CN110111820B - 磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种磁盘盘片，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。本申请还提供一种磁盘盘片制作方法以及磁性记忆体存储器件。基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。

Description

磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件

技术领域

本申请涉及磁记录设备领域，特别涉及一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件。

背景技术

这里的陈述仅提供与本申请有关的背景信息，而不必然地构成示例性技术。

磁存储技术是一个非常重要的技术，被广泛用于存储计算机数据以及音视频信号，此技术衍生的许多产品已成为我们日常生活中的必需品。在磁记忆体存储器件中研究较多的是磁记忆介质层，磁记录介质可以分为水平磁记录(LMR)介质和垂直磁记录(PMR)介质。示例性技术中的记录介质材料一般包括从Fe、Co、Ni、Cr、Pd、Ti、Ta以及它们的合金。在晶粒尺寸较大时，这些磁记录介质材料的磁各向异性能(Ku)达到105erg/cm3，对磁记录已经足够了，但是在晶粒尺寸较小时，这些磁记录介质材料的磁各向异性能不够，磁记录介质的热稳定性不高。

发明内容

本申请的主要目的是提供一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件，旨在解决示例性技术中记录介质材料的磁各向异性能不够，磁记录介质的热稳定性不高的技术问题。

为了实现上述目的，本申请提供一种磁盘盘片，所述磁盘盘片包括：

衬底层；

磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；

保护层，所述保护层位于所述磁性层之上；

其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

可选地，所述磁盘盘片还包括第一隔离层，所述第一隔离层位于所述衬底层与所述磁性层之间，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。

可选地，所述磁盘盘片还包括第二隔离层以及第二铁铂合金薄膜，所述第二隔离层位于所述磁性层与所述第二铁铂合金薄膜之间，其中，所述第二隔离层为晶体，且所述第二隔离层的晶格常数与所述磁性层的晶格常数匹配。

可选地，所述第一隔离层和/或所述第二隔离层为氧化镁膜；所述衬底层为单晶硅基片。

可选地，所述保护层包括碳覆盖膜和润滑膜，所述碳覆盖膜位于所述第二铁铂合金薄膜与所述润滑膜之间。

为了实现上述目的，本申请还提出一种磁盘盘片制作方法，所述磁盘盘片制作方法包括以下步骤：

在衬底层上沉积磁性层，其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体；

真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层；

在所述磁性层上形成保护层。

可选地，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤包括：

将所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层置于真空加热处理装置内；

依次以不同预设温度对所述磁性层加热预设时间，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

可选地，所述在衬底层上沉积磁性层的步骤包括：

在衬底层上沉积第一隔离层；

在所述第一隔离层上沉积所述磁性层，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。

可选地，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤之后，所述磁盘盘片制作方法还包括：

在所述磁性层上沉积第二隔离层，其中，所述第二隔离层为氧化镁薄膜；

在所述第二隔离层上沉积第二铁铂合金薄膜。

此外，本申请还提供一种磁性记忆体存储器件，所述磁性记忆体存储器件包括磁盘盘片；

其中，所述磁盘盘片包括：

衬底层；

磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；

保护层，所述保护层位于所述磁性层上；

其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

在本申请提供一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件，通过在衬底层上设置磁性层，且设置所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层，基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。

图1为本申请一实施例磁盘盘片的结构示意图；

图2为本申请第二实施例磁盘盘片的结构示意图；

图3为本申请第三实施例磁盘盘片的结构示意图；

图4为本申请磁盘盘片制作方法第一实施例的流程示意图；

图5为图4中步骤S20进一步细化的流程示意图；

图6为本申请磁盘盘片制作方法第二实施例的流程示意图；

图7本申请磁盘盘片制作方法第三实施例的流程示意图。

附图标号说明：

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

本申请提供一种磁盘盘片，用于记录和存储数据。

参见图1，一实施例中，所述磁盘盘片包括：衬底层100、磁性层200以及保护层300，所述磁性层200位于所述衬底层100之上，所述保护层300位于所述磁性层200上；其中，所述磁性层200包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层100为晶体，以使所述衬底层100诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层200。也即本申请磁盘盘片结构的磁性层200采用铁铂合金材料制成，而为了适配所述铁铂合金材料的生成，所述衬底层100采用晶体材料，使得所述磁性层200形成有序相的铁铂合金。

具体地，磁存储技术中磁记录介质层是非常重要的一部分，磁记录介质层的材料决定其磁存储能力，同时，还要考虑其热稳定性，因此磁记录介质层的材料选择至关重要。本申请磁盘盘片结构为了满足各种晶粒尺寸下均具有较好的热稳定性，且具有较高的磁各向异性能要求，所述磁性层200采用铁铂合金材料制成，而由于所述第一铁铂合金薄膜(FePt)磁畴垂直于面外，需要一种衬底，以诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长，同时防止所述第一铁铂合金薄膜发生晶格畸变和热扩展，确保铁铂合金材料的磁记录功能以及热稳定性，本申请的衬底层100采用晶体材料，基于晶体材料通过磁控溅射(PVD)技术可以诱导所述第一铁铂合金材料生成呈有序相的薄膜。

由于晶格中沿不同的方向，晶体的性质是不同的(即晶向不同)，结合第一铁铂合金薄膜的特点，本实施例中，采用的晶体衬底能够诱导第一铁铂合金薄膜在特定方向生长，以形成有序磁性薄膜层。具体衬底层100的性能要求为体心立方晶格，其中，体心立方晶格有单晶硅，也有铜，故本申请衬底层100可以为单晶硅衬底，也可以为铜衬底。基于铜的晶格与所述第一铁铂合金薄膜的晶格较匹配，所述衬底层100采用铜材料制成时，磁记录性能佳。

而由于单晶硅相对于铜材料成本低，且具有熔点高、晶体结构完整，易于制备等特点，也可以采用单晶硅作为衬底层100。采用单晶硅作为衬底时，由于单晶硅与第一铁铂薄膜的晶格常数差别较大，容易产生晶格较大的畸变，为了削弱晶格畸变，可在所述第一铁铂薄膜和衬底层100之间生成第一隔离层400；或者在吸盘盘片上再设置一层铁铂薄膜，制作过程中，控制铁铂薄膜生长较厚一点，以达到相同的效果。

可选地，所述保护层300用户保护磁性层200，具体所述保护层300包括碳覆盖膜和润滑膜，所述碳覆盖膜位于所述第二铁铂合金薄膜与所述润滑膜之间。所述碳覆盖膜主要起保护作用，而润滑膜其润滑作用。

本申请的磁盘盘片通过在衬底层100上设置磁性层200，且设置所述磁性层200包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层100为晶体，以使所述衬底层100诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层200，基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层200，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层100诱导磁性层200形成有序相磁性层200，该磁记录介质的热稳定性高。

参照图2，在第二实施例中，基于单晶硅的熔点高、晶体结构完整，易于制备等特点，本实施例所述衬底层100采用单晶硅，而单晶硅基片作为衬底层100时，为了削弱晶格畸变，所述磁盘盘片还包括第一隔离层400，所述第一隔离层400位于所述衬底层100与所述磁性层200之间，其中，所述第一隔离层400为晶体，且所述第一隔离层400的晶格常数介于所述衬底层100与所述磁性层200的晶格常数之间。

具体而言，单晶硅成型为衬底层100后，在所述衬底层100上设置一层第一隔离层400，然后再在所述第一隔离层400上设置磁性层200。衬底层100与磁性层200的晶格常数差异较大，此时采用晶格成熟介于所述衬底层100与所述磁性层200的晶格常数之间的材料作为第一隔离层400，所述第一隔离层400减缓晶格差异的作用，有效改善了晶格畸变。

所述第一隔离层400只要是符合晶格常数介于所述衬底层100与所述磁性层200的晶格常数之间的材料即可，如氧化镁材料，氧化镁材料为非磁材料，不影响磁性层200的磁性，同时其晶格常数介于单晶硅与铁铂合金材料之间，另外，氧化镁还可以隔热，有效防止磁性层200热扩散。

由于磁性层200由铁铂合金材料制成，且基于衬底层100生成有序相磁性层200，单层磁性层200结构，磁性较大，不利于写入数据，故在第三实施例中，参照图3，所述磁盘盘片还包括第二隔离层500以及第二铁铂合金薄膜，所述第二隔离层500位于所述磁性层200与所述第二铁铂合金薄膜之间，其中，所述第二隔离层500为晶体，且所述第二隔离层500的晶格常数与所述磁性层200的晶格常数匹配。

在所述磁性层200(也即第一铁铂合金薄膜)上设置第二铁铂合金薄膜，形成双层磁性膜结构，而在所述第一铁铂合金薄膜和第二铁铂合金薄膜600之间设置第二隔离层500隔离，第一铁铂合金薄膜和第二铁铂合金薄膜之间基于所述第二隔离层500形成磁性耦合机制，其中，所述第二铁铂合金薄膜在生长过程中，基于无晶体诱导，形成无序相第二铁铂合金薄膜。

可以理解的是，形成所述第二隔离层500的材料满足晶格常数与所述磁性层200的晶格常数匹配即可，这里所说的匹配是指与所述磁性层200的晶格常数一致或相近，本实施例基于便捷设置，所述第二隔离层500也为氧化镁层。

本实施例基于在所述第一铁铂合金薄膜与所述第二铁铂合金薄膜之间设置第二隔离层500隔离，这样形成一种磁性耦合机制，有利于减低磁性，达到减低所述磁性层200的磁性的效果，利于所述磁性层200写入数据。

参照图4，本申请还提供一种磁盘盘片制作方法第一实施例，所述磁盘盘片制作方法包括以下步骤：

步骤S10，在衬底层上沉积磁性层，其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体；

步骤S20，真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层；

本申请磁盘盘片结构为了满足各种晶粒尺寸下均具有较好的热稳定性，且具有较高的磁各向异性能要求，所述磁性层采用铁铂合金材料制成，而由于所述第一铁铂合金薄膜(FePt)磁畴垂直于面外，需要一种衬底，以诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长，同时防止所述第一铁铂合金薄膜发生晶格畸变和热扩展，确保铁铂合金材料的磁记录功能以及热稳定性，本申请的衬底层采用晶体材料，基于晶体材料通过磁控溅射(PVD)技术可以诱导所述第一铁铂合金材料生成呈有序相的薄膜。

故磁盘盘片制作过程中，首先提供一种晶体基板作为衬底层，所述基板为能够诱导沉积在其上的第一铁铂合金薄膜的晶向往其生长；然后在衬底层上沉积铁铂合金薄膜，结合磁控溅射技术使得第一铁铂合金薄膜形成有序相磁性层。

其中，由于晶格中沿不同的方向，晶体的性质是不同的(即晶向不同)，结合第一铁铂合金薄膜的特点，本实施例中，采用的晶体基板能够诱导第一铁铂合金薄膜在特定方向生长，以形成有序磁性薄膜层。具体衬底层的性能要求为体心立方晶格，其中，体心立方晶格有单晶硅，也有铜，故本申请衬底层可以为单晶硅衬底，也可以为铜衬底。基于铜的晶格与所述第一铁铂合金薄膜的晶格较匹配，所述衬底层采用铜材料制成时，磁记录性能佳。而由于单晶硅相对于铜材料成本低，且具有熔点高、晶体结构完整，易于制备等特点，也可以采用单晶硅作为衬底层。采用单晶硅作为衬底时，由于单晶硅与第一铁铂薄膜的晶格常数差别较大，容易产生晶格较大的畸变，为了削弱晶格畸变，可在所述第一铁铂薄膜和衬底层之间生成第一隔离层；或者在吸盘盘片上再设置一层铁铂薄膜，制作过程中，控制铁铂薄膜生长较厚一点，以达到相同的效果。而所述第一铁铂合金薄膜中的铁和铂材料比例接近1:1，要求铁和铂材料的纯度不低于99.9％。

进一步地，参照图5，图5为图4中步骤S20进一步细化的结构示意图，在衬底层上沉积铁铂合金薄膜后，结合磁控溅射技术使得第一铁铂合金薄膜形成有序相磁性层，如所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤包括：

步骤S21，将所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层置于真空加热处理装置内；

步骤S22，依次以不同预设温度对所述磁性层加热预设时间，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

磁盘盘片采用磁控溅射技术制作，提供一磁溅射室，控制磁溅射室内的本底真空度优于10-5Pa，工作气体为氩气，且氩气的气压为2.5-6Pa。还提供一真空热处理炉，所述真空热处理炉内的温度可根据需求进行调节。

在晶体基片上沉积第一铁铂合金薄膜之前，对晶体基片进行加热处理，使得晶体基片的温度在350-450℃，然后在温度为350-450℃的基片上沉积所述第一铁铂合金材料，其中，所述第一铁铂合金材料中铁和铂的比例接近1:1，且铁铂的纯度不低于99.9％，待所述第一铁铂合金在基片上成膜后，将基片与第一铁铂合金薄膜放入所述真空热处理炉中，通过所述真空热处理炉进行加热烘烤处理。

具体根据第一铁铂合金薄膜的晶向生长情况，或根据基片对铁铂合金薄膜的诱导情况，设置不同预设温度以及不同预设温度下对应加热的预设时间，所述真空热处理炉依次以不同预设温度对所述磁性层加热预设时间，基于不同预设温度处理，结合基片的诱导，所述第一铁铂合金薄膜形成有序相。以下列举基片为单晶硅基片时，不同预设温度的设定例子，如温度分别设置在400℃，500℃，600℃和700℃，此时，分别以不同的温度热处理所述第一铁铂合金薄膜时，得到有序相第一铁铂合金薄膜

继续参照图4，所述磁盘盘片制作方法还包括步骤S30，在所述磁性层上形成保护层。具体保护层包括碳覆盖膜和润滑膜，具体制作过程为：先在所述磁性层上形成碳覆盖膜；然后在所述碳覆盖膜上形成润滑膜，以保护磁性层。

本实施例在磁盘盘片制作过程中，通过在晶体衬底层上沉积包括第一铁铂合金薄膜的磁性层，真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，结合晶体衬底层能够诱导所述第一铁铂合金薄膜适配生长，以形成有序磁性层；采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。

参照图6，本申请提出一种磁盘盘片制作方法的第二实施例，本实施例基于上述第一实施例，所述在衬底层上沉积磁性层的步骤包括：

步骤S11，在衬底层上沉积第一隔离层；

步骤S12，在所述第一隔离层上沉积所述磁性层，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。

具体而言，单晶硅成型为衬底层后，在所述衬底层上设置一层第一隔离层，然后再在所述第一隔离层上设置磁性层。衬底层与磁性层的晶格常数差异较大，此时采用晶格成熟介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间的材料作为第一隔离层，所述第一隔离层减缓晶格差异的作用，有效改善了晶格畸变。

所述第一隔离层只要是符合晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间的材料即可，如氧化镁材料，氧化镁材料为非磁材料，不影响磁性层的磁性，同时其晶格常数介于单晶硅与铁铂合金材料之间，另外，氧化镁还可以隔热，有效防止磁性层热扩散。

本实施例所述第一隔离层在磁溅射室内沉积，也即依次在衬底层上沉积第一隔离层之后，再在所述第一隔离层上沉积所述第一铁铂合金薄膜，再将所述衬底层、第一隔离层以及第一铁铂合金薄膜放入真空热处理炉进行加热。

参照图7，本申请提出一种磁盘盘片制作方法的第三实施例，本实施例基于上述所有实施例，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤之后，在所述磁性层上形成保护层的步骤之前，所述磁盘盘片制作方法还包括：

步骤S40，在所述磁性层上沉积第二隔离层，其中，所述第二隔离层为氧化镁薄膜；

步骤S50，在所述第二隔离层上沉积第二铁铂合金薄膜。

由于磁性层由铁铂合金材料制成，且基于衬底层生成有序相磁性层，单层磁性层结构，磁性较大，不利于写入数据，故本实施例中需要在磁性层上沉积第二隔离层。

在所述磁性层(也即第一铁铂合金薄膜)上设置第二铁铂合金薄膜，形成双层磁性膜结构，而在所述第一铁铂合金薄膜和第二铁铂合金薄膜之间设置第二隔离层隔离，第一铁铂合金薄膜和第二铁铂合金薄膜之间基于所述第二隔离层形成磁性耦合机制，其中，所述第二铁铂合金薄膜在生长过程中，基于无晶体诱导，形成无序相第二铁铂合金薄膜。

可以理解的是，形成所述第二隔离层的材料满足晶格常数与所述磁性层的晶格常数匹配即可，这里所说的匹配是指与所述磁性层的晶格常数一致或相近，本实施例基于便捷设置，所述第二隔离层也为氧化镁层。

具体在经过真空热处理炉加热后，将衬底层以及磁性层组成的样品放回磁溅射室内，调节磁溅射室内的温度参数，使得衬底层以及磁性层的温度在常温，进而依次在所述磁性层上沉积第二隔离层以及第二铁铂合金薄膜，其中，所述第二铁铂合金薄膜沉积成膜后，不需要进行真空热处理炉加热，且所述第二铁铂合金薄膜在常温下沉积，形成无序相的铁铂合金薄膜。以下列举基片为单晶硅基片时，第二隔离层沉积时控制衬底层以及磁性层温度在27-150℃之间，此时，得到无序相第二铁铂合金薄膜

本实施例基于在所述第一铁铂合金薄膜与所述第二铁铂合金薄膜之间设置第二隔离层隔离，这样形成一种磁性耦合机制，有利于减低磁性，达到减低所述磁性层的磁性的效果，利于所述磁性层写入数据。

此外，本申请还提供一种磁性记忆体存储器件，所述磁性记忆体存储器件包括磁盘盘片；

其中，所述磁盘盘片包括：

衬底层；

磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；

保护层，所述保护层位于所述磁性层上；

其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

本申请的磁性记忆体存储器件，所包含的磁盘盘片结构通过在衬底层上设置磁性层，且设置所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层，基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。

以上所述仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片包括：

衬底层；

磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；

保护层，所述保护层位于所述磁性层之上；

第一隔离层，所述第一隔离层位于所述衬底层与所述磁性层之间；

其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述第一铁铂合金的磁畴垂直于面外；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层通过磁控溅射技术诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长形成有序磁性层；所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。

2.根据权利要求1所述的磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片还包括第二隔离层以及第二铁铂合金薄膜，所述第二隔离层位于所述磁性层与所述第二铁铂合金薄膜之间，其中，所述第二隔离层为晶体，且所述第二隔离层的晶格常数与所述磁性层的晶格常数匹配。

3.根据权利要求2所述的磁盘盘片，其特征在于，所述第一隔离层和/或所述第二隔离层为氧化镁膜；所述衬底层为单晶硅基片。

4.根据权利要求2所述的磁盘盘片，其特征在于，所述保护层包括碳覆盖膜和润滑膜，所述碳覆盖膜位于所述第二铁铂合金薄膜与所述润滑膜之间。

5.一种磁盘盘片制作方法，其特征在于，所述磁盘盘片制作方法包括以下步骤：

在衬底层上沉积第一隔离层；

在所述第一隔离层上沉积磁性层，其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述第一铁铂合金的磁畴垂直于面外，所述衬底层为晶体，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间；

真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述第一隔离层上的磁性层，以使所述衬底层通过磁控溅射技术诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长形成有序磁性层；

在所述磁性层上形成保护层。

6.根据权利要求5所述的磁盘盘片制作方法，其特征在于，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述第一隔离层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤包括：

将所述衬底层以及沉积在所述第一隔离层上的磁性层置于真空加热处理装置内；

依次以不同预设温度对所述磁性层加热预设时间，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

7.如权利要求5或6所述的磁盘盘片制作方法，其特征在于，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述第一隔离层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤之后，所述磁盘盘片制作方法还包括：

在所述磁性层上沉积第二隔离层，其中，所述第二隔离层为氧化镁薄膜；

在所述第二隔离层上沉积第二铁铂合金薄膜。

8.一种磁性记忆体存储器件，其特征在于，所述磁性记忆体存储器件包括磁盘盘片；

其中，所述磁盘盘片包括：

衬底层；

磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；

保护层，所述保护层位于所述磁性层上；

第一隔离层，所述第一隔离层位于所述衬底层与所述磁性层之间；

其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述第一铁铂合金的磁畴垂直于面外；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层通过磁控溅射技术诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长形成有序磁性层；所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。

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