CN110148610B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示设备，所述显示设备可包括：第一晶体管、第二晶体管和电容器。所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极。所述第一半导体层包括第一硅半导体。所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极。所述第二半导体层包括第一氧化物半导体。所述电容器包括第一电极和第二电极。所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极从所述第二半导体层延伸。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年2月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0018063号韩国专利申请的优先权和权益；该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
技术领域涉及显示设备。
背景技术
显示设备通常包括显示装置和用于控制施加到显示装置的电信号的驱动电路。驱动电路可包括薄膜晶体管(TFT)和布线。
在驱动电路中，为了精确地控制显示装置的发光，可能需要大量的TFT。所述TFT可能引起显著的集成问题和功耗。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示设备，所述显示设备的功耗可被最小化并且所述显示设备可被高度集成。
一个或多个示例实施例可涉及显示设备，所述显示设备包括包含硅半导体的薄膜晶体管(TFT)和包含氧化物半导体的TFT，且/或所述显示设备由包含硅半导体的薄膜晶体管(TFT)和包含氧化物半导体的TFT来驱动。有利地，所述显示设备的功耗可被最小化，并且所述显示设备可被高度集成。
根据一个或多个示例实施例，显示设备包括以下元件：第一薄膜晶体管(TFT)，所述第一薄膜晶体管(TFT)包括包含硅半导体的第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极；第四TFT，所述第四TFT包括包含氧化物半导体的第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极；以及电容器，所述电容器包括下电极和从所述第四半导体层延伸的上电极。
所述电容器的所述下电极可与所述第一栅电极布置在相同层上，并且所述电容器的所述上电极可连接到所述第一栅电极。
所述显示设备还可包括：连接电极，所述连接电极被配置为接触所述第一栅电极的上表面和所述电容器的所述上电极的上表面。
所述显示设备还可包括：第二TFT，所述第二TFT包括包含硅半导体的第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，并且所述第二TFT被配置为将数据信号传输到所述第一TFT；和第一信号线，所述第一信号线连接到所述第二栅电极。
所述电容器的所述下电极可连接到所述第一信号线。
所述电容器的所述下电极可包括从所述第一信号线的一部分突出的区域。
所述显示设备还可包括：第三TFT，所述第三TFT包括包含氧化物半导体的第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极，并且所述第三TFT连接到所述第一栅电极和所述第一半导体层；和第二信号线，所述第二信号线连接到所述第三栅电极。
所述第一信号线和所述第二信号线可在第一方向上彼此分离，并且所述第一TFT在平面图中可以在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
所述第一信号线和所述第二信号线可布置在不同的层中。
所述第三半导体层的连接到所述第一栅电极的一端可电连接到所述电容器的所述上电极。
所述显示设备还可包括：第七TFT，所述第七TFT包括包含硅半导体的第七半导体层和与所述第七半导体层绝缘的第七栅电极，其中，所述第七栅电极连接到所述第一信号线。
所述第四TFT可将外部电压施加到所述第一栅电极。
所述第四半导体层可布置在所述第一半导体层的上层上。
根据一个或多个示例实施例，显示设备包括以下元件：第一薄膜晶体管(TFT)，所述第一薄膜晶体管(TFT)包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极；第四TFT，所述第四TFT包括第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极；以及电容器，所述电容器包括下电极和连接到所述第四半导体层并且包含氧化物半导体的上电极。
所述显示设备还可包括：连接电极，所述连接电极被配置为接触所述第一栅电极的上表面和所述电容器的所述上电极的上表面。
所述第一半导体层可包括硅半导体，并且所述第四半导体层可包括氧化物半导体。
所述显示设备还可包括：第二TFT，所述第二TFT包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，并且所述第二TFT被配置为将数据信号传输到所述第一TFT；第一信号线，所述第一信号线连接到所述第二栅电极；第三TFT，所述第三TFT包括第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极，所述第三TFT连接到所述第一栅电极和所述第一半导体层；以及第二信号线，所述第二信号线连接到所述第三栅电极。
所述第一信号线和所述第二信号线可在第一方向上彼此分离，并且所述第一TFT在平面图中可以在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
所述显示设备还可包括：第七TFT，所述第七TFT包括第七半导体层和与所述第七半导体层绝缘的第七栅电极，其中，所述第七栅电极可连接到所述第一信号线。
所述第七半导体层可包括硅半导体。
实施例可涉及一种显示设备。所述显示设备可包括第一晶体管(例如，参照附图讨论的T1)、第二晶体管(例如，参照附图讨论的T4)以及电容器(例如，参照附图讨论的Cb)。所述第一晶体管可包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极。所述第一半导体层可包括第一硅半导体。所述第二晶体管可包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极。所述第二半导体层可包括与所述第一硅半导体不同的第一氧化物半导体。所述电容器可包括第一电极和第二电极。所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极可从所述第二半导体层延伸。所述第二电极和所述第二半导体层可接触相同绝缘层的相同面。
所述显示设备可包括第一绝缘层和与所述第一绝缘层重叠的第二绝缘层。所述电容器的所述第一电极和所述第一栅电极均可接触所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并且均可位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。所述电容器的所述第二电极可电连接到所述第一栅电极。
所述显示设备可包括连接电极，所述连接电极接触所述第一栅电极的面并且接触所述电容器的所述第二电极的面。所述第一栅电极的所述面和所述电容器的所述第二电极的所述面可面向相同的方向(朝向所述连接电极)。
所述显示设备可包括第三晶体管(例如，参照附图讨论的T2)和第一信号线。所述第三晶体管可包括第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极，并且所述第三晶体管可将数据信号传输到所述第一晶体管。所述第三半导体层可包括第二硅半导体。所述第一信号线可电连接到所述第三栅电极。
所述电容器的所述第一电极可电连接到所述第一信号线。
所述电容器的所述第一电极可包括从所述第一信号线突出的部分。
所述显示设备可包括第四晶体管(例如，参照附图讨论的T3)和第二信号线。所述第四晶体管可包括第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极，并且所述第四晶体管可电连接到所述第一栅电极和所述第二半导体层。所述第四半导体层可包括第二氧化物半导体。所述第二信号线可电连接到所述第四栅电极。
所述第一信号线和所述第二信号线可在第一方向上彼此分离。所述第一晶体管在所述显示设备的平面图中可以在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
所述第一信号线和所述第二信号线分别接触不同的绝缘层。
所述第四半导体层可电连接到所述第一栅电极和所述电容器的所述第二电极。
所述显示设备可包括第五晶体管(例如，参照附图讨论的T7)。所述第五晶体管可包括第五半导体层和与所述第五半导体层绝缘的第五栅电极。所述第五半导体层可包括第三硅半导体。所述第五栅电极可电连接到所述第一信号线。
所述第二晶体管可将外部电压施加到所述第一栅电极。
所述第一栅电极可位于所述第二半导体层和所述第一半导体层之间。
实施例可涉及一种显示设备。所述显示设备可包括第一晶体管(例如，参照附图讨论的T1)、第二晶体管(例如，参照附图讨论的T4)以及电容器(例如，参照附图讨论的Cb)。所述第一晶体管可包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极。所述第二晶体管可包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极。所述第二半导体层的材料可不同于所述第一半导体层的材料。所述电容器可包括第一电极和第二电极。所述第二电极可与所述第一电极重叠，可电连接到所述第二半导体层并且可包括第一氧化物半导体。
所述显示设备可包括连接电极，所述连接电极接触所述第一栅电极的面和所述电容器的所述第二电极的面。所述第一栅电极的所述面和所述电容器的所述第二电极的所述面可面向相同的方向。
所述第一半导体层可包括硅半导体。所述第二半导体层包括第二氧化物半导体。所述第二氧化物半导体的成分可与所述第一氧化物半导体的成分相同。
所述显示设备可包括第三晶体管(例如，参照附图讨论的T2)、第一信号线、第四晶体管(例如，参照附图讨论的T3)以及第二信号线。所述第三晶体管可包括第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极，并且所述第三晶体管可将数据信号传输到所述第一晶体管。所述第一信号线可电连接到所述第三栅电极。所述第四晶体管可包括第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极，并且所述第四晶体管可电连接到所述第一栅电极和所述第一半导体层。所述第二信号线可电连接到所述第四栅电极。
所述第一信号线和所述第二信号线可在第一方向上彼此分离。所述第一晶体管在所述显示设备的平面图中可以在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
所述显示设备可包括第五晶体管(例如，参照附图讨论的T7)。所述第五晶体管可包括第五半导体层和与所述第五半导体层绝缘的第五栅电极。所述第五栅电极可电连接到所述第一信号线。
所述第五半导体层可包括硅半导体。
附图说明
图1是根据实施例的显示设备的平面图。
图2是根据实施例的显示设备中的像素的等效电路图。
图3是示出根据实施例的布置在显示设备的像素中的多个薄膜晶体管(TFT)和电容器的布局图。
图4是根据实施例的沿着图3的线I-I'截取的剖视图。
图5是根据实施例的沿着图3的线II-II'截取的剖视图。
图6是根据实施例的沿着图3的线III-III'截取的剖视图。
图7是示出根据实施例的布置在一对像素中的多个TFT和电容器的布局图。
具体实施方式
参照附图描述了示例实施例。实际实施例可以以很多不同的方式实施，并且不应被解释为限于所描述的实施例。
在附图中，相同的附图标记可指示相同的元件。
虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件/元件，但是这些组件不应由这些术语限制。这些组件可用于将一个组件/元件与另一个组件/元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，可将第一元件称作第二元件。将一个元件描述为“第一”元件可不要求或暗示存在第二元件或其它元件。在本文中还可使用术语“第一”、“第二”等来区分元件的不同类别或组。为简洁起见，术语“第一”、“第二”等可分别代表“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
以单数使用的表述可包含复数的表述，除非其在上下文中具有明确不同的含义。
本文中使用的术语“包括”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它的特征或组件。
当将第一组件描述为“在”第二组件“上”时，所述第一组件可直接地或间接地在所述第二组件上。一个或多个中间组件可存在于第一组件和第二组件之间。
为便于解释，附图中的组件的尺寸被放大并且可不限于实施例。
在本申请中，“在相同/同一层中/上”可意味着“直接接触层的相同侧/面/表面”，“硅半导体”可意味着“硅半导体材料”或“硅”，“氧化物半导体”可意味着“氧化物半导体材料”，“连接”可意味着“电连接”，“绝缘”可意味着“电绝缘”或“电隔离”，“接触”可意味着“直接接触”。在本申请中，“上”和“下”可被使用以便提供当将基底定位为显示设备的最下元件时各个元件相对于基底的相对位置的示例；可根据显示设备的取向来改变所述相对位置。
图1是根据实施例的显示设备的平面图。
参照图1，显示设备可包括基底110，所述基底110可包括显示区域DA。具有诸如有机发光装置OLED的显示装置的像素PX可布置在显示区域DA中。用于将电信号传输到显示区域DA的像素PX的各种布线可位于基底110的周边区域PA中。显示设备可以是或者可以包括有机发光装置、液晶显示(LCD)装置、电泳显示装置、无机EL显示装置等。
图2是根据实施例的显示设备的像素的等效电路图。
参照图2，像素PX包括信号线131、133、151、153和171、连接到信号线131、133、151、153和171的第一TFT T1至第七TFT T7、第一电容器Cst和第二电容器Cb、初始化电压线141、驱动电压线161以及有机发光装置OLED。
参照图2，为每个像素PX设有信号线131、133、151、153和171、初始化电压线141和驱动电压线161。在实施例中，信号线131、133、151、153和171、初始化电压线141和/或驱动电压线161中的至少一个可由邻近的像素共用。
参照图2，第一TFT T1至第七TFT T7中的第三TFT T3和第四TFT T4中的每一个可以是n沟道MOSFET(NMOS)，并且第一TFT T1至第七TFT T7中的其它TFT可以各自是p沟道MOSFET(PMOS)。在一些实施例中，第一TFT T1至第七TFTT7中的仅一个TFT可以是NMOS，并且第一TFT T1至第七TFT T7中的其它TFT中的每个TFT可以是PMOS，或者第一TFT T1至第七TFT T7中的每个TFT可以是NMOS或PMOS。
信号线可包括用于传输第一扫描信号GWP的第一扫描线131、用于传输第二扫描信号GWN的第二扫描线151、用于传输第三扫描信号GI的第三扫描线153、用于传输发射控制信号EM的发射控制线133以及与第一扫描线131交叉并且传输数据信号DATA的数据线171。
驱动电压线161可将第一驱动电压ELVDD传输到第一TFT T1，并且初始化电压线141可传输用于初始化第一TFT T1和像素电极的初始化电压VINT。
图2的第一电极S1至S7和第二电极D1至D7可以各自根据晶体管的类型(p型或n型)和/或工作条件而是源电极或漏电极。在实施例中，用作源电极和漏电极的电极分别称作第一电极和第二电极。
第一TFT T1的栅电极G1可连接到第一电容器Cst的下电极Cst1和第二电容器Cb的上电极Cb2。第一TFT T1的第一电极S1可经由第五TFTT5连接到驱动电压线161。第一TFT T1的第二电极D1可经由第六TFT T6电连接到有机发光装置OLED的像素电极。第一TFT T1可根据第二TFTT2的开关操作来接收数据信号DATA并且可将驱动电流Ioled供应到有机发光装置OLED。
第二TFT T2的栅电极G2可连接到第一扫描线131、第二电容器Cb的下电极Cb1以及第七TFT T7的栅电极G7。第二TFT T2的第一电极S2连接到数据线171。第二TFT T2的第二电极D2连接到第一TFT T1的第一电极S1。第二TFT T2根据通过第一扫描线131接收的第一扫描信号GWP导通，并且执行用于将传输到数据线171的数据信号DATA传输到第一TFT T1的第一电极S1的开关操作。
第三TFT T3的栅电极G3连接到第二扫描线151。第三TFT T3的第二电极D3连接到第一TFT T1的第二电极D1并且还通过第六TFT T6连接到有机发光装置OLED的像素电极。第三TFT T3的第一电极S3可连接到第一电容器Cst的下电极Cst1、第二电容器Cb的上电极Cb2、第四TFTT4的第二电极D4以及第一TFT T1的栅电极G1。第三TFT T3根据通过第二扫描线151接收的第二扫描信号GWN来导通，并且将第一TFT T1的栅电极G1与第二电极D1电连接以将至第三TFT T3的第一TFT T1二极管连接。
第四TFT T4的栅电极G4可连接到第三扫描线153。第四TFT T4的第一电极S4连接到第七TFT T7的第一电极S7和初始化电压线141。第四TFT T4的第二电极D4可连接到第一电容器Cst的下电极Cst1、第二电容器Cb的上电极Cb2、第三TFT T3的第一电极S3和第一TFTT1的栅电极G1。第四TFT T4根据通过第三扫描线153接收的第三扫描信号GI而导通，并且通过将初始化电压VINT传输到第一TFT T1的栅电极G1来初始化第一TFT T1的栅电极G1的电压。
第五TFT T5的栅电极G5可连接到发射控制线133。第五TFT T5的第一电极S5可连接到驱动电压线161。第五TFT T5的第二电极D5可连接到第一TFT T1的第一电极S1和第二TFT T2的第二电极D2。
第六TFT T6的栅电极G6可连接到发射控制线133。第六TFT T6的第一电极S6可连接到第一TFT T1的第二电极D1和第三TFT T3的第二电极D3。第六TFT T6的第二电极D6电连接到第七TFT T7的第二电极D7和有机发光装置OLED的像素电极。
第五TFT T5和第六TFT T6响应于通过发射控制线133接收的发射控制信号EM而同时导通，使得第一驱动电压ELVDD被传输到有机发光装置OLED并且驱动电流Ioled流过有机发光装置OLED。
第七TFT T7的栅电极G7可连接到第一扫描线131。第七TFT T7的第二电极D7可连接到第六TFT T6的第二电极D6和有机发光装置OLED的像素电极。第七TFT T7的第一电极S7可连接到第四TFT T4的第一电极S4和初始化电压线141。第七TFT T7根据通过第一扫描线131接收的第一扫描信号GWP而导通以将有机发光装置OLED的像素电极初始化。
在实施例中，第七TFT T7的栅电极G7可连接到当前行的第一扫描线131。在实施例中，第七TFT T7的栅电极G7可连接到前一行或下一行的第一扫描线131。
第一电容器Cst包括下电极Cst1和上电极Cst2。下电极Cst1可连接到第一TFT T1的栅电极G1、第三TFT T3的第一电极S3和第四TFT T4的第二电极D4。上电极Cst2可连接到驱动电压线161。
第二电容器Cb包括下电极Cb1和上电极Cb2。下电极Cb1可连接到第一扫描线131、第二TFT T2的栅电极G2和第七TFT T7的栅电极G7。上电极Cb2可连接到第一TFT T1的栅电极G1、第三TFT T3的第一电极S3、第四TFT T4的第二电极D4和第一电容器Cst的下电极Cst1。当第一扫描线131的第一扫描信号GWP是用于使第二TFT T2截止的电压时，作为升压电容器的第二电容器Cb可提高节点N的电压以降低用于显示黑色所需的电压(黑色电压)。
有机发光装置OLED可包括电连接到第六TFT T6的第二电极D6的第一电极(像素电极)和连接到用于供应第二电源电压ELVSS的第二电源的第二电极(对电极)。有机发光装置OLED可从第一TFT T1接收电流并且可发光以显示图像。
根据实施例的每个像素PX的具体操作如下。
当在初始化周期期间通过第三扫描线153供应第三扫描信号GI时，第四TFT T4响应于第三扫描信号GI而导通，并且从初始化电压线141供应的初始化电压VINT将第一TFTT1初始化。
当在数据程序化周期期间通过第一扫描线131和第二扫描线151供应第一扫描信号GWP和第二扫描信号GWN时，第二TFT T2、第七TFT T7和第三TFT T3响应于第一扫描信号GWP和第二扫描信号GWN而导通。
在实施例中，当第三TFT T3导通时，第一TFT T1可以以二极管方式连接，并且第一TFT T1可以正向偏置。从补偿第一TFT T1的阈值电压Vth的数据线171供应的数据信号DATA被施加到第一TFT T1的第一栅电极G1。
当通过第一扫描线131供应第一扫描信号GWP时，第七TFT T7响应于第一扫描信号GWP而导通，并且像素电极由从初始化电压线141供应的初始化电压VINT来初始化。
第一驱动电压ELVDD和补偿电压被施加到第一电容器Cst的两端，并且与所述两端之间的电压差对应的电荷存储在第一电容器Cst中。
在发光周期期间，第五TFT T5和第六TFT T6由从发射控制线133供应的发射控制信号EM来导通。产生与第一TFT T1的栅电极G1的电压和第一驱动电压ELVDD之间的电压差对应的驱动电流Ioled，并且驱动电流Ioled通过第六TFT T6供应到有机发光装置OLED。
在实施例中，第一TFT T1至第七TFT T7中的至少一个TFT包括包含氧化物的半导体层，并且第一TFT T1至第七TFT T7中的其它TFT包括包含硅的半导体层。
更详细地，直接影响显示设备的亮度的第一TFT T1被配置为包括半导体层，所述半导体层由具有高可靠性的多晶硅组成，从而实现高分辨率显示设备。
同时，由于氧化物半导体具有高的载流子迁移率和低的漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也不大。即，由于即使在低频驱动下因电压降导致的图像的颜色变化也不大，因此，低频驱动是可能的。
如上所述，由于氧化物半导体具有较小的漏电流，因此，连接到第一TFT T1的栅电极G1的第三TFT T3和第四TFT T4中的至少一个可使用氧化物半导体，以防止漏电流流到第一栅电极G1并且降低功耗。
图3是根据实施例的布置在显示设备的一个像素中的多个薄膜晶体管(TFT)和电容器的位置的布局图。图4是根据实施例的沿着图3的线I-I'截取的剖视图，图5是根据实施例的沿着图3的线II-II'截取的剖视图，图6是根据实施例的沿着图3的线III-III'截取的剖视图。图4至图6主要示出第一TFT T1、第三TFT T3、第四TFT T4、第七TFT T7、第一电容器Cst和第二电容器Cb的结构。
根据实施例的显示设备的像素PX可包括在第一方向上延伸的多个布线和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个布线。第一扫描线131、第二扫描线151、第三扫描线153、发射控制线133和初始化电压线141在第一方向上延伸。数据线171和驱动电压线161在第二方向上延伸。
此外，像素PX可包括第一TFT T1至第七TFT T7以及第一电容器Cst和第二电容器Cb。第一TFT T1至第七TFT T7中的每个可包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间的沟道区的半导体层以及在对应于沟道区的位置处与半导体层绝缘的栅电极。
在实施例中，第一TFT T1、第二TFT T2、第五TFT T5、第六TFT T6和第七TFT T7中的每个可包括包含硅半导体的半导体层。第三TFT T3和第四TFT T4中的每个可包括包含氧化物半导体的半导体层。
图2中所示的TFT的第一电极和第二电极分别对应于图3至图6中所示的源区和漏区。源区和漏区分别对应于源电极和漏电极。可分别与源区和漏区可交换地叙述TFT的第一电极和第二电极。
在图3至图6的描述中，第一TFT T1至第七TFT T7的半导体层称作A1至A7。
缓冲层111布置在基底110上，并且第一TFT T1的半导体层、第二TFT T2的半导体层、第五TFT T5的半导体层、第六TFT T6的半导体层以及第七TFT T7的半导体层布置在缓冲层111上。
基底110可包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、塑料材料或者具有柔性或可弯曲特性的材料。基底110可具有单层或多层结构，并且多层结构还可包括无机层。在一些实施例中，基底110可具有有机/无机/有机结构。
缓冲层111可由诸如氧化硅(SiOx)的氧化物膜和/或诸如氮化硅(SiNx)的氮化物膜形成。缓冲层111可以是非必需的。
第一TFT T1的半导体层、第二TFT T2的半导体层、第五TFT T5的半导体层、第六TFT T6的半导体层和第七TFT T7的半导体层布置在同一层中并且包括相同的材料。例如，半导体层可包括多晶硅。
第一TFT T1的半导体层、第二TFT T2的半导体层、第五TFT T5的半导体层和第六TFT T6的半导体层彼此连接并且可弯曲成各种形状。第七TFT T7的半导体层可使用连接电极166连接到第六TFT T6的半导体层。
第一TFT T1的半导体层、第二TFT T2的半导体层、第五TFT T5的半导体层、第六TFT T6的半导体层和第七TFT T7的半导体层中的每个可包括沟道区、在沟道区的两侧的源区和漏区。可在半导体层上执行将栅电极用作掩模的对于沟道区的第一掺杂和对于源区和漏区的第二掺杂。在实施例中，第一掺杂可以是非必需的。
第一绝缘层112可布置在第一TFT T1的半导体层、第二TFT T2的半导体层、第五TFT T5的半导体层、第六TFT T6的半导体层和第七TFT T7的半导体层上，并且第一TFT T1的栅电极G1、第二TFT T2的栅电极G2、第五TFT T5的栅电极G5、第六TFT T6的栅电极G6和第七TFT T7的栅电极G7可布置在第一绝缘层112上。第一扫描线131和发射控制线133可包括与栅电极G1、G2和G5至G7相同的材料，可以在与栅电极G1、G2和G5至G7相同的层上，并且可以在第一方向上延伸。
第一绝缘层112可包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第一绝缘层112可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)。
栅电极G1、G2和G5至G7中的每个包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)并且可形成为单层或多层。
第一TFT T1的半导体层A1包括源区S1、漏区D1以及在源区S1和漏区D1之间的沟道区。第一TFT T1的栅电极G1与沟道区重叠。第一TFT T1的半导体层A1具有弯曲使得沟道区可形成得长，并且可扩大施加到栅电极G1的栅极电压的驱动范围。第一TFT T1的半导体层A1的形状可以是'S'、'M'或'W'等形状。第一TFT T1的栅电极G1是岛类型并且被设置为与半导体层A1重叠。第一绝缘层112在第一TFT T1的半导体层A1和栅电极G1之间。
第一TFT T1的栅电极G1经由连接电极162电连接到第二电容器Cb的上电极Cb2。连接电极162设置在第五绝缘层116上并且可分别通过接触孔CH1和接触孔CH2与第一TFT T1的栅电极G1和第二电容器Cb的上电极Cb2接触。接触孔CH1可形成在第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第一TFT T1的栅电极G1的一部分。接触孔CH2可形成在第五绝缘层116中以暴露第二电容器Cb的上电极Cb2的一部分。
第二TFT T2的半导体层A2包括源区S2、漏区D2以及在源区S2和漏区D2之间的沟道区。第二TFT T2的栅电极G2与沟道区重叠并且由第一扫描线131的一部分形成。第二TFT T2的源区S2经由连接电极163电连接到数据线171。连接电极163设置在第五绝缘层116上并且可分别通过接触孔CH4和接触孔CH5与第二TFT T2的源区S2和数据线171接触。接触孔CH4可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第二TFT T2的源区S2的一部分。接触孔CH5可形成在连接电极163上的第六绝缘层117中以暴露连接电极163的上表面的一部分。数据线171布置在第六绝缘层117上并且可通过接触孔CH5与连接电极163接触。第二TFT T2的漏区D2可连接到第一TFT T1的源区S1。
第五TFT T5的半导体层A5包括源区S5、漏区D5以及在源区S5和漏区D5之间的沟道区。第五TFT T5的栅电极G5与沟道区重叠并且由发射控制线133的一部分形成。第五TFT T5的源区S5通过接触孔CH14电连接到驱动电压线161。接触孔CH14可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第五TFT T5的源区S5的一部分。驱动电压线161布置在第五绝缘层116上并且可通过接触孔CH14与第五TFT T5的源区S5接触。第五TFT T5的漏区D5可连接到第一TFT T1的源区S1。
第六TFT T6的半导体层A6包括源区S6、漏区D6以及在源区S6和漏区D6之间的沟道区。第六TFT T6的栅电极G6与沟道区重叠并且由发射控制线133的一部分形成。第六TFT T6的源区S6可连接到第一TFT T1的源区S1。第六TFT T6的源区S6经由连接电极166电连接到第三TFT T3的漏区D3。连接电极166设置在第五绝缘层116上并且可通过接触孔CH11和接触孔CH12与第三TFT T3的漏区D3和第六TFT T6的源区S6接触。接触孔CH11可形成在第五绝缘层116中以暴露第三TFT T3的漏区D3的一部分。接触孔CH12可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第六TFT T6的源区S6的一部分。第六TFT T6的漏区D6经由连接电极165电连接到第七TFT T7的漏区D7。连接电极165设置在第五绝缘层116上并且可分别通过接触孔CH9和接触孔CH10与第七TFT T7的漏区D7和第六TFT T6的漏区D6接触。接触孔CH9可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第七TFTT7的漏区D7的一部分。接触孔CH10可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第六TFT T6的漏区D6的一部分。
第七TFT T7的半导体层A7包括源区S7、漏区D7以及在源区S7和漏区D7之间的沟道区。第七TFT T7的栅电极G7与沟道区重叠并且由第一扫描线131的一部分形成。第七TFT T7的源区S7经由连接电极164电连接到第四TFT T4的源区S4。连接电极164设置在第五绝缘层116上并且可分别通过接触孔CH7和接触孔CH8与第四TFT T4的源区S4和第七TFT T7的源区S7接触。接触孔CH7可形成在第五绝缘层116中以暴露第四TFT T4的源区S4的一部分。接触孔CH8可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第七TFT T7的源区S7的一部分。第七TFT T7的漏区D7经由连接电极165电连接到第六TFT T6的漏区D6。连接电极165设置在第五绝缘层116上并且可分别通过接触孔CH9和接触孔CH10与第七TFT T7的漏区D7和第六TFT T6的漏区D6接触。接触孔CH9可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第七TFT T7的漏区D7的一部分。接触孔CH10可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第六TFT T6的漏区D6的一部分。
第二绝缘层113布置在第一TFT T1的栅电极G1、第二TFT T2的栅电极G2、第五TFTT5的栅电极G5、第六TFT T6的栅电极G6以及第七TFT T7的栅电极G7上。第一电容器Cst的上电极Cst2布置在第二绝缘层113上。包括与第一电容器Cst的上电极Cst2的材料相同的材料并且与第一电容器Cst的上电极Cst2在同一层上的初始化电压线141在第一方向上延伸。
第二绝缘层113可包括包含上述氧化物或氮化物的无机材料。第一电容器Cst的上电极Cst2包括钼(Mo)、铜(Cu)或钛(Ti)并且可形成为单层或多层。
第一电容器Cst布置为与第一TFT T1重叠。第一电容器Cst包括下电极Cst1和上电极Cst2。第一电容器Cst的下电极Cst1是第一TFT T1的栅电极G1。即，可理解的是，第一电容器Cst的下电极Cst1和第一TFTT1的栅电极G1是一体的。第一电容器Cst的下电极Cst1以与邻近的像素分离地正方形形状形成，第一电容器Cst的下电极Cst1包括与第一扫描线131和发射控制线133的材料相同的材料并且与第一扫描线131和发射控制线133在同一层上。第一电容器Cst的上电极Cst2覆盖整个下电极Cst1，使得第二绝缘层113在下电极Cst1和上电极Cst2之间，并且第一电容器Cst的上电极Cst2与下电极Cst1重叠。第二绝缘层113可用作第一电容器Cst的介电层。第一电容器Cst的上电极Cst2可包括开口SOP。开口SOP通过去除上电极Cst2的在与接触孔CH1对应的位置处的一部分来形成并且可具有闭合曲线形状，所述接触孔CH1暴露下电极Cst1的一部分。连接电极162可通过布置在开口SOP中的接触孔CH1连接到下电极Cst1。上电极Cst2可通过接触孔CH13连接到驱动电压线161。接触孔CH13可形成在第三绝缘层114和第五绝缘层116中。
包括氧化物半导体的第三TFT T3和第四TFT T4可布置在包括硅半导体的第一TFTT1、第二TFT T2、第五TFT T5、第六TFT T6和第七TFT T7以及第一电容器Cst上。
第三绝缘层114布置在第一电容器Cst的上电极Cst2上。第三TFT T3的半导体层A3和第四TFT T4的半导体层A4布置在第三绝缘层114上。第三TFT T3的半导体层A3和第四TFTT4的半导体层A4布置在同一层中并且包括同一材料。例如，半导体层可包括氧化物半导体。
第三绝缘层114可包括包含上述氧化物或氮化物的无机材料。氧化物半导体是基于氧化锌(ZnO)的材料，并且可由氧化锌、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等形成。在一些实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟镓锌(IGZO)半导体，在氧化铟镓锌(IGZO)半导体中，氧化锌(ZnO)包含诸如铟和镓的金属。
第三TFT T3的半导体层A3和第四TFT T4的半导体层A4可包括沟道区以及在沟道区的两侧的源区和漏区。在示例中，源区和漏区可以是其中载流子浓度通过等离子体处理而增加的区域。可通过调节氧化物半导体的载流子浓度使得源区和漏区形成为是导电的。例如，通过使用基于氢(H)的气体、基于氟(F)的气体或者它们的组合对氧化物半导体进行等离子体处理来增加载流子浓度，可形成源区和漏区。
第三TFT T3的栅电极G3和第四TFT T4的栅电极G4布置在第三TFTT3的半导体层A3和第四TFT T4的半导体层A4上。第四绝缘层115形成在第三TFT T3的半导体层A3和栅电极G3之间以及第四TFT T4的半导体层A4和栅电极G4之间。
栅电极G3和G4包括Mo、Cu或Ti等并且可形成为单层或多层。
虽然在图中示出第四绝缘层115的宽度比栅电极G3和栅电极G4的宽度宽，但是第四绝缘层115的宽度和栅电极G3和栅电极G4的宽度可在一个方向上基本上相同。例如，第四绝缘层115可通过与栅电极G3和栅电极G4的掩模冲压工艺相同的掩模冲压工艺来形成，使得第四绝缘层115的侧表面和栅电极G3和栅电极G4的侧表面彼此重合，并且可布置在同一平面上。第四绝缘层115可包括包含上述氧化物或氮化物的无机材料。
包括与第三TFT T3的栅电极G3和第四TFT T4的栅电极G4的材料相同的材料并且与第三TFT T3的栅电极G3和第四TFT T4的栅电极G4在相同层上的第二扫描线151和第三扫描线153在第一方向上延伸。
虽然在图中仅将第四绝缘层115设置在与栅电极G3和栅电极G4以及第二扫描线151和第三扫描线153对应的区域中，但是第四绝缘层115可形成在基底110的整个表面上而不图案化。
第三TFT T3包括包含氧化物半导体的半导体层A3和栅电极G3。半导体层A3包括源区S3、漏区D3以及在源区S3和漏区D3之间的沟道区。第三TFT T3的栅电极G3与沟道区重叠并且由第二扫描线151的一部分形成。第三TFT T3的源区S3可经由连接电极162桥接到(bridged to)第一TFT T1的栅电极G1。连接电极162的一端可通过接触孔CH3连接到第三TFT T3的源区S3，连接电极162的中部可通过接触孔CH1连接到第一TFT T1的栅电极G1，并且连接电极162的另一端可通过接触孔CH2与第二电容器Cb的上电极Cb2接触。接触孔CH3可形成在第五绝缘层116中以暴露第三TFT T3的源区S3的一部分。第三TFT T3的漏区D3经由连接电极166电连接到第六TFT T6的源区S6。连接电极166的一端可通过接触孔CH11与第三TFT T3的漏区D3接触，并且连接电极166的另一端可通过接触孔CH12与第六TFT T6的源区S6接触。接触孔CH11可形成在第五绝缘层116中以暴露第三TFT T3的漏区D3的一部分。接触孔CH12可形成在第一绝缘层112至第三绝缘层114和第五绝缘层116中以暴露第六TFT T6的源区S6的一部分。
第四TFT T4包括包含氧化物半导体的半导体层A4和栅电极G4。半导体层A4包括源区S4、漏区D4以及在源区S4和漏区D4之间的沟道区。第四TFT T4的栅电极G4与沟道区重叠并且由第三扫描线153的一部分形成。第四TFT T4的源区S4可通过接触孔CH6与初始化电压线141接触。接触孔CH6可形成在第三绝缘层114中以暴露初始化电压线141的在第二绝缘层113上的一部分。第四TFT T4的漏区D4可连接到第二电容器Cb的上电极Cb2。
第二电容器Cb包括下电极Cb1和上电极Cb2。第二电容器Cb可以是从第一扫描线131突出并具有预定区域的部分。第二电容器Cb的上电极Cb2与下电极Cb1重叠以便覆盖整个下电极Cb1。这里，第二绝缘层113和第三绝缘层114可用作第二电容器Cb的介电层。第二电容器Cb的上电极Cb2从第四TFT T4的漏区D4延伸，并因此可包括氧化物半导体。第二电容器Cb的上电极Cb2经由连接电极162电连接到第一TFT T1的栅电极G1。
第五绝缘层116可布置在包含氧化物半导体的第三TFT T3和第四TFT T4上，并且驱动电压线161和连接电极162至166可布置在第五绝缘层116上。第五绝缘层116可包括包含上述氧化物或氮化物的无机材料。
驱动电压线161和连接电极162至166可包括诸如金属或导电氧化物的高导电材料。例如，驱动电压线161和连接电极162至166可以是包括Al、Cu或Ti等的单层或多层。在一些实施例中，驱动电压线161和连接电极162至166可包括其中依次堆叠有Ti、Al和Ti的三层结构(Ti/Al/Ti)。
第六绝缘层117可布置在驱动电压线161和连接电极162至166上，并且数据线171和连接电极173可布置在第六绝缘层117上。数据线171可在第二方向上延伸。数据线171可布置在像素PX的左侧或右侧。数据线171可布置在第一TFT T1的左侧或右侧。通孔VIA1可形成在第六绝缘层117中以暴露连接电极165的一部分。连接电极173可通过通孔VIA1与连接电极165接触。
第六绝缘层117可包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或者六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。在实施例中，第七绝缘层118可包括上述无机材料。
数据线171和连接电极173可包括诸如金属或导电氧化物的高导电材料。例如，数据线171和连接电极173可以是包括Al、Cu或Ti等的单层或多层。
第七绝缘层118可布置在数据线171和连接电极173上。通孔VIA2可形成在第七绝缘层118中以暴露连接电极173的一部分。
第七绝缘层118可包括诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO的有机材料。在实施例中，第七绝缘层118可包括上述无机材料。第七绝缘层118用作覆盖第一TFT T1至第七TFTT7的保护膜，并且第七绝缘层118的上表面形成为平坦的。第七绝缘层118可以是单层或多层。
有机发光装置OLED可以在第七绝缘层118上。有机发光装置OLED可包括第一电极(像素电极)310、第二电极(对电极)330以及在第一电极310和第二电极330之间的中间层320。第八绝缘层119在第七绝缘层118上以覆盖第一电极310的边缘。第八绝缘层119可通过具有暴露第一电极310的一部分的开口来限定像素。
有机发光装置OLED的第一电极310可通过通孔VIA2与连接电极173接触。第一电极310可以是包括反射导电材料的反射层，所述反射导电材料诸如是银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施例中，第一电极310可以是透明导电层，所述透明导电层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)中的至少一种透明导电氧化物。在实施例中，第一电极310可具有反射层和透明导电层的堆叠结构。
第八绝缘层119可包括诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO的有机材料。
有机发光装置OLED的中间层320可至少包括发射层(EML)，并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一个功能层。EML可以是红光发射层、绿光发射层或蓝光发射层。在实施例中，EML可具有其中堆叠有红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层的多层结构或者可具有包括红光发射材料、绿光发射材料和蓝光发射材料的单层结构以便发射白光。有机发光装置OLED的中间层320被示出为被图案化以便仅对应于第一电极310。然而，这仅仅是为了方便的目的。中间层320可与邻近的像素的中间层320一体形成。此外，中间层320中的一些层可以以逐个像素为基础形成，并且中间层320中的其它层可与邻近的像素的中间层320一体形成。
有机发光装置OLED的第二电极330可包括各种导电材料。例如，第二电极330可包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、Al、Mg和Ag中的至少一种或者诸如ITO、IZO或ZnO的光透射金属氧化物，并且可形成为单层结构或多层结构。
薄膜封装层(未示出)可以在有机发光装置OLED上。薄膜封装层可覆盖显示区域DA并且可延伸到显示区域DA外部。薄膜封装层可包括具有至少一种无机材料的无机封装层和具有至少一种有机材料的有机封装层。在一些实施例中，薄膜封装层可具有其中堆叠有第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层的结构。
用于防止掩模冲压的间隔件可进一步形成在第八绝缘层119上。诸如偏光层、黑矩阵、滤色器和/或具有触摸电极的触摸屏的各种功能层可设置在薄膜封装层上。
图7是根据实施例的布置在一对像素中的多个TFT和电容器的位置的布局图。
多个像素PX在显示区域DA中可沿着行和列布置。图7示出布置在偶数行上且彼此邻近的一对第一像素PX1和第二像素PX2。第一像素PX1可布置在第一列中，并且第二像素PX2可布置在与第一列邻近的第二列中。第一像素PX1的第一TFT T1至第七TFT T7以及第一电容器Cst和第二电容器Cb的布置可与第二像素PX2的第一TFT T1至第七TFT T7以及第一电容器Cst和第二电容器Cb的布置对称。
第一像素PX1和第二像素PX2可共用初始化电压线141、第三扫描线153、第一扫描线131、第二扫描线151以及发射控制线133。初始化电压线141、第三扫描线153、第一扫描线131、第二扫描线151以及发射控制线133可在显示设备的平面图中从第一像素PX1和第二像素PX2的上侧至下侧以规则的间隔在第一方向上延伸。第二电容器Cb可以在第三扫描线153和第一扫描线131之间。第一TFT T1和第一电容器Cst可以在第一扫描线131和第二扫描线151之间。
如果第二扫描线151被布置为邻近于第一TFT T1上的第一扫描线131，则第二扫描线151与连接电极162重叠。因此，当将截止电位(用于使T3截止的电位)施加到第二扫描线151时，第一TFT T1的栅电极G1的电压波动并且黑色电压增加。
在实施例中，连接到N型TFT的第二扫描线151布置在一位置处，该位置不与第一TFT T1重叠，例如，在平面图中在第一TFT T1下方，因此，第一TFT T1的栅电极的电压的减小可最小化。
在实施例中，由于包括第一扫描线131的突起(Cb1)的升压电容器，因此可增加第一TFT T1的栅电极G1的电压以减小黑色电压；第一扫描线131连接到P型TFT。
数据线171可在第二方向上延伸。两个数据线171o和171e可并列布置在一个像素列中。每个列的两个数据线171o和171e包括连接到奇数像素行中的像素的第一数据线171o和连接到偶数像素行中的像素的第二数据线171e。彼此邻近的第一数据线171o和第二数据线171e交替连接到位于同一像素列中的像素PX。第一数据线171o布置在第一像素PX1的左侧并且第二数据线171e布置在右侧。第二数据线171e布置在第二像素PX2的左侧，并且第一数据线171o布置在右侧。即，第二数据线171e被布置为在第一像素PX1和第二像素PX2之间彼此邻近。
第一像素PX1和第二像素PX2可共用驱动电压线161。驱动电压线161可以在第一像素PX1和第二像素PX2之间。第一像素PX1的第一电容器Cst的第二电极Cst2和第二像素PX2的第一电容器Cst的第二电极Cst2彼此连接，并且可通过第一像素PX1和第二像素PX2之间的接触孔CH3电连接到驱动电压线161。因此，驱动电压线161用作在第二方向上延伸的电源线，并且第一电容器Cst的第二电极Cst2用作在第一方向上延伸的电源线。驱动电压线161在总体上可具有网格结构。
实施例采用具有高可靠性的硅半导体的驱动TFT(例如，TFT T1)作为半导体层并且采用具有具备低漏电流的氧化物半导体的至少一个TFT作为半导体层，因此可提供具有高可靠性和低功耗的显示设备。
在实施例中，显示设备可要求用于显示黑色的最小量的电压，即，可最小化黑色电压。显示设备可包括用于补偿驱动TFT的栅电极的电压变化的升压电容器和/或可包括不与驱动TFT重叠的扫描线，使得可稳定和/或保持电压。
根据实施例，用于驱动显示装置的驱动电路包括包含硅半导体的TFT和包含氧化物半导体的TFT。有利地，高分辨率显示设备可以以低功耗工作。
本文中描述的实施例仅应以描述性的含义来考虑，而非为了限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应考虑为可用于其它实施例中的类似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了实施例，但是在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可在所描述的实施例中作出形式和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极，所述第一半导体层包括第一硅半导体；
第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，所述第二半导体层包括第一氧化物半导体；以及
电容器，所述电容器包括第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极重叠并且所述第二电极从所述第二半导体层延伸，
其中，所述电容器的所述第二电极电连接到所述第一栅电极。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第一绝缘层；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层重叠；
其中，所述电容器的所述第一电极和所述第一栅电极均接触所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并且均位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
连接电极，所述连接电极接触所述第一栅电极的面并且接触所述电容器的所述第二电极的面，其中，所述第一栅电极的所述面和所述电容器的所述第二电极的所述面面向相同的方向。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第三晶体管，所述第三晶体管包括第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极，并且所述第三晶体管被配置为将数据信号传输到所述第一晶体管，所述第三半导体层包括第二硅半导体；以及
第一信号线，所述第一信号线电连接到所述第三栅电极。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述电容器的所述第一电极电连接到所述第一信号线。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述电容器的所述第一电极包括从所述第一信号线突出的部分。
7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第四晶体管，所述第四晶体管包括第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极，并且所述第四晶体管电连接到所述第一栅电极和所述第一半导体层，所述第四半导体层包括第二氧化物半导体；以及
第二信号线，所述第二信号线电连接到所述第四栅电极。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一信号线和所述第二信号线在第一方向上彼此分离，并且
其中，在所述显示设备的平面图中，所述第一晶体管在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一信号线和所述第二信号线分别接触不同的绝缘层。
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第四半导体层电连接到所述第一栅电极和所述电容器的所述第二电极。
11.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管包括第五半导体层和与所述第五半导体层绝缘的第五栅电极，其中，所述第五半导体层包括第三硅半导体，并且其中，所述第五栅电极电连接到所述第一信号线。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二晶体管被配置为将外部电压施加到所述第一栅电极。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一栅电极位于所述第二半导体层和所述第一半导体层之间。
14.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，其中，所述第二半导体层的材料不同于所述第一半导体层的材料；
第一电容器，所述第一电容器包括第一电极和第二电极，其中，所述第二电极与所述第一电极重叠，所述第二电极电连接到所述第二半导体层并且包括第一氧化物半导体，所述第一电极和所述第一栅电极电连接到接收扫描信号的第一信号线；以及
第二电容器，所述第二电容器包括第三电极和第四电极，其中，所述第三电极电连接到所述第二半导体层，并且所述第四电极与所述第三电极重叠并电连接到电压线。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一半导体层包括硅半导体，并且
其中，所述第二半导体层包括第二氧化物半导体，其中，所述第二氧化物半导体的成分与所述第一氧化物半导体的成分相同。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第三晶体管，所述第三晶体管包括第三半导体层和与所述第三半导体层绝缘的第三栅电极；以及
第四晶体管，所述第四晶体管包括第四半导体层和与所述第四半导体层绝缘的第四栅电极，并且所述第四晶体管电连接到所述第三栅电极和所述第三半导体层。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第二信号线，电连接到所述第四栅电极，
其中，所述第一信号线和所述第二信号线在第一方向上彼此分离，并且
其中，在所述显示设备的平面图中，所述第三晶体管在所述第一信号线和所述第二信号线之间。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管包括第五半导体层和与所述第五半导体层绝缘的第五栅电极，其中，所述第五栅电极电连接到所述第一信号线。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述第三半导体层和所述第五半导体层包括硅半导体，并且所述第四半导体层包括氧化物半导体。
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