CN110103584A - 老化测试插座用表面处理金属材料、使用了其的老化测试插座用连接器及老化测试插座 - Google Patents

老化测试插座用表面处理金属材料、使用了其的老化测试插座用连接器及老化测试插座 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在使用于老化测试插座用的触头时，能良好地抑制该插座的触头与插入的其他金属材料的接触电阻的老化测试插座用表面处理金属材料。该老化测试插座用表面处理金属材料具备：基材；形成在基材上的由从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu组成的组即A结构元素组中选择的一种或两种以上构成的下层；形成在下层上的由从A结构元素组中选择的一种或两种以上和从由Sn及In组成的组即B结构元素组中选择的一种或两种构成的中层；以及形成在中层上的由从B结构元素组中选择的一种或两种与从由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir组成的组即C结构元素组中选择的一种或两种以上的合金构成的上层，下层的厚度为0.05μm以上且小于5.00μm，中层的厚度为0.01μm以上且小于0.40μm，上层的厚度为0.02μm以上且小于1.00μm。

Description

老化测试插座用表面处理金属材料、使用了其的老化测试插 座用连接器及老化测试插座
技术领域
本发明涉及老化测试插座用表面处理金属材料、使用了其的老化测试插座用连接器及老化测试插座。
背景技术
在为了事先去除半导体器件等的初期不良而进行的品质试验中，在通过以温度和电压进行加热而使样品(検体)的劣化加速来实现检査的时间缩短的目的下，实施老化测试。
在老化测试中使用老化测试插座(专利文献1)，在老化测试插座的与样品的电接触部分具备老化测试插座用连接器。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2010-109386号公报
发明内容
【发明的概要】
【发明要解决的课题】
在此，老化测试插座使用的触头在与成为样品的金属材料接触而以规定温度实施了规定时间的加热保持试验时，其接触电阻值有时会增加。如果接触电阻值增加，则可能会误判断为进行测试中的IC的电阻值上升，因此难以实施准确的老化测试。
本发明为了解决上述的课题而做出，提供一种在使用于老化测试插座用的触头时，能良好地对该插座的触头与插入的其他的金属材料的接触电阻进行抑制的老化测试插座用表面处理金属材料。
【用于解决课题的方案】
本发明者们进行仔细研讨的结果是发现了如下情况：在基材上依次设置下层、中层、上层，在下层、中层、上层中使用规定的金属，并设为规定的厚度及组成，由此能得到解决该课题的老化测试插座用表面处理金属材料。
将以上的见解作为基础而完成的本发明在一方面中，提供一种老化测试插座用表面处理金属材料，其具备：基材；形成在所述基材上的由从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu组成的组即A结构元素组中选择的一种或两种以上元素构成的下层；形成在所述下层上的由从所述A结构元素组中选择的一种或两种以上元素和从由Sn及In组成的组即B结构元素组中选择的一种或两种元素构成的中层；以及形成在所述中层上的由从所述B结构元素组中选择的一种或两种元素和从由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir组成的组即C结构元素组中选择的一种或两种以上元素的合金构成的上层，所述下层的厚度为0.05μm以上且小于5.00μm，所述中层的厚度为0.01μm以上且小于0.40μm，所述上层的厚度为0.02μm以上且小于1.00μm。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在一个实施方式中，在使所述表面处理金属材料从所述上层侧与其他的金属材料接触而以180℃保持了200小时的情况下，接触电阻值为2.0mΩ以下。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在另一实施方式中，在使所述表面处理金属材料从所述上层侧与其他金属材料以2.4N的接触载荷接触并以180℃保持了200小时的情况下，所述其他金属材料表面的包覆金属元素向所述表面处理金属材料的扩散从所述表面处理金属材料的表面至0.5μm以下的深度为止。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，所述上层含有10～50at％的所述B结构元素组的金属。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，所述中层含有35at％以上的所述B结构元素组的金属。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，所述A结构元素组的金属以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合计为50质量％以上，还包含从由B、P、Sn及Zn组成的组中选择的一种或两种以上。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，所述B结构元素组的金属以Sn与In的合计为50质量％以上，还包含从由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn组成的组中选择的一种或两种以上的金属。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，所述C结构元素组的金属以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的合计为50质量％以上，还包含从由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn组成的组中选择的一种或两种以上的金属。
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在又一实施方式中，在所述下层与中层之间还具备由A结构元素组的金属和C结构元素组的金属的合金所构成的层。
本发明在另一方面中，提供一种具备本发明的表面处理金属材料的老化测试插座用连接器。
本发明在又一方面中，提供一种具备本发明的连接器的老化测试插座。
【发明效果】
根据本发明，能够提供一种在使用于老化测试插座用的触头时，能良好地抑制该插座的触头与插入的其他的金属材料的接触电阻的老化测试插座用表面处理金属材料。
附图说明
图1是表示实施方式的电子部件用金属材料的结构的示意图。
图2是表示接触电阻评价的情况的样品的观察照片。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明的机械密封件的实施方式。
以下，对于本发明的实施方式的老化测试插座用表面处理金属材料进行说明。如图1所示，实施方式的老化测试插座用表面处理金属材料10在基材11上形成有下层12，在下层12上形成有中层13，在中层13上形成有上层14。
<老化测试插座用表面处理金属材料的结构>
(基材)
作为基材11，没有特别限定，可以使用例如铜及铜合金、Fe系材料、不锈钢、钛及钛合金、铝及铝合金等金属基材。
(上层)
上层14通过从由Sn及In组成的组即B结构元素组中选择的1种或2种与从由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir组成的组即C结构元素组中选择的1种或2种以上的合金来构成。
Sn及In虽然是具有氧化性的金属，但是在金属之中具有比较柔软的特征。由此，即使在Sn及In表面形成氧化膜，在例如将电子部件用金属材料作为接点材料而进行对接时，也容易削去氧化膜，接点成为金属彼此，因此能得到低接触电阻。
另外，Sn及In对于氯气、亚硫酸气体、硫化氢气体等气体的耐气体腐蚀性优异，例如，在上层14使用了耐气体腐蚀性差的Ag，在下层12使用了耐气体腐蚀性差的Ni，在基材11使用了耐气体腐蚀性差的铜及铜合金的情况下，Sn及In具有提高电子部件用金属材料的耐气体腐蚀性的作用。另外，在Sn及In中，根据日本卫生部以及劳动和社会保障部的与健康障碍防止相关的技术方针，严格限制In，因此优选Sn。
Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir在金属之中具有比较高的耐热性的特征。由此，抑制基材11、下层12及中层13的组成向上层14侧扩散而提高耐热性。而且，这些金属与上层14的Sn或In形成化合物而抑制Sn或In的氧化膜形成，提高焊料浸润性。另外，在Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir之中，从导电率的观点出发而更优选Ag。Ag的导电率高。例如在高频的信号用途中使用Ag的情况下，由于集肤效应(表皮効果)而阻抗电阻降低。
上层14的厚度需要为0.02μm以上且小于1.00μm。当上层14的厚度小于0.02μm时，基材11或下层12的组成容易向上层14侧扩散而耐热性或焊料浸润性变差。而且由于微滑动而上层磨损，接触电阻高的下层12容易露出，因此耐微滑动磨损性差，并且由于微滑动而使得接触电阻容易上升。而且，耐气体腐蚀性差的下层12容易露出，因此耐气体腐蚀性也差，如果进行气体腐蚀试验，则外观变色。另一方面，当上层14的厚度为1.00μm以上时，硬的基材11或下层12产生的薄膜润滑效果下降而使得粘着磨损(凝着磨耗)增大。而且，机械的耐久性下降，容易发生镀敷削减。
上层14优选含有10～50at％的B结构元素组的金属。当B结构元素组的金属小于10at％时，例如在C结构元素组的金属为Ag的情况下，耐气体腐蚀性差，如果进行气体腐蚀试验，则外观有时会变色。另一方面，当B结构元素组的金属超过50at％时，上层14的B结构元素组的金属的比例增大而使得粘着磨损有时会增大。
(中层)
在下层12与上层14之间需要以0.01μm以上且小于0.40μm的厚度形成中层13，该中层13通过从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co和Cu组成的组即A结构元素组中选择的一种或两种以上与从由Sn和In组成的组即B结构元素组中选择的一种或两种来构成。Sn及In对于氯气、亚硫酸气体、硫化氢气体等气体的耐气体腐蚀性优异，例如对于在下层12使用了耐气体腐蚀性差的Ni，在基材11使用了耐气体腐蚀性差的铜及铜合金的情况，具有提高电子部件用金属材料的耐气体腐蚀性的作用。Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu与Sn或In相比，表层膜(皮膜)比较硬，因此难以产生粘着磨损，防止了基材11的结构金属向上层14的扩散，提高了对耐热性试验或焊料浸润性劣化进行抑制等的耐久性。
当中层13的厚度小于0.01μm时，皮膜柔软，粘着磨损增加。另一方面，当中层13厚度为0.40μm以上时，弯曲加工性下降，而且机械的耐久性下降，有时也会发生镀敷削减的情况。
在Sn及In之中，根据日本卫生部以及劳动和社会保障部的与健康障碍防止相关的技术方针，严格限制In，因此优选Sn。而且，在Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu之中优选Ni。这是因为，Ni硬而难以发生粘着磨损，而且能得到充分的弯曲加工性。
在中层13中，B结构元素组的金属优选为35at％以上。通过Sn成为35at％以上而皮膜变硬，粘着磨损有时会减少。
(下层)
在基材11与中层13之间需要形成下层12，该下层12通过从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu组成的组即A结构元素组中选择的1种或2种以上来构成。使用从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu组成的组即A结构元素组中选择的1种或2种以上的金属来形成下层12，由此通过形成硬的下层12而提高薄膜润滑效果且减少粘着磨损，下层12防止基材11的结构金属向上层14的扩散而提高耐热性或焊料浸润性等。
下层12的厚度需要为0.05μm以上。当下层12的厚度小于0.05μm时，硬的下层产生的薄膜润滑效果下降而粘着磨损增大。基材11的结构金属容易向上层14扩散，耐热性或焊料浸润性劣化。另一方面，下层12的厚度需要小于5.00μm。当厚度为5.00μm以上时，弯曲加工性差。
在下层12与中层13之间可以还具备由A结构元素组的金属与C结构元素组的金属的合金构成的层。作为该层，例如，优选为Ni-Ag合金层。如果将这样的层形成在下层12与中层13之间，则能够更良好地防止基材11的结构金属向上层14的扩散而提高耐热性或焊料浸润性等。
(A结构元素组)
A结构元素组的金属以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合计为50mass％以上，还可以包含从B、P、Sn及Zn组成的组中选择的1种或2种以上。由下层12的合金组成成为这样的结构，下层12进一步硬化而使得薄膜润滑效果进一步提高，粘着磨损进一步减少，下层12的合金化进一步防止基材11的结构金属向上层的扩散，有时提高耐热性或焊料浸润性等的耐久性。
(B结构元素组)
B结构元素组的金属以Sn与In的合计为50mass％以上，还可以包含从由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn组成的组中选择的1种或2种以上的金属。通过这些金属而进一步减少粘着磨损，而且抑制晶须的发生，还存在提高耐热性或焊料浸润性等的耐久性的情况。
(C结构元素组)
C结构元素组的金属以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的合计为50mass％以上，还可以包含从由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn构成的组中选择的1种或2种以上的金属。通过这些金属而进一步减少粘着磨损，而且抑制晶须的发生，还存在提高耐热性或焊料浸润性等的耐久性的情况。
<老化测试插座用表面处理金属材料的特性>
在使本发明的老化测试插座用表面处理金属材料从上层侧与其他的金属材料接触而以180℃保持200小时的情况下，接触电阻值为2.0mΩ以下。因此，本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在作为老化测试插座的连接器使用时，在与其他的金属材料接触的状态下，即使以规定条件进行加热保持，也能够良好地抑制接触电阻的增大。而且，该接触电阻值优选为1.8mΩ以下，更优选为1.6mΩ以下。
另外，使本发明的老化测试插座用表面处理金属材料从上层侧以2.4N的接触载荷与其他的金属材料接触，并以180℃保持200小时的情况下，其他的金属材料的表面的包覆金属元素向表面处理金属材料的扩散从表面处理金属材料的表面起，到0.5μm以下的深度为止。因此，本发明的老化测试插座用表面处理金属材料在作为老化测试插座的连接器使用时，在与其他的金属材料接触的状态下，即使以规定条件施加载荷而进行加热保持，也能够良好地抑制接触电阻的增大。而且，优选为，该其他金属材料表面的包覆金属元素向表面处理金属材料的扩散从表面处理金属材料的表面起，到0.4μm以下的深度为止，更优选为到0.3μm以下的深度为止。
<老化测试插座用表面处理金属材料的用途>
本发明的老化测试插座用表面处理金属材料可以作为老化测试插座用的连接器使用。而且，使用利用本发明的老化测试插座用表面处理金属材料制作的连接器能够制作老化测试插座。在具备利用本发明的老化测试插座用表面处理金属材料制作的连接器的老化测试插座中，能良好地抑制老化测试插座的触头与插入的其他的金属材料的接触电阻。
<老化测试插座用表面处理金属材料的制造方法>
作为本发明的老化测试插座用表面处理金属材料的制造方法，可以使用湿式(电气、无电解)镀敷、干式(溅射、离子喷镀等)镀敷等。
【实施例】
以下，将本发明的实施例与比较例一起表示，但这是为了更良好地理解本发明而提供的方式，并未限定本发明。
首先，作为原料，准备了以下的板材和半球形材料。
作为实施例1～16、比较例1～5、8、9、参考例6、7，在以下的条件下，对基材(半球形材料)的表面，按照第一镀敷、第二镀敷及/或第三镀敷、进而磷酸酯系液处理及热处理的顺序进行了表面处理。表1示出各实施例、比较例、参考例的镀敷种类、制造时的镀敷厚度、磷酸酯系液处理条件及热处理条件。
(基材)
(1)板材：厚度0.25mm，宽度8mm，成分：黄铜，Sn镀敷1.0μm厚
(2)半球形材料：厚度0.2mm，宽度12mm，成分：黄铜
(第一镀敷条件)
·Ni镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：氨基磺酸(スルファミン)Ni(150g/l)+硼酸(30g/l)
镀敷温度：55℃
电流密度：0.5～4A/dm2
·Ni-Co镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：氨基磺酸Ni(60g/l)+硫酸钴(60g/l)+硼酸(30g/l)
镀敷温度：55℃
电流密度：0.5～4A/dm2
(第二镀敷条件)
·Ag镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：氰化Ag(10g/l)+氰化钾(30g/l)
镀敷温度：40℃
电流密度：0.2～4A/dm2
·Ag-Sn镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：甲磺酸(メタンスルホン酸)Ag(1g/l)+甲磺酸Sn(50g/l)+甲磺酸(180g/l)
镀敷温度：25℃
电流密度：3～5A/dm2
·Sn镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：甲磺酸Sn(50g/l)+甲磺酸(200g/l)
镀敷温度：30℃
电流密度：5～7A/dm2
·In镀敷条件
表面处理方法：电镀
镀敷液：甲磺酸In(50g/l)+甲磺酸(200g/l)
镀敷温度：40℃
电流密度：5～7A/dm2
(第三镀敷条件)
·Sn镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：甲磺酸Sn(50g/l)+甲磺酸(200g/l)
镀敷温度：30℃
电流密度：5～7A/dm2
·Sn-Ag镀敷
表面处理方法：电镀
镀敷液：甲磺酸Ag(1g/l)+甲磺酸Sn(50g/l)+甲磺酸(180g/l)
镀敷温度：25℃
电流密度：3～5A/dm2
(磷酸酯系液处理)
在第一至第三镀敷后，如表1所示，对镀敷表面，使用以下的磷酸酯种类(A1、A2)及环状有机化合物种类(B1、B2)按照以下的条件进行了磷酸酯系液处理。磷酸酯系液处理后的镀敷表面的P附着量及N附着量如表1所示。
·磷酸酯种类：A1
十二烷基酸性磷酸单酯(ラウリル酸性リン酸モノエステル)(十二烷基磷酸单酯(リン酸モノラウリルエステル))
·磷酸酯种类：A2
十二烷基酸性磷酸二酯(ラウリル酸性リン酸ジエステル)(十二烷基磷酸二酯(リン酸ジラウリルエステル))
·环状有机化合物种：B1
苯并三唑(ベンゾトリアゾール)
·环状有机化合物种：B2
巯基苯并噻唑(メルカプトベンゾチアゾール)的Na盐
可以向上层14形成后的上层14的表面涂布磷酸酯系液来进行表面处理。作为涂布的方法，可列举喷涂、流涂、浸涂、辊涂等方法，从生产性的观点出发优选浸涂或喷涂。另一方面，作为其他的处理方法，可以通过使形成上层14后的金属材料浸渍在磷酸酯系液中并以金属材料为阳极进行电解来进行。在利用该方法处理的金属材料中，具有高温环境下的接触电阻更难以上升的优点。
到目前为止说明的基于磷酸酯系液的表面处理可以在上层14形成后或上层14形成后的回流处理之后的任一阶段来实施。而且，表面处理没有特别的时间上的制约，但是从工业的观点出发而优选通过一连串的工序进行。
(热处理)
最后，在加热板上放置样品，确认加热板的表面成为表1所示的温度的情况而在表1所示的气氛下及热处理时间下实施热处理。
(下层的厚度测定)
下层的厚度通过荧光X射线膜厚计(精工仪器(Seiko Instruments)制SEA5100，准直仪0.1mmΦ(直径))进行了测定。
下层的厚度测定关于任意的10个点进行评价而进行了平均化。
(表层及上层及中层的结构[组成]的决定及厚度测定)
通过基于STEM(扫描型电子显微镜)分析的线分析来进行所得到的试料的上层及中层的结构决定及厚度测定。厚度对应于根据线分析(或面分析)而求出的距离。STEM装置使用了日本电子株式会社制JEM-2100F。本装置的加速电压为200kV。
对所得到的试料的上层及中层的结构的决定及厚度测定关于任意的10个点进行评价，而进行了平均化。同样地对表层的厚度与上层及中层的厚度进行了测定。
(评价)
关于各样品按照以下的条件进行了接触电阻评价。而且，图2示出表示接触电阻评价的情况的样品的观察照片。图2的左图示出了半球形材料的整体平面观察(平面観察)照片，中央图示出了半球形材料的放大平面观察照片，右图示出了半球形材料的侧面观察照片。
如图2所示，将所制作的板材向半球形材料插入而使其接触。接下来，在使板材与半球形材料保持接触的状态下，以180℃保持200小时。此时，使用山崎精机研究所制造的接点模拟器CRS-113-Au型，在接点载荷1N、2N、3N及5N的条件下以4端子法测定了接触电阻。
另外，将所制作的板材向半球形材料插入而使其以2.4N的接触载荷接触，在以180℃保持了200小时的情况下，测定了板材表面的包覆金属元素向半球形材料的扩散到达距半球形材料的表面为何种程度的深度。
各试料的组成及评价条件及结果如表1及表2所示。另外，表1的“厚度”是形成的第一至第三镀敷的厚度，表2的“厚度”表示合金化的镀敷的厚度。
【表1】
【表2】
实施例1～16都是在使半球形材料与板材接触并以180℃保持了200小时的情况下，接触电阻值成为2.0mΩ以下，良好地抑制了接触电阻。
另外，实施例1～16中，接触电阻(包括随着时间变化)分别与由厚度为2μm的Ag构成了上层的参考例6、由厚度为0.4μm的Au构成了上层的参考例7相等。
比较例1～5、8、9都是在使半球形材料与板材接触而以180℃保持了200小时的情况下，接触电阻值超过2.0mΩ，接触电阻不良。
比较例1～3、5在表层或上层残存有纯Sn，Sn镀敷的板材同样在表面存在有Sn，因此扩散深度不明。
【符号说明】
10 老化测试插座用表面处理金属材料
11 基材
12 下层
13 中层
14 上层

Claims (11)

1.一种老化测试插座用表面处理金属材料，其具备：
基材；
下层，其形成在所述基材上，由从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co和Cu组成的组即A结构元素组中选择的一种或两种以上所构成；
中层，其形成在所述下层上，由从所述A结构元素组中选择的一种或两种以上和从由Sn及In组成的组即B结构元素组中选择的一种或两种构成；以及
上层，其形成在所述中层上，由从所述B结构元素组中选择的一种或两种与从由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os和Ir组成的组即C结构元素组中选择的一种或两种以上的合金构成，
所述下层的厚度为0.05μm以上且小于5.00μm，
所述中层的厚度为0.01μm以上且小于0.40μm，
所述上层的厚度为0.02μm以上且小于1.00μm。
2.根据权利要求1所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
在使所述表面处理金属材料从所述上层侧与其他的金属材料接触而以180℃保持了200小时的情况下，接触电阻值为2.0mΩ以下。
3.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
在使所述表面处理金属材料从所述上层侧以2.4N的接触载荷与其他金属材料接触并以180℃保持了200小时的情况下，所述其他金属材料的表面的包覆金属元素向所述表面处理金属材料的扩散从所述表面处理金属材料的表面起，到0.5μm以下的深度止。
4.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
所述上层含有10～50at％的所述B结构元素组的金属。
5.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
所述中层含有35at％以上的所述B结构元素组的金属。
6.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
所述A结构元素组的金属以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合计为50mass％以上，还包含从由B、P、Sn及Zn组成的组中选择的一种或两种以上。
7.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
所述B结构元素组的金属以Sn与In的合计为50mass％以上，还包含从由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn组成的组中选择的一种或两种以上的金属。
8.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
所述C结构元素组的金属以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的合计为50mass％以上，还包含从由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn组成的组中选择的一种或两种以上的金属。
9.根据权利要求1或2所述的老化测试插座用表面处理金属材料，其中，
在所述下层与中层之间还具备由A结构元素组的金属和C结构元素组的金属的合金构成的层。
10.一种老化测试插座用连接器，其具备权利要求1～9中任一项所述的老化测试插座用表面处理金属材料。
11.一种老化测试插座，其具备权利要求10所述的老化测试插座用连接器。
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