的接続エリアＣの高さから放熱用裏面Ｂと放熱用裏面Ｄの高さまでの充填樹脂４と一体化した構造となって、リードフレーム１の上面の上に突出するように形成される形にする。
これにより、図１（ｂ）のように、この樹脂モールドで形成する充填樹脂４によって、リードフレーム１の上面の上に突出させて形成する光反射リング４ａと、リードフレーム１の上面と下面の間の空間と充填樹脂４で一体化された構造で半導体発光装置用リードフレームを形成する。
すなわち、光反射リング４ａと、リードフレーム１のパッド部２とリード部２ａ間に充填された充填樹脂４とは、一体化して形成し、両者の間に樹脂の界面は存在させない。
そのため、充填樹脂４の光反射リング４ａと充填樹脂４の本体とは強固に接続され密着性が高い。また、光反射リング４ａと充填樹脂４の本体との間に界面が無いので、界面に水蒸気が拡散して剥離し易くなることも無く、接続信頼性の高い光反射リング４ａが得られる効果がある。更に、光反射リング４ａを充填樹脂４の他の充填部分と同時に形成するため、一回の樹脂モールド成型で済む。
充填樹脂４で形成する反射リング４ａの形については、図３から図６のように、リードフレーム１上に、リード部２ａの外側に、中心の円形の領域を取り囲む傾斜面ですり鉢状の斜面を有する外壁状の形に形成する。
すなわち、図３のように、設置したＬＥＤチップ１０の発光部（ＬＥＤ）を中心とする、平面視で円状の中心領域を、充填樹脂４のすり鉢状の傾斜面で囲む。そして、その傾斜面の外側の傾斜面の上部を平坦な台地状に形成する。その台地状の領域に、個片への分割線ＢＸとＢＹを設定する。
あるいは、すり鉢状の斜面の外側の傾斜面の上部を一定の幅の平坦な台地上に形成し、その外側を光反射リング４ａの外側の同心円状の壁面に形成しても良い。すなわち、光反射リング４ａの外側の壁面の外の充填樹脂４をリードフレーム１の金属板１ａの上面の高さと同じ高さにしても良い。
充填樹脂４の光反射リング４ａの内周面の具体的形状としては、光を効率よく反射できるように、円錐面、楕円錐面、球面または放物面の一部としてもよい。なお、この光反射リング４ａの平面視での形状は、円環に限定されず、ＬＥＤチップ１０の発光部を中心にした楕円形の環状に形成しても良い。また、発光部が円環の中心に近ければ、光反射リング４ａである円環の中心は発光部から少しずれていても良い。
光反射リング４ａの傾斜面の断面形状は、ＬＥＤチップ１０の発光部に対向する傾斜面である内周面を、半導体発光素子搭載用表面Ａと電気的接続エリアＣの成す面から３０度から８５度傾斜した斜面に形成する。それにより、光反射リング４ａの傾斜面に入射する反射光を効率よく再反射させることが可能になり、さらには、ＬＥＤチップ１０から発せられた光が直接に光反射リング４ａの傾斜面に入射する場合であっても、入射光を効率よ
く外部に向け反射させることが可能になる。
このモールド成型で用いる充填樹脂４には、光反射効率の高い白色樹脂を用いるのが望ましい。また、充填樹脂４は、その他に、耐熱性、耐光性、熱導電性、高い光拡散性を有することも望ましい。充填樹脂は熱可塑性樹脂、あるいは、熱硬化性樹脂を用いることができる。そのため、充填樹脂４として、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シルセシキオキサン系樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ポリアミド系樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、シクロオレフィン系樹脂などの有機高分子材料が望ましく、１種の樹脂又は、複数種の樹脂の混合樹脂を用いて構わない。
また、充填樹脂４として、上記の１種の樹脂又は複数種の樹脂の混合樹脂を主体とする樹脂に、粉状物質の添加剤を混合した光拡散性樹脂を使用するのが望ましい。充填樹脂４に添加する添加剤としては、例えば、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、酸化ジルコニウム、酸化鉛、セラミック材などの白色粉末、又はそれらの混合物などの微粒子が上げられ、主体樹脂に対する添加剤の混合比率は本発明においては適宜に設定することができる。例えば１％〜２０％、若しくはそれ以上である。かかる充填樹脂４は、その添加剤により光拡散性を高くできる効果がある。それとともに、充填樹脂４は、その添加剤により屈折率ｎを２以上にすることができる。それにより、後に充填樹脂４上に形成する透明樹脂５よりも屈折率を高くできる。その屈折率差により、充填樹脂４と透明樹脂５との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。
図１（ａ）に示すように、リードフレーム１に形成された各１単位フレームＺの上部構造のパッド部２及びリード部２ａは、厚さｔ３の下部構造の上に形成するため、その上面の下部構造の裏面に対する高さは金属板１ａの厚みと略同一のｔ１である。一方、吊りバー２０、タイバー３０の厚さは金属板１ａの厚みｔ１よりも薄い上部構造の厚さｔ２に設定する。
これにより、充填樹脂４の注入時に、樹脂は吊りバー２０、タイバー３０と金型との間に出来た隙間を流れることができ、樹脂の流れが妨げられず、また、堰き止められない効果がある。その結果、リードフレーム１に、充填樹脂４に気泡を入れずにモールド成型することが可能になり、半導体発光装置用リードフレームの品質を良くできる効果がある。
以上の、リードフレーム１への充填樹脂４のモールド処理により、図１〜図６に示すように、ＬＥＤチップ１０を搭載する１乃至複数箇所のパッド部２と、ＬＥＤチップ１０との電気的接続を行う電気的接続エリアＣを有するリード部２ａとを同一平面に備えた半導体発光装置用リードフレームを得る。
また、充填樹脂４は、その添加剤により屈折率ｎを２以上にし、充填樹脂４の光屈折率ｎ１と透明樹脂５の光屈折率ｎ２との関係を、ｎ１＞ｎ２にする。その屈折率差により、充填樹脂４と透明樹脂５との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。屈折率の差が大きいほど高い光反射を行える。通常の樹脂の屈折率は概ね２以下であり、樹脂だけで屈折率差を大きくするには限界が有るが、充填樹脂４に、添加剤として、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、酸化ジルコニウム、セラミック材、又はそれらの混合物などの微粒子を添加し、主体樹脂に対する添加剤の混合比率を例えば１％〜２０％、若しくはそれ以上添加することで、充填樹脂４の屈折率を２以上にし、透明樹脂５との屈折率差を大きくすることができる。それにより、充填樹脂４と透明樹脂５との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。
このように、充填樹脂４に高い光反射率を持たせることで、ＬＥＤチップ１０から発せ
られた光を効率よく外部に放出させることが可能となる。さらに充填樹脂４の表面に、光反射率の優れたセラミックインクなどをコーティングすることも、ＬＥＤチップ１０から発せられた光を効率よく利用する上で好ましい。
（ＬＥＤチップの搭載）
こうして得た半導体発光装置用リードフレームのパッド部２の上面に、例えば導電接着剤によりＬＥＤチップ１０を貼着（ダイボンド）し、その後にワイヤーボンダーにより、ＬＥＤチップ１０の上面の端子と他方のリード部２ａの上面の電気的接続エリアＣに金線等のワイヤーＷをワイヤーボンディングすることで、ＬＥＤチップ１０とリードフレーム１を電気接続する。こうして、導体発光装置用リードフレームにＬＥＤチップ１０が搭載された半導体発光装置を製造する。
（透明樹脂のモールド成型）
次に、図８のように、ＬＥＤチップ１０を半導体発光装置用リードフレームに搭載した半導体発光装置に対し、金型を用いた樹脂モールド成型を行うことで、図１（ｃ）のように、パッド部２の半導体発光素子搭載用表面Ａより上面側、及びリード部２ａの電気的接続エリアＣより上面側のＬＥＤチップ１０と、電気的接続エリアＣにボンディングした金線のワイヤーＷと、光反射リング４ａを被覆する透明樹脂５を形成する。
透明樹脂５は、光透過性のあるアクリル系樹脂（ポリメタメチルアクリレート樹脂）などの透明性の良好な樹脂を用いる。それにより、ＬＥＤチップ１０が透明樹脂層５の層内に埋設された状態で発光する際に、ＬＥＤチップ１０から発せられた光が透明樹脂５から外側に出射するにあたり高い光利得性を持たせることができる。なお、図１（ｃ）では、透明樹脂５は層状に形成しているが、ドーム状に形成しても構わない。
以下、本発明の実施例について説明する。
図７（ｂ）のように、銅合金の金属板１ａの表面に光沢Ｎｉめっきの下地めっき層１ｄを形成し、その下地めっき層１ｄの表層に銀めっき層１ｂを形成し、その銀めっき層１ｂの表側に、Ｘ成分としてＺｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｃｄ，Ｐｂ，その他の金属の各々を、０．０５ｗｔ％から５ｗｔ％以上の種々の割合の濃度で含有させた各種のＸ成分を用いたＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを積層形成したサンプル群を作製した。
図９に、銀めっき層１ｂ上のＡｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの含有するＸ成分をＺｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎの何れかにした場合において、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの含有するＸ成分の濃度を変えて得たリードフレーム１のサンプルの特性の実験結果を、Ｘ成分の濃度を縦軸にし、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さを横軸にしたグラフ上に示す。すなわち、図９のグラフにより、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃを形成したリードフレーム１のサンプルの、大気中の硫黄成分に対する耐硫化性の改善効果の有無を実験により調査した結果と、サンプルの表面にワイヤーＷをワイヤーボンディングした場合のワイヤーＷとリードフレーム１の表面との接合強度のワイヤーボンディング性を実験した結果のリードフレーム１の性能を、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さ及びＸ成分の濃度の関数としてあらわした。
図９に示すように、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さの推奨値はＸ成分の重量％に応じてて変わるが、Ｘ成分の濃度が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下の場合に、Ａｇ−Ｘ合金めっき層１ｃの厚さが０．０２μｍ以上３μｍ以下の厚さにおいて、概ね良好な特性が得られた。すなわち、その条件においては、耐硫化性が改善され、また、ワイヤーボンディング性が維持された。
この実験の結果は、第１のＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅを用いた場合に、図９における特性が良好な有効領域の範囲が広くなり、耐硫化性効果が大きかった。次に、第２のＸ成分としてＲｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎを用いた場合、第１のＸ成分の場合に比べると有効領域の広さが劣るものの、有効領域の広さが広がる効果があった。
次に有効領域の広さが広い第３のＸ成分はＣｄ，Ｐｂを用いた場合であり、それ以外の金属では有効領域の広さが狭くなった。
すなわち、実験の結果、有効領域が広くなり耐硫化性の効果が大きい金属の効果の大きい順は，Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ＞Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ＞Ｃｄ，Ｐｂ＞その他の金属、の順になる知見を得た。
また、実験の結果、銀光沢剤のＣｅを、他のＸ成分の元素と一緒に添加することで光沢を改善することができる格別な効果があることがわかった。
なお、本発明は、以上の実施形態に限定されず、光反射リング４ａは、充填樹脂４で一体成型せずに、別途形成した光反射リング４ａをリードフレームに貼り合わせて半導体発光装置用リードフレームを形成しても良い。あるいは、光反射リング４ａを形成しない半導体発光装置用リードフレームを形成することも可能である。
１・・・リードフレーム
１ａ・・・金属板
１ｂ・・・銀めっき層
１ｃ・・・Ａｇ−Ｘ合金めっき層
１ｄ・・・下地めっき層
１ｅ・・・下面銀めっき層
１ｆ・・・下面Ａｇ−Ｘ合金めっき層
２・・・パッド部
２ａ・・・リード部
３、３ａ・・・放熱部
４・・・充填樹脂
４ａ・・・光反射リング
５・・・透明樹脂
１０・・・ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
２０・・・吊りバー
３０・・・タイバー
４０・・・上金型
４０ａ・・・光反射リング用凹部
４１・・・下金型
４２・・・注入口
４３・・・凹部
５０・・・上金型
Ａ・・・半導体発光素子搭載用表面
Ｂ・・・放熱用裏面
ＢＸ、ＢＹ・・・個片への分割線
Ｃ・・・電気的接続エリア
Ｄ・・・放熱用裏面
Ｅ・・・段差状部又はテーパー状部
Ｅ１・・・テーパー状部（又は角面取り部）
ＬＥ・・・半導体発光装置
Ｗ・・・ワイヤー
Ｚ・・・１単位フレーム

Claims (4)

  1. 半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層は、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上とＣｅとを含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くしたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。
  2. 請求項１記載の半導体発光装置用リードフレームであって、前記銀合金めっき層の前記、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上とＣｅとの含有量が０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、前記銀合金めっき層の厚さを０．０２μｍ以上３μｍ以下の厚さに形成したことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。
  3. 請求項１又は２に記載の半導体発光装置用リードフレームであって、前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に樹脂が充填されて成ることを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。
  4. 請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体発光装置用リードフレームを用いた半導体発光装置であって、前記パッド部に半導体発光素子を搭載し、前記半導体発光素子と前記半導体発光素子側の前記リード部の表面とをワイヤーボンディングにより電気接続したことを特徴とする半導体発光装置。
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