JP4383436B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
樹脂モールドされた半導体装置は、通常、ガラスエポキシ基板等のプリント基板に実装され、同じくプリント基板上に実装された他の素子と電気的に接続することにより、所望の回路網を構成する。この時、リード端子3が樹脂5の外部に導出された半導体装置では、リード端子3の先端から先端までの距離10(図10(B)図示)を実装面積として占有するので、実装面積が大きいという欠点がある。
金型内に設置したときのリードフレームとキャビティ9との位置合わせ精度はプラス・マイナス50μ程度が限界である。このため、アイランド2の大きさは前記合わせ精度を考慮した大きさに設計しなければならない。従って、合わせ精度の問題は、パッケージの外形寸法に対するアイランド2の寸法を小さくし、これがパッケージの外形寸法に対して収納可能な半導体チップ1の最大寸法に制限を与えていた。
半導体装置を実装基板上に実装するときは、前記実装基板上に形成したプリント配線とリード端子3とを半田で固着するが、この時半田がどの程度まで盛り上がるか(半田フィレットがどこまで盛り上がるか)によって半導体装置の固着強度が大きく左右される。半導体装置を微細化した場合であっても、この固着強度は維持しなければならないという課題がある。
前記パッケージの裏面から前記パッケージの表面まで延在する4側面は、ダイシングにより切断され、
前記パッケージの裏面と前記複数のリード端子の他端に近接する前記パッケージの側面とから成る角部は切除され、前記切除されて露出した前記封止樹脂と前記切除されて露出するリード端子の他端は、同一面から成る傾斜面で構成される事で解決するものである。
先ず、リードフレーム30を準備する。図1(A)はリードフレーム30の平面図であり、図1(B)は図1(A)のAA断面図である。
次に、リードフレーム30に対してダイボンド工程とワイヤボンド工程を行う。図2(B)は図2(A)のAA線断面図である。
次に、全体を樹脂モールドする。図3(B)は図3(A)のAA線断面図である。
次に、リードフレーム30の裏面側の樹脂41を部分的に除去してスリット孔42を形成する。図4(B)は図4(A)のAA線断面図である。
第4工程で形成したスリット孔42に沿って、第2のスリット孔42aを形成する。
この様に第2のスリット孔42aをV字型またはU字型に形成することによって、スリット孔42aの側壁を傾斜させることができる。
スリット孔42、42aを形成したことにより露出させたリード端子34の表面に半田メッキ等のメッキ層45を形成する。このメッキ層45は、リードフレーム30を電極の一方とする電解メッキ法により行われる。スリット孔42、42aはリード端子34の板厚の全部を切断していないので、アイランド33とリード端子34は未だ電気的な導通が保たれている。更に各アイランド33が連結バー35によって枠体32に共通接続されている。このように露出した金属表面のすべてが電気的に導通しているので、一回のメッキ工程でメッキ層45を形成することができる。
次に、素子搭載部31毎に樹脂層41を切断して各々の素子A、素子B、素子C・・・を分離する。即ち、アイランド33とこの上に固着された半導体チップ39に接続されたリード端子34を囲む領域(同図の切断ライン46)で切断することにより、素子搭載部31毎に分割した半導体装置を形成する。切断にはダイシング装置が用いられ、ダイシング装置のブレード47によって樹脂層41とリードフレーム30とを同時に切断する。スリット孔42が位置する箇所では、少なくともスリット孔42aの傾斜した側壁に付着したメッキ層45を残すように形成する。この様に残存させたメッキ層45は、半導体装置をプリント基板上に実装する際に利用される。また、切断したリード端子34の他方はアイランド33に連続する突起部33aとして残存し、切断した連結バー35はアイランド33に連続する突起部33bとして残存する。切断されたリード端子34及び突起部33a、33bの切断面は、樹脂層41の切断面と同一平面を形成し、該同一平面に露出する。ダイシング工程においては裏面側(スリット孔42を設けた側)にブルーシート(たとえば、商品名:UVシート、リンテック株式会社製)を貼り付け、前記ダイシングブレード47がブルーシートの表面に到達するような切削深さで切断する。この時に、あらかじめ形成した合わせマーク37をダイシング装置側で自動認識し、これを位置基準として用いてダイシングする。本実施の形態では、合わせマーク37を長方形の形状とし、該長方形の長辺を基準位置とした。更に、ダイシングブレードの板厚は第2のスリット孔42aの幅よりも薄い(例えば、幅0.1mm)ものを用い、スリット孔42の中心線に沿って、ダイシングブレード47がリード端子33の凹部36上を通過するようにダイシングした。これで、切断後のリード端子33の先端部が先細りの形状となり、樹脂41から容易には抜け落ちない形状に加工できる。
Claims (10)
- 第1の枠体と前記第1の枠体と対向する第2の枠体と間には、前記第1の枠体の延在する第1の方向とは直向する第2の方向に、アイランドと前記アイランドに近接して設けられた複数のリードとを少なくとも有する素子搭載部が複数設けられ、前記第1の枠体と前記第2の方向に隣接するアイランドとの間には前記アイランド、前記第1の枠体及び前記第2の枠体の幅よりも幅の狭い第1の連結体が設けられ、前記第2の枠体と前記第2の方向に隣接するアイランドとの間には前記アイランド、前記第1の枠体及び前記第2の枠体の幅よりも幅の狭い第2の連結体が設けられ、および前記第2の方向でお互いが隣接するアイランドの間には前記アイランド、前記第1の枠体及び前記第2の枠体の幅よりも幅の狭い第3の連結体が設けられ、少なくとも前記第1の枠体、前記第2の枠体、前記複数の素子搭載部、第1の連結体、第2の連結体および第3の連結体が一体で支持されたリードフレームを用意し、
前記素子搭載部のアイランドに半導体チップを搭載すると共に、前記素子搭載部のリードと前記半導体チップを電気的に接続し、
金型のキャビティに前記素子搭載部の複数が設けられるように前記リードフレームを配置して、熱硬化性の樹脂から成る絶縁性樹脂を充填し、
前記素子搭載部の周囲のダイシングラインに相当する所の前記第1連結体、前記第2の連結体及び前記第3の連結体をダイシングして前記素子搭載部を個片化する事を特徴とした半導体装置の製造方法。 - 前記素子搭載部は、前記第1の枠体と前記第2の枠体の間に、行および列方向に配列される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リードフレームは、帯状あるいは矩形状の金属薄板である請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の連結体、前記第2の連結体および前記第3の連結体は、前記ダイシングの後、前記アイランドから連続する突起として残存させる請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイシングラインに相当する所の前記連結体を含めてダイシングすることにより、表面、裏面および4つの側面から成る6面体のパッケージに分離し、前記側面には、前記連結体の切断面が露出される事を特徴とした請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッケージの前記表面は、前記キャビティの平坦な上面から離型されることで、平坦な面と成る請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アイランドに搭載される半導体チップは、3端子のトランジスタ、BIP型の集積回路またはMOS型の集積回路である請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置
の製造方法。 - 前記アイランドには、複数の半導体チップが設けられる請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の枠体または第2の枠体には、前記ダイシング時の位置認識マークが設けられる請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記搭載部の周囲に位置する前記リードフレームの開口部に相当する所の絶縁性樹脂、および前記搭載部の周囲に位置する連結体の部分に沿ってダイシングされる請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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