CN110164810A - 分割装置和分割方法 - Google Patents

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Abstract

提供分割装置和分割方法，能够以不使扩展后的芯片间隔变窄的方式使晶片的外周与环状框架的内周之间的带松弛并且热收缩，维持芯片间隔。在分割装置(1)中，工作台(10)具有：第1吸引部(11)，其对带(T)的中央进行吸引保持，具有第1吸引面(11a)；非吸引部(13)，其围绕第1吸引部的外侧面，具有环状的非吸引面；以及第2吸引部(12)，其围绕非吸引部的外侧面，具有环状的第2吸引面(12a)，因此能够利用工作台分别对带的中央和分割后的晶片(W)的外周与环状框架(F)的内周之间的环状的带(T1)进行吸引保持。由此，能够利用第2吸引面单独对环状的带进行吸引保持，以使得在芯片为小芯片的情况下也不会使扩展后的芯片间隔变窄，能够使环状的带可靠地热收缩而维持相邻的芯片间隔。

Description

分割装置和分割方法
技术领域
本发明涉及对晶片进行分割的分割装置和对晶片进行分割的分割方法。
背景技术
在晶片的内部形成改质层后对粘贴于环状框架的带进行扩展，以粘贴于带的晶片的改质层为起点将晶片分割成芯片，从而制造出芯片。在晶片的分割之后，为了维持芯片间隔，对带进行加热而使其热收缩。在芯片是小芯片的情况下，需要大幅地对带进行拉伸，带受到较大的张力。在对带进行了拉伸之后，在使晶片的外周与环状框架的内周之间的带进行热收缩之前使带变得松弛。此时，为了维持芯片间隔，利用工作台的吸引面对带进行吸引保持(例如，参照下述的专利文献1和2)。
专利文献1：日本特开2002-334852号公报
专利文献2：日本特开2013-239557号公报
但是，在使带松弛时，有时晶片的外周与环状框架的内周之间的带会从吸引面上浮，从而导致吸引力在吸引面上减弱而使芯片间隔在使带热收缩之前变窄。
发明内容
由此，本发明的目的在于，提供能够以不使扩展后的芯片间隔变窄的方式使晶片的外周与环状框架的内周之间的带松弛并且热收缩的能够维持芯片间隔的分割装置和分割方法。
根据本发明的一个侧面，提供分割装置，其使工件组的带进行扩展而以分割起点为起点对晶片进行分割，该工件组是以封闭环状框架的开口部的方式粘贴热收缩性的该带并借助该开口部处的该带对形成有该分割起点的晶片进行支承而得的，其中，该分割装置具有：工作台，其具有对该工件组进行吸引保持的吸引面；环状框架保持部，其对该工件组的该环状框架进行保持；升降单元，其使该工作台和该环状框架保持部在与该吸引面垂直的方向上相对接近和远离；加热器，其对该工件组的晶片的外周与该环状框架的内周之间的环状的该带进行加热；以及控制单元，其至少对该工作台的吸引动作、该环状框架保持部的升降动作以及该加热器的加热动作进行控制，该工作台包含：第1吸引部，其对该工件组的该带的中央进行吸引保持，具有直径为分割前的晶片外径以上且比使该带进行扩展而分割后的晶片外径小的第1吸引面；非吸引部，其围绕该第1吸引部的外侧面，具有与该第1吸引面处于同一面的环状的非吸引面；以及第2吸引部，其围绕该非吸引部的外侧面，具有与该第1吸引面和该非吸引面处于同一面的环状的第2吸引面，该控制单元包含：第1控制部，其对该升降单元进行控制，以使该工作台向上方向、使该环状框架保持部向下方向相对地按照第1距离分离，对该带进行扩展而以该分割起点为起点对晶片进行分割；第2控制部，其在对该晶片进行了分割之后，使该第1吸引面与吸引源连通；第3控制部，其对该升降单元进行控制，以使该工作台与该环状框架保持部从该第1距离起进一步相对地分离，从而使未被该第1吸引面吸引保持的、该第1吸引面的外周与该环状框架的内周之间的该环状的带进行扩展；第4控制部，其在对该环状的带进行了扩展之后，使该第2吸引面与该吸引源连通；以及第5控制部，其在该第4控制部进行了控制之后，通过该升降单元使该工作台与该环状框架保持部接近而使该环状的带松弛，并且通过该加热器对松弛的该环状的带进行加热而使该环状的带热收缩。
根据本发明的另一个侧面，提供分割方法，使用上述的分割装置使工件组的带进行扩展而以分割起点为起点对晶片进行分割，该工件组是借助以封闭环状框架的开口部的方式粘贴的热收缩性的该带将形成有该分割起点的晶片支承在该开口部而得的，其中，该分割方法具有如下的工序：保持工序，利用环状框架保持部对该工件组的该环状框架进行保持；分割工序，在实施了该保持工序之后，通过升降单元使工作台与该环状框架保持部在分离的方向上移动而对该带进行拉伸，利用该分割起点对晶片进行分割而在相邻的芯片之间形成规定的间隙；带保持工序，在实施了该分割工序之后，利用该工作台的第1吸引面对拉伸后的该带进行吸引保持；环带扩展工序，在实施了该带保持工序之后，使该工作台与该环状框架保持部进一步在分离的方向上移动，从而对未被该第1吸引面吸引保持的、该第1吸引面的外周与环状框架的内周之间的环状的该带进行拉伸；环带保持工序，在实施了该环带扩展工序之后，通过该工作台的第2吸引面对环状的该带进行吸引保持；以及固定工序，在实施了该环带保持工序之后，通过该升降单元使该工作台与该环状框架保持部在接近的方向上移动而使环状的该带松弛，并且通过加热器对松弛的环状的该带进行加热而使其热收缩，从而维持相邻的该芯片之间的该间隙而使各个该芯片的位置固定。
根据本发明的分割装置，能够利用工作台分别对带的中央和分割后的晶片的外周与环状框架的内周之间的环状的带进行吸引保持。因此，在对晶片进行分割之后，在使环状的带松弛并且进行热收缩时，环状的带不会从工作台的外周侧的吸引面上浮而产生真空泄露。根据本发明，能够利用第2吸引面单独对环状的带进行吸引保持，以使得在芯片为小芯片的情况下也不使扩展后的芯片间隔变窄，能够可靠地使环状的带进行热收缩而维持相邻的芯片间隔。
根据本发明的分割方法，在实施固定工序时，由于能够一边利用工作台分别对带的中央和分割后的晶片的外周与环状框架的内周之间的环状的带进行吸引保持，一边使环状的带松弛后进行热收缩，因此带不会从工作台的外周侧的吸引面上浮而产生生真空泄露。因此，与上述同样，例如在芯片为小芯片的情况下也能够使带可靠地进行热收缩而维持相邻的芯片之间的间隙的间隔。
附图说明
图1是示出工件组和分割装置的结构的立体图。
图2是示出保持工序的剖视图。
图3是示出分割工序的剖视图。
图4是示出带保持工序的剖视图。
图5是示出环带扩展工序的剖视图。
图6是示出环带保持工序的剖视图。
图7是示出固定工序的剖视图。
标号说明
1：分割装置；10：工作台；100：支柱部；11：第1吸引部；11a：第1吸引面；12：第2吸引部；12a：第2吸引面；13：非吸引部；14：第1开闭阀；15：第1吸引源；16：第2开闭阀；17：第2吸引源；18：辊；20：环状框架保持部；21：载置板；22：盖板；23、24：圆形开口；30：升降单元；31：气缸；32：活塞；40：热收缩单元；41：加热器；42：臂；43：升降部；44：旋转单元；50：控制单元；51：第1控制部；52：第2控制部；53：第3控制部；54：第4控制部；55：第5控制部。
具体实施方式
[工件组]
图1所示的工件组WS是通过以下方式形成的：将形成有分割起点的晶片W粘贴在以封闭环状的环状框架F的开口部的方式粘贴的热收缩性的带T上，从而使晶片W借助带T被环状框架F支承。晶片W是具有圆形板状的基板的被加工物的一例，在该晶片W的正面上，在被格子状的分割预定线L划分出的各个区域中形成有器件D。构成晶片W的基板的材质没有特别限定，例如是硅(Si)、碳化硅(SiC)、玻璃、陶瓷、蓝宝石等。
带T只要具有伸缩性并且具有热收缩性即可，不限定于特别的材料。另外，带T至少具有大于晶片W的直径，并且例如由如下的双层构造构成：该双层构造是在由聚烯烃、聚氯乙烯、聚丙烯等构成的基材层之上层叠糊层而成的。在图示的例子所示的带T中，在晶片W的外周与环状框架F的内周之间呈环状露出的部分的带T1是在后述的分割装置1中要被施加外力的部分，并且也是在被分割装置1进行带扩展后容易产生松弛的部分。
[分割装置]
图1所示的分割装置1是对上述工件组WS的带T进行扩展而以分割起点为起点将晶片W分割成具有各个器件D的芯片的分割装置的一个方式。分割装置1具有：工作台10，其具有对工件组WS进行吸引保持的吸引面；环状框架保持部20，其对工件组WS的环状框架F进行保持；升降单元30，其使工作台10与环状框架保持部20沿与吸引面垂直的方向相对地接近和分离；热收缩单元40，其具有对工件组WS的晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行加热的加热器41；以及控制单元50，其至少对工作台10的吸引动作、环状框架保持部20的升降动作以及加热器41的加热动作进行控制。
环状框架保持部20具有：载置板21，其供环状框架F的下表面载置，在中央具有圆形开口23；以及盖板22，其对环状框架F的上表面进行按压，在中央具有圆形开口24。环状框架保持部20例如能够利用4个(在图1中仅图示了3个)升降单元30进行升降。升降单元30由气缸31和活塞32构成，在活塞32的前端固定有载置板21。在环状框架保持部20中，在将环状框架F载置于载置板21的状态下，通过升降单元30使载置板21上升而将环状框架F夹入到载置板21与盖板22之间，从而能够对工件组WS进行保持。在利用环状框架保持部20对工件组WS进行保持时，成为晶片W和带T的一部分(环状的带T1)从圆形开口23、24露出的状态。
在环状框架保持部20的上方配设有热收缩单元40。本实施方式所示的热收缩单元40具有：一对加热器41，它们隔着晶片W的中心安装在臂42的两端；升降部43，其在臂42的中央部使一对加热器41与臂42一起沿上下方向升降；以及旋转单元44，其使一对加热器41以晶片W的中心为轴进行旋转。
加热器41例如由远红外线加热器构成，能够使规定的峰值波形的远红外线进行点照射。加热器41只要能够对环状的带T1进行加热而使其热收缩即可，不限定于上述远红外线加热器，也可以由吹出规定的暖风的加热器构成。
升降部43能够根据环状框架保持部20的升降动作而对加热器41的相对于带T1的高度位置进行调整。旋转单元44例如是脉冲电动机，能够使一对加热器41按照规定的旋转速度进行旋转，以便对环状的带T1的整周范围进行加热。在这种结构的热收缩单元40中，一边使一对加热器41以晶片W的中心为轴进行旋转，一边朝向下方照射远红外线，通过对晶片W的外周与环状框架F的内周之间的带T1的松弛部分进行局部加热，能够使带T1进行热收缩。
工作台10具有：第1吸引部11，其对工件组WS的带T的中央进行吸引保持，具有直径为分割前的晶片W的外径以上且小于使带T进行扩展而分割后的晶片W的外径的第1吸引面11a；非吸引部13，其围绕第1吸引部11的外侧面，具有与第1吸引面11a处于同一面的环状的非吸引面；以及第2吸引部12，其围绕非吸引部13的外侧面，具有与第1吸引面11a和非吸引面处于同一面的环状的第2吸引面12a。工作台10被多个支柱部100支承，构成为能够从载置板21和盖板22的圆形开口23、24突出。沿着工作台10的外周缘以转动自如的方式配置有多个辊18。在带扩展时，通过使环状的带T1与多个辊18接触，能够缓和在工作台10的外周缘产生的与带T1的摩擦。
如图2所示，第1吸引部11例如由多孔陶瓷等多孔质部件构成。第1吸引部11与作为吸引力的通道的流路110连通。在流路110中配设有用于使第1吸引面11a与第1吸引源15连通的第1开闭阀14。通过使第1开闭阀14打开而使第1吸引面11a与第1吸引源15连通，从而能够利用作用有吸引力的第1吸引面11a对带T的中央进行吸引保持。
第2吸引部12与第1吸引部11同样，例如由多孔陶瓷等多孔质部件构成。第2吸引部12与作为吸引力的通道的流路120连通。在流路120中配设有用于使第2吸引面12a与第2吸引源17连通的第2开闭阀16。通过使第2开闭阀16打开而使第2吸引面12a与第2吸引源17连通，从而能够利用作用有吸引力的第2吸引面12a对晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行吸引保持。另外，在图示的例子中，工作台10具有两个吸引源，但不限定于该结构，也可以是利用1个吸引源使吸引力分别作用在第1吸引面11a和第2吸引面12a的结构。
非吸引部13呈环状地设置在第1吸引部11与第2吸引部12之间，非吸引部13的表面是非吸引面。非吸引部13不对带T进行吸引，作为将第1吸引部11与第2吸引部12隔开的隔壁来发挥功能，以使得在工作台10上分别对带T的中央和晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行吸引。
控制单元50具有根据控制程序来进行运算处理的CPU和存储器等存储元件。控制单元50具有：第1控制部51，其对升降单元30进行控制，以使工作台10向上方向、使环状框架保持部20向下方向相对地按照第1距离分离，对带T进行扩展而以分割起点为起点对晶片W进行分割；第2控制部52，其在对晶片W进行了分割之后，使该第1吸引面11a与第1吸引源15连通；第3控制部53，其对升降单元30进行控制，以使工作台10与环状框架保持部20从该第1距离起进一步相对地分离，从而使未被该第1吸引面11a吸引保持的、第1吸引面11a的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行扩展；第4控制部54，其在通过控制部53对环状的带T1进行了扩展之后，使第2吸引面12a与第2吸引源17连通；以及第5控制部55，其在第4控制部54进行了控制之后，通过升降单元30使工作台10与环状框架保持部20接近，从而使环状的带T1松弛，并且通过加热器41对松弛的环状的带T1进行加热而使该环状的带T1热收缩。控制单元50至少与升降单元30、热收缩单元40、第1开闭阀14以及第2开闭阀16连接。这样，在控制单元50中，能够统一对环状框架保持部20的升降动作、第1吸引面11a或第2吸引面12a的吸引动作以及热收缩单元40的加热动作进行控制。上述的第1距离是能够将晶片W分割成在相邻的芯片间形成间隙的程度的环状框架保持部20的移动距离。
这样，本发明的分割装置1具有：工作台10，其对工件组WS进行吸引保持；环状框架保持部20，其对环状框架F进行保持；升降单元30，其使环状框架保持部20进行升降；加热器41，其对晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行加热；以及控制单元50，工作台10具有：第1吸引部11，其对工件组WS的带T的中央进行吸引保持，具有直径为分割前的晶片W的外径以上且小于使带T进行扩展而分割后的晶片W的外径的第1吸引面11a；非吸引部13，其围绕第1吸引部11的外侧面，具有与第1吸引面11a处于同一面的环状的非吸引面；以及第2吸引部12，其围绕非吸引部13的外侧面，具有与第1吸引面11a和非吸引面处于同一面的环状的第2吸引面12a。控制单元50包含：第1控制部51，其对升降单元30进行控制，以使带T进行扩展而以分割起点为起点对晶片W进行分割；第2控制部52，其在对晶片进行分割了之后，使第1吸引面11a与第1吸引源15连通；第3控制部53，其对升降单元30进行控制，以使未被第1吸引面11a吸引保持的、第1吸引面11a的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行扩展；第4控制部54，其在对环状的带T1进行了扩展之后，使第2吸引面12a与第2吸引源17连通；以及第5控制部55，其在第4控制部54进行了控制之后，通过升降单元30使工作台10与环状框架保持部20接近而使环状的带T1松弛，并且通过加热器41对松弛的环状的带T进行加热而使该环状的带T1热收缩，因此能够通过工作台10对带T的中央和分割后的晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1分别进行吸引保持。因此，在对晶片W进行分割之后，在使环状的带T1松弛后进行热收缩时，环状的带T1不会从工作台10的外周侧的吸引面上浮而产生真空泄露。这样，根据本发明，由于通过第2吸引面12a单独对环状的带T1进行吸引保持，以使得即使在芯片为小芯片的情况下也不使扩展后的芯片间隔变窄，因此能够通过加热器41使环状的带T1可靠地进行热收缩，从而维持了相邻的芯片间隔。
[晶片的分割方法]
接着，对使用上述的分割装置1使工件组WS的带T进行扩展而以分割起点为起点对晶片W进行分割的分割方法进行说明，其中，该工件组WS是借助以封闭环状框架F的开口部的方式粘贴的热收缩性的带T将形成有分割起点的晶片W支承于开口部而得的。假设本实施方式所示的晶片W被从正面侧沿着分割预定线L例如实施激光加工而形成有分割起点。该分割起点例如是图2所示的使晶片W的内部的强度降低的改质层M。作为分割起点，不限定于改质层M。例如，可以通过沿着全部的分割预定线L进行切削加工而形成将晶片W完全切断(全切割)的切削槽，并将该切削槽作为分割起点，也可以通过沿着全部的分割预定线L实施激光加工而形成将晶片W完全切断的槽，并将该槽作为分割起点。
(1)保持工序
利用图1所示的环状框架保持部20对工件组WS进行保持。具体而言，将工件组WS的环状框架F载置在载置板21上。环状框架F被载置为与圆形开口23呈同心状，晶片W成为在圆形开口23中浮起的状态。接着，如图2所示，利用升降单元30使载置板21上升，从而利用盖板22和载置板21将环状框架F夹住而对工件组WS进行保持。
(2)分割工序
在实施了保持工序之后，图1所示的第1控制部51对升降单元30进行控制，由此，如图3所示，通过升降单元30使工作台10与环状框架保持部20在分离的方向上移动而对带T进行拉伸。即，通过使活塞32在气缸31中下降而使工作台10向上方向、使环状框架保持部20向下方向相对地按照第1距离分离，从而使带T放射状地进行扩展。随着带T的扩展，以图2所示的改质层M为分割起点沿着分割预定线L对晶片W进行分割，在相邻的芯片C之间形成规定的间隙G。使带T进行扩展而分割后的晶片W的外周部分被载置于非吸引部13。这样，将晶片W分割成各个芯片C。另外，在本实施方式所示的保持工序和分割工序中，无需利用工作台10对工件组WS进行吸引保持即可进行该保持工序和分割工序。
(3)带保持工序
在实施了分割工序之后，如图4所示，利用第1吸引面11a对拉伸后的带T进行吸引保持。图1所示的第2控制部52使第1开闭阀14打开而使第1吸引面11a通过流路110与第1吸引源15连通。由此，使吸引力作用于第1吸引面11a，从而对带T进行吸引保持。此时，由于分割后的晶片W的直径大于第1吸引面11a的直径而使晶片W的外周部分载置于非吸引部13，因此能够通过第1吸引面11a隔着带T良好地对晶片W的中央部分进行吸引保持，并且不对载置于非吸引部13的晶片W的外周部分所粘贴的带T进行吸引保持。在带保持工序中，第2开闭阀16关闭，没有利用第2吸引面12a对环状的带T1进行吸引保持。
(4)环带扩展工序
在实施了带保持工序之后，如图5所示，使工作台10与环状框架保持部20进一步在分离的方向上移动而对载置于非吸引部13的晶片W的外周部分所粘贴的带T和晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行拉伸。图1所示的第3控制部53通过对升降单元30进行控制而使活塞32在气缸31中进一步下降，从而使工作台10与环状框架保持部20从上述第1距离起进一步相对地分离，使载置于非吸引部13的晶片W的外周部分所粘贴的带T和环状的带T1放射状地进行扩展。由此，使晶片W的外周部分的相邻的芯片C之间所形成的规定的间隙G扩大。
(5)环带保持工序
在实施了环带扩展工序之后，如图6所示，通过第2吸引面12a对环状的带T1进行吸引保持。图1所示的第4控制部54使第2开闭阀16打开而使第2吸引面12a通过流路120与第2吸引源17连通。由此，使吸引力作用于第2吸引面12a，从而对环状的带T1进行吸引保持。此时，由于第1开闭阀14也是打开的，因此维持着利用第1吸引面11a对带T进行吸引保持的状态。
(6)固定工序
在实施了环带保持工序之后，如图7所示，利用升降单元30使工作台10和环状框架保持部20在接近的方向上移动而使环状的带T1松弛，并且利用加热器41对松弛的环状的带T1进行加热而使其热收缩。图1所示的第5控制部55通过对升降单元30进行控制而使环状框架保持部20上升，使工作台10与环状框架保持部20接近而使环状的带T1松弛。在开始固定工序时，环状的带T1正被拉伸，容易在带T1上产生松弛，因此在使工作台10与环状框架保持部20接近时，如图示那样带T1是松弛的状态。
在使带T1松弛时，利用第1吸引面11a对中央的带T进行吸引保持，并且利用第2吸引面12a单独对环状的带T1进行吸引保持，因此带T1不会在第2吸引面12a上浮。即，不会出现如下情况：在使带T1进行热收缩之前，因吸引力在工作台10的外周侧减弱而使带T1上浮，从而使带T整体向中央侧收缩。因此，不会使相邻的芯片C之间的间隙G的间隔变窄。
接着，通过第5控制部55的控制而使热收缩单元40定位在工件组WS的上方，一边利用旋转单元44使一对加热器41以晶片W的中心为轴进行旋转，一边朝向环状的带T1照射远红外线而进行加热，以使其热收缩。在被照射了远红外线的带T1收缩时，由于整个带T回到不松弛的拉伸状态，因此能够维持相邻的芯片C间的间隙G的间隔，从而能够使各个芯片C的位置固定。另外，在固定工序完成之后，工件组WS例如被搬送至清洗单元而实施清洗处理/干燥处理。
这样，本发明的分割方法具有如下工序：保持工序，利用环状框架保持部20对工件组WS的环状框架F进行保持；分割工序，利用升降单元30使工作台10与环状框架保持部20在分离的方向上移动而对带T进行拉伸，利用分割起点对晶片W进行分割而在相邻的芯片C之间形成规定的间隙G；带保持工序，利用工作台10的第1吸引面11a对拉伸后的带T进行吸引保持；环带扩展工序，使工作台10与环状框架保持部20进一步在分离的方向上移动而对载置于非吸引部13的晶片W的外周部分所粘贴的带T和晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行拉伸；环带保持工序，利用工作台10的第2吸引面12a对环状的带T1进行吸引保持；以及固定工序，利用升降单元30使工作台10和环状框架保持部20在接近的方向上移动而使环状的带T松弛，并且利用加热器41对松弛的环状的带T1进行加热以使其热收缩，从而维持相邻的芯片C之间的间隙G而使各个芯片C的位置固定，因此在实施固定工序时，由于能够一边利用工作台10分别对带T的中央和分割后的晶片W的外周与环状框架F的内周之间的环状的带T1进行吸引保持，一边使环状的带T1松弛后热收缩，因此带T1不会从工作台10的外周侧的吸引面上浮而产生真空泄露。因此，与上述同样，例如在芯片C是小芯片的情况下，也能够利用加热器41可靠地使带T1进行热收缩而维持相邻的芯片C之间的间隙G的间隔。另外，在本实施方式所示的分割工序中，使扩展后的晶片W的外周部分载置于非吸引部13，但也可以使扩展后的晶片W的外周部分载置于第2吸引面12a。

Claims (2)

1.一种分割装置，其使工件组的带进行扩展而以分割起点为起点对晶片进行分割，该工件组是以封闭环状框架的开口部的方式粘贴热收缩性的该带并借助该开口部处的该带对形成有该分割起点的晶片进行支承而得的，其中，该分割装置具有：
工作台，其具有对该工件组进行吸引保持的吸引面；
环状框架保持部，其对该工件组的该环状框架进行保持；
升降单元，其使该工作台和该环状框架保持部在与该吸引面垂直的方向上相对接近和远离；
加热器，其对该工件组的晶片的外周与该环状框架的内周之间的环状的该带进行加热；以及
控制单元，其至少对该工作台的吸引动作、该环状框架保持部的升降动作以及该加热器的加热动作进行控制，
该工作台包含：
第1吸引部，其对该工件组的该带的中央进行吸引保持，具有直径为分割前的晶片外径以上且比使该带进行扩展而分割后的晶片外径小的第1吸引面；
非吸引部，其围绕该第1吸引部的外侧面，具有与该第1吸引面处于同一面的环状的非吸引面；以及
第2吸引部，其围绕该非吸引部的外侧面，具有与该第1吸引面和该非吸引面处于同一面的环状的第2吸引面，
该控制单元包含：
第1控制部，其对该升降单元进行控制，以使该工作台向上方向、使该环状框架保持部向下方向相对地按照第1距离分离，对该带进行扩展而以该分割起点为起点对晶片进行分割；
第2控制部，其在对该晶片进行了分割之后，使该第1吸引面与吸引源连通；
第3控制部，其对该升降单元进行控制，以使该工作台与该环状框架保持部从该第1距离起进一步相对地分离，从而使未被该第1吸引面吸引保持的、该第1吸引面的外周与该环状框架的内周之间的该环状的带进行扩展；
第4控制部，其在对该环状的带进行了扩展之后，使该第2吸引面与该吸引源连通；以及
第5控制部，其在该第4控制部进行了控制之后，通过该升降单元使该工作台与该环状框架保持部接近而使该环状的带松弛，并且通过该加热器对松弛的该环状的带进行加热而使该环状的带热收缩。
2.一种分割方法，使用权利要求1所述的分割装置使工件组的带进行扩展而以分割起点为起点对晶片进行分割，该工件组是借助以封闭环状框架的开口部的方式粘贴的热收缩性的该带将形成有该分割起点的晶片支承在该开口部而得的，其中，该分割方法具有如下的工序：
保持工序，利用环状框架保持部对该工件组的该环状框架进行保持；
分割工序，在实施了该保持工序之后，通过升降单元使工作台与该环状框架保持部在分离的方向上移动而对该带进行拉伸，利用该分割起点对晶片进行分割而在相邻的芯片之间形成规定的间隙；
带保持工序，在实施了该分割工序之后，利用该工作台的第1吸引面对拉伸后的该带进行吸引保持；
环带扩展工序，在实施了该带保持工序之后，使该工作台与该环状框架保持部进一步在分离的方向上移动，从而对未被该第1吸引面吸引保持的、该第1吸引面的外周与环状框架的内周之间的环状的该带进行拉伸；
环带保持工序，在实施了该环带扩展工序之后，通过该工作台的第2吸引面对环状的该带进行吸引保持；以及
固定工序，在实施了该环带保持工序之后，通过该升降单元使该工作台与该环状框架保持部在接近的方向上移动而使环状的该带松弛，并且通过加热器对松弛的环状的该带进行加热而使环状的该带热收缩，从而维持相邻的该芯片之间的该间隙而使各个该芯片的位置固定。
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